JPS6314853B2 - - Google Patents
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- JPS6314853B2 JPS6314853B2 JP16258782A JP16258782A JPS6314853B2 JP S6314853 B2 JPS6314853 B2 JP S6314853B2 JP 16258782 A JP16258782 A JP 16258782A JP 16258782 A JP16258782 A JP 16258782A JP S6314853 B2 JPS6314853 B2 JP S6314853B2
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- Japan
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- reduction
- reoxidation
- type semiconductor
- semiconductor ceramic
- ohmic electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Landscapes
- Insulating Bodies (AREA)
- Ceramic Capacitors (AREA)
- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は還元再酸化型半導体磁器コンデンサの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
従来、還元再酸化型半導体磁器コンデンサとし
ては、円板形半導体磁器の表面に再酸化層を形成
させて誘電体とし、その対向表面に電極を形成し
た構造のものが提案され、実用に供されている。
この種のコンデンサは、比較的小型でありながら
大きな容量が得られ、他の磁器コンデンサと同様
に無極性で、耐熱性および周波数特性が良好で、
リーク電流が小さく安価であるなどの利点を有し
てはいるが、それでも面積容量はたかだか
300nF／cm2程度であり、1μF前後の大容量になる
と形状が大きくなるという問題があつた。この還
元再酸化型磁器コンデンサにおける問題を解決す
る手段として、円板形の還元再酸化型半導体磁器
の片側表面にオーム性電極を形成し、反対側の表
面に非オーム性電極を形成させた構造のものが提
案されている。この構造のコンデンサは、板形還
元再酸化型半導体磁器の両表面に一対の非オーム
性電極を形成した構造のものに比べて容量を約２
倍に増大させることができるが、これを製造する
場合、環元、再酸化処理した後、半導体磁器表面
に形成された酸化層を30〜50μ程度削り取つて内
部の半導体部を露出させる必要があり、この再酸
化層を除去する手段としてラツプ研摩、サンドブ
ラスト、レーザー加工などを採用しても量産性に
欠け、実用化できないという問題があつた。
ては、円板形半導体磁器の表面に再酸化層を形成
させて誘電体とし、その対向表面に電極を形成し
た構造のものが提案され、実用に供されている。
この種のコンデンサは、比較的小型でありながら
大きな容量が得られ、他の磁器コンデンサと同様
に無極性で、耐熱性および周波数特性が良好で、
リーク電流が小さく安価であるなどの利点を有し
てはいるが、それでも面積容量はたかだか
300nF／cm2程度であり、1μF前後の大容量になる
と形状が大きくなるという問題があつた。この還
元再酸化型磁器コンデンサにおける問題を解決す
る手段として、円板形の還元再酸化型半導体磁器
の片側表面にオーム性電極を形成し、反対側の表
面に非オーム性電極を形成させた構造のものが提
案されている。この構造のコンデンサは、板形還
元再酸化型半導体磁器の両表面に一対の非オーム
性電極を形成した構造のものに比べて容量を約２
倍に増大させることができるが、これを製造する
場合、環元、再酸化処理した後、半導体磁器表面
に形成された酸化層を30〜50μ程度削り取つて内
部の半導体部を露出させる必要があり、この再酸
化層を除去する手段としてラツプ研摩、サンドブ
ラスト、レーザー加工などを採用しても量産性に
欠け、実用化できないという問題があつた。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたも
ので、小型で大容量の還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサを容易に多量生産できる方法を提供する
ことを目的とし、その要旨は、還元再酸化型半導
体磁器材料により少なくとも一方の表面に複数の
凸部を有する板状体を形成し、該板状体を環元、
再酸化処理した後、その凸部を機械的に除去して
半導体部を露出させ、該半導体部にオーム性電極
を形成することを特徴とする還元再酸化型半導体
磁器コンデンサの製造方法になる。
ので、小型で大容量の還元再酸化型半導体磁器コ
ンデンサを容易に多量生産できる方法を提供する
ことを目的とし、その要旨は、還元再酸化型半導
体磁器材料により少なくとも一方の表面に複数の
凸部を有する板状体を形成し、該板状体を環元、
再酸化処理した後、その凸部を機械的に除去して
半導体部を露出させ、該半導体部にオーム性電極
を形成することを特徴とする還元再酸化型半導体
磁器コンデンサの製造方法になる。
すなわち、本発明は、磁器は堅いが脆いという
ことに着目し、研摩あるいは研削する代りに、予
め円板形あるいは角板形磁器の少なくとも片側表
面に凸部を形成しておき、この凸部を破壊するこ
とにより半導体磁器内部の半導体部を露出させる
ようにしたものである。
ことに着目し、研摩あるいは研削する代りに、予
め円板形あるいは角板形磁器の少なくとも片側表
面に凸部を形成しておき、この凸部を破壊するこ
とにより半導体磁器内部の半導体部を露出させる
ようにしたものである。
以下、添付の図面を参照して本発明を具体的に
説明する。
説明する。
第１図は、本発明方法により製造された還元再
酸化型半導体磁器コンデンサを示し、このコンデ
ンサ１は、板状還元再酸化型半導体磁器２と、そ
の酸化層３上に形成された非オーム性電極４と、
その半導体部５上に形成されたオーム性電極６と
から構成されている。この板状半導体磁器２は円
板形、角板形のいずれの形状であつてもよい。
酸化型半導体磁器コンデンサを示し、このコンデ
ンサ１は、板状還元再酸化型半導体磁器２と、そ
の酸化層３上に形成された非オーム性電極４と、
その半導体部５上に形成されたオーム性電極６と
から構成されている。この板状半導体磁器２は円
板形、角板形のいずれの形状であつてもよい。
前記構造のコンデンサは本発明によれば次のよ
うにして製造することができる。
うにして製造することができる。
すなわち、まず、還元再酸化型半導体磁器材
料、例えば、BaTiO3―BaZrO3系半導体磁器材
料をシート状に成形し、その成形シートをパンチ
して少なくとも片側表面に複数の凸部１２を有す
る円板形若しくは角板形のチツプ１１を形成する
（第２図イ参照）。なお、凸部１２の形成は、押出
成形機の口金を加工しておくか、あるいはパンチ
の際又はパンチ後に押印することにより行なうこ
とができる。次いで空気中、1200〜1400℃の温度
で焼成した後、還元性雰囲気中1100〜1200℃で還
元熱処理して半導体化し、さらに800〜1000℃で
再酸化処理して、その表面に酸化層３を形成させ
る（第２図ロ参照）。次いで、凸部側表面と反対
側の表面に銀ペーストなどの非オーム性電極材料
を塗布し、焼付けることにより非オーム性電極４
を形成した後（第２図ハ参照）、凸部を機械的に、
例えば、凸部側表面をサンドペーパなどのヤスリ
面に当ててこすることにより、破壊させて内部の
半導体部５を露出させ（第２図ニ参照）、その半
導体部上に、例えば、Ag−Zn―Sb系オーム性電
極材料でオーム性電極６を形成することにより第
１図の構造のコンデンサを得る。
料、例えば、BaTiO3―BaZrO3系半導体磁器材
料をシート状に成形し、その成形シートをパンチ
して少なくとも片側表面に複数の凸部１２を有す
る円板形若しくは角板形のチツプ１１を形成する
（第２図イ参照）。なお、凸部１２の形成は、押出
成形機の口金を加工しておくか、あるいはパンチ
の際又はパンチ後に押印することにより行なうこ
とができる。次いで空気中、1200〜1400℃の温度
で焼成した後、還元性雰囲気中1100〜1200℃で還
元熱処理して半導体化し、さらに800〜1000℃で
再酸化処理して、その表面に酸化層３を形成させ
る（第２図ロ参照）。次いで、凸部側表面と反対
側の表面に銀ペーストなどの非オーム性電極材料
を塗布し、焼付けることにより非オーム性電極４
を形成した後（第２図ハ参照）、凸部を機械的に、
例えば、凸部側表面をサンドペーパなどのヤスリ
面に当ててこすることにより、破壊させて内部の
半導体部５を露出させ（第２図ニ参照）、その半
導体部上に、例えば、Ag−Zn―Sb系オーム性電
極材料でオーム性電極６を形成することにより第
１図の構造のコンデンサを得る。
なお、凸部１２は容易に破壊することができる
が、内部の半導体部５を露出させるためには、そ
の高さは再酸化層（絶縁体層）３の厚さ（通常、
30μ前後）より大きいことが必要であることか
ら、少なくとも50μ以上あることが望ましい。ま
た、図では、角板形チツプ１１に複数の平行凸部
を設けた板状体の場合を示しているが、円板形チ
ツプの場合でも同様にして製造でき、また、凸部
を平行に形成する代りに同心円状に形成してもよ
い。さらに、チツプの両表面に凸部を形成し、チ
ツプの両側にオーム性電極を形成するようにして
もよい。この場合、非オーム性電極は磁器の端面
に形成するようにしてもよい。このように、板状
半導体磁器の両表面にオーム性電極を形成する
と、第１図の場合に比べ容量が1.5倍に増大する。
が、内部の半導体部５を露出させるためには、そ
の高さは再酸化層（絶縁体層）３の厚さ（通常、
30μ前後）より大きいことが必要であることか
ら、少なくとも50μ以上あることが望ましい。ま
た、図では、角板形チツプ１１に複数の平行凸部
を設けた板状体の場合を示しているが、円板形チ
ツプの場合でも同様にして製造でき、また、凸部
を平行に形成する代りに同心円状に形成してもよ
い。さらに、チツプの両表面に凸部を形成し、チ
ツプの両側にオーム性電極を形成するようにして
もよい。この場合、非オーム性電極は磁器の端面
に形成するようにしてもよい。このように、板状
半導体磁器の両表面にオーム性電極を形成する
と、第１図の場合に比べ容量が1.5倍に増大する。
実施列
BaTiO3（85モル％）とBaZrO3（15モル％）か
らなる主成分に微量の鉱化剤を添加した原料にバ
インダを加えた。この混合原料を用い、片側に凹
凸のある口金を用いて押出し成形を行い、さらに
所定の長さでカツトしたのち、空気中1350℃で焼
成し、1100℃で還元した。
らなる主成分に微量の鉱化剤を添加した原料にバ
インダを加えた。この混合原料を用い、片側に凹
凸のある口金を用いて押出し成形を行い、さらに
所定の長さでカツトしたのち、空気中1350℃で焼
成し、1100℃で還元した。
得られた磁器は第２図イの形状を有し、その寸
法は12mm×８mm×1.4mmであり、凸部の高さはお
よそ0.2mmであつた。
法は12mm×８mm×1.4mmであり、凸部の高さはお
よそ0.2mmであつた。
次に950℃で再酸化し、さらに非オーム性電極
ペーストを凹凸面に対向する面に塗布し、850℃
で焼付けした。
ペーストを凹凸面に対向する面に塗布し、850℃
で焼付けした。
こののち凹凸面にヤスリを当て、凸部を部分的
に削り取つた。この削り取つた部分にオーム性電
極ペーストを塗布し、500℃で焼付けした。
に削り取つた。この削り取つた部分にオーム性電
極ペーストを塗布し、500℃で焼付けした。
得られたコンデンサの容量は0.72μF、tanδ（周
波数1KHz）は2.8％であつた。
波数1KHz）は2.8％であつた。
以上の説明から明らかなように、本発明方法に
よれば、凸部に外力を加えるだけで凸部が容易に
破壊され半導体部を露出させることができ、従つ
てオーム性電極を容易に形成することができるの
で小型で大容量の還元再酸化型半導体磁器コンデ
ンサを量産化できるという優れた効果が得られ
る。
よれば、凸部に外力を加えるだけで凸部が容易に
破壊され半導体部を露出させることができ、従つ
てオーム性電極を容易に形成することができるの
で小型で大容量の還元再酸化型半導体磁器コンデ
ンサを量産化できるという優れた効果が得られ
る。
第１図は本発明方法により製造された還元再酸
化型半導体磁器コンデンサの断面図、第２図はそ
の製造過程を示す説明図である。 １…還元再酸化型半導体磁器コンデンサ、２…
板状還元再酸化型半導体磁器、３…再酸化層、４
…非オーム性電極、５…半導体部、６…オーム性
電極、１１…チツプ、１２…凸部。
化型半導体磁器コンデンサの断面図、第２図はそ
の製造過程を示す説明図である。 １…還元再酸化型半導体磁器コンデンサ、２…
板状還元再酸化型半導体磁器、３…再酸化層、４
…非オーム性電極、５…半導体部、６…オーム性
電極、１１…チツプ、１２…凸部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 還元再酸化型半導体磁器材料により少なくと
も一方の表面に複数の凸部を有する板状体を形成
し、該板状体を還元、再酸化処理後、その凸部を
機械的に除去して半導体部を露出させ、該半導体
部にオーム性電極を形成することを特徴とする還
元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法。 ２ 前記還元再酸化型半導体磁器材料により、少
なくとも一方の表面に複数の凸部を有する円板を
形成する特許請求の範囲第１項記載の還元再酸化
型半導体磁器コンデンサの製造方法。 ３ 前記還元再酸化型半導体磁器材料により、少
なくとも一方の表面に複数の凸部を有する角板を
形成する特許請求の範囲第１項記載の還元再酸化
型半導体磁器コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16258782A JPS5951514A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16258782A JPS5951514A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5951514A JPS5951514A (ja) | 1984-03-26 |
| JPS6314853B2 true JPS6314853B2 (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=15757421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16258782A Granted JPS5951514A (ja) | 1982-09-18 | 1982-09-18 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5951514A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102656U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-25 | ||
| JPH0448461U (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-24 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5398357B2 (ja) * | 2009-05-29 | 2014-01-29 | 京セラ株式会社 | 碍子およびその製造方法、並びに荷電粒子線装置 |
-
1982
- 1982-09-18 JP JP16258782A patent/JPS5951514A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03102656U (ja) * | 1990-02-08 | 1991-10-25 | ||
| JPH0448461U (ja) * | 1990-08-29 | 1992-04-24 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5951514A (ja) | 1984-03-26 |
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