JP3319464B2 - レーザートリマブルコンデンサ - Google Patents
レーザートリマブルコンデンサInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電気、電子機器に使
用されるレーザートリマブルコンデンサに関する。
用されるレーザートリマブルコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年利用が進んだ携帯電話やページャー
などの携帯情報機器には、発振回路の周波数設定調整の
ため可変容量のコンデンサが使用される。更に昨今は従
来のメカトリマーコンデンサに変え、経時変化や落下時
の衝撃による容量ずれのないレーザートリマブルコンデ
ンサが使用されることが多くなってきている。図２は、
誘電体にセラミックを用いた従来のレーザートリマブル
コンデンサを示す。構造は、上部にレーザーによるトリ
ミングにより除去可能な上部電極１を持ち、素子内部の
下部電極３−ａと３−ｂの間で所定の容量を得る物であ
る。また外部電極４は素子の側面より下部電極３−ａと
３−ｂと接続し素子の下部と上部に被っている。更に前
記上部電極１は素子の平面上で前記外部電極の被り部と
の間に０．２〜０．３ミリの隙間を持ち、また同様に対
向する外部電極と直角方向の素子端部からも０．２〜
０．３ミリ内部に形成されている。
などの携帯情報機器には、発振回路の周波数設定調整の
ため可変容量のコンデンサが使用される。更に昨今は従
来のメカトリマーコンデンサに変え、経時変化や落下時
の衝撃による容量ずれのないレーザートリマブルコンデ
ンサが使用されることが多くなってきている。図２は、
誘電体にセラミックを用いた従来のレーザートリマブル
コンデンサを示す。構造は、上部にレーザーによるトリ
ミングにより除去可能な上部電極１を持ち、素子内部の
下部電極３−ａと３−ｂの間で所定の容量を得る物であ
る。また外部電極４は素子の側面より下部電極３−ａと
３−ｂと接続し素子の下部と上部に被っている。更に前
記上部電極１は素子の平面上で前記外部電極の被り部と
の間に０．２〜０．３ミリの隙間を持ち、また同様に対
向する外部電極と直角方向の素子端部からも０．２〜
０．３ミリ内部に形成されている。
【０００３】この構造によると、コンデンサの容量は上
部電極１と、下部電極３−ａと３−ｂの間で発生する
が、この２つのコンデンサの直列合成容量となり、上部
電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当する容量し
か発生しない。
部電極１と、下部電極３−ａと３−ｂの間で発生する
が、この２つのコンデンサの直列合成容量となり、上部
電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当する容量し
か発生しない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、レーザ
ートリマブルコンデンサが使用される携帯電話やページ
ャーなどの携帯情報機器の小型軽量化の要求は高く、よ
り実装面積の縮小をはかる為、素子形状で１．６×０．
８ｍｍや１．０×０．５ｍｍの物が必要となる。
ートリマブルコンデンサが使用される携帯電話やページ
ャーなどの携帯情報機器の小型軽量化の要求は高く、よ
り実装面積の縮小をはかる為、素子形状で１．６×０．
８ｍｍや１．０×０．５ｍｍの物が必要となる。
【０００５】これに対応し、レーザートリマブルコンデ
ンサはより小型化をはかり容量を拡大する必要がある。
ンサはより小型化をはかり容量を拡大する必要がある。
【０００６】しかしながら第３図のコンデンサにおいて
も、容量は上部電極１と、下部電極３−ａと３−ｂの間
で発生する２つのコンデンサの直列合成容量となり、上
部電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当する容量
しか発生しない点は、前記セラミックコンデンサと同等
である。
も、容量は上部電極１と、下部電極３−ａと３−ｂの間
で発生する２つのコンデンサの直列合成容量となり、上
部電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当する容量
しか発生しない点は、前記セラミックコンデンサと同等
である。
【０００７】これに対し、セラミックコンデンサをベー
スに小型化をはかる為の構造案として図４の構造が考え
られる。
スに小型化をはかる為の構造案として図４の構造が考え
られる。
【０００８】図中において１は上部電極であり、これは
片側の外部電極４に直接接続されている。又誘電体２を
挟んで下部電極３を持つ。この構造ではコンデンサ容量
は上部電極１と下部電極３の１つの対向部で発生するの
みで、前記図２及び図３の構造が２つのコンデンサの直
列合成容量となり、上部電極１の面積の１／４以下の電
極面積に相当する容量しか発生しないことに比較する
と、小型で大容量のコンデンサを得る事ができる。
片側の外部電極４に直接接続されている。又誘電体２を
挟んで下部電極３を持つ。この構造ではコンデンサ容量
は上部電極１と下部電極３の１つの対向部で発生するの
みで、前記図２及び図３の構造が２つのコンデンサの直
列合成容量となり、上部電極１の面積の１／４以下の電
極面積に相当する容量しか発生しないことに比較する
と、小型で大容量のコンデンサを得る事ができる。
【０００９】しかし、図４の構造のセラミックコンデン
サを製造する上では、外部電極を構成する主成分となる
銀ペーストと、上部電極及び下部電極を形成するＡｇ−
Ｐｄペーストとの異種金属間の電気的腐食の課題があ
る。またこの構造においても、上部に外部電極が２箇所
露出しており、又上部電極をトリミングするためのレー
ザーパワーが、素子を実装している回路基板の銅パター
ンを加工するのに等しいパワーを必要とすることから、
回路基板にダメージを与えない為必ず素子上でレーザー
のトリミングを終了する必要があり、そのため対抗する
外部電極と直角方向の素子端部から上部電極を０．２〜
０．３ミリ内部に形成する必要があるという点に変わり
なく、素子を小型化する場合、コンデンサの容量寄与面
積の拡大が不十分である。
サを製造する上では、外部電極を構成する主成分となる
銀ペーストと、上部電極及び下部電極を形成するＡｇ−
Ｐｄペーストとの異種金属間の電気的腐食の課題があ
る。またこの構造においても、上部に外部電極が２箇所
露出しており、又上部電極をトリミングするためのレー
ザーパワーが、素子を実装している回路基板の銅パター
ンを加工するのに等しいパワーを必要とすることから、
回路基板にダメージを与えない為必ず素子上でレーザー
のトリミングを終了する必要があり、そのため対抗する
外部電極と直角方向の素子端部から上部電極を０．２〜
０．３ミリ内部に形成する必要があるという点に変わり
なく、素子を小型化する場合、コンデンサの容量寄与面
積の拡大が不十分である。
【００１０】このほか、回路基板としてガラスエポキシ
基板を用い、セラミックを材料とする従来のレーザート
リマブルコンデンサを用いた場合には、素子基板の熱膨
張係数がレーザートリマブルコンデンサのセラミック材
料と大きく異なるので、実装時や使用時の温度変化によ
るストレスが大きく、コンデンサの割れや、はんだのク
ラックを生じるという問題点もあった。
基板を用い、セラミックを材料とする従来のレーザート
リマブルコンデンサを用いた場合には、素子基板の熱膨
張係数がレーザートリマブルコンデンサのセラミック材
料と大きく異なるので、実装時や使用時の温度変化によ
るストレスが大きく、コンデンサの割れや、はんだのク
ラックを生じるという問題点もあった。
【００１１】本発明は、従来のレーザートリマブルコン
デンサの小型容量拡大や割れなどの課題を解決し、誘電
体に有機フィルム用いた薄型で、信頼性の高いレーザー
トリマブルコンデンサを提供することを目的とする。
デンサの小型容量拡大や割れなどの課題を解決し、誘電
体に有機フィルム用いた薄型で、信頼性の高いレーザー
トリマブルコンデンサを提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する、本
発明に係るレーザートリマブルコンデンサは、互いに絶
縁された１対の外部電極４が基板５の側面から下面にか
けて形成されていると共に基板５の上面に互いに絶縁さ
れた１対の下部電極３が形成されており、レーザーによ
りトリミングされる上部電極１が誘電体２を間に挟んで
下部電極３上に形成されているレーザートリマブルコン
デンサであって、誘電体２がＰＰＳ、シンジオタクチッ
クポリスチレンなどの有機フィルムからなり、基板５が
ポリイミドなどの有機フィルムからなると共に、下部電
極３が、銅が設けられた有機フィルムからなる基板５に
ニッケルおよび金メッキすることにより形成されている
ことを特徴とする。
発明に係るレーザートリマブルコンデンサは、互いに絶
縁された１対の外部電極４が基板５の側面から下面にか
けて形成されていると共に基板５の上面に互いに絶縁さ
れた１対の下部電極３が形成されており、レーザーによ
りトリミングされる上部電極１が誘電体２を間に挟んで
下部電極３上に形成されているレーザートリマブルコン
デンサであって、誘電体２がＰＰＳ、シンジオタクチッ
クポリスチレンなどの有機フィルムからなり、基板５が
ポリイミドなどの有機フィルムからなると共に、下部電
極３が、銅が設けられた有機フィルムからなる基板５に
ニッケルおよび金メッキすることにより形成されている
ことを特徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施の形態につい
て、図１から図３を用いて説明する。図１は、本発明の
レーザートリマブルコンデンサの構造を示す。
て、図１から図３を用いて説明する。図１は、本発明の
レーザートリマブルコンデンサの構造を示す。
【００１４】図１において上部電極１は、下部電極３−
ａと共に誘電体２を挟みコンデンサの容量を形成する。
又上部電極１は、下部電極３−ｂとは接続部７を通して
電気的に接続される。
ａと共に誘電体２を挟みコンデンサの容量を形成する。
又上部電極１は、下部電極３−ｂとは接続部７を通して
電気的に接続される。
【００１５】下部電極３−ａと３−ｂはマージン８によ
り電気的に絶縁されている。又３−ｂの寸法は前記接続
部７を構成するのに最小限必要な寸法に限定される。
り電気的に絶縁されている。又３−ｂの寸法は前記接続
部７を構成するのに最小限必要な寸法に限定される。
【００１６】本発明の一実施例では、前記接続部７を直
径０．１mmの円状に数箇所誘電体を除去し、更に前記上
部電極をこの上にスパッタ法で形成することにより、３
−ｂの寸法を０．２mmの最小寸法とした。
径０．１mmの円状に数箇所誘電体を除去し、更に前記上
部電極をこの上にスパッタ法で形成することにより、３
−ｂの寸法を０．２mmの最小寸法とした。
【００１７】又下部電極３−ａはコンデンサの容量を形
成する部分であり、製品の長さから３−ｂとマージン８
の寸法及び上部電極の製品外形とのクリアランスを除い
た最大の寸法を取る。ここで前記クリアランスとは、上
部電極１が製品端面にはみ出し、実装時に半田により外
部電極と接続されないようにするための隙間であり、本
案の一実施例では０．０５mm以下の微少な寸法で良い。
成する部分であり、製品の長さから３−ｂとマージン８
の寸法及び上部電極の製品外形とのクリアランスを除い
た最大の寸法を取る。ここで前記クリアランスとは、上
部電極１が製品端面にはみ出し、実装時に半田により外
部電極と接続されないようにするための隙間であり、本
案の一実施例では０．０５mm以下の微少な寸法で良い。
【００１８】この下部電極３−ａと３−ｂ及び上部電極
１の構成により、製品上部表面には外部電極を持たず、
上部電極１と下部電極３−ａの間に誘電体２を挟みコン
デンサの容量を形成する事ができる。
１の構成により、製品上部表面には外部電極を持たず、
上部電極１と下部電極３−ａの間に誘電体２を挟みコン
デンサの容量を形成する事ができる。
【００１９】この構造によると、コンデンサの容量は上
部電極１と、下部電極３−ｂとの間では発生せず、上部
電極１と下部電極３−ａ間の１つのコンデンサであり、
図２及び図３の物が２つのコンデンサの直列合成容量と
なり、上部電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当
する容量しか発生しない点と比較し、同一製品寸法でも
３倍以上の容量を得ることができる。
部電極１と、下部電極３−ｂとの間では発生せず、上部
電極１と下部電極３−ａ間の１つのコンデンサであり、
図２及び図３の物が２つのコンデンサの直列合成容量と
なり、上部電極１の面積の１／４以下の電極面積に相当
する容量しか発生しない点と比較し、同一製品寸法でも
３倍以上の容量を得ることができる。
【００２０】又上部電極１はレーザー光線により電極面
積をトリミングしコンデンサの容量を可変する作用を行
うもので、この金属は高周波領域での高いＱ値を得るた
めの導電性と、レーザー光線での加工性を考慮し、本案
の一実施例では厚さ０．２〜０．２５ミクロンのアルミ
スパッタ金属で形成した。
積をトリミングしコンデンサの容量を可変する作用を行
うもので、この金属は高周波領域での高いＱ値を得るた
めの導電性と、レーザー光線での加工性を考慮し、本案
の一実施例では厚さ０．２〜０．２５ミクロンのアルミ
スパッタ金属で形成した。
【００２１】なお上部電極１は厚さ０．１〜０．５ミク
ロンの薄膜金属で形成され、その材質が金、銀、アル
ミ、銅及びそれらを主成分とする材料であっても同等の
効果が得られる。
ロンの薄膜金属で形成され、その材質が金、銀、アル
ミ、銅及びそれらを主成分とする材料であっても同等の
効果が得られる。
【００２２】この上部電極の構成によれば、トリミング
はＹＡＧレーザーの基本波及び第２高調波の出力１００
ｍｗ以下で可能となる。
はＹＡＧレーザーの基本波及び第２高調波の出力１００
ｍｗ以下で可能となる。
【００２３】また図１において、誘電体２は１ＭＨｚ〜
１ＧＨｚの誘電体損失が０．０１以下で、厚みが１０ミ
クロン以下の有機物であり、その材質は、本案の一実施
例ではＰＰＳとしたが、シンジオタクチィクポリスチレ
ンであっても同様の効果が得られる。
１ＧＨｚの誘電体損失が０．０１以下で、厚みが１０ミ
クロン以下の有機物であり、その材質は、本案の一実施
例ではＰＰＳとしたが、シンジオタクチィクポリスチレ
ンであっても同様の効果が得られる。
【００２４】またこの誘電体は、下部電極３−ａと３−
ｂの上部を前面に覆い下部電極が誘電体の上部に現れな
いよう配置され接合される。
ｂの上部を前面に覆い下部電極が誘電体の上部に現れな
いよう配置され接合される。
【００２５】さらに図１において、基板５は基板の熱膨
張係数が、２０〜６０×１０-6／℃の有機フィルムであ
り、本案の一実施例ではポリイミドとした。
張係数が、２０〜６０×１０-6／℃の有機フィルムであ
り、本案の一実施例ではポリイミドとした。
【００２６】これにより誘電体材料を構成する有機フイ
ルムとの組み合わせにより、素子の厚みが０．４ミリ以
下でも、その柔軟性から割れを生じない。
ルムとの組み合わせにより、素子の厚みが０．４ミリ以
下でも、その柔軟性から割れを生じない。
【００２７】またこの構成により、回路基板としてガラ
スエポキシ基板を用いても、素子基板の熱膨張係数がセ
ラミックを材料とする従来の物に比べて上記回路基板と
近い為実装時や使用時の温度変化によるストレスが小さ
く、コンデンサの割れや、はんだのクラックを生じない
という作用を有する。
スエポキシ基板を用いても、素子基板の熱膨張係数がセ
ラミックを材料とする従来の物に比べて上記回路基板と
近い為実装時や使用時の温度変化によるストレスが小さ
く、コンデンサの割れや、はんだのクラックを生じない
という作用を有する。
【００２８】また図１において、保護膜６は前記厚さ
０．１〜０．５ミクロンの薄膜金属で形成された上部電
極１及び厚みが１０ミクロン以下の有機物で構成された
誘電体を実装時のダメージから保護する作用を有する物
で、本発明ではアクリル系樹脂からなる絶縁物の保護膜
を設けた。
０．１〜０．５ミクロンの薄膜金属で形成された上部電
極１及び厚みが１０ミクロン以下の有機物で構成された
誘電体を実装時のダメージから保護する作用を有する物
で、本発明ではアクリル系樹脂からなる絶縁物の保護膜
を設けた。
【００２９】なお本発明では、保護膜の材質をアクリル
系樹脂としたが、レーザー光線の透過性の良いその他の
絶縁物例えばＳｉＯ2等でもよい。
系樹脂としたが、レーザー光線の透過性の良いその他の
絶縁物例えばＳｉＯ2等でもよい。
【００３０】（実施の形態）図１を用いて本発明の１実
施の形態を説明する。
施の形態を説明する。
【００３１】図１において本発明のレーザートリマブル
コンデンサは大きさ１．６ミリ×０．８ミリである。
コンデンサは大きさ１．６ミリ×０．８ミリである。
【００３２】上部電極１は、厚さ０．２ミクロンのＡｌ
スパッタ薄膜であり、誘電体２は厚み１．５ミクロンの
ＰＰＳである。
スパッタ薄膜であり、誘電体２は厚み１．５ミクロンの
ＰＰＳである。
【００３３】３−ａと３−ｂの下部電極は銅にニッケル
及び金メッキを行っており、３−ａの寸法は製品の長さ
１．６ｍｍに対して１．２ｍｍある。
及び金メッキを行っており、３−ａの寸法は製品の長さ
１．６ｍｍに対して１．２ｍｍある。
【００３４】この構造により、本発明のレーザートリマ
ブルコンデンサは大きさ１．６ミリ×０．８ミリで容量
１７ｐＦを有し、これは、図３の本願発明者等が発明し
た誘電体に有機フィルム用いた従来のレーザートリマブ
ルコンデンサが３．２ミリ×２．５ミリで容量２１ｐＦ
である事と比較して格段の小型化を実現している。
ブルコンデンサは大きさ１．６ミリ×０．８ミリで容量
１７ｐＦを有し、これは、図３の本願発明者等が発明し
た誘電体に有機フィルム用いた従来のレーザートリマブ
ルコンデンサが３．２ミリ×２．５ミリで容量２１ｐＦ
である事と比較して格段の小型化を実現している。
【００３５】またＱ値は図３の構造のものと同等で、２
００ＭＨｚで２０以上を得ることができる。
００ＭＨｚで２０以上を得ることができる。
【００３６】レーザートリミングに要するレーザーパワ
ーも図３の構造のものと同等で、ＹＡＧレーザーの第二
高調波出力の場合２０〜６０ｍＷで加工可能である。
ーも図３の構造のものと同等で、ＹＡＧレーザーの第二
高調波出力の場合２０〜６０ｍＷで加工可能である。
【００３７】また基板５はポリイミドの厚み７５ミクロ
ンであり、熱膨張係数が、２０〜３０×１０-6／℃の有
機フィルムである。
ンであり、熱膨張係数が、２０〜３０×１０-6／℃の有
機フィルムである。
【００３８】また保護膜６は厚さ１０〜２０ミクロンの
アクリル系樹脂膜であり、上部電極１を保護するがレー
ザー光線の透過性が良好でありレーザーのトリミング性
には影響を与えない。
アクリル系樹脂膜であり、上部電極１を保護するがレー
ザー光線の透過性が良好でありレーザーのトリミング性
には影響を与えない。
【００３９】次に、図５及び図６を用いて、従来のセラ
ミックコンデンサを実装しトリミングする場合と、本発
明の構造によるレーザートリマブルコンデンサを実装し
レーザートリミングする状態を比較し、本発明の構造が
そのトリミング性から小型化、大容量化が可能な理由を
説明する。
ミックコンデンサを実装しトリミングする場合と、本発
明の構造によるレーザートリマブルコンデンサを実装し
レーザートリミングする状態を比較し、本発明の構造が
そのトリミング性から小型化、大容量化が可能な理由を
説明する。
【００４０】図４に、従来のセラミックコンデンサから
なるレーザートリミングコンデンサを回路基板に実装
し、レーザートリミングする状態を模式的に示す。
なるレーザートリミングコンデンサを回路基板に実装
し、レーザートリミングする状態を模式的に示す。
【００４１】容量拡大もしくは小型化のためには、誘電
体の厚みを薄くするか、又は上部電極を大きくする方法
がある。
体の厚みを薄くするか、又は上部電極を大きくする方法
がある。
【００４２】セラミックコンデンサでは上部電極を大き
くする為の弊害として、素子上部に露出している外部電
極との隙間が必要な点と、上部電極をトリミングするた
めのレーザーパワーが、１Ｗ程度と素子を実装している
回路基板１０の銅パターンを加工するのに等しいパワー
を必要とすることから、回路基板１０にダメージを与え
ない為必ず素子上でレーザー光線９によるトリミングの
開始と終了をする必要があり、そのため対抗する外部電
極と直角方向の素子端部から上部電極を０．２〜０．３
ミリ内部に形成する必要があるという点の２点から、実
際は素子面積の約５０％程度しか使用できないという限
界がある。
くする為の弊害として、素子上部に露出している外部電
極との隙間が必要な点と、上部電極をトリミングするた
めのレーザーパワーが、１Ｗ程度と素子を実装している
回路基板１０の銅パターンを加工するのに等しいパワー
を必要とすることから、回路基板１０にダメージを与え
ない為必ず素子上でレーザー光線９によるトリミングの
開始と終了をする必要があり、そのため対抗する外部電
極と直角方向の素子端部から上部電極を０．２〜０．３
ミリ内部に形成する必要があるという点の２点から、実
際は素子面積の約５０％程度しか使用できないという限
界がある。
【００４３】図６は本発明の構造によるレーザートリマ
ブルコンデンサを実装しレーザートリミングする状態を
模式的に示す。
ブルコンデンサを実装しレーザートリミングする状態を
模式的に示す。
【００４４】本発明の構造によれば、外部電極が誘電体
に覆われ上部に露出しないため、上部電極は対向する外
部電極方向に素子の長さと同等まで拡大できる。また本
発明の上部電極の構成によれば、トリミングはＹＡＧレ
ーザーの基本波及び第２高調波の出力１００ｍｗ以下で
可能なため、上部電極が対向する外部電極方向と直角方
向の素子の幅一杯に形成されていて、図中で示すように
レーザー光が素子以外の回路基板に照射されトリミング
が開始されても、回路基板に何らダメージが無い。この
ため本発明のレーザートリマブルコンデンサは上部電極
の面積を素子の面積とほぼ同じ大きさまで広げることが
できる。
に覆われ上部に露出しないため、上部電極は対向する外
部電極方向に素子の長さと同等まで拡大できる。また本
発明の上部電極の構成によれば、トリミングはＹＡＧレ
ーザーの基本波及び第２高調波の出力１００ｍｗ以下で
可能なため、上部電極が対向する外部電極方向と直角方
向の素子の幅一杯に形成されていて、図中で示すように
レーザー光が素子以外の回路基板に照射されトリミング
が開始されても、回路基板に何らダメージが無い。この
ため本発明のレーザートリマブルコンデンサは上部電極
の面積を素子の面積とほぼ同じ大きさまで広げることが
できる。
【００４５】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、また素子
の厚みが０．４ミリ以下でも、その柔軟性から割れを生
じず、また素子の熱膨張係数が回路基板と近い為、実装
時や使用時の温度変化によるストレスによるコンデンサ
の割れや、はんだのクラックを生じないという効果が得
られ信頼性の高いコンデンサを提供することができる。
の厚みが０．４ミリ以下でも、その柔軟性から割れを生
じず、また素子の熱膨張係数が回路基板と近い為、実装
時や使用時の温度変化によるストレスによるコンデンサ
の割れや、はんだのクラックを生じないという効果が得
られ信頼性の高いコンデンサを提供することができる。
【００４６】また、下部電極の構造を片側は上部電極と
共に誘電体２を挟みコンデンサの容量を形成し、又片側
は接続部を通して上部電極と電気的に接続する構造にす
ることにより、従来構造に比較して同一上部電極面積に
対し大きな容量を得ることができ、又従来構造と同じく
上部電極の面積を素子の面積とほぼ同じ大きさまで広げ
ることができるため、容量拡大もしくは小型化が可能と
なる。
共に誘電体２を挟みコンデンサの容量を形成し、又片側
は接続部を通して上部電極と電気的に接続する構造にす
ることにより、従来構造に比較して同一上部電極面積に
対し大きな容量を得ることができ、又従来構造と同じく
上部電極の面積を素子の面積とほぼ同じ大きさまで広げ
ることができるため、容量拡大もしくは小型化が可能と
なる。
【００４７】
【図１】（ａ）本発明の一実施例の形態によるレーザー
トリマブルコンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
トリマブルコンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
【図２】（ａ）従来のセラミックレーザートリマブルコ
ンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
ンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
【図３】（ａ）従来の有機フィルムレーザートリマブル
コンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
コンデンサの平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
【図４】（ａ）セラミックレーザートリマブルコンデン
サの小形化案の平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
サの小形化案の平面図 （ｂ）同断面図 （ｃ）同底面図
【図５】従来のレーザートリマブルコンデンサの実装さ
れてトリミングされる状態を示す図
れてトリミングされる状態を示す図
【図６】本発明のレーザートリマブルコンデンサの実装
されてトリミングされる状態を示す図
されてトリミングされる状態を示す図
１上部電極 ２誘電体 ３下部電極 ４外部電極 ５基板 ６保護膜 ７上部電極と下部電極との接続部 ８下部電極のマージン部 ９レーザー光 １０回路基板
フロントページの続き (72)発明者 砂流 伸樹 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−34522（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−12958（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−104430（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−98911（ＪＰ，Ａ) 実開 昭63−33619（ＪＰ，Ｕ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01G 4/255
Claims (5)
- 【請求項１】 互いに絶縁された１対の外部電極（４）
が基板（５）の側面から下面にかけて形成されていると
共に基板（５）の上面に互いに絶縁された１対の下部電
極（３）が形成されており、レーザーによりトリミング
される上部電極（１）が誘電体（２）を間に挟んで前記
下部電極（３）上に形成されているレーザートリマブル
コンデンサであって、 前記誘電体（２）がＰＰＳ、シンジオタクチックポリス
チレンなどの有機フィルムからなり、前記基板（５）が
ポリイミドなどの有機フィルムからなると共に、前記下
部電極（３）が、銅が設けられた有機フィルムからなる
基板（５）にニッケルおよび金メッキすることにより形
成されていることを特徴とする、レーザートリマブルコ
ンデンサ。 - 【請求項２】 前記互いに絶縁された１対の下部電極
（３）のいずれか一方の下部電極（３−ｂ）が接続部
（７）を介して前記上部電極（１）と電気的に接続され
ている、請求項１に記載のレーザートリマブルコンデン
サ。 - 【請求項３】 前記基板（５）を構成する有機フィルム
がポリイミドからなる、請求項１または２のいずれかに
記載のレーザートリマブルコンデンサ。 - 【請求項４】 前記基板（５）を構成する有機フィルム
の熱膨張係数が２０〜６０×１０-6／℃である、請求項
１から３までのいずれかに記載のレーザートリマブルコ
ンデンサ。 - 【請求項５】 厚みが０．４ミリ以下である、請求項１
から４までのいずれかに記載のレーザートリマブルコン
デンサ。
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