TW201118024A - Transfer device and processing system having same - Google Patents

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201118024 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明，係有關於搬運在太陽電池中所使用之大型基 板等的被處理體之搬運裝置、以及具備有此搬運裝置之對 於被處理體進行處理的處理系統。 【先前技術】 在太陽電池或者是以液晶顯示器（LCD )作爲代表之 平面面板顯示器（F P D )等的製造過程中，係週知有具備 著對於大型之玻璃基板而一次一枚地來施加蝕刻或者是成 膜等之特定處理的處理室和在特定處理之前而預先將基板 預備加熱至製程溫度的預備加熱室的單片方式之多腔形態 的處理系統（例如，專利文獻1 )。 此種處理系統，係具備有：被設置有對於大型基板（ 被處理體）進行搬運之搬運裝置的共通搬運室、和在此共 通搬運室之周圍而對於處理前以及處理後之被處理體作交 換的裝載鎖定室、和上述之預備加熱室以及處理室。被處 理體，係使用被設置在共通搬運室中之搬運裝置，來從裝 載鎖定室而被搬運至預備加熱室、從預備加熱室而被搬運 至處理室、從處理室而被搬運至裝載鎖定室。 [先前技術文獻] [專利文獻] [專利文獻1 ]日本特開平1 0- 98 08 5號公報 201118024 【發明內容】 [發明所欲解決之課題] 相較於在處理室內而將基板加熱至製程溫度的方式， 在特定處理之前便在預備加熱室中而將基板預先預備加熱 至製程溫度的方式，係有著能夠將處理時間縮短的優點。 然而’亦有著下述之問題：亦即是，在將基板從預備加熱 室而搬運至處理室的期間中，基板之溫度會下降，而會在 處理室中耗費長時間的再加熱時間。 進而，在對於複數之基板而一次性地作慮理之批次方 式中，在位於最上段以及最下段之基板、和位於在上下方 而存在有被作了加熱的基板之中段處的基板，其兩者之間 的溫度差係會變大，而有著難以對於複數之基板的各別之 溫度而以良好精確度來作控制的問題。 本發明，係以提供一種：能夠將被處理體之在處理室 中的再加熱時間縮短，並且就算是搬運複數之被處理體亦 能夠對於此些的複數之被處理體的各別之溫度以良好精確 度來作控制的搬運裝置、以及使用有此搬運裝置之處理系 統一事，作爲目的。 [用以解決課題之手段] 爲了解決上述課題，本發明之第1形態的一種搬運裝 置，其特徵爲，具備有：基底；和被處理體支持體，係支 持被處理體，並相對於前述基底而進出退避並搬運前述被 處理體；和反射體，係被設置在前述被處理體支持體之至 -6 - 201118024 少上下處’並將從被支持於前述被處理體支持體處之前述 被處理體而來的輻射熱作反射。 本發明之第2形態的一種處理系統，其特徵爲，具備 有··共通搬運室；和預備加熱室，係被與前述共通搬運室 作連接’並對於前述被處理體作預備加熱；和處理室，係 被與前述共通搬運室作連接，並對於前述被處理體作處理 ;和裝載鎖定室，係被與前述共通搬運室作連接，並將前 述被處理體作交換；和上述第1形態之搬運裝置，係被設 置於前述共通搬運室處，並搬運前述被處理體。 [發明之效果] 若依據本發明，則係能夠提供一種：能夠將被處理體 之在處理室中的再加熱時間縮短，並且就算是搬運複數之 被處理體亦能夠對於此些的複數之被處理體的各別之溫度 以良好精確度來作控制的搬運裝置、以及使用有此搬運裝 置之處理系統。 【實施方式】 以下，參考圖面並對於本發明之其中一種實施形態作 說明。涵蓋所有之參考圖面，針對相同之部分，係附加同 樣的參考符號。 在本說明中，作爲被處理體之其中一例，係列舉出在 太陽電池或者是FPD之製造中所被使用的大型玻璃基板， 並一面例示出對於此大型玻璃基板而施加特定處理（例如 201118024 蝕刻或者是成膜等）之處理系統，一面作 圖1’係爲對於本發明之其中一種實 統作槪略性展示之平面圖。 如圖1中所示一般，其中一種實施形| 係具備有：共通搬運室10、和被與此共通 並對於被處理體G進行預備加熱之預備加 被處理體G施加蝕刻或者是成膜等之處理 3 Ob、和在被配置於大氣側之被處理體收 )與被保持爲真空之共通搬運室10之間而 交換的裝載鎖定室40、以及被設置在共通 運被處理體G之搬運裝置50。共通搬運室 狀設爲矩形狀，而預備加熱室20、處理室 鎖定室40，係在共通搬運室1〇之各側面處 61、62a、62b、63而被作連接。又，在裝 氣側處，係被設置有間閥64。另外，在本 通搬運室10之平面形狀構成爲矩形狀，但 搬運室10之平面形狀構成爲多角形、例如 角形，並設爲更進而追加了預備加熱室、 載鎖定室之構成。 於本例中，共通搬運室10、預備加 3 0a、3 0b，係被構成爲真空腔，並分別於 被處理體G作載置之載置台21、31a、31b 爲特定之減壓氛圍。又，身爲真空預備室 ，係爲用以在被配置於大氣側處之被處理 說明。 施型態的處理系 甚之處理系統1， 搬運室10作連接 熱室2 0、和對於 【的處理室30a、 容容器（未圖示 ‘將被處理體G作 搬運室10處並搬 1 〇，係將平面形 30a 、 30b 、裝載 ，分別經由閘閥 載鎖定室40之大 例中，雖係將共 是，亦可將共通 六角形或者是八 處理室或者是裝 熱室20、處理室 內部而具備有將 ，且成爲被保持 之裝載鎖定室40 體收容容器（未 -8 - 201118024 圖示）和被保持爲真空之共通搬運室10之間而進行被處理 體G之交換者’並作爲可在大氣氛圍與減壓氛圍之間作切 換的真空預備室而起作用。 此處理系統1，係被構成爲一次將複數枚（例如3枚） 之被處理體G在高度方向上而水平地載置並進行處理，且 從外部之被處理體收容容器來藉由未圖示之大氣側搬運裝 置而經由閘閥6 4來將複數枚之被處理體G搬入至裝載鎖定 室4〇中，而被搬入之被處理體G係從裝載鎖定室40經由閘 閥63而被搬至共通搬運室1〇處，並從此共通搬運室1〇經由 閘閥6 1而被搬至預備加熱室2 0處，再從此預備加熱室2 〇經 由閘閥62a或者是62b而被搬運至處理室30a或者是30b處。 而後’在處理室3〇a或者是30b處而結束了處理的被處理體 G ’係從處理室30a或30b經由閘閥62a或62b而被搬至共通 搬運室10處’並從此共通搬運室10經由閘閥63而被搬運至 裝載鎖定室40處，而結束了處理之被處理體G係從裝載鎖 定室4〇而被搬出。另外’在本例中，處理室30a以及處理 室30b’係爲進行同一處理之處理室，但是，係亦可構成 爲進行相異之處理的處理室。亦即是，亦可構成爲：在處 理室30a中而進行第1工程之處理，並在處理室3〇b中而連 續地進行後續之第2工程的處理。 搬運裝置50，係在共通搬運室1〇、預備加熱室2〇、處 理室30a、30b以及裝載鎖定室40的相互之間而搬運被處理 體G。因此，搬運裝置50’係構成爲能夠在共通搬運室10 '預備加熱室2〇、處理室30a、30b以及裝載鎖定室40之各 -9- 201118024 個的相互之間，而進行進出退避動作、升降動作以及旋轉 動作。 處理系統1之各構成部，係藉由控制部（電腦）70而 被作控制。控制部70，係具備著具有微處理器之製程控制 器7 1，在此製程控制器7 1處，係被連接有使用者介面72和 記憶部73，該使用者介面72，係由作業員進行用以管理處 理系統1之指令的輸入操作等之鍵盤、或是將處理系統1之 動作狀況作可視化顯示的顯示器等所成，記憶部73，係儲 存有用以經由製程控制部7 1之控制而實現以處理系統1所 實行之各種處理的控制程式、或是用以因應於處理條件而 在處理系統1處實行特定處理的控制程式或配方（resipe) 。記憶部73，係具備有記憶媒體，配方等係被記憶在該記 憶媒體中。記憶媒體，係可爲硬碟或者是半導體記憶體等 ，亦可爲CD-ROM、DVD、快閃記憶體等之具有可搬性之 物。配方等，係因應於需要，而藉由以從使用者介面72而 來之指示等來從記憶部73讀出，並在製程控制器71中實行 ，藉由此，而在製程控制器7 1之控制下，進行在處理系統 1中之所期望的處理。 接下來，對於處理系統1中之處理動作的其中一例作 說明》 首先’開啓閘閥64 ’並藉由大氣側被處理體搬運裝置 (未圖示）來將複數枚（例如3枚）之未處理的被處理體g 搬入至大氣氛圍之裝載鎖定室40中，並關閉閘閥64，而將 裝載鎖定室40內設爲減壓氛圍。而後，開啓閘閥63，並使 -10- 201118024 搬運裝置50對於裝載鎖定室4〇作進出，而接收被搬入至裝 載鎖定室4〇內之未處理的被處理體G。接著，使搬運裝置 5 0退避至共通搬運室1〇中，並關閉閘閥63。接著，使搬運 裝置50旋轉並成爲與預備加熱室20相對。接著，開啓閘閥 61 ’並使搬運裝置5〇對於預備加熱室20作進出，而將未處 理之被處理體G搬運至預備加入室20中。接著，使搬運裝 置5 〇退避至共通搬運室10中，並關閉閘閥61，之後，在預 備加熱室20中而開始被處理體G之預備加熱。若是結束了 預備加熱，則開啓閘閥6 1，並使搬運裝置50對於預備加熱 室20作進出，而接收完成預備加熱之被處理體g。接著， 使搬運裝置5〇退避至共通搬運室ίο中，並關閉閘閥61。接 著’使搬運裝置5〇旋轉並成爲與處理室30a或是30b相對。 接著’開啓閘閥62a或是62b，並使搬運裝置50對於處理室 3〇a或是30b作進出，而將完成預備加熱之被處理體g搬運 至處理室30a或是30b中。接著，使搬運裝置5〇退避至共通 搬運室10中，並關閉閘閥62a或是62b，而開始在處理室 3 〇a或是3 Ob中之處理。若是結束了處理，則開啓閘閥62 a 或是62b，並使搬運裝置50對於處理室30a或是30b作進出 ，而接收兀成處理之被處理體G。接著，使搬運裝置5〇退 避至共通搬運室10中，並關閉閘閥62a或是62b。接著，使 搬運裝置50旋轉並成爲與裝載鎖定室4〇相對。接著，開啓 閘閥6 3，並使搬運裝置5 〇對於裝載鎖定室4 〇作進出，而將 兀成處理之被處理體G搬運至裝載鎖定室4〇中。接著，使 搬運裝置50退避至共通搬運室中，並關閉閘閥63，而將 -11 - 201118024 裝載鎖定室4〇內設爲大氣氛圍。之後，開啓閘閥64，並藉 由大氣側被處理體搬運裝置（未圖示）來將完成處理之被 處理體G從裝載鎖定室40搬出。 接下來，針對搬運裝置5 0作說明。 圖2A，係爲對於搬運裝置5 0之其中一例作了槪略性展 示的側面圖，圖2B，係爲從圖2A中所示之箭頭2B的方向 而作了觀察的正面圖。 如同圖2A以及圖2B中所示一般，其中一例之搬運裝置 50，基本上，係由基底51和被處理體支持體52所構成，該 被處理體支持體52，係支持被處理體G，並對於基底51而 作進出退避而搬運被處理體G。 進而，搬運裝置50，係具備有使基底51作升降以及旋 轉之升降旋轉機構53、以及使被處理體支持體52作進出退 避之進出退避機構54。升降旋轉機構53，係藉由使基底51 作升降以及旋轉，來使搬運裝置50自身進行升降以及旋轉 〇 被處理體支持體52，在本例中，係具備有基部55、和 從基板55而朝向水平方向延伸之支持構件56(於圖中，係 爲56a〜56c)。基部55，係被構成爲能夠在基底51上作滑 動，藉由以進出退避機構54來使基部55作進出退避，如圖 3中所示一般，被處理體支持體52係對於基底51而作進出 退避。 又，本例之被處理體支持體52，係在高度方向上而具 備有複數段之支持構件56，並成爲能夠一次對於複數枚之 •12- 201118024 被處理體G作搬運。在本例中，作爲其中一例，係對於具 備有3段之支持構件56a、56b、56c的搬運裝置5〇作例示， 而能夠一次搬運3枚的被處理體G。 進而，其中一例之搬運裝置50，係具備有將從被支持 在被處理體支持體52上之被處理體G而來的輻射熱（主要 爲紅外線）作反射之反射體8 0。 反射體8 0，係被設置在成爲退避於基底5 1上之狀態的 被處理體支持體52之至少上下方，並以將搬運中之被處理 體G作挾持的方式而被作配置。 又，當如同本例一般，被處理體支持體52係具備有多 段之支持構件56a、56b、56(^的情況時，反射體80，係至 少被配置在最下段之支持構件5 6 a的下方和最上段之支持 構件5 6 c的上方。 藉由如此這般地配置反射體8 0，被處理體G，係如圖 4 A中所示一般，成爲在被此些之反射體8 0所挾持的狀態下 而被作搬運。而，從搬運中之被處理體G所輻射出的熱， 係成爲被配置在上下方之反射體80所反射。 又，本例之反射體80，係除了被處理體支持體52之上 下方外，亦進而被配置在被處理體支持體5 2之側部處。藉 由此，反射體8 0 ’係例如於圖4B中所示一般，而成爲筒狀 一般之形狀，複數之被處理體G，係成爲在被筒狀之反射 體8 0所包圍的狀態下而被作搬運。 反射體80，係將從被支持在被處理體支持體52上的被 處理體G而來的輻射熱作反射。因此，反射體80之與被處 -13- 201118024 理體G相對的面，係至少被設爲能夠反射熱之熱反射面。 在本例中，係將筒狀之反射體80的內側之面至少設爲熱反 射面。熱反射面，係藉由容易反射紅外線之材質（例如鋁 )而作成，其之表面，係以成爲鏡面或者是對於金屬作了 硏磨的硏磨面爲理想。 如此這般，其中一種實施形態之處理系統1所具備的 搬運裝置50，係具備有將從被處理體G而來之輻射熱作反 射的反射體80，並能夠將被處理體G以被反射體80所挾持 或者是包圍的方式來進行搬運。在減壓氛圍中，藉由以氣 體來作爲導熱媒體一事所導致的冷卻或者是藉由氣體之對 流所導致的冷卻之影響係爲小，被作了加熱之被處理體G 的冷卻，係以由於被處理體G本身所放出之輻射熱（紅外 線）所造成的影響爲更大。因此，相較於並不具備反射體 80之搬運裝置，對於在搬運中之被處理體G的溫度之降低 (例如當從預備加熱室20而搬運至處理室30a或是30b中時 的溫度之降低），係能夠作大幅度的抑制。故而，若依據 搬運裝置50，則係能夠將被處理體G之在處理室處的再加 熱時間縮短。 又，反射體80，雖然係只要存在於被處理體支持體52 之上下方即可，但是，若是將反射體80構成爲例如筒狀， 並成爲將退避於基底51上之狀態下的被處理體支持體52之 周圍作包圍，則係能夠對於在搬運中之被處理體G的溫度 之降低作更進一步的良好抑制。 進而，若依據其中一種實施形態之處理系統1所具備 -14- 201118024 的搬運裝置5 0，則係能夠得到如同下述一般之優點。 例如’當搬運裝置50—次對於複數枚之被處理體G ( 例如3枚以上之被處理體G )作搬運時，係會產生下述之問 題：亦即是，最上段以及最下段之被處理體G、與中段之 被處理體G，其兩者間之溫度差會變大。 此係因爲，例如，如圖5中所示一般，被配置在中段 處之被處理體G2 ’就算是輻射出熱，亦由於會受到從被配 置在上下方之被處理體Gl、G3而來的輻射熱，而使得溫 度之降低被抑制。但是，最上段之被處理體G3以及最下段 之被處理體G1，由於係僅在上方或者是下方的其中—處存 在有被處理體’因此，相較於中段之被處理體G2，溫度係 容易降低。因此’當將3枚以上之被處理體G作搬運時，最 上段以及最下段之被處理體Gl、G3，其與中段之被處理 體G2間的溫度差會變大。 相對於此，若依據其中一種實施形態之處理系統1所 具備的搬運裝置50，則係如同圖6中所示一般，關於最上 段之被處理體G3，係於其之上部而存在有反射體80a，關 於最下段之被處理體G1，則係在其之下部而存在有反射體 80b。因此’就算是將3枚以上之被處理體G作搬運，最上 段以及最下段之被處理體G 1、G3的與中段之被處理體G2 間之溫度差變大的情形亦係被抑制，且能夠對於複數之被 處理體的各別之溫度而以良好精確度來作控制。 另外，雖係針對本發明而根據其中一種實施形態來作 了說明，但是，本發明係不被上述之一種實施形態所限定 -15- 201118024 ，而可作各種之變形。又，本發明之實施形態，亦並非僅 有上述之其中一種實施形態。 例如，在上述其中一種實施形態中，雖係針對在被處 理體支持體52之至少上下方處而設置了反射體80的例子來 作了說明，但是，例如，亦可設爲在被處理體支持體52之 支持構件53的表面處而亦設置有將從被處理體G而來之輻 射熱作反射的反射體。 進而，亦可設爲將反射體亦設置在基底51之表面處。 又，在上述其中一種實施形態中，雖係針對將反射體 8 0設爲筒狀的例子而作了展示，但是，亦可設爲在基底51 處安裝箱型之框架，並在此框架上安裝反射板之構造。 又，在上述其中一種實施形態中，係針對將3枚的被 處理體G整批地作搬運並進行處理之處理系統而作了展示 ，但是，係並不被限定於此，例如，亦可如圖7中所示一 般，將搬運裝置50設爲僅具備有一段的支持構件56，並成 爲僅對於1枚之被處理體G作搬運之構成。又，雖並未特別 圖示，但是，搬運裝置50，係亦可具備有3段以外之支持 構件，並成爲對於3枚以外的複數枚之被處理體G來進行搬 運的構成。 又，在上述其中一種實施形態中，作爲被處理體支持 體52之例子，係對於具備有從基部55而朝向水平方向延伸 之支持構件56並使基部55在基底51上作滑動之例子而作了 展示，但是，被處理體支持體52，係並非爲被限定於此種 構成者，只要是對於被處理體支持體52作搬運之構成，則 -16- 201118024 不論是何種構成均可。例如，係亦可設爲使支持構件5 6更 進而作滑動一般之構成。進而，作爲搬運方式，係並不被 限定於在基底5 1上而使被處理體支持體5 2作滑動之方式， 例如，亦可設爲具備有關節之純量型（scalar type )的搬 運方式。 更進而，在上述其中一種實施形態中，作爲被處理體 ，雖係例示了在太陽電池或者是FPD之製造中所被使用的 玻璃基板，但是，被處理體係並不被限定於玻璃基板，而 亦可爲半導體晶圓等之其他的基板。 【圖式簡單說明】 [圖1 ]對於本發明之其中一種實施型態的處理系統作槪 略性展示之平面圖。 [圖2 ]圖2 A，係爲對於搬運裝置之其中一例作了槪略 性展示的側面圖，圖2B，係爲從圖2 A中所示之箭頭2B的 方向而作了觀察的正面圖。 [圖3 ]對於被處理體支持體相對於基底而進出退避的模 樣作展示之圖。 [圖4]圖4A以及圖4B係爲對於搬運中之被處理體的狀 態作展示之圖。 [圖5 ]對於從被處理體而輻射出熱的狀態作展示之圖。 [圖6]對於從被處理體而輻射出熱的狀態作展示之圖。 [圖7]對於搬運裝置之其他例子作了槪略性展示之側面 圖。 -17- 201118024 【主要元件符號說明】 10 :共通搬運室 2 0 :預備加熱室 30 :處理室 40 :裝載鎖定室 80 :反射體 G、Gl、G2、G3 :被處理體 -18-

Claims (1)

1. 201118024 七、申請專利範圍： ι· 一種搬運裝置，其特徵爲，具備有： 基底；和 被處理體支持體，係支持被處理體，並相對於前述基 底而進出退避並搬運前述被處理體；和 反射體，係被設置在前述被處理體支持體之至少上下 處’並將從被支持於前述被處理體支持體處之前述被處理 體而來的輻射熱作反射。 2 _如申請專利範圍第1項所記載之搬運裝置，其中， 前述被處理體支持體，係在前述反射體之間而被具備有多 段。 3 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之搬運裝置 ’其中’前述反射體，係以筒狀而覆蓋前述被處理體支持 體。 4 ·如申請專利範圍第1項或第2項所記載之搬運裝置 ’其中’至少前述反射體之與前述被處理體相對的面，係 爲能夠反射熱之熱反射面。 5 .如申請專利範圍第1項或第2項所記載之搬運裝置 ，其中’在前述被處理體支持體之表面上，係更進而被設 置有將從前述被處理體而來之輻射熱作反射的反射體。 6.如申請專利範圍第1項或第2項所記載之搬運裝置 ，其中，在前述基底之表面上，係更進而被設置有將從前 述被處理體而來之輻射熱作反射的反射體。 7 · —種處理系統，其特徵爲，具備有： -19- 201118024 共通搬運室；和 預備加熱室，係被與前述共通搬運室作連接，並對 前述被處理體作預備加熱；和 處理室，係被與前述共通搬運室作連接，並對於前 被處理體作處理；和 裝載鎖定室，係被與前述共通搬運室作連接，並將 述被處理體作交換；和 如申請專利範圍第1項至第6項中之任一項所記載 搬運裝置，係被設置於前述共通搬運室處，並搬運前述 處理體。 於 述 刖 之 被 -20-