TW201446642A - 氮化鋁粉末 - Google Patents

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Abstract

本發明係提供由對向之六角形狀面2面與長方形狀面6面所構成，六角形狀面之對向的方向上具有扁平狀8面體形狀，六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離D為3~110μm之範圍，長方形狀面之短邊的長度L為2~45μm之範圍，且L/D為0.05~0.8之間，六角形狀面與長方形狀面非形成1個稜角而係形成曲面相交，又，真密度為3.20~3.26g/cm3之範圍的氮化鋁結晶粒子、含有其之氮化鋁粉末及該等之製造法、含有上述氮化鋁結晶粒子之有機高分子組成物及燒結體。

Description

氮化鋁粉末
本發明係關氮化鋁結晶粒子、含有其之氮化鋁粉末、該等之製造方法及含有上述氮化鋁結晶粒子之有機高分子組成物與燒結體。
氮化鋁因具有高熱傳導性與優良電氣絕緣性，而被期待應用於以高熱傳導性基板、放熱構件為首的絕緣放熱用填料。放熱用填料為可藉由分散於樹脂或橡膠等之基質，以提升熱傳導率之物，因此被運用於放熱片物或薄膜狀調距物、放熱潤滑脂、放熱性接著劑之用途。
為了提升放熱材料之熱傳導率，需使基質中之填料相互接觸以形成熱傳導通路。因此一般使用填料時係併用大粒徑與小粒徑之填料，進行可提升填充率之粒度的最適化。
此時之氮化鋁粉末的製造方法已知如，氮環境下焙燒氧化鋁與碳之還原氮化法、使金屬鋁與氮直接反應之直接氮化法、使烷基鋁與氨反應後加熱之氣相法。
但上述還原氮化法及氣相法所得的氮化鋁粉末之粒徑 為亞微細粒程度，難得到前述大粒徑填料所要求的數μm~數十μm之較大的氮化鋁粒子。
另外因直接氮化法中進行粉碎及分級，故較易控制粒徑，可得數μm~數十μm之氮化鋁粒子，但需具備粉碎步驟，由此所得的氮化鋁粉末之粒子為帶稜角之形狀，且粒徑不齊，故相對於樹脂之填充性及添加其所得的熱傳導性樹脂之性能的安定性尚有改善空間。
相對於前述方法，以大粒徑得到具有所希望之平均粒徑的氮化鋁粉末之方法如，氮化鋁粉末添加燒結助劑、結合劑及溶劑後噴霧乾燥，使所得的球狀造粒粉燒結(特開平3-295853號公報)。但所得造粒粉之燒結體為，具有藉由燒結使粒子間相互結合之多結晶構造之物，因此熱傳導性尚有改良空間，又，難得到粒子形狀一定之物，故會有相對於樹脂之填充性及添加其所得的熱傳導性樹脂之性能的安定性問題。又，填入樹脂之粒子為球狀，故難形成熱傳導通路。另外因原料係使用氮化鋁粉末，故原料成本高，經濟上存在問題。
又，製造大粒徑之單結晶的方法如，將氮化鋁昇華，而使種結晶上柱狀成長，其後藉由切斷而得柱狀氮化鋁結晶粒子之方法(WO2009/066663號公報)。因該方法所得的氮化鋁結晶粒子為單結晶，故可得比較多結晶體具有較高之熱傳導率，且粒子形狀均勻之特性。但所得的氮化鋁結晶粒子為帶有稜角之柱狀，作為填料用時會有降低混練性之問題，且以氮化鋁作為原料用時會有高成本之課 題。
另外如前述般近年來隨著半導體裝置提升能量密度，而要求裝置搭載使用之材料具有更高的放熱特性。該類材料為稱為熱介面材料之一連串材料，其使用量係急速擴大中。該熱介面材料係指，可緩和由半導體元件所發生的熱經由吸熱器或機殼等消散通路的熱阻力之材料，可以片狀、凝膠、潤滑脂等之各種形態使用。
一般熱介面材料為，有機高分子成分填充熱傳導性填料所得的複合材料，所使用的填料多半為二氧化矽或氧化鋁。但二氧化矽之熱傳導率為1W/m．K程度，氧化鋁之熱傳導率為36W/m．K程度，且既使為使用氧化鋁之複合材料，其熱傳導率仍停留於1~5W/m．K程度，故需求熱傳導率更高之複合材料。
因此近年來曾提案有機高分子成分填充具有比二氧化矽、氧化鋁高之熱傳導率的氮化鋁。
藉由有機高分子中填充氮化鋁而將熱傳導性賦予有機高分子組成物時，需藉由以高濃度填充易高度填充之球狀粒子狀的氮化鋁，以增加氮化鋁相互間之接觸面積，而確保熱傳導通路。故一般有機高分子組成物中係含有60體積%以上之氮化鋁。但有機高分子組成物中含有大量氮化鋁時會增加材料成本，且會有因黏度上升而降低成型加工性之問題。
又，已知如纖維徑1μm以下之長度為5~500μm的氮化鋁晶鬚(參考電氣化學，vol.10,p743,1972及日本陶 瓷協會學術論文誌，vol.97,p864,1989)。但該晶鬚為石棉狀故作業性差，恐有影響人類之疑慮。
又，該晶鬚係藉由昇華再結晶法(參考電氣化學，Vol.10,p743,1972)或氣相合成法(參考日本陶瓷協會學術論文誌，vol.97,p874,1989)製造，但前者之方法的操作溫度為非常高之1800~2000℃，故為不利於工業化之方法，又，後者之方法係為不利於量產化之方法。
另外因氮化鋁燒結體具有高熱傳導性、高耐等離子性、電氣絕緣性等之優良特性，故利用高熱傳導性與電氣絕緣性作為絕緣放熱基板用而被使用於產業用機器人領域及電動鐵道車輛、汽車領域、LED照明領域等各種領域。
其中又以發熱量較大之動力電晶體般高輸出型半導體元件或搭載雷射元件之基板，係大量使用具有高熱傳導率之氮化鋁燒結體。
以該類氮化鋁燒結體作為實裝基板或電路基板用時，其表面需形成構成元件搭載部及電路器等之金屬層。又，形成上述金屬層之方法係以介有蠟材接合氮化鋁燒結體與金屬基板而構成接合體之方法進行。
但與上述金屬基板構成接合體時，會使氮化鋁燒結體之機械特性，特別是破壞韌性及維氏硬度不足，故需求進一步提升。即，破壞韌性及維氏硬度較小時，將半導體元件實裝於形成於氮化鋁燒結體之表面上的金屬電路層時，會因應力或熱而使氮化鋁燒結體破損，且伴隨著半導體元 件之動作的重覆熱循環，易使上述金屬電路層之接合部附近的氮化鋁燒結體發生破裂，而衍生降低耐熱循環性及信賴性之問題。
特別是最近動力模組用陶瓷基板，多半係使用於熱循環性比以前更嚴苛之環境，該狀況下針對耐熱衝擊性要求需進一步加強提升破壞韌性及維氏硬度。
先前相對於上述課題曾提案，構成氮化鋁燒結體之結晶粒子係併用大粒徑之結晶粒子與小粒徑之結晶粒子所構成的燒結體(參考特開2001-2474號公報)。
上述氮化鋁燒結體相對於前述課題雖可發揮某程度之效果，但仍寄望於進一步改良。
本發明之目的為，提供具有較大之粒徑，形狀持有特異性之新穎的氮化鋁結晶粒子。
本發明之另一目的為，提供含有上述氮化鋁結晶粒子，作為熱傳導性填料用加入樹脂時可發揮良好之混練性，同時相對於所得的樹脂組成物可賦予優良之熱傳導性的氮化鋁粉末。
本發明之另一目的為，提供上述氮化鋁結晶粒子之製造方法。
本發明之另一目的為，提供含有上述氮化鋁結晶粒子之有機高分子組成物。
本發明之另一目的為，提供藉由以上述氮化鋁結晶作為填料填入有機高分子成分中，得兼具熱傳導性與成型加工性之有機高分子組成物。
本發明之另一目的為，提供上述氮化鋁結晶粒子之燒結體及其製造方法。
本發明之另一目的為，提供具有高熱傳導率，且破壞韌性及維氏硬度等之機械強度優良的氮化鋁燒結體及其製造方法。
本發明之其他目的及優點可由以下說明而得知。
本發明之上述目的及優點，第1可藉由特徵為，由對向之六角形狀面2面與長方形狀面6面所構成，六角形狀面之對向的方向上具有扁平狀8面體形狀，六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離D為3~110μm之範圍，長方形狀面之短邊的長度L為2~45μm之範圍且L/D為0.05~0.8之間，六角形狀面與長方形狀面非形成1個稜角而係形成曲面相交，又，真密度為3.20~3.26g/cm3之範圍的氮化鋁結晶粒子(以下稱為特定AlN結晶粒子)而達成。
本發明之上述目的及優點，第2可藉由特徵為，於符合下述濃度(1)一氧化碳氣體濃度20~50容量%，及/或 (2)氮氣濃度10~80容量%之反應環境中，液相形成劑之存在下，使平均粒徑0.1~3μm之氧化鋁粒子凝聚所得的平均粒徑5~100μm之氧化鋁凝聚粒子還原氮化，製造上述氮化鋁結晶粒子方法而達成。
本發明之上述目的及優點，第3可藉由由上述氮化鋁結晶粒子100~600質量份及分散其之有機高分子100質量份所形成的有機高分子組成物而達成。
本發明之上述目的及優點，第4可藉由特徵為，上述氮化鋁結晶粒子的燒結體中，該氮化鋁結晶粒子之至少一部分的六角形狀面係配向於，與燒結體之平坦狀平面幾乎同方向上，破壞韌性為5MPa．m1/2以上，熱傳導率為150~230W/m．k，維氏硬度為11~16GPa的氮化鋁燒結體而達成。
本發明之上述目的及優點，第5可藉由特徵為，將由上述氮化鋁結晶粒子60~98質量%與平均粒徑0.5~3μm之氮化鋁粒子2~40質量%所形成的氮化鋁粉末，以該氮化鋁結晶粒子之六角形狀面配向於與所得的燒結體之平坦狀表面為幾乎同方向般成型形成成型體後，燒結該成型體的製造上述燒結體之方法而達成。
實施發明之形態 <氮化鋁結晶粒子>
本發明之特定AlN結晶粒子為，由六角形狀面2面 與長方形狀面6面所構成，具有扁平狀8面狀形狀，六角形狀面與長方形狀面非相交形成1個稜角而係以曲面方式相交。該類形狀可藉由倍率1,000倍之顯微鏡照片而確認。
上述曲面較佳如圖4所示，係以假設六角形狀面與長方形狀面係相交形成1個稜角時，該一個之稜角與上述曲面之間的距離t符合0<t<0.1μm之關係而形成。距離t係以由上述假設之稜角下垂至曲面之垂線的長度定義、距離t可由特定AlN結晶粒子之六角形狀面的直角方向之剖面的1,000倍顯微鏡照片求取。
又，特定AlN結晶粒子之形狀可由顯微鏡照片實際觀察到六角形狀面及長方形狀面，且忽略其中之缺損部、凹部或凸部或其他附著粒子等(參考圖1)之形狀。
本發明之特定AlN結晶粒子為，六角形狀面對向的2個角之間的距離D(以下稱為長徑D)為3~110μm之範圍，長方形狀面之短邊的長度L為2~45μm之範圍且L/D(以下稱為長徑比)為0.05~0.8，較佳為0.1~0.7之範圍。
圖1為，表示藉由實施例2所記載之方法所得，本發明之特定AlN結晶粒子一態樣的顯微鏡照片。如上述圖1所示，本發明之特定AlN結晶粒子的平面形狀為，近似正六角形之形狀，具有近似氮化鋁單結晶之特性。又，前述對向之平面一般為平行。
又，上述特定AlN結晶粒子為，藉由其剖面之倍率 1,000倍的顯微鏡照片可確認全部的稜部無銳利之角，即，所取得之面狀態的角具有圓狀稜部。使上述稜部之角為圓狀係藉由，使用後述之製造方法藉由氧化鋁凝聚物之還原氮化而使氮化鋁生成、粒成長，以生成特定AlN結晶粒子而達成。因此與藉由使氮化鋁單結晶成長、再切斷之方法所得，切面等存在銳利之角的結晶粒子有明顯區別。本發明之特定AlN結晶粒子因角具有圓狀稜部，故比較具有銳利之角的結晶粒子具有良好流動性。
又，本發明之特定AlN結晶粒子的L/D小於0.8，具有平滑且大六角形狀平面係特徵之一。因此粒子之平面方向易形成熱傳導通路，且結晶粒子係相互以六角形平面接觸，故比較一般球狀粒子可大幅增加粒子相互間之接觸面積。又，藉由前述似單結晶之品質等，既使少量使用也可將高熱傳導性賦予樹脂成形體。本發明之板狀AlN結晶粒子具有3.20~3.26g/cm3之高密度。
本發明之特定AlN結晶粒子中可以長徑表示之尺寸可藉由，後述製造方法之氧化鋁微粉末凝聚物的尺寸而調整，本發明之特定AlN結晶粒子可由表示實施例2所得的氮化鋁粉末之粒度分布的圖2而理解，其可具有銳利分布，或持有寬度分布。但組成氮化鋁粉末時混合其他粒徑，例如小粒徑之氮化鋁結晶粒子時，易調整全體之粒度分布，故較佳為銳利分布之物。
本發明可提供含有本發明之上述特定AlN結晶粒子的氮化鋁粉末，較佳為含有至少60容量%之特定AlN 結晶粒子，又以至少70容量%為佳，更佳為至少80容量%，特佳為至少90容量%之氮化鋁粉末。
上述特定AlN結晶粒子以外之氮化鋁粒子多半如，主要為來自原料氧化鋁微粉之氮化鋁微粒子的氮化鋁粒子。
本發明之氮化鋁粉末的用途中，如後述般也可併用已知之氮化鋁粉末，上述特定AlN結晶粒子以外之氮化鋁粒子也可作為該氮化鋁粉末之一部分或全部用。
又製造過程中所生成的特定AlN結晶粒子以外之氮化鋁粒子可依用途直接使用及發揮來自特定AlN結晶粒子之效果，但某些用途中會降低藉由特定AlN結晶粒子之效果，又併用其他氮化鋁粉末之用途中會使來自特定AlN結晶粒子之效果不安定，故其比例較佳為盡可能高。
因此本發明之氮化鋁粉末較佳為，含有特別是90容量%以上，又以95容量%以上為佳之特定AlN結晶粒子，最佳為全部粒子係由特定AlN結晶粒子構成。
當然本發明之氮化鋁粉末可依用途於必要時混合已知之氮化鋁粉末使用，該用途中特定AlN結晶粒子之比例調整為上述範圍的氮化鋁可藉由正確添加特定AlN結晶粒子，而構成可發揮安定性能之組成物。
含有前述特定AlN結晶粒子之本發明的氮化鋁粉末係調整為，平均粒徑為3~110μm，較佳為5~90μm，比表面積較佳為0.01~2m2/g，更佳為0.05~2m2/g，特佳為0.1~1m2/g。
<氮化鋁結晶粒子之製造方法>
本發明之特定AlN結晶粒子被製造為，含有其之氮化鋁粉末。其製造方法無特別限制，代表性之製造方法如，於符合至少下述一方之環境中，液相形成劑之存在下，使平均粒徑0.1~3μm之氧化鋁粒子凝聚所得的平均粒徑5~100μm之氧化鋁凝聚粒子還原氮化的方法。
(1)反應環境中之一氧化碳濃度係調整為20~50容量%
(2)反應環境中之氮濃度係調整為10~80容量%
氧化鋁粉末
本發明之特定AlN結晶粒子的製造方法中，作為開始原料用之氧化鋁等，可使用全部的持有α、γ、θ、δ、η、κ、χ等之結晶構造的氧化鋁、勃姆石、硬水鋁石、三水鋁礦、三羥鋁石、todanaito等可藉由加熱而脫水轉移的最終全部或部分轉移為α-氧化鋁之物。該等可單獨或混合不同種類之物使用，特佳為反應性較高，易控制之α-氧化鋁、γ-氧化鋁、勃姆石。
本發明所使用的氧化鋁等係作為平均粒徑0.1~3μm之氧化鋁粒子凝聚所得的平均粒徑3~110μm之氧化鋁凝聚粒子用。平均粒徑0.1~3μm之氧化鋁粒子的平均粒徑較佳為0.5~2μm。平均粒徑未達0.1μm時將無法大粒徑化，多半生成微細之氮化鋁粉末，又，上述平均粒 徑為3μm以上時氮化鋁粉末內部會殘存氧化鋁，故不易發生單結晶化而形成多結晶。
又可因應前述氧化鋁凝聚粒子之平均粒徑，調整所得的特定AlN結晶粒子之粒徑。
碳粉末
本發明所使用的作為還原劑用之碳粉末可為碳黑、黑鉛粉末等。碳黑適用藉由爐法、通道法等所得的碳黑，及乙炔碳黑。該等碳黑之比表面積較佳為0.01m2/g~500m2/g。
無損本發明之效果的範圍內，可以苯酚樹脂、三聚氰胺樹脂、環氧樹脂、呋喃苯酚樹脂等之合成樹脂縮合物或瀝青、焦油等之烴化合物，或纖維素、蔗糖、聚偏氯乙烯、聚苯等之有機化合物作為碳源。
液相形成劑
本發明所使用的液相形成劑為，可與氧化鋁共熔融所得之元素及化合物，具體上適用由鹼金屬、鹼土類金屬、稀土類金屬、氟、矽、磷、硫、氯及其化合物所形成，於1,000℃~1,900℃之溫度下可與氧化鋁共熔融之物。液相形成劑係使用可與氧化鋁共熔融之溫度未達1,000℃之化合物時，於進行還原氮化反應之溫度域內會揮發，而降低作為液相形成劑用之效果。又，使用上述溫度超過1,900℃之化合物時，會於生成液相前進行還原氮 化反應，而使物質難移動，且減少液相之生成量，故恐無法充分進行粒子成長、結晶化。該等液相形成劑可存在於氧化鋁凝聚物之還原氮化時。
具體上既使作為液相形成劑用加入原料中，也可使用含有液相形成劑之氧化鋁、碳黑。
原料混合
本發明中，氧化鋁粉末、碳粉末及液相形成劑係以相對於前述氧化鋁粉末100重量份，碳粉末較佳為30~70重量份，更佳為40~60重量份之比例混合。
又，相對於前述氧化鋁粉末100重量份，液相形成劑較佳以0.05~5重量份，更佳為0.1~2重量份之比例存在。
又，前述氧化鋁粉末為水合物時，其使用量係由換算為氧化鋁後之值決定。
前述碳粉末之比例超過70重量份時會抑制上述碳粉末與氧化鋁粒子群之接觸，而阻礙粒成長，且傾向使所得的氮化鋁粉末之平均粒徑微小化。又，碳粉末之比例未達30重量份時會過度接觸氧化鋁粒子群而產生凝聚，且結束還原氮化反應後會因殘存之碳粉末較少，而使氮化鋁相互間接合，傾向增加凝聚粉。
又，前述液相形成劑之比例少於0.05重量份時，會減少液相生成量，故相對於粒成長、結晶化之效果將不足。又，液相形成劑之比例多於5重量份時，氮化鋁粉末 中會殘存大量該液相形成劑，因此作為填充用之填料時，傾向降低熱傳導率。
本發明中混合氧化鋁粉末、碳粉末、液相形成劑之方法可為，能均勻混合氧化鋁粉末、碳粉末、液相形成劑之任何方法，混合時較佳為藉由摻混機、混合機、球磨機混合。
還原氮化
本發明之特定AlN結晶粒子的製造方法較佳為，於維持一氧化碳(CO)比例為20~50容量%之範圍的環境下，以1,200℃~1,900℃之溫度焙燒前述氧化鋁粉末、碳粉末、液相形成劑之混合物進行還原氮化。
上述一氧化碳比例超過範圍時，例如一氧化碳比例未達20%時會加速還原氮化反應，而無法充分粒成長及單結晶化，直接形成氮化鋁粒子，故難得到所希望的大粒徑之特定AlN結晶粒子。又，一氧化碳比例超過50容量%時，氮化反應之抑制效果會過強，而使氮化反應耗費時間拉長故不利於工業上，又依情形會殘存未反應之氧化鋁，而生成氧氮化物等之副產物。
本發明中調整反應環境中之一氧化碳比例之方法推薦為，進行環境氣體之成分分析，達成前述範圍般調整氮氣及一氧化碳氣體之供給量，又可藉由縮小氮氣之供給量的方式進行。
又，合併供給氮氣以外之不活性氣體，具體如氬， 以降低氮比例時也可得與調整一氧化碳比例相同之效果。
此時之氮比例可為10~80容量%。
本發明中上述環境氣體之成分為，分析焙燒爐之排放氣體的成分而得之物。
本發明之特定AlN結晶粒子的製造方法中，還原氮化反應係於調整上述反應環境之同時，較佳以1,200℃~1,900℃，更佳以1,500℃~1,800℃之溫度進行3~20小時為佳，更佳為5~15小時。
又，添加液相形成劑時可選用還原氮化反應中共熔融時，於反應中不會完全揮發之時間與溫度。
上述還原氮化時間未達3小時時，將無法完結氮化反應而殘存氧化鋁而降低熱傳導率，且無法充分進行氮化鋁粒子之粒成長與單結晶化，而形成微細粒子或多結晶粒子，又，焙燒時間超過20小時時，會使氮化鋁粒子相互間接合，而易產生粗粒，使相對於樹脂之填充性變差。
又，反應時升溫速度、升溫途中之保持時間等條件可採用已知之條件，無特別限制。
氧化
本發明中反應後之氮化鋁粉末會含有剩餘之碳粉末，故必要時較佳為藉由氧化處理去除多餘之碳粉末。進行氧化處理時之氧化性氣體可採用空氣、氧、二氧化碳等能去除碳之氣體無限制。考量經濟性及所得氮化鋁之氧濃度下，較佳為空氣。又，處理溫度較佳為500℃~900℃， 更佳為600℃~750℃。
氧化溫度過高時氮化鋁之表面會過度氧化，而降低氮化鋁之熱傳導率，氧化溫度過低時將無法完全去除剩餘之碳，而以不純物殘存多餘之碳粉末。因此較佳為適當選擇氧化溫度與時間。
分級
藉由本發明之上述製造方法可得含有60容量%以上，較佳為70容量%以上，更佳為80容量%以上，特佳為90容量%以上之特定AlN結晶粒子的氮化鋁粉末。上述特定AlN結晶粒子以外之氮化鋁粒子如，多半為主要係來自原料氧化鋁粒子之氮化鋁微粒子的氮化鋁粒子。
此時如前述般本發明之氮化鋁粉末較佳為，特定AlN結晶粒子之比例盡可能高，較佳為含有90容量%以上，特佳為95容量%以上之比例的特定AlN結晶粒子。
因此藉由前述方法所得的氮化鋁粉末之特定AlN結晶粒子比例未達60容量%時，較佳為藉由分級以提高特定AlN結晶粒子之比例。
上述分級可藉由已知之方法進行。例如篩分級、氣流分級等。
用途
本發明之氮化鋁粉末為，可運用所含的特定AlN結晶粒子之性質廣泛使用於各種用途，特別是放熱片物、放 熱潤滑脂、放熱接著劑、塗料、熱傳導性樹脂等之放熱材料用填料。
該放熱材料之基質用的樹脂、潤滑脂如，環氧樹脂、苯酚樹脂等之熱硬化性樹脂，或聚乙烯、聚丙烯、聚醯胺、聚碳酸酯、聚醯亞胺、聚伸苯基硫化物等之熱塑性樹脂，或聚矽氧橡膠、EPR、SBR等之橡膠類、聚矽氧油等。
其中放熱材料之基質較佳如環氧系樹脂、聚矽氧系樹脂，作為高柔軟性放熱構件用時較佳為加成反應型聚矽氧橡膠。
為了提升放熱材料之熱傳導性，每100重量份之樹脂、橡膠或油可為，添加150~1,000重量份之填料。該類放熱材料中，除了本發明之氮化鋁粉末以外，可填入一種或複數種已知的氮化鋁粉末、氧化鋁、氮化硼、氧化鋅、碳化氮、石墨等之填料，又可因應放熱材料之特性及用途選擇本發明之氮化鋁粉末與其他之填料的形狀、平均粒徑。該等填料可使用，例如經矽烷偶合劑、磷酸或磷酸鹽等表面處理後之物。又，放熱材料中氮化鋁粉末與其他之填料的混合比例可適當調整為1：99~99：1之範圍。又，放熱材料可另外添加可塑劑、加硫劑、效果促進劑、離模劑等之添加劑。
上述樹脂組成物可藉由摻混機、混練機混合製造，又，放熱材料可藉由加壓成型法、擠壓成型法、刮板法使樹脂組成物成型後，加熱硬化而得。
又，為了使本發明之特定AlN結晶粒子易於基質中形成熱傳導通路，可於上述成型法中控制粒子配向。
又，本發明之氮化鋁粉末可運用所含的特定AlN結晶粒子作為燒結用原料粉末。
即，本發明之特定AlN結晶粒子因具有較高長徑比之板狀形狀，故藉由燒結使該板狀之特定AlN結晶粒子的六角形狀平面配向於與所得燒結體之平面同方向，可得具有較高熱傳導率、優良維氏硬度與破壞韌性之氮化鋁燒結體。
該燒結用原料粉末較佳為含有較高比例之特定AlN結晶粒子，具體為60容量%以上之物，但因各自粒徑較大，故可併用平均粒徑較佳為0.5~3μm，更佳為0.8~1.5μm之小粒徑氮化鋁粒子，以提高燒結性。此時前述板狀AlN結晶粉末製造時所副產的微粉狀氮化鋁粉末可作為上述小粒徑氮化鋁粉末之一部分或全部用。
使含有前述板狀之特定AlN結晶粒子的燒結用粉末成型之方法適用已知的方法。無特別限制。一般成型方法如，模體加壓、CIP、震動成型等之乾式成型，或擠壓、刮板、射出等之濕式成型。為了提升成型性，燒結用原粉末可使用結合劑、分散劑、滑劑、可塑劑、溶劑等之各種添加劑，其可使用一般之物無特別限制。但本發明之要旨為得到具有優良破壞韌性與維氏硬度之氮化鋁燒結體，故較佳為使該板狀之特定AlN結晶粒子的平面配向於與前述燒結體之表面同方向 上，因此可適當選擇能達成該配向之已知的成型方法。具體之成型方法如，乾式成型中之模體加壓法、濕式成型中之擠壓成型法。
下面將更詳細說明本發明之有機高分子組成物及燒結體。
<有機高分子組成物>
本發明之有機高分子組成物係由特定AlN結晶粒子100~600質量份及分散其之有機高分子100質量份所形成。本發明之有機高分子組成物較佳為，相對於該氮化鋁結晶粒子另含有20容量%以下之特定AlN結晶粒子以外的其他氮化鋁粒子。
有機高分子
本發明所使用的有機高分子為熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂、高分子凝膠或有機高分子液體。具體例如，聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚乙酸乙烯、乙烯-乙酸乙烯共聚物、聚乙烯醇、聚縮醛、氟樹脂(聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯等)、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚對苯二甲酸丁二醇酯、聚2,6萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯、聚丙烯腈、苯乙烯-丙烯腈共聚物、ABS樹脂、聚苯醚(PPE)樹脂、改質PPE樹脂、脂肪族聚醯胺類、芳香族聚醯胺類、聚醯亞胺、聚醯胺醯亞胺、聚甲基丙烯酸類(聚甲基 丙烯酸甲酯等之聚甲基丙烯酸酯)、聚丙烯酸類、聚碳酸酯、聚伸苯基硫化物、聚碸、聚醚碸、聚醚腈、聚醚酮、聚醚醚酮、聚酮、液晶聚合物、離子鍵聚合物等之熱塑性樹脂、環氧類、丙烯酸基類、胺基甲酸酯類、聚矽氧類、酚類、醯亞胺類、熱硬化型改質PPE類，及熱硬化型PPE類等之熱硬化性樹脂、聚矽氧凝膠、胺基甲酸酯凝膠、丙烯酸基凝膠等之高分子凝膠，又，聚矽氧油等之有機高分子液體。
其他成分
不會明顯損害本發明之優良效果的範圍內，本發明之有機高分子組成物可含有特定AlN結晶粒子及有機高分子以外之成分。本發明之有機高分子組成物可含有的成分如，可填入一種或複數種之氧化鋁、氮化硼、氧化鋅、碳化矽、石墨等之填料。又可因應由本發明之有機高分子組成物所形成的放熱材料之特性及用途，選擇本發明之特定AlN結晶粒子與其以外之填料的形狀、平均粒徑。又如，各種安定劑、著色劑、可塑劑、滑劑、離模劑、防氧化劑、硬化劑、難燃劑、黏度調整劑等之添加劑。
組成
本發明之有機高分子組成物中，特定AlN結晶粒子之比例就提升所得有機高分子組成物之熱傳導性觀點又 以較多為佳，可於考量填料之分散性，及所得有機高分子組成物之成型加工性觀點後決定。具體上相對於有機高分子100質量份，特定AlN結晶粒子可由100~600質量份之範圍內決定。上述特定AlN結晶粒子未達100質量份時會降低複合材料之熱傳導率，而無法得到充分之作為放熱材料用的特性。又，超過600質量份時會明顯提升混合時之黏度，而使作業性極度惡化，且會發生混合不良，而發生降低熱傳導性等之問題。
有機高分子組成物之製造方法
本發明之有機高分子組成物可藉由，因應有機高分子之種類，使用已知之混合裝置均勻混合一定量之上述成分後，將特定AlN結晶粒子分散存在於有機高分子中而得。上述混合裝置一般係使用例如，輥、捏合、班伯里混練機、自轉公轉混練體等之一般性混練機。
成型體
本發明之成型體可由使用上述熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂組成物作為有機高分子用而得。上述成型體中，有機高分子組成物中之特定氮化鋁結晶粒子的50%以上，較佳為70%以上為，又以其六角形狀平面相對於前述成型體之表面幾乎平行為佳，具體為相對於水平面係配向於±10°以 內可得高熱傳導性之物。藉由使特定氮化鋁結晶粒子如此配向，可增加特定氮化鋁結晶粒子相互間之接觸面積，而進一步提升熱傳導率。
將本發明之成型體成型的成型方法無特別限制，可因應有機高分子之種類適當採用射出成型、轉移成型、擠壓成型、模塑料塊成型、壓縮成型、使用溶劑等之鑄塑的成型法等先前已知的成型方法。
前述成型體之製造方法中，使特定氮化鋁結晶粒子配向之方法可採用已知的方法，無特別限制。例如以有機高分子被柔軟化之狀態進行延伸、壓縮等，可使有機高分子組成物中所含的特定氮化鋁結晶粒子配向。
本發明之成型體的形狀，於不會明顯損害本發明之效果下無限制。具體如薄片狀、薄膜狀、圓盤狀、矩形狀等。本發明之特定AlN結晶粒子因具有優良熱傳導性與強度之平衡性及成型加工性，故將本發明之有機高分子組成物壓縮成型所得的片物及薄膜，特別適用於各種用途。
用途
本發明之有機高分子組成物的用途如，可使出自搭載於家電製品、汽車、筆記型電腦等之半導體構件的發熱有效率放熱用之放熱構件的材料，其使用形態會依有機高分子組成物之種類而異。例如，放熱片物可使用聚矽氧樹脂組成物、氟樹脂組成物、預丁二烯組成物、丙烯酸樹脂組成物等，放熱調距物可使用聚矽氧凝膠組成物等， 高熱傳導絕緣接著薄膜可使用環氧樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物等，熱傳導性接著劑可使用環氧樹脂組成物、苯酚樹脂組成物、聚醯亞胺樹脂組成物等，熱傳導性凝膠可使用聚矽氧凝膠組成物、胺基甲酸酯凝膠組成物、丙烯酸基凝膠組成物等，熱傳導性潤滑脂可使用聚矽氧油組成物等，相轉換材料可使用低分子聚乙烯組成物、低分子聚丙烯組成物等，高熱傳導性密封劑可使用環氧樹脂等。
<燒結體>
本發明之氮化鋁燒結體為，氮化鋁結晶粒子之至少一部分的六角形狀面配向於與燒結體之平坦的平面幾乎同方向上。其物性中破壞韌性為5MPa．m1/2以上，熱傳導率為150~230W/m．k，維氏硬度為11~16GPa。
上述氮化鋁燒結體較佳為，其剖面中構成燒結體之氮化鋁結晶粒子中特定氮化鋁粒子所佔的面積比例為50~90%。
本發明之氮化鋁燒結體中，特定鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與前述燒結體之表面幾乎同方向上的狀態可為，燒結體中特定氮化鋁結晶粒子之大部分的六角形狀表面係以，與該燒結體之表面幾乎平行般存在。
特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與燒結體表面同方向上的比例可藉由，因特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面與(hk1)=(002)面為平行之面，故算出相對於X 線衍射測定所得的(hk1)=(100)面之峰強度與(hk1)=(002)面之峰強度合計的(hk1)=(002)面之峰強度比值而得。
即，氮化鋁燒結體中所含的氮化鋁結晶粒子之(002)面配向於與前述燒結體之表面為同方向上的比例(以下稱為「配向之比例」)係藉由下述測定方法算出。
使用里佳庫製「SmartLab」(商品名)進行X線衍射測定。試料之測定面作為燒結體之表面用。
X線源：Cu-Kα 40kV-200mA
2 θ掃描範圍：10°~90°
2 θ掃描速度：40°/分
2 θ掃描分級幅：0.02°
測定次數：1次/試料
所得的衍射峰係定論為氮化鋁之峰與定論為由燒結助劑所生成的1種或複數種之粒界相的峰。其中以定論為氮化鋁之衍射峰(hk1)=(002)面的峰強度為I(002)，以(hk1)=(100)面之峰強度為I(100)時，配向之比例(R)如下所表示。
R(%)=[I(002)/{I(002)+I(100)}]×100
本發明之氮化鋁燒結體中，特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與前述燒結體之表面同方向上的狀態較佳為，上述方法求取的配向之比例為70%以上，特佳為75%以上。
本發明之氮化鋁燒結體為，藉由上述特定氮化鋁結晶粒子之配向可明顯提升機械強度，特別是破壞韌性，且可提升熱傳導性。
即，本發明之燒結體為，可藉由適度調整上述特定氮化鋁結晶粒子之配向與特定氮化鋁結晶粒子之存在量，而得具有破壞韌性5MPa．m1/2以上，熱傳導率為150~230W/m．K、特別是160~190W/m．K、維氏硬度為11~16GPa，特別是12~15GPa般先前氮化鋁燒結體所沒有的優良特性之物。
氮化鋁燒結體之製造方法
本發明之氮化鋁燒結體的製造方法無特別限制，代表性製造方法如，使用含有比例為60~98質量%之特定氮化鋁結晶粒子，與2~40質量%之平均粒徑0.5~3μm的小粒徑氮化鋁粒子之氮化鋁粉末，使特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與所得燒結體之平坦化表面為同方向般成型後，藉由燒結所得。
本發明之氮化鋁燒結體的製造方法中，特定氮化鋁結晶粒子於所使用的氮化鋁粉末中係以60~98質量%，較佳以70~95質量%存在時，可達成本發明之目的而為佳。
又，特定氮化鋁結晶粒子如前述般為各個粒子比較大，故一般進行燒結時係併用比例為2~40質量%，特別是5~40質量%的平均粒徑0.5~3μm，較佳為0.8~ 1.5μm之「小粒徑氮化鋁粒子」作為燒結用之氮化鋁粉末用。上述小粒徑氮化鋁粒子之平均粒徑小於0.5μm時，易增加不純物氧濃度而降低燒結性，因此無法得到具有較高熱傳導率之氮化鋁燒結體。另外小粒徑氮化鋁粒子之平均粒徑大於3μm時，易降低成型體中氮化鋁粉末之填充性而降低燒結性，因此無法得到具有較高熱傳導率之氮化鋁燒結體。
又，供給燒結用之氮化鋁粉末中的上述小粒徑氮化鋁粒子之比例的上限可由，斟酌特定氮化鋁結晶粒子之製造方法中目的之特定氮化鋁結晶粒子以外的粒子，使氮化鋁粒子全量為100質量%般適當決定。
本發明所使用的小粒徑氮化鋁粒子之不純物氧濃度為0.6~1.2%、比表面積為2.4~3.6m2/g之範圍時可得良好燒結性及燒結體物性而為佳。
製造本發明之氮化鋁燒結體時較佳為，燒結用之氮化鋁粉末添加燒結助劑。所使用的燒結助劑較佳為CaO或Y2O3，也可使用其他之燒結助劑。例如SrO、BaO等之氧化物或各種鹽類等之鹼土類化合物，或La2O3、CeO2、Nd2O3、Gd2O3、Dy2O3等稀土類化合物般不會阻礙熱傳導率之物，該鹼土類化合物或稀土類化合物相對於特定氮化鋁結晶粒子與小粒徑氮化鋁粒子之合計質量較佳為，添加3~7質量%。該鹼土類化合物或該稀土類化合物之添加量少於3質量%時，將無法充分生成液相而易發生細密化不足之個所。又，熱傳導率之提升程度將不 足而無法充分發揮氮化鋁燒結體之特性。另外多於7質量%時會生成多餘之液相，而易使助劑移動至燒結體外部，而伴隨該助劑排出會發生色調不勻。又，作為半導體元件之絕緣放熱基板用時會成為降低與金屬等之接合性或密合性的要因。
混合上述特定氮化鋁結晶粒子與以特定比例含有之小粒徑氮化鋁粒子，與以特定比例添加之燒結助劑的方法為，可藉由已知之方法實施，無特別限制。一般之混合方法如，球磨機、震動磨機、混練機、磨碎機等。
本發明之燒結體的製造方法中，含有特定氮化鋁結晶粒子的燒結用之氮化鋁粉末的重點為，使特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與所得燒結體之表面為同方向般而成型。
使含有特定氮化鋁結晶粒子的燒結用之氮化鋁粉末成型的方法可汎用已知之方法，無特別限制。一般之成型方法如，模體加壓、CIP、震動成型等之乾式成型或擠壓、刮板、射出等之濕式成型。為了提升成型性，燒結用之氮化鋁粉末可使用結合劑、分散劑、滑劑、可塑劑、溶劑等之各種添加劑，可使用一般物無特別限制。但為了得到本發明之要旨的具有優良破壞韌性與維氏硬度之氮化鋁燒結體，需使特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與前述燒結體之平坦化表面同方向上，故需適當選擇可達成該配向性之成型方法。基於前述理由，適合得到充分之本發明的效果之成型方法較佳為，乾式成型中之模體加壓、 濕式成型中之擠壓成型法。
本發明之燒結體的製造方法中，藉由焙燒使特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀平面配向於與所得燒結體之表面同方向上，可得氮化鋁燒結體。
此時提升前述成型體之成型性等用的結合劑、分散劑、滑劑、可塑劑、溶劑等使用有機化合物時，焙燒前可實施脫脂處理。上述脫脂處理之條件可採用已知之條件，無特別限制。例如於氧化性環境下或非氧化性環境下，以溫度300~1,000℃處理1~10小時之方法較為一般性。此時所得的脫脂體較佳為極盡可能不殘存碳。殘存多餘之碳時，會使氮化鋁粒子表面所存在的氧因碳而還原，而無法生成適量之液相而使燒結性變差，成為降低熱傳導率之原因。
本發明之燒結方法汎用已知之方法，無特別限制。一般之燒結方法如常壓燒結、熱壓及HIP(Hot Isostatic Pressing)等之加壓燒結，以及SPS(Spark Plasma Sintering)等之等離子燒結。
本發明之燒結方法選擇SPS時，較佳以超過1,300℃且1,600℃以下之溫度進行焙燒。焙燒溫度為1,300℃以下時將無法得到充分細緻化，另外以高於1,600℃之溫度焙燒時，燒結助劑易溢染至燒結體外，而易出現前述般之色調不勻及降低鍍金屬之密合性。又，焙燒時間可為1~30分鐘。
燒結方法選擇常壓燒結時，焙燒溫度可為超過1,700 ℃且1,900℃以下，焙燒時間適用2~10小時。一般長時間焙燒時易伴隨助劑之粒成長與助劑之燒結體外移動，而發生色調不均，因此較佳為2~7小時。
又，本發明中焙燒之環境可採用已知之條件，無特別限制，但特佳為於氮等之非氧化環境下，或真空中進行。
又，焙燒過程可承載適當重石。
藉由以上所說明的本發明之氮化鋁燒結體的製造方法，可安定得到具有較高熱傳導率與較高機械強度之新穎的氮化鋁燒結體。
圖1為，表示實施例2所得的氮化鋁粉末之粒子構造的顯微鏡照片。
圖2為，表示實施例2所得的氮化鋁粉末之粒度分布的曲線圖。
圖3為，表示比較例1所得的氮化鋁粉末之粒子構造的顯微鏡照片。
圖4為，表示氮化鋁結晶粒子之AlN結晶粒子的六角形狀面之直角方向的剖面中，測定六角形狀面與長方形狀面交叉之曲面程度的方法之概念圖。
下面將更具體說明本發明，但本發明非限定於該等實 施例。實施例及比較例中各種物性係以下述方法測定。實施例1~14、比較例1~7係使用下述(1)~(8)之測定方法，實施例15~20、比較例8~12係使用下述(9)~(18)之測定方法。
(1)比表面積
比表面積係以BET一點法進行測定。
(2)平均粒徑
使用均化器將試料分散於5%焦磷酸蘇打水溶液中，以雷射衍射粒度分布裝置(日機裝股份公司製MICROTRAC HRA)測定平均粒徑(D50)。
(3)氮化鋁轉化率
藉由X線衍射(CuKα)所得的氮化鋁(AlN)之峰(32.2°)與氧化鋁成分(α-氧化鋁)之峰(43.5°)的峰比值，使用檢量線法求取(下述式(1))。含有其他成分時係選擇該成分之主要峰值，加入下述式(1)之分母。
氮化鋁轉化率(%)=AlN峰強度/(AlN峰強度+氧化鋁峰強度)×100……(1)
(4)觀察結晶粒子之稜部、測定L/D比、測定特定氮化鋁結晶粒子之容量%
以掃描型電子顯微鏡(日立製作所製S-2600)觀察結晶粒子。由所得的1種氮化鋁粉末之任意處所採取20樣品，以倍率1,000倍進行各樣品之10視野拍攝，確認拍攝視野內之結晶粒子中稜部是否帶有圓形。又，同樣地計測視野內之結晶粒子中，其六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離D及平面間之距離L，求取長徑比(L/D)。又，各值係以全測定數據之平均值表示。又，特定氮化鋁結晶粒子之存在比例(容量%)係藉由，測定前述樣品時特定氮化鋁結晶粒子近似正六角形狀，氮化鋁微粉末近似球狀之形狀下由拍攝視野內之粒子的測定值求取體積後，算出相對於全粒子之體積的特定氮化鋁結晶粒子之體積比例，再以全數據之平均值表示。
(5)真密度
特定氮化鋁結晶粒子之真密度係由，篩選分級氮化鋁粉末後，使用乾式自動密度計(島津製作所製AccuPyc1330)測定特定氮化鋁結晶粒子之容量%為99%以上之物而得。
(6)結晶性
使用全自動水平型多目的X線衍射裝置(Rigaku製SmartLab)對特定氮化鋁結晶粒子一個粒子照射X線，由衍射圖型評估結晶性。
(7)熱傳導率(W/m．K)
熱傳導率=熱擴散率×密度×比熱
熱擴散率(cm2/s)係以雷射閃光法進行測定。
密度(g/cm3)係以阿基米德法進行測定。
比熱(J/g．K)係以DSC法進行測定。
(8)特定氮化鋁結晶粒子之添加比例
進行片狀成型體之剖面拍攝後，計算視野內任意之200個特定氮化鋁結晶粒子中，六角形狀之板狀面幾乎與片狀成型體之片面同方向並列的個數，求取相對於200個之其個數的比例作為添加比例用。
(9)平均粒徑
使用日機裝製MICROTRACK-HRA(商品名)以雷射衍射法求取。將氮化鋁粉末加入相對於水90ml加入5%焦磷酸蘇打水溶液所得之溶液中，使用均化器以輸出功力200mA分散3分鐘後，測定分散液。由前述方法求取平均粒徑(D50)。
(10)氧濃度
使用堀場製作所(股)製氧氮同時分析裝置(EMGA-620W/C)(商品名)，於不活性氣體中藉由脈衝加熱熔融法熔解氮化鋁粉末後所萃取的氧為一氧化碳之形態，使用非分散紅外線檢驗器測定該一氧化碳。所使用的載氣為He氣(純度：99.995%以上)。
(11)比表面積
使用島津製作所製流動式表面積自動測定裝置佛洛索2300型藉由N2吸附以BET法求取。
(12)特定氮化鋁結晶粒子之六角形狀面內的對向2個角之間的平均距離(D)、平面間之平均距離(L)
以掃描型電子顯微鏡(日立製作所製S-2600)(商品名)觀察結晶粒子。以任意選擇之粒子全體納入視野內之倍率進行10視野拍攝，確認拍攝視野內之結晶粒子的稜部是否帶有圓形。又，以任意選擇之粒子全體納入視野內之倍率進行10粒子分拍攝，計測其長徑(d)及平面間之距離(l)，再藉由各自10粒子分之平均值求取平均長徑(D)及平面間之平均距離(L)。其次由平均長徑(D)及平面間之平均距離(L)求取長徑比(L/D)。
(13)真密度
特定氮化鋁結晶粒子之真密度係以乾式自動密度計(島津製作所製AccuPyc1330)測定。
(14)燒結體密度
氮化鋁燒結體之密度係以阿基米德法測定。
(15)破壞韌性
藉由JIS R 1607：1995所記載的測定方法，以亞卡西製維氏硬度試驗機AVK-CO(商品名)測定維氏硬度係以IF法算出。
(16)熱傳導率
所製作的氮化鋁燒結體之熱傳導率係藉由JIS R1611所記載的測定方法，使用京都電子工業製LFA-502(商品名)以雷射閃光法測定。
(17)維氏硬度
藉由JIS R 1610：1991所記載的測定方法，以亞卡西股份公司製維氏硬度試驗機AVK-CO(商品名)測定。
(18)氮化鋁燒結體之剖面中特定氮化鋁結晶粒子之面積佔有率
使用掃描電子顯微鏡(日立製作所股份公司製S-2600)(商品名)以倍率1.0K倍觀察10視野觀察氮化鋁燒結體之剖面，藉由畫像解析系統(旭化成工業製IP-1000PC)(商品名)解析相對於該視野面積(S2)之10μm2以上的結晶粒子所佔有面積(S1)的比例，再以下述式(2)算出特定氮化鋁結晶粒子之面積佔有率(r)。
r(%)=S1/S2×100．．．．．．(2)
實施例1
混合平均粒徑1.5μm之微粉凝聚所得的平均粒徑5.6μm之氧化鋁微粉凝聚物與比表面積125m2/g之碳黑。此時相對於氧化鋁粉末之碳黑的質量比為C/Al2O3=0.50。
以焙燒溫度1,750℃、焙燒時間10小時之條件焙燒上述混合粉末。焙燒時之環境中氮(N2)比例為70容量%，一氧化碳(CO)比例為30容量%。又，一氧化碳比例係測定焙燒爐之排氣而得，比例可藉由調節導入焙燒爐之氮、一氧化碳流量而控制。
空氣環境下以700℃將氮化後之粉末氧化處理10小時，得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒之容量%，及特定AlN結晶粉末之六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D的平均值、真密度。結果如表1所示。
將所得的氮化鋁粉末填入環氧樹脂內製作樹脂組成物後，進行熱傳導率評估。具體上係準備環氧樹脂(三菱化學股份公司製JER807)100重量份與硬化劑(脂環式聚胺系硬化劑，三菱化學股份公司製JER秋亞113)32重量份之混合物。其次以自轉公轉混練機(新吉股份公司製ARE-500)混合基材樹脂20重量%，與前述特定AlN結晶粒子80重量%得樹脂組成物。
將其注入模具內，使用熱壓法以溫度：120℃、壓力：5MPa、保持時間：1小時之條件硬化，製作直徑10mm、厚1mm之片物。以雷射閃光法測定熱傳導率，結 果熱傳導率為8.0W/mK。
實施例2
除了實施例1之原料混合粉末中添加氧化鎂1重量份外，與實施例1相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、平均長徑(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，本實施例所得的氮化鋁粉末之電子顯微鏡照片(SEM照片)如圖1所示，藉由雷射衍射粒度分布裝置測定的粒度分布曲線如圖2所示。
另外使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例3
除了實施例1之原料混合粉末中添加硫1重量份外，與實施例1相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例4
除了實施例1之原料混合粉末中添加硫2重量份外，與實施例1相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率，特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例5
除了實施例2之氧化鋁微粉凝聚物的平均粒徑為3.6μm外，與實施例2相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例6
除了實施例2之氧化鋁微粉凝聚物的平均粒徑為10.8μm外，與實施例2相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1 所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例7
除了實施例1之氧化鋁微粉凝聚物的平均粒徑為10.8μm外，原料混合粉末中添加氧化鎂2重量份以外，與實施例1相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例8
除了實施例2之環境中氮(N2)比例為80%、一氧化碳(CO)比例為20%外，與實施例2相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
實施例9
使用孔徑20μm之篩對實施例8所製作的氮化鋁粉末進行篩分級，降低氮化鋁粉末中之微粉量。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率、特定氮化鋁結晶粒子之容量%、六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)、L/D之平均值及真密度。結果如表1所示。
又，使用所得的氮化鋁粉末，與實施例1相同製作片物，測定熱傳導率。結果併記於表1。
比較例1
除了使焙燒時之環境中氮比例為90%、一氧化碳比例為10%外，與實施例2相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率。結果如表2所示。
又，以電子顯微鏡觀察所得的粉末，結果粒子無法六角形狀化，為氮化鋁微粉之凝聚物。又，本比較例所得的氮化鋁粉末之SEM照片如圖3所示。
另外使用所得的氮化鋁粉末與實施例1相同製作片物後，以雷射閃光法測定熱傳導率。結果熱傳導率為4.0W/mK。
比較例2
除了使用平均粒徑10.1μm、比表面積0.26m2/g之由熔射法所得的球狀氧化鋁外，與實施例1相同得氮化鋁粉末。測定所得氮化鋁粉末之比表面積、平均粒徑、氮化鋁轉化率。結果如表2所示。
又，以電子顯微鏡觀察所得的粉末，結果粒子無法六角形狀化，為維持原料形狀之多結晶體。
實施例10
混合平均粒徑1.5μm之微粉凝聚所得的平均粒徑5.6μm氧化鋁微粉凝聚物，與比表面積125m2/g之碳黑。此時相對於氧化鋁粉末之碳黑的質量比為C/Al2O3=0.50。
以焙燒溫度1,750℃、焙燒時間10小時之條件焙燒上述混合粉末。焙燒時之環境中氮比例為70容量%，一氧化碳比例為30容量%。又，一氧化碳比例係測定焙燒爐之排氣而得，比例可藉由調節導入焙燒爐之氮、一氧化碳流量而控制。
於空氣環境中以700℃將氮化後之粉末氧化處理10小時，得含有特定AlN結晶粒子之氮化鋁粉末。
由上述方法所得的氮化鋁粉末中之特定AlN結晶粒子為單結晶，平均長徑(D)為10μm，平面間之平均距離(L)為5.6μm，L/D之平均值為0.56，真密度為3.23g/cm3。又，所得氮化鋁粉末中之特定AlN結晶粒子的比例為93容量%(相對於特定AlN結晶粒子之特定AlN結晶以外的AlN粒子之比例(容積)為7.5容量%)。
以上述含有特定AlN結晶粒子之氮化鋁粉末作為填料 用，製作有機高分子成分係使用環氧樹脂之高熱傳導性成型體。
具體上準備作為有機高分子成分用的環氧樹脂(三菱化學股份公司製JER807)100重量份與硬化劑(脂環式聚胺系硬化劑、三菱化學股份公司製JER秋亞113)32重量份之混合物。其次使用自轉公轉混練機(新吉股份公司製ARE-500)混合上述有機高分子成分100重量份，與使特定AlN結晶粒子為117重量份般之由上述方法所得的氮化鋁粉末，得樹脂混合物。
將上述樹脂混合物注入模具內，使用熱壓法以溫度：120℃、壓力：5MPa、保持時間：1小時之條件硬化，製作直徑10mm、厚1mm之片物。測定所得片物之熱傳導率及氮化鋁結晶粒子之添加比例，結果如表3所示。
實施例11
除了實施例10之原料混合粉末中添加氧化鎂1重量份外，與實施例10相同得特定AlN結晶粒子。
由上述方法所得的氮化鋁粉末中之特定AlN結晶粒子為單結晶，六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)為28μm，平面間之平均距離(L)為6.4μm，L/D之平均值為0.23，真密度為3.24g/cm3。又，所得氮化鋁粉末中之特定AlN結晶粒子的比例為96容量%(相對於特定AlN結晶粒子之特定AlN結晶以外的AlN粒子之比例(容積)為4.2容量%)。
以上述特定AlN結晶粒子作為填料用，製作有機高分子成分係使用環氧樹脂之高熱傳導性成型體。
除了使用表3所示之環氧樹脂、特定AlN結晶粒子之量外，與實施例10相同測定所得片物之熱傳導率及特定氮化鋁結晶粒子之添加比例，結果如表3所示。
實施例12
除了實施例10之氧化鋁微粉凝聚物的平均粒徑為10.8μm，原料混合粉末中添加氧化鎂2重量份外，與實施例10相同得特定AlN結晶粒子。
由上述方法所得的特定AlN結晶粒子為單結晶，平均長徑(D)為110μm、平面間之平均距離(L)為11μm，L/D之平均值為0.1，真密度為3.22g/cm3。又，所得氮化鋁粉末中之特定AlN結晶粒子的比例為92容量%(相對於特定AlN結晶粒子之特定AlN結晶以外的AlN粒子之比例(容積)為8.7容量%)。
以上述特定AlN結晶粒子作為填料用，製作有機高分子成分係使用環氧樹脂之高熱傳導性成型體。
除了使用表3所示之環氧樹脂、特定AlN結晶粒子之量外，與實施例10相同測定所得片物之熱傳導率及特定氮化鋁結晶粒子之添加比例，結果如表3所示。
實施例13
將聚矽氧油(信越聚矽氧(股)製KF-96-1000CS)100重 量份，與使特定AlN結晶粒子為140重量份般之與實施例10相同所得的氮化鋁粉末加入附攪拌裝置之加熱釜內，加熱混練而均質化。將該混合物放冷至常溫後，以塗料輥混合調製潤滑脂。測定所得潤滑脂之熱傳導率，結果如表3所示。
實施例14
使用輥以150℃混練下述添加成分後，以單絲狀擠出，再切成顆粒狀。又，與實施例10相同所得的特定AlN結晶粒子之添加量為，相對於下述成分(1)~(4)所形成之基質100重量份，使所添加的氮化鋁粉末為140重量份。
添加成分
(1)苯乙烯-乙烯/丙烯-苯乙烯之三嵌段共聚物[SEPS，庫拉雷(股)製，商品名：歇普頓](數平均分子量12萬之苯乙烯量為30重量%的SEPS) 100重量份
(2)茂金屬觸媒聚合之聚丙烯[耶庫索化學(股)製，商品名：亞吉布](Mw/Mn=2.0) 10重量份
(3)40℃下之動黏度為380mm2/秒的石蠟系油[出光興產(股)製，商品名：戴安娜製程油PW380](重量平均分子量750) 100重量份
(4)馬來酸酐改質聚丙烯[三洋化成(股)製，商品名：尤美庫1010] 5重量份
射出成型機使用日精樹脂工業(股)製DC60E5ASE，以成型溫度180℃由所得的放熱性彈性體組成物製作厚1mm之片物。
比較例3~5
除了使用表3所示之平均粒徑20μm的球狀氮化鋁(德山製)外，與實施例10相同測定所得片物之熱傳導率，結果如表3所示。
比較例6
除了使用表3所示之平均粒徑5μm的球狀氮化鋁(德山製)外，與實施例13相同測定所得潤滑脂之熱傳導率，結果如表3所示。
比較例7
除了使用表3所示之平均粒徑5μm的球狀氮化鋁(德山製)外，與實施例14相同測定所得片物之熱傳導率，結果如表3所示。
實施例15
將鐵芯包覆尼龍所得的直徑15mm之尼龍球(表面硬度100kgf/mm2以下，密度3.5g/cm3)放入內容積2.4L之尼龍製釜內，其次濕式混合對向之2面為六角形狀平面，相對於上述平面中六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離(D)之上述平面間的平均距離(L)之比(L/D)為0.23，且真密度為3.23g/cm3之特定氮化鋁結晶粒子95重量份，及平均粒徑1.2μm、比表面積2.6m2/g、氧濃度0.8質量%之小粒徑氮化鋁粒子5重量份，及氧化釔粉末5重量份與作為溶劑用之乙醇40重量份。此時前述尼龍球填入量為釜之內容積的40%(表觀體積)。混合時係以釜之回轉數70rpm進行3小時。又，將所得的泥漿乾燥，得燒結用之氮化鋁粉末。
其次藉由SPS燒結法以加壓壓力0.4tf/cm2、真空中之升溫速度100℃/分、燒結溫度1450℃、保持時間10分鐘之條件燒結所得的燒結用混合粉末，得相對密度95%以上之直徑30mm、厚3mm的燒結體。
實施例16
除了特定氮化鋁結晶粒子為90重量份、小粒徑氮化鋁粒子為10重量份外，與實施例15進行相同操作。
實施例17
除了特定氮化鋁結晶粒子為80重量份、小粒徑氮化 鋁粒子為20重量份外，與實施例15進行相同操作。
實施例18
除了特定氮化鋁結晶粒子為70重量份、小粒徑氮化鋁粒子為30重量份外，與實施例15進行相同操作。
實施例19
除了特定氮化鋁結晶粒子為60重量份、小粒徑氮化鋁粒子為40重量份外，與實施例15進行相同操作。
實施例20
除了特定氮化鋁結晶粒子為60重量份、小粒徑氮化鋁粒子為40重量份外，與實施例15相同，得燒結用之氮化鋁粉末。其次於室溫下以約80MPa加壓該燒結用之氮化鋁粉末，得成型體。其後於氮氣環境下以常壓之1,800℃將該成型體焙燒5小時，得氮化鋁燒結體。
比較例8
除了特定氮化鋁結晶粒子為0重量份、小粒徑氮化鋁粒子為100重量份外，與實施例15進行相同操作。
比較例9
除了特定氮化鋁結晶粒子為100重量份、小粒徑氮化鋁粒子為0重量份外，與實施例15進行相同操作。
比較例10
除了特定氮化鋁結晶粒子為50重量份、小粒徑氮化鋁粒子為50重量份外，與實施例15進行相同操作。
比較例11
除了特定氮化鋁結晶粒子為30重量份、小粒徑氮化鋁粒子為70重量份外，與實施例15進行相同操作。
比較例12
除了特定氮化鋁結晶粒子為10重量份、小粒徑氮化鋁粒子為90重量份外，與實施例15進行相同操作。
氮化鋁燒結體之製造條件如表4所示，所得氮化鋁燒結體之特性如表5所示。

Claims (20)

  1. 一種氮化鋁結晶粒子，其特徵為，由對向之六角形狀面2面與長方形狀面6面所構成，六角形狀面之對向的方向上具有扁平狀8面體形狀，六角形狀面內對向的2個角之間的平均距離D為3~110μm之範圍，長方形狀面之短邊的長度L為2~45μm之範圍且L/D為0.05~0.8之間，六角形狀面與長方形狀面非形成1個稜角而係形成曲面相交，又，真密度為3.20~3.26g/cm3之範圍。
  2. 如請求項1之氮化鋁結晶粒子，其為以假設六角形狀面與長方形狀面相交形成1個稜角時該1個稜角與上述曲面之間的距離t符合0<t<0.1μm之關係般，形成上述曲面。
  3. 一種製造如請求項1之氮化鋁結晶粒子的方法，其特徵為，於符合下述濃度(1)一氧化碳氣體濃度20~50容量%，及/或(2)氮氣濃度10~80容量%之反應環境中，液相形成劑之存在下，使平均粒徑0.1~3μm之氧化鋁粒子凝聚所得的平均粒徑5~100μm之氧化鋁凝聚粒子還原氮化。
  4. 如請求項3之方法，其中係藉由調節反應環境中之(1)-1 一氧化碳氣體之供給量與氮氣之供給量 (1)-2 氮氣之供給量，或(1)-3 一氧化碳氣體與氮氣以外之不活性氣體的供給量，使一氧化碳氣體濃度維持於20~50容量%。
  5. 如請求項3之方法，其中係藉由調節反應環境中之(2)-1 一氧化碳氣體之供給量與氮氣之供給量(2)-2 氮氣之供給量，或(2)-3 一氧化碳氣體與氮氣以外之不活性氣體的供給量，使氮氣濃度維持為10~80容量%。
  6. 如請求項3之方法，其中係以1,200~1,900℃範圍之反應溫度進行還原氮化。
  7. 如請求項3之方法，其中係以3~20小時範圍之反應時間進行還原氮化。
  8. 一種氮化鋁粉末，其為含有如請求項1之氮化鋁結晶粒子。
  9. 如請求項8之氮化鋁粉末，其中含有至少90容量%之上述氮化鋁結晶粒子。
  10. 如請求項8之氮化鋁粉末，其中平均粒徑為3~110μm之範圍且比表面積為0.01~2m2/g之範圍。
  11. 一種有機高分子組成物，其為由如請求項1之氮化鋁結晶粒子100~600質量份及分散其之有機高分子100質量份所形成。
  12. 如請求項11之有機高分子組成物，其中除了如請求項1之氮化鋁結晶粒子外，另含有相對於該氮化鋁結晶粒子為20容量%以下之其他氮化鋁粒子。
  13. 如請求項11之有機高分子組成物，其中有機高分子為熱塑性樹脂、熱硬化性樹脂或高分子凝膠。
  14. 如請求項11之有機高分子組成物，其中有機高分子為液體。
  15. 一種成型體，其為由如請求項11之有機高分子組成物所形成。
  16. 如請求項15之成型體，其中所含的如請求項1之氮化鋁結晶粒子的50%以上為，其六角形狀面幾乎與成型體之表面平行。
  17. 一種氮化鋁粉末，其特徵為，如請求項1之氮化鋁結晶粒子的燒結體中，該氮化鋁結晶粒子之至少一部分的六角形狀面係配向於與燒結體之平坦狀平面幾乎同方向上，破壞韌性為5MPa．m1/2以上，熱傳導率為150~230W/m．k，維氏硬度為11~16GPa。
  18. 如請求項17之氮化鋁燒結體，其為如請求項1之氮化鋁結晶粒子與其以外之其他氮化鋁粒子的燒結體。
  19. 如請求項18之氮化鋁燒結體，其中燒結體之剖面為，剖面中氮化鋁結晶粒子所佔的面積比例為50~90%。
  20. 一種製造如請求項17~19中任一項之燒結體的方法，其特徵為，使由如請求項1之氮化鋁結晶粒子60~98質量%與平均粒徑0.5~3μm之氮化鋁粒子2~40質量%所形成的氮化鋁粉末，以該氮化鋁結晶粒子之六角形狀面配向於與所得的燒結體之平坦狀表面為幾乎同方向般成型而形成成型體後，燒結該成型體。
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