TW201436918A - 用於工件分離的方法及裝置及藉此製造的物品 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種用於自一共同基板分離一工件之方法。該方法包括以下步驟：提供該工件；在一射束源中產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改該工件的一部分；基於該工件之一特徵測定用於建立一修改區的一深度；以及修改該工件內之複數個區以形成複數個修改區。修改複數個區包括：將來自該射束源之一輸出的該雷射脈衝束導向至該工件上；引起該工件與該射束源之該輸出之間的相對運動，同時將該雷射脈衝束導向至工件上；以及在產生大量脈衝之後修改該射束之該脈衝的一特徵，其通常相應於建立該修改區至經測定的該深度。

Description

用於工件分離的方法及裝置及藉此製造的物品 【相關申請案之交互參照】
本申請案為美國非臨時申請案。本申請案主張2013年8月16日申請之美國臨時申請案第61/866,736號、2013年2月19日申請之美國臨時申請案第61/766,274號、2012年12月10日申請之美國臨時申請案第61/735,489號以及2012年9月21日申請之美國臨時申請案第61/704,038號之權益，該美國臨時申請案之內容以全文引用方式納入本文以達所有目的。
本發明之實施例通常係關於用於分離諸如玻璃片、晶圓、基板等等的工件之方法。
包括薄玻璃基板之硬光學材料，不論是否經化學強化、熱強化或未經強化，其已在消費性電子產品及其他行業中得到廣泛應用。例如，化學強化玻璃基板及熱強化玻璃基板已用作封蓋基板，其用於併入行動電話、顯示設備(諸如電視及電腦監視器)以及多種其他電子設備中的LCD與LED顯示器以及觸控應用。為降低與製造此類消費性電子設備相關聯之成本，將大型基板或共同基板自硬光學材料製造商運送至材料使用者，且隨後該使用者使用諸如機械劃痕輪或雷射之設備自共同基板單一化個別基 板。
然而，當共同玻璃基板係由化學強化或熱強化玻璃形成時，自共同玻璃基板單一化個別玻璃基板可為尤其困難的。例如，壓縮應力與儲存於中央張力區內的彈性能之量級可使得難以對化學強化或熱強化玻璃進行切割及精整。高表面壓縮層及深壓縮層使得難以如傳統劃線及彎曲製程中一樣來對玻璃基板機械地劃線。此外，若中央張力區中儲存的彈性能足夠高，則當表面壓縮層遭穿透時，玻璃可以爆裂方式破裂。在其他情況下，彈性能之釋放可導致該破裂偏離分離路徑。類似地，對適於用作電子顯示器之封蓋材料的其他硬光學材料分離或單一化亦存在困難，該材料諸如剛玉、陶瓷、半導體、金屬或金屬合金以及玻璃陶瓷。因此，存在對用於分離包括硬光學材料之強化玻璃基板的可靠方法之需要。
本發明的一態樣為一種用於自一共同基板分離一工件之方法，該方法包括：提供該工件，其具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的一內部；在一射束源中產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改該工件的一部分；基於該工件之一特徵測定用於建立一修改區的一深度；以及修改該工件內之複數個區以形成複數個修改區，各修改區自該工件之該第二表面延伸至該內部中，其中修改該複數個區包括：將來自該射束源之一輸出的該雷射脈衝束導向至該工件上，以使得該射束內之雷射脈衝穿過該工件之該第一表面進入該內部中並朝向該第二表面；引起該工件與該射束源之該輸出之間的相對運動，同時將該雷射脈衝束導向至工件上；以及在產生大量脈衝之後修 改該射束之該脈衝的一特徵，該修改通常相應於建立該修改區至該經測定深度。
本發明的另一態樣為一種用於自一共同基板分離一工件之裝置，該裝置包括：一卡盤，其用來處置該工件，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的一內部；一射束定位器；一射束源，其用於產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改該工件內之複數個區以形成複數個修改區，各修改區自該工件之該第二表面延伸至該內部中，其中修改該複數個區包括：將來自該射束源之一輸出的該雷射脈衝束導向至該工件上，以使得該射束內之雷射脈衝穿過該工件之該第一表面進入該內部中並朝向該第二表面；引起該工件與該射束源之該輸出之間的相對運動，同時將該雷射脈衝束導向至工件上；以及在產生大量脈衝之後修改該射束之該脈衝的一特徵，該修改通常相應於建立該修改區至一預定深度。
100‧‧‧工件
102‧‧‧第一表面
104‧‧‧第二表面
106‧‧‧內部
108‧‧‧第一壓縮區
110‧‧‧第二壓縮區
112‧‧‧中央張力區
114‧‧‧分離路徑
200‧‧‧修改區
300‧‧‧光軸
302‧‧‧空間強度分佈
304‧‧‧雷射脈衝
306‧‧‧初始斷裂部分
400‧‧‧雷射脈衝
402‧‧‧工件移動方向
404‧‧‧射束移動方向
406‧‧‧後繼破裂部分
500‧‧‧脈衝/猝發
502‧‧‧特徵
600‧‧‧分離路徑
602‧‧‧斑點
604‧‧‧斑點
700‧‧‧工件處理裝置
702‧‧‧射束源
704‧‧‧支撐件
706‧‧‧雷射頭
708‧‧‧透鏡
800‧‧‧載體
802‧‧‧工件處理系統
804‧‧‧緩衝站
806‧‧‧流體通道
808‧‧‧真空保持通道
810‧‧‧支撐軌
812‧‧‧台架
814‧‧‧耦接器
816‧‧‧卡盤
818‧‧‧提升銷
820‧‧‧轉移自動機
822‧‧‧水平致動器
824‧‧‧框架
826‧‧‧欄架
圖1A為例示根據本文示範性描述之一或多個實施例的工件的平面圖，該工件可沿分離路徑之一實施例分離。
圖1B為例示可沿分離路徑分離的工件之一實施例的橫截面視圖，該橫截面視圖係沿圖1A中所示之線IB-IB截取。
圖2為複數個修改區已沿分離路徑形成之後的圖1B中所示之工件的橫截面視圖。
圖3A、圖4A及圖5A為例示脈衝計時的脈衝計時圖表，雷射脈衝可以 該脈衝計時受導向來碰撞於工件上，以便形成圖2中所示之修改區。
圖3B、圖4B及圖5B為示意性地例示修改區形成之各種階段的放大橫截面視圖，該形成係由於雷射脈衝根據圖3A、圖4A及圖5A中分別所示之脈衝計時碰撞於工件上而產生。
圖6為例示根據本文示範性描述之一或多個實施例的分離路徑之另一實施例的平面圖，工件可沿該分離路徑分離。
圖7示意性地例示根據一實施例的包括射束源之工件處理裝置，該射束源可操作來形成修改區，諸如相對於圖2示範性描述之彼等區域。
圖8至圖11示意性地例示可併入圖7中所示之工件處理裝置中的射束源之其他實施例。
圖12為描述用工件處理裝置來處理工件的方法之一實施例的流程圖。
圖13A為示意性地例示工件載體之一實施例的平面圖，該工件載體係供相對於圖12示範性描述之方法使用。
圖13B為示意性地例示工件載體之一實施例的橫截面視圖，該橫截面視圖沿圖13A中所示之線XIIIB-XIIIB截取。
圖14A為示意性地例示工件處理裝置之一實施例的平面圖，該工件處理裝置係供相對於圖12示範性描述之方法一起使用。
圖14B為示意性地例示工件處理裝置之一實施例的橫截面視圖，該橫截面視圖沿圖14A中所示之線XIVB-XIVB截取。
圖15為示意性地例示轉移系統之一實施例的平面圖，該轉移系統將與諸如圖14A及圖14B中所示之工件處理裝置一起使用。
圖16為示意性地例示將工件自工件處理裝置轉移至圖15中所示之轉 移系統之一實施例的方法之一實施例的正視圖。
圖17為示意性地例示將工件自圖15中所示之轉移系統之另一實施例轉移至緩衝站的方法之一實施例的正視圖。
圖18為描述一種用於確保射束之束腰在工件修改製程期間沿z軸恰當定位之方法的流程圖。
以下參照隨附圖式描述本發明之示例性實施例。在不偏離本發明之精神及教示的情況下，許多不同的形式及實施例係可能的，且因此本揭示案不應解釋為限於本文所闡述之示例性實施例。實情為，提供此等示例性實施例以使得本揭示案將透徹及完整，且將向熟習該此項技術者傳達本發明之範疇。
在圖式中，組件之大小及相對大小可予以誇示以達清晰性。本文所使用之術語僅出於描述特定示例性實施例之目的，且並非意欲為限制性的。應理解，本文中所使用的諸如「前部」及「背部」及「後部」、「左側」及「右側」、「頂部」及「底部」、「上部」及「下部」及類似者的各種方位性用詞僅是為了方便，且並非意欲將所描述之方位限制為相對於可使用任何所述結構之任何環境的任何絕對或固定的方位。
如本文所使用，除非上下文中另外明確定指示，否則單數形式「一」及「該」意欲包括複數形式。將進一步理解的是，當本說明書中使用「包括(comprises/comprising)」一詞時，其指定所闡述特徵、整數、步驟、操作、元件及/或組件之存在，但並不排除存在或增加一或多個其他特徵、整數、操作、元件、組件及/或其群組。除非另外指定，否則值的範圍 在被陳述時包括該範圍之上限及下限以及上下限之間的任何子範圍。
如以下更詳細地論述，本文中示範性描述之一些實施例可通常表徵為一種方法，該方法用於修改工件(提供為片材、板材、基板等之工件，其包括一或多種材料或材料層)內之複數個區以進而在工件內形成複數個修改區。修改區可包括形成於工件中之一或多個裂紋、斷口、空隙、密化區，或類似區或其組合。通常而言，工件之特徵可在於具有第一表面、與該第一表面相對的第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的內部，且修改區係沿分離路徑佈置於工件中。如以下更詳細地論述，修改區係根據工件修改製程而形成於工件中，該工件修改製程涉及將雷射脈衝束導向至工件上，以使得該射束中之雷射脈衝於第一表面處入射至工件上，且隨後進入工件之內部並朝向第二表面。該工件修改製程可進行來形成一或多個修改區，該或該修改區自該第二表面延伸至該第一表面，自該第二表面延伸至該內部中並在與該第一表面間隔開的一位置處終止，在該內部中延伸但與該第一表面及該第二表面間隔開，或其任何組合。
在一實施例中，該工件可受內部應力(例如，歸因於工件內部內的各種位置處的工件組成，歸因於形成工件之製程，或類似者或其組合)。在此種實施例中，在形成修改區之後，一或多個應力場可產生於工件之內部內，該應力場通常圍繞該修改區且沿分離路徑延伸。取決於諸如修改區延伸穿過工件之高度、工件內之內部應力等的因素，該一或多個應力場可足以建立一或多個裂紋及/或使其傳播穿過工件之內部(例如，以便在第一表面與第二表面之間完整地延伸)，以便自發地沿分離路徑分離工件。工件自發地沿分離路徑分離所耗費的時間可通常相應於在修改區形成之前工 件內之內部應力之量級、沿分離路徑形成的修改區之數目、沿分離路徑的相鄰修改區之間的距離、修改區延伸至工件中的高度，或類似者或其組合。
在另一實施例中，在形成修改區後，可對工件(例如，受內部應力之工件或不受內部應力或內部應力可忽略之工件)有益地施加應力(例如，藉由加熱工件、冷卻工件、彎曲工件、機械地衝擊工件、在工件內形成相較於修改區而言延伸至工件中更遠處的氣孔、凹槽或裂紋，或類似者或其組合)，以便產生前述一或多個應力場，進而建立一或多個裂紋及/或使其傳播穿過工件之內部(例如，以便在第一表面與第二表面之間完整地延伸)且沿分離路徑分離工件。
通常而言，工件可由諸如剛玉之材料形成，該材料包括藍寶石、陶瓷、半導體、金屬或金屬合金、玻璃、玻璃陶瓷，或類似物或其組合。可形成工件的示範性陶瓷材料包括氧化鋁、氧化鈹、氧化鋯或類似氧化物或其組合。可形成工件的示範性半導體材料包括元素或化合物半導體(例如，矽、鍺、矽-鍺、碳化矽或類似物或其組合)，半導體氧化物，或類似物或其組合。可形成工件的示範性金屬及金屬合金包括鋁、銦、鈦、鋅、不銹鋼或類似物、其合金、其氧化物、其氮化物，或類似物或其任何組合。可形成工件的示範性玻璃包括鈉鈣玻璃、硼矽酸鹽玻璃、鋁矽酸鹽玻璃、鋁硼矽酸鹽玻璃、鈉鋁矽酸鹽玻璃、鈣鋁矽酸鹽玻璃、磷酸鹽玻璃、氟化物玻璃、硫屬玻璃、塊狀金屬玻璃或類似物或其任何組合。當由玻璃形成時，工件可經化學強化、熱強化或類似強化或其組合，或可為未強化的。
現將相對於圖1A、圖1B及圖2描述可經受工件修改製程且因此形成修改區之工件的示範性實施例。
參照圖1A及圖1B，工件100可具有第一表面102、與第一表面102相對的第二表面104、在第一表面102與第二表面104之間的內部106以及圍繞工件100之周邊延伸的邊緣表面(例如，自第一表面102延伸至第二表面104)。在一實施例中，工件100之側向尺寸(例如，沿x軸量測之尺寸)可在300mm至1500mm之範圍內(或約為該尺寸)，且工件100之側向尺寸(例如，沿y軸量測之尺寸)可在400mm至1800mm之範圍內(或約為該尺寸)。然而要瞭解，工件100之側向尺寸可在適合時或視利處加以改變。在所例示之實施例中，第一表面102及第二表面104兩者均為大體上平坦且彼此平行的。因此，自第一表面102及第二表面104之距離可界定工件100之厚度t。在一實施例中，工件100之厚度在200μm至10mm之範圍內(例如，小於1mm，小於0.7mm，小於0.5mm，小於0.4mm或約為該厚度)。然而在另一實施例中，工件100之厚度可小於200μm或大於10mm。在又一實施例中，第一表面102與第二表面104可為大體上不平坦的，可彼此不平行，或其組合。
在所例示之實施例中，工件100為由化學強化玻璃形成的受內部應力的工件，該工件具有：第一壓縮區108，其自第一表面102延伸至內部106中；第二壓縮區110，其自第二表面104延伸至內部106中；及中央張力區112，其在第一壓縮區108與第二壓縮區110之間延伸。工件100中位於第一壓縮區108及第二壓縮區110中的部分處於壓縮狀態，而工件100中位於中央張力區112內的部分處於張力狀態。第一壓縮區108之厚度(以及同樣的第二壓縮區110之厚度)稱為「層深度」或「DOL」。通常而言，第一表面102與第二表面104中之每一者處的表面壓縮均可在69MPa至1 GPa之範圍內(例如，大於100MPa，大於300MPa，大於500MPa，大於700MPa，大於900MPa，或約為該值)。然而在其他實施例中，第一表面102或第二表面104中之任一者處的表面壓縮均可小於69MPa或大於1GPa。通常而言，DOL可在20μm至100μm之範圍內。然而在其他實施例中，DOL可小於20μm或大於100μm。可由下式來測定片材之張力區內的最大張應力： 其中CS 1為第一表面02與第二表面104處之前述表面壓縮，t為工件100之厚度(以毫米mm表示)，DOL為該或該壓縮區之層深度(以mm表示)，且CT為工件100內之最大中央張力(以MPa表示)。
如以下更詳細地描述，前述工件修改製程係藉由操作射束源以將來自該射束源之雷射頭的雷射脈衝束導向至工件100上(例如，以使得該射束中之雷射脈衝於第一表面102處入射至工件100上且隨後進入工件之內部106中並朝向第二表面104)來執行。在射束導向至工件100上時，在工件100與射束之間誘導相對運動(例如，藉由相對於射束來移動工件100，相對於工件100來移動射束或其組合來誘導)，以使得該雷射脈衝束沿分離路徑114(例如，在點A與點B之間)平移穿過第一表面102至少一次。儘管分離路徑114係例示為筆直的，但要瞭解的是，分離路徑114之至少一部分可為彎曲的。在一實施例中，該雷射脈衝束經平移以便其將與分離路徑114至少共線一次。在另一實施例中，該雷射脈衝束經平移以便其將偏離分離路徑114之一側或兩側(但仍與分離路徑平行)至少一次。通常而言，射束可以200mm/s至1000mm/s之範圍內的掃描速率平移穿過第一表面102(例如， 從點A至點B)。當然，掃描速率可小於200mm/s。此外，掃描速率可大於1000mm/s，其取決於諸如以下者之因素：例如分離路徑114之幾何形狀、工件100可獲移動之最大(或適合的最快)速度、雷射束源之雷射頭可獲移動之最大(或適合的最快)速度、雷射束源中存在的任何射束定位器可獲操作之最大頻率，或類似因素或其組合。
參照圖2，在執行工件修改製程之後，諸如修改區200之複數個修改區形成於工件100中。如示範性所例示，各修改區200自第二表面104延伸至內部中到達大於DOL之高度h1。因此，各修改區200可延伸穿過第二壓縮區110且於中央張力區112內終止。通常而言，h1可在工件100之厚度t的30%至60%之範圍內。儘管圖2將各修改區200例示為延伸至相同(或至少大體上相同)的高度h1，但要瞭解的是，工件修改製程之參數可改變或以其他方式控制來使得至少一個修改區200延伸至內部106中到達不同於另一修改區200之高度。儘管圖2將各修改區200例示為在中央張力區112內終止，但要瞭解的是，工件修改製程之參數可改變或以其他方式控制來使得至少一個修改區200在第二壓縮區110或第一壓縮區108內終止。
如示範性所例示，各修改區200沿直線(或沿至少大體上直線)(例如沿z軸)自第二表面104(例如，相對於x軸與y軸中之一或兩者)正交地(或至少大體上正交地)延伸至工件100中。然而在另一實施例中，工件修改製程可經執行來使得修改區200中之至少一者沿直線(或沿至少大體上直線)自第二表面104大體上非正交地延伸至工件100中。在又一實施例中，工件修改製程可經執行來使得修改區200中之至少一者沿曲線、折線或其他非直線自第二表面延伸至工件100中。此外，儘管修改區200係例示為延 伸至工件100之內部106中以便彼此平行(或至少大體上彼此平行)，但是工件修改製程可經執行來使得修改區200中之至少兩者延伸至工件100之內部106中，以便大體上相對於彼此斜交(或甚至彼此垂直或至少大體上彼此垂直)。
如示範性所例示，各修改區200係與相鄰修改區間隔(沿第二表面104量測)距離D，該距離在100μm至300μm之範圍內。距離D可小於100μm或大於300μm，其取決於諸如以下者之因素：例如前述掃描速率、雷射束源中存在的射束定位器可獲操作之最大頻率、修改區延伸至內部106中之高度h1、修改區200在工件100之內部106內的定向，或類似因素或其任何組合。儘管沿分離路徑114之相鄰修改區200之間的距離係例示為恆定的(或至少大體上恆定的)，但要瞭解的是，工件修改製程可經執行來改變沿分離路徑114之相鄰修改區200之間的距離。
現將相對於圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A及圖5B描述工件修改製程之示範性實施例。
通常參照圖3A、圖3B、圖4A、圖4B、圖5A及圖5B，射束源(未圖示)可操作來產生雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100的一部分。通常而言，射束內之雷射脈衝具有一波長，對該波長而言，工件100適合地或有益地為至少透明的以使得射束可導向(例如，沿如圖3B中示之光軸300)至第一表面102上且隨後進入工件100之內部106中並穿過第二表面104。在所例示之實施例中，光軸300相對於工件100定向以使得光軸300與工件100之第一表面102正交(或至少大體上正交)。例如，光軸300與z軸平行(或至少大體上平 行)，且第一表面102可位於(或至少大體上位於)由x軸及y軸界定之平面內。在其他實施例中且如以下更詳細地論述，光軸300可大體上相對於第一表面102斜交。在一實施例中，射束內之雷射脈衝可具有在紫外光譜中的波長(例如，355nm或約355nm)或具有在可見光譜中的波長(例如，在綠色光譜中的波長，包括532nm或約532nm)。射束可聚焦來產生具有空間強度分佈302(亦稱為「射束概況(beam profile)」)之射束，該射束具有位於第二表面104處或靠近第二表面104之束腰BW。儘管在圖3B、圖4B及圖5B例示之實施例中，束腰BW靠近第二表面104而位於工件100外部的一位置處，但是該BW可靠近第二表面104而位於工件100之內部106內的一位置處。如本文所討論，當束腰BW與第二表面間隔小於3mm(例如小於1.5mm，小於1mm，小於0.5mm，小於0.1mm，小於0.05mm或類似距離)之距離時，束腰BW為「靠近」第二表面104的。射束可包括雷射脈衝，其具有在18ns至20ns之範圍內的脈衝持續時間、在2W至10W之範圍內的峰值脈衝功率，且該脈衝可具有在90kHz至120kHz之範圍內的脈衝重複率。然而要瞭解的是，諸如脈衝持續時間、峰值脈衝功率及脈衝重複率之特徵可經變化而高於或低於上述範圍。
如以上示範性是描述來組配時，沿射束之光軸300導向的雷射脈衝之強度及/或通量通常隨著雷射脈衝接近射束之束腰BW而增加，且在束腰BW處達到最大值。因此，可在工件100中存在於或靠近束腰BW處之材料內誘導雷射脈衝內之電磁輻射的非線性吸收(例如，多光子吸收、突崩吸收，或類似吸收或其組合)，而在工件100中離束腰BW更遠處之材料內可較少發生或不發生雷射脈衝內之電磁輻射的吸收。因此，在工件中缺 少預先存在缺陷之狀況下，射束內之雷射脈衝將修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100中位於或靠近束腰BW處的一部分。然而，即使當束腰BW沿光軸300之位置得以維持時，在將額外雷射脈衝導向至工件100上之後，工件之額外部分仍可獲修改，該部分在其他情況下離束腰BW太遠以致不能獲修改。
因此，為形成修改區200且相對於圖3A及圖3B而言，諸如雷射脈衝304之第一雷射脈衝在時間T1時導向至工件100上。第一雷射脈衝304沿光軸300傳輸穿過工件100，且僅很少吸收或無吸收直至其接近束腰BW，該第一雷射脈衝在該束腰處迅速達到一強度及/或通量，其足以誘導工件100內之非線性吸收來修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100中於第二表面104處之初始斷裂部分306。此後且相對於圖4A及圖4B而言，諸如雷射脈衝400之後繼雷射脈衝可導向至工件100上，同時誘發射束與工件100之間的相對運動(例如，藉由沿箭頭402(工件移動方向箭頭)指示之方向移動工件100，藉由沿箭頭404(射束移動方向箭頭)指示之方向掃描射束或其組合來誘導)。儘管脈衝304、400及500之脈衝能量係例示為均勻的，但此僅是為了方便。後繼雷射脈衝400沿光軸300順序地傳輸穿過工件100，且僅很少吸收或無吸收直至各雷射脈衝接近工件100中由先前導向之雷射脈衝修改的一部分，其中該先前導向之雷射脈衝的在其他情況下不足以修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100之強度及/或通量足以修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100中鄰接工件100之先前修改部分的一部分。因此，儘管射束與工件100之間經歷相對運動，但是後繼導向之雷射脈衝可導向至工件100上來照射工件100之先前修 改部分，從而修改(例如，裂化、燒蝕、熔融、斷裂等等)工件100之另一部分。
照射工件100之先前修改部分的製程可持續直至形成包括後繼破裂部分406的修改區(諸如修改區200)，以便自第二表面104延伸至內部106中到達適合或有益之高度(例如，前述高度h1)。適合或有益之高度為將不會導致有害效應(諸如前面討論的碎裂)且將用以精確地且可靠地控制工件100自共同基板分離的高度。適合或有益之高度將隨共同基板之各種特徵而變化。此等特徵包括基板材料之基本組成、基板已受何種處理(諸如針對硬度之處理)、基板之厚度以及分離時基板之溫度。為在射束與工件100之間經歷相對運動時終止工件100內修改區200之形成，射束或其脈衝之一或多個特徵可經修改來形成具有改變特徵502之脈衝。例如，光軸300相對於工件100之方位可經改變(例如，使用聲光(AO)調變器(AOM)、AO偏轉器(AOD)、電光(EO)調變器(EOM)、EO偏轉器(EOD)、快速轉向鏡、電流鏡，或類似物或其組合作為射束定位器或射束定位器之系統)，以使得工件100中之先前修改部分未受後繼導向的雷射脈衝照射(或僅受後繼導向的雷射脈衝的一部分照射；或受具有一強度及/或通量的後繼導向的雷射脈衝照射，該強度及/或通量足以修改工件100中鄰接先前修改部分的一部分，或類似者或其組合)。在另一實施例中，射束之瞬態特徵(例如，脈衝重複率、脈衝持續時間、瞬態形狀，或類似特徵或其組合)可經改變以使得工件100內之先前修改部分未受後繼導向的雷射脈衝照射。此外，已經發現的是，工件100內之修改部分的大小、形狀及方位通常相應於由經導向雷射脈衝在工件100上照射的斑點之大小、形狀及方位。因此，在另一實例中，射 束之空間特徵(例如，雷射脈衝斑點形狀、雷射脈衝斑點大小、相對於分離路徑的雷射脈衝斑點方位，或類似特徵或其組合)可經改變以使得工件100內之先前修改部分未受後繼導向的雷射脈衝照射(或僅受後繼導向的雷射脈衝的一部分照射；或受具有一強度及/或通量的後繼導向的雷射脈衝照射，該強度及/或通量足以修改工件100中鄰接先前修改部分的一部分，或類似者或其組合)。
在圖5A及圖5B中所例示之實施例中，前述修改區200之形成藉由中斷或以其他方式改變射束之脈衝重複率而終止，以便至少產生雷射脈衝之後續猝發500，其中包括初始猝發304及後繼脈衝400之第一脈衝猝發與後續猝發500之間的時間段小於連續猝發500之間的時間段。在一實施例中，連續猝發500之間的時間段在10ns至1ms之範圍內(例如，在50μs至500μs之範圍內)或約為該時間段。在一實施例中，修改期期間之工作週期可在0%與100%之間的範圍內(例如，在10%至50%之範圍內，或取決於工件100之掃描速率而更大或更小，等等)。
雷射脈衝之一或多次或全部猝發500可由任何適合或有利之方法或方法之組合產生。例如，雷射脈衝之猝發500可直接由能夠在猝發模式下操作之雷射產生。在另一實例中，雷射脈衝之猝發500可藉由首先以恆定脈衝重複率產生初步雷射脈衝束且修改該初步雷射脈衝束(例如，使用聲光(AO)調變器(AOM)、AO偏轉器(AOD)、電光(EO)調變器(EOM)、EO偏轉器(EOD)、快速光閘、雷射觸發器，或類似物或其組合)而產生。
儘管在圖5A例示之實施例中，各猝發500由5個雷射脈衝組成，但要瞭解的是，任何猝發500可包括在2至100個或100個以上脈衝 之範圍內的任何數目之雷射脈衝(例如，3至7個雷射脈衝)，此取決於諸如以下者之因素：工件100之材料、雷射脈衝內之光的波長、脈衝持續時間、峰值脈衝功率、修改區延伸至工件100中的所要高度，或類似因素或其組合。要瞭解的是，猝發500可另外包括單個雷射脈衝。儘管在圖5A例示之實施例中，猝發中之各雷射脈衝均具有相同的脈衝持續時間、峰值脈衝功率及瞬態脈衝能量概況，但要瞭解的是，同一次猝發中之不同的雷射脈衝可具有不同的脈衝持續時間、峰值脈衝功率、瞬態脈衝能量概況，或類似者或其組合)。
在圖5B中示範性所例示之實施例中，修改區200自第二表面104非正交地延伸且在工件100獲掃描之方向(例如，箭頭402指示之方向)上偏移。然而已經發現的是，對於射束與工件100之間給定的相對運動速率，諸如修改區200的修改區之傾斜角Θ可取決於射束內之雷射脈衝的波長而改變。例如，具有在可見綠色光譜中之波長的雷射脈衝趨向於產生以傾斜角Θ自第二表面104延伸的修改區，該傾斜角大於由具有在紫外光譜中之波長的雷射脈衝所產生的修改區之傾斜角。詳言之，具有在紫外光譜中之波長的雷射脈衝趨向於產生以傾斜角Θ自第二表面104延伸的修改區，該傾斜角幾乎或大體上為零度。不考慮射束內之雷射脈衝的波長，在射束與工件100之間的相對運動期間，光軸300相對於工件100之方位可經調整來控制各修改區200之傾斜角Θ(例如，確保各修改區200以傾斜角Θ自第二表面104延伸，該傾斜角至少大體上為零度)。藉由減小修改區200之傾斜角Θ，可減小沿分離路徑114的相鄰修改區200之間的距離，因而允許沿分離路徑114形成的數目增加之修改區200，從而可有助於工件100 沿分離路徑114的適合或有益之分離。如可自圖5B所見，傾斜角Θ可至少達到約30°。取決於材料，最佳傾斜角Θ可為約0°至約30°，增量為約1°。
如以上所提及，已經發現的是，工件100內之修改部分的大小、形狀及方位通常相應於由經導向雷射脈衝在工件100上照射的斑點之大小、形狀及方位。因此，在一實施例中，射束之空間特徵(例如，雷射脈衝斑點形狀、雷射脈衝斑點大小、相對於分離路徑的雷射脈衝斑點方位，或類似特徵或其組合)可經選擇來適合地或有益地促進工件100沿分離路徑114之分離。在一實施例中，導向至工件100上之雷射脈衝可以具有非圓形形狀(例如，橢圓形狀、矩形形狀等等)之斑點碰撞工件100(例如，在第一表面102處碰撞)，該斑點之特徵在於其具有沿該形狀之第一(或長)軸的相對大的尺寸以及沿該形狀之第二(或短)軸的相對小的尺寸。斑點之方位可經選擇、調整、改變或以其他方式控制，以使得非圓形形狀之第一(或長)軸與分離路徑114對準(例如，以便平行於分離路徑或至少大體上平行於分離路徑)。為建立具有非圓形形狀之雷射脈衝斑點，前述射束源可包括射束整形器(本文亦稱為「整形器」)，其係組配來對由雷射產生之雷射脈衝整形。可使用的示範性整形器包括內部形成有狹縫之射束截斷器、稜鏡對、組配來對雷射脈衝連續變頻(chirp)的AOD或AOM系統，或類似整形器或其組合。為調整雷射脈衝斑點之方位，前述射束源可包括射束旋轉器(本文亦稱為「旋轉器」)，其係組配來旋轉由雷射產生之雷射脈衝，旋轉雷射脈衝藉以由雷射產生之光學器件，旋轉整形器，或類似者或其組合。在一實施例中，旋轉器可包括杜夫(dove)稜鏡，其係組配來在兩個相對於彼此定向為90度之方位之間旋轉雷射脈衝斑點。
例如，相對於圖6，雷射脈衝可在沿分離路徑600的第一位置處碰撞工件100之第一表面102，從而界定具有非圓形形狀(例如，橢圓形狀)之雷射脈衝斑點602。斑點602可經定向以使得斑點602之長軸經對準以便在該第一位置處與分離路徑600平行。在其他實施例中，該斑點之方位可相應於沿分離路徑600之不同位置處的幾何形狀差異來調整。例如，雷射脈衝可在沿分離路徑600的第二位置處碰撞工件100之第一表面102，從而界定具有非圓形形狀(例如，橢圓形狀)的雷射脈衝斑點604，該雷射脈衝斑點具有與斑點602不同的方位(相對於第一表面102)。然而如同斑點602，斑點604之長軸可經對準以便在該第二位置處與分離路徑600平行。在一實施例中，斑點602(或604)沿長軸之尺寸可大於(例如，至少兩倍大)斑點602(或604)沿短軸之尺寸。
以上已示範性地描述工件修改製程之各種實施例，現將相對於圖7至11描述包括射束源的工件處理裝置之一些示範性實施例，該射束源可經操作來形成諸如以上示範性描述之彼等區的修改區。
參照圖7，工件處理裝置700可包括射束源702及支撐件704，該射束源係組配來產生前述雷射脈衝束。
在所例示之實施方案中，射束源702可包括：雷射，其係組配來產生雷射光脈衝；光學器件(例如，組配來擴展、調準、過濾等等)，雷射光藉以由該雷射產生；如以上示範性描述之整形器；高頻定位器(例如，聲光(AO)調變器(AOM)、AO偏轉器(AOD)、電光(EO)調變器(EOM)、EO偏轉器(EOD)，或類似物或其組合)以及任何其他射束轉儲組件或中繼組件，該組件係組配來將雷射脈衝束中繼至雷射頭706。雷射頭706可包括鏡子、如 以上示範性描述之旋轉器、低頻定位器(例如一或多個電流鏡)及掃描透鏡708。通常而言，高頻及低頻定位器可經操作來調整光軸300相對於工件100之方位。雷射頭706可相對於工件100移動來調整光軸300相對於工件100之位置(例如，沿前述x軸成直線地調整，沿前述y軸成直線地調整，或類似者或其組合)。
支撐件704可組配來支撐工件100且移動工件100(例如，沿前述x軸成直線地移動，沿前述y軸成直線地移動，繞前述z軸旋轉地移動，或類似者或其組合)。支撐件704可包括卡盤(例如，真空卡盤、靜電卡盤等等)，該卡盤係組配來支撐工件100；或可包括載體800，該載體係組配來支撐工件100，該載體可安裝於諸如卡盤之結構上或自其拆卸。
儘管未例示，但是工件處理裝置700可進一步包括控制器，該控制器耦接至射束源702與支撐件704中之一或兩者來配合其操作，並進行以上示範性描述之工件修改製程。儘管有前述說明，但要瞭解的是，射束源702可以任何其他適合或有益之組態來提供，如圖8至圖11中所示。
參照圖12，利用載體800加載工件100涉及以下步驟：將工件100加載至載體800上，將載體800加載至工件處理系統802上；使用工件處理裝置700處理工件100；將工件100轉移至緩衝站804；卸載經處理的工件100。
參照圖13A及圖13B，載體800大體上為矩形，且包括流體通道806及真空保持通道808。流體通道806相應於分離路徑來定位，以使得BW定位在流體通道806中而不是載體800中。流體通道806可含有空氣、氮氣、水等等。此允許BW在工件100上操作而不會不必要地損壞載體800。 真空保持通道808與卡盤816中之真空孔連通以將工件100固持於載體800。
參照圖14A及圖14B，基座804上設置支撐軌810及提升銷818，該支撐軌支撐卡盤816且該提升銷延伸穿過卡盤816並相對於卡盤816升起或降低載體800。卡盤816設置於載體上來卡緊耦接器814。載體800又設置於卡盤816上。此佈置允許卡盤816及載體800在y軸上之移動，且進而允許工件100在y軸上之移動。台架812繞卡盤816及載體800擱置於其上方，該台架支撐雷射頭706以便在x軸上移動。藉由卡盤816與雷射頭706在台架812上之移動的配合，大體上工件100之全部可由光軸300定位。
參照圖15至17，描述工件100之加載及卸載。載體800之移動的以下描述包括工件100擱置於載體800上。卸載時，載體800平移至工件處理裝置802上最接近轉移自動機(transfer robot)820之一位置。提升銷818隨後提升載體800。水平致動器822隨後接觸並牽拉載體800來使該載體位於轉移自動機820之中央。水平致動器822係組配來將其上具有經處理工件100之載體800自工件處理裝置802移開且移入緩衝站804中，其中工件100之單一化塊件(沿分離路徑114/600分離)可自載體800移除。框架824隨後垂直地移動載體800來使其與緩衝站804之欄架826對準。水平致動器822隨後進一步將載體800平移至緩衝站804中之狹縫。加載係反向執行。
參照圖18，一旦工件100位於載體800上且兩者均加載至工件處理裝置802上之位置時，存在預處理步驟來確保BW將恰當地置放以用於正受處理之具體工件100。載體800及雷射頭706經移動來測量第二表面104之z高度。隨後測定用於處理之特定位置處的z高度。將特定位置之z高度資料與針對最接近該特定位置之位置所測定的參考z高度資料進行比 較。最後，若特定位置處之經處理z高度資料與參考z高度資料相差超過預定閾值，則沿光軸300調整透鏡708之位置，以使得束腰沿z軸位於相對於特定位置處之工件100的正確位置。
前述內容係對本發明之實施例的說明且不應解釋為對其之限制。雖然已描述本發明之少數示例性實施例，但是熟習此項技術者將容易瞭解的是，在實質上不脫離本發明之新穎教示及優點的情況下，許多修改係可能的。因此，所有此等修改均意欲包括在如以下申請專利範圍中所界定的本發明之範疇中。
102‧‧‧第一表面
104‧‧‧第二表面
200‧‧‧修改區

Claims (34)

  1. 一種用於自一共同基板分離一工件之方法，該方法包括：提供該工件，其具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的一內部；在一射束源中產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改該工件的一部分；基於該工件之一特徵測定用於建立一修改區的一深度；以及修改該工件內之複數個區以形成複數個修改區，各修改區自該工件之該第二表面延伸至該內部中，其中修改該複數個區包括：將來自該射束源之一輸出的該雷射脈衝束導向至該工件上，以使得該射束內之雷射脈衝穿過該工件之該第一表面進入該內部中並朝向該第二表面；引起該工件與該射束源之該輸出之間的相對運動，同時將該雷射脈衝束導向至工件上；以及在產生大量脈衝之後修改該射束之該脈衝的一特徵，該修改通常相應於建立該修改區至經測定的該深度。
  2. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括基於該雷射束之一特徵測定用於建立一修改區的一深度。
  3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改重複率。
  4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改強度。
  5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改通量。
  6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改空間斑點形狀。
  7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改斑點大小。
  8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改一光軸。
  9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改脈衝持續時間。
  10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改瞬態脈衝形狀。
  11. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改波長。
  12. 如申請專利範圍第1項之方法，其中修改該脈衝之一特徵包括修改斑點大小。
  13. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該射束內之至少一個雷射脈衝包括具有在紫外光譜中之一波長的光。
  14. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括在一射束源中產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係以至少兩次連續雷射脈衝猝發來瞬態地提供，其中一共同猝發內連續脈衝之間的一時間段小於連續猝發之間的時間段。
  15. 如申請專利範圍第1項之方法，其進一步包括該射束內之至少一個雷射脈衝以具有一非圓形形狀之一斑點碰撞該第一表面。
  16. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該工件包括一強化玻璃工件。
  17. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝包括具有在該UV範圍中之一波長或更長波長的光。
  18. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝包括具有在綠色範圍中之一波長的光。
  19. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝猝發中之至少一者內的雷射脈衝係以大於90kHz之一脈衝重複率導向至該工件上。
  20. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝猝發中之至少一者內的雷射脈衝係以小於120kHz之一脈衝重複率導向至該工件上。
  21. 如申請專利範圍第1項之方法，其中雷射脈衝之一次猝發中之一者的開始與雷射脈衝之一連續產生猝發的開始之間的一時間段大於50μs。
  22. 如申請專利範圍第1項之方法，其中雷射脈衝之一次猝發中之一者的開始與雷射脈衝之一連續產生猝發的開始之間的一時間段小於500μs。
  23. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝束具有大於10%之一工作週期。
  24. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝束具有小於50%之一工作週期。
  25. 如申請專利範圍第1項之方法，其中相鄰修改區之間沿該路徑的一距離大於100μm。
  26. 如申請專利範圍第1項之方法，其中相鄰修改區之間沿該路徑的一距 離小於300μm。
  27. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該修改區中之至少一者自該工件之一表面延伸至該工件中達到一距離，該距離大於該工件厚度之30%。
  28. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該修改區中之至少一者自該工件之一表面延伸至該工件中達到一距離，該距離小於該工件厚度之60%。
  29. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝中之至少一者具有大於18ns的一脈衝持續時間。
  30. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該雷射脈衝中之至少一者具有小於20ns的一脈衝持續時間。
  31. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該修改區包括一傾斜角，且該傾斜角小於約30°。
  32. 如申請專利範圍第31項之方法，其中該傾斜角小於約10°。
  33. 如申請專利範圍第31項之方法，其中該傾斜角小於約1°。
  34. 一種用於自一共同基板分離一工件之裝置，該裝置包括：一卡盤，其用來處置該工件，該工件具有一第一表面、與該第一表面相對的一第二表面以及該第一表面與該第二表面之間的一內部；一射束定位器；一射束源，其用於產生一雷射脈衝束，該雷射脈衝束係組配來修改該工件內之複數個區以形成複數個修改區，各修改區自該工件之該第二表面延伸至該內部中，其中修改該複數個區包括：將來自該射束源之一輸出的該雷射脈衝束導向至該工件上，以使得該射束內之雷射脈衝穿過該工件之該第一表面進入該內部中並 朝向該第二表面；引起該工件與該射束源之該輸出之間的相對運動，同時將該雷射脈衝束導向至工件上；以及在產生大量脈衝之後修改該射束之該脈衝的一特徵，該修改通常相應於建立該修改區至一預定深度。
TW102134228A 2012-09-21 2013-09-23 用於工件分離的方法及裝置 TWI637807B (zh)

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Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102134228A TWI637807B (zh) 2012-09-21 2013-09-23 用於工件分離的方法及裝置

Country Status (6)

Country Link
US (1) US9610653B2 (zh)
JP (1) JP6397821B2 (zh)
KR (1) KR20150056597A (zh)
CN (1) CN104684677B (zh)
TW (1) TWI637807B (zh)
WO (1) WO2014047549A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831794B (zh) * 2018-06-18 2024-02-11 日商信越工程股份有限公司 工件分離裝置及工件分離方法

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102012110971A1 (de) * 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
US10179374B2 (en) * 2013-02-04 2019-01-15 Newport Corporation Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates
SG11201705536UA (en) * 2015-01-06 2017-08-30 Corning Inc A glass-carrier assembly and methods for processing a flexible glass sheet
CN104827191A (zh) * 2015-05-12 2015-08-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 蓝宝石的激光切割方法
JP6812977B2 (ja) 2015-09-04 2021-01-13 Ａｇｃ株式会社 ガラス管の製造方法、ガラス物品の製造方法、ガラス管、ガラス物品、およびガラス物品の製造装置
CN107922259B (zh) 2015-09-04 2021-05-07 Ａｇｃ株式会社 玻璃板的制造方法、玻璃板、玻璃物品的制造方法、玻璃物品以及玻璃物品的制造装置
CN116213918A (zh) 2015-09-09 2023-06-06 伊雷克托科学工业股份有限公司 镭射处理设备、镭射处理工件的方法及相关配置
TW201733728A (zh) 2016-03-17 2017-10-01 伊雷克托科學工業股份有限公司 在雷射加工系統中的像平面之定位
EP3842391B1 (en) 2016-09-01 2023-11-01 Agc Inc. Glass article
DE102016220844A1 (de) 2016-10-24 2018-04-26 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Verfahren zur Vorhersage der Kippneigung eines freigeschnittenen Werkstückteils und Bearbeitungsmaschine zur trennenden Bearbeitung eines plattenförmigen Werkstücks
JP7146770B2 (ja) 2016-12-30 2022-10-04 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド レーザ加工装置における光学部品の寿命を延ばすための方法及びシステム
EP3587367B1 (en) 2017-02-21 2023-10-18 AGC Inc. Glass plate and manufacturing method of glass plate
EP3587366B1 (en) 2017-02-21 2023-09-13 AGC Inc. Glass plate and manufacturing method of glass plate
EP3672755A1 (en) * 2017-08-25 2020-07-01 Corning Incorporated Apparatus and method for laser processing transparent workpieces using an afocal beam adjustment assembly
KR102655354B1 (ko) 2018-06-05 2024-04-08 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 레이저 가공 장치, 그 작동 방법 및 이를 사용한 작업물 가공 방법
US11054574B2 (en) * 2019-05-16 2021-07-06 Corning Research & Development Corporation Methods of singulating optical waveguide sheets to form optical waveguide substrates
DE102019003822A1 (de) * 2019-06-02 2020-12-03 Keming Du Verfahren zur Bearbeitung transparenter Materialien
DE102020123147B4 (de) 2019-09-06 2022-01-27 Cericom GmbH Verfahren, Vorrichtung, Steuereinrichtung sowie Computerprogrammprodukt zum Einbringen eines Schnitts in ein Glaswerkstück
JP2021163914A (ja) * 2020-04-02 2021-10-11 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置、レーザ加工方法及びウェハ
DE102021105034A1 (de) 2021-03-02 2022-09-08 Cericom GmbH Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks aus Glas
DE102021214310A1 (de) 2021-12-14 2023-06-15 Carl Zeiss Smt Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen mindestens einer Hohlstruktur, EUVSpiegel und EUV-Lithographiesystem

Family Cites Families (184)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL261422A (zh) 1956-10-12
DE1244346B (de) 1964-10-19 1967-07-13 Menzel Gerhard Glasbearbeitung Verfahren zum Schneiden von Glas
US3629545A (en) 1967-12-19 1971-12-21 Western Electric Co Laser substrate parting
NL6801184A (zh) 1968-01-26 1969-07-29
GB1246481A (en) 1968-03-29 1971-09-15 Pilkington Brothers Ltd Improvements in or relating to the cutting of glass
US3629546A (en) 1969-04-02 1971-12-21 American Can Co Air-cooled laser processing of materials
US3751238A (en) 1970-02-25 1973-08-07 Corning Glass Works Method of chemically strengthening a silicate article containing soda
BE805694A (fr) 1972-10-12 1974-04-05 Glaverbel Procede et dispositif pour decouper un materiau vitreux ou vitrocristallin
DE3110235A1 (de) 1981-03-17 1982-10-21 Trumpf GmbH & Co, 7257 Ditzingen "verfahren und vorrichtung zum brennschneiden mittels eines laserstrahls"
US4467168A (en) 1981-04-01 1984-08-21 Creative Glassworks International Method of cutting glass with a laser and an article made therewith
US4468534A (en) 1982-09-30 1984-08-28 Boddicker Franc W Method and device for cutting glass
US4702042A (en) 1984-09-27 1987-10-27 Libbey-Owens-Ford Co. Cutting strengthened glass
US4639572A (en) 1985-11-25 1987-01-27 Ibm Corporation Laser cutting of composite materials
EP0397236B1 (en) 1989-05-08 1994-10-05 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of severing a plate of brittle material
US5073687A (en) * 1989-06-22 1991-12-17 Canon Kabushiki Kaisha Method and apparatus for working print board by laser
US5132505A (en) 1990-03-21 1992-07-21 U.S. Philips Corporation Method of cleaving a brittle plate and device for carrying out the method
RU2024441C1 (ru) 1992-04-02 1994-12-15 Владимир Степанович Кондратенко Способ резки неметаллических материалов
JP2524477B2 (ja) 1993-12-20 1996-08-14 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 液晶パネル形成用基板及びその製造方法
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
DE69629704T2 (de) 1995-08-31 2004-07-08 Corning Inc. Verfahren und vorrichtung zum zerbrechen von sprödem material
JP3271691B2 (ja) 1996-02-29 2002-04-02 セイコーインスツルメンツ株式会社 表示装置の製造方法
JPH10128567A (ja) 1996-10-30 1998-05-19 Nec Kansai Ltd レーザ割断方法
MY120533A (en) 1997-04-14 2005-11-30 Schott Ag Method and apparatus for cutting through a flat workpiece made of brittle material, especially glass.
US5961852A (en) 1997-09-09 1999-10-05 Optical Coating Laboratory, Inc. Laser scribe and break process
US6407360B1 (en) 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US6420678B1 (en) 1998-12-01 2002-07-16 Brian L. Hoekstra Method for separating non-metallic substrates
US6252197B1 (en) 1998-12-01 2001-06-26 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a supplemental mechanical force applicator
US6259058B1 (en) 1998-12-01 2001-07-10 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Apparatus for separating non-metallic substrates
US6211488B1 (en) 1998-12-01 2001-04-03 Accudyne Display And Semiconductor Systems, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic substrates utilizing a laser initiated scribe
US6327875B1 (en) 1999-03-09 2001-12-11 Corning Incorporated Control of median crack depth in laser scoring
DE10029110B4 (de) 1999-06-15 2006-05-18 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren für die Materialbearbeitung und Verwendung desselben
JP3370310B2 (ja) 1999-06-18 2003-01-27 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザーを用いたスクライブ法
US6684885B2 (en) 1999-06-18 2004-02-03 Paul M. Graczyk Laser surgery eye shield
KR100626983B1 (ko) 1999-06-18 2006-09-22 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 레이저를 이용한 스크라이브 방법
US6472295B1 (en) 1999-08-27 2002-10-29 Jmar Research, Inc. Method and apparatus for laser ablation of a target material
JP4172112B2 (ja) 1999-09-03 2008-10-29 旭硝子株式会社 ガラスリボンの割断方法
DE19952331C1 (de) 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
DE19955824A1 (de) 1999-11-20 2001-06-13 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Werkstückes aus sprödbrüchigem Werkstoff
EP1232038B1 (en) 1999-11-24 2008-04-23 Applied Photonics, Inc. Method and apparatus for separating non-metallic materials
US8217304B2 (en) * 2001-03-29 2012-07-10 Gsi Group Corporation Methods and systems for thermal-based laser processing a multi-material device
DE19963939B4 (de) 1999-12-31 2004-11-04 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchtrennen von flachen Werkstücken aus sprödbrüchigem Material
DE10016628A1 (de) 2000-04-04 2001-10-18 Schott Glas Verfahren zum Herstellen von kleinen Dünnglasscheiben und größere Dünnglasscheibe als Halbfabrikat für dieses Herstellen
WO2001085387A1 (en) 2000-05-11 2001-11-15 Ptg Precision Technology Center Limited Llc System for cutting brittle materials
JP2002019528A (ja) 2000-07-05 2002-01-23 Kasai Kogyo Co Ltd トノボード装置
DE10041519C1 (de) 2000-08-24 2001-11-22 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Durchschneiden einer Flachglasplatte in mehrere Rechteckplatten
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US6676878B2 (en) 2001-01-31 2004-01-13 Electro Scientific Industries, Inc. Laser segmented cutting
EP1341730B1 (de) 2000-12-15 2005-08-10 LZH Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren zum durchtrennen von bauteilen aus glas, keramik, glaskeramik oder dergleichen durch erzeugung eines thermischen spannungsrisses an dem bauteil entlang einer trennzone
FR2819505B1 (fr) 2001-01-12 2003-02-28 Saint Gobain Procede de decoupe des bords d'un ruban continu de verre, dispositif de mise en oeuvre, plateau de verre decoupe selon ce procede
WO2002100620A1 (fr) 2001-06-11 2002-12-19 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Dispositif et procede pour le dessin de lignes de rayure sur substance fragile
WO2003008352A1 (en) 2001-07-18 2003-01-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. Device and method for scribing fragile material substrate
RU2206525C2 (ru) 2001-07-25 2003-06-20 Кондратенко Владимир Степанович Способ резки хрупких неметаллических материалов
US6559411B2 (en) 2001-08-10 2003-05-06 First Solar, Llc Method and apparatus for laser scribing glass sheet substrate coatings
TW568809B (en) 2001-09-21 2004-01-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method for scribing substrate of brittle material and scriber
KR100786179B1 (ko) 2002-02-02 2007-12-18 삼성전자주식회사 비금속 기판 절단 방법 및 장치
JP4267240B2 (ja) 2002-02-22 2009-05-27 日本板硝子株式会社 ガラス構造物の製造方法
EP2272618B1 (en) 2002-03-12 2015-10-07 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
CN100335259C (zh) 2002-03-12 2007-09-05 三星钻石工业股份有限公司 加工脆性材料的划线方法及装置
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
US6787732B1 (en) * 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
ATE316691T1 (de) * 2002-04-19 2006-02-15 Xsil Technology Ltd Laser-behandlung
FR2839508B1 (fr) 2002-05-07 2005-03-04 Saint Gobain Vitrage decoupe sans rompage
JP4408607B2 (ja) 2002-06-11 2010-02-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ方法及びスクライブ装置
JP4032857B2 (ja) 2002-07-24 2008-01-16 ソニー株式会社 タッチパネル用のガラス基板、タッチパネル及び携帯端末
TWI277612B (en) 2002-08-09 2007-04-01 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method and device for scribing fragile material substrate
JP2004083378A (ja) 2002-08-29 2004-03-18 Central Glass Co Ltd 化学強化ガラス
EP1396556A1 (en) 2002-09-06 2004-03-10 ALSTOM (Switzerland) Ltd Method for controlling the microstructure of a laser metal formed hard layer
WO2004041493A1 (ja) 2002-11-06 2004-05-21 Mitsuboshi Diamond Industrial Co.,Ltd. スクライブライン形成装置及びスクライブライン形成方法
JP2004168584A (ja) 2002-11-19 2004-06-17 Thk Co Ltd ガラス基板材の切断方法
KR100497820B1 (ko) 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
CN100506500C (zh) 2003-01-10 2009-07-01 三星钻石工业股份有限公司 脆性材料基板的划线装置和划线方法以及自动截断生产线
JP2004217492A (ja) 2003-01-17 2004-08-05 Murakami Corp ガラス板材の切抜方法
JP2004223796A (ja) 2003-01-21 2004-08-12 Kyoto Seisakusho Co Ltd 脆性材料の割断加工方法
CN101585657B (zh) 2003-01-29 2012-03-21 三星宝石工业株式会社 基板切割设备和基板切割方法
JP4515034B2 (ja) 2003-02-28 2010-07-28 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US8685838B2 (en) * 2003-03-12 2014-04-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser beam machining method
US7638730B2 (en) 2003-03-21 2009-12-29 Rorze Systems Corporation Apparatus for cutting glass plate
JP2004343008A (ja) 2003-05-19 2004-12-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した被加工物分割方法
JP4535692B2 (ja) 2003-05-28 2010-09-01 セントラル硝子株式会社 化学強化ガラス
JP2005019667A (ja) 2003-06-26 2005-01-20 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用した半導体ウエーハの分割方法
JP2005088078A (ja) 2003-09-17 2005-04-07 Lemi Ltd 走査型レーザ装置
JP4615231B2 (ja) 2004-02-02 2011-01-19 三星ダイヤモンド工業株式会社 スクライブ装置およびこの装置を用いたスクライブ方法
JP2005268752A (ja) 2004-02-19 2005-09-29 Canon Inc レーザ割断方法、被割断部材および半導体素子チップ
JP4716663B2 (ja) * 2004-03-19 2011-07-06 株式会社リコー レーザ加工装置、レーザ加工方法、及び該加工装置又は加工方法により作製された構造体
DE102004014277A1 (de) 2004-03-22 2005-10-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum laserthermischen Trennen von Flachgläsern
DE102004020737A1 (de) 2004-04-27 2005-11-24 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Vorrichtung zum Durchtrennen von Bauteilen aus sprödbrüchigen Materialien mit spannungsfreier Bauteillagerung
DE102004024475A1 (de) 2004-05-14 2005-12-01 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren und Vorrichtung zum Trennen von Halbleitermaterialien
US20060021977A1 (en) 2004-07-30 2006-02-02 Menegus Harry E Process and apparatus for scoring a brittle material incorporating moving optical assembly
WO2006011608A1 (ja) 2004-07-30 2006-02-02 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 基板の垂直クラック形成方法および垂直クラック形成装置
US7820941B2 (en) 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
US7550367B2 (en) * 2004-08-17 2009-06-23 Denso Corporation Method for separating semiconductor substrate
US7575999B2 (en) 2004-09-01 2009-08-18 Micron Technology, Inc. Method for creating conductive elements for semiconductor device structures using laser ablation processes and methods of fabricating semiconductor device assemblies
JP3887394B2 (ja) 2004-10-08 2007-02-28 芝浦メカトロニクス株式会社 脆性材料の割断加工システム及びその方法
KR20120096586A (ko) 2004-10-20 2012-08-30 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체장치 제조방법
ATE520495T1 (de) 2004-10-25 2011-09-15 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Verfahren und vorrichtung zur bildung von rissen
JP4917257B2 (ja) 2004-11-12 2012-04-18 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
US20090224432A1 (en) 2004-12-08 2009-09-10 Syohei Nagatomo Method of forming split originating point on object to be split, method of splitting object to be split, and method of processing object to be processed by pulse laser beam
JP2006159747A (ja) 2004-12-09 2006-06-22 Japan Steel Works Ltd:The レーザ加工方法及びその装置
KR100881466B1 (ko) 2004-12-28 2009-02-06 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성재료 기판의 절단방법 및 기판절단 시스템
US7528342B2 (en) 2005-02-03 2009-05-05 Laserfacturing, Inc. Method and apparatus for via drilling and selective material removal using an ultrafast pulse laser
JP4198123B2 (ja) * 2005-03-22 2008-12-17 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2006294099A (ja) 2005-04-07 2006-10-26 Asahi Glass Co Ltd 磁気記録媒体用ガラス基板の周面研磨装置及び製造方法
DE102005024497B4 (de) 2005-05-27 2008-06-19 Schott Ag Verfahren zum mechanischen Brechen von geritzten flachen Werkstücken aus sprödbrüchigem Material
US9138913B2 (en) * 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
KR101081613B1 (ko) 2005-09-13 2011-11-09 가부시키가이샤 레미 취성재료의 할단방법 및 장치
JP4816390B2 (ja) * 2005-11-16 2011-11-16 株式会社デンソー 半導体チップの製造方法および半導体チップ
JP2007165850A (ja) * 2005-11-16 2007-06-28 Denso Corp ウェハおよびウェハの分断方法
US20070155131A1 (en) 2005-12-21 2007-07-05 Intel Corporation Method of singulating a microelectronic wafer
DE102006018622B3 (de) 2005-12-29 2007-08-09 H2B Photonics Gmbh Vorrichtung zum durchtrennenden Bearbeiten von Bauteilen aus sprödbrüchigem Material
KR20070074297A (ko) 2006-01-09 2007-07-12 주식회사 탑 엔지니어링 초음파를 이용한 글라스 기판의 브레이크 장치
JPWO2007094348A1 (ja) 2006-02-15 2009-07-09 東レエンジニアリング株式会社 レーザスクライブ方法、レーザスクライブ装置、及びこの方法または装置を用いて割断した割断基板
JP2008007360A (ja) 2006-06-28 2008-01-17 Optrex Corp マザーガラス基板及びガラス基板ならびにそのガラス基板の製造方法
JP2008007384A (ja) 2006-06-30 2008-01-17 Optrex Corp ガラス基板の製造方法
US7897487B2 (en) 2006-07-03 2011-03-01 Hamamatsu Photonics K.K. Laser processing method and chip
DE102006033217A1 (de) 2006-07-14 2008-01-17 Jenoptik Automatisierungstechnik Gmbh Verfahren zur Erzeugung optisch wahrnehmbarer laserinduzierter Risse in sprödes Material
TWI350824B (en) 2006-08-30 2011-10-21 Nat Applied Res Laboratories A pre-fixed position thermal fracturing method of brittle material and device for the same
JP4954653B2 (ja) 2006-09-19 2012-06-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP5132911B2 (ja) 2006-10-03 2013-01-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
JP2008115067A (ja) 2006-11-07 2008-05-22 Lemi Ltd フラットパネルディスプレィ薄板の割断方法
US20080110952A1 (en) 2006-11-15 2008-05-15 Marvin William Kemmerer Sheet separation through fluid impact
TWI577653B (zh) 2007-03-02 2017-04-11 日本電氣硝子股份有限公司 強化板玻璃及其製造方法
US7977602B2 (en) 2007-03-21 2011-07-12 Photon Dynamics, Inc. Laser ablation using multiple wavelengths
JP2008229711A (ja) 2007-03-23 2008-10-02 Toray Eng Co Ltd レーザスクライブ方法およびその装置
JP5784273B2 (ja) * 2007-04-05 2015-09-24 チャーム エンジニアリング株式会社 レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法
US7982162B2 (en) 2007-05-15 2011-07-19 Corning Incorporated Method and apparatus for scoring and separating a brittle material with a single beam of radiation
US8062732B2 (en) 2007-05-22 2011-11-22 Corning Incorporated Glass article having improved edge
JP4246791B2 (ja) 2007-05-30 2009-04-02 東洋鋼鈑株式会社 磁気ディスク用ガラス基板の表面仕上げ方法
JP4730345B2 (ja) 2007-06-18 2011-07-20 ソニー株式会社 ガラス基板対を有する表示装置及びその切断方法
JP4886620B2 (ja) 2007-07-04 2012-02-29 株式会社東芝 レーザ割断装置及び基板の製造方法
JP4402708B2 (ja) 2007-08-03 2010-01-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法、レーザ加工装置及びその製造方法
US20090040640A1 (en) 2007-08-07 2009-02-12 Jinnam Kim Glass cutting method, glass for flat panel display thereof and flat panel display device using it
JP5113462B2 (ja) 2007-09-12 2013-01-09 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の面取り方法
JP2009090598A (ja) 2007-10-11 2009-04-30 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の曲線状クラック形成方法および脆性材料基板
US8011207B2 (en) 2007-11-20 2011-09-06 Corning Incorporated Laser scoring of glass sheets at high speeds and with low residual stress
KR100949152B1 (ko) 2007-11-23 2010-03-25 삼성코닝정밀유리 주식회사 유리 기판 레이저 절단 장치
CN101468875A (zh) 2007-12-24 2009-07-01 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 脆性非金属基材及其切割方法
CN101497493B (zh) 2008-02-01 2012-12-26 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 激光切割装置
GB2457720A (en) 2008-02-23 2009-08-26 Philip Thomas Rumsby Method for laser processing on the opposite sides of thin transparent substrates
US8232218B2 (en) 2008-02-29 2012-07-31 Corning Incorporated Ion exchanged, fast cooled glasses
SG10201408031RA (en) 2008-03-19 2015-01-29 Hoya Corp Glass for magnetic recording media substrates, magnetic recording media substrates, magnetic recording media and method for preparation thereof
JP5345334B2 (ja) 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
US8173038B2 (en) 2008-04-18 2012-05-08 Corning Incorporated Methods and systems for forming microstructures in glass substrates
JP2009280452A (ja) 2008-05-23 2009-12-03 Central Glass Co Ltd ガラス基板及び製造方法
JP5005612B2 (ja) 2008-05-24 2012-08-22 株式会社レミ 脆性材料のフルカット割断方法
US8053704B2 (en) 2008-05-27 2011-11-08 Corning Incorporated Scoring of non-flat materials
US8258427B2 (en) 2008-05-30 2012-09-04 Corning Incorporated Laser cutting of glass along a predetermined line
US8051679B2 (en) 2008-09-29 2011-11-08 Corning Incorporated Laser separation of glass sheets
DE102008052006B4 (de) 2008-10-10 2018-12-20 3D-Micromac Ag Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Proben für die Transmissionselektronenmikroskopie
JP2010150068A (ja) 2008-12-25 2010-07-08 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性材料基板の割断方法
WO2010074091A1 (ja) 2008-12-25 2010-07-01 旭硝子株式会社 脆性材料基板の割断方法、装置及び車両用窓ガラス
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8347651B2 (en) 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8245540B2 (en) 2009-02-24 2012-08-21 Corning Incorporated Method for scoring a sheet of brittle material
KR20120004456A (ko) 2009-03-20 2012-01-12 코닝 인코포레이티드 정밀 레이저 스코어링
US8590873B2 (en) 2009-04-08 2013-11-26 Corning Incorporated Method and device for restraining movement of continuously traveling glass sheet
US20100279067A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Robert Sabia Glass sheet having enhanced edge strength
US8132427B2 (en) 2009-05-15 2012-03-13 Corning Incorporated Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet
US8269138B2 (en) 2009-05-21 2012-09-18 Corning Incorporated Method for separating a sheet of brittle material
CN102448661B (zh) 2009-05-27 2014-08-13 康宁股份有限公司 在升高温度下的玻璃的激光刻痕
US8543888B2 (en) 2009-06-09 2013-09-24 Microchip Technology Incorporated Programmable cyclic redundancy check CRC unit
WO2011002089A1 (ja) 2009-07-03 2011-01-06 旭硝子株式会社 脆性材料基板の割断方法及び割断装置並びにその割断方法により得られる車両用窓ガラス
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
EP2480507A1 (en) 2009-08-28 2012-08-01 Corning Incorporated Methods for laser cutting articles from chemically strengthened glass substrates
US8426767B2 (en) 2009-08-31 2013-04-23 Corning Incorporated Methods for laser scribing and breaking thin glass
JP2011088382A (ja) 2009-10-23 2011-05-06 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd ブレイク装置およびブレイク方法
US8171753B2 (en) 2009-11-18 2012-05-08 Corning Incorporated Method for cutting a brittle material
US20110127242A1 (en) 2009-11-30 2011-06-02 Xinghua Li Methods for laser scribing and separating glass substrates
US8946590B2 (en) 2009-11-30 2015-02-03 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
JP5584560B2 (ja) * 2010-08-31 2014-09-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 レーザスクライブ方法
TWI513670B (zh) 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
US20120175652A1 (en) 2011-01-06 2012-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for improved singulation of light emitting devices
TWI457191B (zh) 2011-02-04 2014-10-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 雷射切割方法及雷射加工裝置
JP5789802B2 (ja) * 2011-03-22 2015-10-07 株式会社ソシオネクスト 半導体チップの製造方法
JP2014210669A (ja) * 2011-08-31 2014-11-13 旭硝子株式会社 強化ガラスの切断方法
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
CN104136967B (zh) 2012-02-28 2018-02-16 伊雷克托科学工业股份有限公司 用于分离增强玻璃的方法及装置及由该增强玻璃生产的物品
US9828278B2 (en) 2012-02-28 2017-11-28 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
US20130221053A1 (en) 2012-02-28 2013-08-29 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for separation of strengthened glass and articles produced thereby
CN104114506B (zh) 2012-02-29 2017-05-24 伊雷克托科学工业股份有限公司 加工强化玻璃的方法和装置及藉此制造的物品
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
JP5575200B2 (ja) * 2012-09-28 2014-08-20 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置及びその製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI831794B (zh) * 2018-06-18 2024-02-11 日商信越工程股份有限公司 工件分離裝置及工件分離方法

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