TW201506556A - 浸漬液、曝光裝置及曝光方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種浸漬液，其包含一例如酸或鹼之離子形成組份，該組份具有一相對高之蒸汽壓。本文亦提供使用該浸漬液之微影法及微影系統。

Description

浸漬液、曝光裝置及曝光方法
本發明係關於浸漬液、曝光裝置及曝光方法。
歸因於浸漬式微影技術提供在臨界尺寸及/或聚焦深度方面之改良，因此其受到關注。然而，該技術亦面臨某些問題。例如，一方面當藉由液體浸潤乾燥區域時超純浸漬液可有利於將汙斑之出現降到最低，但另一方面需要在該浸漬液中包含添加劑以影響或產生所要性質。例如，可能需要在浸漬液中包括酸組份來避免或最小化所謂T型頂或其他不良影響。例如當一基板上待曝露至輻射之抗蝕劑層與浸漬液接觸且抗蝕劑層中之組份(光酸產生劑)擴散或溶解於浸漬液中時，可出現T型頂。亦可參看EP 1 482 372 A1。
因此，本發明之目標包括提供一種包含一或多種添加劑且具有減小之污染問題之浸漬液。
本發明之目標亦包括避免或最小化由浸漬液之流動(下文中更詳細討論)所引起之流動電位的影響。
本發明提供浸漬液、曝光裝置及曝光方法。
在一實施例中，本發明提供一種藉由包含將一離子形成組份添加至一液體(例如水性液體)中之方法所形成之浸漬液，其中該離子形 成組份具有一大於0.1kPa之蒸汽壓，例如大於水。
在一實施例中，本發明提供一種具有一低於7之pH值的浸漬液，該低於7之pH值係至少部分由一具有大於0.1kPa(例如大於水)之蒸汽壓的組份所引起。
在一實施例中，本發明提供一種具有一大於7之pH值的浸漬液，該大於7之pH值係至少部分由一具有大於0.1kPa(例如大於水)之蒸汽壓的組份所引起。
在一實施例中，本發明提供一種在25℃下具有至少為0.1μS/cm(例如為至少1.3μS/cm)之電導率的浸漬液。在一實施例中，本發明提供一在25℃下具有一在0.1-100μS/cm之範圍內之電導率的浸漬液(例如，在25℃下具有1.3-100μS/cm之電導率)。在一實施例中，該電導率係至少部分由一具有大於0.1kPa(例如大於水)之蒸汽壓的組份所引起。
又，本發明提供使用該浸漬液之方法(例如一浸漬式微影方法)。在一實施例中，本發明提供一種包含將一感光基板曝露至輻射之設備製造方法，其中該輻射在到達該基板之前已穿過該浸漬液。
此外，本發明提供包含一浸漬式微影裝置及一或多種浸漬液之浸漬式微影系統。
在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含：(i)將一組份添加至一液體，該組份具有一大於0.1kPa之蒸汽壓，例如大於水；(ii)將一感光基板曝露至輻射，其中該輻射在到達該感光基板之前已穿過包含該組份之該水性液體；其中添加該組份增加該液體中之離子濃度。
在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含：(i)將一酸添加至一液體中，該酸具有一至少為0.1kPa(例如為至 少5kPa)之蒸汽壓；(ii)將一感光基板曝露至輻射，其中該輻射在到達該感光基板之前已穿過包含該組份之該液體。
在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含：(i)圖案化一輻射束；(ii)使該經圖案化之輻射束穿過一液體(例如一水性液體)，該液體包含藉由一具有大於0.1kPa之蒸汽壓的組份所形成之離子，該液體之電導率至少為0.25μS/cm；(iii)將一感光基板曝露至該經圖案化之輻射束。
在一實施例中，本發明提供一種浸漬式微影系統，其包含：(i)一浸漬式微影曝光裝置；及(ii)一浸漬液，例如一在25℃下具有在0.1-100μS/cm之範圍內(例如25℃下在1.3-100μS/cm之範圍內)之電導率的浸漬液或一富集二氧化碳之浸漬液。
在一實施例中，本發明提供一種微影裝置，其具有一可在一微影裝置之一第一部分(例如一基板台)與該微影裝置之一第二部分(例如一浸漬式微影裝置之浸漬罩)之間施加一電壓差之電壓產生器。在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含在一微影裝置之第一部分(例如該基板台)與該微影裝置之第二部分(例如一浸漬式微影裝置之浸漬罩)之間施加一電壓差。
本發明之額外目標、優點及特徵陳述於本說明書中，且彼等熟習此項技術者藉由查看下文可在一定程度上易瞭解本發明之額外目標、優點及特徵，或可藉由實踐本發明而瞭解。
10‧‧‧浸漬罩
11‧‧‧浸漬液
12‧‧‧密封部件
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧氣體密封
AD‧‧‧調節器
BD‧‧‧輻射束傳遞系統
CO‧‧‧聚光器
IF‧‧‧位置感應器
IH‧‧‧浸漬罩
IL‧‧‧照明器
IN‧‧‧積光器
M1，M2‧‧‧對準標記
MA‧‧‧圖案化設備
MT‧‧‧支撐結構
P1，P2‧‧‧基板對準標記
PB‧‧‧輻射束
PL‧‧‧投影系統
PM‧‧‧第一定位器
PW‧‧‧第二定位器
SO‧‧‧輻射源
V‧‧‧電壓產生器
W‧‧‧基板
WT‧‧‧基材台
圖1表示一根據本發明之實施例之浸漬式微影系統。
圖2表示一根據本發明之實施例之浸漬式微影系統的浸漬罩之實 施例。
首先，本申請案在多種情況下涉及組份之蒸汽壓。在此方面，一組份之蒸汽壓意指在20℃下一純形式(因此不是在一混合物或溶液中)之組份的蒸汽壓。
在一實施例中，本發明提供一種浸漬液體。本發明亦提供一種使用一浸漬液之方法，例如浸漬式微影方法。
浸漬液
在一實施例中，藉由一包含將一或多種組份添加至一液體中之方法製備浸漬液，該液體可例如為一水性液體，例如一包含相對該液體總重量為至少50wt%水、諸如至少75wt%水、至少90wt%水、至少95wt%水、至少99wt%水、至少99.5wt%水、至少99.9wt%水、或至少99.99wt%水之液體。在一實施例中，在添加一或多種組份之前液體具有一小於0.1μS/cm(在25℃下所測定)之電導率。在一實施例中，在添加一或多種組份之前液體被脫氣。在一實施例中，在添加一或多種組份之前液體被純化。在一實施例中，液體為超純、經脫氣之水。
在一實施例中，添加至液體之組份具有一相對較高之蒸汽壓。一高的蒸汽壓可助於(例如)當自一基板移除(例如蒸發)浸漬液時避免在該基板上產生汙斑。在一實施例中，添加至液體之組份具有一超過將添加有該組份之液體之蒸汽壓的蒸汽壓。在一實施例中，添加至液體之組份之蒸汽壓至少為0.1kPa，例如至少為0.25kPa、至少為0.5kPa、至少為0.75kPa、至少為1kPa、至少為1.3kPa、至少為1.5kPa、至少為1.8kPa、至少為2.1kPa或超過水之蒸汽壓(意即超過2.34kPa)。在一實施例中，添加至液體之組份之蒸汽壓至少為3.5kPa，諸如為至少5kPa、至少10kPa、至少20kPa、至少30kPa或至少50 kPa)。在一實施例中，被添加之組份為甲酸或乙酸。在一實施例中，添加至液體之組份係於20℃及1個大氣壓下之為其純形式之氣體。在一實施例中，添加至液體之組份為二氧化碳。在一實施例中，浸漬液包含相對於該浸漬液之總重量小於5wt%(例如小於3wt%、小於1wt%、小於0.5wt%、小於0.25wt%、小於0.1wt%、小於0.05wt%、小於0.025wt%、小於0.01wt%、小於0.005wt%)之組份，該等組份具有小於2.0kPa(例如小於1.5kPa、小於1kPa、小於0.5kPa、小於0.25kPa、小於0.1kPa或0kPa)之蒸汽壓。在一實施例中，包含具有一相對較高蒸汽壓之組份的浸漬液在不考慮該浸漬液之主組份(例如在以水作為主組份之浸漬液中之水)的情況下，大體上不存在蒸汽壓低於2.0kPa、諸如低於1.5kPa、低於1kPa、低於0.5kPa、低於0.25kPa、低於0.1kPa或0kPa之組份。
在一實施例中，添加至液體之組份例如藉由促進離子形成而提高該液體之電導率。浸漬液之增加之電導率可助於降低或避免流動電位之問題。例如在J.Phys.D：Appl.Phys.,18(1985),p.211-220中之Varga及Dunne所著之文章"Streaming Potential Cells For The Study of Erosion-Corrosion Caused By Liquid Flow"中討論了流動電位。流動電位可例如藉由侵蝕或腐蝕與浸漬液流接觸之(例如)塗層、感應器及/或(對準)標記(尤其是例如塗層、感應器及/或標記之實質上導電之組件)來縮短其壽命。在一實施例中，包含該組份之液體之電導率在25℃下至少為0.1μS/cm，例如為至少0.25μS/cm、至少0.5μS/cm、至少0.75μS/cm、至少1μS/cm、至少1.3μS/cm、至少1.5μS/cm、至少1.75μS/cm、至少2μS/cm、至少3μS/cm、至少5μS/cm、至少10μS/cm、至少25μS/cm或至少50μS/cm。雖然上文所述及下文所述之電導率在25℃下測定，但使用該浸漬液之溫度可不同。然而，所涉及之該等值仍為在25℃下所測定之電導率。
雖然增加之電導率可助於減小或消除流動電位之影響，但其亦可增加需要添加至浸漬液中之組份的量，其可導致產生污染或氣泡問題。在一實施例中，包含該組份之液體的電導率在25℃下小於50mS/cm，例如小於25mS/cm、小於10mS/cm、小於5mS/cm、小於1mS/cm、小於500μS/cm、小於250μS/cm、小於150μS/cm、小於75μS/cm、小於50μS/cm、小於25μS/cm、小於15μS/cm、小於10μS/cm、小於7μS/cm、小於4μS/cm或小於2μS/cm。在一實施例中，液體之電導率於25℃下在0.1-100μS/cm之範圍內，例如範圍可為0.25-25μS/cm、0.4-10μS/cm或0.6-6μS/cm。在一實施例中，藉由將鹽或酸添加至液體中而增加例如水性液體(例如超純水)之液體的電導率。在一實施例中，該液體富含乙酸、甲酸、CO2(CO2可在水中/與水形成離子H+及HCO3 -)或NH3(NH3可在水中/與水形成離子NH4 +及OH-)。
同樣地，藉由降低水流之速度及/或湍流可減小或避免流動電位。此外，當無需避免流動電位本身時，在流動電位所影響之區域(例如基板台，例如位於基板臺上之一感應器或一感應器板)與另一區域之間提供一電壓差可限制或抵消由流動電位所引起之不良影響。在一實施例中，本發明提供一種微影裝置，其具有一可以在一微影裝置之第一部分(例如基板台)與該微影裝置之第二部分(例如浸漬式微影裝置之浸漬罩)之間施加一電壓差之電壓產生器。在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含在一微影裝置之第一部分(例如基板台)與該微影裝置之第二部分(例如一浸漬式微影裝置之浸漬罩)之間施加一電壓差。在一實施例中，該電壓差至少為0.1V，例如為至少0.25V、至少0.5V、至少1V、至少2V、至少3V、至少4V或至少5V。在一實施例中，該電壓差小於50V。
在一實施例中，添加至液體之組份為酸性組份，例如乙酸、甲 酸或二氧化碳。浸漬液之酸性可(例如)藉由幫助減緩/降低可存在於抗蝕劑中之光酸產生劑擴散或溶解於該浸漬液中而助於維持與該浸漬液接觸之抗蝕劑之有效性。在一實施例中，包含該組份之液體之pH值低於7，例如低於6.5、低於6.0、低於5.5、低於5.0、低於4.5或低於4.0。在一實施例中，該pH值至少為2.0，諸如為至少2.5、至少3.0、至少3.5、至少3.75、至少4.0、至少4.5、至少5.0或至少5.5。在一實施例中，添加至該液體之組份為鹼，例如氨(NH3)。浸漬液之鹼性可幫助維持可與該浸漬液接觸之抗蝕劑之有效性，該抗蝕劑應包含鹼組份(鹼)而不是可滲漏入浸漬液之酸組份。在一實施例中，包含該組份之液體之pH值大於7，例如大於7.5、大於8、大於8.5、大於9、大於9.5或大於10。在一實施例中，該pH值低於14。
將(一或多種)組份添加至該液體之方式可變化且可在一定程度上取決於(例如)被添加組份之類型(例如，其以氣體、固體或液體形式使用)。在一實施例中，經由擴散穿過一膜而添加組份。例如，液體可在一膜之一側上流動而組份在該膜之另一側流動，藉由該膜對該液體為不可滲透的而對該組份為可滲透的，從而允許該組份擴散入液體中。在一實施例中，如此添加之組份為氣體，例如CO2。在一實施例中，該組份與一或多種惰性氣體(例如N2)一起添加。因此，在一實施例中，液體(例如水性液體，例如超純水)在膜之一側上流動而CO2/N2混合物在膜之另一側流動，從而允許CO2及N2擴散入該液體。合適之膜設備之商品實例包括(例如)購自MEMBRANA之LIQUI-CEL膜接觸器。在一實施例中，藉由將該組份流入液體中(或藉由將一較濃組份/液體溶液流入該液體；例如當該組份為氨且該液體為水時，可藉由將一較濃之水性氨溶液流入水中來添加氨)來添加該組份。可遠離該裝置來添加(一或多種)組份(該浸漬液可為"預製備的")，可在一連接至該裝置之獨立單元中進行該添加(例如一用於該裝置之水純化單元可 適於添加一或多種組份)，或可將該添加併入該裝置中。
方法
本發明提供使用上文所述之浸漬液之方法，例如其中將一基板曝露於輻射且其中該輻射在到達該基板之前穿過該浸漬液之方法。
在一實施例中，提供一種包含將一基板曝露於輻射之方法，如上述部分中所描述其中該輻射已穿過一浸漬液。在一實施例中，該方法包含圖案化一輻射束(例如借助於一主光罩或一單獨可程式化元件陣列)、使圖案化輻射束穿過一投影系統(例如一透鏡陣列)、使該圖案化輻射束穿過該浸漬液、及利用該圖案化射束曝光該基板之一部分。在一實施例中，該基板為一半導體基板，例如一半導體晶圓。在一實施例中，該半導體基板材料選自由Si、SiGe、SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP及InAs組成之群。在一實施例中，該半導體基板為III/V半導體化合物。在一實施例中，半導體基板為一矽基板。在一實施例中，基板為一玻璃基板。在一實施例中，基板為一陶瓷基板。在一實施例中，基板為一有機基板，例如一塑膠基板。在一實施例中，基板為一感光基板，例如藉由使得該基板塗覆有一抗蝕劑層。
在一實施例中，提供一種設備製造方法，其包含：(i)圖案化一輻射束；(ii)使該圖案化輻射束穿過一水性液體，該水性液體包含由一具有大於0.1kPa之蒸汽壓之組份所形成之離子；(iii)使一感光基板曝露於該圖案化輻射束。
同樣在一實施例中，提供一種方法，其包含：(i)圖案化一束輻射；(ii)使該圖案化輻射束穿過一包含酸或鹼之液體，該酸或鹼具有一超過該液體之蒸汽壓之蒸汽壓；(iii)將一感光基板曝露於輻射，其中該輻射在到達該感光基板之 前已穿過包含該組份之該水性液體。
在一實施例中，該方法為一諸如浸漬式微影方法之微影方法。在圖1中展示一用於執行一浸漬式微影方法之裝置的實例。圖1中所描述之裝置包含：一照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射束PB(例如UV輻射或DUV輻射)；一支撐結構(例如一光罩台)MT，其經建構以支持一圖案設備MA且連接至一經組態以根據某些參數精確定位該圖案化設備之第一定位器PM。該支撐結構支撐(意即承載)該圖案化設備之重量。其以一視該圖案化設備之方位、微影裝置之設計及諸如該圖案化設備是否保持在真空環境中之其他條件而定之方式固持該圖案化設備。該支撐結構可使用機械的、真空的、靜電的或其他夾持技術來固持該圖案化設備。該支撐結構可為(例如)可一框架或一台，例如，其可視需要為固定的或可移動。該支撐結構可確保該圖案化設備(例如)相對於一投影系統而位於一所要之位置。本文所用之術語"圖案化設備"應廣泛地解釋為意指可用於將一圖案賦予一輻射束之橫截面以便在該基板之目標部分產生一圖案之任何設備。應注意，賦予該輻射束之圖案可不完全對應於該基板之目標部分中之所要圖案，例如若圖案包括相移特徵或所謂輔助特徵時，便是如此。一般而言，賦予輻射束之圖案將對應於一在目標部分中產生之一設備的特定功能層，諸如積體電路。該圖案化設備可為透射的或反射的。圖案化設備之實例包括光罩及單獨可程式化元件陣列(例如可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板)。光罩在微影中已為熟知的，且包括諸如二元、交替相移及衰減式相移之光罩類型以及多種混合光罩類型。一可程式化鏡面陣列之實例使用一小鏡面之矩陣排列，其可為單獨傾斜的以便反射不同方向之入射輻射束。該等傾斜之鏡面將一圖案賦予一由鏡面矩陣反射之輻射束。
一基板台(例如一晶圓臺)WT，其經建構以支撐一基板(例如一塗覆抗蝕劑之晶圓)且連接至一經組態以根據某些參數精確定位該基板之第二定位器PW。在一實施例中，該晶圓臺包含一或多個感應器(未圖示)，例如一圖像感應器(例如一透射式圖像感應器)、一劑量感應器及/或一像差感應器。在一實施例中，一或多個感應器包含一或多個金屬，例如鉻。在一實施例中，例如一或多個感應器可塗覆有(例如)氮化鈦。
一投影系統(例如一折射投影透鏡系統)PL，其經組態以將一由圖案化設備MA賦予輻射束PB之圖案投影至基板W之一目標部分C(例如包含一或多個晶粒)上。
該照明系統可包括諸如折射光學元件、反射光學元件、磁光學元件、電磁光學元件、靜電光學元件或其他類型之光學元件或其組合，以用於導向、成型或控制輻射。本文所用之術語"投影系統"應廣泛地解釋為包含任一類型之投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統、反射折射光學系統、磁光學系統、電磁光學系統及靜電光學系統或其任一組合，其適合於(例如)所使用之曝光輻射或諸如浸沒液體的使用或真空的使用之其它因素。在一實施例中，投影系統包括一透鏡陣列。在一實施例中，該裝置包含一投影系統陣列以(例如)增加通量。
如本文所描述，該裝置為一透射型的(例如使用一透射光罩)。或者，該設備可為一反射型(例如使用一如上文所提及之可程式化鏡面陣列或使用一反射光罩)。
該微影裝置可為一具有兩個(雙級)或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上之光罩台)之類型。在該等"多級"機器中，可並行使用該等額外台，或可在一或多個臺上進行預備步驟，而同時將一或多個其他台用於曝光。
參照圖1，照明器IL接收一來自一輻射源SO之輻射束。輻射源及微影裝置可為分開之實體，例如當該源為一準分子雷射器時。在該等狀況下，不認為該源形成微影裝置之一部分且輻射束借助於一射束傳遞系統BD穿過源SO至照明器IL，該射束傳遞系統BD包含(例如)適當的導向鏡及/或一射束放大器。在其他狀況下，例如當源為一汞燈時，該源可為微影裝置之一主要部分。源SO及照明器IL(視需要連同射束傳遞系統BD)可稱為一輻射系統。在一實施例中，由輻射源SO所提供之輻射之波長至少為50nm，例如為至少100nm、至少150nm、至少175nm、至少200nm、至少225nm、至少275nm、至少325nm、至少350nm或至少360nm。在一實施例中，由輻射源SO所提供之輻射之波長至多為450nm，例如至多為425nm、至多為375nm、至多為360nm、至多為325nm、至多為275nm、至多為250nm、至多為225nm、至多為200nm或至多175nm。在一實施例中，輻射波長為365nm、355nm、248nm或193nm。
照明器IL可包含一用於調節輻射束之角強度分佈的調節器AD。一般而言，至少可調節照明器之瞳孔平面上之強度分佈的外部及/或內部輻射範圍(通常分別稱為σ-外部及σ-內部)。此外，照明器可包含多種其他元件，諸如一積光器IN及一聚光器CO。照明器可用於調節輻射束，以在其截面中具有一所要均勻性及強度分佈。
輻射束PB入射於由支撐結構MT所支撐之圖案化設備MA上，且由該圖案化設備圖案化。穿過圖案化設備之後，輻射束PB穿過投影系統PL，其將該輻射束聚焦在基板W之一目標部分C上。一將於下文進一步描述之浸漬罩IH將浸漬液提供至投影系統PL之最終元件與基板W之間的一空間。在一實施例中，基板台WT及浸漬罩IH係連接至一電壓產生器V(例如一電池)，該電壓產生器可在基板台WT與浸漬罩IH之間(例如基板台WT之一感應器板與浸漬罩IH之間)提供一電壓 差。
借助於第二定位器PW及位置感應器IF(例如一干涉測量設備、線性編碼器或電容感應器)可精確地移動基板台WT，(例如)以便在輻射束PB之路徑中定位不同目標部分C。同樣，第一定位器PM及另一位置感應器(其未在圖1中明確描述)可用於(例如)在自一光罩庫進行機械檢索後或在掃描期間精確地相對於輻射束PB之路徑而定位圖案化設備MA。一般而言，借助於一長衝程模組(粗糙定位)及一短衝程模組(精細定位)可移動支撐結構MT，該長衝程模組與該短衝程模組形成為第一定位器PM之一部分。同樣，使用一長衝程模組及一短衝程模組可移動基板台WT，該長衝程模組與該短衝程模組形成為第二定位器PW之一部分。在一步進機(與一掃描儀相對)之狀況下，支撐結構MT可僅連接至一短衝程致動器或可固定。可使用對準標記M1、M2及基板對準標記P1、P2對準圖案化設備MA與基板W。雖然所說明之該等基板對準標記佔據專用目標部分，但他們可位於目標部分之間的空間中(其被稱為劃線對準標記)。
同樣，在其中藉由圖案化設備MA提供一個以上晶粒之情形下，對準標記可位於該等晶粒之間。
所描述之裝置可用於下列模式之至少一者中：
1.在步進模式下，支撐結構MT及基板台WT大體上保持靜止，且同時將一賦予輻射束之整個圖案一次性(意即，一單一靜態曝光)投影至一目標部分C上。隨後，在X方向及/或Y方向上移動基板台WT以便曝光一不同之目標部分C。在步進模式中，曝光場之最大尺寸限制於在一單一靜態曝光中成像之目標部分C之尺寸。
2.在一掃描模式中，在賦予輻射束之圖案投影至一目標部分C上時，同步掃描支撐結構MT與基板台WT(意即一單一動態曝光)。藉由投影系統PL之(縮小)放大倍率及圖像反轉特徵確定基板台WT相對支 撐結構MT之速度及方向。在掃描模式中，在一單一動態曝光中曝光場之最大尺寸限制目標部分之寬度(在非掃描方向上)，而掃描移動之長度確定目標部分之高度(在掃面方向上)。
3.在另一模式中，支撐結構MT實質上保持固定，其固持一可程式化圖案化設備，且當將一賦予輻射束之圖案投影至一目標C上時可移動或掃描基板台WT。在此模式中，一般使用一脈衝輻射源，且視需要在掃描過程中於基板台之每一移動之後或在連續輻射脈衝之間更新可程式化圖案化設備。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圖案化設備(諸如上文所述類型之可程式化鏡面陣列)之無光罩微影。
亦可採用上文所述之有用模式的組合及/或變化或完全不同的有用模式。
圖2說明一浸漬罩IH之實施例。浸漬罩10圍繞投影系統之影像場形成對基板之無接觸密封，以限制浸漬液11來填充基板表面與投影系統之最終元件之間的一空間。藉由一定位於投影系統PL之最終元件之下方及周圍的密封部件12形成儲集區。浸漬液11被引入投影系統下方與密封部件12內部之空間。密封部件12延伸以稍微高於投影系統之最終元件，且液面上升高於該最終元件以便提供一液體緩衝。在一實施例中，密封部件12在上端處具有一內部周邊，其與投影系統或投影系統之最終元件的形狀近似一致且可為(例如)圓形。在底部，內部周邊與影像場之形狀近似一致(例如為矩形)，但不必一定為此情況。
藉由一位於密封部件12底部與基板W之表面之間的氣體密封16將浸漬液11限制在浸漬罩10中。氣體密封係藉由氣體(例如空氣或合成空氣，但在一實施例中，可為N2或惰性氣體)形成，該氣體在壓力下經由入口15提供至位於密封部件12與基板之間的間隙且經由第一出口14排出。氣體入口15上之過壓、第一出口14上之真空位準及間隙之幾何結構可經配置以使得存在一限制液體之向內的高速氣流。
產品
可利用本方法及系統製造之設備的某些實例包括(例如)微機電系統("MEMS")、薄膜磁頭、積體被動組件、圖像感應器、包括例如電源IC、類比IC及離散IC之積體電路("IC")、及液晶顯示器。
已描述本發明之特定實施例後，應瞭解，彼等熟習此項技術者易瞭解或建議其許多修正，且因此意謂本發明僅由下列專利申請範圍之精神及範疇來限制。
10‧‧‧浸漬罩
11‧‧‧浸漬液
12‧‧‧密封部件
14‧‧‧出口
15‧‧‧入口
16‧‧‧氣體密封
PL‧‧投影系統
W‧‧‧基板

Claims (5)

  1. 一種裝置製造方法，其包含將含有二氧化碳的一氣體通過一膜(membrane)經由擴散溶解於一液體中之步驟。
  2. 如請求項1之方法，其中該氣體係係二氧化碳與一或多種惰性(inert)氣體之一混合物(mixture)。
  3. 如請求項2之方法，其中該惰性氣體包含氮(nitrogen)。
  4. 如請求項1或2之方法，其中該液體係超純水(ultra-pure water)。
  5. 如請求項1之方法，其中該膜對該液體係不可滲透的(impermeable)，而對該氣體係可滲透的，該方法進一步包含以下步驟：將該液體的一流(flow)供應至該膜一第一側；及將該氣體的一流供應至該膜的一第二側，俾使該氣體通過該膜擴散以溶解至該液體中。
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