KR20070102742A - 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (35)
- 디바이스 제조 프로세스에 있어서,(i) 0.1 kPa보다 큰 증기압을 갖는 성분을 액체에 부가하는 단계; 및(ⅱ) 감광성 기판을 방사선에 노광시키는 단계를 포함하며,상기 방사선은 상기 감광성 기판에 도달하기 이전에 상기 성분을 포함하는 수성 액체를 통과하고,상기 성분을 부가하는 단계는 상기 액체 내의 이온의 농도를 증가시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항에 있어서,상기 성분은 물 보다 큰 증기압을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 성분은 상기 액체의 pH를 낮추는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 성분은 상기 액체의 pH를 상승시키는 것을 특징으로 하는 디바이스 제 조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성분은 1 kPa 이상의 증기압을 갖는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액체는, 상기 액체의 총 무게에 대하여 90 wt% 이상의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 액체는, 상기 액체의 총 무게에 대하여 99.9 wt% 이상의 물을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성분은 20 ℃ 및 대기압에서의 가스인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성분을 포함하는 상기 액체는 4.5 - 6.0 범위 내의 pH를 갖는 것을 특 징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성분은 카본 다이옥사이드 또는 암모니아인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 성분을 포함하는 상기 액체는 기본적으로 2.0 kPa 보다 작은 증기압을 갖는 성분들이 부재한 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 11 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 레지스트의 층으로 코팅된 반도체 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선은 175 nm 내지 375 nm 범위 내의 파장을 갖는 UV 방사선인 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선이 상기 성분을 포함하는 상기 액체를 통과하기 이전에 렌즈들의 어레이를 통해 상기 방사선을 통과시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 방사선이 상기 성분을 포함하는 상기 액체를 통과하기 이전에 상기 방사선을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 15 항에 있어서,상기 패터닝 단계는 마스크 또는 개별적으로 프로그래밍가능한 요소들의 어레이에 의해 실행되는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 16 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 감광성 기판은 상기 노광 동안 기판테이블 상에 놓이고, 상기 기판테이블은 센서를 포함하며, 상기 센서는 티타늄 니트라이드 및/또는 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 17 항 중 어느 한 항에 있어서,0.1 kPa 이상의 증기압을 갖는 2 이상의 성분들을 상기 액체에 부가시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 1 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항의 프로세스에 의해 제조되는 디바이스.
- 제 19 항에 있어서,상기 디바이스는 집적 회로인 것을 특징으로 하는 디바이스.
- 디바이스 제조 프로세스에 있어서,(i) 0.1 kPa 이상의 증기압을 갖는 산 또는 염기를 액체에 부가하는 단계; 및(ⅱ) 감광성 기판을 방사선에 노광시키는 단계를 포함하며,상기 방사선은 상기 감광성 기판에 도달하기 이전에 상기 성분을 포함하는 상기 액체를 통과하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 21 항에 있어서,상기 액체에 산을 부가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 제 21 항에 있어서,상기 액체에 염기를 부가하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 디바이스 제조 프로세스에 있어서,(i) 방사선 빔을 패터닝하는 단계;(ⅱ) 상기 패터닝된 방사선 빔을 액체를 통해 통과시키는 단계를 포함하고, 상기 액체는 0.1 kPa 보다 큰 증기압을 갖는 성분에 의해 형성되는 이온들을 포함하고, 상기 액체의 도전성은 (25 ℃에서 결정되는 것으로서) 0.25 ㎲/cm 이상이고,상기 디바이스 제조 프로세스는,(ⅲ) 감광성 기판을 상기 패터닝된 방사선 빔에 노광시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 디바이스 제조 프로세스.
- 침지 리소그래피 시스템에 있어서,(i) 침지 리소그래피 노광 장치; 및(ⅱ) (25 ℃에서 결정되는 것으로서) 1.3 - 100 ㎲/cm의 범위 내에서 도전성을 갖는 침지 액체를 포함하는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항에 있어서,상기 도전성은 5 ㎲/cm 이상인 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 또는 제 26 항에 있어서,상기 도전성은 최대 50 ㎲/cm인 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항에 있어서,상기 도전성은 2 내지 10 ㎲/cm의 범위 내에 있는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 내지 제 28 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 침지 액체는 염, 염기 또는 산을 수성 액체에 부가함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 내지 제 29 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 침지 액체는 카본 다이옥사이드를 포함하는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 내지 제 30 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 침지 액체는 6.0 미만의 pH를 갖는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 침지 리소그래피 노광 장치는 크롬 및/또는 티타늄 니트라이드를 포함하는 센서를 갖는 기판테이블을 포함하는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 제 25 항 내지 제 32 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 도전성은 5 kPa 보다 큰 증기압을 갖는 성분에 의하여 적어도 부분적 또는 전체적으로 유도되는 것을 특징으로 하는 침지 리소그래피 시스템.
- 리소그래피 장치의 제 1 부분에 기능적으로 연결되는 전압 발생기를 갖는 리소그래피 장치에 있어서,상기 제 1 부분은 기판테이블이고, 상기 리소그래피 장치의 제 2 부분에 기능적으로 연결되며, 상기 전압 발생기는 상기 제 1 부분과 상기 제 2 부분 사이에 전압 차를 조성할 수 있는 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
- 제 34 항에 있어서,상기 장치는 침지 리소그래피 장치이며 상기 제 2 부분은 침지 후드인 것을 특징으로 하는 리소그래피 장치.
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US65151305P | 2005-02-10 | 2005-02-10 | |
US60/651,513 | 2005-02-10 | ||
US7104405A | 2005-03-03 | 2005-03-03 | |
US11/071,044 | 2005-03-03 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097016738A Division KR101105784B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20070102742A true KR20070102742A (ko) | 2007-10-19 |
KR100938271B1 KR100938271B1 (ko) | 2010-01-22 |
Family
ID=36441222
Family Applications (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117026710A KR101211570B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
KR1020117017418A KR101140755B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
KR1020077020624A KR100938271B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
KR1020097016738A KR101105784B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
Family Applications Before (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020117026710A KR101211570B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
KR1020117017418A KR101140755B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020097016738A KR101105784B1 (ko) | 2005-02-10 | 2006-02-06 | 침지 액체, 노광 장치, 및 노광 프로세스 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US8859188B2 (ko) |
EP (1) | EP1849040A2 (ko) |
JP (3) | JP5162254B2 (ko) |
KR (4) | KR101211570B1 (ko) |
CN (4) | CN102360170B (ko) |
SG (1) | SG155256A1 (ko) |
TW (3) | TWI463271B (ko) |
WO (1) | WO2006084641A2 (ko) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5162254B2 (ja) * | 2005-02-10 | 2013-03-13 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | 液浸リソグラフィシステム及びデバイス製造方法 |
KR101396620B1 (ko) | 2005-04-25 | 2014-05-16 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 |
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Family Cites Families (141)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE242880C (ko) | ||||
DE224448C (ko) | ||||
DE221563C (ko) | ||||
DE206607C (ko) | ||||
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- 2006-02-06 JP JP2007554487A patent/JP5162254B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-06 KR KR1020117026710A patent/KR101211570B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 KR KR1020117017418A patent/KR101140755B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 KR KR1020077020624A patent/KR100938271B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 EP EP06706660A patent/EP1849040A2/en not_active Withdrawn
- 2006-02-06 CN CN201110325152.5A patent/CN102360170B/zh active Active
- 2006-02-06 KR KR1020097016738A patent/KR101105784B1/ko active IP Right Grant
- 2006-02-06 CN CN201110325529.7A patent/CN102385260B/zh active Active
- 2006-02-06 US US11/883,944 patent/US8859188B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-02-06 SG SG200905752-2A patent/SG155256A1/en unknown
- 2006-02-06 CN CN2011102545625A patent/CN102262361B/zh active Active
- 2006-02-06 CN CN2006800044446A patent/CN101128775B/zh active Active
- 2006-02-06 WO PCT/EP2006/001005 patent/WO2006084641A2/en active Application Filing
- 2006-02-09 TW TW099105739A patent/TWI463271B/zh active
- 2006-02-09 TW TW095104379A patent/TWI333595B/zh not_active IP Right Cessation
- 2006-02-09 TW TW103137487A patent/TWI553422B/zh not_active IP Right Cessation
-
2011
- 2011-04-14 JP JP2011089751A patent/JP5158997B2/ja active Active
- 2011-11-16 JP JP2011250615A patent/JP5158998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2014
- 2014-10-01 US US14/504,130 patent/US9164391B2/en active Active
-
2015
- 2015-10-16 US US14/885,775 patent/US9454088B2/en active Active
-
2016
- 2016-08-29 US US15/250,579 patent/US9772565B2/en active Active
-
2017
- 2017-09-18 US US15/707,703 patent/US10712675B2/en active Active
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
AMND | Amendment | ||
E90F | Notification of reason for final refusal | ||
A107 | Divisional application of patent | ||
AMND | Amendment | ||
E601 | Decision to refuse application | ||
AMND | Amendment | ||
J201 | Request for trial against refusal decision | ||
B701 | Decision to grant | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130110 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140103 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150105 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160104 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170106 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180105 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190107 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20200103 Year of fee payment: 11 |