JP4243307B2 - ガラス基板の加工方法及びガラス基板加工用リンス剤組成物 - Google Patents
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Description
本願は、2006年4月14日に、日本に出願された特願2006−111934号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
例えば、特許文献1には、鏡面研磨後のディスク状ガラス基板をターンテーブル上で水平面内で低速回転させガラス基板の上方から純水を吐出してガラス基板をすすぎ洗浄する方法が開示されている。しかし、水による洗浄だけでは十分に研磨材を除去できない。
水研磨は、研磨装置に供給していた研磨材スラリーを水(リンス剤ともいう)に切り替えて研磨する方法である。しかし、水を用いたリンス研磨では酸化セリウム等の研磨材の除去が完全ではないことがあった。また水研磨では「鳴き」と呼ばれる、ワーク付近からの軋み音が発生することがある。
また、特許文献8には、酸化セリウムを主成分とする研磨材に塩化マグネシウムを含有させてなるガラス研磨用研磨材が開示されている。この研磨材によって潜傷が少ないガラス基板を得ることができると特許文献8は教示しているが、この研磨材は、ガラス基板に付着した研磨粒子を取り除くものではない。
〔1〕 ガラス基板を研磨加工する工程と、
リンス剤組成物を供給してガラス基板をリンス加工する工程とを含み、
前記リンス剤組成物として、
(1)水溶性マグネシウム化合物の水溶液、
(2)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとの水溶液、及び
(3)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを水中で反応させて得られるコロイド状粒子を含有する懸濁液
からなる群より選ばれる一つを、
pHが7以上12以下、組成物中の総マグネシウム濃度が1mmol/L〜1mol/Lとなる範囲で用いるガラス基板の加工方法。
又、本発明は、以下のとおりのものであることが好ましい。
〔2〕 研磨加工する工程を、酸化セリウム研磨材又は酸化ケイ素研磨材若しくはこれらの混合物を用いて行う前記〔1〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔3〕 水溶性マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、又は硝酸マグネシウムである前記〔1〕又は〔2〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔4〕 リンス剤組成物は、(2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下である前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載のガラス基板の加工方法。
〔6〕 リンス剤組成物は、(3)の場合において、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基のモル量Zとが、5X/4≦Y≦3X/2、及び X/2≦Z≦3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔5〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔7〕 リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=3X/2、及び Z=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔6〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔8〕 リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=5X/4、及び Z=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔6〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔10〕 リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X、及び Z’=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔9〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔11〕 リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X/2、及び Z’=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔9〕に記載のガラス基板の加工方法。
〔12〕 ガラス基板をリンス加工する際に用いるガラス基板加工用リンス剤組成物であって、
(1)水溶性マグネシウム化合物の水溶液、
(2)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及び炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとの水溶液、及び
(3)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及び炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを水中で反応させてなるコロイド状の粒子を含む懸濁液
からなる群より選ばれる一つを含み、
pHが7以上12以下、組成物中の総マグネシウム濃度が1mmol/L〜1mol/Lの範囲であるガラス基板加工用リンス剤組成物。
又、本発明は以下のとおりであることが好ましい。
〔13〕 水溶性マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、又は硝酸マグネシウムである前記〔12〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
〔15〕 (2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下であり、さらにアルカリ金属の炭酸塩若しくは炭酸水素塩を含む前記〔12〕又は〔13〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
〔17〕 組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=3X/2、及び Z=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔16〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
〔18〕 組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=5X/4、及び Z=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔16〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
〔20〕 組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X、及び Z’=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔19〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
〔21〕 組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X/2、及び Z’=3X/4 の関係を満たすように配合し、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する前記〔19〕に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
本発明のガラス基板の加工方法は、ガラス基板を研磨加工する工程と、ガラス基板をリンス加工する工程とを含む。
コンピュータのハードディスク等に用いられるガラス基板は、高い平滑性と、異物や付着物が無いことが要求される。本発明の加工方法はこのような要求の厳しいハードディスク用ガラス基板に用いるのが好適である。ハードディスク用ガラス基板の製造では、通常、ラップ加工を施したガラス基板を二段階に分かれた研磨工程によって研磨し、低い表面粗さの表面を有するガラス基板に加工する。そして、一般に、第一段目の研磨工程では例えば硬質ウレタンパッドを用いて研磨が行われ、第二段目の研磨工程(仕上げ研磨工程ともいう)では例えばスゥエードパッドを用いて研磨が行われる。
本発明の加工方法では、後述のリンス加工工程を、第一段目の研磨加工終了間際又は終了後に行ってもよいが、第二段目の研磨加工終了間際又は終了後に行う方が、本発明の効果が顕著に現れ好ましい。
リンス加工工程で用いる本発明のリンス剤組成物は、(1)水溶性マグネシウム化合物の水溶液、(2)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとの水溶液、又は(3)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを水中で反応させてなるコロイド状粒子を含有する懸濁液であり、pHが7以上12以下のものである。
水溶性マグネシウム化合物の例としては、硫酸マグネシウム、硝酸マグネシウム、塩化マグネシウム等のマグネシウム塩が挙げられる。これらのうち、排水処理の負荷の観点から塩化マグネシウム又は硫酸マグネシウムが好ましく、さらに水への溶解性や輸送物流コストの観点を加味すると、塩化マグネシウムが最も好ましい。水溶性マグネシウム化合物の濃度(組成物中の総マグネシウム濃度)は1mmol/L〜1mol/Lであることが好ましい。濃度が低すぎると純水と同等の洗浄結果が得られるのみであり、本発明の効果が低下傾向になる。また、濃度が高すぎると、研磨材として使用した酸化セリウムが凝集しやすくなり、パッドに残留する酸化セリウム粒子を取り除き難くなる傾向になる。
アルカリ金属の水酸化物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウムなどが挙げられる。
水溶性マグネシウム化合物とアルカリ金属の水酸化物とは、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下となるように配合される。
水溶性マグネシウム化合物の水溶液に添加するアルカリ金属の水酸化物中の水酸基の物質量と、アルカリ金属の炭酸塩若しくは炭酸水素塩中の炭酸基の物質量との比率によっては、難水溶性のマグネシウム化合物等の固体粒子が析出する。
生成する難水溶性のマグネシウム化合物はフロック状に柔らかく凝集する、コロイド状の粒子である。ここでいうコロイド状とは化学大辞典5縮刷版の37頁に記載されている水酸化マグネシウムの表現に準じている。このコロイド状の粒子を含む懸濁液(3)を用いると前記の水溶液(1)又は(2)に比べ、表面粗さの小さい研磨面を有するガラス基板が得られやすい。
水酸化マグネシウム粉末や塩基性炭酸マグネシウム粉末(飽和溶解度以上の量)を水に懸濁させてもコロイド状の粒子を含む懸濁液とは成らない。すなわち、粉末を懸濁しただけのものは、粒子がフロック状ではなく固く沈殿し、場合によっては砂状の沈殿物となることもある。本発明のリンス剤組成物はこのように従来のものとその形態が異なる。
pHの調整は前記のアルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つ等の無機塩基や、アンモニア、アミン等の有機塩基で行うことができる。これらのうち無機塩基が好ましい。
より具体的には、Y=3X/2、及びZ=X/2の関係を満たすように配合することにより、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lでコロイド状粒子を生成したリンス剤組成物を得ることができる。
また、Y=5X/4、及びZ=3X/4の関係を満たすように配合して得られる組成物は組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lで固体粒子を生成する。この組成で得られる固体粒子は純水で希釈すると容易に溶解するため、リンス加工液として好適に用いられるほか、スクラブ洗浄工程に適している。
より具体的には、Y=X、及び Z’=X/2 の関係を満たすように配合して得られる組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lでコロイド状粒子を生成したリンス剤組成物を得ることができる。
また、Y=X/2、及び Z’=3X/4 の関係を満たすように配合して得られる組成物は組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lで固体粒子を生成する。この組成で得られる固体粒子は純水で希釈すると容易に溶解するため、リンス加工液として好適に用いられるほか、スクラブ洗浄工程に適している。
従って、本発明のリンス剤組成物の輸送又は保管は、高濃度の水溶性マグネシウム化合物の水溶液と、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つの水溶液とに分けて行うことが好ましい。また、低温度で析出しない程度の高濃度の水溶液とすることによって、輸送や保管コストを低減できる。
リンス剤組成物の供給量は、研磨材等を除去することができる量であれば、特に制限されないが、酸化セリウムの循環研磨を実施しているときの供給量と同程度とすることが好ましい。本発明のリンス剤組成物は固形分濃度が低く、排水処理の負荷が小さいので、水リンス加工時に使用する水量と同様に多量に使用しても加工コストが高くなることがない。
(研磨加工用スラリーの調製)
酸化セリウム系研磨材と水と市販の分散剤とを混合し、研磨材を水に分散させ、研磨材濃度5%の研磨加工用スラリー1を調製した。
塩化マグネシウム6水和物(赤穂化成製)を水に溶解し、濃度280mmol/Lの塩化マグネシウム水溶液(A液)を調製した。
一方、25%水酸化ナトリウム水溶液と、炭酸水素ナトリウム無水物(旭硝子製)とを水に溶解し、濃度420mmol/Lの水酸化ナトリウムと、濃度140mmol/Lの炭酸水素ナトリウムとの混合水溶液(B液)を調製した。
純水19.8LにA液100mLを溶解し、それにB液100mlを攪拌しながら徐々に添加して、リンス剤組成物1を調製した。
一段目の研磨加工されたアルミノシリケート系ガラス基板(直径65mm、厚さ0.64mm)25枚を、スゥエードパッド(N0058:カネボー株式会社製)を備えた4ウエイタイプの9B型両面加工機にセットし、研磨加工用スラリー1約8Lを1.5L/分で循環供給し、加工圧力90g/cm2、下定盤回転数35回転/分;上定盤、ワーク公転及びワーク自転回転数を該加工機の下定盤回転数に対応する標準設定値にして、研磨加工を行った。
前記研磨加工開始から20分経過時に、加工圧力を70g/cm2に、下定盤回転数を25回転/分に;上定盤、ワーク公転及びワーク自転数を該加工機の下定盤回転数に対応する標準設定値にそれぞれ変更し、同時に研磨加工用スラリー1の循環供給を止め、それに代えてリンス剤組成物7.5Lを1.5L/分の供給速度で掛け捨て(1Pass)で供給し、5分間、リンス加工を行った。
加工機は、リンス加工終了後、ブラシキャリアを使用して、3L/分の供給量で純水を供給しながら2分間のパッド洗浄を行い、2回目の使用として研磨加工及びリンス加工に用いられた。なお、本発明において、加工速度(一回目)は、加工機を一回目に使用した時、即ち、最初の25枚の基板の研磨加工速度であり、加工速度(二回目)は、加工機を二回目に使用した時、即ち、次の25枚の基板の研磨加工速度である。評価結果を表1に示した。
評価用ガラス基板は下記の方法により加工速度、原子間力顕微鏡(AFM)による算術平均粗さ(Ra)および付着性、触針式形状測定器(TencorP−12)による端部形状の測定を行い評価した。
(算術平均粗さRa)
原子間力顕微鏡(AFM)で研磨面の10μm四方を観察し、算術平均粗さ(Ra)を求めた。
(加工速度)
加工量を研磨加工時間20分で除算することにより加工速度(μm/分)を求めた。
加工速度(μm/分)=加工量(μm)/20(分)
加工量は、加工前後のガラス基板の質量減少量を測定し、質量減少量の測定値から次式で換算して求めた。
加工量(μm)=質量減少(g)×133(μm/g)
(付着性)
原子間力顕微鏡(AFM)で研磨面の10μm四方を観察し、視野内にある突起物の数を数え、1視野あたりの本数が0〜1本のものをA、同2〜4本のものをB、5〜10本のものをC、11本以上のものをDとして評価した。
(端部形状)
基板端部から2mm〜3mmの2箇所で平行を取り、基板端部から0.5mmの場所と、基板端部から2.5mmの場所の形状を、測定長5mmで、触針式形状測定器(TencorP−12)を使用して測定した。上に反った状態をスキージャンプ(J)、まっすぐな状態をフラット(F)、下に反った状態をダレ(R)と定義し、評価した。
(加工機内の堆積状態の観察)
加工機内の堆積物の有無を目視により観察した。
実施例1で調製したA液、B液を純水に所定量加え、表1に示す処方のリンス剤組成物2〜5を調製した。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表1に示した。
硫酸マグネシウム無水塩(関東化学製)33.8gを水に溶解し、全量を19Lとした。この水溶液に実施例1で調製したB液1Lを混合し、リンス剤組成物6を調製した。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表1に示した。
硝酸マグネシウム6水和物(和光純薬製)71.91gを水に溶解し、全量を19Lとした。この水溶液に実施例1で調製したB液1Lを混合し、リンス剤組成物7を調製した。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表1に示した。
表1及び表2に示す処方に従って塩化マグネシウム、水酸化ナトリウム及び炭酸水素ナトリウムの水溶液を調製し、リンス剤組成物8〜12を得た。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表1及び表2に示した。
表2に示す処方に従って塩化マグネシウム、及び水酸化ナトリウムの水溶液を調製し、リンス剤組成物13〜18を得た。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表2に示した。
表2に示す処方に従って塩化マグネシウム水溶液を調製し、リンス剤組成物19を得た。研磨加工用スラリーは実施例1と同じものを使用し、実施例1と同様に加工試験を実施した。評価結果を表2に示した。
リンス剤組成物1に代えて純水を使用した以外は実施例1と同様の条件で加工試験を実施した。評価結果を表3に示した。
リンス剤組成物1に代えて14mmol/Lの塩化マグネシウムと14mmol/Lの硝酸アルミニウムの混合液(表3中、「Mg−Al」と表記した。)を使用した以外は実施例1と同様にして加工試験を実施した。評価結果を表3に示した。
リンス剤組成物1に代えて21mmol/Lの水酸化ナトリウム水溶液(表3中、「NaOH」と表記した。)を使用した以外は実施例1と同様にして加工試験を実施した。評価結果を表3に示した。
酸化セリウム系研磨材と水と市販の分散剤とを混合し、研磨材を水に分散させ、さらに塩化マグネシウム6水和物0.025%(分散媒の水に対して1.2mmol/L)を添加して研磨材濃度5%の研磨加工用スラリー2を調製した。このスラリー2を用いて研磨加工した以外は比較例1と同様に純水によるリンス加工を行った。評価結果を表3に示した。
塩化マグネシウムの添加量を0.25%(分散媒の水に対して12mmol/L)に変えた他は比較例4と同様にして研磨加工用スラリー3を調製した。このスラリー3を用いて研磨加工した以外は比較例1と同様に純水によるリンス加工を行った。評価結果を表3に示した。
塩化マグネシウムの添加量を0.5%(分散媒の水に対して24mmol/L)に変えた他は比較例4と同様にして研磨加工用スラリー4を調製した。このスラリー4を用いて研磨加工した以外は比較例1と同様に純水によるリンス加工を行った。評価結果を表3に示した。
リンス剤組成物1に代えて0.5質量%のコロイダルシリカ(表3中、「SiO2」と表記した。)を使用した以外は実施例1と同様にして加工試験を実施した。評価結果を表3に示した。
水酸化マグネシウム粒子と水と市販の分散剤とを混合し、水酸化マグネシウム粒子を水に懸濁させ、水酸化マグネシウム粒子を5%含有する研磨加工用スラリー5を調製した。このスラリー5を用いて研磨加工しただけで、リンス加工を行わなかった。評価結果を表3に示した。
リンス剤組成物1に代えて0.5質量%の水酸化マグネシウム懸濁液(表3中、「Mg」と表記した。)を使用した以外は実施例1と同様にして加工試験を実施した。評価結果を表3に示した。
また、水溶性マグネシウム化合物の酸性水溶液(比較例2)では表面粗さRaが純水でリンス加工したものより、低くなっているが、付着物の除去効果が弱いことがわかる。また、加工速度の低下(一回目使用時の加工速度と二回目使用時の加工速度の差)が実施例より大きくなった。スラリーを観察すると、やや凝集しており、酸化セリウム系研磨材に微量混合するだけでも凝集の発生源になってしまうことが分かった。
比較例3として、水酸化ナトリウム水溶液をリンス剤として使用した場合では、付着の改善は見られるものの、AFMで測定した表面粗さがやや高めになるという結果になった。また、数字には現われてこないものの、AFMで観察された研磨面はスジ状の研磨痕が見られ、実施例と比較して加工物表面の形態が劣る結果となった。
また、コロイダルシリカをリンス剤として用いた比較例7では、付着性と表面粗さに対する改善効果が見られなかった。
また、比較例8では、水酸化マグネシウム粉末を水に懸濁させたスラリーで研磨加工を行ったところ、非常に低いRaと付着に対する効果が見られたものの、加工速度が極めて低いことがわかる。このスラリーは2段目の研磨加工として酸化セリウムを用いてスエードパッドによる加工を実施した加工物を3段目の加工として行った場合は表面欠陥の少ない研磨面が得られたものの、ウレタンパッドでの1段目の加工後の基板では加工速度が遅すぎて1段目の加工の欠陥がとりきれず表面粗さRaが下がらなかった。
比較例9として、水酸化マグネシウム粉末の懸濁液をリンス加工に適用したが、加工機内に堆積物が生じ、堆積物を除去しないと研磨加工を継続するのが難しくなった。
Claims (21)
- ガラス基板を研磨加工する工程と、
リンス剤組成物を供給してガラス基板をリンス加工する工程とを含み、
前記リンス剤組成物として、
(1)水溶性マグネシウム化合物の水溶液、
(2)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとの水溶液、及び
(3)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを水中で反応させて得られるコロイド状粒子を含有する懸濁液
からなる群より選ばれる一つを、
pHが7以上12以下、組成物中の総マグネシウム濃度が1mmol/L〜1mol/Lとなる範囲で用いるガラス基板の加工方法。 - 研磨加工する工程を、酸化セリウム研磨材又は酸化ケイ素研磨材若しくはこれらの混合物を用いて行う請求項1に記載のガラス基板の加工方法。
- 水溶性マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、又は硝酸マグネシウムである請求項1又は2に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、(2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下である請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、(2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下であり、さらにアルカリ金属の炭酸塩若しくは炭酸水素塩を含む請求項1〜3のいずれかに記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、(3)の場合において、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、5X/4≦Y≦3X/2、及び X/2≦Z≦3X/4 の関係を満し、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項5に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=3X/2、及び Z=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項6に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=5X/4、及び Z=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項6に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、(3)の場合において、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、X/2≦Y≦X、及び X/2≦Z’≦3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項5に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X、及び Z’=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項9に記載のガラス基板の加工方法。
- リンス剤組成物は、組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X/2、及び Z’=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項9に記載のガラス基板の加工方法。
- ガラス基板をリンス加工する際に用いるガラス基板加工用リンス剤組成物であって、
(1)水溶性マグネシウム化合物の水溶液、
(2)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを含む水溶液、及び
(3)水溶性マグネシウム化合物と、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の炭酸塩及びアルカリ金属の炭酸水素塩からなる群より選ばれる少なくとも一つとを水中で反応させてなるコロイド状の粒子を含む懸濁液
からなる群より選ばれる一つを含み、
pHが7以上12以下、組成物中の総マグネシウム濃度が1mmol/L〜1mol/Lの範囲であるガラス基板加工用リンス剤組成物。 - 水溶性マグネシウム化合物が、塩化マグネシウム、硫酸マグネシウム、又は硝酸マグネシウムである請求項12に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- (2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下である請求項12又は13に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- (2)又は(3)の場合において、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)との比(Y/X)が0.001以上2以下であり、さらにアルカリ金属の炭酸塩若しくは炭酸水素塩を含む請求項12又は13に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- (3)の場合において、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、5X/4≦Y≦3X/2、及び X/2≦Z≦3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子を含有する請求項15に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- 組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=3X/2、及び Z=X/2 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項16に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- 組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸水素塩中の炭酸基の物質量Z(mol)とが、Y=5X/4、及び Z=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項16に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- (3)の場合において、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、X/2≦Y≦X、及び X/2≦Z’≦3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子を含有する請求項15に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- 組成物中の総マグネシウム濃度が7mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X、及び Z’=X/2 の関係を満し、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項19に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
- 組成物中の総マグネシウム濃度が150mmol/L〜1mol/Lであり、水溶性マグネシウム化合物中のマグネシウムの物質量X(mol)と、アルカリ金属水酸化物中の水酸基の物質量Y(mol)と、アルカリ金属炭酸塩中の炭酸基の物質量Z’(mol)とが、Y=X/2、及び Z’=3X/4 の関係を満たし、それらを水中で反応させて得られるコロイド状粒子をさらに含有する請求項19に記載のガラス基板加工用リンス剤組成物。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2006111934 | 2006-04-14 | ||
| JP2006111934 | 2006-04-14 | ||
| PCT/JP2007/058050 WO2007119775A1 (ja) | 2006-04-14 | 2007-04-12 | ガラス基板の加工方法及びガラス基板加工用リンス剤組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP4243307B2 true JP4243307B2 (ja) | 2009-03-25 |
| JPWO2007119775A1 JPWO2007119775A1 (ja) | 2009-08-27 |
Family
ID=38609535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007541521A Active JP4243307B2 (ja) | 2006-04-14 | 2007-04-12 | ガラス基板の加工方法及びガラス基板加工用リンス剤組成物 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4243307B2 (ja) |
| CN (1) | CN101395097B (ja) |
| WO (1) | WO2007119775A1 (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107474799B (zh) | 2010-03-12 | 2020-12-29 | 昭和电工材料株式会社 | 悬浮液、研磨液套剂、研磨液以及使用它们的基板的研磨方法 |
| CN103221503A (zh) | 2010-11-22 | 2013-07-24 | 日立化成株式会社 | 磨粒的制造方法、悬浮液的制造方法以及研磨液的制造方法 |
| KR101476943B1 (ko) | 2010-11-22 | 2014-12-24 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 슬러리, 연마액 세트, 연마액, 기판의 연마 방법 및 기판 |
| US9881801B2 (en) | 2010-11-22 | 2018-01-30 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Slurry, polishing liquid set, polishing liquid, method for polishing substrate, and substrate |
| KR102004570B1 (ko) | 2012-02-21 | 2019-07-26 | 히타치가세이가부시끼가이샤 | 연마제, 연마제 세트 및 기체의 연마 방법 |
| SG11201405091TA (en) | 2012-02-21 | 2014-09-26 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing agent, polishing agent set, and substrate polishing method |
| JP5943073B2 (ja) | 2012-05-22 | 2016-06-29 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
| WO2013175859A1 (ja) | 2012-05-22 | 2013-11-28 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液、基体の研磨方法及び基体 |
| JP5943072B2 (ja) | 2012-05-22 | 2016-06-29 | 日立化成株式会社 | スラリー、研磨液セット、研磨液及び基体の研磨方法 |
| CN106271956A (zh) * | 2016-08-15 | 2017-01-04 | 安徽省银锐玻璃机械有限公司 | 用于玻璃磨边的复合液 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1020379C (zh) * | 1988-06-08 | 1993-04-28 | 山西大学 | 清洗剂 |
| JP2783330B2 (ja) * | 1989-11-01 | 1998-08-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | ガラス研磨用研磨材 |
| JP3857799B2 (ja) * | 1998-01-27 | 2006-12-13 | 昭和電工株式会社 | ガラス研磨用研磨材組成物およびその研磨方法 |
| JP2000302482A (ja) * | 1999-04-23 | 2000-10-31 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ガラス基板の製造方法およびそれにより得られる磁気記録媒体用ガラス基板 |
| JP2002150547A (ja) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法 |
| JP3995147B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2007-10-24 | 西山ステンレスケミカル株式会社 | プラズマディスプレイパネル用ガラス基板の製造方法 |
| JP2004086930A (ja) * | 2002-07-03 | 2004-03-18 | Hoya Corp | 磁気ディスク用ガラス基板の製造方法並びに磁気ディスクの製造方法 |
-
2007
- 2007-04-12 JP JP2007541521A patent/JP4243307B2/ja active Active
- 2007-04-12 WO PCT/JP2007/058050 patent/WO2007119775A1/ja not_active Ceased
- 2007-04-12 CN CN200780007230.9A patent/CN101395097B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2007119775A1 (ja) | 2007-10-25 |
| CN101395097A (zh) | 2009-03-25 |
| JPWO2007119775A1 (ja) | 2009-08-27 |
| CN101395097B (zh) | 2011-05-18 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
| A621 | Written request for application examination |
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|
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|
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