JPH098506A - 帯域阻止フィルタ - Google Patents

帯域阻止フィルタ

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JPH098506A
JPH098506A JP7154335A JP15433595A JPH098506A JP H098506 A JPH098506 A JP H098506A JP 7154335 A JP7154335 A JP 7154335A JP 15433595 A JP15433595 A JP 15433595A JP H098506 A JPH098506 A JP H098506A
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JP
Japan
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dielectric
conductor
outer conductor
electrode
dielectric resonator
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Pending
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JP7154335A
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English (en)
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Toshiharu Noguchi
敏春 野口
Hiroshi Ono
博司 大野
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Priority to US08/665,712 priority patent/US5783978A/en
Publication of JPH098506A publication Critical patent/JPH098506A/ja
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01PWAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00Auxiliary devices
    • H01P1/20Frequency-selective devices, e.g. filters
    • H01P1/201Filters for transverse electromagnetic waves
    • H01P1/205Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities
    • H01P1/2053Comb or interdigital filters; Cascaded coaxial cavities the coaxial cavity resonators being disposed parall to each other

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】 本発明は、小型で結合容量、接地容量として
の機能を有する機能性、汎用性に優れた誘電体共振器
と、高機能性の誘電体共振器を用いた、簡単な構成で部
品点数、製造工数が少なく、小型化することができる生
産性、量産性に優れた帯域阻止フィルタを提供すること
を目的とする。 【構成】 誘電体材料よりなる誘電体基体101と、誘
電体基体101に形成された貫通孔102と、誘電体基
体101の外側面に形成された外導体103a,103
b,103c,103dと貫通孔102の側面に形成さ
れた内導体104と、外導体103a,103b,10
3c,103dと内導体とを連結する連結導体105と
を備えた誘電体共振器であって、外導体103a,10
3b,103c側面に形成された電極切欠溝部110,
111,112中に、独立結合用電極部107,10
8,109を備えた構成からなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は携帯電話や無線電話の通
信機器等に広く使用される帯域阻止フィルタに関するも
のである。
【0002】
【従来の技術】以下に従来の誘電体共振器について説明
する。
【0003】図8(a)は従来の誘電体共振器の外観斜
視図であり、図8(b)は図8(a)のA−A線におけ
る断面図である。801は誘電体材料よりなり外形が四
形柱状に形成された誘電体基体、802は誘電体基体8
01の端面の中心部に形成された貫通孔、803は誘電
体基体801の外側面に形成された外導体、804は貫
通孔802の側面に形成された内導体、805は誘電体
基体801の片端面に形成された外導体803と内導体
804とを連結するための連結導体層、806は連結導
体805が形成されず誘電体基体801が露出している
開放端面である。
【0004】以上のように構成された従来の誘電体共振
器を用いた従来の帯域阻止フィルタについて以下説明す
る。
【0005】図9は一般的な帯域阻止フィルタの等価回
路図である、図9においてDRはインダクタンスとキャ
パシタンスの並列回路で表された誘電体共振器等価回
路、Ccはそれぞれの誘電体共振器等価回路DRと接続
された結合容量、Lは隣接する結合容量Cc同士を接続
する結合インダクタンス、Ceはそれぞれの結合容量C
cと接続された接地容量、Tは両端部の結合容量Cc、
接地容量Ceと接続された信号の入出力を行うための入
出力端子部である。
【0006】図10は従来の帯域阻止フィルタの外観斜
視図である、図10において、1003は厚さ0.15
mmのリン青銅板にハンダメッキを施して形成され、誘
電体共振器1002の内導体1001と接合された中心
導体、1004は誘電体材料で作製された誘電体板、1
005は誘電体板1004の上面に配設されて中心導体
1003と接合された第1の誘電体板電極、1006は
誘電体板1004の下面に配設されて誘電体板100
4、第1の誘電体板電極1005とともに図9に示す結
合容量Ccとなる第2の誘電体板電極、1007は隣接
する第2の誘電体板電極1006同士を接続して図9に
示す結合インダクタンスLとなる空芯コイル、1008
は厚さ0.15mmのリン青銅板にハンダメッキを施し
て形成された両端部の第2の誘電体板電極1006と接
合されて図9に示す入出力端子部Tとなる入出力端子、
1009は誘電体材料で作製された結合基板、1010
は結合基板1009の上面に形成されて第2の誘電体板
電極1006と接合された結合基板電極、1011は結
合基板1009の下面に形成されて結合基板1009、
結合基板電極1010とともに図9に示す接地容量Ce
となる接地電極である。また、1012は金属シャー
シ、1013は金属カバーで厚さ0.15mmのリン青
銅板にハンダメッキを施して形成されたもので、シール
ドの働きをしている。
【0007】また、このほかにも従来技術として同軸共
振器およびこれを用いた誘電体フィルタ(特開平6−1
3802号公報)が提案されている、この技術内容とし
ては図11に示すように、貫通孔1102を有する誘電
体材料よりなり外形が四形柱状に形成された誘電体基体
1101に外導体1105を形成し、貫通孔1102に
内導体1103を形成し、外導体1105と内導体11
03を接続する連結導体1104を有し、その外導体面
に独立結合用電極部1106,1107を形成し、内導
体1103と独立結合用電極部1106,1107との
間で容量を構成する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来技術
で前者構成では、帯域阻止フィルタを製造する際に、誘
電体共振器と結合インダクタンスの他に、結合容量、接
地容量が外部回路に必要となり、帯域阻止フィルタを小
型化にすることができないという欠点、また、部品点数
が多く原価を上げ生産性に欠けるという課題、さらに構
造が複雑で製造工数が多く量産性に欠けるという問題点
があった。
【0009】また、後者では独立電極を共振器開放端側
に外導体電極を残存させずに形成しているため、次の問
題を有していた。
【0010】(1)共振器寸法独立電極を形成した部分
だけ長くなる。一般的に誘電体共振器をある周波数(f
oMHz)で、共振させたときの共振器長(Lmm)と
共振周波数(foMHz)の関係は fo=C/4√εL ここで、Cは光速、εは誘電率をあらわす。ここで、同
一共振周波数で共振させようとすると、従来共振器Lo
で共振していたが、独立電極を形成すると、その軸方向
の長さだけ共振器長が短くなったようになり、共振周波
数は高くなる。よって同一共振周波数で共振させるには
共振器長を長くしなければならない。
【0011】(2)フィルタを構成したとき、減衰特性
が劣化する。共振器開放端側に外導体が無いために、開
放端側に接地表面電流が流れず、電磁界が漏れだし、共
振器間で不要な結合が発生しフィルタを構成した場合、
減衰量が劣化する。
【0012】本発明は上記従来の問題点を解決するもの
で、小型で結合容量、接地容量としての機能を有する機
能性、汎用性に優れた誘電体共振器と、高機能性の誘電
体共振器を用いた、簡単な構成で部品点数、製造工数を
削減するとともに、小型化にすることが可能で生産性、
量産性に優れた帯域阻止フィルタを提供することを目的
とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、貫通孔を有する角柱形状の誘電体基体と、
誘電体基体の外側面に設けられた外導体と、誘電体基体
の内側面に設けられた内導体と、誘電体基体の一方の端
面を、外導体と内導体を連結する連結導体を備え、外導
体の側面に電気的に未接触の独立結合用電極部と電極切
欠溝部を設け、独立結合用電極部を構成する電極切欠溝
部が外導体の開放端面側に達せず、外導体が開放端面側
に残存し、少なくとも外導体の一側面以上に独立結合用
電極部を設けたことを特徴とする。
【0014】さらに前記の誘電体共振器を用い、誘電体
共振器の外導体で独立結合用電極部を有さない外導体側
面同志を導電性部材により電気的に複数連設接続固定
し、独立結合用電極部間をインダクタで接続したことを
特徴とする帯域阻止フィルタである。
【0015】さらに前記の誘電体共振器において、少な
くとも二つの独立結合用電極部を入出力用電極端子部と
し、外部回路と直接半田または、導電性接着剤等の導電
性部材により電気的に接続固定することが望ましい。
【0016】
【作用】この構成によって、誘電体共振器の独立結合用
電極部と、内導体と対向する部分と、外導体とのギャプ
間の部分が、それぞれの容量として機能を有するため、
これらを結合容量、接地容量として用いることができ
る。しかもその容量は、独立結合用電極部パターンと外
導体とのギャップ、かつ内導体の形状を変えることで自
由に設定することもできる。また独立結合用電極部を直
接外部回路と半田および導電性接着剤等の導電性部材で
接続できる。この誘電体共振器からなる帯域阻止フィル
タを製作することによって、結合容量、接地容量、誘電
体共振器を接続するための中心導体および入出力端子を
別途配設する必要がなくなり、さらに独立結合用電極部
の一部を細線化することにより、インダクタンス成分を
外導体部に内臓化でき、コイル部品を削減することも可
能で部品点数、製造工数を削減するとともに、小型化に
することができる。
【0017】また、誘電体共振器の独立結合用電極部を
形成した外導体の側面に開放端面側に外導体の一部分を
残すことにより、誘電体共振器の長手方向の寸法を短く
することができるので安価で安定した形状になる、さら
に電気特性においては高帯域側の減衰量を改善すること
ができる、しかも外部回路へのシールドを容易に接続す
ることができるのでシールド性を向上させ、金属シャー
シ、金属カバーをなくすこともできる。
【0018】
【実施例】
(実施例1)以下本発明の第1実施例における誘電体共
振器について、図面を参照しながら説明する。図1
(a)は本発明の第1実施例の誘電体共振器の上面外観
斜視図、図1(b)は同下面外観斜視図である。101
は角柱形状を有する誘電体基体、102は誘電体基体1
01の端面の中心部に長手方向に形成された貫通孔、1
03a,103b,103c,103dは四側面の外導
体、104は内導体、105は連結導体、106は開放
端面であり、これらは従来例と同様なものなので説明を
省略する。107は外導体103a側面に形成された独
立結合用電極部、108は外導体103b側面に形成さ
れた独立結合用電極部、109は外導体103c側面に
形成された独立結合用電極部、110は外導体103a
側面に形成された電極切欠溝部で、独立結合用電極部1
07は電極切欠溝部110中に設けられている。111
は外導体103b側面に形成された電極切欠溝部で、独
立結合用電極部108は電極切欠溝部111中に設けら
れている。112は外導体103c側面に形成された電
極切欠溝部で、独立結合用電極部109は電極切欠溝部
112中に設けられている。しかも各独立結合用電極部
107,108,109は電気的に接続されている。
【0019】以上のように構成された本発明の一実施例
における誘電体共振器について、以下その製造方法を説
明する。初めに、原材料(BaCO3−TiO2−Nd2
3系で比誘電率=95の特性を有する材料)を所定量
づつ配合し、この配合物をボールミル等を用いて24時
間湿式混合する。次にこの湿式混合物にPVA有機バイ
ンダーを3重量パーセント添加しスプレードライヤー等
を用いて粒度の調整を行い造粒する。次に造粒物を乾式
プレスを用い圧力700Kg/cm2で所定の形状に成形
し、その成形物を焼成炉で大気中1300℃〜1400
℃の温度で焼結させ、貫通孔102を有する四角柱の誘
電体基体101(比誘電率=95)を作成(長手寸法8
mm、各辺3mm、孔径0.8mm)する。次に誘電体基体1
01面に導体膜を形成する。導体膜を形成する場合、い
ろいろな材料と形成方法があるので例を挙げて説明す
る。まず第1の方法として、導体膜を構成する材料に銅
を用いた例について説明する。
【0020】誘電体基体101の表面をバレル研磨機や
ブラスト装置によって粗面化し、その後エッチング処理
を施して、誘電体基体101の表面粗度を5μm〜9μ
m程度に調整する。この時エッチング液としては例えば
HF−HNO3系のものを用いる。次に誘電体基体10
1の全表面を塩化第1錫等を用いて感受性化処理を行
い、全表面に触媒金属となるパラジウムを付着させ、誘
電体基体101の一部にレジスト膜を形成する。すなわ
ち誘電体基体101の導体膜が付着してはならない部分
(電極切欠溝部110,111,112となる部分)に
レジスト膜を形成する。レジスト膜はレジストインクを
印刷技術や転写技術を用いて誘電体基体101面に塗布
し、その塗布したレジストインクを乾燥硬化させ形成す
る。次に、この様に加工された誘電体基体101を無電
解銅鍍金法を用いて、誘電体基体101面に薄い第1の
銅膜を形成する。この時、第1の銅膜はレジスト膜が形
成されていない部分にのみ選択的に形成される。次に電
解銅鍍金法にて第1の銅膜の上に第2の銅膜を積層し、
導体膜を形成する。この時、導体膜は5μm程度になる
ように形成する。そして最後にレジスト膜を溶剤等で溶
かし電極を形成する。なおこの製造方法ではレジスト膜
を印刷で誘電体基体101の所定の位置にレジストイン
クを塗布した後に乾燥硬化させる方法で形成したが、レ
ジストとして感光性レジストを用いることもできる。す
なはちパラジウム等の触媒金属を誘電体基体101に付
着させた後に、誘電体基体101全表面に感光性レジス
トを塗布し、露光させて所定の部分の感光性レジストの
みを硬化させ、そして現像剤によって感光性レジストが
硬化していない部分を洗い流し、所定の電極を形成す
る。
【0021】他の方法としては、Agペースト液を誘電
体基体101の全表面に印刷またはデップ法で塗布し、
乾燥した後に800℃〜900℃の温度で熱処理を行う
事によって、導体膜を誘電体基体101の全表面に形成
してもよい。さらに全表面導体膜形成後、ケミカルエッ
チング、ドライエッチング等のエッチング技術を用いて
不要部分の導体膜を削除し、所定の電極を形成してもよ
い。
【0022】また他の方法として、誘電体基体101全
表面に導体膜を形成した後に、切削加工、超音波加工や
レーザー加工等を施して物理的に除去し所定の電極を形
成する。以上のように作成された誘電体共振器について
以下その動作を説明する。
【0023】誘電体共振器の外導体103a,103
b,103c側面に形成された電極切欠溝部110,1
11,112の中に形成された独立結合用電極部10
7,108,109と内導体104とが誘電体基体10
1を介して対向しており、これは結合容量Ccとして働
き、外導体103a,103b,103cと独立結合用
電極部107,108,109とのギャプ、(すなわち
電極切欠溝部110,111,112の幅)間で接地容
量Ceとして用いることができる。
【0024】図2は本発明の第1実施例の誘電体共振器
からなる帯域阻止フィルタの外観斜視図である。20
1,202は本発明の第1実施例における誘電体共振器
で誘電体共振器201も誘電体共振器202とほぼ同じ
構成を有している。ほぼ同じ構成と記述したのは、図2
からもわかるように、誘電体共振器201と誘電体共振
器202は互いに鏡面対称の関係になっている。誘電体
共振器201と誘電体共振器202は独立結合用電極部
を有さない外導体203d同志が対向するように突き合
わせてクリーム半田あるいは導電性接着剤等の導電性部
材で互いに接合している。204は両共振器の独立結合
用電極部205,206を電気的に接続しインダクタン
ス成分を得るための空芯コイルである。さらに空芯コイ
ルの代わりにチップコイルを用いてもよい、接続はクリ
ーム半田等を用いている。ここで、結合容量Ccと接地
容量Ceそれぞれ独立結合用電極部面積、電極切欠溝部
幅を変えることにより調整でき、それぞれ所望の容量と
することができる。しかも、結合容量Ccについては誘
電体共振器の内導体の形状を変えることによっても調整
が可能である。例えば、各辺の長さ3mm、内径0.8
mm、誘電率=95で独立結合用電極幅1.5mm、外
導体と独立電極間ギャップ1.2mmとしたとき、結合
容量Ccは2.5pF、接地容量Ce1.3pFとな
る。結合容量Ccを2.5pF、接地容量Ceを1.3
pF、空芯コイル204を7nHとしたときの特性図を
図3に示す、図中の(a)は本フィルタの伝搬特性であ
り、(b)は反射損を示している。同図に示されている
ように通過帯域周波数が860〜880MHZで935
〜950MHZに於ける減衰量が−54db以上と優れ
た値が得られており本発明の帯域阻止フィルタの有効性
が確認できる。図4は本発明の第1実施例の帯域阻止フ
ィルタを実装用プリント基板上に装着した状態を示す外
観斜視図である。図4において401はガラス・エポキ
シ樹脂等の絶縁材料で構成されたプリント基板、40
2,403はそれぞれプリント基板401上に形成され
た入出力線路、404は同様にプリント基板401上に
形成された接地線路である。入出力線路402,403
には誘電体共振器の独立結合用電極部406,407、
が半田405等の導電性部材で接合されており、さらに
接地線路404は誘電体共振器の外導体が半田405等
の導電性部材で接合されている。
【0025】図5は本発明の第1実施例の誘電体共振器
を3個用いて構成した帯域阻止フィルタの外観斜視図で
ある。図5において501,503は(実施例1)に示
す誘電体共振器と同じ構成である。502は誘電体共振
器501と誘電体共振器503の間に設けられた誘電体
共振器で、誘電体共振器502には外導体面に独立結合
用電極部507がほどこされており誘電体共振器50
1,503の独立結合用電極部506,508と空芯コ
イル504,505を介して電気的に接続されている。
さらに誘電体共振器501,503の外導体509,5
12は誘電体共振器502の外導体510,511はそ
れぞれ外導体509と510、外導体511と512が
対向するように突き合わせてクリーム半田あるいは導電
性接着剤等の導電性部材で互いに接合されている。
【0026】(実施例2)図6は本発明の第2実施例に
おける誘電体共振器について、図面を参照しながら説明
する。図6(a)は本発明の第2実施例の誘電体共振器
の上面外観斜視図、図6(b)は同下面外観斜視図であ
る。601は誘電体基体、602は貫通孔、603a,
603b,603c,603dは四側面の外導体、60
4は内導体、605は連結導体、606は開放端面であ
り、これらは従来例と同様なものなので説明を省略す
る。607は外導体603a側面に形成された独立結合
用電極部、608は外導体603b側面に形成された独
立結合用電極部、609は外導体603c側面に形成さ
れた独立結合用電極部、610は外導体603a側面に
形成された電極切欠溝部で、独立結合用電極部607は
電極切欠溝部610中に設けられている。611は外導
体603b側面に形成された電極切欠溝部で、独立結合
用電極部608は電極切欠溝部611中に設けられてい
る。612は外導体603c側面に形成された電極切欠
溝部で、独立結合用電極部609は電極切欠溝部612
中に設けられている。しかも各独立結合用電極部60
7、608、609は電気的に接続されている。
【0027】第1実施例と異なるところは各独立結合用
電極部607の形状を細線化して、インダクタンス部分
を形成したことである。
【0028】図7に本発明の第2実施例の誘電体共振器
からなる帯域阻止フィルタの外観斜視図を示す。70
1,702は本発明の第2実施例における誘電体共振器
で誘電体共振器701も誘電体共振器702とほぼ同じ
構成を有している。ほぼ同じ構成と記述したのは、図7
からもわかるように、誘電体共振器701と誘電体共振
器702は互いに鏡面対称の関係になっている。70
5,706は誘電体共振器701,702の外導体70
3a側面に細線化された電極でインダクタンス成分を持
った独立結合用電極部である。誘電体共振器701と誘
電体共振器702は外導体703d側面同志が対向する
ように突き合わせてクリーム半田あるいは導電性接着剤
等の導電性部材で互いに接合されている。704は両共
振器の独立結合用電極部705,706を電気的に接続
する半田である。
【0029】ここで、結合容量Ccと接地容量Ceそれ
ぞれ独立結合用電極部705,706の面積、電極切欠
溝部幅を変えることにより容量値を調整できそれぞれ所
望の容量とすることができる。さらに結合容量Ccにつ
いては、誘電体共振器701,702の内導体の形状を
変えることによって調整が可能である、さらに誘電体共
振器701と誘電体共振器702の結合は細線化してイ
ンダクタンス成分を持った独立結合用電極部705,7
06を結合させておこない、インダクタンス値の調整は
細線化電極の線路長の長さを変えることによっても可能
になる。
【0030】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように本発明
は、上記の構成によって、誘電体共振器の独立結合用電
極部と、内導体と対向する部分と、外導体とのギャプ間
の部分が、それぞれの容量として機能を有するため、こ
れらを結合容量、接地容量として用いることができる。
しかも、これらの容量は独立結合用電極部パターンと外
導体とのギャップ、さらには内導体の形状を変えること
で自由に設定することができる、さらに独立結合用電極
部を直接外部回路と半田および導電性接着剤等の導電性
部材で接続できる。この誘電体共振器からなる帯域阻止
フィルタを製作することによって、結合容量、接地容
量、誘電体共振器を接続するための中心導体および入出
力端子を別途配設する必要がなくなり、さらに独立結合
用電極部の一部を細線化することによって、インダクタ
ンス成分を外導体部に内臓化でき、コイル部品を削減す
ることが可能で部品点数、製造工数を削減するとともに
小型化にすることができる。また、誘電体共振器の独立
結合用電極部を形成した外導体の側面に開放端面側に外
導体の一部分を残すことにより、誘電体共振器の長手方
向の寸法を短くすることができるので安価で安定した形
状になる、さらに電気特性においては高帯域側の減衰量
を改善することができる、しかも外部回路へのシールド
を容易に接続することができるのでシールド性を向上さ
せ、金属シャーシ、金属カバーをなくすことができ生産
性、量産性に優れた帯域阻止フィルタを実現できるもの
である。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)本発明の第1実施例の誘電体共振器の上
面外観斜視図 (b)本発明の第1実施例の誘電体共振器の下面外観斜
視図
【図2】本発明の第1実施例の誘電体共振器からなる帯
域阻止フィルタの外観斜視図
【図3】本発明の第1実施例の帯域阻止フィルタの特性
【図4】本発明の第1実施例の帯域阻止フィルタを実装
用プリント基板上に装着した状態を示す外観斜視図
【図5】本発明の第1実施例の誘電体共振器を3個用い
て構成した帯域阻止フィルタの外観斜視図
【図6】(a)本発明の第2実施例の誘電体共振器の上
面外観斜視図 (b)本発明の第2実施例の誘電体共振器の下面外観斜
視図
【図7】本発明の第2実施例の誘電体共振器からなる帯
域阻止フィルタの外観斜視図
【図8】(a)は従来の誘電体共振器の外観斜視図 (b)は図8(a)のA−A線における断面図
【図9】一般的な帯域阻止フィルタの等価回路図
【図10】従来の帯域阻止フィルタの外観斜視図
【図11】従来の誘電体共振器の外観斜視図
【符号の説明】
101、601、801、1101 誘電体基体 102、602、802、1102 貫通孔 103a,103b,103c,103d、203d、
509,510,511,512、603a,603
b,603c,603d、703a,703d、80
3、1105 外導体 104,604,804、1001、1103 内導体 105,605,805、1104 連結導体 106,606,806 開放端面 107,108,109、205,206、406,4
07、506,507,508、607,608,60
9、705,706、1106,1107 独立結合用
電極部 110,111,112、610,611,612 電
極切欠溝部 201,202、501,502,503、701,7
02、1002 誘電体共振器 204、504,505、1007 空芯コイル 401 プリント基板 402,403 入出力線路 404 接地線路 405、704 半田 1003 中心導体 1004 誘電体板 1005 第1の誘電体板電極 1006 第2の誘電体板電極 1009 結合基板 1010 結合基板電極 1011 接地電極 1012 金属シャーシ 1013 金属カバー

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】貫通孔を有する角柱形状の誘電体基体と、
    前記誘電体基体の外側面に設けられた外導体と、前記誘
    電体基体の内側面に設けられた内導体と、前記誘電体基
    体の一方の端面を、前記外導体と前記内導体を連結する
    連結導体を備え、前記外導体の側面に電気的に未接触の
    独立結合用電極部と電極切欠溝部を設け、前記独立結合
    用電極部を構成する前記電極切欠溝部が前記外導体の開
    放端面側に達せず、前記外導体が前記開放端面側に残存
    し、少なくとも前記外導体の一側面以上に前記独立結合
    用電極部を設けたことを特徴とする帯域阻止フィルタ。
  2. 【請求項2】外導体で前記独立結合用電極部を有さない
    外導体側面同志を導電性部材により電気的に複数連設接
    続固定し、前記独立結合用電極部間をインダクタで接続
    したことを特徴とする請求項1記載の帯域阻止フィル
    タ。
  3. 【請求項3】少なくとも二つの前記独立結合用電極部を
    入出力用電極端子部とし、外部回路と直接半田または、
    導電性接着剤の導電性部材により電気的に接続固定した
    ことを特徴とする請求項1記載の帯域阻止フィルタ。
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