TW201226546A - Slurry, polishing fluid set, polishing fluid, polishing method of substrate and substrate - Google Patents

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Description

201226546 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是有關於一種漿料、研磨液組、研磨液、基板 的研磨方法及基板。尤其，本發明是有關於一種半導體元 件的製造步驟中使用的漿料、研磨液組、研磨液、基板的 研磨方法及基板。 【先前技術】 近年來的半導體元件的製造步驟中，用以高密度化、 微細化的加工技術的重要性進一步增強。作為其加工技術 之的化學機械研磨（Chemical Mechanical Polishing， CMP)技術在半導體元件的製造步驟中，成為對於淺溝槽 除離（Shallow Trench Is〇lati〇n，以下視情況稱為「STI」） 的形成、前金屬絕緣膜或層間絕緣臈的平坦化、插塞或嵌 入金屬配線的形成而言所必需的技術。 先前’半導體元件的製造步驟中，為了使利用化學氣 相沈積（Chemical Vapor Deposition，CVD)法或旋轉塗佈 法等方法而形成的氧化矽膜等絕緣膜平坦化，通常將煙燻 一氧化矽(fumed silica)系研磨液用於CMP中。煙燻二氧化 石夕系研磨液是利用將四氯化矽酸進行熱分解等的方法使研 磨粒進行晶粒成長，調整pH值而製造。然而，此種二氧 化石夕系研磨液存在研磨速度低的技術問題。 但，設計規則0.25 μιη以下的一代中，在積體電路内 的元件隔離中使用ST]>STI形成時，為了將成膜於基板上 的多餘氧化矽膜去除而使用CMP。並且，CMP中為了使 201226546 研磨停止，將研磨速度緩慢的中止膜(st〇pper film)形成於 氧化矽，之下。對中止膜使用氮化矽膜或多晶矽膜等較 理想為氧化矽膜相對於中止膜的研磨選擇比（研磨速度 1:氧化矽膜的研磨速度/中止膜的研磨速度）大。習知的 ，體二氧切系研磨液等二氧化㈣研磨液存在如下傾 ° .氧化矽膜相對於中止膜的研磨選擇比小至3左右，作 為STI用，不具有可耐受實用的特性。 方面，使用包含氧化騎子作為研磨粒的氧化飾 液來作為針對鮮、透鏡等的朗表㈣研磨液。 磨液與包含二氧切粒子作為研磨粒的二氧化 c、或包含氧化鋁粒子作為研磨粒的氧化鋁系研 η目比，具有研磨速度快的優點。料，近年來，使用 4用局純度氧化雜子的半導體用 磨液（例如參照下述專利文獻…作為氧化飾糸研 长接系研磨液等研磨液要求各種特性。例如要 等研磨粒的分散性、將具有凹凸的基板 研磨成平坦等。另外，若以卜祕Q ^ 止膜(例如氮切臈、多晶矽膜等) 膜，r緣膜(例‘ 要求，有時在研磨液中添加添 提高總體的平扭性:、心研磨液的研磨速度， 下述專利文獻2-)在研磨液中添加添加劑（例如參照 仁近年來，在半導體元件的製造步驟中要求達成配 201226546 當使用習二匕磨時產生的研磨傷成為問題。即， :的心σ的氧化鈽系研磨絲進行研磨時，即便產生微 傷的大小只要小於料的二=微 況下會成為=但在想要達成配線的進-步微細化的情 耕廢問題對使用四價金屬元素的氫氧化物粒子的 ϊίΐ行研究（例如參照下述專利文獻3)。另外，亦對 =下的氫氧化物粒子的製造方法進行研究（例如 :’U散獻4 )。該純術想要藉由有效利肋價金 屬兀素的氫氧化物粒子所具有的化學作m極力減小 機械作用，來減少由粒子引起的研磨傷。 先前技術文獻 專利文獻 專利文獻1 :曰本專利特開平10·106994號公報 專利文獻2:日本專利特開平〇8_〇2297〇號公報 專利文獻3 :國際公開第02/〇673〇9號小冊子 專利文獻4 :曰本專利特開2006-249129號公報 然而，專利文獻3及專利文獻4所記載的技術中，研 磨傷減少，但另一方面，研磨速度稱不上足夠高❶研磨速 度在這種情況下會對製造程序的效率造成影響，故而要求 具有更局的研磨速度的研磨液。 另外，若研磨液含有添加劑，則存在並非獲得添加劑 的添加效果，而是導致研磨速度下降的情·況，存在研磨速 度與其他研磨特性難以並存的問題。 201226546 ------π 【發明内容】 料，其相較於f知_=^ -種漿 被研磨膜進行研磨。另外，本^；的研磨速度對 料，由其獲得的研磨液不僅可維持添加劑的種^ ==的研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研 液，目的在於提供—種研磨液組及研磨 液其不僅可維持添加劑的添加效果，而且 研磨n㈣較優異的研磨速度對被研磨騎行的 =，本發明的目的在於提供一種使用上述漿料、上 述研磨液組或者上述研磨液的研磨方法以及由此所得的基 板。 土 ^發明者對使用包含四價金屬元素的氫氧化物的研磨 _漿料進行積極研究，結果發現，藉由使用可在含= 疋置的該研磨粒的水分散液中提高對特定波長的光的光吸 收（吸光度）’並且可提高對較波長的光的透光率的研磨 粒’相較於習知的研磨液’能夠以較優異的研磨速度對被 研磨膜進行研磨。另外發現，於使用在此種製料中添加添 加劑而獲得的研磨液的情況，不僅可維持添加劑的添加效 果，而且能夠以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。另 外，本發明者發現，藉由不添加添加劑而將此種漿料直接 用於研磨:，相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速 度對被研磨膜進行研磨。 201226546 即，本發明的漿料的第1實施形態含有研磨粒及水， 並且研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物，研磨粒在將該 研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，且研磨粒在上述將研磨粒 的含量調整為1·〇質量％的水分散液中對波長500 nm的光 的透光率為50%/cm以上。此外，所謂將研磨粒的含量調 整為規定量的水分散液，是指包含規定量的研磨粒及水的 溶液。 利用第1實施形態的漿料，於使用在該漿料中添加添 加劑而獲得的研磨液的情況，不僅可維持添加劑的添加效 果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度 對被研磨膜進行研磨。另外，於不添加添加劑而將第1實 施形態的漿料用於研磨的情況，相較於習知的研磨液，亦 能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。進而，利 用第1實施形態的漿料，藉由使研磨粒包含四價金屬元素 的氫氧化物，亦可抑制被研磨面中的研磨傷的產生。 本發明的漿料的第2實施形態含有研磨粒及水，並且 研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物，研磨粒在將該研磨 粒的含量調整為0.0065質量％ (65 ppm)的水分散液中對 波長290 nm的光的吸光度為1.000以上，且研磨粒在上述 將研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對波長5〇〇 nm的光的透光率為50%/cm以上。此外，「ppm」是指質 量比ppm，即「百萬分之一質量（parts per million mass)」° 第2實施形態的漿料中’亦於使用在該漿料中添加添
S 8 201226546r 加劑而獲得的研磨液的情況，不僅可維持添加劑的添加效 果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速度 對被研磨膜進行研磨。另外’於不添加添加劑而將第2實 施形態的漿料用於研磨的情況，相較於習知的研磨液，亦 能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。進而，利 用第2實施形態的漿料，藉由研磨粒包含四價金屬元素的 虱氧化物’亦可抑制被研磨面中的研磨傷的產生。 第2實施形態的漿料中，研磨粒較佳為在將該研磨粒 的含量調整為1.〇質量°/❶的水分散液中對波長40〇11111的光 的吸光度為1.50以上者。此時，相較於習知的研磨液，能 夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 本發明的漿料中，研磨粒較佳為在將該研磨粒的含量 調整為0.0065質量％的水分散液中對波長45〇 nm〜600 nm 的光的吸光度為0.010以下者。此時，相較於習知的研磨 液，能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 四價金屬元素的氫氧化物較佳為將四價金屬元素的鹽 與鹼性液混合而獲得者。此時，由於可獲得粒徑極細的粒 子作為研磨粒，故而可進一步提高研磨傷的減少效果。 四價金屬元素較佳為四價鈽。此時，由於獲得化學活 性高的微粒子作為研磨粒，故而相較於習知的研磨液，能 夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 另外’本發明者發現’藉由在除了上述漿料的構成成 分以外還含有添加劑的研磨液中，使用如上所述可提高對 波長290 nm或者波長400 nm的至少一種光的吸光度、及 201226546 對波長500 run的光的透光率的研磨粒，可抑制對被研磨 膜的研磨速度隨著添加劑的添加而下降。 即’本發明的研磨液組是以將第！液與第2液混合而 形成研磨液的方式，將該研磨液的構成成分分成第i液與 第2液來保存，第1液為上述漿料，第2液包含添加劑及 水。利用本發_研舰組，不僅可維持添加_添加效 果，而且相較於習知的研磨液，能夠以較優異的研磨速产 對被研磨膜進行研磨。另外，利用本發明的研磨液組，^ 可抑制研磨傷的產生。 添加劑較佳為選自乙烯醇聚合物及該乙烯醇聚合物的 衍生物中的至少一種。此時，藉由添加劑包覆研磨粒表面， 而抑制研磨粒附著於被研磨面，因此研磨粒的分散性提 南’可提高研磨液的穩定性。另外’亦可提高被研磨面的 清潔性。 添加劑的含量以研磨液總質量基準計，較佳為〇 〇1質 罝％以上。此時，不僅獲得添加劑的效果，而且相較於習 知的研磨液，能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研 磨。 本發明的研磨液的第1實施形態含有研磨粒、添加劑 及水，並且研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物，研磨粒 在將該研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對波 長400 nm的光的吸光度為1_5〇以上，且研磨粒在上述將 研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對波長5〇〇 nm的光的透光率為50%/cm以上。利用第1實施形態的研 201226546 磨液，不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的 研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 另外，第1實施形態的研磨液中，藉由使研磨粒包含四價 金屬元素的氫氧化物，亦可抑制被研磨面中的研磨傷的產 生。 本發明的研磨液的第2實施形態含有研磨粒、添加劑 及水，並且研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物，研磨粒 在將該研磨粒的含量調整為0.0065質量％的水分散液中對 波長290 nm的光的吸光度為ι_〇〇〇以上，且研磨粒在上述 將研磨粒的含1調整為1.0質量％的水分散液中對波長5〇〇 nm的光的透光率為50%/cm以上。利用第2實施形態的研 磨液，不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的 研磨液，能夠以較優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 另外，第2實施形態的研磨液中，藉由使研磨粒包含四價 金屬元素的氳氧化物，亦可抑制被研磨面中的研磨傷的產 生。 第2實施形態的研磨液中，研磨粒較佳為在將該研磨 粒的含量調整為1.〇質量％的水分散液中對波長4〇〇 nm的 光的吸光度為1.50以上者。此時，相較於習知的研磨液， 能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 本發明的研磨液中，研磨粒較佳為在將該研磨粒的含 量調整為0.0065質量％的水分散液中對波長45〇 nm〜6〇〇 nm的光的吸光度為0.010以下者。此時，相較於習知的研 磨液，能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 11 201226546 本發明的研磨液中，四價金屬元素 將四價金屬元素的鹽與驗性液混合而獲得者二= 可獲得粒她細的粒子作為粒，_ _ 減少效果更優制研磨液。 脚所潛傷的 本發明的研磨液中，四價金屬元素較佳為四價飾 時’由於獲得化學活性高的餘子作為研練，故而相較 於習知的研磨液’能夠以更優異的研磨速度對被研磨 行研磨。 ' 二本發明的研磨液中，添加劑較佳為選自乙烯醇聚合物 及該乙烯醇聚合物的衍生物中的至少一種。此時，藉由添 加劑包覆研磨粒表面，而抑制研磨粒附著於被研磨^^ 此研磨粒的分散性提高，可提高研磨液的穩定性。另外， 亦可提高被研磨面的清潔性。 本發明的研磨液中，添加劑的含量以研磨液總質量基 準計’較佳為0.01質量％以上。此時，不僅獲得添加劑的 效果，而且相較於習知的研磨液，能夠以更優異的研磨速 度對被研磨膜進行研磨。 另外，本發明提供使用上述漿料、上述研磨液組或者 上述研磨液的基板的研磨方法。利用該些研磨方法，能夠 以與習知的研磨方法相比較而言優異的研磨速度對被研磨 膜進行研磨。另外’利用該些研磨方法，亦可抑制研磨傷 的產生，或獲得平坦性優異的基板。 本發明的研磨方法的第1實施形態是有關於使用上述 漿料的研磨方法。即，第1實施形態的研磨方法包括：將 201226546^ 表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊相對向 的方式來配置的步驟，以及·一邊向研磨塾與被研磨膜之間 供給上述漿料’ 一邊對被研磨膜的至少一部分進行研磨的 步驟。 本發明的研磨方法的第2實施形態及第3實施形態是 有關於使用上述研磨液組的研磨方法。利用此種研磨方 法，亦可避免在混合添加劑後長時間保存的情況所擔憂的 研磨粒凝集、研磨特性變化等問題。 即，第2實施形態的研磨方法包括：將表面具有被研 磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊相對向的方式來配置 的步驟；將上述研磨液組中的第1液與第2液混合而獲得 研磨液的步驟；以及一邊向研磨墊與被研磨膜之間供給研 磨液，一邊對被研磨膜的至少一部分進行研磨的步驟。第 3實施形態的研磨方法包括：將表面具有被研磨膜的基板 的該被研磨膜以與研磨墊相對向的方式來配置的步驟；以 及一邊將上述研磨液組中的第丨液與第2液分別供給至研 磨墊與被研磨膜之間，一邊對被研磨膜的至少一部分進行 研磨的步驟。 本發明的研磨方法的第4實施形態是有關於一種使用 上述研磨液的研磨方法。即，第4實施形態的研磨方法包 括·將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊 相對向的方式來配置的步驟；以及一邊向研磨墊與被研磨 膜之間供給上述研磨液，一邊對被研磨膜的至少一部分進 行研磨的步驟。 13 201226546 被研磨膜較佳為包含氧化石夕。另外 較佳為具有凹凸。利用該此研磨方的表面 研磨液的特長。 ―研財法’可充分地有效利用 方法進行研磨的基板。 本發明的基板是利用上述研磨 (發明效果） 利用.本發明的漿料’相較於習知的研磨液，能夠以較 速度對被研磨膜進行研磨。另外，利用本發明 的漿料所獲㈣研舰’不僅可維祕加劑的添加效果， 而且相較於習知的研磨液’能夠以較優異的研磨速度對被 研磨膜進行研磨。另外，本發明的研磨及研磨液， 不僅可維持添加劑的添加效果，而且相較於習知的研磨 液，能夠雜優異的研磨速度職研顧進行研磨。另外， 本，明的研磨方法由於能夠以優異的研磨速度對被研磨膜 進仃研磨，故而處理量優異，並且於使用添加劑的情況， 可滿足所需的特性（例如平坦性或選擇性）。 【實施方式】 以下，對本發明的實施形態進行詳細說明。本實施形 態中，研磨粒滿足下述條件（a)或者（b)的至少一種。 (a) 在將研磨粒的含量調整為丨〇質量％的水分散液 中對波長400 nm的光的吸光度為15〇以上，並且在將研 磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對波長5〇〇 nm 的光的透光率為50%/cm以上。 (b) 在將研磨粒的含量調整為〇〇〇65質量％的水分 散液中對波長290 nm的光的吸光度為l.ooo以上，並且在
S 14 201226546 將研磨粒的含量調整為丨.0質量％的水分散液中對波長5〇〇 nm的光的透光率為50%/cm以上。 本發明者發現，提高波長290 nm或者波長4〇〇 nm的 至少一種光的吸光度，對於提高對被研磨膜的研磨速度而 言有效，並且發現’提高該吸光度，並且提高對波長5〇〇腹 的光的透絲，對於確實獲得以吸光料指標的研磨速度 的改善效果而言有效。藉此，本發明者發現，藉由使用滿 足與吸光度及透光率有關的上述條件的研磨粒，相較於習 知的研磨液’能夠讀優異的研磨速度對被研磨膜進行研 磨。另外，本發明者發現’滿足上述條件的研磨液及漿料 在目視觀察時帶有少許黃色，研磨液及漿料的黃色變得越 濃，研磨速度越提高。 〈研磨液〉 本實施形態的研磨液至少含有研磨粒、添加劑及水。 以下’對各構成成分進行說明。 (研磨粒） 研磨粒的特徵在於包含四價金屬元素的氫氧化物。四 價金屬騎較佳為稀土類元素，其巾，就容易形成適合於 研磨的氫氧化物的方面而言，更佳為選自銃、紀、綱、飾、、 鐯、敛、鉅、釓、铽、鏑、鈥、铒、铥、镱及罇中的至少 一種。就容易獲取且研磨速度更優異的觀點而言， 屬元素尤佳為鈽。 ’ =磨粒較佳為包含四價金屬元素的氫氧化物， 活性兩且研磨速度更優異的方面而言，更佳為包含四價飾 15
201226546 L 的氫氧化物。此外’本實施形態的研磨液可在不損及包含 四價金屬元素的氫氧化物的研磨粒的特性範圍内併用其他 種類的研磨粒。具體而言’例如可使用二氧化妙、氧化/紹、 氧化鍅等研磨粒。 研磨粒中的四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨粒 總質量基準計’較佳為50質量％以上，更佳為6〇質量％ 以上，尤佳為70質量。/〇以上，特佳為質量％以上極 佳為90質量％以上。 本實施形態的研磨液的構成成分中，四價金屬元素的 氫氧化物被認為對研磨特性帶來的影響大。因此，藉由調 整四價金屬元素的氫氧化物的含量，研磨粒與被研磨面的 化學性相互作用提高，可進一步提高研磨速度。即，就變 侍容易充分表現出四價金屬元素的氫氧化物的功能的方面 而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨液總質量基 準計，較佳為0.01質量％以上，更佳為〇〇5質量％以上， 尤佳為0.1冑量％以上。另外，就變得容易避免研磨粒凝 集的方面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以研磨液 總質量基準計，較佳為8質量。/“X下，更佳為5質量％以 下。 、研磨粒的含量並無特別限制，就變得容易避免研磨粒 疑集，並且研磨粒可有效地作用於被研磨面而使研磨順利 ^的方©而言，以研磨液總#量基料，較佳為_質 量％〜10質量％，更佳為〇·1質量％〜5質量％。 就獲彳于更優異的研磨速度的方面而言，研磨粒的平均
S 16 201226546 二 二=〇r=說明，則稱為「平均粒徑」) 面接觸的研磨粒的比表 二〇度的方面而言，平均粒徑更佳為i5〇 nm以二 平均:以下’極佳為5〇 -以下。就 而二，存在研磨速度容易提高_向的方 面而吕，平均粒徑更佳為2nm以上，尤佳為5nm以^ 研練的平擁徑可_基於光子相·的粒度分布 ^署=測定’具體而言’例如可利用Malvern公司製造的 =名zetasizer 3_HS、Beckman ―此公司製造的 广名.N5等進行測定。使用Zetasizer3〇〇〇HS的測定方 f具體而言’例如是製備將研磨粒的含量調整為0.2質量 的水分散液’將約4 mL的該水分散液（l表示「升」， =了相同）加入至lcm見方的槽中，在裝置内設置槽。將 分散^質的折射率設為L33，將黏度設為〇 887 mpa · s， 在25¾下進行測定，藉此研磨粒的平均粒徑是作為表示為 乙平均粒徑（Z-average Size)的值而獲得。 [吸光度]
關於上述條件（a) ’藉由使用在將研磨粒的含量調整 為1·〇吳1%的水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為 ^50以上的研磨粒，而獲得研磨速度的提高效果的原因未 必明確’本發明者考慮如下。即認為，根據四價金屬元素 的氫氧化物（M(OH)4)的製造條件等，生成包含四價金屬 (M4+)、3個羥基（OH·)及1個陰離子（X-)的m(OH)3X 201226546 的粒子作為研磨粒的一部分。M(〇H)3X中，一般認為電子 吸引性的陰離子（X-)發揮作用，羥基的反應性提高，隨 著M(OH)3X的存在量增加，研磨速度提高。而且認為， 由於M(OH)3X的粒子吸收波長400 nm的光，故而隨著 M(OH)3X的存在量增加，對波長4〇〇 nm的光的吸光度提 高，則研磨速度提高。 此處’確認了 M(OH)3X的波長400 nm的吸收峰值遠 遠小於波長290 nm的吸收峰值。對此，本發明者使用研 磨粒含量比較多、容易檢測出吸光度大的研磨粒含量為 質量％的水分散液，對吸光度的大小進行研究，結果發現， 於使用在該水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為 1.50以上的研磨粒的情況，研磨速度的提高效果優異。此 外’如上所述’認為對波長4〇〇 nm的光的吸光度源自研 磨粒，因此在包含對波長4〇〇 nm的光的吸光度為1 5〇以 上的物質（例如呈現出黃色的色素成分）代替對波長4〇〇 nm的光的吸光度為1 5〇以上的研磨粒的研磨液中，當然 無法以優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨。 就能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的觀 點而言’對波長400 nm的光的吸光度更佳為2.00以上， 尤佳為2.50以上，特佳為3.00以上。對波長4〇〇11111的光 的吸光度的上限值並無特別限制，例如較佳為1〇 〇。 關於上述條件（b) ’藉由使用在將研磨粒的含量調整 為0.0065質量％的水分散液中對波長29〇 nm的光的吸光 度為1.000以上的研磨粒，而獲得研磨速度的提高效果的 201226546 ----- 原因未必明確’但本發明者考慮如下。即，計算的結果為， 根據四價金屬元素的氫氧化物（μ(οη)4)的製造條件等而 生成的Μ(ΟΗ)3Χ的粒子在波長290 nm附近具有吸收的峰 值，例如包含Ce4+(0H-)3N03_的粒子在波長290 nm具有吸 收的峰值。因此認為，隨著M(OH)3X的存在量增加，對 波長290 nm的光的吸光度提高，則研磨速度提高。 此處，對波長290 nm附近的光的吸光度存在越超出 測定極限，檢測出越大的傾向。對此，本發明者使用研磨 粒的含量比較少、容易檢測出吸光度小的研磨粒含量為 0.0065質量％的水分散液，對吸光度的大小進行研究，結 果發現，於使用在該水分散液中對波長290 nm的光的吸 光度為1.000以上的研磨粒的情況，研磨速度的提高效果 優異。另外，本發明者等人發現，與存在若被吸光物質吸 收，則該吸光物質呈現出黃色的傾向的波長400 mn附近 的光不同，研磨粒對波長290 nm附近的光的吸光度越高， 使用此種研磨粒的研磨液或漿料的黃色變得越濃。即，本 發明者發現’如後述的圖5所示，研磨粒含量為0.0065質 量％的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度、與在研磨 粒含量為1.0質量％的水分散液中對波長400 nm的光的吸 光度非常密切相關。 就能夠以更優異的研磨速度對被研磨膜進行研磨的觀 點而言’對波長290 nm的光的吸光度更佳為1.050以上， 尤佳為1.100以上，特佳為1.200以上，極佳為1.300以上。 對波長290 nm的光的吸光度的上限值並無特別限制，例 201226546 如較佳為10.00。 此外，本實施形態的研磨液中，就以更優異的研磨速 度對被研磨膜進行研磨的觀點而言，研磨粒較佳為在將研 磨粒含量調整為1.0質量％的水分散液中對波長4〇〇11111的 光的吸光度為1·50以上，並且在將研磨粒含量調整為 0.0065質量％的水分散液中對波長29〇 nm的光的吸光度為 1.000以上者。 另外’上述金屬氫氧化物（M(〇H)4及m(oh)3x)存 在對波長450 nm以上、特別是波長450 nm〜600 nm的光 不具有吸光的傾向。因此，就抑制藉由包含雜質而對研磨 產生不良影響的觀點而言’研磨粒較佳為在將該研磨粒的 含1調整為0.0065質量％ (65 ppm)的水分散液中對波長 450nm〜600nm的光的吸光度為〇·01〇以下者。即，較佳 為在將研磨粒的含量調整為〇 〇〇65質量％的水分散液中對 波長450 nm〜600 nm的範圍内的所有光的吸光度不超過 0.010。對波長450 nm〜600 nm的光的吸光度更佳為0.005 以下’尤佳為0.001以下。對波長450 nm〜600 nm的光的 吸光度的下限值較佳為〇。 水分散液中的吸光度例如可使用日立製作所（股）製 造的分光光度計（裝置名：U3310)進行測定。具體而言， 例如製備將研磨粒的含量調整為〇〇〇65質量％或者丨〇質 量〇/。的水分散液作為測定樣品。將約4 mL的該測定樣品加 入至1 cm見方的槽中’在裴置内設置槽。然後，在波長 200 nm〜600 nm的範圍内進行吸光度測定，根據所得的圖 201226546 表來判斷吸光度。 此外明確，於為了使測定樣品中所含的研磨粒的含量 少於0.0065質量％而過度稀釋，來測定對波長290 nm的 光的吸光度的情況，只要吸光度表現為1.000以上，則即 便在將研磨粒的含量設為0.0065質量％的情況，吸光度亦 達到1.000以上。因此，亦可藉由使用為了使研磨粒的含 量少於0.0065質量％而過度稀釋的水分散液來測定吸光 度，從而篩選吸光度。 另外，於為了使研磨粒的含量少於1〇質量％而過度 稀釋來測定對波長400 nm的光的吸光度的情況，只要吸 光度表現為1.50以上，則即便在將研磨粒的含量設為1〇 質量％的情況’亦可篩選吸光度，以使吸光度為15〇以上。 進而，於以研磨粒的含量多於〇 〇〇65質量％的方式進行稀 ，來測定對波長450 nm〜600 〇111的光的吸光度的情況， 二要吸光度表現為G.G1G以下，則即便在將研磨粒的含量 二為0’0()65質里％的情況’亦可筛選吸光度，以使吸 為0.010以下。 [透光率] 時為對可見光的透明度高(目視觀察 中祕人；/接近透明）。具體而言，本實施形態的研磨液 的粒是在將該研磨粒的含量調整為μ質量％ 者。二，巧長如⑽的光的透光率為5G%/cm以上 效果，9 d確實料以吸光度為指標的研磨速度的改善 猎由添加添加齡抑制研磨速度下降，因此不僅 201226546 =磨速度’而且容易獲得其他特性。就該觀點而言， 述透光率較佳為60%/em以上，更料彻咖以上， 上。透光率的上 魅ϊΐ所述並未瞭解可11由調整研餘的透光率來抑制 ^磨速度下降的相，但本發明者考慮如下。氮氧化 m等四價金屬元素的氫氧化物所具有的作為研磨粒的 二„為是較機械作用而言，化學作用佔支配地位。因 速;較於研磨粒的大小而言，研磨粒的數量更有助 於將研磨粒的含量設為！·〇質量％的水分散液 認為該水分散液中存在的研磨粒相對多地存 大的粒子（以下稱為「粗大粒子」）。若在包^ :磨;粒的研磨液中添加添加劑（例如 粗大粒子為核而凝集。其結果認為，作用於每單:^ 被研磨面的研磨粒數（有效研磨粒數）減少，轉研2 接觸=練的比表面積減少，因此引起研磨速度下降。 面’於研磨粒的含量為L0質量％的水分散液 述「粗大=情況，認為該水分散液中存在的研磨粒為上 2情況，如圖2所示，即便在研磨液中添加添加t = 如=乙烯醇），亦由於成為凝集的核的粗大粒子少， 研磨粒彼此的凝集’或者凝集粒子的大小與圖i所示^
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• - · —r H 集粒子相比變小。其結果認為，作用於每單位面積的被研 磨面的研磨粒數（有效研磨粒數）得以維持，與被研磨面 接觸的研磨粒的比表面積得以維持，因此難以產生研磨速 度的下降。 —本發明者的研究可知，即便為一般的粒徑測定裝置所 ’貝/二，粒徑相同的研磨液，亦可存在目視觀察時為透明（透 光率高）者、或目視觀察時為混濁（透光率低）者。因此， 可產生上述作用的粗大粒子即便為一般的粒徑測定裝置所 …、法檢測的程度的極微量，亦有助於研磨速度的下降。 另外可知，即便為了減少粗大粒子而反覆進行多次過 濾，=存在如下情況：由於添加劑而研磨速度下降的現象 ^未得到大的改善，由上述吸光度引起的研磨速度的提高 ，果未充分發揮。目此，本發明者對研練的製造方法進 仃研究等’發現可藉由在水分舰巾使騎光率高的研磨 粒來解決上述問題。 …亡述透光率是對波長5〇〇 nm的光的穿透率。上述透 光率疋利用分光光度計進行測定，具體而言，例如利用曰 立製作所（股）製造的分光光度計TOIO (裝置名）進行 測定。 作為更具體的測定方法，製備將研磨粒的含量調整為 10。貝里°/◦的水分散液作為測定樣品。將約4 mL的該測定 ，扣加入至1 cm見方的槽中’在裝置内設置槽來進行測 定。此外’於研磨粒的含量大於1〇質量％的水分散液中 具有50%/cm以上的透光率的情況，可知在將其進行稀釋 23 201226546 而成為ι·ο質量％的情況下透光率亦達到5〇%/cm以上。因 此’藉由使用研磨粒的含量大於j 〇質量％的水分散液， 可利用間便的方法來筛選透光率。 [研磨粒的製作方法] 四價金屬元素的氫氧化物較佳為藉由將四價金屬元素 的鹽（金屬鹽）與驗性液混合絲作。藉此，可獲得粒徑 極細的粒子，且可獲得研磨傷的減少效果更優異的研磨 液二此種方法例如揭示於專利文獻4中。四價金屬元素的 氫氧化物可藉由將四價金屬元素的鹽的水溶液與鹼性液混 合而獲得。作為四價金屬元素的鹽，若將金屬表示為M， 則例如可列舉：m(s〇4)2、m(NH4)2(n〇3)6、m(NH4)4(s〇4)4 等。 調整吸光度或透光率的方法可列舉四價金屬元素的氫 氧化物的製造方法的最優化等。作為使對波長4〇〇 nm或 波長290 nm的光的吸光度變化的方法，具體而言例如可 列舉：選擇驗性液中所含的鹼、調整金屬鹽的水溶液及鹼 性液中的原料濃度、調整金屬鹽的水溶液及鹼性液的混合 速度等。另外，作為使對波長500 nm的光的透光率變化 的方法，具體而言例如可列舉：調整金屬鹽的水溶液及鹼 性液中的原料濃度、調整金屬鹽的水溶液及鹼性液的混合 速度、調整混合時的攪拌速度、調整混合時的液溫等。 為了提尚對波長400 nm或波長290 nm的光的吸光 度、以及提高對波長500 nm的光的透光率，較佳為使四 價金屬元素的氫氧化物的製造方法更「緩慢」。以下，對吸
S 24 201226546 I s/ / 〆·> ^/|言 光度及透光率的控制方法進行更詳細的說明。 {鹼性液} ^為驗性液（例如鹼性水溶液）中的驗源來使用的驗 並…特別限制，具體而言例如可列舉：氨、三乙胺“比咬 (pyndme)"底咬（piperidine)吻各唆（p_麻小咪 坐imidazole)、幾丁聚糖（chit〇san)等有機鹼氫氧化 卸、氫氧化納等無機鹼等。該些驗可單獨使用或者將兩種 以上組合使用。 就進一步抑制急遽反應，進一步提高對波長400 nm 或波長290 nm的光的吸光度的觀點而言，較佳為使用表 現=弱驗性的驗性液作為驗性液。上述驗巾，較佳為含氮 雜環有機驗，更佳為。比咬、D底咬、π比洛咬、咪哇，尤佳為 °比°定及°米唾。 {濃度} 藉由控制金屬鹽的水溶液及鹼性液中的原料濃度，可 使對波長400 nm或波長290 nm的光的吸光度、對波長500 nm的光的透光率變化。具體而言，藉由減小酸與驗的每單 位時間的反應的進度*存在吸光度及透光率提高的傾向， 作J如藉由提面金屬鹽的水溶液的濃度而存在吸光度及透光 率提焉的傾向’且藉由降低鹼性液的濃度而存在吸光度及 透光率提高的傾向。另外，於如上所述使用表現出弱鹼性 =合氮雜環有機鹼等作為鹼的情況，就生產性的觀點而 «，與使用氨的情況相比，較佳為提高鹼性液的濃度。 就*使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，金屬鹽的水 25 201226546 屬f素的鹽的金屬鹽濃度以金屬鹽的水溶 液:整體為基準，較佳為〇 〇1〇m舰以上，更佳為咖 mo以，尤佳為〇 〇3〇m〇1/L以上。四價金屬元素的鹽 的金屬鹽濃度的上限並無特別限定，就操作的容易性而 言’以金屬鹽的水溶液的整體為基準，較佳為 以下。 就使pH值的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的 整體為基準’祕液巾驗濃度較佳為15.Gmol/L以下， 更佳為12.0 mol/L町，尤佳為1〇 〇 以下驗性液 的下限並無制限定，就生產性的觀點而言，以驗性液的 整體為基準’較佳為〇 〇〇1 m〇l/L以上。 鹼性液中的鹼濃度較佳為根據所選擇的鹼種來適當調 整。例如於pKa為20以上的範圍的鹼的情況，就使pH值 的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼 濃度較佳為0.1 m〇l/L以下，更佳為〇.05 m〇1/L以下，尤佳 為0.01 mol/L以下。鹼性液的下限並無特別限定就生產 性的觀點而S，以驗性液的整體為基準，較佳為〇 〇〇1 mol/L以上。 於P K a為12以上且小於2 0的範圍的鹼的情況，就使 pH值的上升變得緩慢的觀點而言，以鹼性液的整體為基 準’驗濃度較佳為1.0 mol/L以下’更佳為〇 5 m〇1/L以下， 尤佳為0.1 mol/L以下。鹼性液的下限並無特別限定，就生 產性的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，較佳為〇〇1 mol/L以上。
S 26 20122654匕 變於12的範圍的驗的情況，就使阳值的上升 良侍緩杈的觀點而言，以鹼性液的整體為基準，鹼濃产較 佳為15.0 m〇l/L以下，更佳為ι〇·〇 m〇1/L以下往辰又^ 以驗性液的下限並無特別㈣，就生產性的觀 點而5，以鹼性液的整體為基準，較佳為〇丨^^丨/乙以上。 關於各個PKa的範圍中的具體鹼，例如， 以上的鹼可列舉L8-二氮雜雙環[54〇]十一_7烯（pKa: f!為12以上且小於2G的驗可列舉氫氧化鉀二： (P^ 的丨m # I pKa.7)。對於所使用⑽的pKa值 的限制’措由適當調整濃度而並無特別限定。 {混合速度} 對波i tcT11，㈣龄速度’可使 nm的#f波長290 nm的光的吸光度或對波長500 化。具體㈣，如純龄速度而存 向—:且藉由減緩混合速度而存在吸光度 ' 外，藉由加快混合速度而存在對波長500 Γ光率降賴向，且藉㈣緩齡速度而存在 特別=光光率的觀點而言，混合速度的下限並無 =二=合::而實現效率化的觀點而言， 方面而言，混人速产的卜阳/’就抑制急遽地產生反應的 3人、“ σ迷度的上限較佳為lOOml/min以下。但， ^逮度較佳為根據上述原料濃度來決定，具體而言，例 27 201226546 如於原料濃度高的情況，較佳為減小混合速度。 {攪拌速度} 藉由控制將金屬鹽的水溶液與鹼性液混合時的攪拌速 度’可使對波長500 nm的光的透光率變化。直體而古， 藉由加快攪拌速度而存在透光率提高的傾向，且藉由二緩 擾拌速度而存在透光率降低的傾向。 作為攪拌速度，例如於使用大小為全長5 cm的授拌翼 來攪拌2 L溶液的混合規模的情況，較佳為將攪拌翼的旋 轉速度设為50 rpm〜1〇〇〇 rpm。就抑制液面過度上升的方 面而言’旋轉速度的上限較佳為1〇〇〇 φιη以下，更佳為 800 rpm以下，尤佳為5〇〇 rpm以下。於使上述混合規模變 化（例如增大）的情況，最優的攪拌速度可變化，但只要 大致在50 rpm〜1〇〇〇 ηπη的範圍内，則可獲得具有良好透 光率的研磨液。 {液溫（合成溫度）} 藉由控制將金屬鹽的水溶液與鹼性液混合時的液溫， 可使對波長500 nm的光的透光率變化。具體而言，藉由 降低液溫而存在透光率提高的傾向，且藉由提高液溫而存 在透光率降低的傾向。 作為液溫，較佳為在反應系統内設置溫度計而讀取的 反應系統内的溫度在〇〇c〜6〇°c的範圍内。就抑制急遽反 應的方面而言，液溫的上限較佳為60〇C以下，更佳為5(TC 以下，尤佳為40°C以下，特佳為30°C以下，極佳為25°C 以下。就使反應容易進行的觀點而言，液溫的下限較佳為
S 28 201226546 W，〆 〇C以上，更佳為5°C以上，尤佳為lot：以上，特佳為15。〇 以上，極佳為20。(：以上。 金屬鹽的水溶液中的四價金屬元素的鹽與鹼性液中的 驗較佳為在一定的合成溫度T (例如，合成溫度丁±3。〇的 溫度範圍）下進行反應。此外，合成溫度的調整方法並無 特別限定，例如有如下方法等：在盛滿水的水槽中放入加 入有金屬鹽的水溶液或者鹼性液中的一種溶液的容器，一 邊利用外部循環裝置Coolnics Circulator (EYELA製造， 製品名Cooling Thermo Pump CTP101)來調整水槽的水 溫’一邊將金屬鹽的水溶液與鹼性液混合。 藉由上述而製作的四價金屬元素的氫氧化物有時包含 雜質，例如可利用藉由離心分離等而反覆進行固液分離的 方法專’來去除雜質。藉此’可調整對波長nm〜 的光的吸光度。 (添加劑） 本實施形態的研磨液由於可對無機絕緣膜（例如氧化 石夕膜）獲得特別優異的研磨速度，故而特別適合於對具有 無機絕緣膜的基板進行研磨的用途，藉由適當選擇添加 劑，可使研磨速度、與研磨速度以外的研磨特性高度並^。 作為添加劑，例如可無特別限制地使用以下公知的添 加劑：提高研磨粒的分散性的分散劑、提高研磨速度的研 磨速度提尚劑、平坦劑（減少研磨後的被研磨面的凹凸的 平坦劑、提高研磨後的基板的總體平坦性的總體平坦劑）、 提高無機絕緣膜對氮化矽膜或多晶矽膜等中止膜的研磨選 29 201226546 擇比的選擇比提高劑等。 驗、==:列舉：乙稀醇聚合物及其衍生物、甜菜 一 ·^ '月桂基二甲基氧化胺等。研磨速度提 r^例如可列舉：丙胺酸甜菜鹼、硬脂基甜菜鹼等。減 少被研磨面的凹凸的平拍劑例如心^曰暴甜未驗4減 聚氧峨綱她 舉：聚乙烯鱗侧、聚丙_等;例如可列 列舉：聚乙稀亞胺、聚烯丙胺、幾了如可 可單獨使用或者將兩㈣上組合。_分散劑 本實施形態的研磨液較佳為包含乙 生物作為添加劑。然而，通常聚 、何 在當為單體時不作為穩定化合物而存二婦醇存 ，稀醇通常是將乙酸乙烯醋單體等魏 ：^，聚 此’例如使用乙酸乙烯酿單體作為原料而二又^。因 合物在分子中具有-OCOCH3、及經水Μ X于的乙烯醇聚 基，成為-ΟΗ的比例被定義為皂化度。即阜:作為官能 的乙烯醇聚合物實f上具有 不為100% 物之類的結構。另外，上述乙烯醇=;乙_的共聚 烯酿單體等紐⑽g旨單體、與其 可為使乙酸乙 如乙烯、丙婦、笨乙烯、氣乙烯等c單體（例 羧酸乙烯酯單體的部分的全部或者—二聚，，將源自 者。本發明中’雖將該些聚合物總稱c「皂化而成 合物」，但所謂「乙烯醇聚合物 我為乙烯醇聚 理一言是指具有下述 201226546
(式中，η表示正整數） 乙稀醇聚合物的「衍生物」被定義為包括乙稀醇的均 聚物（即皂化度為刚％的聚合物）的衍生物、以及乙稀 醇單體與其他含乙縣的單體（例如乙稀、㈣、苯乙歸、 氯乙稀等）的共聚物的衍生物者。 上連竹生物例如可列舉：將聚合物的-部分羥基以办 如胺基、絲、|旨㈣取代喊者，料合物的一部分美 基改質而成者等。此種魅物例如可列舉：反應型聚乙办 醇（例如，日本合成化學工業股份有限公司製造， Gohsefimer (註冊商標）ζ等）、陽離子化聚乙稀醇（例如 學4股份核公⑽造，G—㈤ 不 ）、陰離子化聚乙稀醇（例如，日本合成化學二 *^.sl^,Gohseran(tt„#^^：： 商標）T#)、親水基改質聚乙烯醇（例如，日本合 成化予=業股份有限公司製造，Ec〇maty等）等。 散劑合物及其衍生物如上所述，作為研磨粒的分 柯為，Ϊ揮雜，具有提高研磨㈣狱性的效果。一般 素的乙辆聚合物及其魅物的錄與四價金屬元 〃 化物粒子相互作用，而抑制研磨粒的凝集，抑制 31 201226546 研磨液中的研磨粒的粒徑變化，來提高穩定性。另外，乙 焊醇聚合物及其衍生物藉由與四價金屬元素的氫氧化物粒 子組合使用’亦可提高無機絕賴（例如氧切膜）對中 止膜（例如氮化㈣、乡晶鶴等）的研磨選擇比（無機 絕緣膜的研磨速度/中止膜的研磨速度）。進而，乙婦醇聚 合物及其衍生物亦可提高研磨後的被研磨關平坦性，或 可防止（提高清潔性）研磨粒在被研磨面上的附著。 ，進-步提高無機絕緣麟+止_研磨選擇比的方 面而言’上述乙鱗聚合物的息化度較佳為95 mol%以 下。就相同的觀點而言’皂化度更佳為9〇 m〇1%以下尤 佳為88福％以下，特佳為μ _%以下，極佳為83咖1% 以下’最佳為80 mol%以下。 另外，對皂化度的下限值並無特別限制，就在水Μ 溶解性優異的觀點而言，較佳為5〇md%以上，更佳為⑸ mol/0以上’尤佳為7〇 m〇1%以上。此外，乙 專化度可依據ns κ 6726 (聚乙稀醇試驗方法）進 =則^ 另外，乙烯醇聚合物的平均聚合度（重量平均分子量 的上限並無_限制，就進—步抑制無機崎膜（例如孽 化石夕膜）的研磨速度下降的觀點而言，較佳為議 更佳為2000以下，尤佳為1000 以下。 另外’就進一步提高無機絕緣膜對中止膜的 比的觀點而言，平均聚合度的下限較佳為5G以上 上’尤佳為15G以上。此外，乙騎聚合物的平均 U可依據JIS κ 6726 (聚乙烯醇試驗方法）進行測定^
S 32 201226546 絕二:中合物及其衍生物，為了調整無機 ^膜對中止膜的研磨選擇比、或研磨後的基板的平坦性 H用亦了!^4,度或平均聚合度等不同的多種聚合物 且合使用。此時’難為至少1種㈣醇聚合物及其衍生 物的矣化度為95祕以下，就可進—步提高 的觀點而言，更佳為根據各自的4化度及調配比而算^的 平均皂化度為95 以下。關於該些4化 】 圍，與上述範圍相同。 孕佳摩已 就更有效地獲得添加劑的效果的觀點而言，添加 含篁以研磨液總質量基準計，較佳為_ f量％以上= 佳為0_1質量％以上，尤佳為1〇質量％以上。另外， -步抑制無機絕緣膜的研磨速度下降的觀點而言加 的含量以研磨液總質量基準計，較佳為1〇質量％以下，^ 佳為5.0質量％以下，尤佳為3 〇質量％以下。° ， (水） 本實施形態的研磨液中的水並無特別限制， 離子水、超純水。水的含量宜為除其他構成成分的含量 外的研磨液的殘部，並無特別限定。 使研磨粒分散於水中的方法並無特別限制，具 言，例如可使用藉由攪拌、均質機、超音波分散二 球磨機等的分散方法。 &'式 [研磨液的特性] 就研磨粒的表面電位相對於被研磨面的表面電位的 係變得良好，研磨粒容易對被研磨面發揮作用，因此赛， 33 201226546 更優異的研磨速度的方®而言’研磨㈣pH值較佳為2 〇 〜9.0。進而，就研磨液的ρΗ值穩定，難以產生由ρΗ值 穩定劑的添加所引起的研磨粒凝集等問題的方面而言，阳 值的下限較佳為2.G以上，更佳為4 Q以上，尤佳為5 〇以 上。另外，就研磨粒的分散性優異，獲得更優異的研磨迷 度的方面而言，pH值的上限較佳為9 〇以下，更佳為^ 以下，尤佳為6.5以下。 研磨液的pH值可利用PH計（例如，橫河電機股份有 限公司製造的型號PH81)進行測定。pH值是採用使用標 準緩衝液（鄰苯二甲酸鹽pH緩衝液：pH值為4 〇1(2yc )， 中性磷酸鹽pH緩衝液：pH值為6·86 (25。〇 ))進行2點 校正後，將電極放入至研磨液中，經過2分鐘以上而穩定 後的值。 調整研磨液的pH值時，可無特別限制地使用先前公 知的pH調整劑，具體而言’例如可使用：填酸、硫酸、 硝酸等無機酸’甲酸、乙酸、丙酸、順丁烯二酸、鄰苯二 甲酸、檸檬酸、丁二酸等有機酸，伸乙基二胺、曱苯胺、 哌嗪（piperazine)、組胺酸（histidine)、苯胺等胺類，％ 啶、咪唑、三唑、吡唑等含氮雜環化合物等。 所謂pH值穩定劑’是指用以調整為規定pH值的添加 劑，較佳為緩衝成分。相對於規定的pH值，緩衝成分較 佳為pKa為±1.5以内的化合物，更佳為pKa在±1·〇以内的 化合物。此種化合物可列舉：甘胺酸（glycine)、精胺酸 (arginine)、離胺酸（lysine)、天冬醯胺（asparagine)、
S 34 201226546 天冬醯胺酸（asparaginic acid)、麵胺酸（glutamic acid) 等胺基酸，或伸乙基二胺、2_胺基吡啶、3-胺基吡啶、吡 口定曱酸（picolinic acid )、組胺酸、旅。秦、嗎淋（morpholine )、 哌啶、羥基胺、苯胺等胺類，或吡啶、咪唑、苯并咪唑、 °比嗤、三。坐、苯并三。坐等含氮雜環化合物，或曱酸、乙酸、 丙酸、丙二酸、丁二酸、戊二酸、己二酸、順丁烯二酸、 反丁烯二酸、鄰苯二曱酸、檸檬酸、乳酸、苯曱酸等羧酸 等。 〈漿料〉 關於本實施形態的漿料，可將該漿料直接用於研磨， 亦可作為將研磨液的構成成分分成聚料及添加液的所謂二 液型研磨液中的漿料來使用。本實施形態中，研磨液與漿 料在添加劑的有無方面不同，藉由在漿料中添加添加劑而 獲得研磨液。 本實施形態的漿料至少含有與本實施形態的研磨液相 同的研磨粒及水。例如，研磨粒的特徵在於包含四價金屬 元素的氫氧化物，研磨粒的平均二次粒徑與本實施形態的 研磨液中使用的研磨粒相同。 本實施形態的漿料中，研磨粒滿足與吸光度及透光率 相關的上述條件（a)或者（b)的至少一種。另外，研磨 粒較佳為在將該研磨粒的含量調整為〇 〇〇65質量％的水分 政液中對波長450 nm〜600 nm的光的吸光度為〇 〇1〇以下 者。關於該些吸光度及透光率的較佳範圍或測定方法，亦 與本實施形態的研磨液相同。 35 201226546 本實施形態的漿料中，研磨粒的含量並無特別限制， 就變得容易避免研磨粒凝集的方面而言，以漿料總質量基 準計，較佳為15質量％以下。就容易獲得研磨粒的機械作 用的方面而言，研磨粒的含量以漿料總質量基準計，較佳 為0.01質量％以上。 本實施形態的聚料的構成成分中，四價金屬元素的氣 氧化物被認為對研磨特性造成的影響大。就變得容易避免 研磨粒的凝集，而且與被研磨面的化學性相互作用變彳寻良 好，可進一步提高研磨速度的方面而言，四價金屬元素的 氫氧化物的含量以漿料總質量基準計，較佳為10質量％以 下。就可充分表現出四價金屬元素的氫氧化物的功能的方 面而言，四價金屬元素的氫氧化物的含量以漿料總質量基 準計，較佳為0.01質量％以上。 i 就相對於被研磨面的表面電位的研磨粒表面電位變得 良好，研磨粒容易對被研磨面發揮作用，因此獲得更優異 的研磨速度的方面而言，本實施形態的漿料的pH值較佳 為2.0〜9.0。進而，就漿料的pH值穩定，難以產生由pH 值穩定劑的添加所引起的研磨粒凝集等問題的方面而言， pH值的下限較佳為2.〇以上，更佳為2 5以上尤佳為3 〇 以上。另外，就研磨粒的分散性優異，獲得更優異的研磨 速度的方面而言，pH值的上限較佳為9〇以下，更佳為7〇 以下，尤佳為5.0以下。聚料的pH值可利用與本實施形態 的研磨液的pH值相同的方法進行測定。 〈研磨液組〉
S 36 201226546 、本實施形態的研磨液組中，以將衆料（第丨液）與添 加液（第2液）混合而成為研磨液的方式，將該研磨液的 構成成分分成㈣及添加絲保存。|财制本實施形 態的漿料。添加液可使用將添加劑溶解於水中的溶液。古亥 研磨液組是麵磨時賴料麵加就“製成研磨液來 使用。如此，藉由將研綠的構絲分分絲少兩種溶液 來保存’可製成保存穩定性優異的研磨液。 添加液中所含的添加劑可使用與上述研磨液中所說明 者相同的添加劑。就將添加液與漿料混合而製成研磨液時 抑制研磨速度過度下降軌點而言，添加液巾的添加劑的 含量以添加液總質量基準計，較佳為〇 〇1質量％〜2〇質量 %，更佳為0.02質量％〜20質量％。 添加液中的水並無特別限制，較佳為脫離子水、超純 水。水的含量宜為其他構成成分的含量的殘部，並無特別 限定。 〈基板的研磨方法及基板〉 對使用上述研磨液、漿料或者研磨液組的基板的研磨 方法以及由此所得的基板進行說明。於使用上述研磨液、 漿料的情況是使用一液型研磨液的研磨方法，於使用上述 研磨液組的情況是使用二液型研磨液或者三液以上類型的 研磨液的研磨方法。 本實施形態的基板的研磨方法中，對表面具有被研磨 膜的基板進行研磨。本實施形態的基板的研磨方法中，亦 可使用形成於被研磨膜之下的中止膜對被研磨膜進行研 37 201226546 磨。本實施形態的基板的研磨方法至少包括基板配置步驟 及研磨步驟。基板配置步驟中，將表面具有被研磨膜的基 板的該被研磨膜以與研磨墊相對向的方式來配置。 被研磨膜較佳為氧化>6夕膜等無機絕緣膜。氧化妙膜可 利用低壓CVD法、電漿CVD法等來獲得。氧化矽膜中亦 可摻雜磷、硼等元素。無機絕緣膜可使用所謂的低介電常 數膜（low dielectric constant film，Low-k film)等。另外， 被研磨膜的表面（被研磨面）較佳為具有凹凸。本實施形 態的基板的研磨方法中，被研磨膜的凹凸的凸部被優先研 磨，可獲得表面經平坦化的基板。 於使用一液型研磨液的情況，研磨步驟中，在將基板 的被研磨膜按壓在研磨定盤的研磨墊上的狀態下，一&向 研磨墊與被研磨膜之間供給研磨液或者漿料，一邊使基板 與研磨定盤相對地移動而對被研磨膜的至少一部分進行研 磨。此時，研磨液及漿料亦可作為所需水分量的研磨液而 直接供給至研磨塾上。 —就可抑制儲存、搬運、保管等的成本的觀點而言，本 貫施形態㈣聽及漿财作為錢㈣财等液狀介質 ==倍:上而使用的研磨液用儲存液或物用 =稀釋’亦可向研磨塾上供給儲存液 研磨墊上進行稀釋。 在 果越^於=越高，儲存、_、^等的成本的抑制效 越间而上述儲存液的稀釋倍率較佳為2倍以上，更 a 38
II II201226546 佳為3倍以上。另外，上限並無特別限制，存在倍率越高， 儲存液帽含的成㈣量鮮（濃度越高），姆巾的穩定 性下降的傾向，因錄佳為，糾下，更佳為細倍以 下，尤佳為刚倍以下，特佳為50倍以下。此外，關於將 構成成分分成三液以上的研磨液亦相同。 於使用二液型研磨液的情況，可在研磨步驟之前包括 將聚料與添加液混合而獲得研綠的研磨液製備步驟。此 時’研磨步财’制研磨液製備步财所得的研磨液對 ，研磨膜進行研磨。此種研財料，在鶴液製備步驟 中，可將漿料與添加液以不同_管進行魏，使該此配 管在供給配管ώ p的正前方合流而獲得研練。另外y 磨液可作為所需水分量的研磨液而直接供給至研磨塾上。 此外，對於將構成成分分成三液以上的研磨液亦同樣。 另外’於使用二液型研磨液的情況，可在研磨步驟中， 1將⑽與添加液分難給至研純與被研磨膜之間， 一邊利賴難添加液混合而獲得的研磨液 力=、丨Γ卩分進行研磨。此種研財法中，可將漿料與添 加液利π _送㈣絲供給騎終上。另外，祕 錢料㈣魏而供給綺磨墊场在研磨墊上 添加液可料水分量少賴存純供給至研磨 -;Λ卜:磨ϊ上進行稀釋。此外，對於將構成成分分成 二液以上的研磨液亦同樣。 39 201226546 保持，有被研磨膜的基板的固持器、安裝有轉速可變更的 馬達等且可貼附研磨墊的研磨定盤。上述研磨裝置例如可 列舉.备原製作所股份有限公3製造的研磨裝置（型號： EPO-111 )、Applied Materials公司製造的研磨裝置（商品 名：Mirra 3400 , Reflecti〇n 研磨機）等。 口口 研磨墊並無特別限制，例如可使用一般的不織布、發 泡胺基甲酸S旨、多孔質氟樹脂等。另外，較佳為對研磨^ 實施使研磨液積存的溝槽加工。 研磨條件並無特別限制，就抑制半導體基板飛散的觀 點而言，研磨錢的旋轉速度較佳為·啊以下的低旋 轉。就進-步抑制研磨後產生損傷的觀㈣言，對半導 基板施加的壓力（加工荷重）較佳為刚咖以下 為在研磨顧’對研磨墊的表面妓等連續供給研磨液。 2】供:Ϊί :制、:較佳為研磨墊的表面一直被研磨液 覆盖。研n㈣半導縣板健為在流水中充分 後’使職轉乾燥機等來甩落时於 ς 滴，然後使其乾燥。 m的水 ^卜二據本實制彡態，提供上述研練、上述聚料 及上述研舰_祕職研雜（例 研磨的制。另外，依據本實施職，提供上述研2 =漿=上述研磨液組的用於對使用中止膜（例如氮化 f膜、4销等）的被研顏（例 行 磨的應用。 /朕）進仃研 201226546r 關於本發明，列舉實 發明並不限定於該些實例。 丁一體說明，但本 〈實例1〜實例17、比較例!〜比較 (四價金屬元素的氫氧化物的製作） 依據下述順序，製作四價金屬元 下述說明中以A〜G表示的值為表i中分^化T此外， 向容財加人A[g]的水，添加濃度
Ce(NH4)2(N03)6 ^ 54S；2 ft以混合’將液溫碰為Cfc]而獲得金和水溶液。 金屬鹽水溶液的金屬鹽濃度如表i所示。1 ’ 然後，使表1所示的鹼種溶解於水中， 的水溶液耻將液溫調整為crc]溫度，獲得ς 將加人有上述金屬鹽水溶液的容器放人至盛滿水的水 =中’，利用外部循環裝置C00lnics Circulator (eyela製 造’製品名Cooling Thermo Pump CTP101)將水槽的水溫 調整為表1巾以Cfc]表示的溫度。將水溫保持在cpc]， 並且一邊以表1中以Fl>pm]表示的旋轉速度來攪拌金屬鹽 水溶液，一邊將上述鹼性液以G[mL/min]的混合速度添加 至谷器内，獲得包含四價鈽的氫氧化物的研磨粒的漿料前 驅物1。漿料前驅物丨的pH值在表i中表示為「結束pH 值」。此外’實例11中，使用翼部全長17 cm的4片翼折 葉槳來攪拌金屬鹽水溶液，此外的實例及比較例中，使用 翼部全長5 cm的普通攪拌翼來攪拌金屬鹽水溶液。 201226546 將上述漿料前驅物1進行離心分離，藉由傾析而實施 固液分離來去除祕。向所得㈣物巾添加適量的水並充 分授拌’將藉㈣析而實_液分離的作業進 行3 次。 向所得的濾物中重新添加水 後，進行超音波分散處理⑽“難為2.0 L 取所得的⑽前驅物2適量，里=㈣前驅物2。 分的質量）’藉此算岐料前驅物2中^的質量（不揮發 化物的研磨粒的含量。 T所含的四價鈽的氫氧 42 201226546
JU16I 【1<】 合成條件 結束pH值 CN … CN rn CN iri 寸· CN wS 00 — cs 合成溫度 crc] in CN wn (N Ό (Ν in CM CN o o 攪拌速度 F[rpm] 200 200 200 500 500 500 500 500 500 混合速度 G[mL/min] 〇 o o o o ο 驗性液 驗性液量 E[g] as CN 00 00 CN «η to <N (Ν V) CN 濃度 D[mol/L] 〇〇 〇6 Ον CN <Ν in yr) in 鹼種 °比咬 咪唑 e米嗤 口米0坐 °米。坐 0米。坐 金屬鹽溶液 濃度 [mol/L] 0.037 , 0.037 0.029 j 0.037 0.037 0.037 1 0.037 0.037 0.037 50質量％ 金屬鹽液量 B[g] 76.8 76.8 40.0 69.1 69.1 69.1 69.1 σ\ νο 69.1 水量 A[g] 1840 1840 1200 1656 1656 1656 1656 1656 1656 實例1 實例2 實例3 實例4 實例5 實例6 實例7 實例8 實例9 201226546
JU16I ΓΟ in (N W-i (N CN CN irj (N vS (N uS (N CN (N y/t CN vi v*i 〇 cs (N (N (N CN CS CN 500 〇 500 300 500 500 500 500 200 500 1 500 o g cs in m m CO ΓΟ <N o o (N 15200 CM in ss Ό m 〇 卜 o 卜 ν-ϊ in … ..1 00 〇6 ON 〇\ (N 0.29 14.7 oo 14.7 味嗤 咪唑 咪唑 ㈣ ㈣ °米。坐 氫氧化鉀 0_037 0.037 0.037 0.037 0.037 0.037 0.037 0.037 0.037 0.014 0.037 〇\ v〇 6912 69.1 384.0 61.4 61.4 61.4 76.8 76.8 40.0 1- 76.8 ! 1656 165600 1656 9200 1472 1472 1472 1840 1840 2500 1840 實例10 實例11 實例12 實例13 實例14 實例15 實例16 實例17 比較例1 比較例2 比較例3 s 201226546^ 〈比較例4〉 將實例4中所得的聚料前驅物2、與比較例1中所得 的漿料前驅物2以3 ·· 1的比例（質量比）進行混合，獲& 比較例4的漿料前驅物2。 又 (吸光度及透光率的測定） 採集適量的漿料前驅物2 ’以研磨粒含量達到〇〇〇65 質量％ (6 5 pp m )的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品（水 分散液）。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見^3的^ 中，在日立製作所（股）製造的分光光度計（裝置名：U33i〇g) 内設置槽。在波長200 nm〜600 nm的範圍内進行吸光度 測定，查明波長290 rnn下的吸光度、及波長45〇 nm〜6& nm的吸光度。將結果示於表2。 另外’採集適量的漿料前驅物2，以研磨粒含量達到 1.0質量％的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品（水分散 液）。將約4 mL的該測定樣品加入至1 cm見方的槽中， 在曰立製作所（股）製造的分光光度計（裝置名：υ331(υ 内設置槽。在波長200 nm〜600 nm的範圍内進行吸光度 測定’測定對波長4〇〇 nm的光的吸光度、及對波長5〇〇 ηιη 的光的透光率。將結果示於表2。 (平均二次粒徑的測定） 採集適量的漿料前驅物2，以研磨粒含量達到0.2質 量％的方式以水進行稀釋而獲得測定樣品。將約4 mL的該 測定樣品加入至1 cm見方的槽中，在Malvern公司製造的 裝置名：ZetaSizer 3 〇〇〇HS内設置槽。將分散介質的折射率 45 201226546 設為1.33,將黏度設為0.887 mPa.s，在25°C下進行測定， 讀取表示為Z-平均粒徑（Z-average Size)的值作為平均二 次粒徑。將結果示於表2。 [表2]
S 吸光度 [290 nm] 吸光度 [450 nm 〜600 nm] 吸光度 [400 nm] 透光率 [500 nm][%/cm] 平均二次粒徑 [run] 研磨粒含量65 ppm 研磨粒含量1.0質量％ 實例1 1.112 <0.010 1.57 62 74 實例2 1.039 <0.010 1.71 92 52 實例3 1.124 <0.010 1.91 91 61 實例4 1.272 <0.010 2.32 >99 22 實例5 1.036 <0.010 1.57 >99 25 實例6 1.230 <0.010 2.04 >99 22 實例7 1.140 <0.010 1.83 >99 21 實例8 1.153 <0.010 1.78 >99 19 實例9 1.238 <0.010 2.28 >99 24 實例10 1.133 <0.010 1.98 >99 23 實例11 1.312 <0.010 3.02 >99 18 實例12 1.232 <0.010 2.68 >99 20 實例13 1.091 <0.010 1.81 95 33 實例14 1.152 <0.010 1.89 81 78 實例15 1.101 <0.010 1.69 89 53 實例16 1.023 <0.010 1.51 98 42 46 201226546 實例17 1.056 <0.010 1.77 >99 ^ '------ 49 比較例1 1.256 <0.010 2.70 41 ---- 比較例2 1.239 <0.010 2.22 46 ------- 〇1 比較例3 1.246 <0.010 2.69 ' 1丨丨 一 1 1.丨丨丨丨丨· 43 y\ ---S_ 1〇1 比較例4 1.265 <0.010 2.58 49 85 (研磨液的製作） 向漿料前驅物2中添加水，將研磨粒含量調整為1質 量％而獲得⑽用儲存液。將該漿料用儲存液的外觀觀 察結果示於表3。 向60 g的渡料用儲存液中添加純水，獲得喈 外，準備5質量%的聚乙稀醇水溶液作為添二 中添加添加液60 g，進行混合攪拌，獲得研磨粒含量 ^量％的研磨液。此外，上述純水的添加量是以最終的研 磨:粒^量達到G.2質量％的方式進行計算而添加。另外， 聚乙稀醇水溶液中的聚乙烯醇的4化度為8G福％，平均 聚合度為綱。另外，研磨液中的聚乙烯醇的含量為1〇 3ry用朗電機股份有限公司製造的型號 6〇。來“ d料、研磨液的pH值（25°C)，結果為3.6、 (絕緣膜的研磨） 财基板安制吸_的固持器 右夕二it有乳化石夕絶緣膜的φ200 mm石夕晶圓。在貼附 夕貝如基曱酸酉旨樹月旨製塾的定盤上，以絕緣膜與塾相 201226546 對向的方式載置固持器。一邊將上述所得的研磨液以供终 量200 cc/min供給至塾上，一邊以研磨荷重2〇 kPa將基板 按壓在墊上。此時使定盤以78 rpm旋轉1分鐘，且使固持 器以98 rpm旋轉1分鐘，來進行研磨。將研磨後的晶圓以 純水充分清潔並使其乾燥。使用光干擾式膜厚測定裝置來 測定研磨前後的膜厚變化，求出研磨速度。將結果示於表 此外，上述吸光度、透光率度及研磨速度的評價均在 上述漿料前驅物2的製備後24小時以内進行。 將對波長290 rnn的光的吸光度與研磨速度的關係示 於圖3，將對波長400 nm的光的吸光度與研磨速度的關係 示於圖4。進而’將對波長290 nm的光的吸光度與對波長 400 nm的光的吸光度的關係示於圖5。此外，圖3〜圖5 中，將透光率為90%/cm以上者記作圓形符號，將透光率 為50%/cm以上且小於90%/cm者記作三角形符號，且將 透光率小於50%/cm者記作四角形符號。 如圖3〜圖5所明示，可知，透光率的值越提高，研 磨速度越提高，且若透光率為50%/cm以上（特別是達到 90%/cm以上），則隨著對290 nm或者400 nm的光的吸光 度提高’研磨速度提高。另外，根據圖5可知，對波長290 nm的光的吸光度與對波長400 nm的光的吸光度密切相
S
48 201226546 [表3] 漿料用儲存液的外觀 研磨速度 (nm/min ) 實例1 稍微混濁且為淡黃色 280 實例2 透明且為淡黃色 320 .實例3 透明且為淡黃色 340 實例4 透明且為淡黃色 380 實例5 透明且為淡黃色 327 實例6 透明且為淡黃色 376 實例7 透明且為淡黃色 350 實例8 透明且為淡黃色 355 實例9 透明且為淡黃色 377 實例10 透明且為淡黃色 368 實例11 透明且為淡黃色 405 實例12 透明且為淡黃色 389 實例13 透明且為淡黃色 320 實例14 稍微混濁且為淡黃色 255 實例15 稍微混濁且為淡黃色 285 實例16 透明且為淡黃色 305 實例17 透明且為淡黃色 335 比較例1 白濁 170 比較例2 白濁 190 比較例3 白濁 175 比較例4 混濁且為淡黃色 220 49 201226546 然後，對使用實例7的漿料而獲得的研磨液、以及使 用比較例1的漿料而獲得的研磨液，查明研磨液的聚乙烯 醇（PVA)的含量與研磨速度的關係。具體而言，以與實 例1相同的方法來查明當將研磨液中的聚乙烯醇含量設為 3.0質量0/〇、2.0質量％、1.0質量％、〇·5質量％、0.1質量 %時的氧化矽膜的研磨速度。將結果示於表4。 [表4] PVA含量（質量％) 3.0 2.0 1.0 0.5 0.1 研磨速度 比較例1 90 135 170 225 232 (nm/min ) 實例7 253 312 350 375 384 如表4的結果所明示，可知，對波長5〇〇 nm的光的 透光率為5G%/em以上的實例7 +，添加等量的添加劑時 的=磨速度與比較例㈠目比較而言較快，因此除聚乙婦醇 添加添加劑的範圍廣。一般認為其原因在於， =率而變得難以形成粗大的凝集粒子，由此可 有幫助的有效研磨粒數，進而，藉由提高 i t广:於比較例1而言’可將研磨速度維持為較高 牛實例7中’與比較例1相比，可添加添加劑而 賦予進一步的特性。 叫叩 【圖式簡單說明】 圖1是表示添加添加劑時研餘凝集的情況的 圖。 ^
S 201226546r 圖2是表不添加添加麟研磨粒凝集的情況的示意 圖。 圖3是表示對波長290 nm的光的吸光度與研磨速度 的關係的圖式。 圖4是表示對波長400 nm的光的吸光度與研磨速度 的關係的圖式。 圖5是表示對波長290 nm的光的吸光度與對波長4〇〇 nm的光的吸光度的關係的圖式。 【主要元件符號說明】 fe- 〇 51

Claims (1)

  1. 201226546 七、申請專利範圍： 1. 一種漿料，包括： 研磨粒及水，並且 上述研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物， 上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為1·〇質量％的 水分散液中對波長400 run的光的吸光度為1.50以上，且 上述研磨粒在將上述研磨粒的含量調整為1.0質量％ 的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以 2. —種漿料，包括： 研磨粒及水，並且 上述研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物， 上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為0.0065質量％ 的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為i.ooo以上， 且 上述研磨粒在將上述研磨粒的含量調整為1.〇質量％ 的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以 3. 如申請專利範圍第2項所述之漿料，其中上述研磨 粒在將該研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液中對 波長400 nm的光的吸光度為1.50以上。 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之漿 料’其中上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為〇〇〇65質 量％的水分散液中對波長450 nm〜600 nm的光的吸光度 S 52 201226546 為0.010以下。 料，所述之衆 的鹽與驗性液混合而獲2钱物是將四價金屬元素 料二第1項至第5項中任一項所述之衆 /、肀上述四饧金屬元素為四價鈽。 磨液7的=研磨液組，以將第1液與第2液混合而形成研 述第2 ^ ’將挪磨朗構絲分分成上述帛1液及上 第6j來保存’上述第1液為如申請專利範圍第1項至 項中任—項所述之_，上述第2液包含添加劑及水。 8.如申請專利範圍第7項所述之研磨液組，其中上述 、’J、、加4是選自乙烯醇聚合物及該乙烯醇聚合物的衍生物 的至少一種。 9.如申請專利範圍第7項或第8項所述之研磨液組， 其中上述添加劑的含量以研磨液總質量基準計為001質 量％以上。 10. —種研磨液，包括： 研磨粒、添加劑及水，並且 上述研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物， 上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為1〇質量％的 水分散液中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上，且 上述研磨粒在上述將研磨粒的含量調整為1.〇質量％ 的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cm以 上。 53 201226546 11. 一種研磨液，包括： 研磨粒、添加劑及水，並且 上述研磨粒包含四價金屬元素的氫氧化物， 上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為〇 0065質量％ 的水分散液中對波長290 nm的光的吸光度為1〇〇〇以上， 且 上述研磨粒在上述將研磨粒的含量調整為1.〇質量％ 的水分散液中對波長500 nm的光的透光率為50%/cin以 上。 12. 如申請專利範圍第11項所述之研磨液，其中上述 研磨粒在將該研磨粒的含量調整為1.0質量％的水分散液 中對波長400 nm的光的吸光度為1.50以上。 13. 如申請專利範圍第項至第12項中任一項所述 之研磨液，其中上述研磨粒在將該研磨粒的含量調整為 0.0065質量％的水分散液中對波長450 nm〜6〇〇 nm的光的 吸光度為0.010以下。 14·如申請專利範圍第10項至第13項中任一項所述 之研磨液’其中上述四價金屬元素的氫氧化物是將四價金 屬元素的鹽與驗性液混合而獲得者。 I5·如申請專利範圍第10項至第14項中任一項所述 之研磨液，其中上述四價金屬元素為四價鈽。 I6·如申請專利範圍第10項至第15項中任一項所述 之研磨液’其中上述添加劑是選自乙烯醇聚合物及該乙烯 醇聚合物的衍生物中的至少一種。 S 54 201226546 17·如申請專利範圍第l〇項至第16項中任一項所述 之研磨液’其中上述添加劑的含量以研磨液總質量基準計 為0.01質量％以上。 H 一種基板的研磨方法，包括： 將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊 相對向的方式來配置的步驟；以及 一邊向上述研磨墊與上述被研磨膜之間供給如申請專 利範圍第1項至第6項中任一項所述之漿料，一邊對上述 被研磨膜的至少一部分進行研磨的步驟。 19. 一種基板的研磨方法，包括： 將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊 相對向的方式來配置的步驟； 將如申請專利範圍第7項至第9項中任一項所述之研 磨液組中的上述第1液與上述第2液混合而獲得上述研磨 液的步驟；以及 一邊向上述研磨墊與上述被研磨膜之間供給上述研磨 液，一邊對上述被研磨膜的至少一部分進行研磨的步驟。 20. —種基板的研磨方法，包括： 將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨墊 相對向的方式來配置的步驟；以及 一邊將如申請專利範圍第7項至第9項中任一項所述 之研磨液組中的上述第丨液與上述第2液分別供給至上述 研磨墊與上述被研磨膜之間，一邊對上述被研磨膜的至少 一部分進行研磨的步驟。 55 201226546 21. —種基板的研磨方法，包括·· 將表面具有被研磨膜的基板的該被研磨膜以與研磨塾 相對向的方式來配置的步驟； 一邊向上述研磨墊與上述被研磨膜之間供給如 利範圍第10項至第17項中任—項所述之研磨液，_ = 上述被研磨膜的至少一部分進行研磨的步驟。 22. 如申請專利範圍帛18工員至第21項中任 之研磨方法，其中上述被研磨膜包含氧化矽。 迷 23. 如申請專利範圍帛18:^至第22射任 之研磨方法，其中上述被研磨祺的表面具有凹凸。， 24. -種基板，其為使用如申請專利範圍第 23項中任一項所述之研磨方法研磨後的基板。 第 56
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