TW201443758A - 位置指示器及電容器 - Google Patents

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Abstract

〔課題〕以使電磁感應方式之位置指示器的共振電路之共振頻率的調整作業之簡便化以及調整工程之自動化成為可能，並達成位置指示器之小型化、低價化一事，作為目的。〔解決手段〕構成共振電路之電容器(300)，係具備有介電質(301)、和被配設在此介電質(301)之其中一側處的電極(303、304)、和在介電質(301)之另外一側處，以隔著介電質(301)而使至少一部分之區域與電極(303、304)相對向的方式來作配設，並形成電容器之靜電容量的修整電極(302M)。電容器(300)，係以使修整電極(303M)之至少一部分之區域成為能夠從框體而露出的方式，而被收容在框體中。從框體而露出於外部之構成修整電極(303M)之至少一部分之區域的面積，係對應於作為共振電路所期望的共振頻率，而被作變更。

Description

位置指示器及電容器
本發明，係有關於電磁感應方式之位置指示器。又，本發明，係有關於適合使用在構成電磁感應方式之位置指示器的共振電路之電容器中的電容器。
電磁感應方式之座標輸入裝置，例如係如同在專利文獻1(日本特開2002-244806號公報)中所揭示一般，藉由具備有將多數之迴圈線圈配設在座標軸之X軸方向以及Y軸方向上所成的感測器之位置檢測裝置、和具備有由被捲繞在磁性體芯上之線圈和電容器所成的共振電路之筆形狀的位置指示器，而構成之。
而，位置檢測裝置，係將特定頻率之送訊訊號供給至感測器之迴圈線圈處，並作為電磁能量而送訊至位置指示器處。位置指示器之共振電路，係以具有與送訊訊號之頻率相對應之共振頻率的方式而被構成，並基於其與感測器之迴圈線圈之間的電磁感應作用，而儲蓄電磁能量。之後，位置指示器，係將在共振電路中所積蓄之電磁 能量送回至位置檢測裝置之感測器的迴圈線圈處。
感測器之迴圈線圈，係將此從位置指示器而來之電磁能量檢測出來。位置檢測裝置，係基於將送訊訊號作了供給的迴圈線圈之位置、和檢測出了從位置指示器之共振電路而來的電磁能量之迴圈線圈之位置，來檢測出藉由位置指示器所作了指示的感測器上之X軸方向以及Y軸方向的座標值。
於圖17中，對於電磁感應方式之先前技術之筆形狀的位置指示器1之其中一例的概略構成作展示。此圖17之例的位置指示器1，係在中空之圓筒狀的框體11內，具備有作為被捲繞有構成共振電路之線圈12的磁性體芯之鐵氧體芯13、和相對於線圈12而被作並聯連接之複數個的共振用電容器14、15、16、17。圖17，係為位置指示器1之剖面圖，但是，為了使說明成為簡單，係對於線圈12被捲繞在鐵氧體芯13上的狀態作展示。
在鐵氧體芯13之軸芯方向的筆尖側之端部處，係被接合有突出構件(筆尖構件)18。此突出構件18，係以從框體11之筆尖側的開口11a而突出於外部的方式，而被作設置。在鐵氧體芯13之軸芯方向的與突出構件18側相反側之端部側處，係被配設有印刷基板19，並被收容在框體11內，在此印刷基板19之其中一面上，係被安裝有電容器14、15、16、17。
如同後述一般，由於係有必要以使位置指示器1之共振電路的共振頻率成為所期望之值的方式來進行 調整，因此，電容器14、15，係藉由容量可變之修整電容器所構成，電容器16、17，係藉由固定容量之電容器所構成。
又，在圖17之例中，於印刷基板19處，係被設置有作為開關電路之側開關20。此側開關20，係藉由讓使用者對於從被設置在框體11之側面處的貫通孔(省略圖示)所露出於框體11之外的推壓部作推壓，而被作ON、OFF。此側開關20，係對於複數個的電容器14、15、16、17中之既定的電容器之對於共振電路之連接的ON、OFF作控制。故而，藉由對於側開關20進行ON、OFF操作，由於構成共振電路之電容器的容量值係被作變更，因此，從共振電路之線圈12所傳導至位置檢測裝置處的電磁波之相位(共振頻率)係改變。
位置檢測裝置，係能夠藉由將迴圈線圈所受訊的從位置指示器1而來之電磁波的相位(頻率)之變化檢測出來，而將位置指示器1所指示之位置以及位置指示器1之側開關20的操作檢測出來。另外，藉由位置檢測裝置所檢測出的側開關20之ON、OFF操作，係構成為能夠藉由該位置檢測裝置所內藏或者是所作了外部連接的電腦等之電子機器，來將例如決定操作輸入等之各種的功能作分配設定。
然而，被捲繞在鐵氧體芯13上之線圈12的電感值，係在每一零件中而存在有參差。因此，位置指示器1之共振電路，係構成為藉由對於被與線圈12作並聯 連接之電容器的容量作調整，而成為能夠得到所期望的共振頻率。而，當如同上述一般之具備有側開關20之位置指示器的情況時，亦有必要對於側開關20為OFF時的共振頻率和側開關20為ON時的共振頻率分別作調整。
因此，電容器14以及電容器15，係藉由能夠經由操作容量調整旋鈕14a以及15a而變更容量的修整電容器所構成。例如，電容器14，係設為用以調整當側開關20為OFF時之共振電路的共振頻率者，電容器15，係設為用以調整當側開關20為ON時之共振電路的共振頻率者。
由此些之修整電容器14以及15所致的共振頻率之調整，係為位置指示器1之共振電路的共振頻率之最終性的微調整，並在被組入至了位置指示器1之框體11內的狀態下而進行。例如，係藉由通過為了在框體11之側面安裝側開關20所穿設的貫通孔來對於修整電容器14、15之容量調整旋鈕14a、15a進行調整，而改變其之靜電容量，並調整共振電路之共振頻率。
〔先前技術文獻〕
〔專利文獻〕
〔專利文獻1〕日本特開2002-244806號公報
如同上述一般，在先前技術之位置指示器中，係構成為對由於線圈之電感值的參差或者是電容器自身之容量值的參差所導致的共振電路之共振頻率之參差，而藉由對於修整電容器進行微調整一事來使共振頻率成為所期望之值。
然而，用以進行位置指示器之共振電路的共振頻率之微調整的修整電容器，相對上而言係為形狀較大的電子零件，並且亦有著零件之成本為高的問題。
又，近年來之行動電話終端、PDA(Personal Digital Assistants)終端、平板終端等之電子機器等的小型化係日益進展，因此係產生有希望將其內部之電子電路所佔據的比例縮小之需求。又，作為行動電話終端或攜帶型電腦等之小型的攜帶機器之使用者介面，將上述之電磁感應方式之座標輸入裝置作適用一事係日益進展。被與此種小型之電子機器用的座標輸入裝置一同作使用之位置指示器，係要求其成為更細之筆形狀者。
然而，如同上述一般，於先前技術之位置指示器的情況中，為了調整共振頻率，係使用有身為形狀為大之電子零件的修整電容器，因此，係需要較大的設置空間，對於要將位置指示器設為細的筆形狀一事，係會造成阻礙。
進而，於先前技術中，由於調整作業者係需要旋轉修整電容器之調整用旋鈕而進行調整，因此在調整作業中會耗費時間，並且亦難以將調整工程自動化。故 而，修整電容器之存在，係成為位置指示器之量產化的阻礙。
本發明，係以提供一種能夠避免上述一般之問題點的電磁感應方式之位置指示器、以及能夠對於容量值作調整之電容器一事，作為目的。
為了解決上述課題，請求項1之發明，係為將具備有電感元件和能夠變更靜電容量之電容器並以既定之頻率而共振的共振電路收容在框體中，並與位置檢測裝置作電磁耦合之位置指示器，其特徵為：構成前述共振電路之前述電容器，係具備有介電質、和被配置在前述介電質之其中一側處的電極、和在前述介電質之另外一側處，隔著前述介電質而使至少一部分之區域與前述電極相對向的方式來作配設，並形成前述電容器之靜電容量的修整電極，前述電容器，係以使前述修整電極之前述至少一部分的區域能夠從前述框體而露出的方式，來收容在前述框體中，從前述框體而露出於外部之構成前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積，係對應於作為前述共振電路所期望的共振頻率，而被作變更。
在上述之構成的請求項1之發明之位置指示器中，作為對於其之共振電路的共振頻率進行調整之電容器，係代替先前技術一般之對於調整用旋鈕作旋轉而調整靜電容量的修整電容器，而使用被形成有露出於外部之狀 態的修整電極之容量調整用電容器。
此容量調整用電容器，例如係藉由以雷射束之照射來對於被配設在介電質之其中一側處的修整電極進行修整加工，而變更與被配設在介電質之另外一側處的電極相對向之該修整電極的有效面積，故能夠變更靜電容量。在由本發明所致之位置指示器中，於框體內，係在將此容量調整用電容器安裝在基板上之狀態下，以使包含有此容量調整用電容器之共振電路的共振頻率成為所期望之頻率的方式，來對於此容量調整用電容器之修整電極進行修整加工。因此，在共振頻率之調整後，於此容量調整用電容器之修整電極處，係被形成有修整加工之痕跡。
容量調整用電容器，由於係可作為細微之晶片電容器而形成，而能夠構成為小尺寸者，因此係能夠將位置指示器小型化以及細型化。又，容量調整用電容器，由於係亦適於量產，而能夠成為低價，因此係對於位置指示器之低價化有所助益。又，容量調整用電容器，由於係能夠藉由以雷射束等來進行修整加工而使靜電容量成為可變，因此相較於對於修整電容器而進行調整的情況，係能夠使調整作業簡便化，並且亦成為能夠將調整工程自動化，而使位置指示器之量產化成為可能。
若依據本發明，則作為調整位置指示器之共振電路的共振頻率之電容器，藉由使用被形成有露出於外 部之狀態的修整電極之容量調整用電容器，係成為能夠達成小型化、低價格、調整作業之簡便化、調整工程之自動化，而能夠全面解決前述之先前技術的位置指示器之各問題點。
100‧‧‧位置指示器
101‧‧‧框體
104‧‧‧突出構件
106‧‧‧線圈
112、113‧‧‧容量調整用電容器
116‧‧‧貫通孔
117‧‧‧壓下操作元件
118‧‧‧共振電路
300、400、500、600、700、800‧‧‧晶片電容器
301‧‧‧介電質
302M、401、501、601、701、801‧‧‧修整電極
303、304‧‧‧內部電極
305、306‧‧‧外部電極
〔圖1〕對於本發明所致之位置指示器的實施形態之概要作展示的圖。
〔圖2〕對於由本發明所致之位置指示器的實施形態之電路構成和被與位置指示器一同作使用的位置檢測裝置之電路構成例作展示之電路圖。
〔圖3〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第1構成例作說明之圖。
〔圖4〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第1構成例作說明之圖。
〔圖5〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第1構成例作說明之圖。
〔圖6〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖7〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之修整電極的修整加工方法之例作說明之圖。
〔圖8〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第2構成例以及其修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖9〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第3構成例以及其修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖10〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第4構成例以及其修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖11〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第5構成例以及其修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖12〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之第6構成例以及其修整電極的修整加工之例作說明之圖。
〔圖13〕用以對於在本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用的容量調整用電容器之其他例子作說明之圖。
〔圖14〕用以對於在本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用的容量調整用電容器之其他例子作說明之圖。
〔圖15〕用以對於在本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用的容量調整用電容器之其他例子作說明之圖。
〔圖16〕用以對於在由本發明所致之位置指示器的實施形態中所使用之容量調整用電容器之修整電極的修整加工之其他例作說明之圖。
〔圖17〕用以對於先前技術之位置指示器的重要部分之構成例作說明之圖。
由本發明所致之位置指示器，係具備有下述一般的特徵。
亦即是：(1)係為將具備有電感元件和能夠變更靜電容量之電容器並以既定之頻率而共振的共振電路收容在框體中，並與位置檢測裝置作電磁耦合之位置指示器，其特徵為：構成前述共振電路之前述電容器，係具備有介電質、和被配置在前述介電質之其中一側處的電極、和在前述介電質之另外一側處，隔著前述介電質而使至少一部分之區域與前述電極相對向的方式來作配設，並形成前述電容器之靜電容量的修整電極，前述電容器，係以使前述修整電極之前述至少一部分的區域能夠從前述框體而露出的方式，來收容在前述框體中，從前述框體而露出於外部之構成前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積，係對應於作為前述共振電路所期望的共振頻率，而被 作變更。
(2)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：被配設在前述介電質之其中一側處的電極，係由第1電極和第2電極所構成，前述修整電極，係具備有隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之各個分別相對向而作配設之區域。
(3)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：被配設在前述介電質之其中一側處的電極，係以與前述修整電極相對向的方式，而被配設在前述介電質之內部。
(4)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：被配設在前述介電質之其中一側處的電極、和前述修整電極，係分別被與電容器之外部電極作連接。
(5)在上述特徵(2)中，係具備有下述之特徵：前述第1電極以及前述第2電極，係與電容器之各別的外部電極作連接。
(6)在上述特徵(5)中，係具備有下述之特徵：係進行有用以將以與前述外部電極之至少1個的電極作了電性連接的狀態所配設的修整電極從前述1個的電極而作電性分離之修整。
(7)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：前述修整電極，係具備有使複數之容量形成用區域部之各個藉由連結部來作了連結之構成，並構成為藉由將前述連結部分斷，而能夠變更電容器之靜電容量。
(8)在上述特徵(7)中，係具備有下述之特徵：前述複數之容量形成用區域部，係與前述第1電極相對向地作配設。
(9)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：前述修整電極，係具備有使複數之容量形成用區域部之各個藉由連結部來作了連結之構成，並構成為藉由對於以前述連結部所作了連結的複數之容量形成用區域部之至少1個的容量形成用區域部之面積作變更，而能夠變更電容器之靜電容量。
(10)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：前述修整電極，係具備有相互作了分離的複數之容量形成用區域部，並構成為藉由對於前述複數之容量形成用區域部之至少1個的容量形成用區域部之面積作變更，而能夠變更電容器之靜電容量。
(11)在上述特徵(10)中，係具備有下述之特徵：前述複數之容量形成用區域部，係具備有面積互為相異之容量形成用區域部。
(12)在上述特徵(2)中，係具備有下述之特徵：構成前述修整電極之前述至少一部分的區域，係隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之至少其中一方之電極相對向地作配設，並構成為藉由對於構成與前述第1電極以及前述第2電極之至少其中一方之電極作了對向配設的前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積作變更，而能夠變更前述電容器之靜電容量。
(13)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：在前述框體之側面處，係被配設有操作元件，並且，前述修整電極之前述至少一部分之區域，係位置在前述操作元件所被作配設之位置的近旁處，藉由此，當並未被配設有前述操作元件時，係以使前述修整電極之前述至少一部分之區域成為能夠從前述框體而露出的方式來收容在前述框體中。
(14)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：前述框體，係由至少2個的構件所構成，並以當其他構件並未被裝著在框體上時會使前述修整電極之前述至少一部分之區域成為能夠從前述框體而露出的方式，來收容在前述框體中。
(15)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：係藉由將前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積分斷為會對於電容器之靜電容量有所影響之面積和不會對於前述靜電容量有所影響之面積，來將構成前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積對應於作為前述共振電路所期望之共振頻率而作變更。
(16)在上述特徵(15)中，係具備有下述之特徵：將前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積分斷為會對於電容器之靜電容量有所影響之面積和不會對於前述靜電容量有所影響之面積一事，係光學性地或機械性地來進行。
(17)在上述特徵(1)中，係具備有下述之 特徵：前述修整電極，係藉由至少包含有碳之材料所形成。
(18)在上述特徵(1)中，係具備有下述之特徵：被配設在前述介電質之另外一側處的前述修整電極，係在前述另外一面上而被均一地配設。
(19)在上述特徵(2)中，係具備有下述之特徵：前述第1電極以及前述第2電極之各個，係被配設在相對於前述修整電極而為等距離之位置處，並被收容在前述介電質中。
又，由本發明所致之電容器，係具備有下述一般的特徵。亦即是，係為一種電容器，其特徵為：係具備有介電質、和被配設在前述介電質之其中一側處的電極、和在前述介電質之另外一側處，以隔著前述介電質而使至少一部分之區域與前述電極相對向的方式來作配設，並形成前述電容器之靜電容量的修整電極，被配設在前述介電質之其中一側處之電極，係由分別被與前述電容器之外部電極作了連接的第1電極和第2電極所構成，並且分別被與前述電容器之外部電極作連接，前述修整電極，係具備有隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之各個分別相對向而配設之區域，係進行有將與前述外部電極之至少一個的電極相重疊而作配設的修整電極從前述1個的電極而電性分離之修整。
以下，參考圖面，針對具備有上述之特徵的由本發明所致之位置指示器的實施形態以及由本發明所致 之容量可變型之電容器的實施形態作說明。另外，由本發明所致之容量可變型之電容器的實施形態，係作為該容量可變型之電容器係身為被使用在由本發明所致之位置指示器的實施形態中之容量可變型電容器的情況來作說明。
圖1(A)，係為對於此實施形態之位置指示器100的全體概要作展示之圖。又，圖1(B)，係為此實施形態之位置指示器100的縱剖面圖。又，圖2，係為對於此第1實施形態之位置指示器100和被與此位置指示器100一同作使用之電磁感應方式之位置檢測裝置200的電路構成作展示之圖。
如圖1中所示一般，位置指示器100，係具備有在軸芯方向上為細長並且構成其中一方被作了封閉的有底之圓筒狀的框體之殼體101。此殼體101，係如圖1(B)中所示一般，由以例如樹脂等所成的第1殼體102和第2殼體103所構成，此些之第1殼體102和第2殼體103，係構成為以同心圓狀而被作組合。於此情況，如圖1(B)中所示一般，係以使第2殼體103成為第1殼體102之內側的方式，而將兩者作組裝結合。
第1殼體102之軸方向的其中一端側，係被構成為筆形狀之位置指示器的筆尖側，在此第1殼體102之筆尖側處，係具備有用以使突出構件(筆尖構件)104突出於外部之貫通孔105。
又，在位置指示器100之殼體101的第1殼體102內之筆尖側處，係如圖1(B)中所示一般，將突 出構件104以使其之一部分通過貫通孔105而突出於外部的狀態來作收容。又，在與此突出構件104之突出側相反側處，係被配設有作為磁性材料之其中一例之鐵氧體芯107，該鐵氧體芯107，係被捲繞有作為電感元件之其中一例之線圈106。鐵氧體芯107，例如係具備有圓柱狀形狀。
又，在第1殼體102內之被捲繞有線圈106的鐵氧體芯107之與筆尖側相反側處，係被配設有具備較第1殼體102之內徑更窄的寬幅之細長之矩形形狀的印刷基板108。線圈106之其中一端以及另外一端，係被與形成在此印刷基板108上的導電圖案109、110作例如焊接。
在此印刷基板108處，係被設置有側開關111，並且，係被設置有與線圈106構成共振電路之容量調整用電容器112、113以及晶片電容器114、115。側開關111，係構成為在被壓下時成為ON並在停止壓下時會回復為OFF之自我回復式開關。
進而，在印刷基板108處，係被形成有省略圖示之導體圖案，並被形成有用以與位置檢測裝置200之間藉由電磁感應作用來作電磁耦合之共振電路118。亦即是，共振電路118，在此例中，係如圖2中所示一般，與位置指示線圈106並聯地而被連接有晶片電容器114、115和容量調整用電容器112，並且係被連接有容量調整用電容器113和側開關111之間的串聯電路。
又，在此例中，在位置指示器100之殼體101(第1殼體102)的側周面之與側開關111相對應的位置處，係被穿設有貫通孔116，壓下操作元件117，係以能夠通過此貫通孔116而將該側開關111壓下的方式，而被安裝在殼體101內。於此情況，對應於由壓下操作元件117所致之側開關111的壓下操作，在具備有位置檢測裝置200之電子機器側處係被分配設定有特定之功能。例如，在搭載有位置檢測裝置200之電子機器處，由壓下操作元件117所致之側開關111的壓下操作，係作為與滑鼠等之指向元件中的按壓操作相同之操作，而被作分配設定。
另外，印刷基板108，係構成為藉由第1殼體102之內壁面而被作保持。另外，在第1殼體102內，印刷基板108之與筆尖側相反側，係被設為中空空間。
〔位置檢測裝置200之電路構成例〕
接著，參考圖2，針對由上述之實施形態的位置指示器100所進行之指示位置之檢測以及進行側開關111的ON、OFF之檢測的位置檢測裝置200之電路構成例作說明。
位置指示器100，係具備有前述之電路構成的共振電路118。於此情況，因應於側開關111之ON、OFF，容量調整用電容器113之對於並聯共振電路118的連接係被作控制，共振頻率係改變。在位置檢測裝置200 處，係如同後述一般，構成為藉由檢測出從位置指示器100而來之訊號的相位變化(或者是頻率變化)，而檢測出側開關111是否被作壓下。
在位置檢測裝置200處，係將X軸方向迴圈線圈群211X和Y軸方向迴圈線圈群212Y作層積，而形成位置檢測線圈。各迴圈線圈群211X、212Y，例如係分別由n、m根之矩形的迴圈線圈所成。構成各迴圈線圈群211X、212Y之各迴圈線圈，係以作等間隔之並排且依序作重合的方式而被作配置。
又，在位置檢測裝置200處，係被設置有被與X軸方向迴圈線圈群211X以及Y軸方向迴圈線圈群212Y作連接之選擇電路213。此選擇電路213，係依序對於2個的迴圈線圈群211X、212Y中之1個的迴圈線圈作選擇。
進而，在位置檢測裝置200中，係被設置有：振盪器221、和電流驅動器222、和切換連接電路223、和受訊放大器224、和檢波器225、和低域濾波器226、和取樣保持電路227、和A/D變換電路228、和同步檢波器229、和低域濾波器230、和取樣保持電路231、和A/D變換電路232、以及處理控制部233。處理控制部233，係藉由微電腦所構成。
振盪器221，係產生頻率f0之交流訊號。又，振盪器221，係將所產生了的交流訊號供給至電流驅動器222和同步檢波器229處。電流驅動器222，係將從 振盪器221所供給而來之交流訊號變換為電流，並送出至切換連接電路223處。切換連接電路223，係藉由從處理控制部233而來的控制，而對於經由選擇電路213所選擇了的迴圈線圈所被作連接之連接目標(送訊側端子T、受訊側端子R)作切換。此些連接目標中，在送訊側端子T處，係被連接有電流驅動器222，在受訊側端子R處，係被連接有受訊放大器224。
在被選擇電路213所選擇了的迴圈線圈處而產生之感應電壓，係經由選擇電路213以及切換連接電路223而被送至受訊放大器224處。受訊放大器224，係將從迴圈線圈所供給而來之感應電壓作放大，並送出至檢波器225以及同步檢波器229處。
檢波器225，係對在迴圈線圈處所產生之感應電壓、亦即是受訊訊號作檢波，並送出至低域濾波器226處。低域濾波器226，係具備有較前述之頻率f0而更充分低之遮斷頻率，並將檢波器225之輸出訊號變換為直流訊號而送出至取樣保持電路227處。取樣保持電路227，係將低域濾波器226之輸出訊號的特定之時機處(具體而言，係為受訊期間中之特定時機處)的電壓值作保持，並送出至A/D(Analog to Digital)變換電路228處。A/D變換電路228，係將取樣保持電路227之類比輸出變換為數位訊號，並輸出至處理控制部233處。
另一方面，同步檢波器229，係將受訊放大器224之輸出訊號，藉由從振盪器221而來之交流訊號而作 同步檢波，並將與該些間之相位差相對應了的準位之訊號，送出至低域濾波器230處。此低域濾波器230，係具備有較頻率f0而更充分低之遮斷頻率，並將同步檢波器229之輸出訊號變換為直流訊號而送出至取樣保持電路231處。此取樣保持電路231，係將低域濾波器230之輸出訊號的特定之時機處的電壓值作保持，並送出至A/D(Analog to Digital)變換電路232處。A/D變換電路232，係將取樣保持電路231之類比輸出變換為數位訊號，並輸出至處理控制部233處。
處理控制部233，係對位置檢測裝置200之各部作控制。亦即是，處理控制部233，係對在選擇電路213處之迴圈線圈的選擇、切換連接電路223之切換、取樣保持電路227、231的時機作控制。處理控制部233，係根據從A/D變換電路228、232而來之輸入訊號，而從X軸方向迴圈線圈群211X以及Y軸方向迴圈線圈群212Y來以一定之送訊持續時間而送訊電波。
在X軸方向迴圈線圈群211X以及Y軸方向迴圈線圈群212Y之各迴圈線圈處，係藉由從位置指示器100所送訊而來之電波而產生有感應電壓。處理控制部233，係根據此在各迴圈線圈處所產生了的感應電壓之電壓值的準位，而算出位置指示器100之X軸方向以及Y軸方向的指示位置之座標值。又，處理控制部233，係根據與所送訊了的電波和所受訊了的電波間之相位差相對應的訊號之準位，而檢測出側開關111是否被作了壓下。
如此這般，在位置檢測裝置200中，係能夠藉由處理控制部233來將作了接近的位置指示器100之位置檢測出來。並且，藉由將所受訊了的訊號之相位(頻率偏移)檢測出來，係能夠檢測出在位置指示器100處壓下操作部117是否被作了壓下。
〔容量調整用電容器之構成以及位置指示器100之共振電路的共振頻率之調整〕
如同前述一般，被捲繞在鐵氧體芯107上之線圈106的電感值，由於係在每一零件中而有所參差，因此，本實施形態之位置指示器100的共振電路118，係構成為藉由對於被與線圈106作並聯連接之容量調整用電容器112、113的靜電容量作變更，而得到所期望的共振頻率。又，在本實施形態中，係構成為：當側開關111為OFF時的共振頻率，係藉由對於容量調整用電容器112之靜電容量作變更而進行調整，又，當側開關111為ON時的共振頻率，係藉由對於容量調整用電容器113之靜電容量作變更而進行調整。
容量調整用電容器112、113，在此例中，係採用小型之晶片電容器的構成。又，如同後述一般，在容量調整用電容器112、113之露出的上面處，係被形成有能夠藉由雷射束來進行修整加工之修整電極。並且，容量調整用電容器112、113，係以能夠在將印刷基板108收容在殼體101內的狀態下，而對於容量調整用電容器 112、113之露出的上面之修整電極進行修整加工的方式，來配設在印刷基板108上。
在本實施形態中，雷射束，係構成為通過身為用以配設側開關111之壓下操作元件117的開口之貫通孔116，而射入至被配設在印刷基板108上之容量調整用電容器112、113之露出的上面之修整電極處，並能夠進行其之修整加工。另外，修整電極之修整加工，係藉由使雷射束在位置指示器100之軸芯方向上作掃描而進行之。換言之，係以使雷射束之掃描方向成為位置指示器100之軸芯方向的方式，來形成被配設在收容於殼體101中之印刷基板108上的容量調整用電容器112、113之修整電極。又，亦可將雷射束之掃描方向設為與位置指示器100之軸芯方向相正交的方向。藉由將雷射束之掃描方向設為此種方向，修整電極之修整方向係成為藉由將位置指示器100作定位一事而被規定，容量調整用電容器之容量調整作業的簡便化、容量調整工程之自動化係變得容易。
於此情況，在容量調整工程中，係經由用以將雷射束照射至容量調整用電容器之修整電極處的開口，來藉由攝像裝置而對於容量調整用電容器之修整電極進行攝影。之後，使用該攝影畫像，來例如檢測出修整電極之4角隅的位置，並基於該檢測位置，來以使相對於修整電極之雷射束的掃描方向會成為所期望之方向的方式，而進行位置指示器之對位。
又，進而，當將位置指示器設置在自動機上 時，係亦有必要以使容量調整用電容器之修整電極的露出面會成為相對於雷射束之射入方向而相正交之方向的方式，來進行以位置指示器之軸芯位置作為中心的旋轉方向之定位。此位置指示器之旋轉方向的定位，係可基於雷射束射入至容量調整用電容器之修整電極的露出面時的反射光之受光量而進行之。
如此這般，為了以使雷射束之射入方向成為適當之方向的方式來進行位置指示器之以軸芯位置作為中心的旋轉方向之對位，容量調整用電容器之修整電極，係以身為平面或平面狀並會將光反射的方式來構成為理想。
藉由上述一般之由雷射束所致之修整加工，容量調整用電容器112、113之靜電容量係被變更，位置指示器100之共振電路的共振頻率係被調整。容量調整用電容器112和容量調整用電容器113，係具備有相同之構成。以下，針對容量調整用電容器112、113之數個構成例作說明。
〈容量調整用電容器112、113之第1構成例〉
圖3，係為對於容量調整用電容器112、113的第1構成例之晶片電容器300作展示之圖，圖3(A)，係為此晶片電容器300之上面圖，圖3(B)，係為圖3(A)之A-A線剖面圖。
在此第1構成例之晶片電容器300中，例如係在矩形之薄的介電質301之上面，均一地被形成有修整 電極302，並且，在介電質301之內部，係設置有包夾著介電質301之一部分而與修整電極302相對向之2個的內部電極303、304(第1電極、第2電極)。
內部電極303、304，在此例中係被設為具有相同面積之矩形形狀，並在介電質301內而被相互分離，並且，其中一方之內部電極303係被構成為在介電質301之其中一方的側面部(左側面部)處而使一部分露出，另外一方之內部電極304係被構成為在介電質301之另外一方的側面部(右側面部)處而使一部分露出。又，在露出有內部電極303之一部分的介電質301之左側面部處，晶片電容器300之其中一方的外部電極305係被與內部電極303作電性連接。又，在露出有內部電極304之一部分的介電質301之右側面部處，晶片電容器300之另外一方的外部電極306係被與內部電極304作電性連接。外部電極305以及306，係作為用以進行與被形成在印刷基板上之導體圖案之間的電性連接之連接端子而被使用。
介電質301，例如係藉由陶瓷所構成。修整電極302，在此例中，係藉由碳(純碳)所構成。另外，修整電極302，係亦可並非為純碳，而是藉由碳(carbon)和銀(Ag)之混合物來構成。內部電極303、304，例如係藉由鎳(Ni)、銅(Cu)、銀鈀(Ag-Pd)、鈀(Pd)等之導電金屬所構成。第1以及第2外部電極305以及306，亦例如係藉由鎳(Ni)、銅(Cu)、銀鈀(Ag-Pd)、鈀(Pd)等之導電金屬所構成。
晶片電容器300之除了外部電極305以及306以外的主要構成部分，例如係如圖4中所示一般，能夠使用複數枚之介電質陶瓷薄片來作成。亦即是，如圖4中所示一般，係在厚度為與修整電極302和內部電極303、304之間的距離相等之矩形之介電質陶瓷薄片301a的其中一面之全面上，將修整電極302均一地形成，亦即是在介電質陶瓷薄片301a之其中一面上，將修整電極302平塗地藉由印刷法、噴霧塗布法、濺鍍法等來作被覆、塗布、蒸鍍，而形成之。
於此情況，修整電極302，由於係只要在介電質陶瓷薄片301a之其中一面上平塗地而作被覆、塗布、蒸鍍來形成即可，因此，對於介電質陶瓷薄片301a之修整電極302的形成係為非常簡單。
又，在矩形之介電質陶瓷薄片301b的其中一面上之左右區域的各個處，於此例中，係將矩形之相同大小的內部電極303和內部電極304，使用由前述導電金屬所成之導電糊來藉由印刷或濺鍍等之方法來形成。此時，內部電極303係一直涵蓋至矩形之介電質陶瓷薄片的左側端部處地而形成，內部電極304係一直涵蓋至矩形之介電質陶瓷薄片的右側端部處地而形成。
之後，將被形成有修整電極302之介電質陶瓷薄片301a和被形成有內部電極303、304之介電質陶瓷薄片301b，以使修整電極302和內部電極303、304會包夾著介電質而相互對向的狀態來作接合。進而，在被形成 有內部電極303、304之介電質陶瓷薄片301b的與被形成有修整電極302之介電質陶瓷薄片301a之間的接合面相反側處，接合保護用之介電質陶瓷薄片301c。另外，保護用之介電質陶瓷薄片301c，係為為了確保相對於被施加在基片電容器300處之從外部而來之力的耐性所設置者，而亦可將其除外。
如同上述一般，而形成晶片電容器300之除了外部電極305以及306以外的主要構成部分。之後，在被形成有修整電極302、內部電極303、304之此一主要構成部分的左右側面部處，藉由濺鍍法或塗布法來形成外部電極305、306。藉由此，內部電極303係被與外部電極305作電性連接，又，內部電極304係被與外部電極306作電性連接。
此例之晶片電容器300的上面之縱方向的長度Ly以及橫方向之長度Lx(參考圖3(A))，例如係設為Ly=0.8mm、Lx=1.6mm，並且厚度係被設為0.5mm以下，而成為非常小型。
另外，在此例中，修整電極302由於係被平塗形成在介電質301之上面，因此，修整電極302，係成為被與外部電極305、306作電性連接之狀態。又，在此例中，於修整電極302之上係並未被形成有保護膜，修整電極302係成為露出的狀態。
此晶片電容器300，係構成為藉由對於修整電極302進行修整加工、在此例中係藉由雷射束來進行修整 加工，而能夠對其之靜電容量作變更。於此，在本實施形態中之修整加工，係為藉由對於由碳所成之修整電極302照射雷射束，來使該照射部分燃燒而除去的處理。在本實施形態之修整加工中，雷射束之照射部分，係藉由使由碳所成之修整電極302燃燒而成為CO2並消失。又，在由碳所成之修整電極302處，係並不會產生燃燒後之殘渣，修整加工之痕跡係成為使介電質301露出的狀態。
於此例之修整加工中，係構成為使雷射束在修整電極302處而在圖3(A)中之以箭頭TR所展示的晶片電容器300之縱方向(與外部電極305和外部電極306之對向方向相正交的方向)上進行掃描。並且，係藉由對於與此以箭頭TR所致之雷射束之掃描方向相正交的方向(外部電極305和306之對向方向)上之在修整電極302上的雷射束之掃描位置(修整位置)作變更，來變更晶片電容器300之靜電容量。
另外，在此晶片電容器300處，係如同前述一般，修整電極302，由於係成為與外部電極305、306作電性連接之狀態，因此，首先，係對於圖5(A)之以箭頭所示之2個的位置照射雷射束而進行修整加工。以下，將此時之修整加工，稱作前置修整加工。
如圖5(A)中所示一般，在此前置修整加工中，於修整電極302處之被照射有雷射束的部份，係燃燒並消失，露出有介電質301之加工痕跡311、312，係如圖5(A)以及(B)中所示一般，殘留於修整電極302 處。起因於此藉由前置修整加工所產生的加工痕跡311、312，修整電極302和外部電極305以及306係分別成為電性分離的狀態。在此例中，此加工痕跡311、312，係如圖5中所示一般，被形成在外部電極305以及306之近旁的會使與外部電極305之間的距離和與外部電極306之間的距離成為相等一般之位置處。
如同上述一般，係藉由以雷射束所致之前置修整加工而被形成有加工痕跡311、312，修整電極302和外部電極305以及306係分別被設為作了電性分離的狀態。藉由以2個的加工痕跡311、312，而與外部電極305以及306相互電性獨立地，在修整電極302處形成修整電極302M，藉由該修整電極302M和內部電極303以及304所分別相互對向的區域，係如圖5(D)中所示一般，被形成有2個的電容器C1、C2之串聯連接電路。而，由此2個的電容器C1、C2之串聯連接所成的靜電容量，係成為晶片電容器300之初期靜電容量。於此，電容器C1之靜電容量，係基於內部電極303和修整電極302M之間的對向面積而被形成，電容器C2之靜電容量，係基於內部電極304和修整電極302M之間的對向面積而被形成。
之後，如圖5(B)、(C)中所示一般，修整電極302M，係藉由雷射束而在以箭頭TR所示之掃描方向(參考圖5(B))上被作修整加工，晶片電容器300之靜電容量係被變更。於此，在此修整加工中，係亦可設為將修整電極302M例如從外部電極305側之端部起來逐 漸地朝向內方向而除去，而使修整電極302M之面積變小，但是，如此一來，為了得到所期望之靜電容量，係會耗費相當長的時間，又，雷射束之照射時間亦會變長。
為了避免此種情況，在此例中，係構成為：於修整電極302M處，藉由雷射束來對於制定在外部電極305以及306之間的既定之掃描位置Ps進行掃描，並如圖6(A)以及(B)中所示一般，在與外部電極305和外部電極306之間的對向方向相正交之方向上，使雷射束作掃描，並將修整電極302M分斷。之後，對於藉由雷射束而作了分斷的掃描位置，以會成為所期望之靜電容量的方式，來從外部電極305側之端部起逐漸朝向內方向而依序作變更，並進行必要之次數的階段性分斷，藉由此來變更靜電容量。於此情況，在被形成有由雷射束所致之修整加工的修整電極302M之掃描位置Ps處，係如圖6(A)以及(B)中所示一般，被產生有使介電質301作露出之加工痕跡313。又，為了使靜電容量成為所期望之值，依存於情況，在修整電極302M處，亦會有於外部電極305或者是外部電極306之近旁處而被形成有複數之加工痕跡的情況。
藉由將與內部電極303以及304之至少其中一方的內部電極相對向之面形成於修整電極302M處，晶片電容器300係呈現靜電容量。又，若是對於與被形成在內部電極303和內部電極304所相對向的部份處之空隙部相對向的修整電極302M之中央部分，而在與外部電極 305和外部電極306之間的對向方向相正交之方向上而使雷射束作掃描並實行修整加工，並藉由來將修整電極302M分斷，則在圖5(D)之等價電路中，電容器C1和電容器C2之間的串聯連接電路係成為被切斷，晶片電容器300之靜電容量係喪失。
故而，在修整電極302M處，能夠對於晶片電容器300之靜電容量作變更的修整加工位置之範圍(容量變更範圍)，係成為依存於修整電極302M之和內部電極303以及內部電極304的各個相對向之面的大小。例如，當對於修整電極302M中之與內部電極303相對向的部份進行修整加工的情況時，能夠對於晶片電容器300之靜電容量作變更的修整加工位置之範圍(容量變更範圍)，係如圖5(C)中所示一般，至少被設為修整電極302M和內部電極303之間的對向面所形成之範圍TM。
又，如圖6(A)、(B)中所示一般，由雷射束所致之修整電極302M之修整加工，當為在此範圍TM內之修整位置Ps處而進行時，在修整電極302M之與內部電極303以及內部電極304相對向的各個區域中，僅有較加工痕跡313而更靠右側(外部電極306側)之區域，會對於晶片電容器300之靜電容量有所助益。此時，藉由此修整加工，晶片電容器300之靜電容量，由於修整電極302M中之有所助益的區域之面積係成為較修整電極302M之全體的面積而更小，因此係被變更為較初期靜電容量而更小。
在本實施形態之位置指示器100中，如同前述一般，由雷射束所進行之電容器112以及113的修整加工，係在位置指示器100被作了組裝後，對於安裝在被收容於位置指示器100之殼體101內的印刷基板108上之此些的電容器112、113而進行之。
如同前述一般，於此情況，雷射束，係構成為通過被形成在殼體101中之第1殼體102之側面處的用來設置用以將側開關111壓下的壓下操作元件117之貫通孔116，來射入至被配設在印刷基板108上之電容器112、113處。此時之由修整加工所致的靜電容量之變更，係以使包含線圈106和電容器112、113所構成的共振電路118之共振頻率成為如同前述一般之所期望之頻率的方式，來使用自動機而進行之。亦即是，係藉由自動機，而一面測定共振電路118之共振頻率，一面進行對於電容器112、113之由雷射束所致的針對修整電極302之修整加工。
於此情況，為了使共振頻率成為所期望之頻率，對於電容器112、113之修整電極302M所進行的由雷射束所致之修整加工，係亦有如同圖6一般之在1個場所的修整位置處而成為結束的情形，但是，通常係藉由在複數之修整位置處所進行的修整加工而結束。於此情況，在構成電容器112、113之晶片電容器300的修整電極302M處，係被形成有複數根之加工痕跡。
另外，在上述之實施形態中，雷射束，係構 成為通過被設置在位置指示器100之第1殼體102處的側開關111用之貫通孔116，而射入至殼體101內之構成電容器112、113的晶片電容器300之修整電極302處。但是，在並未搭載有側開關111之位置指示器的情況時，係並無法使用此方法。
圖7，係為用以對於就算是在並未搭載有側開關111之位置指示器中，亦能夠進行由雷射束所致之對於位置指示器100之殼體內的容量調整用電容器而進行修整加工之方法的其中一例作說明之圖。
圖7(A)係為對於上述之實施形態的位置指示器100之第1殼體102的與第2殼體103之間的結合部分作展示之圖。在此例中，印刷基板120，係具有在第1殼體102之開口側的端部處而具備被垂直地作了彎折的部份120a之形狀。此印刷基板120，例如係可使用可撓性基板來構成之。
在此印刷基板120處，係被配設有與線圈106一同構成共振電路之電容器等。又，構成用以將位置指示器100之共振電路的共振頻率調整為所期望之值的容量調整用電容器之晶片電容器300，係如同圖7(A)以及(B)中所示一般，被安裝在印刷基板120之垂直彎折部分120a處，並且，修整電極302係以朝向第1殼體102之開口側的方式而被作安裝。
故而，在此例中，雷射束，係於圖7(A)中，如同以箭頭所示一般，能夠從第1殼體102之開口來 照射至晶片電容器300之修整電極302處。之後，如同在圖7(B)中以箭頭所示一般，係能夠藉由雷射束來對於晶片電容器300之修整電極302進行修整加工。
另外，在上述之第1構成例之晶片電容器300的說明中，雖係如圖5中所示一般，構成為僅在修整電極302M的外部電極305側之一半的區域(左半側)而進行修整加工，但是，亦可僅在修整電極302M的外部電極306側之一半的區域(右半側)而進行修整加工。又，亦可在修整電極302M的外部電極305側之一半的區域(左半側)和修整電極302M的外部電極306側之一半的區域(右半側)而均進行修整加工。
〈容量調整用電容器112、113之第2構成例〉
圖8，係為對於容量調整用電容器112、113的第2構成例之晶片電容器400作展示之圖，圖8(A)，係為此晶片電容器400之上面圖，圖8(B)，係為圖8(A)之B-B線剖面圖。又，圖8(C)，係為用以對於此第2構成例之晶片電容器400處的修整加工作說明之圖。
此第2構成例之晶片電容器400，與上述之第1例的晶片電容器300，係僅在修整電極之構成上為相異，其他係設為相同之構成。因此，在圖8中，在與前述之第1例之晶片電容器300相同的部分處，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
在構成上述之容量調整用電容器112以及113 的第1例之晶片電容器300處，係於介電質301之其中一面上均一地被形成有修整電極302。因此，由雷射束所致之修整加工時的掃描距離，係成為相等於修整電極302之於圖5B中所示的縱方向之長度，而成為較長者。
但是，若是由雷射束所致之修整加工時的掃描距離變長，則雷射束之照射時間係變長，晶片電容器之介電質301的雷射束之照射部分係成為高溫，而會有產生碎裂或者是使介電質材料半導體化並在特性上有所改變之虞。
圖8中所示之第2構成例之晶片電容器400，係為以能夠避免此第1構成例之晶片電容器300之問題點的方式而構成之例。
亦即是，在此第2構成例之晶片電容器400中，係於介電質301之與內部電極303以及內部電極304的至少其中一方之內部電極相對向的介電質301之上面處，形成具備有梳狀之電極圖案的修整電極401。此修整電極401，係為與前述之第1構成例之晶片電容器300的修整電極302M相對應者，作為全體，係具備有矩形形狀，並以被與外部電極305以及306作了電性分離的狀態而形成之。
如圖8(A)中所示一般，修整電極401，係在外部電極305和外部電極306相對向之方向上，將複數之帶狀的電極圖案以特定之距離而相分離並作為容量形成用區域部402而作配設，並且係具備有用以將各個電極圖 案相互作電性連接之各個的連結部403。另外，各個連結部403，係被配設在與外部電極305和外部電極306所相互對向之方向相正交的方向上之同一位置處。在此例中，雖係在各個容量形成用區域部402之長邊方向的其中一方之端部區域處形成有連結部403，但是，當然的，係並非為絕對被限定於端部區域者。另外，為了使藉由自動機所進行之對於容量調整用電容器之靜電容量的調整容易化，用以將各個電極圖案相互作電性連接之連結部403，較理想，係在外部電極305和外部電極306所相互對向之方向上，或者是在與外部電極305和外部電極306所相互對向之方向相正交的方向上，以一直線狀而形成於等間隔的位置處。又，由自動機所進行之對於容量調整用電容器之靜電容量的調整，由於係藉由將此些之連結部403作因應於必要之數量的切斷一事來進行，因此，較理想，連結部403，係將其之切斷方向的距離盡可能地縮短。
於此情況，在相鄰之容量形成用區域部402之間，係被形成有除了連結部403之部分以外的空隙，當在連結部403處而將修整電極401於容量形成用區域部402之長邊方向上來作了切斷時，相鄰之容量形成用區域部402係成為被作了電性分離的狀態。
在此第2構成例之晶片電容器400中，若是對於連結部403之各個，而如同圖8(C)之箭頭441所示一般，將與外部電極305以及306之對向方向相正交的方向(晶片電容器400之上面的縱方向)、亦即是將容量 形成用區域部402之長邊方向，作為掃描方向，並照射雷射束，則形成此連結部403之碳係消失，容量形成用區域部402係被分斷。而，在連結部403處，係產生有使介電質301露出之修整加工的痕跡412。
在此第2構成例中，藉由此對於連結部403之由雷射束所致的修整加工，係能夠在各個的容量形成用區域部402之每一者處，而對於與內部電極303以及304之至少其中一方的內部電極相對向之修整電極401的面積作變更。由此修整加工所致之靜電容量的變更，係作為晶片電容器400之靜電容量的粗略調整而被進行。亦即是，在圖8之例的情況中，若是藉由以雷射束來對於連結部403之某一位置進行修整加工，來從外部電極305或者是外部電極306之位置起而逐漸朝向晶片電容器400之中央方向作分斷，則藉由連結部403而被分斷了的位置於外部電極305或者是外部電極306之方向上的1或複數之容量形成用區域部402，係對於晶片電容器400之靜電容量而成為不會有所影響。如此這般，在晶片電容器400處，係形成有較初期靜電容量而更小之靜電容量。
與第1構成例之晶片電容器300的情況時之修整加工位置之範圍TM相對應的範圍TMa，在此第2例中，係成為晶片電容器400之靜電容量的粗略調整之修整加工位置的範圍(容量變更範圍)。
又，在此第2構成例之晶片電容器400中，藉由對於位置在相較於藉由上述之粗略調整而作了切斷的 連結部403之位置而更靠晶片電容器400之中央部方向處的會對於晶片電容器400之靜電容量有所影響的1或複數之容量形成用區域部402自身，而藉由雷射束來進行修整加工，係能夠對於與內部電極303以及內部電極304之至少其中一方的內部電極相對向之容量形成用區域部402的面積作變更，藉由此，係能夠進行晶片電容器400之靜電容量的微調整。
於此情況，在容量形成用區域部402之修整加工中的雷射束之掃描方向，雖係亦可設為與對於連結部403進行修整加工時之雷射束的掃描方向相同之方向，但是，在此第2構成例中，係如圖8(C)中所示一般，將在用以對於容量形成用區域部402而進行靜電容量之微調整的修整加工中之雷射束的方向，設為與對於連結部403進行修整加工時的雷射束之掃描方向相正交的方向(外部電極305和306相互對向之方向)。
亦即是，在圖8(C)中，如同以箭頭413所示一般，係將外部電極305和306之相互的對向方向作為掃描方向，並將雷射束對於欲進行微調整之容量形成用區域部402進行照射，藉由此，構成容量形成用區域部402之碳係消失，容量形成用區域部402係被分斷。又，在碳消失了的部份處，係產生有使介電質301露出之修整加工的痕跡414。晶片電容器400之靜電容量，相較於該分斷前之靜電容量，係成為減少了會對於晶片電容器400之靜電容量有所影響的1或複數之容量形成用區域部402的該 被作了分斷的面積之量。
如同上述一般，在上述之第2構成例之晶片電容器400中，相較於第1構成例之晶片電容器300，係能夠將在進行修整加工時之由雷射束所致的掃描距離以及掃描時間更為縮短，而能夠對於第1構成例之晶片電容器的情況時之問題點有所改善。
又，在此第2構成例之晶片電容器400中，於使用有雷射束之修整加工中，由於係能夠進行粗略調整以及微調整，因此係能夠將位置指示器100之共振電路的共振頻率更迅速地調整為更接近於所期望之值。
另外，在上述之第2構成例之晶片電容器400的說明中，雖係針對僅在修整電極401的外部電極305側之一半的區域而進行修整加工，但是，亦可僅在修整電極401的外部電極306側之一半的區域(右半側)而進行修整加工。於此情況之晶片電容器400的靜電容量之粗略調整的修整加工位置之範圍(容量變更範圍)，係成為圖8B中所示之範圍TMa’。又，亦可在修整電極401的外部電極305側之一半的區域(左半側)和修整電極401的外部電極306側之一半的區域(右半側)而均進行修整加工。
〈容量調整用電容器112、113之第3構成例〉
圖9，係為對於容量調整用電容器112、113的第3構成例之晶片電容器500作展示之圖，圖9(A)，係為 此晶片電容器500之上面圖，圖9(B)，係為圖9(A)之C-C線剖面圖。又，圖9(C)，係為用以對於此第3構成例之晶片電容器500處的修整加工作說明之圖。
此第3構成例之晶片電容器500，相較於上述之第1例的晶片電容器300以及第2構成例之晶片電容器400，係僅在修整電極之構成上為相異，其他係設為相同之構成。因此，在圖9中，在與前述之第1例之晶片電容器300以及第2構成例之晶片電容器400相同的部分處，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
又，此第3構成例之晶片電容器500的修整電極501之構成，相較於第2構成例之晶片電容器400的修整電極401之構成，係將被配置在外部電極305和外部電極306所相互對向之方向上的容量形成用區域部402，與內部電極303以及內部電極304之其中一方的內部電極相對向地而形成，並且，並未被形成有容量形成用區域部402之區域部，係作為均一之圖案(所謂的平塗圖案)而被作設置。
亦即是，此第3構成例之晶片電容器500的修整電極501，係如圖9(A)中所示一般，以與內部電極303相對向的方式而在外部電極305側之一半的區域處，在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上而以既定之間隔來配設有複數之容量形成用區域部402。又，在修整電極501之外部電極306側之一半的區域處，由於係並未被形成有容量形成用區域部402，因此，係能夠將與 內部電極304相對向之修整電極501的面積作最大化。
又，係亦能夠藉由對於在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上的內部電極303和內部電極304之長度的比例、換言之，藉由對於內部電極303和內部電極304之各別的面積作變更，並且在與此面積之變更相對應的容量形成用區域部402處配設修整電極501，來構成為藉由連結部403之修整加工來對於容量形成用區域部402之數量作變更。在採用此種構成的情況時，除了能夠對於晶片電容器500之靜電容量進行粗略調整並因應於需要而對於會對晶片電容器500之靜電容量有所影響的容量形成用區域部402之面積來藉由進行修整加工而作變更，來對於晶片電容器500之靜電容量進行細微的調整以外，亦能夠使與修整加工之程度相對應的晶片電容器500之靜電容量的變化特性更加接近於所期望之特性。
另外，在上述之例中，雖係針對將在外部電極305與外部電極306所相對向之方向上之各個的容量形成用區域部402的寬幅設為一定的情況來作了說明，但是，亦可藉由使容量形成用區域部402之寬幅有所變化，來將與修整加工之程度相對應的晶片電容器500之靜電容量作非直線性之變更。
〈容量調整用電容器112、113之第4構成例〉
圖10，係為對於容量調整用電容器112、113的第4構成例之晶片電容器600作展示之圖，圖10(A)，係為 此晶片電容器600之上面圖，圖10(B)，係為圖10(A)之D-D線剖面圖。又，圖10(C)，係為用以對於此第4構成例之晶片電容器600處的修整加工作說明之圖。
此第4構成例之晶片電容器600，亦同樣的，與上述之第1例的晶片電容器300，係僅在修整電極之構成上為相異，其他係設為相同之構成。因此，在圖10中，在與前述之第1例之晶片電容器300相同的部分處，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
又，此第4構成例之晶片電容器600，亦係與第2之構成例以及第3之構成例的晶片電容器400以及500相同的，係為以能夠縮短雷射束之掃描距離以及掃描時間的方式來形成修整電極601之例。
此第4構成例之晶片電容器600的修整電極601，係如圖10(A)中所示一般，代替前述之第3構成例之晶片電容器500的在修整電極501處所配設之複數之容量形成用區域部402，係在與外部電極305和306所相對向之方向相正交之方向上，分別配置有複數之鋸齒形狀的容量形成用區域部605。各容量形成用區域部605之一端係相互被作連結而構成修整電極601，並且，容量形成用區域部605之另外一端係被設為開放狀態。位置在修整電極601之與外部電極305和306所相對向之方向相正交的方向之兩端(上端部以及下端部)處的各個容量形成用區域部605，係被中介配置於使複數個的方形之容量形成 用區域部603藉由細寬幅之連結部604來相互作了連結的形狀圖案PA處。連結部604之與外部電極305和306所相對向之方向相正交的方向上之長度，係被設為較方形之容量形成用區域部603的同方向上之長度而更短者。
又，位置在上端部和下端部之間的容量形成用區域部605，係在外部電極305和306所相對向之方向上，將複數個的方形之容量形成用區域部605配設為交錯格子狀，並且，係成為使相鄰之容量形成用區域部605藉由細寬幅之連結部606而被相互作了連結結合之形狀圖案PB。於此情況，連結部606之與外部電極305和306所相對向之方向相正交的方向上之長度，係被設為較方形之容量形成用區域部605的同方向上之長度而更短者。
又，形狀圖案PA之方形的容量形成用區域部603和形狀圖案PB之方形的容量形成用區域部605，係被設為相同之大小，並且，如圖10(A)中所示一般，在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交的方向上，於上端部或下端部之形狀圖案PA的其中一方之方形之容量形成用區域部603和上端部或下端部之形狀圖案PA之另外一方之連結部604之間處，係構成為被一列地配設有複數個的形狀圖案PB之方形之容量形成用區域部605。
而，在此第4構成例之晶片電容器600的修整電極601處之由雷射束所致之修整加工，係對於形狀圖案PA之連結部604以及形狀圖案PB之連結部606來進 行。
如圖10(C)中所示一般，在被配置於上端部處之形狀圖案PA處，係如同以實線L1所示一般，可藉由雷射束來對於連結部604而在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交的方向上進行掃描，並將容量形成用區域部603的各者分別作分斷。在圖10(C)中雖並未作圖示，但是，與前述相同的，藉由連結部604之雷射束的掃描，係產生有使介電質301露出之修整加工之痕跡。
又，在形狀圖案PB處，係如同以實線L2所示一般，可藉由雷射束來對於連結部606而在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交的方向上進行掃描，並將容量形成用區域部605的各者分別作分斷。與前述相同的，藉由連結部604以及連結部606之雷射束的掃描，係產生有使介電質301露出之修整加工之痕跡。
如同由圖10而可明顯得知一般，藉由對於進行修整加工之連結部604或連結部606的在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上的位置作選擇，係亦能夠將在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上而並排之複數個的容量形成用區域部603或者是容量形成用區域部605作為一整塊而進行分斷。又，若是藉由對於被形成在作為均一(平塗)之電極圖案所形成的修整電極601之右半邊之區域的近旁處之連結部604或連結部606照射雷射束並進行修整加工，來使該掃描部分消失，並以 形狀圖案PA或形狀圖案PB之單位來作分斷，則係可如同前述一般地而進行粗略調整。當然的，細微調整，係能夠以方形之容量形成用區域部603或者是方形之容量形成用區域部605的單位來進行之。
晶片電容器600之靜電容量，在修整電極601處，係成為相較於初期靜電容量而縮小了與被作了分斷的容量形成用區域部603以及容量形成用區域部605的面積之量相對應之量的靜電容量。又，晶片電容器600之情況時的修整範圍TMc，係成為在圖10(A)(B)中所示之修整電極601之左半邊的被形成有鋸齒形狀圖案之區域。
如同上述一般，在上述之第4構成例之晶片電容器600中，由於係構成為對於連結部604、606而照射雷射束並進行修整加工，因此，相較於第1構成例之晶片電容器300，係能夠將之由雷射束所致的掃描距離以及掃描時間更為縮短，而能夠對於第1構成例之晶片電容器的情況時之問題點有所改善。
又，若依據此第4例之晶片電容器600，則由於係能夠對於方形之容量形成用區域部603、605之每一者而變更靜電容量，因此係可發揮易於確保所期望之靜電容量的效果。
另外，在以上之第4例中，在圖案PA以及PB處之容量形成用區域部，雖係構成為方形，但是，係並不被限定於方形，係可設為例如三角形形狀等的各種之形狀。
〈容量調整用電容器112、113之第5構成例及第6構成例〉
圖11，係為對於容量調整用電容器112、113的第5構成例之晶片電容器700作展示之圖，圖11(A)，係為此晶片電容器700之上面圖，圖11(B)，係為圖11(A)之E-E線剖面圖。又，圖12，係為對於容量調整用電容器112、113的第6構成例之晶片電容器800作展示之圖，圖12(A)，係為此晶片電容器800之上面圖，圖12(B)，係為圖12(A)之F-F線剖面圖。
此第5構成例之晶片電容器700以及第6構成例之晶片電容器800，亦同樣的，相較於上述之第1例的晶片電容器300，係僅在修整電極之構成上為相異，其他係設為相同之構成。因此，在圖11以及圖12中，在與前述之第1例之晶片電容器300相同的部分處，係附加相同之參考符號，並省略其說明。
又，此第5構成例之晶片電容器700以及第6構成例之晶片電容器800，亦係與第2~第4構成例的晶片電容器400~600相同的，係為以能夠縮短雷射束之掃描距離以及掃描時間的方式來形成修整電極701以及修整電極801之例。
此第5構成例之晶片電容器700的修整電極701以及第6構成例之晶片電容器800的修整電極801，係如同圖11(A)以及圖12(A)中所示一般，在對應於 前述之第1構成例之晶片電容器300的修整電極302M之與各別之外部電極305、306作了電性分離的矩形之電極之區域處，於與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交的方向上，分別被形成有相互分離之獨立之複數個的短籤狀電極702~705以及802。
構成第5構成例之晶片電容器700的修整電極701之複數個的短籤狀電極702~705，係以使在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上的長度成為相等並使在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交之方向上的長度W1~W4成為互為相異的方式，來作選擇。又，在圖11之例中，係以成為W1：W2：W3：W4=8：4：2：1的方式，來制定長度W1~W4。
又，構成第6構成例之晶片電容器800的修整電極801之複數個的短籤狀電極802，係以使在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上的長度和在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交之方向上的長度均成為相等的方式，來作選擇。
在此些之第5構成例以及第6構成例中之由雷射束所致的修整加工時之雷射束的掃描方向，係構成為在圖11(A)以及圖12(A)中以箭頭TR所示的與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交之方向。又，係構成為對於各短籤狀電極702~705以及802之每一者，而分別藉由雷射束來進行修整加工。在第5構成例 以及第6構成例中，晶片電容器700以及800之修整範圍，係分別成為TMd(參考圖11(B))以及TMe(參考圖12(B))。
不論是在第5構成例以及第6構成例之何者的情況中，均同樣的，由於相較於在外部電極305和外部電極306所相對向之方向上的長度，在與外部電極305和外部電極306所相對向之方向相正交之方向上的長度均係成為較短，因此係能夠避免在第1構成例之晶片電容器300中的問題點。
又，在第5構成例的情況中，藉由如同上述一般地來選擇長度W1~W4，並將面積比設為倍冪關係，係能夠藉由對於修整電極701來針對各短籤狀電極702~705之每一者而藉由雷射束來進行修整加工，而將晶片電容器700之靜電容量，從最大容量起直到最小容量為止地而進行略類比性之調整。
亦即是，在晶片電容器700之修整電極701中，若是對於短籤狀電極705，而將修整範圍TMd之右端的位置作為修整位置，並照射雷射束而進行修整加工，則由於短籤狀電極705係被分斷，因此，此短籤狀電極705之全部係成為均不會對於晶片電容器700之靜電容量有所影響。亦即是，藉由將短籤狀電極705分斷為一半，電極705之與內部電極303相對向的區域和電極705之與內部電極304相對向的區域係被作電性分斷，並藉由此而成為不會對於作為晶片電容器700之靜電容量有所影響。針對 其他之短籤狀電極702~704，亦為相同。如此這般，藉由對於各個短籤狀電極進行分斷，係能夠對於作為晶片電容器700之靜電容量進行調整。
又，若是例如針對短籤狀電極704而從其之左側(外部電極305側)起來逐漸進行修整加工，則短籤狀電極704之長度W3由於係構成為短籤狀電極705之長度W4的2倍，因此係能夠使晶片電容器700之靜電容量作略類比性之變化。
又，在第6構成例之晶片電容器800中，於全部的短籤狀電極802處，雷射束之掃描方向的長度係成為相同，而有著能夠恆常使雷射束之照射距離以及照射時間縮小的優點。
〔其他變形例〕
在上述之實施形態中，構成容量調整用電容器112、113之晶片電容器，雖係成為將被與外部電極作了電性分離之修整電極露出於介電質之表面地來作設置並且在介電質內以與前述修整電極相對向的方式而設置有2個的內部電極之構成，但是，本發明之作為對象的晶片電容器，係並不被限定於此種構成。
在圖13(A)之例的晶片電容器900A中，係在介電質901之上面形成修整電極902，並且在介電質901內，以包夾著介電質901之一部分地來與修整電極902相對向的方式，而設置有1個的內部電極903。又， 雖係構成為在介電質901之相互對向之側部處形成外部電極904以及905，但是，係構成為將其中一方之外部電極905與修整電極902作電性連接，並且將另外一方之外部電極904與內部電極903作電性連接。
在此圖13(A)之例的情況中，修整電極902和內部電極903之間的對向部分之全體，係成為由雷射束所致之修整加工的可加工範圍TMf。另外，修整電極902，係可如同上述之第1構成例一般而為均一之電極圖案，亦可為如同第2~第6構成例之電極圖案的任一者之構成。
圖13(B)，係為圖13(A)之晶片電容器900A的變形例。此圖13(B)之例的晶片電容器900B，係作為與修整電極902相對向之內部電極，而在介電質901內，設置有與修整電極902之間的對向距離為互為相異之複數個的內部電極906、907、908。
若依據此圖13(B)之例的晶片電容器900B，則在修整電極902中，係能夠針對與藉由以雷射束所致之修整加工而作了分斷的面積相對應之修整加工後的晶片電容器900B之靜電容量的變化之特性，而藉由複數個的內部電極906~908來調整為所期望之變化特性。
又，圖13(C)，係為上述之晶片電容器300~800的變形例。上述之數個的構成例之晶片電容器300~800，雖係為僅在介電質301之上面而形成有修整電極的例子，但是，於此情況，由雷射束所致之修整加工，由 於係僅在介電質301之上面而進行，因此係會有在介電質301處而產生起因於熱所導致之彎曲的情況。圖13(C)之例，係為對於此問題作了改善的晶片電容器900C之例。
亦即是，在晶片電容器900C處，係於介電質911之上面形成修整電極912，並且於介電質911之下面亦形成修整電極913。此些之修整電極912以及913之構成，係可為與上述之晶片電容器的第1構成例~第6構成例之任一者的情況相同。
又，在此例之晶片電容器900C處，於介電質911之內部，係設置隔著介電質911之一部分而與被形成於上面之修整電極912相對向之2個的內部電極914以及915，並且設置隔著介電質911之一部分而與被形成於下面之修整電極913相對向之2個的內部電極916以及917。
又，係在與內部電極914和內部電極916作了電性連接的狀態下，而形成外部電極918，並且在與內部電極915和內部電極917作了電性連接的狀態下，而形成外部電極919。
如同上述一般，在本例之晶片電容器900C中，係將介電質911之厚度方向的中心位置作為對稱軸，而在介電質911之上面側和下面側處，以成為相互對稱的方式來構成之。又，在此例之晶片電容器900C中，由雷射束所致之修整加工，係於圖13(C)中，如同以箭頭所 示一般，成為能夠並不僅是對於上面之修整電極912，而亦對於下面之修整電極913來進行之。於此情況，當在將晶片電容器900C安裝於印刷基板920上的狀態下而進行修整加工的情況時，於印刷基板920處，係在與晶片電容器900C之下面相對應的位置處，預先形成透孔921，並構成為經由此透孔921來將雷射束照射至晶片電容器900C之下面的修整電極913處。
若依據此圖13(C)中所示之例的晶片電容器900C，則由於係對稱於介電質911之厚度方向而設置修整電極以及內部電極，並在介電質911之上面和下面的雙方處而進行由雷射束所致之修整加工，因此，係能夠防止在介電質911處而產生彎曲的情形。
又，在上述之晶片電容器的構成例中，2個的內部電極303以及304雖係全部設為矩形形狀，但是，內部電極之形狀係並不被限定於矩形。例如，如圖14中所示一般，亦可使用相互對向之被構成為三角形狀的內部電極303’以及304’。
另外，本發明之作為對象的晶片電容器，係並不被限定於單體之構成，而亦可為如同圖15中所示一般之作為集合體的晶片陣列之構成。亦即是，圖15，係對於將4個的晶片電容器941、942、943、944藉由例如由樹脂等所成的連結構件945來作為集合體而作連結並設為晶片陣列之構成的例子作展示。於此情況，晶片電容器941、942、943、944之各個，係可為與上述之晶片電容 器的第1構成例~第6構成例之任一者的例子相同，又，圖16，係為針對當在將印刷基板搭載於位置指示器中的狀態下而對於被安裝在該印刷基板上的晶片電容器進行修整加工的情況時，用以將雷射束照射至晶片電容器之修整電極處的其他之構成例作展示者。
亦即是，在圖16所示之例中，位置指示器100之第1殼體102A，係與第2殼體103A以同心狀來作卡合。於此例之情況，係以相對於第1殼體102A之卡合部102Aa而使第2殼體103A被覆在外側處的方式來作卡合。
又，於此例中，係構成為在進行此卡合之前，先對於被安裝在收容於第1殼體102A內之印刷基板108A上的晶片電容器950之修整電極(省略圖示)而藉由雷射束來進行修整加工。
於此情況，在印刷基板108A處之晶片電容器950的配設位置，係以當將印刷基板108A收容於第1殼體102A內時，會成為第1殼體102A之與第2殼體103A相卡合之卡合部分102Aa的方式，來作配設。又，在第1殼體102A之卡合部分102Aa處，係設置有用以將雷射束照射至晶片電容器950之修整電極處的透孔960。
藉由此，係能夠通過透孔960來將雷射束照射至晶片電容器950之修整電極處並進行修整加工。又，在結束了修整加工之後，係將第2殼體103A卡合於第1殼體102A處。如此一來，由於透孔960係被形成在卡合 部102Aa處，因此係被第2殼體103A所隱藏，而不會出現於外部。
另外，在以上之例的說明中，位置指示器以及位置檢測裝置，針對筆壓檢測功能雖係省略說明，但是，例如如同在前述之專利文獻1中所記載一般，係可藉由使構成共振電路之線圈的電感因應於筆壓而作改變，或作為構成共振電路之電容器的一部分而使用靜電容量會因應於筆壓而產生變化的構造之電容器，來使共振頻率改變，並藉由此種構成，來搭載筆壓檢測功能。於此情況，當然的，藉由上述之容量調整用電容器來調整共振電路之共振頻率一事，係能夠與上述之實施形態完全相同地來進行之。
又，在以上之說明中，係為藉由對於構成位置指示器之共振電路的電容器之靜電容量進行調整，來進行前述共振電路之共振頻率的調整。但是，本發明之電容器，係並不被限定於被使用在構成位置指示器之共振電路的電容器中並用以對於該共振電路之共振頻率進行調整的情況，當然的，亦可使用於在包含有電容器之各種的電子電路、例如振盪電路等之中，而進行例如震盪頻率之調整等的對於該電子電路之特性進行調整的情況。
又，在上述之說明中，雖係將由本發明所致之電容器作為共振電路等之電子電路的構成零件來使用，並藉由對於該電容器之修整電極進行修整加工，來對於該電子電路之特性進行調整，但是，亦可藉由對於修整電極 進行修整加工，來以使電容器自身之靜電容量成為既定之靜電容量的方式來進行調整。亦即是，本發明，亦可構成在出貨具有預先所既定之靜電容量的晶片電容器時，進行上述之修整加工，並以成為前述既定之靜電容量的方式來進行調整的容量可變型電容器。
又，在上述之實施形態中，修整電極，雖係構成為由碳或碳和銀之混合物所成者，但是，材料係並不被特別限定於此，例如亦可使用鎳(Ni)、銅(Cu)、銀-鈀(Ag-Pd)、鈀(Pd)等之金屬或合金的導電糊，來藉由印刷法或濺鍍法等之方法而形成之。於此情況，如同前述一般，在對於位置指示器而進行修整加工調整之自動機中，為了以使雷射束之射入方向成為適當之方向的方式來進行位置指示器之以軸芯位置作為中心的旋轉方向之對位，容量調整用電容器之修整電極，係以身為平面或平面狀並會將光反射的方式來構成為理想。
又，修整加工，係並不被限定於藉由雷射束之照射來將修整電極分斷的情況，亦可藉由平板切刀或圓盤切刀(旋轉切刀)來對修整電極進行切割而作分斷，或者是藉由碟狀之切削具來對於修整電極進行切削而使其消失或者是分斷。
另外，在以上之實施形態的說明中，雖係設為在修整電極之上並不形成保護膜，但是，當然的，亦可藉由保護膜來覆蓋修整電極，並對於修整電極而與該保護膜一同地來進行修整加工。
300‧‧‧晶片電容器
301‧‧‧介電質
302M‧‧‧修整電極
303、304‧‧‧內部電極
305、306‧‧‧外部電極
311、312、313‧‧‧加工痕跡

Claims (20)

  1. 一種位置指示器，係為將具備有電感元件和能夠變更靜電容量之電容器並以既定之頻率而共振的共振電路收容在框體中，並與位置檢測裝置作電磁耦合之位置指示器，其特徵為：構成前述共振電路之前述電容器，係具備有介電質、和被配置在前述介電質之其中一側處的電極、和在前述介電質之另外一側處，以隔著前述介電質而使至少一部分之區域與前述電極相對向的方式來作配設，並形成前述電容器之靜電容量的修整電極，前述電容器，係以使前述修整電極之前述至少一部分的區域能夠從前述框體而露出的方式，來收容在前述框體中，從前述框體而露出於外部之構成前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積，係對應於作為前述共振電路所期望的共振頻率，而被作變更。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，被配設在前述介電質之其中一側處的電極，係由第1電極和第2電極所構成，前述修整電極，係具備有隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之各個分別相對向而作配設之區域。
  3. 如申請專利範圍第2項所記載之位置指示器，其中，前述第1電極以及前述第2電極，係與電容器之各別的外部電極作連接。
  4. 如申請專利範圍第3項所記載之位置指示器，其中，係進行有用以將以與前述外部電極之至少1個的電極作了電性連接的狀態所配設的修整電極從前述1個的電極而作電性分離之修整。
  5. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，前述修整電極，係具備有使複數之容量形成用區域部之各個藉由連結部來作了連結之構成，並構成為藉由將前述連結部分斷，而能夠變更電容器之靜電容量。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之位置指示器，其中，前述複數之容量形成用區域部，係與前述第1電極相對向地作配設。
  7. 如申請專利範圍第2項所記載之位置指示器，其中，構成前述修整電極之前述至少一部分的區域，係隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之至少其中一方之電極相對向地作配設，並構成為藉由對於構成與前述第1電極以及前述第2電極之至少其中一方之電極作了對向配設的前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積作變更，而能夠變更前述電容器之靜電容量。
  8. 如申請專利範圍第2項所記載之位置指示器，其中，前述第1電極以及前述第2電極之各個，係被配設在相對於前述修整電極而為等距離之位置處，並被收容在前述介電質中。
  9. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，被配設在前述介電質之其中一側處的電極，係以與前 述修整電極相對向的方式，而被配設在前述介電質之內部。
  10. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，被配設在前述介電質之其中一側處的電極和前述修整電極之各個，係被與電容器之外部電極作連接。
  11. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，前述修整電極，係具備有使複數之容量形成用區域部之各個藉由連結部來作了連結之構成，並構成為藉由對於以前述連結部所作了連結的複數之容量形成用區域部之至少1個的容量形成用區域部之面積作變更，而能夠變更電容器之靜電容量。
  12. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，前述修整電極，係具備有相互作了分離的複數之容量形成用區域部，並構成為藉由對於前述複數之容量形成用區域部之至少1個的容量形成用區域部之面積作變更，而能夠變更電容器之靜電容量。
  13. 如申請專利範圍第12項所記載之位置指示器，其中，前述複數之容量形成用區域部，係具備有面積互為相異之容量形成用區域部。
  14. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，在前述框體之側面處，係被配設有操作元件，並且，前述修整電極之前述至少一部分之區域，係位置在前述操作元件所被作配設之位置的近旁處，藉由此，而以當並未被配設有前述操作元件時會使前述修整電極之前述至少一 部分之區域成為能夠從前述框體而露出的方式來收容在前述框體中。
  15. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，前述框體，係由至少2個的構件所構成，並以當其他構件並未被裝著在框體上時會使前述修整電極之前述至少一部分之區域成為能夠從前述框體而露出的方式，來收容在前述框體中。
  16. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，係藉由將前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積分斷為會對於電容器之靜電容量有所影響之面積和不會對於前述靜電容量有所影響之面積，來將構成前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積對應於作為前述共振電路所期望之共振頻率而作變更。
  17. 如申請專利範圍第16項所記載之位置指示器，其中，將前述修整電極之前述至少一部分之區域的面積分斷為會對於電容器之靜電容量有所影響之面積和不會對於前述靜電容量有所影響之面積一事，係光學性地或機械性地來進行。
  18. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，前述修整電極，係藉由至少包含有碳之材料所形成。
  19. 如申請專利範圍第1項所記載之位置指示器，其中，被配設在前述介電質之另外一側處的前述修整電極，係在前述另外一面上而被均一地配設。
  20. 一種電容器，其特徵為： 係具備有介電質、和被配設在前述介電質之其中一側處的電極、和在前述介電質之另外一側處，以隔著前述介電質而使至少一部分之區域與前述電極相對向的方式來作配設，並形成前述電容器之靜電容量的修整電極，被配設在前述介電質之其中一側處之電極，係由分別被與前述電容器之外部電極作了連接的第1電極和第2電極所構成，前述修整電極，係具備有隔著前述介電質而與前述第1電極以及前述第2電極之各個分別相對向而配設之區域，係進行有將與前述外部電極之至少一個的電極相重疊而作配設的修整電極從前述1個的電極而電性分離之修整。
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