JP2023010271A - 状態検出装置、および、状態検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】検出精度の低下を抑制しつつチャックピンの開閉状態を検出する。【解決手段】状態検出装置は、基板を保持するための少なくとも1つのチャックピンと、チャックピンを撮像し、得られる少なくとも1つの画像を対象画像とする撮像部と、対象画像と、チャックピンを示す少なくとも1つの画像である基準画像とでマッチング処理を行い、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の基準画像の対象画像における位置を示す座標であるマッチング座標を算出するマッチング座標算出部と、マッチング座標に基づいて、チャックピンの開閉状態を検出する検出部とを備える。【選択図】図4
Description
本願明細書に開示される技術は、画像に基づく検出技術に関するものである。
基板処理装置においては、基板を保持するためのチャックピンの開閉状態が、基板を保持する保持ユニットに設けられ、基板の端部に配されたセンサなどを使って検出される(たとえば、特許文献1を参照)。
基板の端部に配されたセンサは、基板処理時にノズルから供給される処理液、または当該処理液などによって形成されるミストが付着することによって検出部が汚染され、その結果検出精度が低下する場合がある。
本願明細書に開示される技術は、以上に記載されたような問題を鑑みてなされたものであり、検出精度の低下を抑制しつつチャックピンの開閉状態を検出するための技術である。
本願明細書に開示される技術の第1の態様である状態検出方法は、基板を保持するための少なくとも1つのチャックピンの一部を含む少なくとも1つの画像を、基準画像として得る工程と、前記チャックピンの少なくとも一部を撮像して得られる少なくとも1つの画像を、対象画像として得る工程と、前記基準画像と前記対象画像とでマッチング処理を行い、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の前記基準画像の前記対象画像における位置を示す座標であるマッチング座標を算出する工程と、前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程とを備える。
本願明細書に開示される技術の第2の態様である状態検出方法は、第1の態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像が示す範囲は、前記対象画像における一部の範囲に対応する。
本願明細書に開示される技術の第3の態様である状態検出方法は、第1または2の態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像は、前記基板を含めない画像である。
本願明細書に開示される技術の第4の態様である状態検出方法は、第1から3のうちのいずれか1つの態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像における前記チャックピンは、開状態、前記基板を保持している閉状態、または、前記基板を保持していない閉状態のいずれかである。
本願明細書に開示される技術の第5の態様である状態検出方法は、第1から4のうちのいずれか1つの態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像を得る工程は、複数の前記チャックピンにそれぞれ対応して複数の前記基準画像を得る工程であり、前記対象画像を得る工程は、それぞれの前記基準画像に示される前記チャックピンを撮像して、複数の前記対象画像を得る工程である。
本願明細書に開示される技術の第6の態様である状態検出方法は、第1から5のうちのいずれか1つの態様である状態検出方法に関連し、前記基板が前記チャックピンに保持されているか否かを検出する工程とをさらに備え、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程は、前記チャックピンに前記基板が保持されているか否かに応じて限定された座標範囲に含まれる前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程である。
本願明細書に開示される技術の第7の態様である状態検出方法は、第1から6のうちのいずれか1つの態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像および前記対象画像が示す範囲の少なくとも一方は、前記チャックピンに保持されている前記基板の外縁部に沿う長手方向を有する。
本願明細書に開示される技術の第8の態様である状態検出方法は、第1から7のうちのいずれか1つの態様である状態検出方法に関連し、前記基準画像を得る工程では、前記基準画像に対応する所定画素の座標を基準座標とし、かつ、前記基準座標に基づいてしきい値を設定し、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程は、前記マッチング座標が前記基準座標と比較して前記しきい値の範囲内か否かで前記チャックピンの開閉状態を検出する。
本願明細書に開示される技術の第9の態様である状態検出装置は、基板を保持するための少なくとも1つのチャックピンと、前記チャックピンの少なくとも一部を撮像し、得られる少なくとも1つの画像を対象画像とする撮像部と、前記対象画像と、前記チャックピンの一部を含む少なくとも1つの画像である基準画像とでマッチング処理を行い、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の前記基準画像の前記対象画像における位置を示す座標であるマッチング座標を算出するマッチング座標算出部と、前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する検出部とを備える。
本願明細書に開示される技術の少なくとも第1、9の態様によれば、チャックピンを撮像して得られる対象画像を使ってマッチング処理を行うことで算出されるマッチング座標に基づいて、チャックピンの開閉状態を検出することができる。よって、基板の端部にセンサなどを配して使わなくても、チャックピンの画像を撮像するカメラなどがあれば足りるため、検出精度の低下を抑制しつつチャックピンの開閉状態を検出することができる。
また、本願明細書に開示される技術に関連する目的と、特徴と、局面と、利点とは、以下に示される詳細な説明と添付図面とによって、さらに明白となる。
以下、添付される図面を参照しながら実施の形態について説明する。以下の実施の形態では、技術の説明のために詳細な特徴なども示されるが、それらは例示であり、実施の形態が実施可能となるためにそれらすべてが必ずしも必須の特徴ではない。
なお、図面は概略的に示されるものであり、説明の便宜のため、適宜、構成の省略、または、構成の簡略化などが図面においてなされるものである。また、異なる図面にそれぞれ示される構成などの大きさおよび位置の相互関係は、必ずしも正確に記載されるものではなく、適宜変更され得るものである。また、断面図ではない平面図などの図面においても、実施の形態の内容を理解することを容易にするために、ハッチングが付される場合がある。
また、以下に示される説明では、同様の構成要素には同じ符号を付して図示し、それらの名称と機能とについても同様のものとする。したがって、それらについての詳細な説明を、重複を避けるために省略する場合がある。
また、本願明細書に記載される説明において、ある構成要素を「備える」、「含む」または「有する」などと記載される場合、特に断らない限りは、他の構成要素の存在を除外する排他的な表現ではない。
また、本願明細書に記載される説明において、「第1の」または「第2の」などの序数が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態の内容はこれらの序数によって生じ得る順序などに限定されるものではない。
また、本願明細書に記載される説明における、相対的または絶対的な位置関係を示す表現、たとえば、「一方向に」、「一方向に沿って」、「平行」、「直交」、「中心」、「同心」または「同軸」などは、特に断らない限りは、その位置関係を厳密に示す場合と、公差または同程度の機能が得られる範囲において角度または距離が変位している場合とを含むものとする。
また、本願明細書に記載される説明において、「上」、「下」、「左」、「右」、「側」、「底」、「表」または「裏」などの特定の位置または方向を意味する用語が使われる場合があっても、これらの用語は、実施の形態の内容を理解することを容易にするために便宜上使われるものであり、実施の形態が実際に実施される際の位置または方向とは関係しないものである。
<実施の形態>
以下、本実施の形態に関する状態検出装置、および、状態検出方法について説明する。
以下、本実施の形態に関する状態検出装置、および、状態検出方法について説明する。
<基板処理装置の構成について>
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置100の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置100は、ロードポート601と、インデクサロボット602と、センターロボット603と、制御部9と、少なくとも1つの処理ユニット1(図1においては4つの処理ユニット)とを備える。
図1は、本実施の形態に関する基板処理装置100の構成の例を概略的に示す平面図である。基板処理装置100は、ロードポート601と、インデクサロボット602と、センターロボット603と、制御部9と、少なくとも1つの処理ユニット1(図1においては4つの処理ユニット)とを備える。
なお、処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、有機EL(electroluminescence)表示装置などのflat panel display(FPD)用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板、セラミック基板、電界放出ディスプレイ(field emission display、すなわち、FED)用基板、または、太陽電池用基板などが含まれる。
本実施の形態に関する基板処理装置100は、円形薄板状であるシリコン基板である基板Wに対して、薬液および純水などのリンス液を用いて洗浄処理を行った後、乾燥処理を行う。
上記の薬液としては、たとえば、アンモニアと過酸化水素水との混合液(SC1)、塩酸と過酸化水素水との混合水溶液(SC2)、または、DHF液(希フッ酸)などが用いられる。
以下の説明では、薬液とリンス液とを総称して「処理液」とする。なお、洗浄処理のみならず、成膜処理のためのフォトレジスト液などの塗布液、不要な膜を除去するための薬液、または、エッチングのための薬液なども「処理液」に含まれるものとする。
処理ユニット1は、基板処理に用いることができる枚葉式の装置であり、具体的には、基板Wに付着している有機物を除去する処理を行う装置である。基板Wに付着している有機物は、たとえば、使用済のレジスト膜である。当該レジスト膜は、たとえば、イオン注入工程用の注入マスクとして用いられたものである。
なお、処理ユニット1は、チャンバー10を有することができる。その場合、チャンバー10内の雰囲気を制御部9によって制御することで、処理ユニット1は、所望の雰囲気中における基板処理を行うことができる。
制御部9は、基板処理装置100におけるそれぞれの構成の動作を制御することができる。キャリアCは、基板Wを収容する収容器である。また、ロードポート601は、複数のキャリアCを保持する収容器保持機構である。インデクサロボット602は、ロードポート601と基板載置部604との間で基板Wを搬送することができる。センターロボット603は、基板載置部604および処理ユニット1間で基板Wを搬送することができる。
以上の構成によって、インデクサロボット602、基板載置部604およびセンターロボット603は、それぞれの処理ユニット1とロードポート601との間で基板Wを搬送する搬送機構として機能する。
未処理の基板WはキャリアCからインデクサロボット602によって取り出される。そして、未処理の基板Wは、基板載置部604を介してセンターロボット603に受け渡される。
センターロボット603は、当該未処理の基板Wを処理ユニット1に搬入する。そして、処理ユニット1は基板Wに対して処理を行う。
処理ユニット1において処理済みの基板Wは、センターロボット603によって処理ユニット1から取り出される。そして、処理済みの基板Wは、必要に応じて他の処理ユニット1を経由した後、基板載置部604を介してインデクサロボット602に受け渡される。インデクサロボット602は、処理済みの基板WをキャリアCに搬入する。以上によって、基板Wに対する処理が行われる。
図2は、本実施の形態に関する処理ユニット1の平面図である。また、図3は、本実施の形態に関する処理ユニット1の断面図である。
図2は、スピンチャック20に基板Wが保持されていない状態を示しており、図3は、スピンチャック20に基板Wが保持されている状態を示している。
処理ユニット1は、チャンバー10内に、基板Wを水平姿勢(すなわち、基板Wの上面の法線が鉛直方向に沿う姿勢)に保持するスピンチャック20と、スピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を供給するための3つのノズル30、ノズル60およびノズル65と、スピンチャック20の周囲を取り囲む処理カップ40と、スピンチャック20を撮像するカメラ70とを備える。
また、チャンバー10内における処理カップ40の周囲には、チャンバー10の内側空間を上下に仕切る仕切板15が設けられている。
チャンバー10は、鉛直方向に沿うとともに四方を取り囲む側壁11と、側壁11の上側を閉塞する天井壁12、側壁11の下側を閉塞する床壁13とを備える。側壁11、天井壁12および床壁13によって囲まれた空間が基板Wの処理空間となる。
また、チャンバー10の側壁11の一部には、チャンバー10に対してセンターロボット603が基板Wを搬出入するための搬出入口、および、その搬出入口を開閉するシャッターが設けられている(いずれも図示省略)。
チャンバー10の天井壁12には、基板処理装置100が設置されているクリーンルーム内の空気をさらに清浄化してチャンバー10内の処理空間に供給するためのファンフィルタユニット(FFU)14が取り付けられている。FFU14は、クリーンルーム内の空気を取り込んでチャンバー10内に送り出すためのファンおよびフィルタ(たとえば、high efficiency particulate air filter(HEPA)フィルタ)を備えている。
FFU14は、チャンバー10内の処理空間に清浄空気のダウンフローを形成する。FFU14から供給された清浄空気を均一に分散させるために、多数の吹出し孔が形成されたパンチングプレートを天井壁12の直下に設けてもよい。
スピンチャック20は、スピンベース21、スピンモータ22、カバー部材23および回転軸24を備える。スピンベース21は、円板形状を有しており、鉛直方向に沿って延びる回転軸24の上端に水平姿勢で固定されている。スピンモータ22は、スピンベース21の下方に設けられており、回転軸24を回転させる。スピンモータ22は、回転軸24を介してスピンベース21を水平面内において回転させる。カバー部材23は、スピンモータ22および回転軸24の周囲を取り囲む筒状形状を有する。
円板形状のスピンベース21の外径は、スピンチャック20に保持される円形の基板Wの径よりも若干大きい。スピンベース21は、保持すべき基板Wの下面の全面と対向する保持面21aを有する。
スピンベース21の保持面21aの周縁部には複数(本実施の形態では4本)のチャックピン26が設けられている。複数のチャックピン26は、円形の基板Wの外周円の外径に対応する円周上に沿って、均等な間隔をあけて配置されている。本実施の形態では、4個のチャックピン26が90°間隔で設けられている。
複数のチャックピン26は、スピンベース21内に収容された図示省略のリンク機構によって連動して駆動される。スピンチャック20は、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端に当接させて基板Wを把持することにより、当該基板Wをスピンベース21の上方で保持面21aに近接する水平姿勢で保持する(図3を参照)。また、スピンチャック20は、複数のチャックピン26のそれぞれを基板Wの外周端から離間させることによって、基板Wの把持を解除する。
複数のチャックピン26のうちの少なくとも1つは、磁石またはバネなどによって基板Wの外周端に保持可能に構成され、基板Wの外周端から離間している状態である開状態と基板Wの外周端に接触している状態である閉状態とをそれぞれ維持することができる。なお、チャックピン26の駆動は制御部9によって制御される。
なお、複数のチャックピン26のうちの一部のみが基板Wを把持するように駆動する場合、他のチャックピン26は、基板Wの下面を支持する支持ピンであってよい。
スピンモータ22を覆うカバー部材23は、その下端がチャンバー10の床壁13に固定され、上端がスピンベース21の直下にまで到達している。カバー部材23の上端部には、カバー部材23から外方へほぼ水平に張り出し、さらに下方に屈曲して延びる鍔状部材25が設けられている。
複数のチャックピン26による把持によってスピンチャック20が基板Wを保持している状態で、スピンモータ22が回転軸24を回転させることにより、基板Wの中心を通る鉛直方向に沿った回転軸線CXまわりに基板Wを回転させることができる。なお、スピンモータ22の駆動は制御部9によって制御される。
ノズル30は、ノズルアーム32の先端に吐出ヘッド31を取り付けて構成されている。ノズルアーム32の基端側はノズル基台33に固定して連結されている。ノズル基台33に設けられたモータ332(ノズル移動部)によって鉛直方向に沿った軸のまわりで回動可能とされている。
ノズル基台33が回動することにより、図2中の矢印AR34にて示すように、ノズル30は、スピンチャック20の上方の位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で水平方向に沿って円弧状に移動させる。ノズル基台33の回動によって、ノズル30はスピンベース21の保持面21aの上方において揺動する。
本実施の形態の処理ユニット1には、上記のノズル30に加えてさらに2つのノズル60およびノズル65が設けられている。本実施の形態のノズル60およびノズル65は、上記のノズル30と同一の構成を備える。
すなわち、ノズル60は、ノズルアーム62の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム62の基端側に連結されたノズル基台63によって、矢印AR64によって示されるように、スピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。
同様に、ノズル65は、ノズルアーム67の先端に吐出ヘッドを取り付けて構成され、ノズルアーム67の基端側に連結されたノズル基台68によって、矢印AR69によって示されるように、スピンチャック20の上方の処理位置と処理カップ40よりも外側の待機位置との間で円弧状に移動する。
ノズル60およびノズル65にも、少なくとも純水を含む複数種の処理液が供給されるように構成されており、処理位置にてスピンチャック20に保持された基板Wの上面に処理液を吐出する。
回転軸24の内側を挿通するようにして鉛直方向に沿って、下面処理液ノズル28が設けられている。下面処理液ノズル28の上端開口は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面中央に対向する位置に形成されている。下面処理液ノズル28にも複数種の処理液が供給されるように構成されている。下面処理液ノズル28から吐出された処理液は、スピンチャック20に保持された基板Wの下面に着液する。
なお、ノズル30、ノズル60、ノズル65、下面処理液ノズル28の駆動は制御部9によって制御される。
スピンチャック20を取り囲む処理カップ40は、互いに独立して昇降可能な内カップ41、中カップ42および外カップ43を備えている。内カップ41は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この内カップ41は、平面視円環状の底部44と、底部44の内周縁から上方に立ち上がる円筒状の内壁部45と、底部44の外周縁から上方に立ち上がる円筒状の外壁部46と、内壁部45と外壁部46との間から立ち上がり、上端部が滑らかな円弧を描きつつ中心側(スピンチャック20に保持される基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる第1案内部47と、第1案内部47と外壁部46との間から上方に立ち上がる円筒状の中壁部48とを一体的に備えている。
内壁部45は、内カップ41が最も上昇された状態で、カバー部材23と鍔状部材25との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。中壁部48は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中カップ42の後述する第2案内部52と処理液分離壁53との間に適当な隙間を保って収容されるような長さに形成されている。
第1案内部47は、滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部47bを有する。また、内壁部45と第1案内部47との間は、使用済みの処理液を集めて廃棄するための廃棄溝49とされている。第1案内部47と中壁部48との間は、使用済みの処理液を集めて回収するための円環状の内側回収溝50とされている。さらに、中壁部48と外壁部46との間は、内側回収溝50とは種類の異なる処理液を集めて回収するための円環状の外側回収溝51とされている。
中カップ42は、スピンチャック20の周囲を取り囲み、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。この中カップ42は、第2案内部52と、この第2案内部52に連結された円筒状の処理液分離壁53とを有する。
第2案内部52は、内カップ41の第1案内部47の外側において、第1案内部47の下端部と同軸円筒状である下端部52aと、下端部52aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部52bと、上端部52bの先端部を下方に折り返して形成される折り返し部52cとを有する。下端部52aは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47と中壁部48との間に適当な隙間を保って内側回収溝50内に収容される。また、上端部52bは、内カップ41の第1案内部47の上端部47bと上下方向に重なるように設けられ、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、第1案内部47の上端部47bに対してごく微小な間隔を保って近接する。折り返し部52cは、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、折り返し部52cが第1案内部47の上端部47bの先端と水平方向に重なる。
第2案内部52の上端部52bは、下方ほど肉厚が厚くなるように形成されている。処理液分離壁53は、上端部52bの下端外周縁部から下方に延びるように設けられた円筒形状を有する。処理液分離壁53は、内カップ41と中カップ42とが最も近接した状態で、中壁部48と外カップ43との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。
外カップ43は、スピンチャック20に保持された基板Wの中心を通る回転軸線CXに対してほぼ回転対称となる形状を有する。外カップ43は、中カップ42の第2案内部52の外側において、スピンチャック20を取り囲む。この外カップ43は、第3案内部としての機能を有する。外カップ43は、第2案内部52の下端部52aと同軸円筒状をなす下端部43aと、下端部43aの上端から滑らかな円弧を描きつつ中心側(基板Wの回転軸線CXに近づく方向)斜め上方に延びる上端部43bと、上端部43bの先端部を下方に折り返して形成される折り返し部43cとを有する。
下端部43aは、内カップ41と外カップ43とが最も近接した状態で、中カップ42の処理液分離壁53と内カップ41の外壁部46との間に適当な隙間を保って外側回収溝51内に収容される。上端部43bは、中カップ42の第2案内部52と上下方向に重なるように設けられ、中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、第2案内部52の上端部52bに対してごく微小な間隔を保って近接する。中カップ42と外カップ43とが最も近接した状態で、折り返し部43cが第2案内部52の折り返し部52cと水平方向に重なる。
なお、処理カップ40の駆動は制御部9によって制御される。
仕切板15は、処理カップ40の周囲においてチャンバー10の内側空間を上下に仕切るように設けられている。
仕切板15の外周端は、チャンバー10の側壁11に連結されている。また、仕切板15の処理カップ40を取り囲む外縁部は、外カップ43の外径よりも大きな径の円形状となるように形成されている。
また、チャンバー10の側壁11の一部であり、かつ、床壁13の近傍には、排気ダクト18が設けられている。排気ダクト18は、図示省略の排気機構に連通接続されている。FFU14から供給されてチャンバー10内を流下した清浄空気のうち、処理カップ40と仕切板15との間を通過した空気は、排気ダクト18から装置外に排出される。
図4は、制御部9の機能の例を概念的に示す図である。図4に例が示されるように、制御部9は、マッチング座標算出部91と、検出部92と、駆動制御部93とを備える。制御部9は、状態検出装置としての機能も有する。
マッチング座標算出部91は、カメラ70によって撮像されたチャックピンの画像を使ってマッチング処理を行い、マッチング座標を算出する。なお、マッチング座標算出部91の具体的な動作については後述する。
検出部92は、上記のマッチング座標に基づいて、チャックピン26の開閉状態を検出する。なお、検出部92の具体的な動作については後述する。
駆動制御部93は、処理ユニット1におけるチャックピン26、スピンモータ22、ノズル30、ノズル60、ノズル65、下面処理液ノズル28および処理カップ40を含む駆動部190の駆動を制御する。ここで、チャックピン26に対する駆動部190は、磁石の移動またはバネの付勢と消勢とを切り替えるための、不図示のモータを含む。なお、駆動制御部93は、駆動部190の制御に際して、検出部92におけるチャックピン26の開閉状態の検出結果に基づいて制御するものであってもよい。
図5は、図4に例が示された制御部9を実際に運用する場合のハードウェア構成を概略的に例示する図である。
図5では、図4中のマッチング座標算出部91と、検出部92と、駆動制御部93とを実現するためのハードウェア構成として、演算を行う処理回路1102Aと、情報を記憶することができる記憶装置1103とが示される。
処理回路1102Aは、たとえば、CPUなどである。記憶装置1103は、たとえば、ハードディスクドライブ(Hard disk drive、すなわち、HDD)、RAM、ROM、フラッシュメモリなどのメモリ(記憶媒体)である。
<基板処理装置の動作について>
基板処理装置100における基板Wの通常の処理は、順に、センターロボット603がインデクサロボット602から受け取った処理対象の基板Wを各処理ユニット1に搬入する工程、当該処理ユニット1が基板Wに基板処理を行う工程、および、センターロボット603が当該処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサロボット602に戻す工程を含む。
基板処理装置100における基板Wの通常の処理は、順に、センターロボット603がインデクサロボット602から受け取った処理対象の基板Wを各処理ユニット1に搬入する工程、当該処理ユニット1が基板Wに基板処理を行う工程、および、センターロボット603が当該処理ユニット1から処理済みの基板Wを搬出してインデクサロボット602に戻す工程を含む。
次に、図6を参照しつつ、各処理ユニット1における典型的な基板Wの基板処理のうちの洗浄処理および乾燥処理の手順について説明する。なお、図6は、本実施の形態に関する基板処理装置100の動作を示すフローチャートである。下記の動作は、主に制御部9の制御によって行われる。
まず、基板Wの表面に薬液を供給して所定の薬液処理を行う(ステップST01)。その後、純水を供給して純水リンス処理を行う(ステップST02)。
さらに、基板Wを高速回転させることによって純水を振り切り、それによって基板Wを乾燥させる(ステップST03)。
処理ユニット1が基板処理を行う際、スピンチャック20が基板Wを保持するとともに、処理カップ40が昇降動作を行う。
処理ユニット1が薬液処理を行う場合、たとえば外カップ43のみが上昇し、外カップ43の上端部43bと中カップ42の第2案内部52の上端部52bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口が形成される。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに回転され、ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に薬液が供給される。供給された薬液は、基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの外縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの薬液処理が進行する。回転する基板Wの外縁部から飛散した薬液は外カップ43の上端部43bによって受け止められ、外カップ43の内面を伝って流下し、外側回収溝51に回収される。
処理ユニット1が純水リンス処理を行う場合、たとえば、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが上昇し、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲が内カップ41の第1案内部47によって取り囲まれる。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに回転され、ノズル30および下面処理液ノズル28から基板Wの上面および下面に純水が供給される。供給された純水は基板Wの回転による遠心力によって基板Wの上面および下面に沿って流れ、やがて基板Wの外縁部から側方に向けて飛散される。これにより、基板Wの純水リンス処理が進行する。回転する基板Wの外縁部から飛散した純水は第1案内部47の内壁を伝って流下し、廃棄溝49から排出される。なお、純水を薬液とは別経路にて回収する場合には、中カップ42および外カップ43を上昇させ、中カップ42の第2案内部52の上端部52bと内カップ41の第1案内部47の上端部47bとの間に、スピンチャック20に保持された基板Wの周囲を取り囲む開口を形成するようにしてもよい。
処理ユニット1が振り切り乾燥処理を行う場合、内カップ41、中カップ42および外カップ43の全てが下降し、内カップ41の第1案内部47の上端部47b、中カップ42の第2案内部52の上端部52bおよび外カップ43の上端部43bのいずれもがスピンチャック20に保持された基板Wよりも下方に位置する。この状態で基板Wがスピンチャック20とともに高速回転され、基板Wに付着していた水滴が遠心力によって振り切られ、乾燥処理が行われる。
<チャックピンの開閉状態の検出について>
次に、制御部9によって行われるチャックピン26の開閉状態の検出(状態検出)について説明する。
次に、制御部9によって行われるチャックピン26の開閉状態の検出(状態検出)について説明する。
チャックピン26の駆動は制御部9の駆動制御部93によって制御されるが、チャックピン26自体の不具合またはチャックピン26に把持される基板Wの不具合(たとえば、基板Wが配置される位置が所定の位置から外れている場合)などが原因となって、チャックピン26が駆動制御部93において意図されたとおりの動作をしない場合がある。そこで、チャックピン26の開閉状態を検出することによって、チャックピン26が駆動制御部93において指示されたとおりに動作しているか否かを確認することができる。さらに、当該確認の結果に応じて、基板Wの配置を修正したり、駆動制御部93から再度制御信号を出力させたりすることができる。
本実施の形態では、チャックピン26を示す画像を複数用意し、かつ、それらの間でマッチング処理(具体的には、パターンマッチング処理)を行うことによってマッチング座標を算出する。ここで、マッチング座標とは、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の画像間の相対的な位置関係を示す座標である。
本実施の形態では、まず、チャックピン26の開閉状態に応じて3種類の基準画像を用意する。具体的には、チャックピン26が基板Wを把持せずに完全に閉じている状態(第1の状態)、チャックピン26が基板Wを把持している状態(第2の状態)、および、チャックピン26が開いている状態(第3の状態)それぞれの、チャックピン26を示す画像を基準画像として用意する。
図7は、第1の状態の基準画像を得るための、スピンチャック20全体を写す全体画像の例を示す図である。図7に例が示されるように、カメラ70などによって撮像される画像には、複数のチャックピン26(それぞれのチャックピンを、チャックピン26a、チャックピン26b、チャックピン26c、チャックピン26dとも称する)とが含まれる。
上記のような画像から、チャックピン26の開閉状態を検出するための基準画像201を抽出する。具体的には、複数のチャックピン26のうちの少なくとも1つについて、チャックピン26の少なくとも一部(たとえば、チャックピン26の開閉に伴って変位するチャックピン26の上端部など)を含む範囲を基準画像201として設定する。
なお、本実施の形態での基準画像201は、複数のチャックピン26それぞれについて上記の開閉状態に応じて3種類ずつ用意されるものとするが、少なくとも1つのチャックピン26について少なくとも1種類の基準画像201が用意されていればよい。
また、基準画像201は、カメラ70でチャックピン26を実際に撮像することによって得られた画像から抽出されるものであってもよいし、他の方法で得られた画像から抽出されるものであってもよい。
また、第2の状態の基準画像201を得るための画像は、チャックピン26が基板Wを実際に保持している場合に限られるものではなく、チャックピン26を保持可能とする磁石またはバネを無効化して、基板Wを保持している状態と同様の開閉度が維持されたチャックピン26が画像に示されることによって実現されてもよい。
また、第2の状態の基準画像201の範囲は、基板Wが含まれないほうがよい。基準画像201の範囲にチャックピン26以外の部分が含まれなければ、後述のマッチングで精度が向上する。
次に、カメラ70を使ってチャックピン26を含むスピンチャック20の画像を撮像する。そして、基準画像との間でパターンマッチング処理を行うための画像である対象画像を用意する。
図8は、対象画像を得るための、スピンチャック20を示す図である。図8に例が示されるように、カメラ70などによって撮像される全体画像には、複数のチャックピン26とが含まれる。
上記のような画像から、基準画像201との間でパターンマッチング処理を行うための対象画像202を抽出する。具体的には、複数のチャックピン26のうちの少なくとも1つについて、チャックピン26の少なくとも一部を含む範囲を対象画像202として設定する。
ここで、基準画像201の範囲は、対象画像202における一部の範囲に対応させることができる。すなわち、対象画像202の範囲は、基準画像201の範囲よりも広く設定することができる。このように対象画像202の範囲が設定されることによって、対象画像202の範囲内で基準画像201を順次ずらしてパターンマッチング処理を行い、マッチングスコアが最も高くなる場合に算出されるマッチング座標を探索することができる。
具体的には、まず、チャックピン26の第1の状態の基準画像201のうちの所定画素の座標を基準座標(Xbasis_pos1,Ybasis_pos1)とし、同様に、チャックピン26の第2の状態の基準画像201のうちの所定画素の座標を基準座標(Xbasis_pos2,Ybasis_pos2)とし、チャックピン26の第3の状態の基準画像201のうちの所定画素の座標を基準座標(Xbasis_pos3,Ybasis_pos3)とする。図12は、基準画像201における基準座標の例を示す図である。図12に例が示されるように、基準座標は、対応する基準画像の左下の端部(原点Z)とすることができる。なお、基準座標は、基準画像内における任意の箇所(たとえば、基準画像の右上の端部、または、基準画像の中央など)としてもよい。
基準画像201は、対象画像202とともに、チャックピン26の全体画像の座標系で示され、対象画像202の座標系内に位置する。
次に、制御部9がチャックピン26の現在の開閉状態を第1の状態であると認識しているとして、対象画像202と基準画像201とのパターンマッチングを行う。そして、マッチングスコアが最も高かった場合の基準画像201の原点Zの座標を探索する。マッチングスコアが最も高い場合とは、たとえば、画像間の類似度を示す手法の1つであるSSD(Sum of Squared Difference)を用いる場合、類似度を示す画素値の差分の二乗和であるRSSD値の最小値が相当する。なお、パターンマッチングにおいて画像間の類似度を示す手法には、他にSAD(Sum of Absolute Difference)またはNCC(Normalized Cross-Correlation)などがあるが、これらに限られない。
ここで、最も高いマッチングスコアがあらかじめ定められたしきい値以内である(たとえば、RSSD値の最小値がしきい値よりも小さい)場合に、マッチングスコアが最も高かった場合の基準画像201の原点Zの座標を、マッチング座標(Xtarget,Ytarget)として算出する。マッチング座標は、対象画像202の座標系で算出する。
一方で、最も高いマッチングスコアがあらかじめ定められたしきい値以内でない(たとえば、RSSD値の最小値がしきい値よりも大きい)場合には、マッチング失敗としてマッチング座標を算出しないものとする。その結果、マッチングスコアが高い場合のマッチング座標に基づいてチャックピン26の開閉状態を検出することができるため、チャックピン26の開閉状態の検出精度が向上する。なお、マッチングスコアがしきい値以内であるか否かに関わらず、マッチング座標を算出してもよい。
次に、検出部92が、マッチング座標に基づいてチャックピン26の開閉状態を検出する。具体的には、第1の状態の基準座標(Xbasis_pos1,Ybasis_pos1)と上記のように得られたマッチング座標(Xtarget,Ytarget)との間の類似度が所定のしきい値以内であれば、制御部9の、チャックピン26が第1の状態であるとの認識が正しいと考える(すなわち、チャックピン26の開閉状態が第1の状態であることを検出する)。ここでの類似度は、たとえば、2つの座標間のユークリッド距離を算出し、当該値が上記のしきい値以内かを判断するものである。
一方で、上記の類似度が所定のしきい値以内でなければ、制御部9の、チャックピン26が第1の状態であるとの認識は誤りであると考え、次に、第2の状態の基準座標(Xbasis_pos2,Ybasis_pos2)と上記のマッチング座標(Xtarget,Ytarget)との間の類似度を算出する。そして、第2の状態の基準座標(Xbasis_pos2,Ybasis_pos2)との間の類似度が所定のしきい値以内でなければ、さらに、第3の状態の基準座標(Xbasis_pos3,Ybasis_pos3)と上記のマッチング座標(Xtarget,Ytarget)との間の類似度を算出する。このような方法によって、チャックピン26の開閉状態を正確に検出することができる。
図9および図10は、マッチング座標の分布の例を示す図である。図9は、図7および図8におけるチャックピン26bのマッチング座標の分布を示す。図10は、図7および図8におけるチャックピン26dのマッチング座標の分布を示す。図9および図10において、縦軸は対象画像に設けられた座標系のY座標(数値は一例)の例を示し、横軸は対象画像に設けられた座標系のX座標(数値は一例)の例を示す。
図9および図10では、異なるチャックピン26の第2の状態をそれぞれ基準画像とし、それぞれの基準画像に対応して複数の対象画像とのパターンマッチング処理を行った結果が示されている。図9および図10において、範囲301、範囲302、範囲303は、それぞれ第1の状態、第2の状態、第3の状態の基準座標を中心とする所定範囲を示す。範囲301には、対象画像202におけるチャックピン26が第1の状態を示す画像であった場合のマッチング座標が位置する(範囲301は、上記の第1の状態の類似度算出の際のしきい値範囲に対応する)。また、範囲302には、対象画像202におけるチャックピン26が第2の状態を示す画像であった場合のマッチング座標が位置する(範囲302は、上記の第2の状態の類似度算出の際のしきい値範囲に対応する)。また、範囲303には、対象画像202におけるチャックピン26が第3の状態を示す画像であった場合のマッチング座標が位置する(範囲303は、上記の第3の状態の類似度算出の際のしきい値範囲に対応する)。
図9および図10に示されるように、対象画像202におけるチャックピン26の開閉状態(すなわち、第1の状態、第2の状態および第3の状態)によってマッチング座標が位置する範囲は明確に分かれる。すなわち、マッチング座標によれば、対象画像202におけるチャックピン26の開閉状態を明確に区別可能である(これは、図9および図10に示されたチャックピン26b、チャックピン26d以外のチャックピンであっても同様である)。よって、検出部92は、算出されたマッチング座標がいずれの範囲に属する座標であるかを判定することによって、チャックピン26の開閉状態を検出することができる。
ここで、マッチング座標が範囲301、範囲302および範囲303のいずれにも含まれない場合には、検出部92は、チャックピン26の開閉状態を検出しない。その結果、適切な範囲に含まれるマッチング座標に基づいてチャックピン26の開閉状態を検出することができるため、チャックピン26の開閉状態の検出精度が向上する。なお、チャックピン26が第1の状態、第2の状態および第3の状態のいずれにもなっていない場合、すなわち、基板Wがチャックピン26に乗り上げている場合、または、基板Wが配置されているにも関わらずチャックピン26が基板Wを把持できずに空掴み状態となっている場合などでは、マッチング座標が範囲301、範囲302および範囲303のいずれにも含まれない座標に位置する。
上記の例では、チャックピン26の第2の状態が基準画像として使われたが、他の状態(すなわち、第1の状態または第3の状態)が基準画像として使われる場合であっても、マッチング座標が位置する範囲は、対象画像202におけるチャックピン26の開閉状態(すなわち、第1の状態、第2の状態および第3の状態)に応じて明確に分かれるため、上記の例と同様に、マッチング座標に応じて、対象画像202におけるチャックピン26の開閉状態を検出可能である。
また、マッチング座標が含まれる範囲301、範囲302および範囲303は、算出されるマッチング座標の平均値によって、範囲の大きさまたは位置が変更されてもよい。ただし、範囲の大きさまたは位置の変更があらかじめ定められたしきい値の範囲を超える場合には、経年劣化などによってチャックピン26が適切に駆動していない可能性があるため、必要に応じて警告などを出力するようにしてもよい。
<基板の有無の検出について>
図9および図10に示された範囲301、範囲302および範囲303は、チャックピン26のそれぞれ異なる開閉状態(チャックピン26が基板Wを把持せずに完全に閉じている状態、チャックピン26が基板Wを把持している状態、および、基板Wの有無に関わらずチャックピン26が開いている状態)を示すマッチング座標に対応する。上記の3つの開閉状態のうち、チャックピン26が基板Wを把持している場合にはチャックピン26が基板Wを把持せずに完全に閉じている状態が除外され、チャックピン26が基板Wを把持していない場合にはチャックピン26が基板Wを把持している状態が除外されるため、チャックピン26が基板Wを把持しているか否かによって、マッチング座標が含まれ得る範囲は限定されることとなる。
図9および図10に示された範囲301、範囲302および範囲303は、チャックピン26のそれぞれ異なる開閉状態(チャックピン26が基板Wを把持せずに完全に閉じている状態、チャックピン26が基板Wを把持している状態、および、基板Wの有無に関わらずチャックピン26が開いている状態)を示すマッチング座標に対応する。上記の3つの開閉状態のうち、チャックピン26が基板Wを把持している場合にはチャックピン26が基板Wを把持せずに完全に閉じている状態が除外され、チャックピン26が基板Wを把持していない場合にはチャックピン26が基板Wを把持している状態が除外されるため、チャックピン26が基板Wを把持しているか否かによって、マッチング座標が含まれ得る範囲は限定されることとなる。
よって、たとえば検出部92が、図8に示されるようなスピンチャック20を示す画像を画像解析(たとえば、スピンベース21の中央部に相当する位置における輝度解析)し、チャックピン26が基板Wを把持しているか否かを検出することによって、マッチング座標が範囲301、範囲302および範囲303のいずれかに限定する場合だけでなく、さらに、チャックピン26が基板Wを把持しているか否かに応じて限定された範囲内(座標範囲内)で、チャックピン26の開閉状態を検出することができる。その結果、適切な範囲に含まれないマッチング座標に基づいてチャックピン26の開閉状態を検出することが抑制されるため、チャックピン26の開閉状態の検出精度が向上する。
<対象画像の抽出範囲について>
対象画像202の範囲内にチャックピン26以外の構造物(たとえば、基板W、または、スピンチャック20の周辺に付着している水滴など)が含まれると、マッチング精度が低下する場合がある。
対象画像202の範囲内にチャックピン26以外の構造物(たとえば、基板W、または、スピンチャック20の周辺に付着している水滴など)が含まれると、マッチング精度が低下する場合がある。
そこで、対象画像202を抽出する際に、基板Wの外縁部400に沿う長手方向を有するように抽出範囲を設定することによって、チャックピン26以外の構造物が画像内に含まれることを避け(少なくとも、チャックピン26以外の構造物が画像内に含まれる範囲を減少させ)、ミスマッチングを抑制することができる。
図11は、対象画像の抽出の例を示す図である。図11に例が示されるように、対象画像202Aは、基板Wの外縁部400に沿う長手方向を有するように抽出範囲が設定されている。そのため、チャックピン26以外の構造物が対象画像202A内に含まれることを避けることができる。
なお、上記では対象画像202の抽出範囲について説明されたが、基準画像201Aについても同様に、抽出範囲を基板Wの外縁部400に沿う長手方向を有するものとすることもできる。
<以上に記載された実施の形態の変形例について>
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
以上に記載された実施の形態では、それぞれの構成要素の材質、材料、寸法、形状、相対的配置関係または実施の条件などについても記載する場合があるが、これらはすべての局面においてひとつの例であって、限定的なものではないものとする。
したがって、例が示されていない無数の変形例と均等物とが、本願明細書に開示される技術の範囲内において想定される。たとえば、少なくとも1つの構成要素を変形する場合、追加する場合または省略する場合が含まれるものとする。
また、以上に記載された実施の形態において、特に指定されずに材料名などが記載された場合は、矛盾が生じない限り、当該材料に他の添加物が含まれた、たとえば、合金などが含まれるものとする。
70 カメラ
91 マッチング座標算出部
92 検出部
93 駆動制御部
100 基板処理装置
91 マッチング座標算出部
92 検出部
93 駆動制御部
100 基板処理装置
Claims (9)
- 基板を保持するための少なくとも1つのチャックピンの一部を含む少なくとも1つの画像を、基準画像として得る工程と、
前記チャックピンの少なくとも一部を撮像して得られる少なくとも1つの画像を、対象画像として得る工程と、
前記基準画像と前記対象画像とでマッチング処理を行い、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の前記基準画像の前記対象画像における位置を示す座標であるマッチング座標を算出する工程と、
前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程とを備える、
状態検出方法。 - 請求項1に記載の状態検出方法であり、
前記基準画像が示す範囲は、前記対象画像における一部の範囲に対応する、
状態検出方法。 - 請求項1または2に記載の状態検出方法であり、
前記基準画像は、前記基板を含めない画像である、
状態検出方法。 - 請求項1から3のうちのいずれか1つに記載の状態検出方法であり、
前記基準画像における前記チャックピンは、開状態、前記基板を保持している閉状態、または、前記基板を保持していない閉状態のいずれかである、
状態検出方法。 - 請求項1から4のうちのいずれか1つに記載の状態検出方法であり、
前記基準画像を得る工程は、複数の前記チャックピンにそれぞれ対応して複数の前記基準画像を得る工程であり、
前記対象画像を得る工程は、それぞれの前記基準画像に示される前記チャックピンを撮像して、複数の前記対象画像を得る工程である、
状態検出方法。 - 請求項1から5のうちのいずれか1つに記載の状態検出方法であり、
前記基板が前記チャックピンに保持されているか否かを検出する工程とをさらに備え、
前記チャックピンの開閉状態を検出する工程は、前記チャックピンに前記基板が保持されているか否かに応じて限定された座標範囲に含まれる前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する工程である、
状態検出方法。 - 請求項1から6のうちのいずれか1つに記載の状態検出方法であり、
前記基準画像および前記対象画像が示す範囲の少なくとも一方は、前記チャックピンに保持されている前記基板の外縁部に沿う長手方向を有する、
状態検出方法。 - 請求項1から7のうちのいずれか1つに記載の状態検出方法であり、
前記基準画像を得る工程では、前記基準画像に対応する所定画素の座標を基準座標とし、かつ、前記基準座標に基づいてしきい値を設定し、
前記チャックピンの開閉状態を検出する工程は、前記マッチング座標が前記基準座標と比較して前記しきい値の範囲内か否かで前記チャックピンの開閉状態を検出する、
状態検出方法。 - 基板を保持するための少なくとも1つのチャックピンと、
前記チャックピンの少なくとも一部を撮像し、得られる少なくとも1つの画像を対象画像とする撮像部と、
前記対象画像と、前記チャックピンの一部を含む少なくとも1つの画像である基準画像とでマッチング処理を行い、画像間のマッチングスコアが最も高くなる場合の前記基準画像の前記対象画像における位置を示す座標であるマッチング座標を算出するマッチング座標算出部と、
前記マッチング座標に基づいて、前記チャックピンの開閉状態を検出する検出部とを備える、
状態検出装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021114286A JP2023010271A (ja) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 状態検出装置、および、状態検出方法 |
US17/749,638 US20230009810A1 (en) | 2021-07-09 | 2022-05-20 | State detection device and state detection method |
TW111121128A TWI831236B (zh) | 2021-07-09 | 2022-06-08 | 狀態檢測裝置以及狀態檢測方法 |
CN202210786506.4A CN115655096A (zh) | 2021-07-09 | 2022-07-04 | 状态检测装置以及状态检测方法 |
KR1020220082368A KR20230009832A (ko) | 2021-07-09 | 2022-07-05 | 상태 검출 장치, 및, 상태 검출 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2021114286A JP2023010271A (ja) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 状態検出装置、および、状態検出方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2023010271A true JP2023010271A (ja) | 2023-01-20 |
Family
ID=84798311
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2021114286A Pending JP2023010271A (ja) | 2021-07-09 | 2021-07-09 | 状態検出装置、および、状態検出方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20230009810A1 (ja) |
JP (1) | JP2023010271A (ja) |
KR (1) | KR20230009832A (ja) |
CN (1) | CN115655096A (ja) |
TW (1) | TWI831236B (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5379533B2 (ja) | 2009-03-27 | 2013-12-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持機構、およびこの基板保持機構を備える基板処理装置 |
JP2020034344A (ja) * | 2018-08-28 | 2020-03-05 | 株式会社Screenホールディングス | 可動部位置検出方法、基板処理方法、基板処理装置および基板処理システム |
-
2021
- 2021-07-09 JP JP2021114286A patent/JP2023010271A/ja active Pending
-
2022
- 2022-05-20 US US17/749,638 patent/US20230009810A1/en active Pending
- 2022-06-08 TW TW111121128A patent/TWI831236B/zh active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI831236B (zh) | 2024-02-01 |
CN115655096A (zh) | 2023-01-31 |
US20230009810A1 (en) | 2023-01-12 |
TW202305932A (zh) | 2023-02-01 |
KR20230009832A (ko) | 2023-01-17 |
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