TW201240215A - Conducting particles arranged sheet and producing method thereof - Google Patents

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201240215 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種對於用於連接電路基板彼此、或者用 於連接半導體晶片等電子零件與電路基板之連接構件有用 之導電粒子配置片材。 【先前技術】 作為用以簡便地進行液晶顯示器與半導體晶片或TCp(捲 帶式封裝，Tape Carrier Package)之連接、FPC(軟性印刷 電路板，Flexible Printed Circuit)與TCP間之連接之連接構 件、或FPC與印刷配線板間之連接之連接構件，使用有於 絕緣性接著劑中分散有導電粒子之各向異性導電性膜。例 如，作為用於連接筆記型電腦或行動電話之液晶顯示器與 控制IC(Integrated circuit，積體電路）之構件，廣泛使用有 各向異性導電性膜，且亦使用於將半導體晶片直接搭載於 印刷基板或軟性配線板上之覆晶安裝中（專利文獻丨、2及 3)。 於該領域中，近年來，所連接之配線圖案或電極尺寸曰 益微細化，對於先前之無規地分散有導電粒子之各向異性 導電性膜而言，其難以進行連接可靠性較高之連接。亦 即，若為連接面積微小之電極而提高導電粒子密度，則導 電粒子會凝聚，從而無法保持鄰接電極間之絕緣性。相 反，若為保持絕緣性而降低導電粒子之密度，則此時會產 生未連接之電極，難以在保持連接可靠性之狀態下應對微 細化（專利文獻4)。 163813.doc 201240215 另一方面，亦嘗試有以下方法，即，使絕緣膜之膜厚薄 於導電粒子之直徑，從而藉由於膜之表裏層露出有粒子之 各向異性導電性膜來應對微細圖案之連接（專利文獻5)。然 而，當絕緣膜之膜厚薄於粒子直徑時，於連接區域中會產 生空氣積存，而容易導致接著不良。為防止出現上述問 題，而進一步於該絕緣膜之一個面上形成絕緣性接著層。 於此情形時，為進行微小面積之連接時體現出連接可靠 性，較好的是絕緣膜之膜厚極薄。然而，若絕緣膜之膜厚 變薄，則於製造步驟中或使用中導電粒子會變得容易脫 落，而產生連接缺陷，故而對絕緣膜之薄膜化有限制。 [專利文獻1]曰本專利特開平03-107888號公報 [專利文獻2]日本專利特開平〇4_36663〇號公報 [專利文獻3 ]曰本專利特開昭61 _ 19 5 17 9號公報 [專利文獻4]日本專利特開平〇9_312176號公報 [專利文獻5]曰本專利特開平〇7·3〇2666號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 本發明之目的在於提供一種導電 守电粒子配置片材，其於微 細圖案配線之電性連接中，對於 了於微小電極之連接之可靠性 較優良，並且狹窄空間内鄰拯雷极 顯接電極間之絕緣性較高，可實 現低電阻之連接，且自其製造至 便用期間不易引起導電粒 子之脫落。 [解決問題之技術手段] 本發明者等，為解決上述課題 而進行了潛心研究，結果 163813.doc 201240215 發現，包含片材厚度小於導電粒子平均粒徑之絕緣樹脂片 材及存在於其甲之導電粒子而成的特定形狀之導電粒子 配置片材可適合於上述目的，從而完成本發明。 為解決上述課題而在本申請案申請以前所揭示之上述技 術，例如，專利文獻5中，因連接區域之空氣積存而導致 之接著不良、因連接時導電粒子之流動而導致之連接不 良、因殘存於連接部中之膜形成樹脂而導致之導通阻礙、 或因導電粒子之脫落而導致之導通不^中之任一者，均難 以確保連接可靠性。 如本發明所示，藉由使絕緣樹脂片材包覆存在於其中之 平均粒徑大於絕緣樹脂片材之膜厚之導電粒子的表面而可 解決上述課題，此係f者無法#於上料利文獻所揭示之 技術而輕易思及。 亦即，本發明如下所述。 (1)一種導電粒子配置片材，其特徵在於，其係包含導 電粒子、以及具有基準面P1及與P1相對之基準面P2之絕緣 樹脂片材而構成的，該絕緣樹脂片材之厚度小於該導電粒 子之平均粒徑，且有導電粒子自該絕緣樹脂片材之至少一 側之基準面P1突出，該導電粒子之自絕緣樹脂片材之基準 面P1所突出之部分’㈣由與構成該絕緣樹脂片材之該絕 緣樹脂相同的樹脂所構成之包覆層所包覆， 此處，於將基準面P1、與平行於導電粒子之基準面P1之 切線即與自該基準面P1突出之突出部分相 的距離之平均值設為平均突出高度hl(hl>〇)，：= 163813.doc 201240215 P2、與平行於導電粒子之基準面P2之切線即與切線L1夾著 該導電粒子而位於切線L1相反側之切線L2之間的距離之平 均值設為平均突出高度h2之情形時（其中，設該切線L2位 於該絕緣樹脂片材内時h2 < 0，該切線L2位於基準面P2上 時h2 = 0，該切線L2位於該絕緣樹脂片材外時h2 > 0)，滿 足hi > h2之關係。 (2) 如（1)之導電粒子配置片材，其中有上述導電粒子自 上述絕緣樹脂片材之兩面突出，且平均突出高度h2與上述 平均突出高度hi之比h2/hl為0以上、1/1.1以下。 (3) 如（2)之導電粒子配置片材，其中自上述基準面p2突 出之導電粒子自絕緣樹脂片材露出。 (4) 如（1)之導電粒子配置片材，其中自上述基準面？1突 出之導電粒子之包覆層頂部之包覆厚度為0,1 μηι以上、2 μηι以下。 (5) 如（1)之導電粒子配置片材’其中定義為導電粒子之 投影面積佔據上述導電粒子之絕緣樹脂片材之面積之總計 值的面積率為2%以上、40%以下。 (6) 如（1)之導電粒子配置片材，其中上述絕緣樹脂片材 含有笨氧樹脂。 (7) 如（1)之導電粒子配置片材，其中上述導電粒子之平 均粒梭為0,5 μιη以上、ίο μΐΏ以下。 (8) 如（1)之導電粒子配置片材，其中上述導電粒子之中 〜間距離之變動係數為0.03以上、0.6以下。 (9) 如（1)之導電粒子配置片材，其中上述絕緣樹脂片材 163813.doc 201240215 於180°C時之熔融黏度為i〇 pa.s以上、5〇〇〇〇 pas以下。 (10) —種導電粒子配置片材之製造方法，其係於可延伸 之片材上以單層填充導電粒子而形成導電粒子層，於該導 電粒子層上形成絕緣樹脂層而形成導電粒子填充片材，並 使該導電粒子填充片材延伸。 (11) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述可延伸之片材上以單層填充導電粒子而形成導電粒子 層時，於該可延伸之片材上塗布黏著劑，並於該黏著劑上 以單層填充導電粒子而形成導電粒子層。 (12) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法，其中上述 導電粒子填充片材之絕緣樹脂層之厚度係導電粒子之平均 粒徑的1.0倍以上、1 〇倍以下。 (13) 如（11)之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述可延伸之片材上塗布黏著劑，並於該黏著劑上以單層 填充導電粒子而形成導電粒子層時，將導電粒子嵌入黏著 劑中。 (14) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法其中於以 單層填充上述導電粒子而形成導電粒子層時，以使定義為 導電粒子之投影面積相對於整個面積之比例的填充率成為 50%以上' 90%以下之方式填充導電粒子。 (15) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述導電粒子層上形成絕緣樹脂層時，於導電粒子層上形 成片材狀絕緣樹脂’以作為絕緣樹脂層。 (16) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法其中於在 I638l3.doc 201240215 上述導電粒子層上形成絕緣樹脂層時，於導電粒子層上形 . 成塗布溶解於溶劑中之絕緣樹脂並使溶劑乾燥後而獲得之 • 絕緣樹脂，以作為絕緣樹脂層。 (17) 如（10)之導電粒子配置片材之製造方法，其中定義 為縱方向之延伸倍率與橫方向之延伸倍率之積的面倍率為 2.2倍以上、25倍以下。 (18) —種各向異性導電性臈，其係包含如（1)〜(9)中任一 項之導電粒子配置片材、及積層於該片材之至少一面上之 絕緣性接著劑層而構成的。 (19) 一種各向異性導電性膜，其係包含藉由如（1〇)〜（17) 中任一項之方法而製造之導電粒子配置片#、及積層於該 片材之至少一面上之絕緣性接著劑層而構成的。 (20) —種電路連接方法，其係電性連接…晶片之電極與 電路基板之電極的電路連接方法，其在將如⑽或〇9)之 各向異性導電性膜保持於電路基板㈣晶片間之狀態下施 加壓力。 ()種連接構造體，其可藉由如（2〇)之方法而獲得。 [發明之效果] 本發明之導電粒子置片材具有下述效果，即，於微細 圆案配線之電性連接中，對於微小電極之連接之可靠性較 優良，並且狹窄空間之鄰接電極間之絕緣性較高，可實現 低電阻之連接’自其贺止 、# 再製^至使用期間不易引起導電粒子之 脫落，可實現微細圖案之連接。 【實施方式] 1638 丨3.doc 201240215 以下’就本發明進行具體說明。 本發明之導電粒子配置片材係包含導電粒子及絕緣樹脂 片材而構成的。 作為導電粒子，例如可使用金屬粒子、或於高分子核材 上包覆金屬薄膜之粒子。 作為金屬粒子’可使用包含金屬或合金之具有均勻組成 之粒子。作為金屬粒子，可例如金、銀、銅鎳、鋁、 鋅、錫、鉛、焊料、銦、鈀之粒子、及2種以上該等金屬 組合成層狀或傾斜狀之粒子。 作為於高分子核材上包覆金屬薄膜之粒子，可例示如下 所述之粒子，即，於包含選自環氧樹脂、苯乙烯樹脂'矽 氧樹脂、丙烯酸樹脂'聚烯烴樹脂、三聚氰胺樹脂'苯代 二聚氛胺樹脂、胺基甲酸酯樹脂、苯酚樹脂、聚酯樹脂、 二乙烯基苯交聯體 '腈基丁二烯橡膠（NBR ’ nitd丨e_ butadiene rubber) ' 及苯乙烯丁二烯橡膠（sbr、

Butadiene Rubber)構成之群中之至少i種聚合物的高分子 核材上’包覆選自金、銀、銅、鎳、鋁、鋅、錫、鉛、焊 料、銦、及鈀構成之群中選擇之丨種或將2種以上組合而成 之金屬薄膜的粒子。 考慮到連接穩定性與粒子凝聚性之觀點，較好的是金屬 薄膜之厚度為〇·〇〇5 μιη以上、 μπι以下之範圍。在連接穩 疋/·生方面較好的是金屬薄膜均勾包覆，作為於高分子核 材上包覆金屬薄膜之方法，例如可列舉電鍍法。 其中 ’較好的是於高分子核材 上包覆有金屬薄膜之粒 163813.doc -10· 201240215 子，更好的是由金包覆高分子核材之粒子，進而好的是由 鎳包覆高分子核材之後進而由金包覆之粒子。 作為高分子核材，較好的是苯代三聚氰胺樹脂、二乙烯 基苯交聯體、及丙烯酸樹脂。 考慮到導電粒子之凝聚性與各向異性導電性之觀點，較 好的是導電粒子之平均粒徑為〇 5 μιη以上、ι〇 以下之 範圍。對於導電粒子之平均粒徑而言，更好的是1〇叫以 上、7.0 μπι以下，進而好的是丨5 μιη以上、6 〇 以下， 進而更好的是2.0 μΐΏ以上、5 5 _以下，最好的是2 5㈣ 以上5.0 μιη以下。導電粒子之粒子徑的標準偏差越小越 好，較好的是平均粒徑之5〇%以下。更好的是2〇%以下， 進而好的是10%以下，進而更好的是5%以下。 關於導電粒子之平均粒徑之測定方法，可列舉使用電子 菌洛汁數器之方法。另外，亦可使用根據運用ΒΕΤ法 (BrUnaue卜Emmett_TeUern meth〇d，布厄特法）之比表面積 測定進行換算之方法、或使用光散射測定粒徑之方法。 絕緣樹脂片材係，含有選自硬化性樹脂及熱可塑性樹脂 構成之群中之1種以上絕緣樹脂而構成的。 硬化性樹脂係可藉由熱、光或電子射線之能量而引起硬 化反應之樹脂，例如可列舉環氧樹脂、苯酚樹脂、矽氧樹 脂、異氰酸自旨硬化性樹脂、乙烯樹脂、含丙稀酸基樹脂。 作為熱可塑性樹脂，例如可列舉胺基甲酸酯樹脂、丙烯 酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、$乙烯醇縮丁醛樹 月曰、SBR ' SBS、NBR、聚醚砜樹脂、聚對苯二甲酸乙二 163813.doc 201240215 醇酯樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯胺樹脂、聚環氧乙烷樹 脂、聚縮醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯樹脂、聚異丁烯 樹脂、烷酚樹脂、苯乙烯丁二烯樹脂、羧基改性腈基樹

脂、聚苯醚樹脂、聚碳酸脂樹脂、聚醚酮樹脂等或該等之 改性樹脂》 X 於尤其在連接後必需長期之可靠性之情形時較好的 是’於絕緣樹脂片材中至少含有環氧樹脂或苯氧樹脂中之 一者。尤其較好的是含有笨氧樹脂。 作為環氧樹脂’有縮水甘油醚型環氧樹脂，例如雙酚a 型環氧樹脂、雙酚F型環氧樹脂、雙酚s型環氧樹脂、四甲 基雙酚A型環氧樹脂、聯笨酚型環氧樹脂、萘型環氧樹 2、第型環氧樹脂、賴㈣清漆型環氧樹脂、曱紛齡酸 清漆型環氧樹脂、雙盼场搭清漆型環氧樹脂、脂肪族峻 型環氧樹脂、縮水甘油㈣型環氧樹脂、縮水甘油醋型環 氧樹脂、縮水甘油胺型環氧樹脂、乙内酿腺型環氧樹脂/ 脂環族環氧化物。亦可使該等環氧樹㈣化或氫化，又， 亦可為經改性，例如經胺基甲酸g旨改性、橡膠改性、石夕氧 改性後所得之環氧樹脂。其中，較好的是縮水 氧樹脂。 哀 =緣樹脂片材中可含有環氧樹脂之硬化劑。考慮到貯 <觀點’環氧樹脂之硬化劑較好的是潛在性硬化 。作為潛在性硬化劑’例如較好的是棚化合物、醯肼、 、胺米。坐、二氰基二酿胺、無機酸、叛酸酐、硫醇、 、氰酸_、㈣鹽及料之^物。於潛在性硬化劑之 163813.doc -12- 201240215 中，較好的是微膠囊型硬化劑。 微膠囊型硬化劑係，利用樹脂皮膜等使上述硬化劑之表 面穩疋化者。微膠囊型硬化劑f*因連接作t時之溫度或壓 力使樹如皮膜受到破壞，從而使硬化劑擴散至微膠囊外而 與環氧樹脂發生反應。於微膠囊型潛在性硬化劑中，加合 物型硬化劑，例如將胺加合物、咪唑加合物微膠囊化之潛 在性硬化劑在穩定性與硬化性之平衡方面優良，故而較 好。一般而言，相對於100質量份之環氧樹脂，使用〇〜100 質量份之量之環氧樹脂之硬化劑。 為抑制於連接時導電粒子於片材上、向片材外、於片材 中、或與片材一起移動，而由連接電極間捕捉之導電粒子 數減少之情況，要求絕緣樹脂片材於連接條件下具有流動 性較低之特性《進而，若亦考慮到長期連接之可靠性，較 好的是含有苯氧樹脂。 作為苯氧樹脂，可例示雙酚A型苯氧樹脂、雙盼F型苯 氧樹脂、雙酚A雙酚F混合型苯氧樹脂、雙酚A雙紛s混合 型苯氧樹脂、含第環苯氧樹脂、己内酯改性雙酚A型苯氧 樹脂。苯氧樹脂之重量平均分子量較好的是2萬以上萬 以下。重量平均分子量可藉由將聚笨乙烯作為標华物質之 凝膠滲透層析法（GPC，gel permeation chromatography)而 測定。 於本發明所使用之絕緣樹脂片材中，較好的是併用苯氧 樹脂與環氧樹脂，於此情形時’笨氧樹脂之含量較好的是 相對於形成絕緣樹脂片材之絕緣樹脂而使用6〇質量％以 163813.doc 13 201240215 上。進而好的是70質量％以上、99.5質量％以下，進而更 好的是75質量％以上、99質量％以下’最好的是80質量〇/〇 以上、9 8質量％以下。 於絕緣樹脂片材中，例如亦可進而含有絕緣粒子、填充 劑、軟化劑.、促進劑 '抗老化劑、著色劑、難燃化劑、搖 變減黏劑、偶合劑。於含有絕緣粒子或填充劑之情形時， 較好的是’該等之最大徑不足導電粒子之平均粒徑。就提 高接著性方面而言’作為偶合劑，較好的是含有酮亞胺 基、乙烯基、丙烯酸基、胺基、環氧基及異氰酸酯基之矽 氧偶合劑。於絕緣樹脂片材中含有偶合劑之情形時之含 量，相對於絕緣樹脂為〇.〇5質量％以上、2質量。/〇以下。 於將絕緣樹脂片材之各成分混合之情形時，可根據需要 而使用溶劑。作為溶劑，例如可列舉曱基乙基酮、曱基異 丁基酮、二乙基酮、環己酮'環戊酮、甲苯、二甲苯、乙 酸乙酯、乙酸丁酯、乙二醇單烷醚醋酸、丙二醇單烷醚醋 酸、乙醇、異丙醇、二甲基甲酿胺、二甲基乙醯胺。 絕緣樹脂片材例如可藉由以下方式而製造，即，於溶劑 中混合各成分而製成塗布液，藉由敷抹器之塗敷而將該塗 布液塗布於基材上，並於烘箱中使溶劑揮發。塗布液在 25°C下之黏度較好的是50 mPa，s以上、10000 mPa.s以下。 進而好的是200 mPa.s以上、8000 mPa.s以下，進而更好的 是500 mPa.s以上' 5000 mPa.s以下。於在溶劑中混合各成 分時，為提高溶解性，亦可進行加熱。混合溫度較好的是 室溫以上、100°C以下。更好的是50°C以上、80°C以下。溶 163813.doc 201240215 劑於烘箱中之揮發較好的是50t以上、1〇(rc以下，更好 的疋60 C以上、90 C以下。_間較好的是2分鐘以上、2〇 分鐘以下，更好的是5分鐘以上、15分鐘以下。 為抑制連接時導電粒子於片材上、向片材外、於片材 中、或與片材-起流動，較好的是，絕緣樹脂片材於連接 條件下之流動性較低。另一方面，為使導電粒子與電極直 接接觸’而藉由連接時之熱壓自導電粒子上排除絕緣樹脂 片材，’亦即必須流動，為滿足料2個減之性能，較好 的是絕緣樹脂片材於連接溫度下具有適當之㈣黏度範 圍。進而好的是，絕緣樹脂片材在18〇<t下之溶融黏度為 lOPa.s以上、50000 Pa.s以下，更好的是2〇pas以上、 〇 Pa s以下，進而更好的是5〇 s以上、卩玨$以 下，再進而好的是80Pa.s以上、_〇Pa.s以下，再進而 更好的疋1 〇〇 pa.s以上、Sί)(Ίη 上5000 Pa.s以下，最好的是200 pa.s 以上、2000 Pa.s以下。 再者，此處，於絕緣樹脂片材包含熱硬化性樹脂之情形 時，該溶融黏度是指自絕緣樹脂片材去除了硬化劑或未添 加硬化劑之狀態下的熔融黏度。 於本發明中，為於連接時對導電粒子有效地施加壓力， 實現較低之連接電阻’因此，絕緣樹脂片材之膜厚必須小

於導電粒子之平均粒經。妨祕& B 瓜較好的是’絕緣樹脂片材之膜厚 相對於導電粒子之平均粒徑為GG5倍以上、Μ倍以下。更 好的是0.07倍以上、〇 7俾以·^ ^ 倍以下’進而好的是〇1倍以上、 〇.6倍以下，進而更好的是G.12倍以上、0.5倍以下，最好 1638] 3.doc 201240215 的是0.15倍以上、〇 4倍以下。 絕緣樹脂片材之膜厚較好的是〇1㈣以上、5㈣以下， =好的是〇‘2μιη以上、3μιη以下’進而好的是〇3㈣以 、2㈣以下’進而更好的是〇.4μηι以上、15_以下。 絕緣樹脂片材之膜厚係、無粒子部分之片材之厚度，其係 作為與接觸於導電粒子且垂直於片材表面之面（以下，稱 為粒子接觸面)間之距離為該粒徑1/2之點(其令，設該點上 不存在導電粒子)上的片材之厚度之算術平均值而求出 再者於導電粒子密度較高，一個導電粒子之粒子接 觸:與鄰接於其之導電粒子之粒子接觸面之間的距離不足 粒徑之1/2 ’從而當距離導電粒子接觸面1/2該粒徑時存在 鄰接粒子之情形時，將膜厚定義為與鄰接粒子之中點上的 片材之厚度之算術平均值。絕緣樹脂片材之膜厚，例如可 藉由片材剖面之掃描電子顯微鏡圖像而測定。 以下，一面參照圖1 , 一面對本發明之基準面PI、Ρ2與 平均突出高度hi、h2間之關係進行說明。 絕緣樹知片材S具有表裏面該兩個相對之表面，將該等 表面稱為基準面P1及基準面P2。其中，於本發明之導電粒 子配置片材中’設自絕緣樹脂片材S之基準面pi突出有導 電粒子E’又’將基準面pi、與平行於導電粒子e之基準面 P1之切線即與自該基準面!^突出之突出部分相接之切線u 之間的距離之平均值設為平均突出高度hl(hl>〇)，將基準 面P2、與平行於導電粒子E之基準面P2之切線即與切線L1 失著該導電粒子而位於該切線L1相反側之切線L2之間的距 I638I3.doc 201240215 離之平均值設為平均突出高度h2之情形時，設滿足hi > h2 之關係。此處，設該切線L2位於該絕緣樹脂片材内時h2 < 〇(圖1右），該切線L2位於基準面P2上時h2 = 0，該切線L2 位於該絕緣樹脂片材外時h2>0(圖1左）》 本發明中，導電粒子E存在於絕緣樹脂片材S中，且導電 粒子E之平均粒徑大於絕緣樹脂片材S，因此導電粒子E自 絕緣樹脂片材S之至少一側之基準面p 1突出（圖2) »並且， 導電粒子E之自絕緣樹脂片材S之基準面P1突出之部分，被 由與構成絕緣樹脂片材S之絕緣樹脂相同的樹脂所構成之 包覆層T所包覆（圖2) ^導電粒子e亦可自絕緣樹脂片材8之 兩面突出。 於此情形時’當將導電粒子之自基準面P1突出之平均突 出高度hi之絕對值|hl|、與導電粒子之自基準面P2突出之 平均突出高度h2之絕對值|h2|進行比較時， 較好的是 0^|h2|/|hl|^l/l.i , 更好的是 0雜2丨/丨hl|Sl/3。 其表示，例如導電粒子自絕緣樹脂片材之兩面突出之情形 時（hl>0且h2>〇)，突出高度以較好的是突出高度之1 1 倍以上，更好的是3倍以上。 於使用本發明之導電粒子配置片材之情形時，為了較高 地保持與被連接構件之接著性、或者為了在與其他片材相 貼合時不會捲入空氣，較好的是突出高度h2較小，二 163813.doc -17· 201240215 是0.3 μπι以下，進而好的是〇.2 μηι以下，進而更好的是 0.1 μπι 以下。 突出高度h2為0 μηι以下，亦即導電粒子未突出亦可。導 電粒子亦可完全埋入絕緣樹脂片材内。 較好的是，突出高度h2為0 μιΏ以上' 〇.丨μηι以下。突出 尚度h2為絕緣樹脂片材之膜厚之_〇 5倍以上，較好的是4件 以下，更好的是3倍以下，進而好的是2倍以下，進而更好 的是〇·5倍以下，最好的是(U倍以下。當自絕緣樹脂片材 之基準面Ρ2突出之導電粒子自絕緣樹脂片材露出時，容易 獲得較低之連接電阻。 此處，當導電粒子自基準面Ρ2突出之情形時，突出高度 h2係自絕緣樹脂片材之無導電粒子之部分的大致均勻平面 中之導電粒子之突出高度較小一側之平面，亦即，基準面 P2上，至突出高度較小一側之導電粒子之頂部為止之高 度’例如可雷射顯微鏡等進行測定。 為於連接時對導電粒子有效地施加壓力，獲得較低之連 接電阻，對於導電粒子之突出高度較大之一面側，亦即基 準面P1而言，其突出高度^較好的是相對於導電粒子之平 均粒徑為0.2倍以上。更好的是〇 25倍以上、〇 %倍以下， 進而好的是0.3倍以上、0.9倍以下，進而更好的是〇35倍 以上、0.85倍以下，最好的是〇.4倍以上、〇 8倍以下。 此處亦可表現為，突出高度hi係自絕緣樹脂片材之無導 電粒子之部分的大致均勻平面上至導電粒子之頂部為止的 间度。例如，可藉由片材剖面之掃描電子顯微鏡圖像而直 163813.doc -18- 201240215 接測疋。亦可作為自導電粒子之平均粒徑減去突出高度^ 及絕緣樹脂片材之膜厚所得之值而求出。 於本發明中，於突出高度較大之面（基準面〇側，導電 粒子被由與構成絕緣樹脂片材之絕緣樹脂相同的樹脂所構 成之包覆層所包覆，藉此，可抑制製造步驟中或使用中之 導電粒子之脫落’從而可於微細電極間之連接中維持較高 之絕緣性。突出高度較大之面側上，冑出部上包含與構成 絕緣樹脂片材之絕緣樹脂相同的樹脂之包覆層之厚度亦可 為大致均勻厚度；亦可自絕緣樹脂片材面朝向粒子頂部傾 斜地變薄；亦可於其中間，於絕緣樹脂片材之基準面？1之 附近，厚度朝向頂部傾斜地變薄，而自中途起呈大致均等 厚度。就防止導電粒子之脫落之觀點而言，較好的是，後 兩者之至少部分傾斜地變薄。 自絕緣樹脂片材之基準面P1突出之導電粒子之包覆層頂 部之包覆厚度（以下稱為包覆厚）較好的是〇1 以上、2 μηι以下。更好的是0.15 μπι以上、i 8 μπι以下，進而好 的是0.2 μιπ以上、1·6 μπι以下’進而更好的是〇 25 ^爪以 上、1_4叫以下，最好的是〇.3叫以上、丨2叫以下。 又，包覆厚相對於絕緣樹脂片材之膜厚較好的是〇丨倍以 上、1.0倍以下，更好的是01倍以上、0 96倍以下，進而 好的是0.12倍以上、0.7倍以下’進而更好的是〇15倍以 上、0.6倍以下’最好的是〇.2倍以上、G 5倍以下。藉由使 包覆厚處於適當之範圍内，可不易引起導電粒子之脫落， 且可將連接時之導通電阻抑制得較低，故而較好。 19 163813.doc

S 201240215 本發明之導電粒子配置片材中，導電粒子分散配置於絕 緣樹脂片材中β由於絕緣樹脂片材厚小於導電粒子之平均 粒仏因此導電粒子配置於同一面上。較好的是，導電粒 子分別獨立存在，而未凝聚2個以上。於引起2個以上凝聚 之情形時，以粒子數為基準，所凝聚之導電粒子之比例較 好的是30%以下，更好的是2〇%以下。由導電粒子之投影 面積占絕緣樹脂片材之面積的總計所規定的冑電粒子之面 積率為2%以上 '鄕以下之範圍内，可取得導電性與絕緣 性之平衡，故而較好^更好的是4%以上、35%以下，進而 好的是6%以上、鄕以下，進而更好的是8%以上、挪以 下’最好的是10°/。以上、25%以下。 為減小每個電極之連接電阻之不均，較好的是使導電粒 子具有較高之排列性而配置。若將導電粒子之令心間距離 之變動係數（標準偏差之平均值）作為排列性之尺度，則該 值較好的是0.6以下，更好的是〇.〇3以上、〇 5以下， 好的是0.05以上、。_45以下’進而更好的是。〇二上、= 以下，再進而好的是0.09以上'0.4以下，進而更好的曰 〇·1以上、0.35以下》 疋 本發明之導電粒子配置片材亦可單獨存在，但例如亦可 形成於剝離性基材上。作為剝離性基材， 例如可使用聚乙 烤、聚丙烯、聚苯乙烯、聚酯、尼龍'翕 氣乙歸、聚乙婦醇 4之膜或對該等膜進行矽氧處理或氟處 性之膜等基材。 等而提…離 本發明之導電粒子配置片材，例如可列舉單片類型者或 163813.doc •20- 201240215 長度類型者。 作為製造本發明之導電粒子配置片材之方法，例如有下 述各種方法。 亦即’如圖3所示，首先，於可延伸之片材1上塗布黏著 劑2，較好的是以使膜厚成為導電粒子之平均粒徑以下之 方式塗布黏著劑2(圖3(a))，於其上載置必需量以上之導電 粒子E，進行填充。 作為較好之黏著劑，例如可例示胺基曱酸酯樹脂、丙稀 酸樹脂、尿素樹脂、三聚氰胺樹脂、苯酚樹脂、乙酸乙烯 樹脂、氯丁二烯橡膠、腈基丁二烯橡膠、苯乙烯-丁二稀 橡膠、異戊二烯橡膠、天然橡膠。 於填充導電粒子後，例如藉由鼓風而排除未到達黏著劑 層之導電粒子’藉此’形成緻密地填充有導電粒子之單層 之導電粒子層（圖3(b))。根據需要，將單層配置之導電粒 子嵌入黏著劑中。此時，由導電粒子之投影面積相對於整 個面積之比例所定義的填充率較好的是5〇%以上、9〇D/〇以 下。更好的是55°/。以上、88%以下，進而好的是60%以 上、85°/。以下。填充率對排列性有較大影響。 繼而，於單層且緻密地填充之導電粒子層之上形成絕緣 樹脂層3(圖3(c))，從而獲得導電粒子填充片材。此時，對 於絕緣樹脂層而言，既可將已形成為片材狀之絕緣樹脂層 形成於粒子層之上；亦可塗布溶解於溶劑中之絕緣樹脂， 並使浴劑乾燥從而形成絕緣樹脂層。 導電粒子填充片材之絕緣樹脂層之厚度較好的是，相對 163813.doc 21 201240215 於導電粒子之平均粒徑為丨θ倍以上、1 〇倍以下，更好的 是1.2倍以上、8倍以下，進而好的是15倍以上、6倍以 下，進而更好的是1.7倍以上、5倍以下，又進而更好的是 2倍以上、4倍以下。藉由將絕緣樹脂層之厚度相對於導電 粒子之平均粒徑設為丨.〇倍以上、1〇倍以下之範圍内，可 獲得膜厚精度較南之絕緣樹脂層，並且可容易獲得較低之 連接電阻》 繼而，以所期望之延伸倍率，使固定有導電粒子Ε且形 成有絕緣樹脂層3(或S)之可延伸之片材延伸，藉此可獲得 本發明之導電粒子配置片材（圖3(d))。根據需要，自導電 粒子配置片材剝離可延伸之片材及黏著劑。 此時，絕緣樹脂片材之厚度，係由延伸倍率、延伸前之 絕緣樹脂層之厚度、及延伸時之絕緣樹脂層之熔融黏度而 決定。 此處，作為可延伸之片材，可例示包含聚烯烴例如聚乙 烯、聚丙烯' 聚丙烯共聚物、聚甲基戊烯、聚苯乙烯，聚 酯例如聚對苯二甲酸乙二酯（PET，p〇ly ethylene terephthalate)、聚萘甲酸乙二醇酯（pEN，p〇ly ethylene naphthalene)，尼龍，氣乙烯，或聚乙烯醇之片材。 延伸係進行縱方向延伸及橫方向延伸兩者之所謂之雙軸 延伸，可利用眾所周知之方法而實施。例如，可列舉利用 夾具#夾著膜之2邊或4邊而進行拉伸之方法、或利用2個 以上之滾筒夾著膜並藉由改變滾筒之旋轉速度而進行延伸 之方法等。延伸既可為同時對縱方向及橫方向進行延伸之 163813.doc •22· 201240215 同時雙軸延伸，亦可為對一個方向進行延伸之後對另一個 方面進行延伸之逐次雙軸延伸。由於難以引起延伸時之導 電粒子之排列錯亂，故而同時雙軸延伸較好。由於在延伸 過程中決定導電粒子配置片材之形狀，故而延伸時之溫度 與延伸速度係重要因素。 對於延伸溫度而言，較好的是在70〇c以上、25〇。〇以下 進行延伸。更好的是751以上、20(rc以下，進而好的是 80C以上、160。(：以下，進而更好的是85〇c以上、145。〇以 下。若延伸溫度過高，則絕緣樹脂片材之熔融黏度會過於 下降，從Αή無法於粒子之頂#以所㈣之厚度形成絕緣樹 脂片材之包覆。另-方面，若延伸溫度較低，^緣樹脂 片材之熔融黏度會變得過高，從而導致導電粒子無法存在 於絕緣樹脂片材中，故而不好。對於延伸速度而言，較好 的是在0.1%/秒以上、1〇〇%/秒以下進行延伸。更好的是 1%/秒以上、5G%/秒以下。由縱方向之延伸倍率與橫方向 之延伸倍率之積所定義的面倍率較好的是22倍以上、乃 倍以下，更好的是3倍以上、15倍以下。進而好的是35倍 以上、10倍以下。 本發明之導電粒子配置片材可直接單制作接合材料， 亦可與絕緣性膜制n亦可製成於導電粒子配置片 材之至少一個面上積層有絕緣性接著劑層4之各向異性導 電性媒（圖3(e)、（f))。於製成各向異性導電性膜之情形 時，可延伸之片材與黏著劑之剝離可在絕緣性接著劑之積 層之前實施，亦可在積層之後進行。於絕緣性接著劑之積 163813.doc •23- 201240215 層之後進行之作業性優良，故而較好。 本發明之各向異性導電性膜中所使用之絕緣性接著劑， 可含有選自熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、光硬化性樹 脂、電子射線硬化性樹脂中之1種以上之樹脂。作為該等 樹脂，例如可列舉環氧樹脂、苯酚樹脂、矽氧樹脂、胺基 甲酸酯樹脂、丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、苯氧樹脂、聚 乙烯醇縮丁醛樹脂、SBR、SBS、NBR、聚醚砜樹脂、聚 對苯二甲醚樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醯胺樹脂、氧化聚醚 樹脂、聚縮醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、¥乙烯樹脂、聚異丁 :樹脂：烷酚樹脂、苯乙烯丁二烯樹脂、羧基改性腈基樹 月曰、聚苯峻樹脂、聚碳酸脂樹月旨、聚喊鲷樹脂等或該等之 改性樹脂。 而逆任傻食期 有環氧樹脂 作為此處使用之環氧樹脂，例如有雙紛A型環氧樹脂 雙紛F型環氧樹脂、雙齡s型環氧樹脂、四甲基雙盼相 t樹脂：聯苯齡型環氧樹脂、萘型環氧樹脂、第型環氧; 月9、紛類齡搭清漆都j罗gt 氧樹月曰、甲酚酚醛清漆型環氧4 曰欠2场料漆型環氧樹脂、脂肪制型環氧樹⑹ ==環㈣脂，縮水甘油_型環氧樹脂，縮7 曰i環氧樹知，縮水甘油 理窃拟t 環氧樹月旨，乙内酿腺5 裒氧樹知，脂環族環氧化物。玆

Μ等衣氧樹脂亦可鹵化或I 化。又，該專環氧樹脂亦可 改性、Μ规# w 改11，例如經胺基f酸酿 橡膠改性、矽氧改性之環氧樹脂。 163813.doc • 24 - 201240215 於絕緣性接著劑中含有環氧樹脂之情形時，較好的是含 有環氧樹脂之硬化劑。考慮到貯藏之穩定性之觀點，作為 該等之衍生物等硬化劑。於潛在性硬化劑中，較好的是微 膠囊型硬化劑。 環氧樹脂之硬化劑，較好的是 硬化劑，較好的是硼化合物、 基一酿胺、無機酸、缓酸肝、 潛在性硬化劑。作為潛在性 醯肼、3級胺、咪唑、二氰 硫醇、異氰酸酯、硼錯鹽及 微膠囊型硬化劑係利用樹脂皮膜等而使上述硬化劑之表 面穩定化者，其因連接作業時之溫度或壓力而導致樹脂皮 膜受到破壞，從而使硬化劑擴散至微膠囊外而與環氧樹脂 發生反應。於微膠囊型潛在性硬化劑中’加合物型硬化 劑，例如將胺加合物、咪唑加合物微膠囊化之潛在性硬化 劑在穩定性與硬化性之平衡方面優良，故而較好。一般而 言，相對於100質量份之環氧樹脂，使用2〜1〇〇質量份之量 之該等環氧樹脂之硬化劑。 為賦予膜形成性、接著性、硬化時之應力緩和性等較 好的是，本發明中所使用的絕緣性接著劑含有苯氧樹脂， 聚酯樹脂，丙烯酸橡膠，SBR，NBR，矽氧樹脂，聚乙烯 醇縮丁醛樹脂，聚胺基甲酸酯樹脂，聚縮醛樹脂，尿素樹 9，—甲笨樹脂，聚醯胺樹脂，聚醯亞胺樹脂，含有羧 基、經基、乙烯基、胺基等官能基之橡膠，彈性體類等高 刀 成分。該等高分子成分較好的是分子量為 1’〇〇〇,〇〇〇者β高分子成分之含量較好的是相對於 絕緣性接著劑整體為2〜80質量％。 1638l3.doc -25· 201240215 作為該等高分子成 考慮到長期連接之可靠性之觀點 分’較好的是苯氧樹脂。 作= 處所使用之苯氧樹脂’可例示雙 雙，型苯氧樹脂、雙崎㈣合型苯氧樹脂、雙 酚A雙酚S混合型苯氧樹脂、含 弗 氧樹脂、己内酯改性 雙紛A型苯氧樹脂等。苯氧 θ 本乳樹知之重量平均分子量較好的 疋20,000以上、10〇 〇〇〇以下。 作為本發明中所使用之絕緣性接著劑，較好的是貯藏穩 疋性較尚且連接可靠性較高之含有環氧樹脂及潛在性硬化 劍之熱硬化性環氧樹脂系接著劑。更好的是含有苯氧樹脂 之環氧樹脂系接著劑。於此情形時，笨氧樹脂之使用量較 好的是相對於絕緣性接著劑整體為5〇質量％以下。更好的 是20質量％以上、46質量％以下’進而好的是％質量％以 上、44質量。/〇以下。 於絕緣性接著劑中，亦可進而含有絕緣粒子、填充劑' 軟化劑、促進劑、抗老化劑、著色劑 '難燃化劑' 搖變減 黏劑、偶合劑。於含有絕緣粒子或填充劑之情形時，較好 的是’該等之最大徑不足導電粒子之平均粒徑β進而，在 不阻礙絕緣性之範圍内’例如亦可為防止帶電而於絕緣性 接著劑中含有導電粒子。 就提尚接著性方面而言，作為偶合劑，較好的是含有西同 亞胺基、乙烯基、丙烯酸基、胺基、環氧基及異氰酸醋基 之石夕氧偶合劑。 於將絕緣性接著劑之各成分混合之情形時，可根據需要 163813.doc •26· 201240215 而使用溶劑。作為溶劑，例如可列舉曱基乙基酮、甲基異 丁基酮、二乙基酮、環己酮、環戊酮、曱苯、二曱苯、乙 酸乙酯、乙酸乙酸丁酯、乙二醇單烷醚醋酸、丙二醇單烷 醚醋酸、乙醇、異丙醇、二曱基曱醢胺、二甲基乙醯胺。 對於絕緣性接著劑之製造而言，例如可藉由以下方式而 製造，即，於溶劑中混合各成分而製成塗布液，藉由敷抹 器塗敷等將該塗布液塗布於基材上，並於烘箱中使溶劑揮 發。 絕緣性接著劑具有於連接時流動而密封連接區域之作 用，故而較好的是，於連接條件下流動性較高。對於流動 性之尚低，重要的是與絕緣樹脂片材之流動性之相對值， 較好的是在18(TC時之熔融黏度低於絕緣樹脂片材。更好 的是絕緣樹脂片材之黏度之50%以下，進而好的是25%以 下’進而更好的是15%以下’最好的是10%以下。 絕緣性接著劑在1 8〇°C時之熔融黏度之較好的範圍為1 Pa.s以上、1〇〇 Pa.s以下。更好的是2 pa.s以上、5〇 、以 下，進而好的是4 Pa.s以上、30 Pa.s以下。若熔融黏度過 面’則連接時必需較高壓力，另一方面，若熔融黏度較 低’則為抑制使用前之變形而必須於低溫下進行貯藏。 再者，此處’當絕緣性接著劑為熱硬化性樹脂之情形 時’該熔融黏度是指，自絕緣性接著劑去除了硬化劑或者 未添加硬化劑之狀態下的熔融黏度。 絕緣性接著劑既可僅形成於絕緣樹脂片材之一個面上， 亦可形成於兩面上。於欲提高各向異性導電性膜之臨時貼 I63813.doc -27- 201240215 附性時，較好的是形成於兩面。 於將絕緣性接著劑積層於絕緣樹脂 个啊％片材之兩面之情形 時，各個面之絕緣性接著劑可相同亦 乃j不问。不同之情形 可用於對被連接構件之添加，但另— 力 方面亦必須準備2種 進行添加。 絕緣性接著劑之膜厚之總計較好的是導電粒子配置片材 之膜厚的2倍以上、100倍以下’更好的是3倍以上W倍以 下，進而好的是4倍以上、50倍以下，推品s Λ卜’進而更好的是5倍以 上、30倍以下。 本發明之各向異性導電性膜之厚度較好的是5 以上、 50 μιη以下，更好的是6 μη1以上、3 、 从01以下，進而好的是 7μηι以上、25μιη以下，進而更好的 文好的疋8 Pm以上、22 μηΐΗ 下。 對於本發明之各向異性導電性膜，於其單面或兩面積層 剝離片材5’可抑制異物附著於各向異性導電性膜上（圖 4)。作為該剝離片材，可例示聚 私Q沛，聚丙烯，聚苯乙 稀’聚酯，例如PET、PEN，眉韶，备，认 Λ 么龍，氣乙烯，或聚乙烯醇 等之膜。作為較好的剝離片材用始 乃柯用樹月曰，可列舉聚丙烯、 PET。較好的是，該剝離片材 乃何進仃了表面處理，例如氟處 理、矽氧處理、醇酸處理。 本發明之各向異性導電性膜例如可利用以下方法而製 ，，即：使用熱滾筒對導電粒子配置片材與臈狀絕緣性接 著劑進行層壓之方法；或於導雷# 導電粒子配置片材上塗布溶解 於溶劑中之絕緣性接著劑之後使溶騎發之方法等。 163813.doc •28· 201240215 一般而言，將各向異性導電性膜切 並捲繞成卷盤狀。 η之寬度 以上述方式所製造之本發明之各向異性導電性膜，可較 好地用於精細間距連接中，可較好地用於液晶顯示器與 TCP之連接、TCP與FPC之連接、FPC與印刷配線基板之連 接或者將半導體晶片直接安裝於基板上之覆晶安裝中。 作為本發明之電路連接方法，準備藉由IT〇配線或金屬 配線等而形成有電路及電極之玻璃基板等電路基板、以及 於與電路基板之電極成對之位置上形成有電極之IC晶片， 於玻璃基板上之配置1C晶片之位置上，貼附本發明之各向 異性導電性膜。繼而，對玻璃基板與1C晶片進行定位，以 使各電極彼此成對之後’進行熱壓著《熱壓著較好的是在 80t以上、250°C以下之溫度範圍内進行1秒以上、3〇分鐘 以下。所施加之壓力較好的是針對1C晶片面為〇. 1 MPa以 上、50 MPa以下。 [實施例] 根據實施例進一步詳細說明本發明。 a.熔融黏度測定 使用HAAKE公司製造之RHeoStress600 Thermo’並使用 20 mm直徑之錐體（PP20H)進行測定。 [實施例1] 將80質量份之苯氧樹脂（InChem公司製造’商品名： PKHC)，20質量份之雙酚A型液狀環氧樹脂（旭化成化學股 份有限公司製造，商品名：AER2603)，0·25質量份之矽氧 1638B.doc • 29· 201240215 偶合劑（Nippon Unicai^司製造，商品名：Ai87)，3〇〇質 量份之乙酸乙酯混合，獲得絕緣樹脂片材用清漆。自絕緣 樹脂片材用清漆去除溶劑而獲得之絕緣樹脂片材於18〇。〇 時之熔融黏度為1500 pa.s。 於100 μηι之未延伸共聚聚丙烯膜上，使用刮刀塗布而塗 布利用乙酸乙酯稀釋成5質量％樹脂份之丙烯酸聚合物， 在80。。下乾燥10分鐘’形成厚度為i μπι之黏著劑層。此處 所使用之丙烯酸聚合物，係於233質量份之乙酸乙酯中， 將0.2質量份之偶氮二異·腈作為起始劑，而於氮氣氣流 中且在65 C下將62質量份之丙烯酸甲酯、3〇.6質量份之丙 烯酸-2-乙基己酯、7質量份之丙烯酸_2_羥乙基酯聚合8小 時而獲得之重量平均分子量為95萬者。再者，重量平均分 子量係藉由將聚苯乙烯作為標準物質之凝膠滲透層析法 (GPC)而測定的。 於該黏著劑上，於一面填充平均粒徑為4 μηι之導電粒子 (積水化學公司製造，商品名：Micr〇_Pead Αυ)，並藉由 〇·2 Mpa之氣壓之鼓風將未到達黏著劑之導電粒子排除。 結果，形成填充率為74%之單層導電粒子層。於其上，使 用到刀塗布而塗布絕緣樹脂片材用清漆，在8〇<t下乾燥1〇 分鐘，形成厚度為7 μηι之絕緣樹脂片材層，獲得導電粒子 填充片材Α。 繼而，使用測試用雙軸延伸裝置，在135β(：之溫度下， 縱橫一起以10%/秒之比率將導電粒子填充片材A延伸至2 2 倍為止，逐漸冷卻至室溫，自嵌入有導電粒子之絕緣樹脂 I63813.doc •30- 201240215 片材剝離聚丙烯膜與黏著劑’獲得導電粒子配置片材a。 使用掃描型電子顯微鏡（日立製作所製造m⑼，以 下相同)觀察導電粒子配置片材A可發現，導電粒子存在於 絕緣樹脂片材中’無導電粒子之絕緣樹脂片材部大致平 滑，導電粒子於絕緣樹脂片材之一面側較大地突出，且該 突出部由絕緣樹脂片材所包覆。另—方面，相反面較小地 突出’且該突出部露出有導電粒子„&而，以通過導電粒 子之中心之方式切斷導電粒子配置片材A，並利用掃描型 電子顯微鏡（SEM，Scanning Electron MiC職。pe)對該剖 面進行觀察（圖5)可發現，絕緣樹脂片材之厚度為15 ， 導電粒子之突出高度較大一側之突出部頂部由厚度為 μπι之絕緣樹脂片材所包覆。另一方面，使用雷射顯微鏡 (KEYENCE製造，νΚ·9500)，以0.01 μιη之幅度對突出高度 較小一側之突出高度進行測定（以下相同）之後發現，該突 出高度為0.1 μιη。藉由以上方式，導電粒子之突出高度較 大一側之突出高度經加算後為2.4 μιη。 進而’根據利用顯微鏡（KEYENCE股份有限公司製造， 商品名：VHX-100，以下相同）對導電粒子配置片材a進行 觀察之圖像’使用圖像處理軟體（旭化成股份有限公司製 造，商品名：A像 < 厶，以下相同），求出導電粒子之中心 間距離之平均值及其變動係數之結果為，平均值為ι〇 ι ’變動係數為0.29 ^又，導電粒子之面積率為15 1%。 再者’導電粒子之中心間距離係使用可利用各粒子之中心 點進行德洛涅三角分割後的三角形之邊之長度，導電粒子 163813.doc -31· 201240215 之觀察係對0.06 mm2内之粒子進行的。 為評估導電粒子自導電粒子配置片材八脫落之脫落性， 利用顯微鏡，對利用拭鏡紙i kPa之壓力下對 導電粒子配置片材之單面各摩擦1〇〇次後粒子之脫落狀況 進行觀察後，結果完全未發現有粒子脫落。 將100質量伤之本氧樹脂（InCheni社製造，商品名： PKHC)，90質量份之雙酚八型液狀環氧樹脂（旭化成化學股 份有限公司製造，商品名：AER26〇3)，6〇質量份之微膠 囊型潛在性硬化劑與液狀環氧樹脂之混合物（旭化成化學 ^伤有限公司製造，商品名：Novacua)(含有40質量份之 液狀環氧樹脂），0.25質量份之矽氧偶合劑（Nipp〇n

Unicar △司製造，商品名：A-187) , 300質量份之乙酸乙酯混 合，獲得清漆。使用到刀塗布，將該清漆塗布於經離型處 理之50 μηι之PET膜製剝離片材上，藉由乾燥而去除溶 劑，獲得膜厚為17 μηι之膜狀絕緣性接著劑B。另外，對添 加40質量伤之液狀環氧樹脂，以取代6〇質量份之微膠囊型 潛在性硬化劑與液狀環氧樹脂之混合物，並利用相同之方 式而製成之絕緣性接著劑之熔融黏度進行測定，結果為， 絕緣接著劑Β於180。(：時之熔融黏度為丨〇 5 pa.s。 進而，以與絕緣性接著劑B同樣之方式獲得僅膜厚與絕 緣性接著劑B不同之絕緣性接著劑C。絕緣性接著劑之膜 厚為2 μηι β 於實施例1中所獲得之導電粒子配置片材Α之導電粒子突 出高度較大一側疊置絕緣性接著劑B，於突出高度較小一 163813.doc -32· 201240215 側疊置絕緣性接著劑C，在55°C、0.3 MPa之條件下進行層 壓，獲得各向異性導電性膜A。 繼而’準備以30 μηι之間距排列有20 μπιχΙΟΟ μπι之金凸 塊之1·6 mmx 15 mm的裸晶、及具有與裸晶相對應之連接 間距之ITO(Indium Tin Oxide)玻璃基板，於玻璃基板之晶 片安裝位置上’載置剝離了絕緣性接著劑C側之剝離片材 之各向異性導電性膜A ’在70°C、5 Kg/cm2、2秒鐘之條件 進行熱壓著，剝離絕緣性接著劑B側之剝離片材之後，使 用覆晶接合器（TORAY Engineering股份有限公司製造之 FC2000，以下相同）對裸晶進行定位，在恆溫下於2秒後達 到19〇°c，其後在成為固定溫度之條件下以30 Kg/cm2、1〇 秒鐘進行加熱加壓，將裸晶連接於IT〇玻璃基板。 此時可發現，絕緣性接著劑流動，且亦會流出至裸晶之 外。將連接後夾持於金凸塊與ΙΤ〇電極間之導電粒子亦 即有效地連接之導電粒子之數量計算成4〇凸塊份之結果 為，平均為14.4個’標準偏差為丨.9個，由平均_3χ標準偏 差：定義之最小連接間粒子數為8·7個，判定為，可進行 穩定之連接。X，對由裸晶及ΙΤ〇玻璃電極構成之以對菊 鍊電，進行導通電阻測定以及對4崎梳型電極進行絕緣電 阻測疋之結果為’包含配線電阻之導通電阻為2.9⑽，“ :之所有電極均連接。另一方面，絕緣電阻為Μ。以 ’ 4〇對梳型電極間未發生短路，於精細間距連 用0

[實施例2J 163813.doc .33- 201240215 作為絕緣樹脂片材’單獨使用苯氧樹脂（InChem公司製 造’商品名：PKHB ’ 1 80°C之熔融黏度為980 Pa.s)，將導 電粒子之平均粒徑變更為3 μηι，將填充率變更為82%，除 此以外，以與實施例1相同之方式獲得導電粒子填充片 材’且除了將延伸倍率設為2.7倍以外，以與實施例1相同 之方式獲得導電粒子配置片材（稱為導電粒子配置片材 Β)。 利用掃描型電子顯微鏡對所獲得之導電粒子配置片材Β 進行觀察可發現，導電粒子存在於絕緣樹脂片材中，無導 電粒子之絕緣樹脂片材部大致平滑，導電粒子於絕緣樹脂 片材之一面側較大地突出，且該突出部由絕緣樹脂片材所 包覆。另一方面，相反面較小地突出，且該突出部露出有 導電粒子。進而，以通過導電粒子之中心之方式切斷導電 粒子配置片材Β，並利用操作型電子顯微鏡觀察其剖面， :發現，絕緣樹脂片材之厚度狀8 _，導電粒子之突出 度較大側之大出部頂部由厚度為〇·3 μηι之絕緣樹脂片 材所包覆》另-方面’利用雷射顯微鏡對突出高度較小— 側之突出高度進行測^之結果為，該突出高度為Q」pm。 藉由上述方式’導電粒子之突出高度較大一側之突出高度 算出為2.1 um。 進而’根據利用顯微鏡對導電粒子配置片材b進行觀察 之圖像，使用圖像處理軟體而求出導電粒子之中心間距離 之平均值及其變動係數之結果為，平均值為91叫，變動 係數為(M9。又，導電粒子之面㈣為心。 163813.doc 201240215 為評估導電粒子自導電粒子配置片材b脫落m 利用顯微鏡’對利用栻鏡紙在！ kpa之壓力下對導電粒子 配置片材之單面各摩擦⑽次後之粒子之脫落進行觀察， 結果完全未發現有粒子脫落。 繼而與實施例1同樣，於導電粒子之突出高度較大一側 層壓絕緣性接著劑B，獲得各向異性導電性膜B，並與實 施例1同樣’以使導電粒子配置片材側成為IT〇玻璃基板側 之方式，進行裸晶與ΙΤΟ玻璃基板之連接。 將連接後夾持於金凸塊與ΙΤ〇電極間之導電粒子計算成 40凸塊份之結果為，平均為164個，標準偏差為I」個，由 平均-3χ標準偏差所定義之最小連接間粒子數為12.5個，判 疋為，可進行穩定之連接。又，對纟裸晶及ΙΤ〇玻璃電極 構成之64對菊鍊電路進行導通電阻測定以及對川對梳型電 極進行絕緣電阻測定之結果為，包含配線電阻之導通電阻 為3.1 kQ，64對之所有電極均連接，另一方面，絕緣電阻 為ΙΟ9 Ω以上，40對梳型電極間未發生短路，於精細間距 連接時有用。 [比較例1 ] 降低絕緣樹脂片材用清漆之塗布量，將絕緣樹脂片材層 之厚度設為3.5 μπι，除此以外，以與實施例丨相同之方 式’獲得導電粒子配置片材（稱為導電粒子配置片材c)。 使用掃描型電子顯微鏡對所獲得之導電粒子配置片材c 進行觀察，可發現，於一面側較大地突出之導電粒子在兩 側露出並爽入大致平滑之絕緣樹脂片材中。繼而，以通過 1638l3.doc •35- 201240215 導電粒子之中心之方式切斷導電粒子配置片材c，並利用 操作型電子顯微鏡對其刮面進行觀察，可發現，絕緣樹脂 片材之厚度為0.8 μπι，導電粒子之突出高度較大一側之頂 邛露出。利用雷射顯微鏡對突出高度進行測定之結果為， 该突出高度為3.1 μπι及0.1 。 為評估導電粒子自導電粒子配置片材c脫落之脫落性， 利用顯微鏡，對利用拭鏡紙在！ kPa之壓力下對導電粒子 配置片材之單面各摩擦100次後之粒子之脫落進行觀察之 結果發現，約20%之粒子發生脫落，判定為，無法用作連 接材料。 [比較例2] 提尚絕緣樹脂片材用清漆之塗布量，將絕緣樹脂片材層 之厚度設為20 μπι，除此以外，以與實施例丨相同之方式， 獲得導電粒子配置片材（稱為導電粒子配置片材D)。 使用掃描型電子顯微鏡對所獲得之導電粒子配置片材D 進行觀察，可發現，無導電粒子突出，導電粒子嵌入 4.5 μπι之大致平滑之絕緣樹脂片材中。 繼而，與實施例1同樣，將絕緣性接著劑Β層壓於一側， 獲得各向異性導電性膜D，並與實施例2同樣，以使導電粒 子配置片材側成為ΙΤ〇玻璃基板側之方式，進行裸晶與ιτ〇 玻璃基板之連接。 對由裸晶及ΙΤΟ玻璃電極構成之64對菊鍊電路進行導通 電阻測定之結果未，於菊鍊中無電流流動，無法取得電性 連接’判定為，無法用作連接材料。 163813.doc •36· 201240215 [產業上之可利用性] 本發明之導電粒子配置片材，自其製造至使用期間不易 引起導電粒子之脫落，於微細圖案配線之電性連接中，對 於微小電極之連接之可靠性較優良，並且，狹窄空間内之 鄰接電極間之絕緣性較高，且可較好地用於可實現低電阻 間之連接的連接材料中。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明之基準面P1、^與平均突出高度hi、 h2間之關係的概念圖。 圖2係本發明之導電粒子配置片材之剖面概念圖。 圖3(a) (f)係本發明之各向異性導電性膜之製造概念 圖。 圖4係本發明之各向異性導電性膜之剖面概念圖。 圖5係本發明之導電粒子配置片材之SEM照片。 【主要元件符號說明】 1 可延伸之片材 2 黏著劑 3 絕緣樹脂層 4 絕緣性接著劑層 5 剝離片材 hi ' h2 平均突出高度 E 導電粒子 LI、L2 切線 PI > P2 基準面 163813.doc •37· 201240215 s 絕緣樹脂片材 τ 包覆層 163813.doc -38-

Claims (1)

1. 201240215 七、申請專利範圍： 1. 一種導電粒子配置片材，其特徵在於：其係包含導電粒 子、以及具有基準面P1及與P1相對之基準面P2之絕緣樹 脂片材而成者；該絕緣樹脂片材之厚度小於該導電粒子 之平均粒徑，且有導電粒子自該絕緣樹脂片材之至少一 側之基準面P1突出’該導電粒子之自絕緣樹脂片材之基 準面P1所突出之部分係被包含與構成該絕緣樹脂片材之 該絕緣樹脂相同的樹脂之包覆層所包覆； 此處’於將基準面P1、與平行於導電粒子之基準面P1 之切線、即與自該基準面P1突出之突出部分相接之切線 LI之間的距離之平均值設為平均突出高度hi (hi > 〇)，將 基準面P2、與平行於導電粒子之基準面P2之切線、即與 切線L1夾著該導電粒子而位於切線l 1相反側之切線L2之 間的距離之平均值設為平均突出高度h2之情形時（其中， 設該切線L2位於該絕緣樹脂片材内時h2 < 0，該切線L2 位於基準面P2上時h2 = 0，該切線L2位於該絕緣樹脂片 材外時h2>0)，滿足hl>h2之關係； 自上述基準面P1突出之導電粒子之包覆層頂部之包覆 厚度為0.1 μιη以上、2 μπι以下；且該絕緣樹脂片材於 180°C時之熔融黏度為1〇 pa.s以上、50000 Pa.s以下。 2. 如清求項1之導電粒子配置片材，其中有上述導電粒子 自上述絕緣樹脂片材之兩面突出，且平均突出高度h2相 對於上述平均突出高度hi之比h2/hl為0以上、1/1.1以 下。 163813.doc 201240215 3. 如請求項2之導電粒子配置片材，其中自上述基準面p2 突出之導電粒子係自絕緣樹脂片材露出。 4. 如請求項1之導電粒子配置片材，其中定義為導電粒子 之投影面積佔據上述導電粒子之絕緣樹脂片材之面積之 總計值的面積率為2°/。以上、40%以下。 5. 如請求項1之導電粒子配置片材，其中上述絕緣樹脂片 材含有苯氧樹脂。 6. 如請求項1之導電粒子配置片材，其中上述導電粒子之 平均粒徑為0.5 μιη以上、1 〇 μηι以下。 7. 如請求項1之導電粒子配置片材，其中上述導電粒子之 中心間距離之變動係數為〇.03以上、〇.6以下。 8. 一種導電粒子配置片材之製造方法，其係於可延伸之片 材上’以單層填充導電粒子而形成導電粒子層，於該導 電粒子層上形成絕緣樹脂層，從而形成導電粒子填充片 材，並使該導電粒子填充片材延伸。 9. 如請求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述可延伸之片材上以單層填充導電粒子而形成導電粒 子層時，於該可延伸之片材上塗布黏著劑，並於該黏著 劑上以單層填充導電粒子而形成導電粒子層。 1〇·如請求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中上述 導電粒子填充片材之絕緣樹脂層之厚度為導電粒子之平 均粒徑的1.0倍以上、1 0倍以下。 11.如請求項9之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述可延伸之片材上塗布黏著劑，並於該黏著劑上以單 1638l3.doc 201240215 層填充導電粒子而形成導電粒子層時，將導電粒子嵌入 黏著劑中。 12·如請求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中於以 單層填充上述導電粒子而形成導電粒子層時，以使定義 為導電粒子之投影面積相對於整個面積之比例的填充率 成為50%以上、90%以下之方式填充導電粒子。 13. 如請求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述導電粒子層上形成絕緣樹脂層時，於導電粒子層上 形成片材狀絕緣樹脂，以作為絕緣樹脂層。 14. 如請求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中於在 上述導電粒子層上形成絕緣樹脂料，於導電粒子層上 形成塗布溶解於溶劑中之絕緣樹脂、並使溶劑乾燥後而 獲得之絕緣樹脂，以作為絕緣樹脂層。 15·如凊求項8之導電粒子配置片材之製造方法，其中定義 為縱方向之延伸倍率與橫方向之延伸倍率之積的面倍率 為2.2倍以上、25倍以下。 163813.doc