TWI333595B - Immersion liquid, exposure apparatus, and exposure process - Google Patents

Description

1333595 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於浸潰液、曝光裝置及曝光方法。 【先前技術】 歸因於浸潰式微影技術提供在臨界尺寸及/或聚焦深度 方面之改良，因此其受到關注。然而，該技術亦面臨某些 問題。例如，一方面當藉由液體浸潤乾燥區域時超純浸潰

液可有利於將汙斑之出現降到最低’但另一方面需要在該 浸潰液中包含添加劑以影響或產生所要性質。例如，可能 需要在浸潰液中包括酸組份來避免或最小化所謂τ型頂或 其他不良影響。例如當一基板上待曝露至輻射之抗蝕劑層 與浸潰液接觸且抗蝕劑層中之組份（光酸產生劑）擴散或溶 解於浸潰液中時，可出現τ型頂。亦可參看Ep i 482 372 A1。 因此，本發明之目標包括提供一種包含一或多種添加劑 且具有減小之污染問題之浸潰液。 本發明之目標亦包括避免或最小化由浸潰液之流動（下 文中更s羊細討論）所引起之流動電位的影響。 【發明内容】 本發明提供浸潰液、曝光裝置及曝光方法。 在一實施例中，本發明提供一種藉由包含將一離子形成 組份添加至一液體（例如水性液體）令之方法所形成之浸漬 液，其中該離子形成組份具有—大於〇1 kpa之蒸汽壓例 如大於水。 108501.doc 1333595 在貧施例中，本發明提供一種具有一低於7之pH值的 浸潰液，該低於7之PH值係至少部分由一具有大於〇1 kPa(例如大於水）之蒸汽壓的組份所引起。 在貫鉍例中，本發明提供一種具有一大於7之pH值的 浸潰液，該大於7之PH值係至少部分由一具有大於〇1 kPa(例如大於水）之蒸汽壓的組份所引起。

在貫施例中，本發明提供一種在2 5 °C下具有至少為 0.1 MS/cm(例如為至少〗.3 MS/cm)之電導率的浸潰液。在一 實施例中’本發明提供一在25cc下具有一在〇 11〇() ^s/cm 之範圍内之電導率的浸潰液（例如，在25下具有丨.3 _〗 pS/cm之電導率）^在一實施例令，該電導率係至少部分由 一具有大於0.1 kPa(例如大於水）之蒸汽壓的組份所引起。 又’本發明提供使用該浸潰液之方法（例如一浸潰式微 影方法）。在一實施例中，本發明提供一種包含將一感光 基板曝露至輻射之設備製造方法，其中該輻射在到達該基 板之前已穿過該浸潰液。 此外’本發明提供包含一浸潰式微影裝置及一或多種浸 潰液之浸潰式微影系統。 在一實施例中’本發明提供一種方法，其包含： (i)將一組份添加至一液體，該組份具有一大於〇1让〜之 蒸汽壓，例如大於水； (η)將一感光基板曝露至輻射’其中該輻射在到達該感 光基板之前已穿過包含該組份之該水性液體； 其中添加該組份增加該液體中之離子濃度。 108501.doc 1333595 在一實施例中，本發明提供—種方法，其包含： kPa(例如為至少5 kPa)之蒸汽壓； ⑴將一酸添加至-液體t ’該酸具有一至少為0>1 ⑻將-感光基板曝露至輻射，其中該輻射在到達該感 光基板之前已穿過包含該組份之該液體。 在一實施例中，本發明提供一種方法，其包含： (Ο圖案化一輻射束；

(ϋ)使該經圖案化之輻射束穿過一液體（例如一水性液 體）’該液體包含藉由—具有大於Q1心之蒸汽I的組份 所形成之離子’該液體之電導率至少為〇·25 (iii)將一感光基板曝露至該經圖案化之輻射束。 在-實施例中’本發明提供—種浸潰式微影系統，其包 含： ’、 (i)一浸潰式微影曝光裝置；及 (1〇一浸潰液，例如一在25t下具有在〇 11〇〇…之 • 範®内（例如25t：下在丨.3.⑽之範_)之電導率的 浸漬液或一富集二氧化碳之浸潰液。 在一實施例中，本發明提供—種微影裝置，其具有一可 在一微影裝置之-第-部分（例如—基板台）與該微影裝置 之—第二部分（例如-浸漬式微影裝置之浸潰罩）之間施加 -電壓差之電壓產生器。在—實施例中，本發明提供一種 方法’其包含在-微影裝置之第一部分（例如該基板台）與 該微影裝置之第二部分（例如一浸潰式微影裝置之浸潰罩） 之間施加一電壓差。 J0850J.doc 1333595 本發明之額外目標、優點及特徵P東述於本說明書中，且 彼等熟習此項技術者藉由查看下文可在一定程度上易瞭解 本發明之額外目標、優點及特徵’或可藉由實踐本發明而 瞭解。 【實施方式】

首先’本申請案在多種情況下涉及組份之蒸汽壓。在此 方面’一組份之蒸汽壓意指在2 0 C下一純形式（因此不是 在一混合物或溶液中）之組份的蒸汽壓。 在一實施例中’本發明提供一種浸潰液體。本發明亦提 供一種使用一浸潰液之方法，例如浸潰式微影方法。 浸潰液 在一實施例中，藉由一包含將一或多種組份添加至一液 體中之方法製備浸潰液，該液體可例如為—水性液體，例 如一包含相對該液體總重量為至少50 wt%水、諸如至少75

wt%水、至少90 wt%水、至少95 wt%水、至少99 wt〇/〇水、 至少99.5 wt%水 '至少99.9 wt%水、或至少99 99 wt%水之 液體。在一實施例中，在添加一或多種組份之前液體具有 一小於0.1 pS/cm(在25°C下所測定）之電導率。在_實施例 中’在添加一或多種組份之前液體被脫氣。在一實施例 中，在添加一或多種組份之前液體被純化。在—實施例 中，液體為超純、經脫氣之水。 在一實施例中，添加至液體之組份具有一相對較高之蒸 汽壓。一高的蒸汽壓可助於（例如）當自一基板移除（例如蒸 發）浸潰液時避免在該基板上產生汙斑。在一實施例中 108501.doc 1333595 添;^至液體之組份具有一超過將添加有該組份之液體之蒸 八壓的蒸汽壓。在—實施例中，添加至液體之組份之蒸汽 壓至少為0.1 kPa，例如至少為〇 25 kpa、至少為〇 5 kpa、

至少為〇·75 kPa、至少為1 kPa、至少為1.3 kPa、至少為 I·5 kPa、至少為丨·8 kPa、至少為2.1 kPa或超過水之蒸汽 麼（意即超過2.34 kPa卜在一實施例中，添加至液體之組 伤之蒸几壓至少為3.5 kPa，諸如為至少5 kPa、至少1〇 kPa、至少20 kPa、至少3〇 kpa或至少5〇 kpa)。在一實施 例中，被添加之組份為甲酸或乙酸。在—實施例中，添加 至液體之組份係於2 〇 〇c及i個大氣壓下之為其純形式之氣 體。在一實施例中，添加至液體之組份為二氧化碳。在一 實施例中，浸潰液包含相對於該浸潰液之總重量小於$ wt〇/。（例如小於3 wt%、小於i、小於〇 5糾％、小於 0.25 Wt%、小於〇」wt%、小於〇 〇5糾％、小於〇 wt%、小於0.01 wt%、小於〇 〇〇5 wt%)之組份，該等組份 具有小於2.0 kPa(例如小於h5 kPa、小於1 kPa、小於〇 5 kPa、小於0.25 kPa、小於(M kPa或〇 kpa)之蒸汽壓。在_ 實施例中’包含具有-相對較高蒸汽壓之組份的浸潰液在 不考慮該浸潰液之主組份（例如在以水作為主组份之浸潰 液中之水）的情況下，大體上不存在蒸汽壓低於2〇 視 低於0.25 諸如低於1_5 kPa、低於1 kPa、低於〇·5 kPa kPa、低於0.1 kPa或0 kPa之組份。 在-實施例中，&力口至液體之組份例如藉由<進離子形 成而提高該液體之電導率。浸潰液之增加之電導率可助於 108501.doc •10- 1333595 降低或避免流動.電位之問題。例如在j. Phys D: Appl.

Phys., 18 (1985)，p.21 1-220 中之 Varga 及 Dunne 所著之文章 "Streaming Potential Cells For The Study of Erosion-Corrosion Caused By Liquid Flow"中討論了流動電位。流

動電位可例如藉由侵蝕或腐蝕與浸潰液流接觸之（例如）塗 層感應器及/或（對準）標記（尤其是例如塗層、感應器及/ 或標記之實質上導電之組件）來縮短其壽命。在一實施例 中，包含該組份之液體之電導率在25 〇c下至少為 pS/cm，例如為至少 0.25 pS/cm、至少 〇.5 pS/cm、至少 0.75 pS/cm、至少 1 pS/cm、至少 ^ pS/cm、至少 1 5 gS/cm、 至少 1·75 pS/cm、至少 2 pS/cm、至少 3 pS/cm、至少 5 pS/cm、至少 1〇 #/cm、至少 25 RS/cm或至少 5〇 gS/cm。雖 然上文所述及下文所述之電導率在25〇c下測定，但使用該 浸潰液之溫度可不同。然而’所涉及之該等值仍為在25它 下所測定之電導率。 雖然增加之電導率可助於減小或消除流動電位之影響， 但其亦可增加需要添加至浸潰液中之組份的量，其可導致 產生污染或氣泡問題。在一貫施例中，包含該組份之液體 的電導率在25<t下小於5〇 mS/cm，例如小於25 mS/cm、小 於 1〇 mS/cm、小於 5 mS/cm、小於 i mS/cm、小於 5〇〇 pS/cm、小於250 pS/cm、小於 150 pS/cm ' 小於75 pS/cm、 小於 50 pS/cm、小於25 pS/cm、小於15 gS/cm、小於 1〇 pS/cm、小於7 pS/cm、小於4 gS/cm或小於2 pS/cm。在一 實施例中’液體之電導率於25。(：下在〇1_1〇〇 @/cm之範圍 108501.doc 丄川595 内例如範圍可為0 ·25_25 gS/cm、〇 41〇 或〇 Κ "s/cm。在一實施例中，藉由將鹽或酸添加至液體中而增 加例如水性液體（例如超純水）之液體的電導率《在一實施 例中’該㈣富含乙冑、甲酸、C02(C02可在水中/與水形 成離子H+及HCG3_)或Nh3(NH3可在水巾/與水形成離子 贿4 +及 〇Η·) 〇

★同樣地’藉由降低水流之速度及/或湍流可減小或避免 机動電位。此外’當無需避免流動電位本身時，在流動電 位所衫響之區域（例如基板台，例如位於基板臺上之一感 應器或-感應器板）與另一區域之間提供一電壓差可限制 或抵消由流動電位所引起之不良影響。在一實施例中，本 ::提供一種微影裝置’其具有一可以在一微影裝置之第 :部分(例如基板台)與該微影裝置之第二部分(例如浸潰式 微〜裝置之次潰罩）之間施加一電壓差之電壓產生器。在 一實施例中’本發明提供一種方法，其包含在一微影裝置 :第-部分(例如基板台)與該微影裝置之第二部分(例如一 浸潰式微影裝置之浸潰罩）之間施加一電壓差。在一實施 4中《亥電壓差至少為G. 1 V，例如為至少〇 25 v、至少 V至乂 1 V、至少2 V、至少3 V、至少4 V或至少5 V。在一實施例中，該電壓差小於5〇 v。 在一實施例中，添加至液體之組份為酸性組份，例如乙 敲、甲酸或二氧化碳。浸潰液之酸性可(例如)藉由幫助減 缓/主降低可存在於抗㈣中之光酸產生劑擴散或溶解於該 浸潰液中而助於維持與該浸潰液接觸之抗蝕劑之有效性^ 108501.doc 12 1333595

在一實施例中，包含該組份之液體ipH值低於7,例如低 於6.5、低於6.0、低於5.5、低於5.0、低於4 5或低於4 〇。 在一實施例中’該pH值至少為2.0,諸如為至少25、至少 3_0、至少3.5、至少3.75、至少4.0、至少4 5、至少5 〇或 至少5.5。在一實施例中，添加至該液體之組份為鹼，例 如氨（NH3)。浸潰液之驗性可幫助維持可與該浸潰液接觸 之抗钱劑之有效性’ s亥抗钱劑應包含驗組份（驗）而不是可 滲漏入浸潰液之酸組份。在一實施例中，包含該組份之液 體之pH值大於7，例如大於7.5、大於8、大於85、大於 9、大於9.5或大於1〇。在一實施例令，該值低於丨4。 將（一或多種）組份添加至該液體之方式可變化且可在一 定程度上取決於（例如）被添加組份之類型（例如，其以氣 體、固體或液體形式使用）。在一實施例中，經由擴散穿 過一膜而添加組份。例如，液體可在一膜之一側上流動而 組份在該膜之另一側流動，藉由該膜對該液體為不可滲透 的而對該組份為可滲透的，從而允許該組份擴散入液體 中。在一實施例中，如此添加之組份為氣體，例如co2。 在一實施例中’該組份與一或多種惰性氣體（例如N2)一起 添加。因此，在一實施例中，液體（例如水性液體，例如 超純水）在膜之—侧上流動而C〇2/N2混合物在膜之另一側 流動’從而允許C〇2及N2擴散入該液體。合適之膜設備之 商品實例包括（例如）購自MEMBRANA之LIQUI-CEL膜接觸 器。在—實施例中’藉由將該組份流入液體中（或藉由將 較/辰組份/液體溶液流入該液體；例如當該組份為氨且 108501.doc 該液體為水時，可藉由 、長稭由將—杈濃之水性氨溶液流入水中來 添加氨）來添加該組份。 ± 了边離*亥裝置來添加（一或多種）组 份（該浸潰液可為"箱制'' "預集·備的"），可在一遠接5兮壯pg * 〇〇 , , } J社運接至该裝置之獨 單兀中進行該添加（例一 、』π用於該裝置之水純化單元可 適於添加一或多箱細々\、 ,, 刀），或可將該添加併入該裝置中。 方法 本發明提供使用上文所述之浸潰液之方法，例如Α中將

一基板曝露於輻射且其中該輻射在到達該基板穿 浸潰液之方法0

在-實施例中，提供—種包含將—基板曝露於輻射之方 法丄如上述部分中所描述其中該輻射已穿過—浸潰液。在 實施例中，該方法包含圖案化_輻射束（例如借助於一 主光罩或—單獨可程式化元件陣列）、使®案化輻射束穿 過一投影系統（例如一透鏡陣列）、使該圖案化輻射束穿過 該浸潰液、及利用該圖案化射束曝光該基板之一部分。在 實施例中，該基板為一半導體基板，例如一半導體晶 圓。在一實施例中，該半導體基板材料選自由Si、siGe、 SiGeC、SiC、Ge、GaAs、InP及 lnAs組成之群。在一實施 例中’該半導體基板為ΠΙ/ν半導體化合物。在一實施例 中，半導體基板為一矽基板。在一實施例中，基板為一玻 璃基板^在一實施例中’基板為一陶瓷基板。在一實施例 中，基板為一有機基板，例如一塑膠基板。在一實施例 中’基板為一感光基板，例如藉由使得該基板塗覆有一抗 姓劑層。 108501.doc •14- 1333595 在一貫施例中’提供-種設備製造方法，其包含： (i)圖案化一輻射束； ⑼使該圖案化輻射束穿過一水性液體，該水性液體包 含由一具有大於0.1 kPa夕某火® … 以之蒸π壓之組份所形成之離子； (m)使一感光基板曝露於該圖案化輻射束。 同樣在-實施例中，提供—種方法，其包含： (i)圖案化一束輻射；

(Π)使該圖案化幸昌射击空、A - 钿射束穿過一包含酸或鹼之液體，該酸 或鹼具有一超過該液體之蒸汽壓之蒸汽壓； “（叫將^光基板曝露於輻射，其中該輻射在到達該感 光基板之則已穿過包含該M份之該水性液體。 在-實施财，該方法為—諸如浸潰式微影方法之微影 方法在圖1中展不一用於執行一浸潰式微影方法之裝置 的實例。圖1中所描述之裝置包含： -照明系統(照明器)IL，其經組態以調節一輻射束 PB(例如UV輻射或DUV輻射）； 一支撑結構（例如一光罩台）MT，其經建構以支持一圖案 設備MA且連接至一經組態以根據某些參數精確定位該圖 案化叹備之第-定位器ΡΜβ該支撑結構支則意即承載）該 圖案化&備之重量。其以—視該圖案化設備之方位、微影 裝置之設計及諸如該圓案化設備是否保持在真空環境中之 其他條件而定之方式固持該圖案化設備。該支樓結構可使 的真工的、靜電的或其他央持技術來固持該圖案 化設備。該支撑結構可為（例如）可—框架或—台，例如， I08501.doc -J5- 1333595 其可視需要為固定的或可移動。該支揮結構 AV 4& ( A^\ _L« \ α 4呆0亥圖 τίς -備(例如)相對於一投影系統而位於—所要之位[本 文所用之術語”圖案化設備"應廣泛地 一 IS1宏e# Α ± 释馮忍相可用於將 圖案賦予-輻射束之橫截面以便在該基板之目標部分產 生-圖案之任何設備。應注意，賦予該輕射束之圖案可不 完全對應於該基板之目標部分中之所要圖帛，例如若圖案 包括相移特徵或所謂辅助特徵時，便是如此。一般而々，

賦予輻射束之圖案將對應於—在目標部分t產生之一設備 的特定功能層，諸如積體電路。該圖案化設備可為透：的 或反射的。圖案化設備之實例包括光罩及單獨可程式化元 件陣列（例如可程式化鏡面陣列或可程式化LCD面板卜光 罩在微影中已為熟知的，且包括諸如二元、交替相移及衰 減式相移之光罩類型以及多種混合光罩類型。一可程式化 鏡面陣列之實例使用-小鏡面之矩陣排列，其可為單獨傾 斜的以便反射不同方向之入射輻射束。該等傾斜之鏡面將 一圖案賦予一由鏡面矩陣反射之輻射束。 一基板台（例如一晶圓臺）WT，其經建構以支撐一基板 (例如—塗覆抗蝕劑之晶圓）且連接至一經組態以根據2些 參數精確定位該基板之第二定位器PW。在—實施例中， 該晶圓臺包含一或多個感應器（未圖示），例如一圖像感應 盗（例如一透射式圖像感應器）、一劑量感應器及/或一像差 感應器。在一實施例中，一或多個感應器包含一或多個金 屬’例如鉻。在一實施例中’例如一或多個感應器可塗覆 有（例如）氮化鈦。 10850l.d〇c •16- 1333595 一投影系統（例如一折射投影透鏡系統）PL，其經組態以

將一由圖案化設備μα賦予輻射圭PR 丁麵射采PB之圖案投影至基板w 之一目標部分C(例如包含—或多個晶粒）上。 該照明系統可包括諸如折射光學元件、反射光學元件、 磁光學元件、電磁光學元件、靜電光學元件或其他類型之 光學元件或其組合，以用於導向、成型或控制輕射。本文 所用之術語"投影系統"應廣泛地解釋為包含任一類型之投

影系統’包括折射光學系統、C射伞與备妨 ^夂射光學系統、反射折射光 學系統、磁光學系統、電磁氺興纟 电磁先學糸統及靜電光學系統或其 任-組合，其適合於（例如）所使用之曝光輕射或諸如浸沒 液體的使用或真空的使用之其它因素。在一實施例中，投 影系統包括一透鏡陣列。尤 ^ . 平幻在一實施例中，該裝置包含一投 衫系統陣列以（例如）增加通量。 、，如本文所描述’該裝置為一透射型的(例如使用一透射 :罩）或者該6又備可為一反射型（例如使用一如上文所 提及之可程式化鏡面陣列或使用—反射光罩）。 該微影裝置可為—a . 具有兩個（雙級）或兩個以上基板台（及 1 或兩個或兩個以上之光罩台)之類型。在該等"多級"機器 可並仃使用該等額外台，或可在一或 備步驟，而同時將一m㈣ J吋將或多個其他台用於曝光。 二:、’、圖：’照明器IL接收—來自一輻射源so之輻射束。 ::源：微影裝置可為分開之實體，例如當該源為一準分 一：：裔時。在該等狀況下，不認為該源形成微影裝置之 刀且輕射束借助於-射束傳遞系統BD穿過源so至照 10850J.doc 17 1333595 明器IL ’該射束傳遞系統BD包含（例如）適當的導向鏡及/ 或一射束放大器。在其他狀況下，例如當源為一汞燈時， 該源可為微影裝置之一主要部分◊源SO及照明器IL(視需 要連同射束傳遞系統BD)可稱為一輻射系統。在一實施例 中，由輻射源SO所提供之輻射之波長至少為5〇 nm，例如 為至少100 nm、至少150 nm、至少175 nm、至少200 nm、 至少225 nm、至少275 nm、至少325 nm、至少350 nm或至

少360 nm。在一實施例中，由輻射源s〇所提供之輻射之波 長至多為450 nm，例如至多為425 nm、至多為375 nm、至 多為360 nm、至多為325 nm、至多為275 nm、至多為250 nm、至多為225 nm、至多為200 nm或至多175 nm。在一 實施例中，輻射波長為365 nm、355 nm、248 nm或193 照明器IL可包含一用於調節輻射束之角強度分佈的調節 器AD。一般而言，至少可調節照明器之曈孔平面上之強 φ 度分佈的外部及/或内部輻射範圍（通常分別稱為σ-外部及 σ-内部）。此外，照明器可包含多種其他元件，諸如一積 光器IN及一聚光器C0 ^照明器可用於調節輻射束，以在 其截面中具有一所要均勻性及強度分佈。 輻射束PB入射於由支撐結構Μτ所支撐之圖案化設備 上’且由該圖案化設備圖案化。穿過圖案化設備之後，輕 射束PB穿過投影系統PL，其將該輻射束聚焦在基板w之一 目標部分C上。-將於下文進—步描述之浸潰㈣將浸潰 液提供至投影系統PL之最終元件與基板貿之間的一空間。 ·* ] S - I08501.doc 1333595 在一實施例中，基板台WT及浸潰罩IH係連接至一電壓產 生器v(例如一電池），該電壓產生器可在基板台WT與浸潰 罩1H之間（例如基板台WT之一感應器板與浸潰罩IH之間） 提供一電壓差。 '借助於第二定位器PW及位置感應器IF(例如一干涉測量 "又備、線性編褐器或電容感應器）可精確地移動基板台 WT ’（例如）以便在輻射束PB之路徑中定位不同目標部分 φ C。同樣，第一定位器PM及另一位置感應器（其未在圖1中 明確描述）可用於（例如）在自一光罩庫進行機械檢索後或在 掃描期間精確地相對於輻射束PB之路徑而定位圖案化設備 MA 般而言，借助於一長衝程模組（粗糙定位）及一短衝 • 程模組（精細定位）可移動支撐結構MT，該長衝程模組與該 * 紐衝程模組形成為第-定位器PM之一部 >。同樣，使用 一長衝程模組及一短衝程模組可移動基板台wt，該長衝 程模組與該短衝程模組形成為第二定位器p W之一部分。 • 纟#進機（與-掃描儀相對）之狀況下，支樓結構可僅 連接至—短衝程致動器或可固定。可使用對準標記Μι、 M2及基板對準標記Pi、P2對準圖案化設備ΜΑ與基板w。 雖然所說明之該等基板對準標記佔據專用目標部分，但他 們可位於目標部分之間的空間中(其被稱為劃線對準標 5己）。 同樣’在其中藉由圖案化設備隐提供一個以上晶粒之 清形下，對準標記可位於該等晶粒之間。 所描述之裝置可用於下列模式之至少一者中·· 108501.doc ,丄在/進模式下，支標結構MT及基板台WT大體上保持 靜亡且同時將一賦予輻射束之整個圖案-次性(意即， 單靜態曝光）投影至—目標部分〇上。隨後，在χ方向 及/或γ方向上移動基板台WT以便曝光一不同之目標部分 在步進模式中’曝光場之最大尺寸限制於在一單一靜 態曝光中成像之目標部分C之尺寸。 2.在掃描模式中，在賦予輕射束之圖案投影至一目標 °^刀C上時’同步掃描支樓結構MT與基板台WT(意即-單 一動態曝光）。藉由投影系統孔之（縮小）放大倍率及圖像反 轉特徵確定基板合WT相對支撐結構MT之速度及方向。在 掃描模式巾’在-單—動態曝光巾曝光場之最大尺寸限制 目標部分之寬度（在非掃描方向上），而掃描移動之長度择 定目標部分之高度（在掃面方向上）。 3.在另一模式中，支撐結構Μτ實質上保持固定，其固持 一可程式化圖案化設備，且當將一賦予輻射束之圖案投影 至一目標C上時可移動或掃描基板台wt。在此模式中，一 般使用一脈衝輻射源，且視需要在掃描過程中於基板台之 每一移動之後或在連續輻射脈衝之間更新可程式化圖案化 设備。此操作模式可容易地應用於利用可程式化圓案化設 備（諸如上文所述類型之可程式化鏡面陣列）之無光罩微 影0 亦可採用上文所述之有用模式的組合及/或變化或完全 不同的有用模式。 圖2說明一浸潰罩IH之實施例。浸潰罩1 〇圍繞投影系統 10850l.doc •20- 之影像場形成對基板之無接觸密封，以限制浸潰液^來填 =基板表面與投影系統之最終元件之間的一空間。藉由二 疋位於投影系統PL之最終元件之下方及周圍的密封部件12 形，儲集區。浸潰液11被引入投影系統下方與密封部件12 内。Ρ之空間。密封部件12延伸以稍微高於投影系統之最終 凡件，且液面上升高於該最終元件以便提供一液體緩衝。 在—實施例中，密封部件12在上端處具有—内部周邊，其 φ Ά衫系統或投影系統之最終元件的形狀近似—致且可為 (例如）圓形。在底部，内部周邊與影像場之形狀近似一致 (例如為矩形），但不必一定為此情況。 藉由一位於密封部件12底部與基板w之表面之間的氣體 ’ 密封16將浸潰液11限制在浸潰罩1〇中。氣體密封係藉由氣 - 體（例如空氣或合成空氣’但在一實施例中，可為n2或惰 性氣體）形成，該氣體在壓力下經由入口 15提供至位於密 封部件12與基板之間的間隙且經由第一出口 14排出。氣體 Φ 彳口 15上之過壓 '第-出口 14上之真空位準及間隙之幾何 結構可經配置以使得存在一限制液體之向内的高逮氣流。 產品 可利用本方法及系統製造之設備的某些實例包括（例如） 微機電系統（"MEMS")、薄膜磁頭、積體被動組件、圖像 感應器、包括例如電源IC、類比ic及離散ic之積體電路 ("1C")、及液晶顯示器。 已描述本發明之特定實施例後，應瞭解，彼等熟習此項 技術者易瞭解或建議其許多修正，且因此意謂本發明僅由 108501.doc 21 1333595 下列專利申請範圍之精神及範疇來限制。 【圖式簡單說明】 圖1表示一根據本發明之實施例之浸潰式微影系統。 圖2表示一根據本發明之實施例之浸潰式微影系統的浸 潰罩之實施例。 【主要元件符號說明】

10 浸潰罩 11 浸潰液 12 密封部件 14 出α 15 入口 16 氣體密封 AD 調節器 BD 輻射束傳遞系统 CO 聚光器 IF 位置感應器 IH 浸潰罩 IL 照明器 IN 積光器 M】， M2 對準標記 ΜΑ 圖案化設備 ΜΤ 支撐結構 Ρι > Ρ2 基板對準標記 ΡΒ 輻射束 108501.doc '22- 1333595 PL 投影系統 PM 第一定位器 PW 第二定位器 SO 輻射源 V 電壓產生器 W 基板 WT 基材台

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Claims (1)

1. I ----------- 1333595 K年P月>9修正本 --__ 第095104379號專利申請案 ' 中文申5奢專利範圍替換本('9'9年9月） 十、申請專利範圍·· 1. 一種設備製造方法，其包含： ⑴添加—組份至一液體，該組份具有一大於0.1 kPa之 蒸汽壓；及 (ii)將一感光基板曝露至輻射，該感光基板位於一具有 或夕個感應器之基板臺上，其中該輕射在到達該感光 基板之前已穿過包含該組份之該水性液體； ^ 其中添加該組份增加該液體中之離子濃度，及符合下 列條件至少之一者： 0)該組份提高該液體的PH值； (b)該光阻基板在曝光期間停留在一基板臺上， • 該基板臺包含一感應器； (C)至少2組份具有至少O.lkPa的蒸汽壓被加入該 液體； (d)該組份係不同於僅有二氧化碳的一組份； ♦ (e)該輻射利用一個別可程式化元件陣列圖案 化； (0該液體被限制於介於該基板表面及一投影系 統的最終元件間之一空間，該輻射由圍繞該 空間的一浸潰罩被投影； (g) —電壓差在介於用以支撐一基板的一基板臺 及用於設立該方法的該微影裝置之一不同部 分之間；或 (h) 在具有至少一基板臺的—微影裝置中實施該 10S501-990930.doc 1333595 方法。 2.如請求項1之方法，其中該組份具有一大於水之蒸汽 壓。 ‘、、 3 .如研求項1或2之方法’其中該組份降低該液體之pH值。 月求項1或2之方法’其中該組份升高該液體之pH值。 如吻求項！或2之方法，其中該組份具有一至少為i 之 蒸汽壓。 月戈項1或2之方法，其中該液體包含相對於該液體總 重里之至少90 wt%的水。 如味求項1或2之方法，其中該液體包含相對於該液體總 重量之至少99.9 wt%的水。 8·如印求項i或2之方法，其中該組份在2〇t>c及大氣壓力下 為一氣體。 如吻求項丨或2之方法，其中包含該組份之該液體具有一 在4.5-6.0之範圍内的pH值。 1 〇. 士咕求項i或2之方法，其中該組份為二氧化碳或氨。 11. 如明求項1或2之方法，其令包含該組份之該液體大體上 不含具有一低於2.0 kPa之蒸汽壓的組份。 12. 如叫求項丨或2之方法，其中該基板為一塗覆有一抗蝕劑 層之半導體晶圓。 13. 如吻求項i或2之方法，其中該輻射為具有一在ns打… 375 nm之範圍内之波長的xjV輻射。 14. 士明求項之方法，其進一步包含在使該輻射穿過包 含該組份之該液體之前將該輻射穿過一透鏡陣列。 108501-990930.DOC -2- 1333595 15·如請求項丨或2之方法’其進一步包含在使該輻射穿過包 含該組份之該液體之前圖案化該輻射。 16·如請求項15之方法，其中利用一光罩或一單獨可程式化 元件陣列實現該圖案化。 7 · 士印求項1或2之方法’其中該感光基板於該曝光期間停 留在一基板台上’該基板台包含一感應器，該感應器包 含氮化鈦及/或一金屬。 18.如請求項1或2之方法，其包含將具有一至少為〇 i 之 蒸汽壓的至少2組份添加至該液體中。 19.如請求項1或2之方法，其中該組份係一酸或鹼。 2〇·如凊求項19之方法，其包含添加一酸至該液體。 21. 如凊求項19之方法’其包含添加一驗至該液體。 22. 如請求項19之方法，其進一步包含： 圖案化一輻射光束以產生用於曝光該感光基板的該輻 射； 其中該水性液體之電導率至少為〇 25 μ3/(；ιη(在25<>c下 測定）。 23. 如請求項！或2之方法，其中該液體係—水性液體。 24. —種浸潤式微影系統，其包含： 一改潤式微影曝光裝置及一液體，該液體包含具有大 於〇· 1 kPa#热〉飞壓之一組份，及其中該液體相較於不 具該組份的該液體包含具有較大離子濃度之該組份，該 糸統符合下列條件之至少之一者* (a)該液體包含值高於該液體的該組份之pH; 108501-990930.DOC 1333595 (b) 該系統具有用以支撐一感光基板之一基板臺 及該基板臺包含一感應器； (c) 該液體包含至少二組份，具有至少0·1 kpa的 一蒸汽壓； (d) 該組份係不同於僅有二氧化碳； (e) 該系統包含用於圖案化一輻射光束之一個別 可程式化元件陣列； (f) 該系統包含一浸潰罩，其圍繞在一基板表面 及一投影系統的一最終元件間之一空間，用 以限制該液體於該空間； (g) 該系統具有一電壓產生器，其功能性地連接 至一微影裝置的一第一部，該第一部係一基 板臺及功能性地連接至該微影裝置的一第二 部，該電壓產生器能夠在該第一部及該第二 部間建立一電壓；或 (h) 該系統具有至少二基板臺。 108501-990930.DOC 4-