JP2013141041A - 基板の研磨方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 平坦化と低研磨傷を達成する基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】凹部と凸部を有する被研磨膜が形成された基板を準備する工程、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて前記基板を研磨して、前記凹部と前記凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する平坦化研磨工程、及び4価の金属水酸化物粒子、媒体及びpH調整剤を含む研磨剤を用いて基板を研磨する仕上げ研磨工程、を含むことを特徴とする研磨方法。
【選択図】 なし
【解決手段】凹部と凸部を有する被研磨膜が形成された基板を準備する工程、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて前記基板を研磨して、前記凹部と前記凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する平坦化研磨工程、及び4価の金属水酸化物粒子、媒体及びpH調整剤を含む研磨剤を用いて基板を研磨する仕上げ研磨工程、を含むことを特徴とする研磨方法。
【選択図】 なし
Description
本発明は、半導体素子製造技術に使用される研磨剤及び基板の研磨方法に関し、詳しくは基板表面の平坦化工程、特に層間絶縁膜の平坦化工程、シャロー・トレンチ素子分離の形成工程等において使用される研磨剤及び基板の研磨方法に関する。
現在のULSI半導体素子製造工程では、高密度・微細化のための加工技術が研究開発されている。その一つであるCMP(ケミカルメカニカルポリッシング)技術は、半導体素子の製造工程において、層間絶縁膜の平坦化、シャロー・トレンチ素子分離形成、プラグ及び埋め込み金属配線形成等を行う際に必須の技術となってきている。
従来、半導体素子の製造工程において、プラズマ−CVD、低圧−CVD等の方法で形成される酸化珪素絶縁膜等の無機絶縁膜層を平坦化するための化学機械研磨剤としてフュームドシリカ系の研磨剤が一般的に検討されている。フュームドシリカ系の研磨剤は、四塩化珪酸を熱分解する等の方法で粒成長させ、pH調整を行って製造している。しかしながら、この様な研磨剤は、研磨速度が低いという技術的課題がある。
また、デザインルール0.25μm以降の世代では、集積回路内の素子分離にシャロー・トレンチ分離が用いられている。シャロー・トレンチ分離では、基板上に成膜した余分の酸化珪素膜を除くためにCMPが使用され、研磨を停止させるために、酸化珪素膜の下に研磨速度の遅いストッパ膜が形成される。ストッパ膜には窒化珪素などが使用され、酸化珪素膜とストッパ膜との研磨速度比が大きいことが望ましい。
一方、フォトマスク、レンズ等のガラス表面研磨剤として、酸化セリウム研磨剤が用いられている。酸化セリウム粒子はシリカ粒子やアルミナ粒子に比べ硬度が低く、したがって、研磨表面に傷が入りにくいことから、仕上げ鏡面研磨に有用である。また、酸化セリウム研磨剤は、シリカ研磨剤に比べ研磨速度が速い利点がある。
近年、高純度の酸化セリウム砥粒を用いた半導体用CMP研磨剤が使用されている。例えば、その技術は特許文献1に開示されている。また、酸化セリウム研磨液の研磨速度を制御し、グローバルな平坦性を向上させるために添加剤を加えることが知られている。例えば、この技術は特許文献2に開示されている。
酸化セリウム研磨剤を半導体絶縁膜研磨の研磨に適用すると、酸化セリウムの化学的作用と酸化セリウム粒子による機械的除去作用で研磨が進行するとされている。酸化セリウム粒子による機械的除去作用があると研磨傷が入る。
そこで、所望の研磨速度と研磨傷の少ない表面状態をもたらす酸化セリウムの1次粒子径を鋭意検討して選択しているが、酸化セリウム粒子を用いる限り研磨傷フリーの表面を作り出すことは出来ない。今後、半導体素子の多層化・高精細化が進むにつれ、半導体素子の歩留り向上には研磨傷フリーで研磨が可能な研磨剤が必須となる。
そこで、所望の研磨速度と研磨傷の少ない表面状態をもたらす酸化セリウムの1次粒子径を鋭意検討して選択しているが、酸化セリウム粒子を用いる限り研磨傷フリーの表面を作り出すことは出来ない。今後、半導体素子の多層化・高精細化が進むにつれ、半導体素子の歩留り向上には研磨傷フリーで研磨が可能な研磨剤が必須となる。
研磨粒子による研磨傷をなくすには、研磨粒子の化学的作用を活かし、機械的除去作用を極力小さくする必要がある。本発明は、研磨粒子が被研磨膜と化学反応層を形成し、それを研磨粒子の非常に小さい機械的除去作用とパッドの機械的除去によって、研磨傷フリーで研磨することが可能な研磨剤及び基板の研磨法を提供するものである。
また、本発明は、予め既存の研磨剤を用いて平坦化した後に、本発明の研磨剤を用いて仕上げ研磨をすることで、基板表面に形成された研磨傷が除去され、最終的に平坦化と低研磨傷を達成する基板の研磨方法を提供するものである。
本発明は、(1)基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板の研磨に用いる研磨剤であって、4価の金属水酸化物粒子、媒体及びpH調整剤を含むことを特徴とする研磨剤に関する。
また、本発明は、(2)前記4価の金属水酸化物粒子の比表面積が、100m2/g以上である前記(1)記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(3)前記媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値が、300nm以下である前記(1)又は(2)記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(4)前記研磨剤のpHが、3以上9以下である前記(1)〜(3)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(5)前記pH調整剤が、含窒素化合物である前記(1)〜(4)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(6)前記4価の金属水酸化物が、希土類金属水酸化物又は水酸化ジルコニウムである前記(1)〜(5)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(7)前記4価の金属水酸化物が、4価の金属塩とアルカリ液を混合して得られるものである前記(1)〜(6)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(8)前記媒体が、水である前記(1)〜(7)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(9)前記被研磨膜が、絶縁膜である前記(1)〜(8)のいずれか一項に記載の研磨剤に関する。
また、本発明は、(10)前記(1)〜(9)のいずれか一項に記載の研磨剤を用いて、基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板を研磨することを特徴とする基板の研磨方法に関する。
また、本発明は、(11)酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する工程、次いで、前記(1)〜(9)のいずれか一項に記載の研磨剤を用いて基板を仕上げ研磨する工程とからなることを特徴とする基板の研磨方法に関する。
また、本発明は、(12)前記基板が、絶縁膜が形成された半導体チップであることを特徴とする前記(10)または(11)記載の基板の研磨方法に関する。
また、本発明は、(13)前記(1)〜(9)のいずれか一項に記載の研磨剤を研磨定盤上の研磨パッドに供給することにより、基板の被研磨面と研磨パッドを相対運動させて研磨することを特徴とする前記(10)〜(12)のいずれか一項に記載の基板の研磨方法に関する。
本発明の仕上げ用研磨剤を用いることにより、酸化珪素絶縁膜などの被研磨面を研磨傷なく、平坦性よく研磨することが可能である。
本発明の研磨剤は、基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板の研磨に用いる研磨剤であって、4価の金属水酸化物粒子、媒体及びpH調整剤を含むことを特徴とする。
本発明で用いる4価の金属水酸化物粒子は、希土類金属水酸化物又は水酸化ジルコニウムであることが好ましい。希土類金属水酸化物としては、スカンジウム、イットリウム、ランタノイド等の希土類金属の水酸化物であり、なかでも水酸化セリウムが好ましい。
金属水酸化物は、例えば、4価の金属塩とアルカリ液を混合する方法(例えば、希土類の科学(足立吟也編、化学同人)304〜305頁)により得られる。4価の金属塩としては、例えば、Zr(SO4)2・4H2O、M(SO4)2、M(NH4)2(NO3)6、M(NH4)4(SO4)6が好ましい(前記Mは希土類元素を示す。)。これら金属塩のなかでも、化学的に活性なCe塩がより好ましく、Ce(NH4)2(NO3)6が特に好ましい。アルカリ液としては、例えば、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが使用できる。金属不純物は次の工程の洗浄で除去できるが、好ましくはアンモニア水が用いられる。洗浄は、遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法等が使用できる。
金属水酸化物は、例えば、4価の金属塩とアルカリ液を混合する方法(例えば、希土類の科学(足立吟也編、化学同人)304〜305頁)により得られる。4価の金属塩としては、例えば、Zr(SO4)2・4H2O、M(SO4)2、M(NH4)2(NO3)6、M(NH4)4(SO4)6が好ましい(前記Mは希土類元素を示す。)。これら金属塩のなかでも、化学的に活性なCe塩がより好ましく、Ce(NH4)2(NO3)6が特に好ましい。アルカリ液としては、例えば、アンモニア水、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムが使用できる。金属不純物は次の工程の洗浄で除去できるが、好ましくはアンモニア水が用いられる。洗浄は、遠心分離等で固液分離を数回繰り返す方法等が使用できる。
4価の金属水酸化物粒子の比表面積は、100m2/g以上であることが好ましく、150m2/g以上であることがより好ましい。4価の金属水酸化物粒子は被研磨膜と化学的作用を及ぼす必要があり、比表面積が100m2/g未満である場合は、粒子が被研磨膜と接触する面積が小さくなり、化学的作用を有する表面部位が減少し、研磨速度が低下する傾向がある。4価の金属水酸化物粒子の比表面積はBET法により測定することができる。
媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値(平均粒子径)は、300nm以下であることが好ましく、200nm以下であることがより好ましい。4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値が300nmより大きい場合は、粒子が被研磨膜と接触する面積が小さくなり、化学的作用を有する表面部位が減少し、研磨速度が低下する傾向がある。媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の粒子径の測定は、光子相関法(例えば、(株)コールター製 商品名コールターN4SD、Malvern社製 商品名Zeatasizer3000HS)で測定することができる。
4価の金属水酸化物粒子の配合量は、研磨剤総量に対して0.05重量%以上、10重量%以下が好ましい。前記4価の金属水酸化物粒子の配合量が0.05重量%未満では研磨速度が遅くなる傾向にあり、10重量%を超える場合は分散安定性が低下する可能性がある。
本発明で用いる媒体は、水の他、以下の群から選ばれたものが好適である。メタノール、エタノール、1−プロパノール、2−プロパノール、2−プロピン−1−オール、アリルアルコール、エチレンシアノヒドリン、1−ブタノール、2−ブタノール(S)−(+)−2−ブタノール、2−メチル−1−プロパノール、t−ブチルアルコール、パーフルオロ−t−ブチルアルコール、t−ペンチルアルコール、1,2−エタンジオール、1,2−プロパンジオール、1,3−プロパンジオール、1,3−ブタンジオール、2,3−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、2−ブテン−1,4−ジオール、2−メチル−2,4−ペンタンジオール、グリセリン、2−エチル−2−(ヒドロキシメチル)−1,3−プロパンジオール、1,2,6−ヘキサントリオール等のアルコール類;ジオキサン、トリオキサン、テトラヒドロフラン、ジエチレングリコールジエチルエーテル、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2,2−(ジメトキシ)エタノール、2−イソプロポキシエタノール、2−ブトキシエタノール、1−メトキシ−2−プロパノール、1−エトキシ−2−プロパノール、フルフリルアルコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、ポリエチレングリコール、ジアセトンアルコール、2−メトキシエチルアセテート、2−エトキシエチルアセテート、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート等のエーテル類;アセトン、メチルエチルケトン、アセチルアセトン、シクロヘキサノン等のケトン類;等が挙げられる。これらのなかでも、水、メタノール、エタノール、2−プロパノール、テトラヒドロフラン、エチレングリコール、アセトン、メチルエチルケトン等がより好ましく、高研磨速度が得られる点で水が特に好ましい。
媒体の配合量は、4価の金属酸化物微粒子100重量部に対して、1,000〜200,000重量部であることが好ましい。
本発明で用いるpH調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、アミン類等及びその塩が好適に使用される。アルカリ金属による汚染を防止する観点から、特にアンモニア、アミン類等の含窒素化合物が特に好適に使用され、具体的には、アンモニア水、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、イミダゾール、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジメチルエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミン、ピペラジン、N−メチルピペラジン、ピラジン、ピラゾール、ピリジン、ピロリジン、1,2−プロパンジアミン、1,3−プロパンジアミン、ヘキシルアミン、ベンジルアミン等及びその誘導体が好適に使用される。これらのなかでも、イミダゾールが特に好適に使用される。
pH調整剤の配合量は、研磨剤が所望のpHになるように適宜選択される。
本発明の研磨剤のpHは、3以上9以下であることが好ましく、4以上8以下であることがより好ましく、5以上7以下であることが特に好ましい。前記研磨剤のpHが3未満である場合は、4価の金属水酸化物粒子による化学的作用が小さくなり、研磨速度が低下する傾向がある。一方、pHが9を超える場合は、4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径が大きくなり、被研磨膜と接触する面積が小さくなり、化学的作用を有する表面部位が減少し、研磨速度が低下する傾向がある。研磨剤のpHは、pH調整剤を適宜使用して所望の値に調整する。研磨剤のpHは、pHメータ(例えば、横河電機株式会社製、型番PH81)で測定することができる。標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液、pH4.21(25℃)、中性リン酸塩pH緩衝液、pH6.86(25℃))を用いて、2点校正した後、電極を研磨剤に入れて2分経過して安定した後の数値を測定する。
本発明の研磨剤は、4価の金属水酸化物粒子とpH調整剤を媒体に分散させることにより得られる。分散させる方法としては、例えば、通常の撹拌機を用いる分散処理の他に、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミルなどを用いる方法が挙げられる。
本発明で用いるpH調整剤は、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、アンモニア水、アミン類等及びその塩が好適に使用される。アルカリ金属による汚染を防止する観点から、特にアンモニア、アミン類等の含窒素化合物が特に好適に使用され、具体的には、アンモニア水、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、イミダゾール、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン、ジメチルエチレンジアミン、トリエチレンテトラミン、トリス(ヒドロキシメチル)メチルアミン、ピペラジン、N−メチルピペラジン、ピラジン、ピラゾール、ピリジン、ピロリジン、1,2−プロパンジアミン、1,3−プロパンジアミン、ヘキシルアミン、ベンジルアミン等及びその誘導体が好適に使用される。これらのなかでも、イミダゾールが特に好適に使用される。
pH調整剤の配合量は、研磨剤が所望のpHになるように適宜選択される。
本発明の研磨剤のpHは、3以上9以下であることが好ましく、4以上8以下であることがより好ましく、5以上7以下であることが特に好ましい。前記研磨剤のpHが3未満である場合は、4価の金属水酸化物粒子による化学的作用が小さくなり、研磨速度が低下する傾向がある。一方、pHが9を超える場合は、4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径が大きくなり、被研磨膜と接触する面積が小さくなり、化学的作用を有する表面部位が減少し、研磨速度が低下する傾向がある。研磨剤のpHは、pH調整剤を適宜使用して所望の値に調整する。研磨剤のpHは、pHメータ(例えば、横河電機株式会社製、型番PH81)で測定することができる。標準緩衝液(フタル酸塩pH緩衝液、pH4.21(25℃)、中性リン酸塩pH緩衝液、pH6.86(25℃))を用いて、2点校正した後、電極を研磨剤に入れて2分経過して安定した後の数値を測定する。
本発明の研磨剤は、4価の金属水酸化物粒子とpH調整剤を媒体に分散させることにより得られる。分散させる方法としては、例えば、通常の撹拌機を用いる分散処理の他に、ホモジナイザー、超音波分散機、ボールミルなどを用いる方法が挙げられる。
本発明の研磨剤は、基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板の研磨に用いることにより、研磨傷のない平滑な被研磨膜表面を創出することができる。前記凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値は、好ましくは100nm以下、より好ましくは70nm以下である。前記凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値は、段差計Dektak V200−Si(Veeco社製)を用いて、ウエハ直径方向5点の100/100μmラインアンドスペース部を測定部位として、凹部と凸部の被研磨膜の段差を測定して算出することができる(図1を参照)。
基板上に形成された被研磨膜は、絶縁膜が好ましく、例えば酸化珪素絶縁膜や窒化珪素絶縁膜などが挙げられる。
本発明の基板の研磨方法は、上記本発明の研磨剤を用いて、基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板を研磨することを特徴とする。前記基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板は、例えば、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する工程により作製することができる。
また、本発明の研磨方法は、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する工程(以下、「平坦化研磨工程」と表す。)、次いで、上記本発明の研磨剤を用いて基板を仕上げ研磨する工程(以下、「仕上げ研磨工程」と表す。)とからなることを特徴とする。
本発明の基板の研磨方法は、上記本発明の研磨剤を用いて、基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板を研磨することを特徴とする。前記基板上に形成された凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値が120nm以下である基板は、例えば、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する工程により作製することができる。
また、本発明の研磨方法は、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する工程(以下、「平坦化研磨工程」と表す。)、次いで、上記本発明の研磨剤を用いて基板を仕上げ研磨する工程(以下、「仕上げ研磨工程」と表す。)とからなることを特徴とする。
本発明の研磨方法における基板に形成されている被研磨膜は、絶縁膜が好ましく、例えば酸化珪素絶縁膜や窒化珪素絶縁膜などが挙げられる。かかる絶縁膜の作製方法として、定圧CVD法、プラズマCVD法等が挙げられる。定圧CVD法による酸化珪素絶縁膜の形成には、Si源としてモノシラン(SiH4)、酸素源として酸素(O2)を用いる。このSiH4−O2系酸化反応を400℃程度以下の低温で行わせることにより得られる。高温リフローによる表面平坦化を図るためにリン(P)をドープするときには、SiH4−O2−PH3系反応ガスを用いることが好ましい。プラズマCVD法は、通常の熱平衡下では高温を必要とする化学反応が低温でできる利点を有する。プラズマ発生法には、容量結合型と誘導結合型の2つが挙げられる。反応ガスとしては、Si源としてSiH4、酸素源としてN2Oを用いたSiH4−N2O系ガスとテトラエトキシシラン(TEOS)をSi源に用いたTEOS−O2系ガス(TEOS−プラズマCVD法)が挙げられる。基板温度は250〜400℃、反応圧力は67〜400Paの範囲が好ましい。酸化珪素絶縁膜にはリン、ホウ素等の元素がドープされていてもよい。同様に、低圧CVD法による窒化珪素膜形成は、Si源としてジクロルシラン(SiH2Cl2)、窒素源としてアンモニア(NH3)を用いる。このSiH2Cl2−NH3系酸化反応を900℃の高温で行わせることにより得られる。プラズマCVD法は、Si源としてSiH4、窒素源としてNH3を用いたSiH4−NH3系ガスが挙げられる。基板温度は300〜400℃が好ましい。
基板として、半導体基板すなわち回路素子と配線パターンが形成された段階の半導体基板、回路素子が形成された段階の半導体基板等の半導体基板上に酸化珪素膜或いは酸化珪素膜及び窒化珪素膜などの絶縁膜が形成された基板が使用できる。
本発明の研磨方法は、仕上げ研磨工程に先立ち、平坦化研磨工程として酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する。
平坦化工程で用いる研磨剤は、酸化セリウム粒子を含有するスラリーからなる研磨剤であり、一般的に用いられているものであれば制限されない。酸化セリウム粒子の粒径は、好ましくは5〜500nm、より好ましくは20〜300nmである。前記酸化セリウム粒子の粒径が5nm未満では所望の研磨速度が得られない傾向にあり、500nmを超える場合は研磨傷が多くなる傾向にある。酸化セリウム粒子の配合量は、研磨剤総量に対して、好ましくは0.1〜5重量%、より好ましくは0.2〜2重量%である。酸化セリウム粒子の配合量が0.1重量%未満では所望の研磨速度が得られない傾向にあり、5重量%を超える場合は分散安定性が悪化する傾向にある。酸化セリウムを含む研磨剤は、被研磨膜表面の平坦性を向上する目的でポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリイタコン酸などのポリカルボン酸類、ポリビニルピロリドンなどの添加剤を含んでいてもよく、なかでもポリアクリル酸、ポリビニルピロリドンがより好ましい。添加剤の配合量は砥粒100重量部に対し、好ましくは1〜200重量部、より好ましくは5〜100重量部である。
平坦化研磨工程では、酸化セリウムを含む研磨剤を用いて被研磨膜が形成された基板を研磨して、凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨することが重要であり、それによって、次工程の仕上げ研磨工程において研磨傷のない平滑な被研磨膜表面を創出することができるのである。前記凹部と凸部の被研磨膜の段差の平均値は、100nm以下であることが好ましく、70nm以下であることがより好ましい。
次いで、仕上げ研磨工程において、本発明の研磨剤を用いて基板を仕上げ研磨する。
本発明の研磨方法は、例えば、研磨定盤上の研磨布と絶縁膜が形成された基板との間に、研磨剤を供給しながら、前記基板を研磨布に押し当てて加圧し、研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって絶縁膜を研磨する。ここで研磨剤は、平坦化研磨工程では酸化セリウムを含む研磨剤が用いられ、仕上げ研磨工程では本発明の研磨剤が用いられる。
研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布(パッド)を貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、Applied Materials製の研磨装置:Mirraが使用できる。
研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダーと研磨布(パッド)を貼り付けた(回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある)定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。例えば、Applied Materials製の研磨装置:Mirraが使用できる。
研磨布としては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。また、研磨布には研磨剤が溜まる様な溝加工を施すことが好ましい。
研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さない様に200min−1以下の低回転が好ましい。
被研磨膜を有する基板の研磨布への押しつけ圧力が10〜100kPa(100〜1000gf/cm2)であることが好ましく、研磨速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、20〜50kPa(200〜500gf/cm2)であることがより好ましい。研磨している間、研磨布には研磨剤をポンプ等で連続的に供給する。この供給量には制限はないが、研磨布の表面が常に研磨剤で覆われていることが好ましい。
仕上げ研磨終了後の基板は、流水中で良く洗浄後、スピンドライヤ等を用いて基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。
本発明の研磨方法により基板上に形成された絶縁膜を研磨することによって、絶縁膜表面の凹凸を解消し、研磨表面全面に渡って研磨傷のない平滑な面とすることができる。シャロー・トレンチ分離の場合には、酸化珪素絶縁膜層の凹凸を解消しながら下層の窒化珪素絶縁膜層まで研磨することによって、素子分離部に埋め込んだ酸化珪素絶縁膜のみを残すことができる。
このようにして、基板上にシャロー・トレンチ分離を形成したあと、酸化珪素絶縁膜層及びその上にアルミニウム配線を形成し、その上に形成した酸化珪素絶縁膜を平坦化する。平坦化された酸化珪素絶縁膜層の上に、第2層目のアルミニウム配線を形成し、その配線間および配線上に再度上記方法により酸化珪素絶縁膜を形成後、上記酸化セリウムを含む研磨剤を用いて研磨することによって、絶縁膜表面の凹凸を解消し、半導体基板全面に渡って平滑な面とする。この工程を所定数繰り返すことにより、所望の層数の半導体を製造する。
本発明の研磨剤は、半導体基板に形成された酸化珪素絶縁膜や窒化珪素絶縁膜だけでなく、所定の配線を有する配線板に形成された酸化珪素絶縁膜、ガラス、窒化珪素等の無機絶縁膜、フォトマスク・レンズ・プリズムなどの光学ガラス、ITO等の無機導電膜、ガラス及び結晶質材料で構成される光集積回路・光スイッチング素子・光導波路、光ファイバ−の端面、シンチレ−タ等の光学用単結晶、固体レ−ザ単結晶、青色レ−ザ用LEDサファイア基板、SiC、GaP、GaAS等の半導体単結晶、磁気ディスク用ガラス基板、磁気ヘッド等を研磨するために使用される。
以下、実施例により本発明を説明する。本発明はこれらの実施例により制限されるものではない。
(平坦化研磨工程用研磨剤の作製)
合成例1
日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤HS−8005を400g、ポリビニルピロリドンK30を2g、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテルを20g、ポリアクリル酸2g及び純水1576gを混合し、アンモニア水でpHを4.8に調整し平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−1」と表す。)を得た。
合成例1
日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤HS−8005を400g、ポリビニルピロリドンK30を2g、2,4,7,9−テトラメチル−5−デシン−4,7−ジオール−ジポリオキシエチレンエーテルを20g、ポリアクリル酸2g及び純水1576gを混合し、アンモニア水でpHを4.8に調整し平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−1」と表す。)を得た。
合成例2
日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤HS−8005を400g、日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤用添加剤HS−7303を300g及び純水1300gを混合し、平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−2」と表す。)を得た。
日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤HS−8005を400g、日立化成工業株式会社製、酸化セリウム研磨剤用添加剤HS−7303を300g及び純水1300gを混合し、平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−2」と表す。)を得た。
合成例3
シリカスラリ(固形分濃度25重量%)1000gとの純水1000gを混合し、平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−3」と表す。)を得た。
シリカスラリ(固形分濃度25重量%)1000gとの純水1000gを混合し、平坦化研磨工程用研磨剤(以下、「研磨剤A−3」と表す。)を得た。
実施例1
(研磨剤の作製)
430gのCe(NH4)2(NO3)6を7300gの純水に溶解し、次に、この溶液に240gのアンモニア水(25%水溶液)を混合・攪拌することにより、160gの水酸化セリウム(黄白色)を得た。得られた水酸化セリウムを遠心分離(4000min−1、5分間)によって、固液分離を施し、液体を除去し、新たに純水を加えて、再び上記条件で遠心分離を行った。このような操作を4回繰り返し、洗浄を行った。得られた水酸化セリウム粒子の比表面積を測定した。測定に先立ち試料を150℃、1時間乾燥してから測定に供した。QUANTACHROME社製、ガス吸着量測定装置AUTOSORB−1MP型を用い、相対圧力0.1、0.2及び0.3のデータからBET3点法によって測定したところ、200m2/gであった。
(研磨剤の作製)
430gのCe(NH4)2(NO3)6を7300gの純水に溶解し、次に、この溶液に240gのアンモニア水(25%水溶液)を混合・攪拌することにより、160gの水酸化セリウム(黄白色)を得た。得られた水酸化セリウムを遠心分離(4000min−1、5分間)によって、固液分離を施し、液体を除去し、新たに純水を加えて、再び上記条件で遠心分離を行った。このような操作を4回繰り返し、洗浄を行った。得られた水酸化セリウム粒子の比表面積を測定した。測定に先立ち試料を150℃、1時間乾燥してから測定に供した。QUANTACHROME社製、ガス吸着量測定装置AUTOSORB−1MP型を用い、相対圧力0.1、0.2及び0.3のデータからBET3点法によって測定したところ、200m2/gであった。
上記方法で得られた水酸化セリウム粒子4g及び純水1996gを混合し、イミダゾールを添加してpHを6.5に調整した。その後、超音波分散を施し、さらに1μmのメンブレンフィルタでろ過を行い、研磨剤(以下、「研磨剤B−1」と表す。)を得た。Malvern社製、Zeatasizer3000HSを用い光子相関法によって、研磨剤粒子の粒径を測定したところ、二次粒子径の中央値は100nmであった。
(平坦化研磨工程)
浅素子分離(STI)絶縁膜CMP評価用試験ウエハとして、SEMATECH社製、864ウエハ(直径200mm)を用いた。トレンチ深さ500nm、アクティブ部上のLP−CVD法で形成された窒化珪素絶縁膜の膜厚は150nm、TEOS−プラズマCVD法でウエハ全体に形成された酸化珪素絶縁膜の膜厚は600nmであった。
浅素子分離(STI)絶縁膜CMP評価用試験ウエハとして、SEMATECH社製、864ウエハ(直径200mm)を用いた。トレンチ深さ500nm、アクティブ部上のLP−CVD法で形成された窒化珪素絶縁膜の膜厚は150nm、TEOS−プラズマCVD法でウエハ全体に形成された酸化珪素絶縁膜の膜厚は600nmであった。
研磨装置(Applied Materials社製、 Mirra)の、保持する基板取り付け用の吸着パッドを貼り付けたホルダーに上記パターンウエハをセットし、一方、直径480mmの研磨定盤にロデール社製多孔質ウレタン樹脂製の研磨パッドIC−1000(K溝)を貼り付けた。
該パッド上に絶縁膜面を下にして前記ホルダーを載せ、さらに加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ3.0、3.5及び3.0psiに設定した。定盤上に上記合成例1で作製した研磨剤A−1を150mL/分の速度で滴下しながら、定盤とウエハとをそれぞれ118min−1及び78min−1で作動させてSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハを110秒間研磨した。
研磨後のウエハを純水で良く洗浄後、乾燥した。その後、光干渉式膜厚装置(ナノメトリクス社製、Nanospec AFT−5100)を用いて、凸部の絶縁膜の残膜厚及び凹部の絶縁膜の残膜厚を測定した。測定部位を100/100μmラインアンドスペース部とし、ウエハ中心部から半径方向に3点(中心部、中間部、端部)の平均値を残膜厚とした。
また、面内均一性の指標として、凹部及び凸部における膜厚の最大値と最小値の差を面内均一性とした。
さらに段差計Dektak V200−Si(Veeco社製)を用いて、ウエハ直径方向5点の100/100μmラインアンドスペース部を測定部位として、研磨後の凸部と凹部の段差を測定し平均値を求めた。結果を表1に示す。
また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(仕上げ研磨工程)
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨剤として研磨剤B−1を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ3.0、3.5及び3.0psiに設定し、定盤とウエハとの回転数をそれぞれ98min−1及び78min−1に設定したこと以外は上記平坦化研磨工程と同様の方法で仕上げ研磨を25秒間行った。
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨剤として研磨剤B−1を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ3.0、3.5及び3.0psiに設定し、定盤とウエハとの回転数をそれぞれ98min−1及び78min−1に設定したこと以外は上記平坦化研磨工程と同様の方法で仕上げ研磨を25秒間行った。
研磨後のウエハを純水でよく洗浄後、乾燥した。その後、上記平坦化研磨工程と同様に、研磨後の凸部の絶縁膜の残膜厚及び凹部の絶縁膜の残膜厚、面内均一性、凸部と凹部の段差の平均値を測定し、表1に示す結果を得た。
また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて研磨後の絶縁膜表面を観察したところ、明確な研磨傷は観察されなかった。
実施例2
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例2で作製した研磨剤A−2を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ5.0、6.0及び5.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ118min−1及び98min−1、研磨時間を90秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例2で作製した研磨剤A−2を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ5.0、6.0及び5.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ118min−1及び98min−1、研磨時間を90秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(仕上げ研磨工程)
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を15秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を15秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な研磨傷は観察されなかった。
比較例1
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例3で作成した研磨剤A−3を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ4.0、5.3及び4.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ73min−1及び67min−1、研磨時間を60秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例3で作成した研磨剤A−3を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ4.0、5.3及び4.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ73min−1及び67min−1、研磨時間を60秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(仕上げ研磨工程)
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を20秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を20秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、明確な研磨傷は観察されなかった。
比較例2
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例3で作成した研磨剤A−3を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ4.0、5.3及び4.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ67min−1及び73min−1、研磨時間を50秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(平坦化研磨工程)
研磨剤A−1の代りに合成例3で作成した研磨剤A−3を用い、加工荷重としてメンブレン、リテーナリング、インナチューブ圧力をそれぞれ4.0、5.3及び4.0psi、定盤とウエハの回転数をそれぞれ67min−1及び73min−1、研磨時間を50秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して研磨を行ない、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。また、光学顕微鏡(1,000倍)を用いて絶縁膜表面を観察したところ、研磨傷が観察された。
(仕上げ研磨工程)
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を45秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
上記平坦化研磨工程を実施したSTI絶縁膜CMP評価用試験ウエハ用い、仕上げ研磨を行った。研磨時間を45秒としたこと以外は実施例1と同様の方法で操作して仕上げ研磨を行い、研磨後のウエハの評価を行った。結果を表1に示す。
表1から明らかなように、実施例1〜2は、平坦化研磨工程で発生した研磨傷は仕上げ研磨工程で除去され、段差の平均値も42〜54nmと良好な平坦性を達成することができる。これに対して、比較例1〜2は、平坦化研磨工程で発生した研磨傷は仕上げ研磨工程で除去されるものの、段差の平均値が123nm、105nmと平坦化が達成できなかった。これは仕上げ研磨工程では平坦化がほとんど進行しないため、平坦化研磨工程で十分な平坦化が必要であることを示している。なお、凸部、凹部の膜厚のウェハ面内均一性はいずれも良好であった。
Claims (8)
- 凹部と凸部を有する被研磨膜が形成された基板を準備する工程、
酸化セリウムを含む研磨剤を用いて前記基板を研磨して、前記凹部と前記凸部の被研磨膜の段差の平均値を120nm以下に研磨する平坦化研磨工程、及び
4価の金属水酸化物粒子、媒体及びpH調整剤を含む研磨剤を用いて基板を研磨する仕上げ研磨工程、
を含むことを特徴とする研磨方法。 - 前記被研磨膜が絶縁膜である、請求項1に記載の研磨方法。
- 前記研磨剤のpHが3以上9以下である、請求項1又は2に記載の研磨方法。
- 前記pH調整剤が含窒素化合物である、請求項1〜3のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記4価の金属水酸化物粒子の比表面積が、100m2/g以上である、請求項1〜4のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記媒体に分散させた4価の金属水酸化物粒子の2次粒子径の中央値が、300nm以下である、請求項1〜5のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記4価の金属水酸化物が希土類金属水酸化物であり、該希土類金属がセリウムである、請求項1〜6のいずれか一項に記載の研磨方法。
- 前記4価の金属水酸化物が、4価の金属塩とアルカリ液を混合して得られるものである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の研磨方法。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019044978A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
JPWO2020021732A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2021-08-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068371A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000243733A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 素子分離形成方法 |
WO2004107429A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 研磨剤及び研磨方法 |
-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000068371A (ja) * | 1998-08-26 | 2000-03-03 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000243733A (ja) * | 1999-02-24 | 2000-09-08 | Hitachi Chem Co Ltd | 素子分離形成方法 |
WO2004107429A1 (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-09 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 研磨剤及び研磨方法 |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019044978A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2019-03-07 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
KR20200037338A (ko) * | 2017-08-30 | 2020-04-08 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 슬러리 및 연마 방법 |
JPWO2019044978A1 (ja) * | 2017-08-30 | 2020-04-23 | 日立化成株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
CN111065707A (zh) * | 2017-08-30 | 2020-04-24 | 日立化成株式会社 | 研磨用浆液及研磨方法 |
KR102463855B1 (ko) * | 2017-08-30 | 2022-11-03 | 쇼와덴코머티리얼즈가부시끼가이샤 | 슬러리 및 연마 방법 |
US11702569B2 (en) | 2017-08-30 | 2023-07-18 | Resonac Corporation | Slurry and polishing method |
JPWO2020021732A1 (ja) * | 2018-07-26 | 2021-08-05 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | スラリ及び研磨方法 |
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