JP3287536B2 - トリミングコンデンサ - Google Patents
トリミングコンデンサInfo
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/255—Means for correcting the capacitance value
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、トリミングコンデ
ンサ、特に、レーザビームにてトリミング処理が行われ
るトリミングコンデンサに関する。
ンサ、特に、レーザビームにてトリミング処理が行われ
るトリミングコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】種々の値の静電容量を必要とする場合に
は、トリミングコンデンサが用いられている。このトリ
ミングコンデンサは、例えば、図７に示すように、内部
容量電極５２，５３を内蔵したセラミック誘電体５１の
表面に広面積のトリミング用容量電極５４を設け、レー
ザビームＬにてトリミング用容量電極５４の一部分５４
ａを除去して容量電極５３との対向面積を減少させて静
電容量を微調整し、所望の静電容量を得ることができる
コンデンサ５０である。そして、セラミック誘電体５１
の材料には、一般に、誘電体セラミック材料が採用され
ている。誘電体セラミック材料は、通常大気中で焼成さ
れる材料であり、中性又は還元雰囲気では、容易に還元
される。図７において、６０，６１は外部入出力電極で
ある。
は、トリミングコンデンサが用いられている。このトリ
ミングコンデンサは、例えば、図７に示すように、内部
容量電極５２，５３を内蔵したセラミック誘電体５１の
表面に広面積のトリミング用容量電極５４を設け、レー
ザビームＬにてトリミング用容量電極５４の一部分５４
ａを除去して容量電極５３との対向面積を減少させて静
電容量を微調整し、所望の静電容量を得ることができる
コンデンサ５０である。そして、セラミック誘電体５１
の材料には、一般に、誘電体セラミック材料が採用され
ている。誘電体セラミック材料は、通常大気中で焼成さ
れる材料であり、中性又は還元雰囲気では、容易に還元
される。図７において、６０，６１は外部入出力電極で
ある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
トリミングコンデンサ５０にあっては、セラミック誘電
体５１の材料に誘電体セラミック材料が採用されている
ので、トリミング用容量電極５４に照射されるレーザビ
ームＬの高エネルギーの影響によってセラミック誘電体
５１の一部分５１ａ（具体的には、トリミング用容量電
極５４の除去部分５４ａの近傍であって、内部容量電極
５３とトリミング用容量電極５４の間の部分）が高温に
なると、この部分５１ａが還元して半導体化され、Ｑが
低下するという問題があった。
トリミングコンデンサ５０にあっては、セラミック誘電
体５１の材料に誘電体セラミック材料が採用されている
ので、トリミング用容量電極５４に照射されるレーザビ
ームＬの高エネルギーの影響によってセラミック誘電体
５１の一部分５１ａ（具体的には、トリミング用容量電
極５４の除去部分５４ａの近傍であって、内部容量電極
５３とトリミング用容量電極５４の間の部分）が高温に
なると、この部分５１ａが還元して半導体化され、Ｑが
低下するという問題があった。
【０００４】そこで、本発明の目的は、レーザトリミン
グ時におけるＱの低下を抑えることができるトリミング
コンデンサを提供することにある。
グ時におけるＱの低下を抑えることができるトリミング
コンデンサを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係るトリミングコンデンサは、 （ａ）中性及び還元雰囲気のいずれか一方の雰囲気で焼
成した非還元性セラミック材料からなる誘電体と、 （ｂ）前記誘電体の表面又は内部の少なくともいずれか
一方に設けられ、レーザビームにてトリミングが施され
るトリミング用容量電極と、 （ｃ）前記誘電体内に設けられ、前記トリミング用容量
電極に対向して静電容量を形成する内部容量電極と、を
備えたことを特徴とする。
め、本発明に係るトリミングコンデンサは、 （ａ）中性及び還元雰囲気のいずれか一方の雰囲気で焼
成した非還元性セラミック材料からなる誘電体と、 （ｂ）前記誘電体の表面又は内部の少なくともいずれか
一方に設けられ、レーザビームにてトリミングが施され
るトリミング用容量電極と、 （ｃ）前記誘電体内に設けられ、前記トリミング用容量
電極に対向して静電容量を形成する内部容量電極と、を
備えたことを特徴とする。
【０００６】
【作用】誘電体の材料として、非還元性セラミック材料
を採用したため、トリミング用容量電極に照射されるレ
ーザビームの高エネルギーの影響によって誘電体が高温
になっても、この誘電体は還元されにくく、半導体化さ
れにくい。
を採用したため、トリミング用容量電極に照射されるレ
ーザビームの高エネルギーの影響によって誘電体が高温
になっても、この誘電体は還元されにくく、半導体化さ
れにくい。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るトリミングコ
ンデンサの一実施形態について添付図面を参照して説明
する。図１に示すように、トリミングコンデンサ１は、
トリミング用容量電極３を表面に設けた誘電体セラミッ
クシート２、内部容量電極４，５を表面に設けた誘電体
セラミックシート２、保護用誘電体セラミックシート２
等にて構成されている。
ンデンサの一実施形態について添付図面を参照して説明
する。図１に示すように、トリミングコンデンサ１は、
トリミング用容量電極３を表面に設けた誘電体セラミッ
クシート２、内部容量電極４，５を表面に設けた誘電体
セラミックシート２、保護用誘電体セラミックシート２
等にて構成されている。
【０００８】誘電体セラミックシート２は、中性及び還
元雰囲気のいずれか一方の雰囲気で焼成可能な非還元性
セラミック材料を結合剤等と共に混練した後、例えばド
クターブレード法等によってグリーンシート状にしたも
のが用いられる。トリミング用容量電極３は、誘電体セ
ラミックシート２の表面中央部にＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｐｄ等の導電性ペーストを用いて印刷やスパッタリ
ング等の方法により形成される。
元雰囲気のいずれか一方の雰囲気で焼成可能な非還元性
セラミック材料を結合剤等と共に混練した後、例えばド
クターブレード法等によってグリーンシート状にしたも
のが用いられる。トリミング用容量電極３は、誘電体セ
ラミックシート２の表面中央部にＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐ
ｄ，Ｐｄ等の導電性ペーストを用いて印刷やスパッタリ
ング等の方法により形成される。
【０００９】一方、内部容量電極４は誘電体セラミック
シート２の左側部に位置し、その引出し部４ａはシート
２の左辺に露出している。内部容量電極５はシート２の
右側部に位置し、その引出し部５ａはシート２の右辺に
露出している。内部容量電極４，５は、誘電体セラミッ
クシート２の表面にＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｄ等の
導電性ペーストを用いて印刷やスパッタリング等の方法
により形成される。内部容量電極４，５の材料にＮｉ，
Ｃｕ等の卑金属材料を使って製造コストの低減を図るこ
とができるのは、誘電体セラミックシート２の材料に非
還元性セラミック材料を採用しているため、後述のセラ
ミックシート２の焼成時に内部容量電極４，５が酸化さ
れることがないからである。
シート２の左側部に位置し、その引出し部４ａはシート
２の左辺に露出している。内部容量電極５はシート２の
右側部に位置し、その引出し部５ａはシート２の右辺に
露出している。内部容量電極４，５は、誘電体セラミッ
クシート２の表面にＮｉ，Ｃｕ，Ａｇ−Ｐｄ，Ｐｄ等の
導電性ペーストを用いて印刷やスパッタリング等の方法
により形成される。内部容量電極４，５の材料にＮｉ，
Ｃｕ等の卑金属材料を使って製造コストの低減を図るこ
とができるのは、誘電体セラミックシート２の材料に非
還元性セラミック材料を採用しているため、後述のセラ
ミックシート２の焼成時に内部容量電極４，５が酸化さ
れることがないからである。
【００１０】これに対して、従来のトリミングコンデン
サの場合には、誘電体セラミックシートの材料に誘電体
セラミック材料が採用されているので、内部容量電極の
材料に卑金属材料を使用すると、焼成時に内部容量電極
が酸化して導電性等の電気特性が低下する。従って、従
来のトリミングコンデンサは、内部容量電極の材料に、
Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属を使用しなければならず、
高コストであった。
サの場合には、誘電体セラミックシートの材料に誘電体
セラミック材料が採用されているので、内部容量電極の
材料に卑金属材料を使用すると、焼成時に内部容量電極
が酸化して導電性等の電気特性が低下する。従って、従
来のトリミングコンデンサは、内部容量電極の材料に、
Ｐｄ，Ａｇ−Ｐｄ等の貴金属を使用しなければならず、
高コストであった。
【００１１】容量電極３〜５を表面に形成した誘電体セ
ラミックシート２と、保護用誘電体シート２は積み重ね
られて積層体とされた後、中性及び還元雰囲気のいずれ
か一方の雰囲気で焼成される。誘電体セラミックシート
２はセラミック誘電体６とされる。図２に示すように、
積層体の左右の端面部にはそれぞれ入出力外部電極１
０，１１が形成されている。外部電極１０，１１はスパ
ッタリング法や塗布法等の方法により形成され、Ｃｕ，
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ等の材料からなる。入出力外部
電極１０は内部容量電極４の引出し部４ａに電気的に接
続され、入出力外部電極１１は内部容量電極５の引出し
部５ａに電気的に接続されている。そして、トリミング
用容量電極３と内部容量電極４，５の対向部分で静電容
量を発生させる。トリミング用容量電極３は広面積に形
成されており、通常、このときの静電容量は所望の値よ
り大きい。
ラミックシート２と、保護用誘電体シート２は積み重ね
られて積層体とされた後、中性及び還元雰囲気のいずれ
か一方の雰囲気で焼成される。誘電体セラミックシート
２はセラミック誘電体６とされる。図２に示すように、
積層体の左右の端面部にはそれぞれ入出力外部電極１
０，１１が形成されている。外部電極１０，１１はスパ
ッタリング法や塗布法等の方法により形成され、Ｃｕ，
Ａｇ−Ｐｄ，Ａｇ，Ｐｄ等の材料からなる。入出力外部
電極１０は内部容量電極４の引出し部４ａに電気的に接
続され、入出力外部電極１１は内部容量電極５の引出し
部５ａに電気的に接続されている。そして、トリミング
用容量電極３と内部容量電極４，５の対向部分で静電容
量を発生させる。トリミング用容量電極３は広面積に形
成されており、通常、このときの静電容量は所望の値よ
り大きい。
【００１２】次に、図３及び図４に示すように、レーザ
ビームＬをトリミング用容量電極３の縁部に照射して、
トリミング用容量電極３の一部分３ａを除去する。この
とき、トリミング用容量電極３に照射されるレーザビー
ムＬの高エネルギーの影響によってセラミック誘電体６
の一部分、より詳細には、トリミング用容量電極３の除
去部分３ａの近傍の部分であって、内部容量電極５とト
リミング用容量電極３の間の部分が高温になる。しか
し、セラミック誘電体６の材料として、非還元性セラミ
ック材料を採用しているので、この部分が高温になって
も、還元作用が働きにくく、半導体化されにくい。従っ
て、レーザトリミング後のＱ値の低下を抑えることがで
きる。なお、レーザビームＬの強度によっては、図４に
示したように、セラミック誘電体６の一部６ａが除去さ
れることがあるが、トリミングコンデンサ１の品質に対
しては、何ら問題はない。
ビームＬをトリミング用容量電極３の縁部に照射して、
トリミング用容量電極３の一部分３ａを除去する。この
とき、トリミング用容量電極３に照射されるレーザビー
ムＬの高エネルギーの影響によってセラミック誘電体６
の一部分、より詳細には、トリミング用容量電極３の除
去部分３ａの近傍の部分であって、内部容量電極５とト
リミング用容量電極３の間の部分が高温になる。しか
し、セラミック誘電体６の材料として、非還元性セラミ
ック材料を採用しているので、この部分が高温になって
も、還元作用が働きにくく、半導体化されにくい。従っ
て、レーザトリミング後のＱ値の低下を抑えることがで
きる。なお、レーザビームＬの強度によっては、図４に
示したように、セラミック誘電体６の一部６ａが除去さ
れることがあるが、トリミングコンデンサ１の品質に対
しては、何ら問題はない。
【００１３】レーザビームＬによって一部分３ａが除去
されたトリミング用容量電極３は、内部容量電極５との
対向面積が減少し、所望の静電容量値に調整されること
になる。なお、本発明に係るトリミングコンデンサは前
記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内
で種々に変更することができる。
されたトリミング用容量電極３は、内部容量電極５との
対向面積が減少し、所望の静電容量値に調整されること
になる。なお、本発明に係るトリミングコンデンサは前
記実施形態に限定するものではなく、その要旨の範囲内
で種々に変更することができる。
【００１４】レーザビームＬによるトリミング処理後、
トリミング用容量電極３を樹脂やガラス、セラミック等
からなる保護膜にて被覆してもよい。さらに、レーザビ
ームＬをトリミング用容量電極３の縁部に照射する替わ
りに、図５に示すように、中央寄りの位置を照射し、ト
リミング用容量電極３を２分割するようにして所望の静
電容量を得るようにしてもよい。
トリミング用容量電極３を樹脂やガラス、セラミック等
からなる保護膜にて被覆してもよい。さらに、レーザビ
ームＬをトリミング用容量電極３の縁部に照射する替わ
りに、図５に示すように、中央寄りの位置を照射し、ト
リミング用容量電極３を２分割するようにして所望の静
電容量を得るようにしてもよい。
【００１５】また、トリミングコンデンサの構造は任意
であり、例えば、図６に示すように、内部容量電極２３
を内蔵したセラミック誘電体２２の表面に広面積のトリ
ミング用容量電極２４を設け、トリミング用容量電極２
４の引出し部２４ａをセラミック誘電体２２の左端部に
設けた外部入出力電極３０に電気的に接続し、内部容量
電極２３の引出し部２３ａをセラミック誘電体２２の右
端部に設けた外部入出力電極３１に電気的に接続した構
造であってもよい。静電容量は、トリミング用容量電極
２４と内部容量電極２３の対向部分で発生する。レーザ
ビームＬにてトリミング用容量電極２４の縁部２４ｂを
除去して内部容量電極２３との対向面積を減少させて所
望の静電容量値に調整する。
であり、例えば、図６に示すように、内部容量電極２３
を内蔵したセラミック誘電体２２の表面に広面積のトリ
ミング用容量電極２４を設け、トリミング用容量電極２
４の引出し部２４ａをセラミック誘電体２２の左端部に
設けた外部入出力電極３０に電気的に接続し、内部容量
電極２３の引出し部２３ａをセラミック誘電体２２の右
端部に設けた外部入出力電極３１に電気的に接続した構
造であってもよい。静電容量は、トリミング用容量電極
２４と内部容量電極２３の対向部分で発生する。レーザ
ビームＬにてトリミング用容量電極２４の縁部２４ｂを
除去して内部容量電極２３との対向面積を減少させて所
望の静電容量値に調整する。
【００１６】トリミング用容量電極３や２４は、必ずし
も誘電体６や２２の表面に形成するものに限ることな
く、誘電体６や２２の内部に埋設したものでもよい。こ
の場合、電極材料としてはＮｉやＣｕを用いることがで
きると共に、図１の実施形態では保護用誘電体セラミッ
クシート２をトリミング用容量電極３を形成したシート
２上に積み重ねて一体焼成することによって製造され
る。
も誘電体６や２２の表面に形成するものに限ることな
く、誘電体６や２２の内部に埋設したものでもよい。こ
の場合、電極材料としてはＮｉやＣｕを用いることがで
きると共に、図１の実施形態では保護用誘電体セラミッ
クシート２をトリミング用容量電極３を形成したシート
２上に積み重ねて一体焼成することによって製造され
る。
【００１７】
【実施例】さらに、本発明者らは、表１の製造条件でト
リミングコンデンサを製作した。
リミングコンデンサを製作した。
【００１８】
【表１】
【００１９】誘電体の材料としては、ＣａＺｒＯ3系の
非還元性セラミック材料を使用した。比較のため、従来
のＣａＺｒＯ3系の誘電体セラミック材料を使用したト
リミングコンデンサも製作した。実施例１の場合は焼成
時の酸素分圧を１．５×１０ -10ＭＰａとし、実施例２
の場合は７．８×１０-12ＭＰａとした。一方、従来例
の場合は焼成時の酸素分圧を２．１×１０-2ＭＰａとし
た。
非還元性セラミック材料を使用した。比較のため、従来
のＣａＺｒＯ3系の誘電体セラミック材料を使用したト
リミングコンデンサも製作した。実施例１の場合は焼成
時の酸素分圧を１．５×１０ -10ＭＰａとし、実施例２
の場合は７．８×１０-12ＭＰａとした。一方、従来例
の場合は焼成時の酸素分圧を２．１×１０-2ＭＰａとし
た。
【００２０】表２は、製作したトリミングコンデンサの
レーザトリミング前後のＱの値を測定した結果である。
レーザトリミング前後のＱの値を測定した結果である。
【００２１】
【表２】
【００２２】表２より、非還元性セラミック材料を使用
することにより、レーザトリミング後のＱ値の低下を、
従来のトリミングコンデンサより抑えることができるこ
とがわかる。
することにより、レーザトリミング後のＱ値の低下を、
従来のトリミングコンデンサより抑えることができるこ
とがわかる。
【００２３】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、誘電体の材料として、非還元性セラミック材料
を採用したので、この誘電体は耐還元性に優れたものに
なり、トリミング用容量電極に照射されるレーザビーム
の高エネルギーの影響によって誘電体が高温になって
も、半導体化が抑えられる。この結果、レーザトリミン
グ時のＱ値の低下を抑えることができる。
よれば、誘電体の材料として、非還元性セラミック材料
を採用したので、この誘電体は耐還元性に優れたものに
なり、トリミング用容量電極に照射されるレーザビーム
の高エネルギーの影響によって誘電体が高温になって
も、半導体化が抑えられる。この結果、レーザトリミン
グ時のＱ値の低下を抑えることができる。
【図１】本発明に係るトリミングコンデンサの一実施形
態を示す分解斜視図。
態を示す分解斜視図。
【図２】図１に続く製造手順を示す斜視図。
【図３】図２に続く製造手順を示す斜視図。
【図４】図３のIV−IV断面図。
【図５】他の実施形態を示す斜視図。
【図６】別の他の実施形態を示す断面図。
【図７】従来のトリミングコンデンサを示す断面図。
【符号の説明】 １，２１…トリミングコンデンサ ３，２４…トリミング用容量電極 ４，５，２３…内部容量電極 ６，２２…セラミック誘電体 Ｌ…レーザビーム
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭61−174391（ＪＰ，Ａ) 実開 昭56−154032（ＪＰ，Ｕ)
Claims (1)
- 【請求項１】 中性及び還元雰囲気のいずれか一方の雰
囲気で焼成した非還元性セラミック材料からなる誘電体
と、 前記誘電体の表面又は内部の少なくともいずれか一方に
設けられ、レーザビームにてトリミングが施されるトリ
ミング用容量電極と、 前記誘電体内に設けられ、前記トリミング用容量電極に
対向して静電容量を形成する内部容量電極と、 を備えたことを特徴とするトリミングコンデンサ。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21565896A JP3287536B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | トリミングコンデンサ |
| US08/911,159 US6002576A (en) | 1996-08-15 | 1997-08-14 | Trimming capacitor having a void located within the dielectric |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21565896A JP3287536B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | トリミングコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064753A JPH1064753A (ja) | 1998-03-06 |
| JP3287536B2 true JP3287536B2 (ja) | 2002-06-04 |
Family
ID=16676044
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21565896A Expired - Lifetime JP3287536B2 (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | トリミングコンデンサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6002576A (ja) |
| JP (1) | JP3287536B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB9817120D0 (en) * | 1998-08-07 | 1998-10-07 | Abb Power T & D Limited | Improvements in or relating to electronic components |
| JP2002043881A (ja) * | 2000-07-31 | 2002-02-08 | Murata Mfg Co Ltd | 積層型ｌｃフィルタおよびその周波数調整方法 |
| EP1223591A3 (en) * | 2001-01-11 | 2007-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Multilayer electronic component and communication apparatus |
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