JP4285480B2 - 研磨剤及び研磨方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims description 155
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 47
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 34
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 24
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 claims description 22
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 claims description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 22
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 20
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N methacrylamide Chemical class CC(=C)C(N)=O FQPSGWSUVKBHSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 claims description 8
- 150000003926 acrylamides Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- -1 methylol group Chemical group 0.000 claims description 7
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 7
- IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 1-ethynyl-2,4-dimethoxybenzene Chemical compound COC1=CC=C(C#C)C(OC)=C1 IVORCBKUUYGUOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 5
- 229920002939 poly(N,N-dimethylacrylamides) Polymers 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical group CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000002777 acetyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)=O 0.000 claims description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000001309 chloro group Chemical group Cl* 0.000 claims description 3
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 3
- 125000001028 difluoromethyl group Chemical group [H]C(F)(F)* 0.000 claims description 3
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 3
- 125000004573 morpholin-4-yl group Chemical group N1(CCOCC1)* 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 125000000587 piperidin-1-yl group Chemical group [H]C1([H])N(*)C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 claims description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- 125000000719 pyrrolidinyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000005505 thiomorpholino group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 claims description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 21
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 13
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 10
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 9
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical group OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 8
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K cerium(iii) hydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[OH-].[Ce+3] UNJPQTDTZAKTFK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 6
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 5
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 5
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N acetic acid Substances CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000011114 ammonium hydroxide Nutrition 0.000 description 4
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 230000002250 progressing effect Effects 0.000 description 4
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 4
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 description 3
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N Pyrrolidine Chemical compound C1CCNC1 RWRDLPDLKQPQOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 3
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N ammonia Natural products N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N furfuryl alcohol Chemical compound OCC1=CC=CO1 XPFVYQJUAUNWIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229940088644 n,n-dimethylacrylamide Drugs 0.000 description 3
- YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N n,n-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C=C YLGYACDQVQQZSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 3
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N (+/-)-1,3-Butanediol Chemical compound CC(O)CCO PUPZLCDOIYMWBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 2-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CC=N1 ICSNLGPSRYBMBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 2-methoxyethyl acetate Chemical compound COCCOC(C)=O XLLIQLLCWZCATF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 2-methylbutan-2-ol Chemical compound CCC(C)(C)O MSXVEPNJUHWQHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound CC(O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 3-aminopyridine Chemical compound NC1=CC=CN=C1 CUYKNJBYIJFRCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 2
- 229920001661 Chitosan Polymers 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N Piperazine Chemical compound C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N Piperidine Chemical compound C1CCNCC1 NQRYJNQNLNOLGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N allyl alcohol Chemical compound OCC=C XXROGKLTLUQVRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N picolinic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=N1 SIOXPEMLGUPBBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N (+)-propylene glycol Chemical compound C[C@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-VKHMYHEASA-N 0.000 description 1
- JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N (3-hydroxy-2,2,4-trimethylpentyl) 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(C)C(O)C(C)(C)COC(=O)C(C)=C JHPBZFOKBAGZBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N (R)-(-)-Propylene glycol Chemical compound C[C@@H](O)CO DNIAPMSPPWPWGF-GSVOUGTGSA-N 0.000 description 1
- ORTVZLZNOYNASJ-UPHRSURJSA-N (z)-but-2-ene-1,4-diol Chemical compound OC\C=C/CO ORTVZLZNOYNASJ-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 0 *C(C(N(*)*)=O)=C Chemical compound *C(C(N(*)*)=O)=C 0.000 description 1
- XZNOAVNRSFURIR-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-(trifluoromethyl)propan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)(C(F)(F)F)C(F)(F)F XZNOAVNRSFURIR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-trioxane Chemical compound C1OCOCO1 BGJSXRVXTHVRSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 1,3-propanediol Substances OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940035437 1,3-propanediol Drugs 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 1-ethenoxy-2-methylpropane Chemical compound CC(C)COC=C OZCMOJQQLBXBKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940044613 1-propanol Drugs 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940093475 2-ethoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MSXBNVQLIFDFCC-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-bis(2-methylpropyl)prop-2-enamide Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)C(=O)C(C)=C MSXBNVQLIFDFCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WZCMGUAECOMTFG-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-dioctadecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN(C(=O)C(C)=C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC WZCMGUAECOMTFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJUCEZKOOKQHKH-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-dioctylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCN(C(=O)C(C)=C)CCCCCCCC ZJUCEZKOOKQHKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAYSXEMBWUMDIZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n,n-dipropylprop-2-enamide Chemical compound CCCN(CCC)C(=O)C(C)=C AAYSXEMBWUMDIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WPFTVIVHDBZTSZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2,4,4-trimethylpentan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NC(C)(C)CC(C)(C)C WPFTVIVHDBZTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FRFUQJFVJRYYDZ-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-(2-methylpropyl)prop-2-enamide Chemical compound CC(C)CNC(=O)C(C)=C FRFUQJFVJRYYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PABGQABTFFNYFH-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-octadecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCNC(=O)C(C)=C PABGQABTFFNYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMCBLSMMFWHLSN-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-octylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCNC(=O)C(C)=C IMCBLSMMFWHLSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YQIGLEFUZMIVHU-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C(C)=C YQIGLEFUZMIVHU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CCIDRBFZPRURMU-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-n-propylprop-2-enamide Chemical compound CCCNC(=O)C(C)=C CCIDRBFZPRURMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-yloxyethanol Chemical compound CC(C)OCCO HCGFUIQPSOCUHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 2-vinylpyridine Chemical compound C=CC1=CC=CC=N1 KGIGUEBEKRSTEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 3-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CC1CCCCNC1=O MXRGSJAOLKBZLU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 3-hydroxypropanenitrile Chemical compound OCCC#N WSGYTJNNHPZFKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRNODTYYEUSETK-UHFFFAOYSA-N 3-prop-2-enyl-1,3-oxazolidin-2-one Chemical compound C=CCN1CCOC1=O WRNODTYYEUSETK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 4-ethenylbenzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=C(C=C)C=C1 IRQWEODKXLDORP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001817 Agar Polymers 0.000 description 1
- BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N Borate Chemical compound [O-]B([O-])[O-] BTBUEUYNUDRHOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AAUARWGFDVCOHK-UHFFFAOYSA-N CCCC(=C)C(=O)NC Chemical compound CCCC(=C)C(=O)NC AAUARWGFDVCOHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CXTGKZAJSNVWFU-UHFFFAOYSA-N CCNC(=O)C(=C)C(C)C Chemical compound CCNC(=O)C(=C)C(C)C CXTGKZAJSNVWFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GKMQWTVAAMITHR-WCCKRBBISA-N C[C@@H](CC)O.CC(CC)O Chemical compound C[C@@H](CC)O.CC(CC)O GKMQWTVAAMITHR-WCCKRBBISA-N 0.000 description 1
- 229920002134 Carboxymethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 229920002558 Curdlan Polymers 0.000 description 1
- 239000001879 Curdlan Substances 0.000 description 1
- IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N Ethenol Chemical compound OC=C IMROMDMJAWUWLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000663 Hydroxyethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000004354 Hydroxyethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920002153 Hydroxypropyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N L-histidine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-YFKPBYRVSA-N 0.000 description 1
- UBORTCNDUKBEOP-UHFFFAOYSA-N L-xanthosine Natural products OC1C(O)C(CO)OC1N1C(NC(=O)NC2=O)=C2N=C1 UBORTCNDUKBEOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000907681 Morpho Species 0.000 description 1
- CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N N-Methylolacrylamide Chemical compound OCNC(=O)C=C CNCOEDDPFOAUMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N N-Vinyl-2-pyrrolidone Chemical compound C=CN1CCCC1=O WHNWPMSKXPGLAX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FVWJYVIAHLLJNF-UHFFFAOYSA-N N-ethyl-2-methylidenepentanamide Chemical compound CCCC(=C)C(=O)NCC FVWJYVIAHLLJNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002230 Pectic acid Polymers 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000805 Polyaspartic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 1
- 108010020346 Polyglutamic Acid Proteins 0.000 description 1
- 108010039918 Polylysine Proteins 0.000 description 1
- 229920005830 Polyurethane Foam Polymers 0.000 description 1
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- 239000004373 Pullulan Substances 0.000 description 1
- 229920001218 Pullulan Polymers 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N Tetraethylene glycol, Natural products OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N Uric Acid Chemical compound N1C(=O)NC(=O)C2=C1NC(=O)N2 LEHOTFFKMJEONL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N Uric acid Natural products N1C(=O)NC(=O)C2NC(=O)NC21 TVWHNULVHGKJHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UBORTCNDUKBEOP-HAVMAKPUSA-N Xanthosine Natural products O[C@@H]1[C@H](O)[C@H](CO)O[C@H]1N1C(NC(=O)NC2=O)=C2N=C1 UBORTCNDUKBEOP-HAVMAKPUSA-N 0.000 description 1
- 239000001089 [(2R)-oxolan-2-yl]methanol Substances 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N acetaldehyde Diethyl Acetal Natural products CCOC(C)OCC DHKHKXVYLBGOIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000008272 agar Substances 0.000 description 1
- 235000010419 agar Nutrition 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 235000010443 alginic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000000783 alginic acid Substances 0.000 description 1
- 229920000615 alginic acid Polymers 0.000 description 1
- 229960001126 alginic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000004781 alginic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011324 bead Substances 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 description 1
- OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N bis-tris Chemical compound OCCN(CCO)C(CO)(CO)CO OWMVSZAMULFTJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010948 carboxy methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 239000008112 carboxymethyl-cellulose Substances 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);tricarbonate;hydrate Chemical compound O.[Ce+3].[Ce+3].[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O.[O-]C([O-])=O KHSBAWXKALEJFR-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002178 crystalline material Substances 0.000 description 1
- 235000019316 curdlan Nutrition 0.000 description 1
- 229940078035 curdlan Drugs 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000003480 eluent Substances 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- HQPMKSGTIOYHJT-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;propane-1,2-diol Chemical compound OCCO.CC(O)CO HQPMKSGTIOYHJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N ethenamine Chemical compound NC=C UYMKPFRHYYNDTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N histidine Natural products OC(=O)C(N)CC1=CN=CN1 HNDVDQJCIGZPNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019447 hydroxyethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001863 hydroxypropyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010977 hydroxypropyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 239000001866 hydroxypropyl methyl cellulose Substances 0.000 description 1
- 229920003088 hydroxypropyl methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 235000010979 hydroxypropyl methyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N hydroxypropyl methyl cellulose Chemical compound OC1C(O)C(OC)OC(CO)C1OC1C(O)C(O)C(OC2C(C(O)C(OC3C(C(O)C(O)C(CO)O3)O)C(CO)O2)O)C(CO)O1 UFVKGYZPFZQRLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229920000609 methyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N methyl vinyl ether Chemical compound COC=C XJRBAMWJDBPFIM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001923 methylcellulose Substances 0.000 description 1
- 235000010981 methylcellulose Nutrition 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQJCRHHNABKAKU-KBQPJGBKSA-N morphine Chemical compound O([C@H]1[C@H](C=C[C@H]23)O)C4=C5[C@@]12CCN(C)[C@@H]3CC5=CC=C4O BQJCRHHNABKAKU-KBQPJGBKSA-N 0.000 description 1
- WFKDPJRCBCBQNT-UHFFFAOYSA-N n,2-dimethylprop-2-enamide Chemical compound CNC(=O)C(C)=C WFKDPJRCBCBQNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DTZBBIVCHZLRAY-UHFFFAOYSA-N n,3-dimethyl-2-methylidenebutanamide Chemical compound CNC(=O)C(=C)C(C)C DTZBBIVCHZLRAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N n,n,2-trimethylprop-2-enamide Chemical compound CN(C)C(=O)C(C)=C QRWZCJXEAOZAAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPSVCCLIDMUQFT-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(2-methylpropyl)prop-2-enamide Chemical compound CC(C)CN(CC(C)C)C(=O)C=C BPSVCCLIDMUQFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SQGKLVBPYCDZLT-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(hydroxymethyl)-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)N(CO)CO SQGKLVBPYCDZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZHRYYYIOGLPCB-UHFFFAOYSA-N n,n-bis(hydroxymethyl)prop-2-enamide Chemical compound OCN(CO)C(=O)C=C HZHRYYYIOGLPCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHOSNAAUPKDRMI-UHFFFAOYSA-N n,n-di(propan-2-yl)prop-2-enamide Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(=O)C=C YHOSNAAUPKDRMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VHFSIUXERRLSJV-UHFFFAOYSA-N n,n-diacetyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=O)N(C(C)=O)C(=O)C(C)=C VHFSIUXERRLSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LOYFXJIIIRXOSE-UHFFFAOYSA-N n,n-diacetylprop-2-enamide Chemical compound CC(=O)N(C(C)=O)C(=O)C=C LOYFXJIIIRXOSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZMQMUZCPILQGI-UHFFFAOYSA-N n,n-dibutyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCN(C(=O)C(C)=C)CCCC LZMQMUZCPILQGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLJMSHXCPBXOKX-UHFFFAOYSA-N n,n-dibutylprop-2-enamide Chemical compound CCCCN(C(=O)C=C)CCCC DLJMSHXCPBXOKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUESSPLKCMYVFN-UHFFFAOYSA-N n,n-didodecyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(C(=O)C(C)=C)CCCCCCCCCCCC HUESSPLKCMYVFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IXSXIMCFYLTCMM-UHFFFAOYSA-N n,n-didodecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCN(C(=O)C=C)CCCCCCCCCCCC IXSXIMCFYLTCMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N n,n-diethyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(C)=C JMCVCHBBHPFWBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N n,n-diethylprop-2-enamide Chemical compound CCN(CC)C(=O)C=C OVHHHVAVHBHXAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRFRBJNSMLQXFW-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCN(C(=O)C(C)=C)CCCCCCC HRFRBJNSMLQXFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVSGSVRDIIQWSW-UHFFFAOYSA-N n,n-diheptylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCN(C(=O)C=C)CCCCCCC VVSGSVRDIIQWSW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLIONETUSDBJEZ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctadecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCN(C(=O)C=C)CCCCCCCCCCCCCCCCCC MLIONETUSDBJEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRUSUOGPILMFBM-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCN(C(=O)C=C)CCCCCCCC JRUSUOGPILMFBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RKSYJNCKPUDQET-UHFFFAOYSA-N n,n-dipropylprop-2-enamide Chemical compound CCCN(CCC)C(=O)C=C RKSYJNCKPUDQET-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDXQQGWFGRQPQ-UHFFFAOYSA-N n,n-ditert-butyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)N(C(C)(C)C)C(C)(C)C ZCDXQQGWFGRQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YCYXBYSCGRFTJL-UHFFFAOYSA-N n,n-ditert-butylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)(C)N(C(C)(C)C)C(=O)C=C YCYXBYSCGRFTJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBSASXNAZJHOBR-UHFFFAOYSA-N n-(2-methylpropyl)prop-2-enamide Chemical compound CC(C)CNC(=O)C=C PBSASXNAZJHOBR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNTMQTKDNSEIFO-UHFFFAOYSA-N n-(hydroxymethyl)-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NCO DNTMQTKDNSEIFO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OJBZOTFHZFZOIJ-UHFFFAOYSA-N n-acetyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=O)NC(=O)C(C)=C OJBZOTFHZFZOIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RUSRUYULUAYXIP-UHFFFAOYSA-N n-acetylprop-2-enamide Chemical compound CC(=O)NC(=O)C=C RUSRUYULUAYXIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGWOOIHSXNRPW-UHFFFAOYSA-N n-butyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCNC(=O)C(C)=C VQGWOOIHSXNRPW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YRVUCYWJQFRCOB-UHFFFAOYSA-N n-butylprop-2-enamide Chemical compound CCCCNC(=O)C=C YRVUCYWJQFRCOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HOZLHJIPBBRFGM-UHFFFAOYSA-N n-dodecyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCNC(=O)C(C)=C HOZLHJIPBBRFGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPVIMDDIXCFFS-UHFFFAOYSA-N n-dodecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCNC(=O)C=C XQPVIMDDIXCFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZIWDVJPPVMGJGR-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCNC(=O)C(C)=C ZIWDVJPPVMGJGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SWPMNMYLORDLJE-UHFFFAOYSA-N n-ethylprop-2-enamide Chemical compound CCNC(=O)C=C SWPMNMYLORDLJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XCYRHAIYAPLAOA-UHFFFAOYSA-N n-heptyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCNC(=O)C(C)=C XCYRHAIYAPLAOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABUMECXPQVMMIN-UHFFFAOYSA-N n-heptylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCNC(=O)C=C ABUMECXPQVMMIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNGJXZAZBJIYFZ-UHFFFAOYSA-N n-methyl-2-methylidenebutanamide Chemical compound CCC(=C)C(=O)NC WNGJXZAZBJIYFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N n-methylprop-2-enamide Chemical compound CNC(=O)C=C YPHQUSNPXDGUHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CNWVYEGPPMQTKA-UHFFFAOYSA-N n-octadecylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCCNC(=O)C=C CNWVYEGPPMQTKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AWGZKFQMWZYCHF-UHFFFAOYSA-N n-octylprop-2-enamide Chemical compound CCCCCCCCNC(=O)C=C AWGZKFQMWZYCHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N n-propan-2-ylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)NC(=O)C=C QNILTEGFHQSKFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WDFKEEALECCKTJ-UHFFFAOYSA-N n-propylprop-2-enamide Chemical compound CCCNC(=O)C=C WDFKEEALECCKTJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QQZXAODFGRZKJT-UHFFFAOYSA-N n-tert-butyl-2-methylprop-2-enamide Chemical compound CC(=C)C(=O)NC(C)(C)C QQZXAODFGRZKJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N n-tert-butylprop-2-enamide Chemical compound CC(C)(C)NC(=O)C=C XFHJDMUEHUHAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 239000004745 nonwoven fabric Substances 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N pectic acid Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](O)[C@@H](O)O[C@H](C(O)=O)[C@@H]1OC1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](OC2[C@@H]([C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O2)C(O)=O)O)[C@@H](C(O)=O)O1 LCLHHZYHLXDRQG-ZNKJPWOQSA-N 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229940081066 picolinic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 1
- 108010064470 polyaspartate Proteins 0.000 description 1
- 239000010318 polygalacturonic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002643 polyglutamic acid Polymers 0.000 description 1
- 229920000656 polylysine Polymers 0.000 description 1
- 229920001444 polymaleic acid Polymers 0.000 description 1
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920001282 polysaccharide Polymers 0.000 description 1
- 239000005017 polysaccharide Substances 0.000 description 1
- 150000004804 polysaccharides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000166 polytrimethylene carbonate Polymers 0.000 description 1
- 239000011496 polyurethane foam Substances 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 description 1
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 description 1
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 description 1
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 1
- TVDSBUOJIPERQY-UHFFFAOYSA-N prop-2-yn-1-ol Chemical compound OCC#C TVDSBUOJIPERQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 235000013772 propylene glycol Nutrition 0.000 description 1
- 235000019423 pullulan Nutrition 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000010526 radical polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical group Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000012756 surface treatment agent Substances 0.000 description 1
- BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofurfuryl alcohol Chemical compound OCC1CCCO1 BSYVTEYKTMYBMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N thiomorpholine Chemical compound C1CSCCN1 BRNULMACUQOKMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004992 toluidines Chemical class 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
- 229940116269 uric acid Drugs 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000000230 xanthan gum Substances 0.000 description 1
- 229920001285 xanthan gum Polymers 0.000 description 1
- 235000010493 xanthan gum Nutrition 0.000 description 1
- 229940082509 xanthan gum Drugs 0.000 description 1
- UBORTCNDUKBEOP-UUOKFMHZSA-N xanthosine Chemical compound O[C@@H]1[C@H](O)[C@@H](CO)O[C@H]1N1C(NC(=O)NC2=O)=C2N=C1 UBORTCNDUKBEOP-UUOKFMHZSA-N 0.000 description 1
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Description
従来、半導体素子の製造工程において、プラズマ−CVD、低圧−CVD等の方法で形成される酸化珪素絶縁膜等の無機絶縁膜層を平坦化するための化学機械研磨剤としてフュームドシリカ系の研磨剤が一般的に検討されている。フュームドシリカ系の研磨剤は、四塩化珪酸を熱分解する等の方法で粒成長させ、pH調整を行って製造している。しかしながら、この様な研磨剤は、研磨速度が低いという技術課題がある。
また、デザインルール0.25μm以降の世代では、集積回路内の素子分離にシャロー・トレンチ分離が用いられている。シャロー・トレンチ分離では、基板上に成膜した余分の酸化珪素膜を除くためにCMPが使用され、研磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に研磨速度の遅いストッパ膜が形成される。ストッパ膜には窒化珪素などが使用され、酸化珪素膜とストッパ膜との研磨速度比が大きいことが望ましい。従来のコロイダルシリカ系の研磨剤は、上記の酸化珪素膜とストッパ膜の研磨速度比が3程度と小さく、シャロー・トレンチ分離用としては実用に耐える特性を有していなかった。
一方、フォトマスクやレンズ等のガラス表面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられている。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低く、したがって、研磨表面に傷が入りにくいことから、仕上げ鏡面研磨に有用である。また、シリカ研磨剤に比べ、研磨速度が速い利点がある。近年、高純度酸化セリウム砥粒を用いた半導体用CMP研磨剤が使用されている。例えば、その技術は日本特開平10−106994号公報に開示されている。
また、酸化セリウム研磨液の研磨速度を制御し、グローバルな平坦性を向上させるために添加剤を加えることが知られている。例えば、この技術は日本特開平8−22970号公報に開示されている。
酸化セリウム研磨剤を半導体絶縁膜研磨に適用すると、酸化セリウムの化学的作用と粒子による機械的除去作用とで加工が進行するとされる。しかし、粒子による機械的除去作用があると研磨傷が入る。そこで、所望な研磨速度と研磨傷等の表面状態になる酸化セリウム1次粒子径を選択しているが、酸化セリウム粒子を用いる限り研磨傷フリーの被研磨膜表面を作り出すことは出来ない。今後、半導体素子の多層化・高精細化が進むにつれ、半導体素子の歩留り向上には研磨傷フリーで、かつ高速研磨が可能な研磨剤が必須となる。さらに、シャロー・トレンチ素子分離を可能とするために、例えば酸化珪素絶縁膜研磨速度と窒化珪素絶縁膜研磨速度との比が10以上である研磨剤が必要となる。
また、本発明は、添加剤を加えることで酸化珪素絶縁膜研磨速度と窒化珪素絶縁膜研磨速度との比が10以上となり、シャロー・トレンチ素子間分離に好適な研磨剤および研磨方法を提供するものである。
本発明は、下記(1)〜(12)に関する。
(1) 4価の金属水酸化物粒子を媒体に分散させたスラリー及び添加剤を含む研磨剤であって、該添加剤が下記一般式(I)
(一般式(I)中、R1は水素、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素またはC1〜C18のアルキル鎖、メチロール基、アセチル基、ジアセトニル基を示し、両方が水素の場合は含まれない。)
及び下記一般式(II)
(一般式(II)中、R1は式(I)と共通であり、R4はモルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジニル基、ピペリジノ基を示す。)で示される単量体の群から選ばれる少なくとも1種類の単量体成分を含む重合体である研磨剤。
(2) 4価の金属水酸化物粒子の比表面積が100m2/g以上である前記(1)記載の研磨剤。
(3) 媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値が300nm以下である前記(1)又は(2)記載の研磨剤。
(4) 研磨剤のpHが3以上9以下である前記(1)〜(3)のいずれか記載の研磨剤。
(5) 前記重合体が、アクリルアミドのN−モノ置換体骨格、メタアクリルアミドのN−モノ置換体骨格、アクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格及びメタアクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格の内の少なくとも一つを有する前記(1)〜(4)のいずれか記載の研磨剤。
(6) 前記重合体が、ポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)である前記(1)〜(5)のいずれか記載の研磨剤。
(7) 4価の金属水酸化物が希土類金属水酸化物及び水酸化ジルコニウムの少なくとも一方である前記(1)〜(6)のいずれか記載の研磨剤。
(8) 4価の金属水酸化物が4価の金属塩とアルカリ液を混合して得られる前記(1)〜(7)のいずれか記載の研磨剤。
(9) 媒体が水である前記(1)〜(8)のいずれか記載の研磨剤。
(10) 前記(1)〜(9)のいずれか記載の研磨剤で所定の基板を研磨する研磨方法。
(11) 少なくとも酸化珪素膜が形成された基板の被研磨面を研磨パッドに押し当て加圧し、前記(1)〜(9)のいずれか記載の研磨剤を研磨パッドと被研磨面との間に供給しながら被研磨面と研磨パッドとを相対運動させて研磨する研磨方法。
(12) 基板が半導体素子の製造工程中の基板である前記(10)または(11)記載の研磨方法。
FIG.1Aはトレンチ形成後の平面図、
FIG.1BはFIG.1AのAA´面による縦断面図、
FIG.1Cは絶縁層埋め込み後の縦断面図である。
FIG.2は、本発明の実施例における凹部絶縁膜残膜量と研磨時間の関係を示すグラフと、研磨前の各膜厚を示すFIG.1Cの一部拡大図である。
FIG.3は、本発明の実施例における凸部絶縁膜残膜量と研磨時間の関係を示すグラフと、研磨前の各膜厚を示すFIG.1Cの一部拡大図である。
FIG.4は、本発明の実施例における凹部絶縁膜残膜量と研磨時間の関係を示すグラフと、研磨前の各膜厚を示すFIG.1Cの一部拡大図である。
FIG.5は、本発明の実施例における凸部絶縁膜残膜量と研磨時間の関係を示すグラフと、研磨前の各膜厚を示すFIG.1Cの一部拡大図である。
2 窒化珪素(SiN)膜
3 トレンチ
4 絶縁膜(SiO2)
本発明において、金属水酸化物を作製する方法として、4価の金属塩とアルカリ液とを混合する手法が使用できる。この方法は、例えば「希土類の科学」(足立吟也編、株式会社化学同人、1999年)304〜305頁に説明されている。4価の金属塩として、例えばM(SO4)2、M(NH4)2(NO3)6、M(NH4)4(SO4)4(ただし、Mは希土類元素を示す。)、Zr(SO4)2・4H2Oが好ましい。特に化学的に活性なCeがより好ましい。アルカリ液はアンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが使用できる。好ましくはアンモニア水が良い。
上記方法で合成された粒子状の4価の金属水酸化物は、洗浄して金属不純物を除去できる。金属水酸化物の洗浄は、遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法等が使用できる。
4価の金属水酸化物として、希土類金属水酸化物および水酸化ジルコニウムの少なくとも一方を使用するのが好ましい。希土類金属水酸化物および水酸化ジルコニウムから二種以上を選択して使用してもよい。希土類金属水酸化物としては、水酸化セリウムがより好ましい。
上記で洗浄して得られた4価の金属水酸化物粒子を、液状の媒体中に分散させることによって、スラリーを作製できる。
この金属水酸化物の粒子を媒体中に分散させる方法としては、通常の撹拌機による分散処理の他に、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミルなどを用いることができる。
上記スラリーに添加剤を加えて本発明の研磨剤を得ることができる。添加剤の添加方法には特に制限は無く、分散前の媒体に予め加えても、分散処理と同時に混合しても、分散後に加えても良い。
本発明における添加剤とは、下記一般式(I)および(II)で表される単量体の群から選ばれる少なくとも1種類の単量体成分を含む重合体である。
一般式(I)中、R1は水素、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素またはC1〜C18のアルキル鎖、メチロール基、アセチル基、ジアセトニル基を示し、両方が水素の場合は含まれない。
及び下記一般式(II)
一般式(II)中、R1は式(I)と共通であり、R4はモルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジニル基、ピペリジノ基を示す。
該添加剤は、水溶性であることが好ましい。また、高分子化合物であることが好ましい。
前記重合体は、前記一般式(I)および(II)で表される単量体以外の単量体成分を含んだ共重合体であってもよい。このような単量体成分として、ビニルアルコール、酢酸ビニル、アクリル酸、メタクリル酸、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、アクリロニトリル、マレイン酸、イタコン酸、ビニルアミン、ビニルピリジン、アリルアミン、ビニルピロリドン、ビニルカプロラクタム、ビニルメチルエーテル、ビニルメチルオキサゾリジノン、ビニルホルマール、ビニルアセタール、ビニルアミン、ビニルイソブチルエーテル、アクリルアミド、メタアクリルアミド等が例示され、単独でも二種以上組み合わせて選ばれても良い。
添加剤として用いる重合体は少なくとも前記一般式(I)および(II)で表される単量体を使用し、ラジカル重合等の一般的に知られた重合手法によって得られる。本発明における前記一般式(I)および(II)で表される単量体としては、次の化合物が例示される。
N−メチルアクリルアミド、N−エチルアクリルアミド、N−プロピルアクリルアミド、N−イソプロピルアクリルアミド、N−ブチルアクリルアミド、N−イソブチルアクリルアミド、N−ターシャリブチルアクリルアミド、N−ヘプチルアクリルアミド、N−オクチルアクリルアミド、N−ターシャリオクチルアクリルアミド、N−ドデシルアクリルアミド、N−オクタデシルアクリルアミド、N−メチロールアクリルアミド、N−アセチルアクリルアミド、N−ジアセトンアクリルアミド、N−メチルメタクリルアミド、N−エチルメタクリルアミド、N−プロピルメタクリルアミド、N−イソプロピルメタクリルアミド、N−ブチルメタクリルアミド、N−イソブチルメタクリルアミド、N−ターシャリブチルメタクリルアミド、N−ヘプチルメタクリルアミド、N−オクチルメタクリルアミド、N−ターシャリオクチルメタクリルアミド、N−ドデシルメタクリルアミド、N−オクタデシルメタクリルアミド、N−メチロールメタクリルアミド、N−アセチルメタクリルアミド、N−ジアセトンメタクリルアミド、
N,N−ジメチルアクリルアミド、N,N−ジエチルアクリルアミド、N,N−ジプロピルアクリルアミド、N,N−ジイソプロピルアクリルアミド、N,N−ジブチルアクリルアミド、N,N−ジイソブチルアクリルアミド、N,N−ジターシャリブチルアクリルアミド、N,N−ジヘプチルアクリルアミド、N,N−ジオクチルアクリルアミド、N,N−ジターシャリオクチルアクリルアミド、N,N−ジドデシルアクリルアミド、N,N−ジオクタデシルアクリルアミド、N,N−ジメチロールアクリルアミド、N,N−ジアセチルアクリルアミド、N,N−ジジアセトンアクリルアミド、N,N−ジメチルメタクリルアミド、N,N−ジエチルメタクリルアミド、N,N−ジプロピルメタクリルアミド、N,N−ジイソプロピルメタクリルアミド、N,N−ジブチルメタクリルアミド、N,N−ジイソブチルメタクリルアミド、N,N−ジターシャリブチルメタクリルアミド、N,N−ジヘプチルメタクリルアミド、N,N−ジオクチルメタクリルアミド、N,N−ジターシャリオクチルメタクリルアミド、N,N−ジドデシルメタクリルアミド、N,N−ジオクタデシルメタクリルアミド、N,N−ジメチロールメタクリルアミド、N,N−ジアセチルメタクリルアミド、N,N−ジジアセトンメタクリルアミド、N,N−メチルエチルアクリルアミド、N,N−メチルプロピルアクリルアミド、N,N−メチルイソプロピルアクリルアミド、N,N−エチルプロピルアクリルアミド、N,N−エチルイソプロピルアクリルアミド、アクリルピペリジン、アクリルモルホリン、アクリルチオモルホリン、アクリルピロリジン等を例示することができる。これらは、1種単独または2種以上組み合わせて用いることができる。
添加剤に用いられる重合体は、アクリルアミドのα−置換体のN−モノ置換体またはN,N−ジ置換体骨格を有することが好ましい。より好ましくは、アクリルアミドのN−モノ置換体骨格、メタアクリルアミドのN−モノ置換体骨格、アクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格及びメタアクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格の内の少なくとも一つを有するものである。さらに好ましくは、N,N−ジメチルアクリルアミドの重合体、すなわちポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)である。
本発明の研磨剤は、上記添加剤を加えたスラリーをそのまま使用してもよいが、pH安定剤、分散剤、被研磨面処理剤等を必要に応じて適宜添加してもよい。これらの添加方法も組成により適宜選択される。
研磨剤のpH安定剤としてカルボン酸塩、リン酸塩、ホウ酸塩、アミン塩を用いることができる。pH安定化剤は少なくとも一方の構成成分のpKa値が、研磨剤pHの1.0単位以内にあるものが好ましく使用される。例えば、研磨剤pHを5.0から6.0に調整する場合、リン酸、酢酸、プロピオン酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸、クエン酸等及びその塩、及びエチレンジアミン、ピリジン、2−アミノピリジン、3−アミノピリジン、キサントシン、トルイジン、ピコリン酸、ヒスチジン、ピペラジン、1−メチルピペラジン、2−ビス(2−ヒドロキシエチル)アミノ−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、尿酸等及びその塩が好適に使用される。
本発明の添加剤添加量は、研磨剤100重量部に対して、0.001重量部以上、10重量部以下の範囲が好ましい。0.01重量部以上、1重量部以下の範囲がさらに好ましい。添加量が少なすぎると高平坦化特性が得られにくく、多すぎると高粘度化のため流動性が低下する場合がある。
また添加剤の重量平均分子量は、500〜5,000,000が好ましく、1,000〜1,000,000がより好ましい。添加剤の分子量が500未満の場合は、高平坦化特性が得られにくく、添加剤の分子量が5,000,000を超えた場合は、粘度が高くなり、研磨剤の保存安定性が低下する傾向があるためである。
また、本発明の研磨剤は他の水溶性高分子を含有してもよい。例えばアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロース、寒天、キサンタンガム、キトサン、メチルグリコールキトサン、メチルセルロース、エチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ヒドロキシプロピルメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、カードラン及びプルラン等の多糖類;ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ(p−スチレンカルボン酸)、ポリビニル硫酸、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリアミノアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸、その塩、エステル及び誘導体;ポリエチレンイミン、及びその塩;ポリビニルアルコール、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマー;ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリテトラメチレングリコール、エチレングリコール−プロピレングリコールブロック共重合体等が挙げられる。
こうして作製された研磨剤中の4価の金属水酸化物粒子は、比表面積が100m2/g以上であることが好ましく、また、2次粒子の平均粒径が300nm以下であることが好ましい。本発明で、研磨剤中の粒子の粒径の測定は、光子相関法(例えばコールター社製型番:コールターN4SD)で測定する。また、粒子の比表面積はBET法によって測定できる。
粒子は被研磨膜と化学的作用を及ぼす必要があり、比表面積が100m2/gより小さいと被研磨膜との接触面積が小さくなり、研磨速度が低下する傾向がある。また、研磨剤中の2次粒子径の中央値が300nmより大きいと、同様に被研磨膜との接触面積が小さくなり、研磨速度が低下する傾向がある。
研磨剤のpHは、3以上9以下であることが好ましく、4以上7以下であることがより好ましく、5以上6以下であることが特に好ましい。pHが3より小さいと化学的作用力が小さくなり、一方、pHが9より大きいと2次粒子径が大きくなり、いずれも研磨速度が低下する傾向がある。
媒体としては、水の他、以下の群から選ばれたものが好適である。メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、2−プロピン−1−オール、アリルアルコール、エチレンシアノヒドリン、1−ブタノール、2−ブタノール(S)−(+)−2−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、tert−ブチルアルコール、パーフルオロ−tert−ブチルアルコール、tert−ペンチルアルコール、1,2−エタンジオール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−ブテン−1,4−ジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、グリセリン、2−エチル−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、1,2,6−ヘキサントリオール、エチレングリコール、ジアセトンアルコール等のアルコール;
ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2,2−(ジメトキシ)エタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコール、2−メトキシエチルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエーテル;
アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン等が挙げられ、その中でも、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、アセトン、メチルエチルケトンがより好ましく、高研磨速度が得られる点で水が特に好ましい。
また、媒体の量は特に制限は無いが、粒子100重量部に対して、1,000〜1,000,000重量部が好ましく、10,000〜100,000重量部がより好ましい。
本発明の研磨剤及び研磨方法を適用して研磨される無機絶縁膜の作製方法として、低圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。
低圧CVD法による酸化珪素絶縁膜形成は、Si源としてモノシラン:SiH4、酸素源として酸素:O2を用いる。このSiH4−O2系酸化反応を400℃程度以下の低温で行わせることにより得られる。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン:Pをドープするときには、SiH4−O2−PH3系反応ガスを用いることが好ましい。
プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4−N2O系ガスとテトラエトキシシラン(TEOS)をSi源に用いたTEOS−O2系ガス(TEOS−プラズマCVD法)が挙げられる。基板温度は250℃〜400℃、反応圧力は67〜400Paの範囲が好ましい。このように、本発明における酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がドープされていても良い。
同様に、低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、Si源としてジクロルシラン:SiH2Cl2、窒素源としてアンモニア:NH3を用い、このSiH2Cl2−NH3系酸化反応を900℃の高温で行わせることにより得られる。プラズマCVD法では、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4−NH3系ガスが挙げられる。基板温度は300〜400℃が好ましい。
本発明の研磨方法は、上記本発明の研磨剤で所定の基板を研磨することを特徴とする。
基板として、半導体素子の製造工程中の基板が好ましく用いられる。具体的には、回路素子と配線パターンが形成された段階、回路素子が形成された段階等の、半導体基板上に酸化珪素膜或いは酸化珪素膜及び窒化珪素膜が形成された基板が使用できる。このような半導体基板上に形成された酸化珪素膜層を被研磨膜として本発明の研磨剤を用いて研磨することによって、酸化珪素膜層表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って傷の無い平滑な面とすることができる。シャロー・トレンチ分離の場合には、酸化珪素膜層の凹凸を解消しながら下層の窒化珪素膜層まで研磨することによって、素子分離部に埋め込んだ酸化珪素膜のみを残す。この際、酸化珪素研磨速度と、ストッパとなる窒化珪素研磨速度との比が大きければ、研磨のプロセスマージンが大きくなる。ここで、研磨剤に添加剤として上記重合体を添加すると、中性pH域において添加剤が窒化珪素膜に選択的に吸着してより効果的にストッパ膜として機能し、プロセス管理が容易となる。また、シャロー・トレンチ分離に使用するためには、研磨時に傷発生が少ないことも重要である。
以下、酸化珪素膜が形成された基板の研磨の場合について本発明の研磨方法を説明するが、これに特定されるものではない。
まず、少なくとも酸化珪素膜が形成された基板を用意する。その基板の被研磨面を研磨パッドに押し当て加圧し、本発明の研磨剤を研磨パッドと被研磨面との間に供給しながら被研磨面と研磨パッドとを相対運動させて基板を研磨することができる。
研磨する装置としては、研磨パッド(研磨布)を貼り付けることができ、回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある研磨定盤と、基板を保持するホルダーとを有する一般的な研磨装置が使用できる。
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布には研磨剤が溜まるような溝加工を施すことが好ましい。
研磨条件には制限はないが、研磨定盤の回転速度は基板が飛び出さないように100rpm以下の低回転が好ましい。被研磨膜を有する基板の研磨布への押しつけ圧力が10kPa〜100kPa(約100〜1000gf/cm2)であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、20kPa〜50kPa(約200〜500gf/cm2)であることがより好ましい。研磨している間、研磨布と被研磨面の間には研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量には制限はないが、研磨布の表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。
相対運動としては、研磨定盤を回転させる他に、ホルダーを回転や揺動させて研磨しても良い。また、研磨定盤を遊星回転させる研磨方法、ベルト状の研磨パッドを長尺方向の一方向に直線状に動かす研磨方法等が挙げられる。なお、ホルダーは固定、回転、揺動のいずれの状態でも良い。これらの研磨方法は、研磨パッドと基板の被研磨面とを相対的に動かすのであれば、被研磨面や研磨装置により適宜選択できる。
また、研磨パッドの表面状態を常に同一にして研磨を行うため、CMPによる基板研磨の前に研磨パッドのコンディショニング工程を入れるのが好ましい。例えば、ダイヤモンド粒子のついたドレッサを用いて少なくとも水を含む液で研磨を行う。続いて本発明による研磨工程を実施し、さらに、
1)研磨後の基板に付着した粒子等の異物を除去するブラシ洗浄、
2)研磨剤等を水に置換するためのメガソニック洗浄、
3)基板表面から水を除去するためのスピン乾燥、
からなる基板洗浄工程を加えるのが好ましい。
尚、本発明の研磨剤が被研磨面を傷なく研磨可能であるという特長を活用し、仕上げ研磨用として用いることも可能である。すなわち一段目の研磨を、通常のシリカスラリ、セリアスラリ等を用いて行った後、本発明の研磨剤を用いて仕上げ研磨を行うことで、シャロー・トレンチ分離を行う際、研磨傷の発生を抑制しつつ高速に研磨可能である。
研磨終了後の半導体基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。このようにして、Si基板上にシャロー・トレンチ分離を形成したあと、酸化珪素絶縁膜層及びその上にアルミニウム配線を形成し、その上に形成した酸化珪素膜を、再度本発明の研磨方法により平坦化する。平坦化された酸化珪素膜層の上に、第2層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間および配線上に再度上記方法により酸化珪素膜を形成後、さらに本発明の研磨方法で研磨することによって、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を製造することができる。
本発明の研磨剤は、半導体基板に形成された酸化珪素膜や窒化珪素膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバーの端面、シンチレータ等の光学用単結晶、固体レーザ単結晶、青色レーザ用LEDサファイア基板、SiC、GaP、GaAs等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨するために使用される。
430gのCe(NH4)2(NO3)6を7300gの純水に溶解し、次にこの溶液に240gのアンモニア水(25%水溶液)を混合・攪拌することにより、160gの水酸化セリウム(黄白色)を得た。得られた水酸化セリウムを遠心分離(4000rpm、5分間)によって、固液分離を施した。液体を除去し、新たに純水を加えて、再び上記条件で遠心分離を行った。このような操作を4回繰り返し、洗浄を行った。得られた粒子をBET法によって比表面積を測定したところ、200m2/gであった。
脱イオン水300gを2リットルのフラスコに投入し、窒素ガス雰囲気下で撹拌しながら80℃に昇温後、N,N−ジメチルアクリルアミド100gに重合開始剤(和光純薬工業株式会社製、商品名「V−501」)1.5gを溶解させたものを1時間かけてフラスコ中に注入した。その後80℃で5時間保温後、冷却して取り出してポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)25%水溶液を得た。溶離液として0.3M NaCl水、カラムとして日立化成工業株式会社製型番W−550及び示差屈折計を備えた株式会社島津製作所製型番LC−6A GPCシステムを用い、上記ポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)の分子量を測定したところ、重量平均分子量250,000(ポリエチレングリコール換算値)であった。
上記方法で得られた水酸化セリウム粒子4g、ポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)水溶液(重量平均分子量250,000、25%水溶液)8gと純水1988gと混合し、アンモニア水でpHを4.2に調整した。その後超音波分散を施し、さらに1μmのメンブレンフィルタでろ過を行い、水酸化セリウム研磨剤を得た。この研磨剤中の粒子を光子相関法によって2次粒径を測定したところ、その中央値は170nmであった。
(絶縁膜層の研磨)
FIG.1A〜Cに本発明の実施例に使用した評価用ウエハの概略図を示す。すなわち、FIG.1Aの平面図及びFIG.1Bの縦断面図に示すように、φ200mmのシリコン(Si)基板1上に100nmの窒化珪素(SiN)膜2を成膜し、さらにトレンチ3を形成した。次いで、FIG.1Cに縦断面図で示すように、そのトレンチ3を酸化珪素(SiO2)の絶縁膜4で埋め込んだ狭素子分離(STI)絶縁膜CMP評価用試験ウエハを作製した。
絶縁膜4の初期膜厚量は凸部で610nm、凹部で650nmであった。またトレンチ3の深さは、460nmであった。また、100μm角の窒化珪素膜の部分と隣の部分との間隔は59μmとした。
荏原製作所株式会社製研磨装置型番EPO−111の、保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記評価用試験ウエハをセットし、一方、同装置のφ600mmの研磨定盤にロデール社製多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドIC−1000(パーフォレート)を貼り付けた。該研磨パッド上に絶縁膜4面を下にして前記ホルダーを載せ、さらに加工荷重30kPaに設定した。研磨定盤上に上記で調製した水酸化セリウム研磨剤を200mL/分の速度で滴下しながら、研磨定盤とウエハとをそれぞれ50rpmで作動させて3、4.5、6、7、9分間それぞれSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハを研磨した。研磨後のウエハを純水で良く洗浄後、乾燥した。
その後、ナノメトリクス社製光干渉式膜厚装置Nanospec AFT−5100を用いて、凹部の絶縁膜4の残膜厚、凸部の絶縁膜の残膜厚、およびSiN膜2の残膜厚を測定した。研磨時間によるこれらの残膜厚の測定結果をFIG.2及びFIG.3にグラフで示す。またFIG.1Cを一部拡大し、研磨前の各膜厚を前記グラフと対応させるために並べて示す。さらに段差計Dektak(株式会社アルバック)V200−Siを用いて、研磨後の凸部と凹部の残段差を測定した。
その結果凹部は、FIG.2に示すように6分以降は、残膜厚の変化が見られず、殆ど研磨が進行していないことが分かった。
また、凸部はFIG.3に示すように6分で絶縁膜を削りきり、SiN膜が露出した。6分以降では、SiN膜残膜厚は変化が見られず、殆ど研磨が進行していないことが分かった。6分間以上過剰研磨しても凹凸部の削り過ぎも見られないことが分かった。
さらに、研磨時間6分の残段差は2nmであり、1分間過剰研磨をしても残段差は10nmと、高平坦化が達成されていることがわかった。
また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な研磨傷は観察されなかった。
実施例1で調製した研磨剤によるSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハの研磨に先立って、日立化成工業株式会社製酸化セリウム研磨剤(商品名HS−8005/HS−8102GP=1/2の混合物)を用い、実施例1と同様の研磨条件にて50秒、100秒間STI絶縁膜CMP評価用試験ウエハの研磨を行った。引き続き、研磨剤を実施例1で調製した研磨剤に置き換えて、さらに50秒、100秒、150秒間それぞれSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハを研磨した。その後実施例1と同様の方法にて評価を行った。
FIG.4に示すように、酸化セリウム研磨剤による100秒間の研磨で、凹部は急激に残膜厚が減少したあと(図中破線部分)、本発明の研磨剤で仕上げ研磨をした総研磨時間150秒以降(図中実線部分)は、残膜厚の変化が見られず、殆ど研磨が進行していないことが分かった。
また、凸部はFIG.5に示すように酸化セリウム研磨剤による100秒間の研磨(図中破線部分)で、SiO2膜残膜厚が100nm程度であった。本発明の研磨剤で仕上げ研磨をした研磨時間150秒以降(図中実線部分)は絶縁膜を削りきり、SiN膜が露出した。総研磨時間150秒以降では、SiN膜残膜厚は変化が見られず、殆ど研磨が進行していないことが分かった。150秒以上過剰研磨しても凹凸部の削り過ぎも見られないことが分かった。
総研磨時間150秒後の残段差は3nmと、高平坦化が達成されていることがわかった。
また、光学顕微鏡を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な研磨傷は観察されなかった。
比較例
炭酸セリウム水和物2kgを400℃で焼成して酸化セリウムを得た。酸化セリウムと純水を混合し、ビーズミルによって粉砕・分散を施した。その後、1μmのメンブレンフィルタでろ過を行い、酸化セリウム研磨剤を得た。粒子の比表面積は150m2/g、2次粒子の中央値は200nmであった。
上記で作製した酸化セリウム研磨剤を用いた以外は実施例1と同様に狭素子分離(STI)絶縁膜CMP評価用試験ウエハの研磨を行った。その結果、3分間以上研磨すると凹部の絶縁膜及び凸部のSiN膜をすべて削ってしまった。
産業上の利用の可能性
上述のように、本発明によれば、4価の金属水酸化物粒子の分散性が良好なCMP用の研磨剤、及び凹凸を有する基板を研磨してグローバルな平坦性が得られる研磨方法が得られる。さらにSiO2絶縁膜等の被研磨面を傷なく、高速に研磨することが可能であり、被研磨面の加工精度の良い半導体装置の製造方法を提供できる。
Claims (12)
- 4価の金属水酸化物粒子を媒体に分散させたスラリー及び添加剤を含む研磨剤であって、該添加剤が下記一般式(I)
(一般式(I)中、R1は水素、メチル基、フェニル基、ベンジル基、クロル基、ジフルオロメチル基、トリフルオロメチル基、シアノ基を示し、R2、R3はそれぞれ独立に水素またはC1〜C18のアルキル鎖、メチロール基、アセチル基、ジアセトニル基を示し、両方が水素の場合は含まれない。)
及び下記一般式(II)
(一般式(II)中、R1は式(I)と共通であり、R4はモルホリノ基、チオモルホリノ基、ピロリジニル基、ピペリジノ基を示す。)で示される単量体の群から選ばれる少なくとも1種類の単量体成分を含む重合体であることを特徴とする研磨剤。 - 4価の金属水酸化物粒子の比表面積が100m2/g以上である請求の範囲第1項記載の研磨剤。
- 媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値が300nm以下である請求の範囲第1項又は第2項記載の研磨剤。
- 研磨剤のpHが3以上9以下である請求の範囲第1項〜第3項のいずれか記載の研磨剤。
- 前記重合体が、アクリルアミドのN−モノ置換体骨格、メタアクリルアミドのN−モノ置換体骨格、アクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格及びメタアクリルアミドのN,N−ジ置換体骨格の内の少なくとも一つを有する請求の範囲第1項〜第4項のいずれか記載の研磨剤。
- 前記重合体が、ポリ(N,N−ジメチルアクリルアミド)である請求の範囲第1項〜第5項のいずれか記載の研磨剤。
- 4価の金属水酸化物が希土類金属水酸化物及び水酸化ジルコニウムの少なくとも一方である請求の範囲第1項〜第6項のいずれか記載の研磨剤。
- 4価の金属水酸化物が4価の金属塩とアルカリ液を混合して得られる請求の範囲第1項〜第7項のいずれか記載の研磨剤。
- 媒体が水である請求の範囲第1項〜第8項のいずれか記載の研磨剤。
- 請求の範囲第1項〜第9項のいずれか記載の研磨剤で所定の基板を研磨することを特徴とする研磨方法。
- 少なくとも酸化珪素膜が形成された基板の被研磨面を研磨パッドに押し当て加圧し、請求の範囲第1項〜第9項のいずれか記載の研磨剤を研磨パッドと被研磨面との間に供給しながら被研磨面と研磨パッドとを相対運動させて研磨することを特徴とする研磨方法。
- 基板が半導体素子の製造工程中の基板である請求の範囲第10項または第11項記載の研磨方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003150319 | 2003-05-28 | ||
JP2003150319 | 2003-05-28 | ||
PCT/JP2004/007746 WO2004107429A1 (ja) | 2003-05-28 | 2004-05-28 | 研磨剤及び研磨方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2004107429A1 JPWO2004107429A1 (ja) | 2006-07-20 |
JP4285480B2 true JP4285480B2 (ja) | 2009-06-24 |
Family
ID=33487176
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005506567A Expired - Lifetime JP4285480B2 (ja) | 2003-05-28 | 2004-05-28 | 研磨剤及び研磨方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8075800B2 (ja) |
JP (1) | JP4285480B2 (ja) |
KR (1) | KR100698396B1 (ja) |
CN (1) | CN100373556C (ja) |
TW (1) | TWI278507B (ja) |
WO (1) | WO2004107429A1 (ja) |
Families Citing this family (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101029929B1 (ko) * | 2005-11-11 | 2011-04-18 | 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 | 산화규소용 연마제, 첨가액 및 연마 방법 |
US20070209287A1 (en) * | 2006-03-13 | 2007-09-13 | Cabot Microelectronics Corporation | Composition and method to polish silicon nitride |
KR101067095B1 (ko) | 2006-03-20 | 2011-09-22 | 미쓰이 가가쿠 가부시키가이샤 | 연마용 조성물 |
JP4915736B2 (ja) * | 2006-03-31 | 2012-04-11 | 株式会社興人 | 加工速度向上剤及び該加工速度向上剤を含有した水溶性研磨・研削加工液 |
JP2008112990A (ja) * | 2006-10-04 | 2008-05-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
JP2013141041A (ja) * | 2006-10-04 | 2013-07-18 | Hitachi Chemical Co Ltd | 基板の研磨方法 |
JP5327427B2 (ja) * | 2007-06-19 | 2013-10-30 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体調製用セット、化学機械研磨用水系分散体の調製方法、化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法 |
CN102084465A (zh) | 2008-02-01 | 2011-06-01 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物以及使用其的研磨方法 |
CN104178088B (zh) * | 2008-04-23 | 2016-08-17 | 日立化成株式会社 | 研磨剂及使用该研磨剂的基板研磨方法 |
CN102473622B (zh) * | 2009-10-22 | 2013-10-16 | 日立化成株式会社 | 研磨剂、浓缩一液式研磨剂、二液式研磨剂以及基板研磨方法 |
KR20140071502A (ko) * | 2009-11-19 | 2014-06-11 | 가부시키가이샤 아루박 | 투명 도전막의 제조 방법, 투명 도전막의 제조 장치, 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막 |
KR20130136593A (ko) | 2010-03-12 | 2013-12-12 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액 및 이것들을 이용한 기판의 연마 방법 |
CN103500706A (zh) * | 2010-11-22 | 2014-01-08 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板 |
CN103222036B (zh) | 2010-11-22 | 2016-11-09 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基板的研磨方法及基板 |
KR20130129399A (ko) | 2010-11-22 | 2013-11-28 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 지립의 제조 방법, 슬러리의 제조 방법 및 연마액의 제조 방법 |
KR102004570B1 (ko) | 2012-02-21 | 2019-07-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제 세트 및 기체의 연마 방법 |
CN108831830B (zh) * | 2012-02-21 | 2024-05-17 | 株式会社力森诺科 | 研磨剂、研磨剂组和基体的研磨方法 |
SG11201407029XA (en) | 2012-05-22 | 2014-12-30 | Hitachi Chemical Co Ltd | Slurry, polishing-solution set, polishing solution, substrate polishing method, and substrate |
JP5943072B2 (ja) | 2012-05-22 | 2016-06-29 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
JP6060970B2 (ja) | 2012-05-22 | 2017-01-18 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
CN104321852B (zh) | 2012-05-22 | 2016-12-28 | 日立化成株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液、基体的研磨方法及基体 |
JP6512096B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2019-05-15 | コニカミノルタ株式会社 | 研磨材、研磨材スラリー及び研磨材の製造方法 |
JP5920840B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2016-05-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
KR101706975B1 (ko) * | 2014-02-14 | 2017-02-16 | 주식회사 케이씨텍 | 슬러리 조성물의 제조 방법 및 이에 의해 제조된 슬러리 조성물 |
KR102463863B1 (ko) * | 2015-07-20 | 2022-11-04 | 삼성전자주식회사 | 연마용 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
JP7133414B2 (ja) * | 2018-09-20 | 2022-09-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
JP7443704B2 (ja) * | 2019-09-12 | 2024-03-06 | セイコーエプソン株式会社 | 放射線硬化型インクジェット組成物及びインクジェット方法 |
JP2021042322A (ja) * | 2019-09-12 | 2021-03-18 | セイコーエプソン株式会社 | 放射線硬化型インクジェット組成物及びインクジェット方法 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3123452A (en) * | 1964-03-03 | Glass polish and process of polishing | ||
JP3278532B2 (ja) | 1994-07-08 | 2002-04-30 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US5962343A (en) * | 1996-07-30 | 1999-10-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive |
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US5759917A (en) * | 1996-12-30 | 1998-06-02 | Cabot Corporation | Composition for oxide CMP |
JPH10106994A (ja) | 1997-01-28 | 1998-04-24 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
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JP4090589B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2008-05-28 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
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TWI254070B (en) * | 1999-08-18 | 2006-05-01 | Jsr Corp | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing |
JP4352519B2 (ja) | 1999-08-18 | 2009-10-28 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨用水系分散体 |
JP2001107089A (ja) | 1999-10-07 | 2001-04-17 | Jsr Corp | 半導体部品用洗浄剤、半導体部品の洗浄方法、研磨用組成物、および研磨方法 |
JP2002241739A (ja) | 2001-02-20 | 2002-08-28 | Hitachi Chem Co Ltd | 研磨剤及び基板の研磨方法 |
US6821897B2 (en) * | 2001-12-05 | 2004-11-23 | Cabot Microelectronics Corporation | Method for copper CMP using polymeric complexing agents |
-
2004
- 2004-05-28 US US10/558,406 patent/US8075800B2/en active Active
- 2004-05-28 WO PCT/JP2004/007746 patent/WO2004107429A1/ja active Application Filing
- 2004-05-28 KR KR1020057022599A patent/KR100698396B1/ko active IP Right Grant
- 2004-05-28 TW TW093115221A patent/TWI278507B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-28 JP JP2005506567A patent/JP4285480B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-05-28 CN CNB2004800144676A patent/CN100373556C/zh not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100373556C (zh) | 2008-03-05 |
US20060289826A1 (en) | 2006-12-28 |
TWI278507B (en) | 2007-04-11 |
WO2004107429A1 (ja) | 2004-12-09 |
KR100698396B1 (ko) | 2007-03-23 |
TW200513519A (en) | 2005-04-16 |
JPWO2004107429A1 (ja) | 2006-07-20 |
US8075800B2 (en) | 2011-12-13 |
CN1795543A (zh) | 2006-06-28 |
KR20060013422A (ko) | 2006-02-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090303 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090316 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 4285480 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120403 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130403 Year of fee payment: 4 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140403 Year of fee payment: 5 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |