TW201035160A - Meta phenylene macromolecule compound and luminescence element using the same - Google Patents

Description

201035160 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種間伸苯系高分子化合物及使用該高 分子化合物的發光元件。 【先前技術】 發光元件的發光層使用的發光材料已知有將顯示從三 重態激發狀悲的發光之填光發光性化合物作為摻雜劑摻雜 在主體材料而成的組成物。 主體材料的基本特性，主體材料的最低三重雜激發能 (以下稱為「τι能」）高很重要。因此，對於紅色的磷光發 光性化合物，T1能較高的主體材料提案有—種g_2 7 一二 基與只在5位具有特定取代基之1，3-伸笨基之共聚物（高 分子化合物）（國際公開第2007/133632號小冊）。 【發明内容】 發光元件的最大發光效率不充足。 惟，使用上述高分子化合物作為對於顯示比紅色更短 波長之發光色的磷光發光性化合物之主體材料時，獲得之 發光元件時有用的高分子化合物。 本發明的㈣為提供’在製作最A發光鱗優越的 其係含有：至少

本發明第一提供一種高分子化合物 一種選自下述式（2)表示之構成單元万_ 321750 4 201035160

[式中，R1表示烷基、芳基、1價芳族雜環基、芳烧基或取 代胺基’ R2及R3各自獨立地表示氫原子、烧基、芳基、1 4貝方族雜每基、烧乳基、方氧基、芳院基、芳基院氧美、 取代胺基、取㈣基、取倾基、氟原子或氰基二2個'3 ❹可相同或不同]

Ar1 (2) [式中，Ar1表示伸芳基、2價芳族雜产 、 同或不同的選自由伸芳基及2價芳=、或2個以上相 直接結合的2價基。惟，Ari不為環基所成組群的基 的基中之氫原子可輯基n 表7的基。紅1表不

基:芳氧基，基、⑽基、:：雜環取基二氧 取代叛基、氟原子或氰基取代]Μ基、取代無基、 七 Ar4·

Ar6 Αγ5

Ar7

I η

Ar8 321750 5 (3) 201035160 [式中’ Ar2、AW、^及Ar5各自獨立地表示伸芳基、2價 务族雜環基、或2個以上相同或不同的選自由伸芳基及2 價芳族雜環基所成組群的基直接結合的2價基。紅广? 及A r8各自獨立地表示芳基或i價芳族雜環^。a二、' ^^、 Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8表示的基中之氫原子可經院基^ 芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基 烷氧基、取代胺基、取代羰基、取代鲮基、氟原子或氰基 取代。Ar、Ar、Ar、Ar表示的基各個可和與該基所結合 之氮原子結合之Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar6、Ar7、Ar8表示的 基直接結合、或透過-〇-、-S-、_C(=〇)-、〜、 -N(RA)---C(=〇)-N(R4)或-C(RA)2-結合，形成 5 至 7 員環。 η及nn各自獨立地為〇或1。以表示烷基、芳基、^價芳 族雜環基或芳烷基]。 本發明苐二提供一種組成物’其係含有：上述g分子 化合物、以及至少一種選自由電洞輸送材料、電子輪送材 料及發光材料所成組群的材料。 本發明第三提供一種溶液，其係含有上述高分子化人 物及溶劑。 本發明第四提供一種薄膜’其係含有上述高分子化合 物。 本發明第五提供一種發光元件’其係具有：由陽極及 陰極所構成的電極、以及設置於該電極間且含有上述高分 子化合物的有機層。 本發明第六提供一種面狀光線及顯示裝置，其係耳備 321750 6 201035160 上述發光元件。 t發明第七提供—種下述式（la)表示的化合物： R1a

Y式中，Rla表示烷基。V表示烷基、可具有取代基之芳基、 β二有取代基之1價芳族雜環基、取代胺基、取代羰基、 取，緩基或氰基。义表示〇至5之整數。Ra#在複數個時， 該等可相同或不同。ra表示溴原子、縣子、氯原子、 〇-S(=〇)2r20 , -B(〇r21)2 . -bf4-Q!、-Sn(R22)3、-

MgY1 或-ZnY1 2個）τ可相同或不同。R2。表示烷基、或是可經烷基、烷氧 G基、硝基、氟原子或氰基取代之芳基。浐及俨各自獨立 地表示氫原子或烷基。2個R21可相同或不同，可一同形成 環。3個俨可相同或不同，可一同形成環。Q1表示鋰、鈉、 鉀、铷或鉋的1價陽離子。Y1表示溴原子、挑原子或氣原 子]。 … 本發明第八提供一種下述式（lc)表示的化合物·· 321750 7 201035160 R1c xWac

〆心、DC (1 c) [式中’ Rlc表示燒其。_ 有取代基之i <“土 可具有取代基之芳基或可具

土 貝方族雜環基。2個C

Sn(R )3、-MgY!或_Ζηγΐ。2 個 γ 可相 Q及Υ具有與上述相同意義]。 同形成環。rc表示淳片子⑽工/相门次不冋，可一 一B⑽21)2、-BF4-q1 破原子、氣原子、-〇—S(.2° 同或不同。R2e、R2i 【實施方式】 以下，詳細說明本發明。 個以二「=，」為高分子化合物中存在1 合物中存：= 重覆單元」(亦即，高分子化 令。「η價之芳族之形式存在於高分子化合物 !=物—子而成的原子團之意，二 合物1合物」4在具麵式構造之有機化 片子、氫=Γ 是麵子，縣錢原子、硫 原子虱原子、磷原子、硼原子、矽 化合物。「芳族雜環式化合物」為噻二1有機 吗唑、噻吩、吡吹汾u , 噻一唑、噻唑、 々比各、射（phosphole)、咬味”比咬、 U弁、_、㈣、異啥琳、料、二苯并石夕落 321750 8 201035160 (dibenzosilGle)、二苯并磷％等含有雜原子之雜環式化合 物且該雜環本身顯示芳族性之化合物；啡嘻畊 (phenoxazine)、与卜塞哄（咖叩而以时）、二苯并硼咯 (dibenzQborole)、二苯并㈣、苯并娘喃等上述含有雜原 子之雜環本身即使未顯示芳族性亦在該雜環縮合有芳香環 之化合物。 本說明書中，Me表示甲基，Et表示乙基，i-Pr表示 異丙基，n-Bu表示正丁基，tBu及卜恥表示第三丁基。 <高分子化合物> —式（1)表示之構成單元— 本發明之化合物含有式（1)表示之構成單元。 •取代基之說明 式（1)中’ R^R2、！^3表示之烷基為直鏈、支鏈或環狀， 碳原子數通常為1至2〇。烷基列舉曱基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、第二丁基、異丁基、第三丁基、戊基、異戊 〇基、己基、環己基、庚基、辛基、2-乙基己基、壬基、癸 基、3, 7-二甲基辛基、十二烷基、三氟曱基、五氟乙基、 全氟丁基、全氟己基、全氟辛基等。 式（1)中’ R1、R2、R3表示之芳基為從芳族烴除去1個 氫原子而成之原子團，包含具有稠環者。.芳基之碳原子數 通常為6至60,較佳為6至48,更佳為6至，2會，最佳為6 至14。碳原子數不包含取代基之碳原子數。芳。塞f之氣原 子可經烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳氣基、 芳烧基、芳基烧氧基、取代胺基、取代幾基、取代餐基、 321750 201035160 氟原子或氰基取代。 芳基較佳為取代或未取代之笨基。該笨基具有之取代 基較佳為烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳氧基、 芳烧基、取代胺基’更佳為炫基、芳基、i價“雜環：。 式⑴中m表示之1價㈣雜環基之碳原子 數通常為3至60，較佳為3至20。碜原子數不包含取代基 之礙原子數。1價芳族雜環基列舉2〜鸣二啥基、2_β塞二唾 基、2-噻唑基、2-噚唑基、2-噻吩基、2〜π比二基、2_:喃 基、2-吡啶基、3-吡啶基、轸吡啶基、2〜吡哄基、2_嘧啶 基、2-三啡基、3-塔哄基、3+坐基、2叫_卩井基、3_啡 寧井基、2-令塞哄基、3-㈣口井基等。！價芳族雜環基中 之氫原子可經院基、芳基、1價芳族雜環基、烧氧基、芳 氧基、芳燒基、芳基烧氧基、取代胺基、取代幾基土、取代 緩基、氟原子或氰基取代。 1 "ί只方族雜環基較佳為取代或未取代之2—吼p某 代或未取代之3-吡啶基、取代或未取代之4_吡咬^土、取= 或未取代之2_D比哄基、取代或未取代之2_鳴咬基、取 2取代之2-三縣、取代絲取代之娜基。丨價芳族 雜環基具有之取代基較佳祕基、芳基]鮮族雜環基。、 式（1)中，R2、R3表示之烧氧基為直鍵、支鏈或環狀， 石反原子數通常為丨至2卜上述烧氧基卿甲氧基、乙氧基、 丙氧基、異丙氧基、丁氧基、第二丁氧基、異丁氧基、第 三丁氧基、戊氧基、己氧基、環己氧基、庚氧基、辛氧基、 乙基己氧基、壬氧基、癸氧基、3, 二甲基辛氧基、十 321750 10 201035160 7:氧二氟甲氧基、五氟乙氧基、全氟丁氧基、全氟 。、：辛基、甲氧基甲氧基、2一曱氧基乙氧基、2_乙 氧基乙氧基等。 > —’ R、R3表示之芳氧基之碳原子數通常為6至 60芳氧基列舉苯氧基、匕至k烧氧基苯氧基（「^至^ 院氧基」表示烧氧基部分之碳原子數為1至12，以下亦相 同）Cl至Cl2烷基苯氧基（「(^至c12烷基」表示烷基部分 之碳原子數為1至12，以下亦相同）、卜萘氧基、2_萘氧 基、五氟苯氧基等。 式（1)中， 、R2、R3表示之芳烷基之碳原子數通常為 7至60°上述芳烷基列舉苯基-(^至Cl2烷基、Cl至Cl2烷氧 基苯基-(^至C!2烷基、（^至Ci2烷基苯基_Ci至Ci2烷基等。 式（1)中’ R2、R3表示之芳基烷氧基之碳原子數通常為 至60 °上述芳基烷氧基列舉苯基-心至C!2烷氧基、〇至 Cl2燒氧基苯基-(^至Ci2烷氧基、匕至Ci2烷基苯基_Ci至Ci2 ❹烷氧基等。 式（1)中’ R1、R2、R3表示之取代胺基之碳原子數通常 為2至60。上述取代胺基列舉經烷基、芳基、芳烷基或1 價芳族雜環基取代之胺基。取代胺基亦包含胺基之取代基 之間直接或透過碳原子、氧原子、硫原子等結合而形成稠 環者。取代胺基較佳為二烷基取代胺基、二芳基取代胺基， 更佳為二曱胺基、二乙胺基、二苯胺基、二-4-甲苯基胺基、 二一4~第三丁基苯基胺基、雙（3, 5-二-第三丁基苯基）胺 基、N-咔唑基、N-啡卩f哄基、N-吖啶基、N-啡噻畊基。 11 321750 201035160 式（1)中，R、R表示之取代羰基之碳原子數通常為2 至60。上述取代羰基列舉經烷基 '芳基、芳烷基或丨價芳 族雜環基取代之羰基，較佳為乙醢基、丁醯基、苯曱醯基。 式（1)中，R、R表示之取代羧基之碳原子數通常為2 至60。上述取代後基列舉經院基、芳基、芳烧基或】價芳 族雜環基取代之羧基，較佳為甲氧基羰基、乙氧基羰基、 丁氧基羰基、苯氧基羰基、苯甲氧基羰基。 式（1)中，Ri表示之基較佳為烧基、芳基、芳烧基 :體聚合時之反應性之觀點而言，較佳為絲，更佳為甲 土乙基丙基、丁基、戊基、己基，最佳為甲基。 咧中從本發明馬分子化合物的耐熱性及在有機溶 ;解性之平衡之觀點而言’R2表示之基較佳為氫原 :子價芽族雜環基、取代胺基，更佳 或取代胺絲狀芳H絲方基、1價方族雜環基 m ” 未取代或是經垸基、芳基或1行 方知雜％基取代之丨價芳 一仏 佳為氫原子、浐美I 、雜衣基，一方基取代胺基，最 又以^ 取代或是經烧基或芳基取代之芳其 最佳。 未取代“麟基衫絲代之笨基 之驅:電壓之發二高分子:合物獲得之發光元 芳基、1價芳_4二= 為氫原子、燒』 烷基、芳基、1價芳族f佳為未取代或是i 未取代或是㈣基、芳2二取代胺絲代之芳基 基或1價芳族雜環基取代之1價 321750 12 201035160 族雜環基，一芳基取代胺基，最佳為經！價芳族雜環基 取代胺基取代之芳基；未取代或是、㈣基、芳基或 族雜環基取代之1㈣麵環基；二絲取代絲，^ 經1價芳族雜環基或取代胺基取代之苯基，·芙、4 乂 或1價芳雜環絲代之㈣基；經絲、芳基^ :基 族雜環基取代之轉基；麟基丨價ί族雜= 取代之塔域基、祕或1價芳麵環基取代= Ο ==芳基或1價芳族雜環基取代之 _2_基，比定基、二芳基取代胺基最佳。 美單體聚合時之反應性之觀點而·^表示 之基杈佳錢料、料m 。 為氫原子。 蛛雜％基，最佳 式⑴表示之構成單元列舉下述式 卜101至1 113、l-2G1至卜咖表示之構成單元。

321750 13 201035160

Me

1-008

Me Me

1-012 1-013

14 321750 201035160

Me Me Me Me

1-105 1-106 1-107 ❹

Me

Me

t-Bu

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t-Bu

15 321750 201035160

Me Me

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16 321750 201035160 ‘ 式（1)表示之構成單元在本發明之高分子化合物中可 只含有一種，亦可含有兩種以上。 —式（2)表示之構成單元_ 本發明之高分子化合物以含有式（2)表示之構成單元 特佳。 式（2)中，Ar1表示之伸芳基為從芳族烴中除去2個氫 原子而成之原子團，包含具有稠環者。伸芳基之碳原子數 通常為6至60，較佳為6至48，更佳為6至30，最佳為6 〇 至14。碳原子數不包含取代基之碳原子數。伸芳基列舉 1,4-伸苯基（式2-001)、1,3-伸苯基（式2-002)、1，2-伸苯 基（式2-003)等伸苯基；萘-1，4-二基（式2-004)、萘-1,5-二基（式 2-005)、萘-2, 6-二基（式 2-006)等萘二基；4, 5-二氫菲-2, 7-二基（式2-007)等二氫菲二基；芴-3, 6-二基 (式2-008)、芴-2, 7-二基（式2-009)等芴二基等。該等伸 芳基中之氳原子可經烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷氧 £\ 基、芳氧基、芳烧基、芳基烧氧基、取代胺基、取代幾基、 取代羧基、氟原子或氰基取代。 17 321750 201035160

2-001 2-002 2-003

Ra Ra

2-007

[式中，R表示氳原子、烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷 氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰 基、取代羧基、氟原子或氰基。Ra表示烷基、芳基、1價 芳族雜環基或芳烷基。複數個R可相同或不同。複數個Ra 可相同或不同]。 式2-001至2-009中，R表示之烷基、芳基、1價芳族 雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺 基、取代羰基、取代羧基與作為式（1)中之R2表示之基所 說明、例示者相同。R較佳為氫原子、烷基、芳基、1價芳 18 321750 201035160 更佳為 族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、取代胺基， 氫原子、烷基、芳基。 式2-001至2-009中，Ra表示之烷基 '芳基、】價芳 族雜環基、芳烷基與作為式（1)中之Rl表示之基所說明、、 例示者相同。Ra較佳為芳基、烧基，更佳為未取代或是經 烷基、烷氧基或芳基取代之芳基、烷基。 式（2)中，Ar1表示之2價芳族雜環基為從芳族雜環式 ❹化合物中除去2個氫原子而成之原子團，包含具有铜環 者。2價之芳族雜環基之碳原子數通常為3至6〇，較佳為 3至20。碳原子數不包含取代基之碳原子數。2價之芳族 雜環基列舉吡啶-2, 5-二基（式2_101)、吡啶_2, 二基（式 2-102)等吡啶二基；嘧啶_4, 6—二基（式2_1〇3)等嘧啶二 基，二[I井-2, 4-二基（式 2-104);吼哄-2, 5-二基（式 2_1〇5) 等吼π井二基；塔哄一3, 6_二基（式2_1〇6)等塔哄二基；啥琳 -2, 6-二基（式2-107)等喹啉二基；異喹啉―丨，々—二基（式 〇 2-108)等異喧琳二基；_琳_5, 8_二基（式2_ι〇9)等销 啉二基；咔唑-3, 6-二基（式2-110)、咔唑-2, 7-二基（式 2 111)等咔唑一基，二苯并呋喃_4, 了_二基（式Liu)、二 苯并料-3,8-二基（式2_113)等二苯并料二基；二苯= 噻吩-4, 7-二基（式2-U4)、二苯并噻吩_3, 8_二基，(式 2-115)等二苯并噻吩二基；二苯并矽咯_4, 7—二基（式 2-116)、二苯并矽咯_3,8_二基（式2_117)等二苯并矽咯二 基，唏嗜D井―3, 7一二基（式2一118)、啡啊-2, 8-二基（式 2-1⑼等啡.井二基；啡嗟哄_3,7_二基（式2_12〇)、啡噻 321750 19 201035160 畊-2, 8-二基(式2-121)等啡噻啡二基；二氫吖啶二 基（式2_123)等二氫〇丫咬二基；（式2-124)表示的2價^ 料一2, 5—二基（式2一125)等料二基；吱喃-2, 5-二基（式 2_126)等°夫喃二基；嗟吩二基U 2-即等嗟吩二 基；二唾-2,5-二基（式2_128)等二唾二基；三哇_2卜二 基（式2-哪等三哇二基；嗜唾_2, 5_二基（式2一13〇)㈣ 唑二基，吗二嗤-2, 5-二基（式2_131);售备2, 5_二 2-132—)等㈣二基；n2, 5—二基（式卜⑽等。土該^ 2價芳族雜環基 =之氫原子可經絲、芳基q價芳族雜環 基、烧氧基 '芳氧基、芳燒基、芳基燒氧基、取代胺美 取代羰基、取代羧基、I原子或氰基取代。 土、 321750 20 201035160

2-110 2-111 2-112

Ο 21 321750 201035160

2-118 2-119

2-120 2-121

2-127

R

Ra 2-128 N—N八乂 Ra 2-129

R

R

2-130 2-131 2-132 2-133 [式中，R及Ra具有與上述相同意義。] 22 321750 201035160 式（2)中，Ar1表示之「2個以上相同或不同的選自由 伸芳基及2價芳族雜環基所成組群的基直接結合的2價基 列舉下述式2-201至2-219表示之基。

❹

[式中，R具有與上述相同意義。] 23 321750 201035160 式（2)表示之構成單元，Ar1較佳為上述式2-001、上 述式2-009、上述式2-218、上述式2-219表示之基之構成 单7L。 式（2)表示之構成單元，從獲得之發光元件之發光效率 之觀點而言，較佳含有下述式（4)表示的構成單元，更佳含 有下述式（4)表示之重覆單元及下述式（4)表示的構成單元 以外的構成單元，從獲得之發光元件的驅動電壓之觀點而 言，較佳含有下述式（5)表示的構成單元，從該等兩者之觀 點而言，較佳含有下述式（5)表示之構成單元及下述式（6) 表示之構成單元，更佳含有下述式（4)表示之構成單元、下 述式（5)表示之構成單元及下述式（6)表示之構成單元。 R5 R4

R4 R5 (4) [式中，R4表示烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳 氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰基、取代 羧基或氰基。R5表示氫原子、烷基、芳基、1價芳族雜環 基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、 取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基。2個R4可相同或不 同。2個R5可相同或不同]。 24 321750 201035160

(5) Ο [式中，R1表示烷基、芳基、1價芳族雜環基或芳烷基，2 個R可互相結合。2個R1可相同或不同。表示烧基、芳 基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷 氧基、取代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基。m 表不0至3之整數。2個m可相同或不同。r2 3 4 5存在複數個 時，該等R2可相同或不同]。 R10

Ar11^- 321750 25 1 2 [式中，R]°表示氫原子、烷基、芳基價芳族雜環基、烷 3 氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰 4 基、取代敌基、氟原子或氰基。Arl。及Arll各自獨立地表 5 示伸芳基或2價芳族雜環基。k及吐各自獨立地表示〇至 201035160 複數個時’該等Ar1()、Ar11可相同或不同]。 式（4)中，R表示之烧基、方基、1價芳族雜環基、烧 氧基、芳氧基、芳烧基、芳基院氧基、取代胺基、取代幾 基、取代羧基與作為式（1)中之R2表示之基所說明、例示 者相同。 從本發明高分子化合物的耐熱性及在有機溶劑中之溶 解性之平衡之觀點而言，R4表示之基較佳為烧基、芳基、！ 價芳族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、取代胺基，更 佳為烷基、芳烷基，最佳為烷基，又以丙基、異丙基、丁 基、第二丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、環己基、 庚基、辛基、2-乙基己基、環己基甲基、壬基、癸基、3,7一 二曱基辛基、十二烷基最佳。 h式表示之絲、芳基、1價芳族雜環基、炫 2基、方减、芳餘、芳基燒氧基、取代胺基、取代戴 ί相Γ谨基與作為式⑴中之R2表示之基所說明、例示 解性從分子化合物的耐熱性、在有機溶劑中之2 解11、早體I合時之反應性之 為氣原子、境基、烧氧基、芳基示之基較/ 基，更佳為氫原子、炫基，最佳環基 式（4)表示之構成單元列 4,至㈣5表示之構成單；^式4,至4. 321750 26 201035160

Me

4-001

4-015 4-016 4-017 27 321750 201035160

式⑸中R6表示之1價芳族雜環基、芳燒基與作為式 (1)中之R1表示之基所說明、例示者相同。 " 式⑸中R6表示之烧基可列舉曱基、乙基、丙基、異 丙基、丁基、第二丁基、異丁基、戊基、2-曱基丁基、異 戊基、己基、庚基、辛基、2—乙基己基、壬基、癸基、3, ^ 二甲基辛基、十二烷基等。 式（5)中R6表示之芳基可列舉苯基、卜萘基、2_萃 等。 ’、 從本發明高分子化合物的耐熱性、在有機溶劑中之溶 解性之平衡之觀點而言，之基較佳為芳基、烧基， 更，為未取代或是錢基、錄基、芳基或取代胺基取代 之芳基、烷基，最佳為4-甲苯基、4-丁基苯基、4_第三丁 321750 28 201035160 基苯基、4-己基苯基、4-辛基苯基、4~(2〜乙基己美）苯基 4-(3, 7-二甲基辛基）苯基、3-曱苯基、二第 三丁基苯基、3-己基苯基、3-辛基笨基H乙基 苯基、3_(3, 7-二甲基辛基)苯基、3, 5'二甲基苯基、3, 5— 二（第三丁基）苯基、3, 5-二己基苯基、3, 5_二辛基笨基、 3’4-二己基苯基、3, 4-二辛基苯基、4〜已氧基笨基、卜辛 氧基本基、4-(2’-乙氧基乙氧基）笨基、4，~结- β -弟二丁基 Ο Ο 聯本）基、9,9-二己基芴-2-基、9,9~二辛基苟_2_美 式（5)中R7表示之烧基、芳基、1價芳族雜環基、燒氧 基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰美 取倾基與作為式⑴巾之P麵之基所_、麻者^目、 同0 式（5)中m表示〇至3之整數，較佳 較佳為G或卜或兩者皆為〇,以兩者皆為佳。m 氧基式芳基、1價芳族雜環基、炫 基與作為上述式(―基所貧 攸本發明高分子化合物的_性、在有機溶劑中之溶 平?之觀點而言’ R1°表示之基較佳為芳基，更隹為 代胺甚或疋經ΐ基、烧氧基、芳基、1價芳族雜環基或取 二取代之芳基，最佳為4_f苯基、4_丁基苯基、4一第 :基苯基、4、已基苯基、4_辛基苯基、4—(2_乙基己基） 土、4_十二烷基苯基、3-曱苯基、3-丁基笨基、3一笫三 321750 29 201035160 丁基苯基、3-己基苯基、3-辛基苯基、3-(2-乙基己基）苯 基、3-十二烷基苯基、3, 5-二-第三丁基苯基、3, 5-二己基 苯基。從降低使用本發明高分子化合物之發光元件的驅動 電壓之觀點而言，較佳為1價芳族雜環基、取代胺基，更 佳為未取代或是經烧基、烧氧基、芳基、1價芳族雜環基 或取代胺基取代之含有1個以上氮原子之1價芳族雜環基 或取代胺基，較佳為2-吡啶基、4-己基吡啶-2-基、5-辛 基吡啶-2-基、3-吡啶基、5-己基吡啶-3-基、4-吡啶基、 2, 5-二甲基°比啶-4-基、N-啡噚畊基、N-啡噻畊基。 式（6)中Ar111、Ar11表示之伸芳基、2價芳族雜環基與 作為式（2)中之Ar1表示之伸芳基、2價芳族雜環基所說 明、例示者相同。 從提昇使用本發明高分子化合物之發光元件的發光效 率之觀點而言，Ar1(5、Ar11表示之基較佳為上述式2-001、 2-002、2-101、2-103、2-104、2-105、2-106 表示之基， 更佳為式2-001表示之基。 式（6)表示之構成單元更佳含有式2-104、2-218或 2-219表示之構成單元。 式（2)、（4)、（5)表示之構成單元在本發明之高分子化 合物中，可分別只含有一種，亦可含有兩種以上。 式（6)表示之構成單元在本發明之高分子化合物中可 只含有一種，亦可含有兩種以上。 —式（3)表示之構成單元一 從使用本發明高分子化合物之發光元件的驅動電壓之 30 321750 201035160 ' 觀點而言，較佳含有式（3)表示之構成單元。 式（3)中Ar2至Ar5表示之伸芳基與作為式（2)中之Ar1 表示之伸芳基所說明、例示者相同者、及式（1)表示之構成 單兀。 式（3)中Ar2至Ar5表示之2價芳族雜環基與作為式（2) 中之Ar1表示之2價芳族雜環基所說明、例示者相同。 式（3)中Ar2至Ar5表示之2個以上相同或不同的選自 由伸芳基及2價芳族雜環基所成組群的基直接結合的2價 〇 基與作為式（2)中之Ar1表示之「2個以上相同或不同的選 自由伸芳基及2價芳族雜環基所成組群的基直接結合的2 價基」所說明、例示者相同。 式（3)中Ar6至Ar8表示之芳基、1價芳族雜環基與作 為式（1)中之R1表示之芳基、1價芳族雜環基所說明、例示 者相同。 式（3)中Ar5、Ar6、Ar7、Ar8表示的基各者可和與該基 0 所結合之氮原子結合之Ar2、Ar3、Ar4、Ar5、Ar7、Ar8表示 的基直接結合、或透過-0---S---C(=0)---C(=0)-0-、 -N(RA)-、-C(=0)-N(R4)或-C(Ra)2-結合，形成 5 至 7 員環。 η及nn各自獨立地為0或1。RA表示烷基、芳基、1價芳 族雜環基或芳烷基。[^表示之基與作為R2表示之基所說 明、例示者相同。 式（3)表示之構成單元列舉下述式3-001至3-004表示 之構成單元。 31 321750 201035160

3-003 [式中’ R具有與上述相同意義。] 。人式（3)表不之構成單元在本發明之高分子化合物中可 /、各有一種，亦可含有兩種以上。 從製作發光元件之作業性之觀點而言，本發明之高分 子化合物可含有由後述之磷光發光性化合物衍生之構成單 元。 本發明之高分子化合物列舉以下之化合物即_丨至 EP〜3。 32 321750 201035160 表

[表中，V+w+x+y+z=l 且 l^v+w+xg〇.5] 本發明之高分子化合物含有式⑷、式（5)表示之構成 Ο 早几作為式⑵衫之構成單科，本發明之高分子化合物 列舉以下之化合物EP-4至EP-9。 〇 表2

t’ +u’ +V’ +w +X’ 2 0.5]— -本發明之高分子化合物含有式⑷、式⑸ 不之構成單it作料⑵衫之構成單辑，本發明之令 子化合物列舉以下之化合物Ep〜1〇至Ep_15。 X ^ 321750 33 201035160 表3

其他 *本發明之高分子化合物可為線狀聚合物、分支聚合物、 门支鏈聚口物、娘狀聚合物、梳形聚合物、星型聚合物、 ’祠眼，口物等之任一種形狀，可為具有各個形狀之均聚 物又替共聚物、周期共聚物、無規共聚物、嵌段共聚物、 接枝共聚物等之任意組成及具有規則性的聚合物。 -本發明之高分子化合物中，相對於式⑴表示之構成單 疋的σ 4莫耳數’丨他構成單元之合計莫耳數比率通常為 .1至999從單體聚合時之反應性之觀點而言，較佳為 〇. 95至199，更佳為〇. 95至99。 本發明之高分子化合物中，從發光元件之驅動電壓之 321750 34 201035160 觀點而言’相對於全構成單元之合計莫耳數，式（1)至（3) 表不之構成單元之合計莫耳數之比率較佳為山了至丨〇， 更佳為0. 8至1. 0，最佳為0· 9至1. 0。 從獲得之發光元件之驅動電壓之觀點而言，本發明之 高分子化合物較佳含有上述式（3)表示之構成單元及/或 式（5)表示之構成單元，相對於全構成單元之合計莫耳數， 式（1)、（3)、（5)表示之構成單元之合計莫耳數之比率較佳 在0. 5以上，更佳在〇. 7以上。 〇 從獲得之發光元件之驅動電壓之觀點而言，本發明之 高分子化合物較佳含有至少一種選自由式（3)表示之構成 單疋、式（5)表示之構成單元及式（6)表示之構成單元所成 組群之構成單元，相對於全構成單元之合計莫耳數，式 (1) (3)、（5)、（6)表示之構成單元之合計莫耳數之比率 較佳在0. 5以上，更佳在〇. 7以上。 從獲得之發光元件之驅動電壓、單體聚合時之反應性 Q之觀點而言，本發明之高分子化合物較佳為，式（1)表示之 構成單元於1分子中存在2個以上’存在2個以上之式（D 表示之構成單元彼此實質上不相鄰。所謂「實質上」為， 相對於所有構成單元彼此之結合之個數’上述式（1)表示之 構成單元彼此相鄰之結合之個數之比率未滿〇. 〇5之意。 在用於作成與在480至550nm範圍具有光激發光 (photoluminescence)峰值波長之磷光發光性化合物的組 成物而製造發光元件的情形、在用於作成含有從在48〇至 550mn範圍具有光激發光峰值波長之磷光發光性化合物衍 321750 35 201035160 生之構成單元之高分子化合物而製造發光元件的情形，從 獲得之發光元件發光效率之觀點而言，本發明之高分子化 合物較佳為含有式（4)表示之構成單元，且在本發明之高分 子化合物中，相對於式（1)表示之構成單元及式（4)表示之 構成單元之合計莫耳數，其他構成單元之合計莫耳數之比 率較佳為0. 95至1. 05,更佳為0. 98至1. 02,最佳為0. 99 至 1. 01。 從單體聚合時之反應性之觀點、從獲得之發光元件之 驅動電壓之觀點而言，本發明之高分子化合物較佳為「含 有式（4)表示之構成單元，且在本發明之高分子化合物中， 相對於式（1)表示之構成單元及式（4)表示之構成單元之合 計莫耳數，其他構成單元之合計莫耳數之比率為〇· 95至 1.05」且「含有至少一種選自由式（3)表示之構成單元及式 (5)表示之構成單元所成組群之構成單元、以及上述式（4) 表示之構成單元，且在本發明之高分子化合物中，相對於 全構成單元之合計莫耳數，式（1)、（3)、（4)、（5)表示之 構成單元之合計莫耳數之比率在0.7以上」。 從單體聚合時之反應性之觀點、從獲得之發光元件之 驅動電壓之觀點而言，本發明之高分子化合物較佳為「含 有式（4)表示之構成單元，且在本發明之高分子化合物中， 相對於式（1)表示之構成單元及式（4)表示之構成單元之合 計莫耳數，其他構成單元之合計莫耳數之比率為〇· 95至 1. 05」且「含有至少一種選自由式（3)表示之構成單元、式 (5)表示之構成單元及式（6)表示之構成單元所成組群之構 36 321750 201035160 • 成單元、以及及式（4)表示之構成單元，且在本發明之高分 子化合物中，相對於全構成單元之合計莫耳數，式（1)、 (3)、（4)、（5)、（6)表示之構成單元之合計莫耳數之比率 在0. 7以上」。 從單體聚合時之反應性之觀點、從獲得之發光元件之 驅動電壓之觀點而言，本發明之高分子化合物較佳為式（1) 表示之構成單元及式（4)表示之構成單元於1分子中各存 在2個以上，存在2個以上之式（1)表示之構成單元彼此、 〇 存在2個以上之式（4)表示之構成單元彼此、以及式（1)表 示之構成單元及式（4)表示之構成單元實質上不相鄰。此 處，所謂「實質上」意指，相對於所有構成單元彼此之結 合之個數，式（1)表示之構成單元彼此相鄰之結合之個數、 上述式（4)表示之構成單元彼此相鄰之結合之個數、以及式 (1)表示之構成單元及式（4)表示之構成單元相鄰之結合之 個數之合計比率未滿0. 05之意。 Q 本發明高分子化合物的末端基若為聚合活性基，則將 該高分子化合物用於製作發光元件時，由於獲得之發光元 件的發光效率或壽命可能會降低，所以較佳為安定之基。 該末端基較佳為與主鏈共軛結合者，例如為藉由碳-碳鍵與 芳基或1價芳族雜環基結合者。該芳基、1價芳族雜環基 與作為上述式（1)中之R1表示之芳基、1價芳族雜環基所說 明、例示者相同。 本發明之高分子化合物之由凝膠滲透層析法（以下稱 為「GPC」）所得之換算成聚苯乙烯之數平均分子量（Μη)通 37 321750 201035160 常為lxio3至lxio8，較佳為lxio4至lxio6，更佳為lxio4 至5x10s。本發明高分子化合物之換算成聚苯乙烯之重量 平均分子量（Mw)通常為lxlO3至lxlO8，從成膜性、發光元 件之發光效率之觀點而言，較佳為lxl〇4至5xl05，更佳為 3xl04至 lxlO6，最佳為 3xl04 至 5xl05。 從對於用以製造發光元件等之製程之耐久性、對於發 光元件在驅動中發熱之安定性、耐熱性之觀點而言，本發 明高分子化合物之玻璃轉移溫度較佳在70°C以上，更佳在 100°C以上。 本發明之高分子化合物通常在固體狀態發出螢光或磷 光，而有用於作為發光元件的材料（例如發光材料、電荷輸 送材料）。使用該高分子化合物之發光元件為可以高發光效 率驅動之高性能發光元件。因此，該發光元件有用於作為 液晶顯示器之背光、照明用之曲面狀或平面狀之光源、區 段型之顯示元件、點矩陣之平板顯示器等顯示裝置。又， 本發明之高分子化合物亦有用於作為雷射用色素、有機太 陽電池用材料、有機電晶體用之有機半導體、導電性薄膜、 有機半導體薄膜等傳導性薄膜用材料、發出螢光或磷光之 發光性薄膜用材料。 <高分子化合物的製造方法> 本發明之高分子化合物可經由下述來合成，例如藉由 將具有因應聚合反應種類之適當反應性基之至少一種選自 由下述式（B)表示之化合物（成為單體之化合物）及下述式 (C)表示之化合物（成為單體之化合物）所成組群、以及下述 38 321750 201035160 式（A)表示之化合物（成為單體之化合物）必要時溶解於有 機溶劑並使用鹼或適當的觸媒、配位基之公知之芳基偶人 等聚合方法進行共聚。 土 σ xa1— I :- —Xa2 R〆 R2 、R3 (A) 〇 [式中，R、R2及R3具有與上述相同意義。广及^2各自獨 立地表示溴原子、礙原子、氣原子、、 -b(or21)2、一 、一Sn(R22)3、—％γ1 或—純。r2。表示燒某、 ΐ是可2賊基、絲基、、氟原子或氰基取代之芳基。 R及R各自獨立地表示氫原子或燒基。2個只21可相同戈 ❹ =同:可一同形成環。3個β可相同或不同，可一同形成 環。Q1表示鋰、鈉、鉀、铷或鉋的丨價陽離子。γ1表示溴 原子、碘原子或氣原子。] ' xb1—Ar1—Xb2 (B) [一式中’Arl具有與上述相同意義。xbl及xb2各自獨立地表 不/臭原子、蛾原子、氯原子、-G-S(=Q)2R2°、-B(〇R21)2、 BF4 Q、-Sn(R )3、—MgY1 或 _Ζηγ1。r20、r21、R22、Q!及 γ】 具有與上述相同意義。] 321750 39 201035160

Ar3—叶 /n Ar6

Ar4

Xc2 (c) [式中，Ar1至Ar8、n及nn具有與上述相同意義。Xel及Xe2 各自獨立地表示溴原子、碘原子、氯原子、-0-S(=0)2R2°、 -B(0R21)2、-BFd1、-Sn(R22)3、-MgY1 或-ZnY1。R2D、R21、R22、 Qi及Y1具有與上述相同意義。] 式（A)、（Β)及（C)中，R2°、R21及R22表示之烷基與作為 上述式（1)中之R3表示之烷基所說明、例示者相同，碳原 子數通常為1至20，更佳為1至15，最佳為1至10。 式（A)、（B)及（C)中，R2°表示之芳基與作為R2表示之 芳基所說明、例示者相同，從本發明高分子化合物合成的 容易度、單體聚合時之反應性之觀點而言，較佳為苯基、 4-曱苯基、4-甲氧基苯基、4-硝基苯基、3-硝基苯基、2-硝基苯基、4-三氟曱基苯基。 式（A)、（B)及（C)中，-0-S(=0)2R2°表示之基可列舉曱 石黃酸氧基、二氣曱確酸氧基、苯石黃酸氧基、4 ~曱基苯續酿 氧基、4-三氟甲基苯磺醯氧基等。 式（A)、（B)及（C)中，-B(0R21)2表示之基可列舉以下之 式表示之基等。 40 321750 201035160 /OMe 、OMe Γ OEt

Me

Me 式（A)、（B)及（C)中，-BF^Q1表示之基可列舉以下之式 表示之基等。 —BF4· K+ 式（A)、（B)及（C)中，-Sn(R22)3表示之基可列舉三甲基 錫烧基、三乙基錫烧基、三丁基錫烧基等。 式（A)、（B)、（C)表示之化合物可使用預先合成並經單 離者，亦可在反應系中合成後直接使用，將獲得之高分子 化合物用於發光元件時，由於其純度會影響發光特性元件 的性能，較佳將聚合前的單體用蒸餾、昇華精製、再結晶 等方法精製後進行縮聚。 從本發明高分子化合物的耐熱性及在有機溶劑中之溶 解性之平衡之觀點而言，式（A)表示的化合物較佳為上述式 (la)表示之化合物，從獲得之發光元件之驅動電壓之觀點 而言，較佳為下述式（lb)表示之化合物、上述式（lc)表示 之化合物。 41 321750 201035160 R1b

RbWb (lb) [式中，R表示烧基。Rb表示可具有取代義斗 、可目 有取代基之1價芳族雜環基或取代胺基。2 b 不同。xab表示溴原子、碘原子、氯原子、〜R可相同或 21 . 〇-s(=o)2R20、 -B(0R )2、-BF4Q '-SnCRUh'-MgY1 或〜7ηνι 同或不同mi及Yi具有^個Rab可相 一、上述相同意義1。 該等之式中nb、Rlc表示之燒基與作為R1表示之 烷基所說明、例示者相同，Ra、Rb、r表 双不之烷基、可具有 取代基之芳基、可具有取代基之1價^雜環基、取代胺 基、取代幾基、取代叛基與作為R2表示之基所說明、例示 者相同。 縮聚列舉藉由鈐木偶合反應進行聚合之方法 (Chem. Rev.，第 95 卷，第 2457 至 2483 頁（1995 年））、藉由 Grignard 反應進行聚合之方法（Bull. Chem. Soc. Jpn.， 第51卷，第2091頁（1978年））、藉由Ni(0)觸媒進行聚合 之方法（Progress in Polymer Science,第 17 卷，第 1153 至1205頁，1992年）、使用Stille偶合反應之方法 (European Polymer Journal,第 41 卷，第 2923-2933 頁 42 321750 201035160 (2005年））等’從轉合成之容易度、聚合反應操作之簡 便性，點而言’較佳為藉由铃木偶合反應進行聚合之方 法、藉由Ni⑻觸媒進行聚合之方法，辦慮到控制高分 子化°物之構造的容^度觀點，更佳為藉由鈐木偶合反 應、㈣nard反應、StiUe偶合反應等交叉偶合 ΓΡ=)反應進行聚合之方法，最佳為藉由鈴木偶合反應 進仃聚合之反應。 Ο 式（A)、（Β)及（C)中 ’ β、r2、xbl、xb2、xcl 及 xc2 只要 因應聚合反應的種類而選擇適當之基即可，惟，選擇藉由 铃木偶合反應進行聚合之方法時，從上述式（a)、⑻、曰⑹ 表示之化合物合成之簡便度或操作的容易度觀點而言，較 佳為漠原子、碘原子、氯原子“晴1)2，更佳為漠原子、 ~B(OR21)2。 縮聚之方法列舉將上述式（A)、⑻、（c)表示之化合 物，必要時與適當之觸媒或適當之鹼一同進行反應之方 〇去。選擇藉由鈴木偶合反應進行聚合之方法時，為了使獲 得之高分子化合物的分子量成為所期望之分子量，只要調 整上述式（A)、（B)、（C)表示之化合物具有之χ3ΐ、、xbl、

Xb2、xcl及r2表示之溴原子、峨原子、氣原子之合計莫耳 數與-b(or21)2表示之基之合計莫耳數之比率即可，通余相 =於上述式（A)、（B)、（C)表示之化合物具有之xaI、、 P、Xb2、Γ1及Γ2表示之溴原子、蛾原子、氯原子之合計 莫耳數，-B(0R21)2表示之基之合計莫耳數之比率較佳為 0.95 1^5,更佳為 0.98 1^2，最佳為 〇卜 321750 43 201035160 式（2)表示之構成單元含有上述式（4)表示之構成單元 時，只要使用下述式（D)表示之化合物即可。 R5 R4

(D) [式中，R4及R5具有與上述相同意義。Xdl及Xd2各自獨立地 表示溴原子、碘原子、氯原子、-0-S(=0)2R2°、-B(0R21)2、 -BF^Q1、-Sn(R22)3、-MgY1 或-ZnY1。R2D、R21、R22、Q1 及 Y1 具有與上述相同意義。] 本發明較佳實施形態之一之「式（1)表示之構成單元於 1分子中存在2個以上，存在2個以上之式（1)表示之構成 單元彼此實質上不相鄰的高分子化合物」的合成方法，以 在藉由鈐木偶合反應進行聚合之反應，式（Α)中之Xal、Xa2 僅使用-B(0R21)2表示之基之方法、僅使用溴原子、碘原子 或氯原子之方法較佳。藉由該等方法，由於鈴木偶合反應 為交叉偶合反應，因此可獲得上述式（1)表示之構成單元彼 此相鄰之結合僅存在作為副反應之可能稍微引起之自身偶 合（homocoupling)反應之比率之高分子化合物。自身偶合 反應之比率，可從相對於成為單體之化合物之饋入比之高 分子化合物之數平均分子量推定。 本發明較佳之另一實施形態之「式（1)表示之構成單元 及上述式（4)表示之構成單元1分子中各有存在2個以上， 44 321750 201035160 存在2個以上之上述式⑴表示之構成單元彼此、存在2 個以上之上述式（4)表示之構成單元彼此、以及式（1)表示 之構成單元及上述式（4)表示之構成單元實質上不相鄰之 咼分子化合物」的合成方法，以在藉由鈴木偶合反應進行 聚合之反應，式（A)中之XaI、Γ2及式中之χ(Π、ρ2僅使 〇 用-B⑽％表示之基之方法、僅使用溴原子、埃原子或氯 原子之方法較佳。經由該等方法，由於鈴木偶合反應為交 叉偶合反應’因此可獲得式⑴表*之構成單元彼此相鄰之 結合、式（4)表示之構成單元彼此相鄰之結人、式（^表厂、 之構成單元與式⑷表示之構成單元相鄰之結合财不 為副反應之可能猶微引起之自身偶合反應 化合物。自身偶合反應之比率，可從相胃％ ;二 合物之饋入比之高分子化合物之數平均分子，為：體之化 在藉由鈴木偶合反應所進行之聚人 量推疋 述者構成：[四（三苯膦）]免、[三（二乂苯觸媒例如由下 〇 乙酸飽、雙三苯膦二氣化纪等把錯合物等 、i 以及必要時之三苯膦、三（第三丁基膦）、= 位基 環己基膦等配 在藉由Ni(0)觸媒所進行之聚合中， 者構成：[四(三苯膦)]錄、;二由， 鐘、[雙（1’4-環辛二烯）]鎳等錄錯合&⑴二氯化 ，以及必要時之三笨膦、三（第三丁基 鎳 物 金屬‘錯合 二苯膦基丙烷、聯吡啶等配位基。 該等觸媒可使用預先合成者， 膦）、三環己基 亦可直接使 用在反應系 321750 45 201035160 中調製者。該等觸媒可單獨使用一種，亦可兩種以上併用。 使用觸媒時，其使用量只要是作為觸媒之有效量即可， 相對於上述式（A)、（B)、（C)表示之化合物之合計莫耳數之 觸媒之量，換算成過渡金屬，通常為0. 00001至3莫耳當 量，較佳為0. 00005至0. 5莫耳當量，更佳為0. 0001至 0.2莫耳當量。 在藉由鈴木偶合反應所進行之聚合中，使用之鹼可列 舉碳酸鈉、碳酸鉀、碳酸鉋、氟化鉀、氟化鉋、磷酸三鉀 等無機鹼；氟化四丁銨、氯化四丁銨、溴化四丁銨、氫氧 化四乙錢、氫氧化四丁銨等有機驗。 使用鹼時，其量相對於上述式（A)、（B)、（C)表示之化 合物之合計莫耳數，通常為0. 5至20莫耳當量，較佳為1 至10莫耳當量。 縮聚可在溶劑不存在下進行，亦可在溶劑存在進行， 通常在有機溶劑存在下進行。 有機溶劑可列舉曱苯、二曱苯、均三曱苯、四氫呋喃、 1，4 -二吗烧（1,4_di oxane)、二曱氧基乙烧、N，N-二曱基乙 醯胺、N，N-二甲基甲醯胺等。通常為了抑制副反應，以進 行脫氧處理較理想。有機溶劑可單獨使用一種，亦可兩種 以上併用。 有機溶劑的使用量，上述式（A)、（B)、（C)表示之化合 物之合計濃度通常為成為0. 1至90重量％、較佳1至50 重量％、更佳2至30重量％之量。 縮聚的反應溫度較佳為-100至200°C，更佳為-80至 46 321750 201035160 150°C，最佳為 0 至 12(TC。 反應時間通常在1小眛

i ’較佳:发D 縮聚在上述式（A)、（B) 馬2至500小時。 Γ1及Γ2為-MgY1表示之基時， 在脫水條件 活性基殘存，可使用作為鏈〜分子化合物之 物。藉此，可獲得高分子各入，，，之下述式（F)表 一…一 ）令之 xal、、a2n、 於縮聚，為了避免在本發明=條件下進行。 基殘存，可使用作為鍅处，、门刀子化合物之末端聚合 示之化合 價芳族 Ο 〇 物。藉此，可獲得高分子化’:：丨飞式(F)知 雜環基取代之高分子化合物。 禾端經芳基或1

Xf——Ar9 (F) [式中，Ar9表示芳基或i價芳族雜 碘原子、氯原子、-〇-S(=()) 2。’、衣基。X表示溴原子、 〜Sn(R22)3、-MgYi 或〜Ζηγ1 '_21)2、IQ1、 相同意義。] 'R、R2U具有與上述 式（F)中’ Ar9表示之关其 (1)中之絲、1㈣族雜^所U絲縣與作為式 縮聚之後處理可以公知二:明、例示者相同。 A去的方法進行，例如在甲醇等低 =中加人上述縮聚獲得之反應液後過濾析出之沉澱並乾 刼之方法進行。 本發明尚分子化合物之純度低時，可以再結晶、 '、氏萃取器（Soxhlet extractor)連續萃取、管柱層析法等 通常之方法精製即可，惟，本發明之高分子化合物用於發 光元件時，由於其純度會影響發光特性等元件性能，較佳 321750 47 201035160 進行縮聚後，進行再沉澱精製、藉由管柱層析法分離等純 化處理。 —填光發光性化合物一 磷光發光性化合物列舉三重態發光錯合物等公知化合 物、以往以來作為低分子系有機EL元件之發光材料利用之 化合物。磷光發光性化合物記載於Nature，（1998)，395， 151Άρρ1. Phys. Lett. (1999), 75(1), 4 > Proc. SPIE-Int. Soc. Opt. Eng.(2001), 4105(0rganic Light-Emitting

Materials and DevicesIV)，119、J. Am· Chem. Soc.，（2001)， 123, 4304、Appl. Phys· Lett.，（1997)，71(18)，2596、 Syn. Met·，（1998)，94(1)，103、Syn. Met·，（1999)，99(2)， 136卜 Adv· Mater.，（1999)，11(10)，852、Inorg. Chem.， (2003)，42，8609、Inorg. Chem.，（2004)，43，6513、 Journal of the SID ll/l、161(2003)、W02002/066552、 W02004/020504、W02004/020448 等。從獲得高發光效率 之觀點而言，碟光發光性化合物較佳在金屬錯合物之HOMO 中，中心金屬最外殼d執道之軌道係數平方之和在全原子 軌道係數平方之和占有之比率在1/3以上，中心金屬列舉 屬於第6週期之過渡金屬之鄰位金屬化錯合物等。 三重態發光錯合物的中心金屬列舉通常為原子序50 以上之原子’且在該錯合物自旋_執道相互作用，引起單態 狀與二重怨狀態間之系間跨越（intersystejjj crossing) 獲得之金屬。中心金屬較佳為金、鉑、銥、锇、鍊、鎢、 銪、铽、铥、鏑、釤、镨、釓、镱等，更佳為金、鉑、銥、 48 321750 201035160 鐵、銖、鎮’最佳為金、鉑、銥、鐵、銖，特佳為金、翻、 銥、銖，又以鉑、銥最佳。 二重態發光錯合物之配位基可列舉8_喹啉酚及其衍 生物、苯并喹啉酚及其衍生物、2_苯基_吡啶及其衍生物等。 _從溶解性之觀點而言，磷光發光性化合物較佳為烷基、 烷氧基、可具有取代基之芳基、可具有取代基之雜芳基等 具有取代基之化合物。該取代紐了氫原子 數較佳在3個以上，更佳在5個以上，最佳在7個= η 1匕個以—上更佳。該取代基較佳存在於每個配位基 中，其種類在每個配位基可相同或不同。 磷光發光性化合物可列舉以下之化合物。 〇 321750 49 201035160

本發明之高分子化合物可含有之「從磷光發光性化合 物衍生之構成單元」為具有將從磷光發光性化合物除去1 個氫原子後餘留之殘基作為取代基之伸芳基或2價芳族雜 環基、從上述磷光發光性化合物除去2個氫原子後餘留之 50 321750 201035160 殘基、從上述磷光發光性化合物除去3個氫原子後餘留之 殘基。該構成單元為從磷光發光性化合物除去3個氫原子 後餘留之殘基時，本發明之高分子化合物在該構成單元分 支。於本發明之高分子化合物中，相對於全構成單元之合 計莫耳數，從磷光發光性化合物衍生之構成單元之合計莫 耳數之比率通常為0. 0001至0. 4，較佳為0. 001至0. 3， 更佳為0. 001至0. 25。 —成為單體之化合物一 式（A)表示之化合物列舉在上述式（1)表示之構成單元 項中例示之構成單元（式1-001至1-018、1-101至卜115、 1-201至1-205表示之構成單元、該等具有取代基之構成 單元）之2個鍵結鍵中之一者經Xal表示之基、另一者經Xa2 表示之基取代而成之化合物。 式（A)表示之化合物之製造方法可使用公知之反應。例 如式（A)表示之化合物可依照下述反應流程（1)合成。

反應流程（1) 51 321750 201035160 以下’說明反應流程（1)之一例。 一步驟（i)— 在氣仿溶劑中，在觸媒量之鐵粉存在下使填對化合物 A1作用’即可合成化合物A(Xal = Xa2 = Br)。 一步驟（ii)一 在四氫呋喃溶劑中，將化合物Α(Γ1=Γ2=Βγ)用鎂片碉 製Grignard中間體，接著經由使2_異内氧基乂 * 5 5_°四 曱基-13,2-二氧雜爛雜環戊院等作用而進行爾酉旨化、或 使三曱氧基硼院、三異丙氧基贼等作用後進行水解而進 行硼酸化，即可合成單體Α(χ^=Γ2=Β(〇Κ21)2)。 一步驟（iii) — 在鹽酸中，在使亞硝酸鈉對化合物A2作用而進行重氮 化後，用溴化鉀處理（Sandmeyer反應）進行碘化，即可合 成化合物A3。 —步驟（iv) — 在四氫呋喃溶劑中藉由鈴木偶合反應使化合物A3及 化合物A4偶合’即可合成化合物α(Γι=Γ2=Βγ)。此時，由 於化合物A3中有作為取代基之溴原子及碘原子存在，故以 選擇性地使碘原子進行反應之條件較佳。該條件記載於

Journal of Organic Chemistry 2005， 70， 3730-3733 。 一步驟（v)— 在四氩吱鳴溶劑中，使異丙氧基氣化鎮之四氫咬喃溶 液對化合物A3作用’調製Grignard中間體，接著經由使 2-異丙氧基-4, 4, 5, 5-四甲基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷等 52 321750 201035160 作用而進行硼酸酯化、或使三曱氧基硼烷、三異丙氧基硼 烧等作用後水解而進行蝴酸化，即可合成化合物A5。 一步驟（vi)— 在四氫呋喃溶劑中藉由鈴木偶合反應使化合物A5及 化合物A6偶合’即可合成化合物a (xal=xa2=；gr)。此時， 由於化合物A3中有作為取代基之溴原子及存在， 化合物A6中有作為取代基之碘原子存在，故以選擇性地使 碘原子進行反應之條件較佳。該條件記載於J〇urnal 〇f 〇 Organic Chemistry 2005, 70， 3730-3733 。 上述式（la)表示之化合物可由在上述反應流程〇)，例 如經過步驟（iii)、（iv)、（ii)合成。 上述式（lb)表不之化合物可由在上述反應流程，例 如經過步驟（iii)、（v)、（vi)、（ϋ)合成。 上述式（lc)表示之化合物可經由使上述反應流程（1) 之化合物A2與芳基破在碳酸鉀、第三丁氧基鈉等驗、觸媒 〇量之^化亞銅、啡琳（phenanthr〇line)或聯〇比咬存在下， 在甲苯冷劑中加熱並使其回流⑽酿打偶合反應）合成。 <組成物> ^發明之組成物係含有：本㈣之高分子化合物、以 及至v 1種選自由電洞輸送材料、電子輸送材料及發光材 料斤，、辦之材料。本㈣之組成物可作為發光材料、電 :輸1料或電子輸送材料使用。於本發明之組成物，本 刀子化合物、電洞輸送材料、電子輸送材料及發 先材枓各者可單獨㈣，亦可兩種以上併用。 321750 53 201035160 於本發明之組成物，「至少1種選自由電洞輪送材料、 電子輸送材料及發光材料所成組群之材料」與本發明高八 子化合物的比率，將本發明之組成物用於發光材料時，相 對於本發明之高分子化合物100重量份，「至少1種選自由 電洞輸送材料、電子輸送材料及發光材料所成紐群之材料 之比率，每種材料通常為0 01至400重量份，較佳為0 0^ 至150重量份。 ’ 電洞輸送材料可列舉作為有機EL元件之電洞材料公 知之聚乙稀十坐及其衍生物、料烧及其衍生物、側鍵或 主鏈具有芳族胺之聚矽氧烷衍生物 、°比唾琳衍生物、芳基 胺订生物、二笨乙烯衍生物、聚苯胺及其衍生物、聚噻吩 =其何生物、聚芳基胺及其衍生物、聚吡咯及其衍生物、 對伸笨基伸乙烯基）及其衍生物、聚（2, 5-伸噻吩基伸乙 及其衍生物等。該等衍生物可具有伸芳基、2價芳族 * %基作為共聚成分（構成單元）。 料八電子輸送材料可列舉作為有機EL元件之電子輸送材 其f知之噚二唑衍生物、I醌二曱烷及其衍生物 、笨醌及 :Ϊ生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰蒽醌 生曱烷及其衍生物、芴醌衍生物、二苯基二氰乙烯及其衍 物、聯笨藏衍生&、8〜羥基喧嘛及其衍生物之金屬錯合 守勿、：从廿一【【 嘥二方基三哄及其衍生物、聚喹啉及其衍生物、聚喹噚 芳及其何生物、聚芴及其衍生物等。該等衍生物可具有伸 冷基/、2價絲雜環基作為共聚成分（構成單元）。 攸發光效率之觀點而言，發光材料較佳為含有上述磷 54 321750 201035160 光發光性化合物之材料。除此之外，上述發光枒料亦可使 用螢光發光性化合物。螢光發光性化合物有低分子螢光材 料、高分子螢光材料。低分子螢光材料通常為在4〇〇至 700nm之波長範圍具有螢光發光之極大峰值之材料，其分 子量通常未滿3000，較佳為100至2〇〇〇，更佳為1〇〇至 1000。 低分子螢光材料可列舉作為有機EL元件之發光材料 公知之萘衍生物、蒽及其衍生物、茈及其衍生物、喹吖啶 〇酮（Quinacridone)衍生物、咕嘲（xanthene)系色素、香豆 素系色素、化青糸色素、三苯基胺衍生物、曙二哇衍生物、 坐并啥琳衍生物、二（苯乙婦基）苯衍生物、二（苯乙烯基） 伸芳基衍生物、吡咯衍生物、噻吩環化合物、吡啶環化合 物、低聚嗟吩衍生物等色素系材料；啥淋紛紹錯合物、苯 并喹啉酚鈹錯合物、苯并噚唑鋅錯合物、苯并噻唑鋅錯合 物、偶氮曱基鋅錯合物、卟琳鋅錯合物、銪錯合物等在中 ◎心金屬具有链、鋅、鈹等或錢、銪、鋼等稀土金屬且在配 位基具有噚二唑、噻二唑、苯基吼啶、苯基笨并咪唑、喹 琳構造等之金屬錯合物等之金屬錯合物系材料。 高分子螢光材料可列舉聚對（伸苯基伸乙烯基）衍生 物、聚噻吩衍生物、聚對伸笨基衍生物、聚矽烷衍生物、 聚乙炔衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯咔唑衍生物、、使作為 上述低分子螢光材料所例示之色素體或將金屬錯合物系發 光材料高分子化而成之材料。 於本發明之組成物，本發明高分子化合物等之各成分 55 321750 201035160 可單獨使用一種，亦可兩種以上併用。 本發明之組成物為含有鱗光發光性化合物之組成物 時，該墙光發光性化合物之比率，相對於本發明之高分子 化合物100重量份，通常為0. 01至80重量份，較佳為0. 1 至5 0重量份。 <溶液> 本發明之溶液為含有本發明之高分子化合物及溶劑 者、或本發明之組成物含有溶劑而成者。該溶液有用於印 刷法等，通常稱為印墨、印墨組成物等。本發明之溶劑必 要時可含有電洞輸送材料、電子輸送材料、發光材料、安 定劑、增稠劑（用以提高黏度之高分子量化合物）、用以降 低黏度之低分子量化合物、界面活性劑、抗氧化劑、本發 明高分子化合物以外之高分子量化合物等。本發明之溶液 中含有之各成分各各可為單獨一種，亦可將兩種以上組合。 關於本發明之溶液中本發明高分子化合物之比率，將 溶液全體作為100重量份時，通常為0. 1至99重量份，較 佳為0. 5至40重量份，更佳為0. 5至20重量份。 本發明溶液之黏度只要依印刷法之種類加以調整即 可，在喷墨印刷法等將該溶液經由喷出裝置喷出時，為了 防止喷出時喷嘴阻塞或飛行彎曲，較佳於25°C為在1至 20mPa · s的範圍。 增稠劑只要是在與本發明高分子化合物相同之溶劑中 為可溶性且不阻礙發光或電荷輸送者即可，可使用高分子 量之聚苯乙烯、高分子量之聚甲基丙烯酸曱酯等。作為增 56 321750 201035160 ，簡使用之化合物，換算成聚苯乙稀之重量平均分子 佳在5xl〇5以上’更佳在〗χ〗〇6以上。 抗氧化劍為用以提昇溶液的保存安定性者。抗氧化剩 只要是在與本發明高分子化合物相同之溶針為可溶性且 不阻礙發光或電荷輸送者即可，列舉苯紛系抗氧 系抗氧化劑等。

、構成本發㈣液之溶劑較佳為可將作為溶質之固形 溶解或均勻分散者。該溶劑可列舉氯仿、m、H 一二乙烷、1，l 2-三氯乙烷、氯苯、鄰二氯苯等氯系溶劑丨 :風咬啥、二Of燒、苯f M等㈣溶劑，· T苯、二〒苯 方族㈣溶劑；環己燒1基環己院、正戊烧、正己貌、 正庚燒、正辛院、正壬燒、正癸燒等腊肪族烴系溶劑；丙 酮、甲基乙基酉同、環己酮、二苯甲綱、苯乙明等_容劑； 乙酸乙g日、乙酸丁g旨、乙基溶纖劑乙酸酯、笨甲酸甲醋、 乙酸苯醋等醋系溶劑；乙二醇、乙二醇單丁謎、乙二醇單 ⑽、乙二趟單甲趟、二甲氧基乙烧、丙二醇、二乙氧基 甲烧、三乙二醇單乙_、丙三醇、1，2-己二醇等多元醇及 ’、行生物甲醇、乙醇、丙醇、異丙醇、環己醇等醇系溶 ^ -曱亞硬（dimethyl suifoxide)等亞颯系溶劑、N—甲 基2 „„比洛咬綱、N，N~:甲基▼癱胺等醯胺系溶射。該等溶 可單獨使用—種，亦可兩種以上併賞、 办劑攸成膜性、元件特性等之觀點而言，較佳併用2 種以上’更佳併用2至3種，最佳併用2種。 本發明之洛液中含有2種溶劑時，其中之1種溶劑可 321750 57 201035160 為在25 C為固體狀態者。從成膜性之觀點而言，1種溶劑 較佳為沸點在180t:以上之溶劑，更佳為在2〇〇t：w上之溶 劑。從黏度之觀點而言，較佳為本發明之高分子化合物可 在60°C以1重量％以上之濃度溶解在2種溶劑之任一種 中，較佳為本發明之高分子化合物可在25°c以1重量％濃 度溶解在2種溶劑中之1種溶劑中。 本發明之溶液中含有2種以上之溶劑時，從黏度及成 膜性之觀點而言，較㈣點最高之溶劑為贿液中全溶劑 重量之40至90重量％、更佳為5〇至9〇重量％、最佳為仍 至85重量。/〇。 本發明之溶液可以重量基準計在丨至麵酬範圍復 含有水、金屬及其鹽、石夕、碟、氣、氯、漠等。上述金屬 列舉鋰、鈉、鈣、鉀、鐵、銅、鎳、鋁、鋅、鉻、錳、鈷、 銘、銀等。 <薄膜> 有 本發明之薄膜為含有本發明高分子化合物之薄膜 發光性薄膜、導電性薄膜、有機半導體薄膜等。、 本=^薄膜可用旋轉塗轉 法舂凹版_法、棒塗佈法、_塗佈法、線棒塗佈法、 本趿口 a〖 印刷法、柔版（fl⑽）印刷 法、膠版印刷法、噴墨印刷法、 法等製作。 毛㈤g塗佈法、喷嘴塗佈 雖因該溶液中含有之 但通常可在10CTC以 使用本發明之溶液製作薄膜時 高分子化合物的玻璃轉移溫度而異 321750 58 201035160 上之溫度（例如13CTC、160。〇烘烤。 光旦==、發光電壓之觀點而言’發光性薄膜之發 里彳+較佳在30%以上，更佳在權以上 又以60%以上更佳。 取佳在50%、 導電性薄膜之表面電阻較佳在1ΚΩ/□以下 100Ω/□以下，最佳在□以下。經由在導電 膜摻雜路易錢、離子性化合物等，即可提高導電度/ Ο ^ tn機半導/體薄膜之電子移動度或電洞移動度較^者較 在 W秒以上’更佳在lO-W/V/Z秒以上 佳在1G.W/V/㈣上。經由在喊有SiQ2等絕緣 閘極電極之絲板上形成該有機半導體薄膜，並以銘等 成源極電極錢極電極，即可製作有機電晶體。… <發光元件> 本發明之發光元件為具有由陽極及陰極所構成之電 極、以及設置於該電極間且含有本發明高分子化合物之有 〇機層之發光元件。上述有機層可為由一層所構成者，亦可 為由兩層以上所構成者，由兩層以上所構成時只要至少有 一層含有上述高分子化合物即可。含有高分子化合物之有 機層通常發揮作為發光層、電洞輸送層、電子阻隔層之機 旎，較佳發揮作為發光層之機能。本發明之發光元件除了 陰極、陽極、發揮作為發光層之機能之有機層（以下，稱為 「發光層」）以外，在該等之間亦可具有其他層。各層可為 由一層所構成者，亦可為由兩層以上所構成者。構成各層 之材料、化合物可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 321750 59 201035160 設置於陽極與發光層之間雷 洞輸送層、電子阻隔層等層可_電洞注入層 -層時為電馳人陽極與發光層之間只設置 上時，鄰接述％極與發光層之間設置兩層以 上時W接〶極之層為電洞注^ ^.π 輸送層。上述電洞注一二r ’除此以外之層為1 之機能之層#從陰極注人電洞 更接近陽極之=電T層為具有改善從電洞注入唐或 輸送層具有阻播電子幹:::能之層。電洞注入層、電洞

^關於具有阻擋電子輪送之機能者，可製作只流入電子 =件’由其電流值之減少確認阻擔效果。 •;陰極與發光層之間之層可列舉電子注入層、電 :輸送層、電洞阻隔層等。陰極與發光層之間只設置一層 ^為電子注入層’陰極與發光層之間設置兩層以上時，鄰 ，丢和之層為電子注人層，除此以外之層為電子輸送層。 電子注入層為具有改善從陰極注人電子效率之機能之層。 ϋ 電子輸送層為具有改善從電子注入層或更接近陰極之層注 入電子之機能之層。電子注入層、電子輸送層具有阻擋電 洞輸送之機能時，將該等之層稱為電洞阻隔層。關於具有 阻擋電洞輸送之機能者，可製作只流入電洞（h〇le)電流之 元件，由其電流值之減少確認阻擔效果。 本發明發光元件之構造可列舉以下幻至d)之構造： a) 陽極/發光層/陰極 b) 陽極/電洞輸送層/發光層/陰極 c) 陽極/發光層/電子輸送層/陰極 60 321750 201035160 d)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/陰極 (此處，/表示各層鄰接層壓。以下亦相同）。 鄰接電極設置之電洞輸送層、電子輪送層中之具有改 善從電極注入電柯（電洞、電子）效率之機能且具有降低一 件驅動電壓之效果者，稱為電荷注入層（電洞注入層: 注入層）。 〇 〇 又’為了提昇與電極之密著性或改善從電極注入電荷， 可鄰接電極設置上述電荷注入層、絕緣層。為了提曰界L 之密著性或防止混合等，可在上述電荷輸送層或發 界面插入薄緩衝層。層壓之層的順序或數目及各層的^产 只要考慮發光效率或元件壽命加以調整即可。 、 設置電荷注入層之本發明發光元件之構造可列舉以下 e)至p)之構造： e)陽極/電荷注入層/發光層/陰極 Ο陽極/發光層/電荷注入層/陰極 g) 陽極/電荷注入層/發光層/電荷注入層陰極 h) 陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層/陰極 i) 陽極/電洞輸送層/發光層/電荷注入層/陰極 J)陽極/電荷注入層/電洞輸送層/發光層 /陰極 k)f極/電荷注入層/發光層/電荷輪送層/陰極 =極/發光層/電子輸送層/電荷注人層/陰極 m)陽極/電荷;主人層/發錢/電子輸送層/電荷注入層 321750 61 201035160 η)陽極/電荷庄人層/電洞輸送層/發光層/電荷輸送只 /陰極 θ 〇)陽極/電洞輸送層/發光層/電子輸送層/電荷注入声 /陰極 θ Ρ)陽極/電荷注人層/•電洞輸送層/發光層/電子輸送層 /電荷注入層/陰極。 陽極通常為透明或半透明，由導電度高之金屬氧化物、 金屬硫化物或金屬之薄膜構成，其中以由穿透率高之材料 構成者較佳。上述陽極之材料使用氧化銦、氧化鋅、氧化 錫及，該等之複合體之銦•錫·氧化物（ITG)、銦•辞•氧 化物等所構成之導電性無機化合物製作之膜⑽Α等）或 金、始 '銀、銅等，較佳為ΙΤ0、銦•鋅·氧化物、氧化 锡。製作上述之陽極可使用真空蒸鑛法、滅錄法、離子鍛 覆法、電鍵法等方法。上述陽極可使料苯胺及其衍生物又、 聚嗟吩及其衍生物等之有機透明導電膜。 〜，陽極之厚度可考慮光的透過性及導電度加以選擇，通 吊為10nm至l〇Mm，較佳為別隨至_，更佳為別⑽ 至 500nm 〇 電洞注入層使用之材料可列舉苯基胺系、星爆 (StarbUm)型胺系、欧青系、氧化飢、氧化翻、氧化舒、 非晶形碳、聚笨胺及其衍生物、㈣吩 及其何生物等導電性高分子等。 電洞注入層使用之材料為導電性高分子時， 該導電性高分子、高分子化合物之導電度，必要時可推雜 321750 62 201035160 =乙稀料離子、烧基苯俩離子、樟㈣酸離子等陰 所說明、；二:使:之:料可列舉作為上述電洞輸送材料 時，較佳Γ 電洞輸送層使用之材料為低分子化合物 、 吏其分散於高分子黏合劑中使用。 之高物用於電洞輪送層時’本發明 等）作h▲ 含有電洞輪送性基（芳族胺基、雀吩基 ❹ Ο :等:分子化合物的構成單元及/或取代基。 味唾’電墙送層使用之制輸送材料除了聚乙烯 族脸夕取1生物、聚矽烷及其衍生物、側鏈或主鏈具有芳 為太#、夕氣烷衍生物、聚芳基胺及其衍生物之外，較佳 為本發明之高分子化合物。 =涧輪送層之成膜方法，上述電洞輸送層使用之材料 ^ - 77子化合物時，可列舉由與高分子黏合劑之混合溶液 、^问分子化合物時，可列舉由溶液成膜。 由岭液成膜使用之溶劑只要能將電洞輸送層使用之材 :斗溶：者即可。該溶劑列舉氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷等 氣系〆合劑’四氫°夫°南等醚系溶劑；甲苯、二甲苯等芳族烴 ^ 丙酮甲基乙基_等酮系溶劑；乙酸乙酯、乙酸 丁酯、乙基溶纖劑乙酸酯等酯系溶劑。 ^在由溶液成膜可使用由溶液之旋轉塗佈法 、澆鑄法、 微、凹版塗佈法、凹版塗佈法、棒塗佈法、報筒塗佈法、線 棒塗佈法、浸潰塗佈法、喷霧塗佈法、網版印刷法、柔版 印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法等塗佈法。 321750 201035160 上述高分子黏合劑較佳為不會極度 光吸收不強者。該高分子黏合劑= ⑽、I丙烯酸醋、聚丙 ， 聚苯乙烯、聚氯乙稀、聚石夕氧烧等1甲基丙細酸甲酉旨、 選擇:;輸:層要考慮驅動電墨及發光效率加以 發光元件的驅動電壓變ΐ會產生針孔之厚度，若太厚，則 為_至°因此’電洞輸送層之厚度通常 發光層二 2咖至500nm，更佳為5⑽至 化合物榮光或鱗光之有機化合物（低分子 W子化合物）及必要時輔助該等之摻雜劑形成。 述發朵發光凡件之發光層含有本發明之高分子化合物、上 材=發光材料為低分子化合物時，較佳使其分 双於阿分子黏合劑令使用。 換雜ΐ 了ί昇發光效率、改變發光波長，發光層中可添加 物/。捧雜劑可列舉蒽街生物、花衍生物、香豆素衍生 υ 衍生Γ婦衍生物、外細衍生物、方酸内鐵（s轉⑺剛） 卜琳衍生物、苯乙稀系色素、揭四苯衍生物、吨 付生物、十環烯、啡II萼哄酮等。 可f光層厚度只要考慮驅動電麼及發光效率加以選擇即 Γ ’通常為2至200nm。 體上^光層的成膜可使用將含有發光材料的溶液塗佈於基 液杰L基體之上方的方法、真空蒸錢法、轉印法等。從溶 如、使用之溶劑與作為從電洞輸送層之溶液成膜之項所 。月'例示者相同。將含有發光材料的溶液塗佈於基體上 321750 201035160 上法可使用旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、噴 法。昇華性之倍八刷法、凹版塗佈法、狹缝塗佈法等印刷 低分子化合物時可使直 . 用藉由雷_行轉e/使用真工讀法。亦可使 層的方法。 絲轉卩，在所麟驗置形成發光 物、使用之材料可列舉本發明之高分子化合 電子輪送材料等。

〇 之高物用於電子輸送層時，本發明 化合物之構成單==、。三°_作為該高分子 二中電子輪送層使用之電子輸送材料較佳為本發 明之回刀子化合物、曙二俯生物、絲及其衍生物、蒽 醌及其衍生物' 8，基料及其魅物之金屬錯合物、聚 喹啉及其衍生物、聚喹噚啉及其衍生物、聚芴及其衍生物。 電子輪送層之成膜，上述電子輸送層使用之材料為低 分子化合物時，可列舉從粉末之真空蒸鍍法、從溶液或溶 融狀悲成膜之方法，上述電子輸送層使用之材料為高分子 化合物時，可列舉從溶液或溶融狀態成膜之方法。從溶液 或溶融狀態之成膜可併用高分子黏合劑。從溶液之成膜只 要與從上述溶液將電洞輸送層成膜之方法相同即可。 電子輸送層之厚度只要考慮驅動電壓及發光效率加以 調整即可，惟，必需為不會產生針孔之厚度，若太厚，則 元件的驅動電壓變高。因此，電子輸送層之膜厚通常為lnm 321750 65 201035160 至1 # m ’較佳為2nm至500nm，更佳為5nm至200mn。 做為電子注入層者’因應發光層之種類，可列舉由鈣 層之單層構造所構成之電子注入層或由1種或2種以上選 自除鈣以外之週期表Μ族及IIA族之金屬且功函數為1.5 至3. OeV之金屬及其金屬氧化物、鹵化物及碳酸化物形成 之層與觸之層壓構造所構成之電子注人層。作為功函數 為1.5至3· 〇eV之週期表IA族之金屬或其氧化物 '齒化 物、碳酸化物可列舉鲤、敗化鐘、氧化鈉、氧化鐘、碳酸 链等作為功函數為1. 5至3. QeV之除外之週期表⑴ 族之金屬或其氧化物^化物、碳酸化物可列舉銷、氧化 鎮、氣化鎂、氟化銷、氟化鋇、氧化鎇、碳酸鎂等。 電子注入層只要藉由蒸鍍法、濺鍍法、印刷法等形成 即可。電子注入層之厚度較佳為lnm至^成 陰極之材料較佳為功函數小且 材料，可❹H鉀、㊈# 人發光層之 或上述金屬中之2福、銪、轼、镱等金屬； 的合金;或是該等中之1種以上 /、金、銀、翻、銅、赶 .. 鈦、始、鎳、鎢、錫中之1種以 =金」：者石墨或石墨層間化合物等。上述合金可列 銀合金、鎮-銦合金、㈣合金、銦—銀合金、鐘- 、°、、鐘'鎮合金、鐘-銦合金、舞，合金等。 Ζ士述陰極作成2層以上層壓構造時，較佳為上述金 屬、金屬氧化物、金屬氟化物 等金屬之層壓構造。 銀、鉻 321750 66 201035160 上述陰極之厚度只要考慮導電度或耐久性加以選擇即 可，通常為1〇nm至1〇_，較佳為2〇nm至_，更佳為 50nm 至 500nm ° 製作陰極使用真空蒸鍍法、賤鍍法、將金屬薄膜熱壓 著之層壓法。陰極製作後亦可安裝保護發光元件之保護 層。為了長期安定地使用發光元件、為了保護該發光元件 免受外部影響，較佳安裝保護層及/或保護罩。 n ㈣層可使用高分子量之化合物、金屬氧化物、金屬 〇乱化物、金屬魏物等。保護罩可使用金屬板、玻璃板、 經在表面實施低透水率處理之塑膠板等。保護可列舉將保 護罩用熱硬化樹脂或光硬化樹脂與元件基板貼合、密閉之 =法。只要使用間隔件維持空間，即可容易的防止元件的 損傷。只要在該空間封人如氮氣或氬氣的惰性氣體 ，即可 防止陰極氧化，又’在該空間内設置氧化鎖等乾燥劑，而 容=地抑制在製造步驟吸附的水分或穿過硬化樹脂渗入的 〇微畺水刀對於元件造成的損傷。較佳採用該等中之任1個 以上的對策。 一本發明之發光π件可作為面狀光源、顯示裝置（區段顯 示裝置、點矩_示裝置）、液晶顯示裝置之背衫使用。 為1使用本發日狀發光元件獲得面狀之發光，只要將面狀 之陽極及陰極以重疊配置即可。為了獲得圖案狀之發光， 有在上述面狀之發光元件表面設置設有圖案狀窗之遮罩的 方法、形成非常厚的非發光部之有機物層而使其實質上為 光勺方去、將陽極或陰極之一者或雙者之電極形成圖 67 321750 201035160 案狀f方法。用該等之任一種方法形成圖案，將數個電極 以可獨立開/關地配置，即可獲得可顯 ^電和 單記號等區段型之顯示元件。又，了子5文子、簡 只要將陽極及陰極一同形成線條狀並件葬 由將複數種發光色不同之高分子化合物分開塗=法藉 =色器或榮光變換咖的方法，可顯示部分彩色、 顯不少彩。點矩陣元件可為被動驅動，亦可盘抓等组人 作成^動驅動。該等之顯示元件可作為電腦、電視、行ς 終:置使Γ電話、汽車導航器、攝影機之取景器等之顯 不裝置使用。上途面狀之發光元件為自發 背:用之面狀光振或面狀之照明用光源: 示裝置使用。 乍為曲面狀之光源或顯 (實施例） 以下，以實施例更詳細說明本發明。 (數平均分子量及重量平均分子量） 於實施例，換算成聚苯乙稀之數平均分子量（Μη)及換 算成聚苯乙烯之重量平均分子量（Mw)藉由GPC(島津製作 公司製造，商品名.’LC-10AVP)求出。測定之高分子化合物 以成為約0.5重量％之濃度溶解於四氫呋喃中，在Gp(：中注 入30# L。GPC之移動相使用四氫呋喃，以6mL/分鐘之 流速流動。管柱為將2支TSKgel SuperHM_H(東曹公司製 造）及1支TSKgel SuperH2000(東曹公司製造）串聯連接。 檢測為使用示差折射率檢測器（島津製作公司製造，商品 68 321750 201035160 名：RID-lOA)。 (高效液相層析法（HPLC)) 匕么 於實施例，成為化合物純度指標之HPLC面積苜& 值藉由高效液相層析法（HPLC，島津製作公司製造’商^ 名：LC-20A)，只要無特別記載，即是求出在254nffl之值。 測定之化合物以成為〇· 〇1至〇. 2重量％之濃度溶解於四氫 呋喃或氯仿中，在HPLC因應濃度而注入1至10//L。ΗΡΐχ 之移動相使用乙腈及四氫呋喃，以lmL/分鐘之流速，以 〇 乙腈/四氫呋喃=100/0至0/100(容積比）之梯度分析流 動。管柱使用Kaseisorb LC ODS 2000(東京化成工業公司 製造）。檢測器使用光電二極體陣列檢測器（島津製作公司 製造’商品名：SPD-M20A)。 (玻璃轉移溫度） 於實施例，玻璃轉移溫度（Tg)經由示差掃描熱量測定 裝 f (DSC、TA Instruments 公司製造，商品名：DSC292〇) 0求出。測定條件為將試樣在2〇〇°C保持5分鐘後急速冷卻 至一 5〇°C，保持30分鐘。將溫度上昇至30°c後以每分鐘昇 溫5°C的速度進行測定至300°C為止。 (螢光特性評估） 於實施例’螢光特性（高分子化合物薄膜之螢光峰值波 長）之評估依以下之方法進行。將高分子化合物豫解於甲苯 (關柬化學公司製造，電子工業用等級）。此時，調製固形 份之濃度使成為0.8重量％，將該溶液在石英板上以 150〇rpm之回轉速度旋轉塗佈，製作高分子化合物之薄 321750 69 201035160 膜。該薄膜以35Onm之波長激發，用榮光分光光度計 (JOBINYVON-SPEX公司製造，商品名：Fluorolog)測定榮 光光譜。 <實施例1> (化合物Ml之合成）

(步驟（la)) 在氬氣環境下，在lOOOmL燒瓶中將3, 5-二溴-4-甲基 苯胺（47. Og、177mmol)、35重量％鹽酸（11 lmL)、離子交換 水（lllmL)混合，於冰浴中冷卻時以約30分鐘滴入將亞硝 酸納（12.9g、186mmol)溶解於離子交換水（約130mL)中而 成之溶液。滴入結束後於室溫攪拌約1小時後再次於冰浴 中冷卻後以30分鐘滴入將破化鉀（30. 9g、186mmol)溶解於 離子交換水（約130mL)中而成之溶液。滴入結束後於室溫 攪拌約3小時後一邊攪拌一邊慢慢加入以另外方法調製之 10重量％碳酸氫鈉水溶液（約1200mL)。加入乙酸乙酯（約 1000mL)萃取，用10重量％亞硫酸鈉水溶液（約450mL)洗淨 有機層，用無水硫酸鎂（50g)乾燥，過濾，將濾液濃縮，獲 得粗生成物（77g)。將上述粗生成物溶解於丙酮（750mL)， 70 321750 201035160 加入活性碳（l〇g)攪拌後過濾，將濾液濃縮。再次溶解於丙 酮（750mL)，加入活性碳（20g)攪拌後過濾，將濾液濃縮， 減壓乾燥析出之固體’獲得黃褐色固體（約50g)。將獲得 之固體溶解於己烷中，加入乙醇晶析，濾取獲得之結晶， 減壓乾燥，獲得白色結晶之中間體2, 6-二溴-4_碘曱苯 (28. 4g、收率 43%、化合物 Mia)。

H-NMR (3 0 0MHz、CDC1,) δ (ppm) =2. 51 (s、3H )、7.83(s、2H) 〇 (步驟（lb)) 在鼠氣％境下將以與上述相同方法合成之化合物Mia (7. 1½、19mm〇l)、4-正丁基苯硼酸（3. 21g、18. Ommol)、 四（三苯膦）鈀（〇)(〇. 44g、0. 38mmol)、碳酸銀（10. 5g、 38mmol)及脫水四氫咬喃（i9〇mL)混合，於遮光下擾拌4小 時後經由使其通過舖上矽藻土之過濾器除去不溶物。將遽 液濃縮’用中壓梦膠管柱層析法（己烧）精製’獲得無色透 ❹明液體之目的物化合物Ml(4· 69g、HPLC面積百分比（紫外 線波長254nm)為99. 6%、收率65%)。 H —NMR (3 0 0MHz、CDC13) δ (ppm) =〇. 94 (t、3H )、1. 31-1. 43 (m、2H)、1. 56-1· 67 (m、2H)、2. 58 (s、3H)、2. 64 (t、2H)、7. 23 (d、2H)、7. 42 ( d、2H)、7.71(s、2H) C—NMR (75MHz、CDC13) δ (ppm) =13. 94、 9 8、2 2. 3 5、2 3· 3 5、1 2 5. 5 0、1 2 6. 71、129. 01、 1 3 0. 08、135· 41、135. 61、141. 47、143· 〇9 <實施例2 > 321750 71 201035160 (化合物M2之合成）

(步驟（2a)) 在氬氣環境下將化合物Mla(18.8g、50. Ommol)、4-曱 苯爛酸（6.80g、50. Ommol)、四（三苯膦）|巴（〇)(2.89g、 2. 5minol)、碳酸銀（27. 6g、l〇〇mm〇i)及脫水四氫吱喃（500mL) 混合，於遮光下在室溫攪拌1小時後於5〇t：加溫，又攪拌 2小時。冷卻至室溫後用己烷（約i〇〇〇mL)稀釋，經由使其 通過舖上矽藻土之過濾器除去不溶物。將濾液濃縮，在獲 得之固體中加入曱醇（約l500mL)，在加熱回流下攪拌3〇 分鐘後冷卻至室溫，經由使其通過舖上矽藻土之過淚器險 去不溶物。將;慮液濃縮，用中壓碎膠管柱層析法（己广）^、 製’獲得白色結晶之目的物化合物M2(11 · 76g、HPLC面 百分比（紫外線波長254nm)> 99. 9%、收率69%)。 積 ^H-NMR (3 0 0MHz, THF-ds) δ (ρ ρ m) =2.·38 (s Η)、2. 60 (s、3Η)、7. 26 (d、2Η)、7. 53 (d ^ 7. 8 5 (s、2Η) ' Η) <實施例3 > 321750 72 201035160 (化合物M3之合成）

Me M2

MeM3 w (步驟（3a)) 在氬氣環境下將化合物M2(ll. 22g、33. Ommol)、雙（頻 哪醇）二硼（bis(pinacolato)diboron)(25. 14g、99mmol)、 [1，Γ -雙（二苯基膦）二茂鐵]二氯化鈀（Η)^. 35g、 1. 65mmol)、l，Γ -雙（二苯基膦）二茂鐵（〇. Mgq. 65_〇1)、 乙酸鉀（9. 72g、99mmol)及脫水1，4-二噚烷（264mL)混合， 在加熱回流下授拌約13小時，再於室溫靜置小時。再 〇久在加熱回流下授拌1小時後加入雙（頻哪醇）二硼 室溫後濾除不溶物 500mL)，於宮、m 〇-68g、6·6_ο1)，在加熱回流下再攪拌3小時。冷卻至 ，濃縮至内容量為約70g，加入己烷（約

收率67%) 晶之目的物化合物M3 長 254nm；i為 99. 0%、 丄遴耜作2次，獲得白色結晶 HPLC面積百分比（紫外線波長 321750 73 201035160 Ή-NMR (3 0 0MHz, THF-ds) δ (ppm) =1. 36 (s, 2 4 H)、2. 43 (s、3H)、2. 7 8 (s、3 H)、7. 14 (d、2 H) 、7. 4 8 (d、2H)、8. 0 5 ( s、2H) <合成例1 > (化合物M4之合成）

(步驟（4a)) 在氬氣環境下，在lOOOmL燒瓶中，在將化合物Mia (22. 6g、60. Ommol)溶解於脫水四氫吱喃（300mL)中而成之 溶液中，於室溫以10分鐘滴入異丙基氣化鎂之四氫呋喃溶 液（Aldrich公司製造，濃度2. OM、60mL)，於室溫攪拌1 小時。在冰浴中冷卻後加入2-異丙氧基-4, 4, 5, 5-四曱基 -1，3, 2 -二氧雜棚雜環戊烧（22. 3g、120ππηο 1)，於室溫授掉 2小時後再次於冰浴冷卻後，滴入0. 1當量濃度鹽酸 (180mL)。用乙酸乙酯（360mL)萃取，有機層用15重量％食 鹽水（180mL)洗淨2次，用無水硫酸納乾燥，過濾、。將遽液 74 321750 201035160 濃縮，加入甲醇析出固體。濾取析出之固體，減壓乾燥， 獲得白色結晶之中間體2, 6-二溴-4-(4, 4, 5, 5-四甲基 -1，3,2-二氧雜硼雜環戊烷一2_基）曱苯（16 3g、收率72%、 化合物M4a)。 m-NMR (3 0 0MHz、CDCl3" (Ppm) =1 33 (s、12 H)、2· 58 (s、3H)、7. 9〇 (s、2H) (步驟（4b)) 在氬氣環境下，在1000mL燒瓶中將4_溴_第三丁基苯 〇 (l25g、587mm〇l)溶解於脫水四氫呋喃（470mL)，冷卻至-70 C時以90分鐘滴入正丁基鋰/己烷溶液u. 6M、367mL、 587mmol)，接著攪拌2小時’調製4_第三丁基苯基鋰/四 氫σ夫11南溶液。 另外，在氬氣環境下，在2〇〇〇‘燒瓶中使氰脲醯氯 (50. 8g、276mmol)溶解於脫水四氫呋喃（468mL)，冷卻至 C。於其中，將先前調製之4_第三丁基苯基鋰/四氫呋喃 〇溶液全量以内溫保持在-6 0 〇c以下的速度滴入。滴入結束後 於-40°C攪拌4小時，接著於室溫攪拌4小時。在獲得的反 應混合物中慢慢地加入離子交換水（5 〇 m L)後減壓蒸餾除去 溶劑。將離子交換水（約l〇〇〇mL)及氣仿（約2〇〇〇mL)加入至 獲得的殘渣，萃取有機層，再用離子交換水（約1〇〇〇mL)將 有機層洗淨後減壓蒸餾除去溶劑。將乙腈（6〇〇mL)加入至獲 得的殘渣，在加熱回流下攪拌後經由熱時過濾，濾除不溶 物。將濾、液減壓濃縮至約lQQmL，再使其冷卻至，析 出固體，濾取。將獲得的固體溶解於氣仿（2〇〇mL)/己烷 321750 75 201035160 (600mL)混合溶劑，用矽膠管柱層析法（展開溶劑：氯仿/ 己烷）精製’再從乙腈再結晶，獲得白色結晶之目的物中間 體4, 6-雙（4-第三丁基苯基）_2_氣―丨，3, 5_三畊（41. 3g、 109mmol，收率 39%、化合物 M4b)。 [H-NMR (3 0 0MHz, CDC13) , δ (ppm) =1. 39 (s, 1 8H)、7· 56 (d、4H)、8· 54 (d、4H) LC/MS (A PPI, positive) m/z+=3 8 0 [M+H]+〇 (步驟（4c)) 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將化合物M4a(7. 52g、 20. Ommol)、化合物 M4b(9. 12g、24. Ommol)、四（三苯膦） 鈀（0)(2. 32g、2. Ommol)、碳酸銀（16· 5g、60mmol)及脫水 四氫呋喃（160mL)混合，在遮光下、加熱回流下攪拌33小 時。反應結束後用甲苯（400mL)稀釋後濾除不溶物。將濾液 濃縮，加入乙腈（2〇〇mL)，在回流下攪拌1小時後冷卻至室 溫，濾取析出的固體，減壓乾燥，獲得粗生成物。用中壓 矽膠管柱層析法（己烷/氣仿=98/2至70/30)精製後用 曱苯-乙腈反覆進行再結晶3次’獲得白色結晶之目的物化 合物M4(2. 46g、HPLC面積百分比（紫外線波長254nm)為 99. 6%、收率 21°/。）。 Ή-NMR (3 0 0MHz, THF~d8) 6 (ppm) =1 43 8H)、2. 68 (s、3H)、7. 65 (d、4H)、8. 67 (d、4H) 、8. 8 9 (s、2H) <實施例4> (化合物M5之合成） 321750 76 201035160

(步驟（5a)) 在氬氣環境下，在安裝有迪安-斯塔克（Dean-Stark) 〇 脫水裝置之200mL燒瓶中將3, 5-二溴-4-曱基苯胺（5. 30g、 20. OmmoL)、氯化亞銅（1)(0. 99g、lOmmol)、1，10-啡啉 (1. 80g ' l〇mm〇i)、氫氧化鉀（8. 98g、160mmol)、4-第三丁 基峨笨（16. lg、62mmol)及脫水甲苯（40mL)混合，在一邊於 130 c之油浴中加熱一邊擾拌約8小時下，一邊進行回流一 邊進行脫水。用甲苯（2〇〇mL)稀釋，冷卻至室溫後經由使其 通過舖上矽藻土之過濾器，濾除不溶物。在濾液中加入活 ❸性白土（和光純藥公司製造，40g)，於室溫攪拌}小時後反 ，進行將固體濾除之操作3次後將濾液濃縮，加入己烷將 析出’滤取°將獲得的固體用甲苯-曱醇再結晶，再用 甲本-乙醇再結晶，接著，用中壓矽膠管柱層析法（己烷） 2衣後再次用甲苯-甲醇再結晶’獲得白色結晶之目的物化 。物Μ5(5· 70g、HPLC面積百分比（紫外線波長254nm)> 99. 9%、收率 54%)。 321750 77 201035160 —NMR (3 0 0MHZ、THF-d8) δ (Ppm) =1· 33 (s . 8H)，2. 49 (s、3H>，7. 01 (d、4H)、7· 16 “、二. 、7. 3 6 (d、4H) <實施例5> (化合物M6之合成）

(步驟（6a)) 在氬氣環境下，在200mL燒瓶中將化合物叽“丨88g、 5. 00mmol)、N-[4’ -(4, 4’ 5, 5-四甲基-1，3, 2_二氧雜硼雜環 戊娱：-2-基）苯基]吟唾（1· 85g、5· OOmmol)、四（三笨膦）纪 (0) (0. 29g、0· 25mmoi)、碳酸銀（2. 76g、1〇ππη〇υ及脫水 四氫呋喃（50mL)混合’於遮光下在室溫授拌2小時後再在 加熱回流下攪拌5小時。反應結束後用甲笨（lOOmL)稀釋， 經由使其通過舖上矽藻土之過濾器除去不溶物。將濾液濃 縮，用中壓矽膠管柱層析法（己烷/氯仿二1〇〇/〇至70/30) 精製後用曱苯-乙醇再結晶，再用甲苯-己烷再結晶，獲得 白色結晶之目的物化合物Μ6(1· 13g、HPLC面積百分比（紫 78 321750 201035160 外線波長254nm)為99. 3%、收率37%)。 之合成）

<合成例2 (化合物M7

Me

BrX^TBr M7 在氬氣環境下’在iOOOniL燒瓶中，在鎂片（19 45g、 800腿〇1)中依序加入少量之脫水四氫咬喃及u—二填乙 烷（1· 50g、8mmol)。藉由發熱及發泡而確認鎂活化後以約 2小時滴入將2, 6 —二漠曱苯（49· 99g、200mn!〇l)溶解於脫水 四氫吱喃⑽mL)中而成之溶液。滴人結束後藉由_之 油浴加熱，在回流下授拌1小時。移開油浴，用脫水四氳 〇咬喃（400mL)稀釋，再於冰浴冷卻，加入2_異丙氧基 79 321750 201035160 接著，在粗生成物之合計中加入甲醇（74〇mL)，用85 °C之油浴在加熱回流下攪拌1小時。移開油浴，一邊攪拌 一邊冷卻至室溫後濾取固體，用曱醇（1〇〇mL)洗淨，減壓乾 燥，獲得白色結晶（59· 7g)。加熱使經乾燥之結晶溶解在異 丙醇（780mL)中後以靜置的狀態慢慢冷卻至室溫，析出結 晶，濾取，用甲醇（l〇〇mL)洗淨，於50°c減壓乾燥一晚， 獲付白色結晶之目的物化合物M7 ( 5 0. 8g、HPLC面積百分比 (紫外線波長254nm)為99. 8%、收率37%)。 'H-NMR (3 0 0MHz, CDC13) δ (ppm) =1. 34 (s, 24 H)、2. 7 4 (s、3H)、7‘14( t、1H)、7. 79 (d、2H) <合成例3 > (化合物CM1之精製）

U CM1 將市售的1，3-二溴苯以減壓蒸餾精製，獲得GC面積 百分比值>99. 9%之1，3-二溴苯（化合物CM1)。 <合成例4 > (化合CM2之合成） 80 321750 201035160

Br 〇€ 在氣氣環境下’在30OinL燒瓶中將1,4-二己基-2, 5_ 二漠苯（化合物CM2a、8. 08g、20. Ommol)、雙（頻哪醇）二 硼（12. 19g、48. Ommol)、[1，Γ -雙（二苯基膦）二茂鐵]二氯 ❹化把（11)(0. 98g、l. 2mmol)、乙酸钾（11. 78g、120. Ommol) 及脫水1,4-二曙院（10OmL)混合，在加熱回流下擾拌6小 時。加入曱苯及離子交換水，分液，用離子交換水洗淨。 加入無水硫酸納及活性碳，用預塗梦藻土之漏斗過遽。將 濾液濃縮，獲得粗生成物（11. 94g)。用己烷再結晶，用甲 醇將結晶洗淨。使獲得之結晶減壓乾燥，獲得白色針狀結 晶之目的物1,4-二己基-2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四曱基-1,3,2-❹二氧雜硼雜環戊烷-2-基）苯（4. 23g、收率42%、化合物 CM2)。 —NMR (3 0 OMHz、CDC 13)、 δ = 0 9 5 (t、6 Η)、1 • 39 〜1. 42 (bd、3 6 Η)、1. 62 (m、4 Η)、2. 88 (t、4 Η)、7. 5 9 (b d、2H) LC/MS(ESI posi KC1 添加）：[M+K]+ 573 LC/MS(ESI posi KC1 添加）：[M+K]+573 <合成例5 > (化合物CM3之合成） 81 321750 201035160

(步驟（C3a)) 在氬氣環境下，在經遮光之300mL圓底燒瓶中將丨，4-二異丙基苯（24. 34g、UOmmo1)、鐵粉（〇· 838g、15inmo1)、 脫水氣仿（40mL)、三氟乙酸（1.71§、15mmo1)混合攪拌’於 冰浴冷卻時以30分鐘滴入溴（55.匕、34511111101)之脫水氣仿 (92mL)稀釋溶液，於冰浴冷卻下再搜拌5小時進行反應， 將獲得反應液。反應結束後將1〇重量％氫氧化鈉水溶液於 冰浴冷卻時慢慢加入上述之反應液’再攪拌15分鐘。經由 分液將有機層與水層分離，從水層用氯仿（l〇〇mL)萃取，合 併獲得之有機層後加入1〇重量％亞硫酸鈉水溶液（2〇〇乩）， 於室溫攪拌30分鐘。此時，有機層的顏色從淡黃色變成大 致，色透明。經由分液除去水層，將獲得之有機層用15 ，篁％食鹽水（2_L)洗淨’用無水硫酸鎂⑽g)乾燥，減壓 浪縮蒸鎌去溶劑，獲得淡黃色油狀物約47g。加入乙醇 ^)，搖動混合使均勾後在儀之冷凌庫靜置3小時， 斤出結晶，遽取，用少量之甲醇洗淨’於 免3〇,白色結晶之目的物二漠〜 WU· 8g、收率 64%、化合物 CM3a)。 δ==1. 24 (d、12H)、 ^-NMR (3 0 0MHz, C〇Cl ) 3 ' \ 3. 30 (m、2H)、7· 5〇 (s、2H) 321750 82 201035160 ' (步驟（C3b)) 在氬氣環境下’在lOOOmL燒瓶中，在鎂片（9 724g 400丽〇1)中依序加入少量之脫水四氫吱喃及1，二、、臭乙 烷（0. 75g、4mmol)。藉由發熱及發泡而確認鎂活化後以約 1小時滴入將上述化合物CM3a(32· 〇g、lOOmmol)溶解於脫 水四氫吱喃（100mL)中而成之溶液。滴入結束後藉由8〇。〔 之油浴加熱，在回流下攪拌1小時。移開油浴，用脫水四 氫呋喃（200mL)稀釋，再藉由冰浴冷卻，加入2__異丙氧義 〇 _4’ 4, 5, 5_四曱基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷（74. 4g、 400mm〇l)。移開冰浴，於80〇C之油浴加熱，在回流下攪拌 1.5小時。移開油浴，再於冰浴冷卻後，加入飽和氯化銨 水溶液（25mL)，攪拌30分鐘。移開冰浴，加入己燒 (2000mL)，劇烈攪拌30分鐘。停止攪拌，直接靜置15分 鐘後藉由舖滿石夕膠之玻璃過濾器過濾，用己烷（1〇〇〇mL)將 梦膠洗淨，將合併之濾液減壓濃縮，獲得粗生成物 〇 (59.0g)。以上述8成之比例進行同樣的操作，獲得粗生成 物（44.8g)。 在粗生成物合計（103.8g)中加入曱醇（52〇mL)，用乃 °C之油浴在加熱回流下攪拌丨小時。移開油浴，一邊攪拌 一邊冷卻至室溫後濾取固體，用甲醇（1〇〇mL)洗淨，減壓乾 燥，獲得白色結晶（48,8g、HPLC面積百分比（紫外線波長 254nm)為93. 3%)。加熱使經乾燥之結晶溶解在異丙醇 (690mL)中後以靜置的狀態慢慢冷卻至室溫，析出結晶，濾 取，用甲醇（50mL)洗淨，於50。〇減壓乾燥一晚，獲得白色 321750 83 201035160 結晶之目的物1，4-二異丙基-2, 5-雙（4, 4, 5, 5-四曱基 -以”-二氧雜硼雜環戊烷-卜基戌⑷^^肝…面積百 分比（紫外線波長254nm)為99. 8%、收率60%、化合物CM3)。 H NMR (3 0 0MHzs CDC13) , δ = ΐ. 23 (d, 1 2 Η) , 1 .34 (s、24Η)、3· 58 (m、2Η)、7· 61 (s、2Η) <合成例6 > (發光材料ΕΜ-Β:銥錯合物之合成（ψ〇〇2/066552記載 的合成法）） 在惰性氣體環境下將2-溴吼啶及1. 2當量之3-溴苯基 蝴酸藉由鈴木偶合反應（觸媒：四（三笨膦）纪（〇)、驗：2Μ 碳酸鈉水溶液、溶劑：乙醇 '曱苯），獲得下述式表示之 2-（3’ -溴苯基）π比。定。

接著，在惰性氣體環境下將三溴苯及2. 2當量之4-第 三丁基苯基硼酸藉由鈐木偶合反應（觸媒：四（三苯膦）鈀 (〇)、鹼：2Μ碳酸鈉水溶液、溶劑：乙醇、甲苯），獲得下 述式表示之溴化合物。

在惰性氣體環境下，將該溴化合物溶解於無水THF中 84 321750 201035160 後冷卻至-78°C，滴入稍稍過量的第三丁基鋰。冷卻下再滴 入B(0C4H9)3，於室溫進行反應。將獲得的反應液用3M鹽 酸水進行後處理後，獲得下述式表示的硼酸化合物。

在惰性氣體環境下將2-(3’ -溴苯基）吼啶及1. 2當量 之上述硼酸化合物藉由鈐木偶合反應（觸媒：四（三苯膦） 〇 鈀（0)、鹼：2M碳酸鈉水溶液、溶劑：乙醇、甲苯），獲得 下述式表示之配位基（亦即，成為配位基之化合物）。

在氬氣環境下饋入上述配位基及4當量的IrCl3*3H2〇、 q 2-乙氧基乙醇、離子交換水並使其回流。將析出的固體抽 吸過濾。將獲得之固體依序用乙醇、離子交換水洗淨後乾 燥，獲得下述式表示的黃色粉體。 85 321750 201035160 t-Bu t-Bu

在氬氣環境下，在上述黃色粉體中加入2當量的上述 配位基，在二醇系溶劑中加熱，獲得下述式表示之銥錯合 物（發光材料EM-B)。 t-Bu t-Bu

86 321750 201035160 1H NMR (300MHZ ， CHC13) δ 7.04 (br, 3 H 12 Η), δ 7.61-8. 03 (d, J = 7. δ 1.38 (s，54 H)，δ 6.93 (dd, J = 6.3，6.6 Hz, 3 h) )，δ 7.30 (d，J = 7.9 Hz, 3 Η), ό 7.48 (d，j = 7 3 Hz 7.70 (m, 21 Η), δ 7.82 (s, 6 Η) , δ 8.01 (s> 3 H) g 9 Hz, 3 H). LC/MS(APCI p〇si):[M+H]+ i677 〈實施例6 > (高分子化合物PI之合成） ^ 在氮氣環境下，在l〇0mL燒瓶中將2, 了_雙（1 3 2-二 氧雜硼雜環戊烷—2-基）-9, 9-二辛基芴（53〇. 5呢、 1. OOOmmol)、化合物 Ml(382mg、1. 00mm〇1)及甲苯（1〇mL) 的混合物加熱至90。(： ’加入乙酸鈀（0 7mg、3#m〇1)、三 (2—甲氧基苯基）膦（2.lmg、6/z mol)、20重量％氫氧化四乙 銨水溶液（3. 3mL、4. 7mmol)，再經由加熱，在回流下攪拌 約30小時。 接著加入苯硼酸（0. 12g、l.〇mmol)、乙酸鈀（0.3mg、 Ο 、二（2_甲氧基苯基）膦（2. lmg、6/zmol)，-邊 加熱至105°c 一邊在回流下擾拌約8小時。 又’加入將N，N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 (0.61g)溶解於離子交換水（6mL)中而成之溶液，一邊 加熱 至85Ϊ —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約13mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約i3mL)洗淨2 次、離子交換水（約13mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使南分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 87 321750 201035160 :::甲,(31mL)中後’使其通過經預先使甲苯通過之矽 ::及聽紹管柱，在曱醇（155mL)中滴入獲得之溶液 ^刀子化合物沉殿’遽取、乾燥’獲得高分子化合物 —.峋、高分子化合物P1)。高分子化合物ρι之換 礼稀之數平均分子量（Mn)及重量平均分子量（Mw)，、 1· 9x10、Mw=3.4xlG4 ’玻璃轉移溫度為12代，薄膜 ，蜂值波長為4G4mn。從單體之饋人比推定高分子化合 1為具有以下構成單元及莫耳比之交替共聚物。

= 50/50 <實施例7> (向分子化合物P2之合成） 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將2 7_雙（4 4 四甲基〜，2-二氧雜娜環戊燒_2_基）_9,9_二辛基苟 另田3:2呢、h 4"關〇1)、化合物 M2⑸0. lmg、L 500mmol) 4(15mL)的混合物加熱至9〇。。，加入乙酸鈀(〇·5呃、 曰。〜m〇1)、三（2_ 甲氧基苯基）膦（3.2mg、9//m〇i)、2(^ 氫氧化四乙銨水溶液（5mL、7mm〇1)，再經由加熱，在回 流下攪拌約25小時。 接著加入溶解於甲苯（15mL)中之苯硼酸（18. 3mg、 .I5〇mm〇i)、乙酸飽（〇. 5mg、2. 3//mol)、三（2_甲氧基苯 基）膦（3. 9# m〇i)、氯化三辛基甲基銨（商品名： 321750 88 201035160

Aliquat 336，ALDRICH 公司製造）（〇. 19g)、17. 5 重量％碳 酸鈉水溶液（8. 2mL)，一邊加熱至l〇5°C—邊在回流下攪拌 約21小時。 又，加入將N，N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 (〇.91g)溶解於離子交換水（9mL)中而成之溶液，一邊加熱 至85°C —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約20mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約20mL)洗淨2 r\ v 次、離子交換水（約20inL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於曱苯（47mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管柱及氧化鋁管柱，在甲醇（233mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (〇. 67g、高分子化合物P2)。高分子化合物p2之換算成聚 苯乙烯之數平均分子量（Mn)及重量平均分子量（Mw)， ❹Mn=3. 1x10、Mw=9· OxlO4，玻璃轉移溫度為189〇c，薄膜之 螢光峰值波長為402mn。從單體之饋入比推定高分子化合 物P2為具有以下構成單元及莫耳比之交替共聚物。

<實施例8> (高分子化合物P3之合成） 321750 89 201035160 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將2, 7-雙（1，3, 2-二 氧雜硼雜環戊烷-2-基）-9, 9-二辛基芴（1. 5915g、 3. OOOmmol)、化合物 M5(l. 5881g、3. OOOmrool)及甲苯（3〇mL) 的混合物加熱至9〇°C，加入乙酸鈀（1. Omg、4. 5/ζιη〇ι)、 三（2-曱氧基苯基）膦（6. 3mg、18#mol)、20重量％氫氧化 四乙銨水溶液（l〇mL、14mmol)，再經由加熱，在回流下攪 掉約20小時。 接著’加入苯硼酸（〇. 366g、3. Ommol)、乙酸鈀（1. 〇mg、 4. 5/zmol)、三（2-曱氧基苯基）膦（6. 3mg、18/zmol)，一邊 加熱至105°C —邊在回流下擾拌約4小時。 接著加入溴苯（0. 66g、4. 2mmol)、乙酸鈀（1. Omg、4. 5 # mol)、三（2-曱氧基苯基）膦（6. 3mg、18 μ mol)，一邊加 熱至105 C —邊在回流下授拌約4小時。 又，加入將N，N-二乙基二硫代胺基曱酸鈉三水合物 (1. 83g)溶解於離子交換水（i8mL)中而成之溶液，一邊加熱 至85C —邊授摔2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約40mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約40mL)洗淨2 次、離子交換水（約40mL)洗淨2次。在曱醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於甲苯（93mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之石夕 膠管柱及氧化鋁管柱，在甲醇（465mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (1.87g、高分子化合物P3)。高分子化合物p3之換算成聚 321750 90 201035160 苯二烯,數平均分子量(Mn)及重量平均分子量㈣， 〇 Mw~3· 2xl〇4 ’破璃轉移溫度為137t：，薄膜之 螢光峰值波長為41_。從單體之饋人比推定高分子化合 物為’、有以下構成單元及莫耳比之交替共聚物。

50/50 (高分子化合物P4之合成） 在氮氣壤境下’在200mL燒瓶中將2, 7-雙（4,4, 5, 5-四甲基-1，3’ 2-二氧雜硼雜環戊烷_2_基）_9, 9_二辛基芴 (1. 2851mg、2· 000mm〇1)、化合物 CM2a(646· 8mg、 1· 600mmol)、化合物 M5(211. 7mg、〇· 4〇〇mm〇1)及甲笨（4〇mL) 的/tc* 口物加熱至90 C，加入乙酸把（〇. gmg、4# m〇i)、三 O (2—甲氧基笨基）膦（5. 6mg、16/zmol)、20重量％氫氧化四 乙錢水;谷液（6. 6mL、9. 4mmol),再經由加熱，在回流下授 掉約6小時。 接著加入溶解於甲苯（20mL)中之苯硼酸（25. 7mg、 〇. 200mmol)、乙酸絶（〇. gmg、4#m〇i)、三（2-甲氧基苯基） 膦（5. 6mg、16mol)、2〇重量％氫氧化四乙銨水溶液 (6.6mL 9.4mmol)，一邊加熱至一邊在回流下授掉 約16小時。 又’加入將N，N~二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 91 321750 201035160 (1. 22g)溶解於離子交換水（20mL)中而成之溶液，一邊加熱 至85°C —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約26mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約26mL)洗淨2 次、離子交換水（約2 6mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於甲苯（62mL)中後，使其通過經預先使曱苯通過之矽 膠管柱及氧化铭管柱，在曱醇（310mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (1. 14g、高分子化合物P4)。高分子化合物P4之換算成聚 苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)，

Mn=4. 5xl04、Mw=8. 5xl05，玻璃轉移溫度為56°C，薄膜之 螢光峰值波長為405nm。從單體之饋入比推定高分子化合 物P4為具有以下構成單元及莫耳比且由（PA)之構成單元 與選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。 (PA) 乂之〇~ =5〇

CeHi7 C8H17

= 40/10 <實施例10> (高分子化合物P5之合成） 92 321750 201035160 在氮氣環境下，在2〇〇mL燒瓶中將2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四甲基-1，3, 2-二氧雜硼雜環戊烷_2_基）_9, 9_二辛基芴 (1. 2851mg、2. 000mm〇i)、化合物 CM2a(646_ 8mg、 L 600mmol)、化合物 M4(238. 3mg、0. 400mmol)及曱苯（40mL) 的此合物加熱至9〇。〇，加入乙酸鈀（〇. 9mg、4#m〇i)、三 (2-甲氧基苯基）膦（5.6mg、16#m〇1)、2〇重量％氫氧化四 乙銨水溶液（6. 6mL、9. 4imnol)，再經由加熱’在回流下攪 拌約6小時。 接著加入溶解於甲苯（20mL)中之苯硼酸（25. 7mg、 0.200111111〇1)、乙酸鈀（0.9鸭、4//111〇1)、三（2一甲氧基苯基） 麟（5· 6mg、16#m〇i)、2〇重量％氫氧化四乙銨水溶液 (6. 6mL、9.4mmol)，一邊加熱至105。〇 一邊在回流下攪拌 約16小時。 又，加入將N，N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 (1. 22g)溶解於離子交換水（2〇mL)中而成之溶液，一邊加熱 ❹至85°C —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約26mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約26mL)洗淨2 次、離子交換水（約26mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱卜濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於甲苯（62mL)中後，使其通過經預先赞，甲w势逐過之矽 膠官柱及氧化鋁管柱’在甲醇（310mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (1. 14g、高分子化合物p5)。高分子化合物p5之換算成聚 93 321750 201035160 苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)，

Mn=5. 6xl04、Mw=l. 2xl05，玻璃轉移溫度為75°C，薄膜之 螢光峰值波長為403nm。從單體之饋入比推定高分子化合 物P5為具有以下構成單元及莫耳比且由（PA)之構成單元 與選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。

<實施例11> (高分子化合物P6之合成） 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將化合物CM2(797. 4mg、 1. 600mL)、化合物 M3(173. 7mg、0· 400mmol)、2, 7-二溴 -9, 9-二辛基芴（658. lmg、1. 200mmol)、2, 7-二溴-9, 9-雙 (4-曱基苯基）芴（20L7mg、0.400mmol)、4,4’-二溴-4”-第二丁基三苯基胺（183.7mg、0· 400mmol)及曱苯（40mL)的 混合物加熱至90°C，加入乙酸妃（0· 9mg、4/imol)、三（2-甲氧基苯基）膦（5. 6mg、16/z mol)、20重量％氫氧化四乙銨 水溶液（6. 6mL、9. 4mmol)，再經由加熱，在回流下擾拌約 6小時。 94 321750 201035160 接著，加入溶解於甲苯（20mL)中之苯硼酸（25.7mg、 0. 200mmol)、乙酸把（〇· 9mg、4/zmol)、三（2-曱氧基苯基） 膦（5. 6mg、16/zmol)、20重量％氫氧化四乙錢水溶液 (6. 6mL、9. 4mmol)，一邊加熱至105°C—邊在回流下授拌 約16小時。 又’加入將Ν,Ν-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 (1. 22g)溶解於離子交換水（2〇mL)中而成之溶液’一邊加熱 至85°C —邊擾拌2小時。 ^ 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約26mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約26mL)洗淨2 次、離子交換水（約26mL)洗淨2次。在曱醇中滴入有機層 使高分子化合物沉殿，濾取、乾燥’獲得固體。將該固體 溶解於曱苯（62mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管柱及氧化鋁管柱，在曱醇（31 OmL)中滴入獲得之溶液使 兩分子化合物沉澱，濾取、乾燥’獲得高分子化合物 〇 (〇.99g、南分子化合物P6)。高分子化合物P6之換异成聚 苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)， Μη：=4· Οχίο4、Mw=7 5xl〇4，玻璃轉移溫度為90°C，薄膜之 榮光峰值波長為402nm。從單體之饋入比推定高分子化合 物P6為具有以下構成單元及莫耳比且由選自（PA)之構成 單元與選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。 95 321750 201035160

<實施例12> (高分子化合物P7之合成） 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將2, 7-雙（4, 4, 5, 5-四甲基_1，3，2-二氧雜删雜環戊烧-2-基）-9，9-二辛基苟 (771. lmg、1. 200mmol)、2, 7-雙（1，3, 2-二氧雜糊雜環戊烧 -2-基）-9, 9-二己基芴（142. 3mg、0. 300mmol)、化合物 CM2a(303_ 2mg、0· 750mmol)、化合物 M2(102. lmg、 0· 300mmol)、化合物 M4(178. 7mg、0· 300mmol)、化合物 M5(79. 4mg、0. 150mmol)及曱苯（30mL)的混合物加熱至90 °C，加入乙酸I巴（0.7mg、3//mol)、三（2 -曱氧基苯基）膦 (4. 2mg、12//mol)、10重量％氫氧化四乙銨水溶液（10mL、 7mmo 1 )，再經由加熱，在回流下擾拌約16小時。 接著加入溶解於曱笨（15mL)中之苯硼酸（19. 3mg、 0. 150mmol)、乙酸飽（0. 7mg、3/zmol)、三（2-甲氧基苯基） 膦（4. 2mg、12/zmol)、10重量％氫氧化四乙敍水溶液（lOmL、 7mmol)，一邊加熱至105°C—邊在回流下攪拌約9小時。 又，加入將N，N-二乙基二硫代胺基曱酸鈉三水合物 96 321750 201035160 ^ (0. 91g)溶解於離子交換水（16mL)中而成之溶液’一邊加熱 至85°C —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約20mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約20mL)洗淨2 次、離子交換水（約20mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉殿，滤取、乾燥’獲得固體。將該固體 溶解於曱苯（47mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管柱及氧化鋁管柱，在甲醇（233mL)中滴入獲得之溶液使 ^ 高分子化合物沉殿，滤取、乾燥，獲得高分子化合物 (〇.77g、高分子化合物P7)。兩分子化合物P7之換算成聚 苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（mw)， Mn=2.2xl04、Mw=4. OxlO4,玻璃轉移溫度為117〇c，薄膜之 螢光峰值波長為406nm。從單體之饋入比推定高分子化合 ，P7為具有以下構成單元及莫耳比且由選自⑽之構成° 單元與選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。 〇 (pa)

CbH17 CeH^/ Cef+o^CgH^ :dn/ln (PB) _PeHi3 / We / Me . Me 25/10/10/5 ci^/A/ ^ / A 13 <實施例13> (高分子化合物P8之合成） 321750 97 201035160 在氮氣環境下，在200mL燒瓶中將化合物CM3(1. 288g、 3. lllmmol)、化合物 M7(26〇. 9mg、0. 760mmol)、2, 7-二溴 _9,9—二辛基芴（2.009mg、3.550mmol)、4,4，-二溴-4n-第 二丁基三苯基胺（〇· 104mg、0. 230mmol)、曱苯（38mL)、乙 酸把（0. 85mg、3. 8/zm〇i)、三（2-甲氧基苯基）膦（5. 3mg、 15//111〇1)及20重量％氫氧化四乙銨水溶液（12.811^、18111111〇1) 在回流下擾掉約21小時。 接著加入溶解於曱苯（5. 7mL)中之苯硼酸（46. 5mg、 〇· 4_〇1)、乙酸鈀（〇. 85mg、3. 8/zmol)、三（2-甲氧基苯基） 膦（5. 3mg、15//mol)，一邊加熱至105 eC—邊在回流下撲： 摔約15小時。 又’加入將N，N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 (2 · 1 g) >谷解於離子交換水（42mL)中而成之溶液，一邊加熱 至85°C —邊授拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約50mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約50mL)洗淨2 次、離子交換水（約5〇mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於曱苯（117mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管桂及氧化紹管柱’在曱醇（585mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (1. 73g、高分子化合物P8)。高分子化合物p8之換算成聚 苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)， Μη=5· 1χΐ〇4、mw=i. 2xl05，玻璃轉移溫度為i〇8°c，薄膜之 98 321750 201035160 螢光峰值波長為396nm。從單體之饋人比推定高分子化合 tP8為具有以下構成單元及莫耳比且由選自（PA)之構成 單元及選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。

o (PB)

= 47/3 <合成例7 > (高分子化合物CP1之合成） 在氮氣環境下，在l〇〇mL燒瓶中將L 7-雙（1, 3, 2-二 氧雜硼雜環戊烷-2-基）-9, 9-二辛基芴（795. 8mg、 h 500mmo1)、化合物 CMl(354mg、1. 50mmol)及甲苯（15mL) 〇 的混合物加熱至9(TC，加入乙酸鈀（1. Omg、4. 5#111〇1)、 —(2-甲氧基苯基）膦（3. 2mg、9/zm〇l)、20重量％氫氧化四 乙銨水溶液（5mL、7mmol)，再經由加熱，在回流下攪拌約 21小時。 接著加入溶解於甲苯（15mL)中之苯硼酸418. 3mg、 〇. 150mmol)、乙酸鈀（0 5mg、2.3//mol)、三Ο甲氧基苯 基）膦（3. 2mg、9#mol)，一邊加熱至105°C—邊在回流下 攪拌約8小時。 又’加入將N，N-二乙基二硫代胺基甲酸鈉三水合物 99 321750 201035160 (0. 91 g)溶解於離子交換水（9mL)中而成之溶液，一邊加熱 至85°C —邊攪拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約20mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約20mL)洗淨2 次、離子交換水（約20mL)洗淨2次。在曱醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於甲笨（47mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管柱及氧化鋁管柱，在曱醇（233mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉殿，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 (0. 57g、高分子化合物CP1)。高分子化合物CP1之換算成 聚苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（Mw)， Mn=3. OxlO4、Mw=7. OxlO4，玻璃轉移溫度為89°C，薄膜之 螢光峰值波長為397nm及415nm。從單體之饋入比推定高 分子化合物CP1為具有以下構成單元及莫耳比之交替共聚 物。

= 50/50 <合成例8> (高分子化合物CP2之合成） 在氮氣環境下，在100mL燒瓶中將化合物CM2(1.4731g、 2. 955mmol)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基芴（1. 6980g、3· OOOmmol) 及曱苯（30mL)的混合物加熱至90°C，加入乙酸鈀（l.Omg、 4. 5//mol)、三（2-甲氧基苯基）膦（6· 3mg、18//mol)、20 100 321750 201035160 重直％氣氧化四乙銨水溶液（1 〇mL、14mmo 1)，再經由加熱， 在回流下攪拌約20小時。 、 接著加入苯硼酸（〇· 37g、3丽〇1)、乙酸鈀（1. 〇mg、4 5 /zmol)、三（2-甲氧基笨基）膦（6. 3mg、18/zm〇1)，—邊加 熱至105 C—邊在回流下攪拌約8小時。 又，加入將N，N-二乙基二硫代胺基曱酸鈉三水合物 (1 · 83g)/谷解於離子父換水（igmL)中而成之溶液，一邊加熱 至85°C —邊攪拌2小時。 … 〇 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約40mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約40mL)洗淨2 次、離子交換水（約40mL)洗淨2次。在曱醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於甲苯（93mL)中後，使其通過經預先使甲苯通過之矽 膠管柱及氧化紹官柱’在曱醇（465mL)中滴入獲得之溶液使 高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得高分子化合物 〇 (1. 50g、高分子化合物CP2)。高分子化合物CP2之換算成 t本乙烯之數平均分子量（Mn)及重量平均分子量（mw)， Μη=5· lxlO4、Mw=l. ixl〇5 ’薄膜之螢光峰值波長為395nm。 未測定到明確的玻璃轉移溫度，從測定條件考慮，推測為 比30°C低之溫度。從單體之饋入比推定高分子化合物cp2 為具有以下構成單元及莫耳比之交替共聚物。

101 321750 201035160 <合成例9 > (高分子化合物CP3之合成）

(ALDRICH公司製造）、0· 9lg)及甲笨⑺—混合，加熱至 105°C。在反應液中滴入碳酸鈉水溶液（2m〇i/L、i9mL)， 使其回流4小時。反應後加入苯侧酸（121mg)，再使其回流 3小時。接著，加入N，N-二乙基二硫代胺基曱酸鈉三水合 物之溶液，於80。(：授拌2小時。冷卻後將獲得之反應液用 水（60mL)洗淨3次，用3重量％乙酸水溶液（60mL)洗淨4 次’用水（60mL)洗淨3次，使獲得之甲苯溶液通過氧化鋁 管柱、矽膠管柱精製。在甲醇（約3〇〇〇mL)中滴入獲得之甲 本溶液’授拌後遽取獲得之沉殿物’乾燥’獲得高分子化 合物（5. 25g、高分子化合物Cp3)。高分子化合物CP3之換 算成聚苯乙烯之數平均分子量（Mn)及重量平均分子量 (Mw)，Mn=l. 2xl05、6xl〇5，玻璃轉移溫度為 89。〇。 攸單體之饋入比推定高分子化合物CP3為具有以下構成單 元及莫耳比之交替共聚物。

102 321750 201035160 <合成例1〇> (電子輪送材料et-a之合成）

在氮氣環i备

—西 , 兄下饋入三氣甲石黃酸100g(0. 653mmol)，於 室’皿授摔在獲得的反應液中滴入加入將4_漠苯腈61· 93g (〇· %7inm〇l)溶解於脫水氯仿851mL中而成之溶液。將獲得 的溶液昇溫至9 5 °C，一邊加熱一邊擾拌後冷卻至室溫，於 其中，在冰浴下加入稀氨水溶液。濾除獲得的固體，水洗 後用二乙醚洗淨，一邊減壓一邊乾燥，獲得白色結晶 47. 8g。

在氮氣環境下饋入獲得的白色結晶8. 06g(14. 65麵〇1)、 4-第三丁基苯基棚酸 9. 15g(49. 84mmol)、Pd(PPh3)4 1. 54g 103 321750 201035160 (1.32_。1)、預纽氮氣起泡之甲笨5祖及預先經氮氣 起泡的乙醇47. 3mL，擾拌、加熱、回流。在獲得的反應液 中滴入預先經氮氣起泡的2M石炭酸鈉水溶液47 3此，再加 熱、回流。將獲得的反應液放冷後分液，除去水層，將有 機層依序用稀鹽酸、水洗淨、分液。有機層用無水硫酸鎮 乾燥、過遽，濃縮。使獲得的粗生成物通過石夕膠管柱，在 獲得的遽液中加入乙腈。—邊減麗—邊將獲得的結晶乾 燥，獲得白色結晶（以下稱為「電子輪送材料ET_A」）8 23g。 'H-NMR (2 7 OMHz/CDC 13).. 7· 6 5 (d、6H)、7 δ 1. 3 9 (s、2 7Η)、7. 5 2 (d、6H) .79(d、6H)、8. 82(d、6H) < PLQY (光激發光量子收率）測定〉 於實施例14至28、實施例39、4〇、比較例丄至5， PLQY經由使用絕對PL量子收率測定裝置（濱松—士〇n丄cs 公司製造，商品名：⑽ο,，激發中心波長325挪，激 發波長範圍315至335nm，測定波長範圍39〇至8〇〇nm(條 件A)、及460至800mn(條件B)測定。此時，條件a為測 定組成物全體之PLQY，條件b為測定源自含於組成物中之 發光色呈現綠色之發光材料之PLQY。求出藉由條件b測定 之PLQY值之相對於藉由條件A測定之pLQY值之比率，作 為所添加發光材料所得之發光之比率之指標。 <實施例14> 在上述高分子化合物P1調製添加下述式表示之發 料EM-A(銀（皿）三（2-(4-甲苯基>比咬—N，C2(Iridi^(瓜） 321750 104 201035160 tris(2-(4-tolyl)pyridinato-N), C2) j American Dye

Source公司製造，商品名：ADS066GE)5重量％之組成物之 0. 8重量％二曱苯溶液。將該溶液以回轉速度i〇〇〇rpm旋轉 塗佈法塗佈在石英基板上，製作上述組成物之薄膜，測定 該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY為66%(條件a)、 55%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光中之源自發光材料 EM-A之發光之比率之指標之比率為〇. 83。由該薄膜之發光 光譜求得之色度座標C. I. E. 1931為（X，y) = (〇. 25, 〇. 55)， 該薄膜顯示良好的綠色發光。該等結果表示於表4。

Me 3

〇 EM-A <實施例15> 在實施例14,除了以高分子化合物p2取代高分子化

合物PI · 成物的 為 58%( 中之源 〇. 96。 為（X，y: 321750 105 201035160 等結果表示於表4。 <實施例16> 在實施例14，除了以高分子化合物P3取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為33%(條件A)、31%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率為 0. 95。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I. E. 1931 為（x，y) = (0. 26，0. 58)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表4。 <實施例17> 在實施例14，除了以高分子化合物P4取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為46%(條件A)、39%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率為 0.84。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x,y)=(0.25，0.54)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表不於表4。 <實施例18> 在實施例14，除了以高分子化合物P5取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為53%(條件A)、46%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 106 321750 201035160 中之源自發光材料em-a之發光之比率之指標之比率為 0. 86 °由該薄膜之發光光譜求得之色度座標c. I E. 1931 為（x，y) = (0. 25，0· 57)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表4。 〈實施例19〉 在實施例14，除了以高分子化合物P6取代高分子化 合物P1之外’其餘進行與實施例相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之pLQY。其結果，該薄膜之pLQY C)為56%(條件A)、52%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率為 0. 92。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標c. I E. 1931 為（x，y) = (0.29，0.59)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 專結果表不於表4。 <實施例20> 在貫施例14，除了以高分子化合物p7取代高分子化 〇合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄狀職。其結果，該薄膜之卿 為棚（條件A)、43%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率為 0.93。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標am 為（x，y) = (〇.26, 0.58)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表4。 <比較例1> 在實施例14,除了以高分子化合物m取代高分子化 321750 107 201035160 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為2. 9%(條件A)、1. 3%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發 光中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率 低，為0. 44。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標 (：.1.£.1931為(^，7) = (0.24,0.26)，該薄膜顯示青綠色發 光。從色度亦確認從該薄膜獲得的發光中之源自發光材料 EM-A之發光之比率低。該等結果表示於表4。 <比較例2 > 在實施例14,除了以高分子化合物CP2取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為56%(條件A)、22%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率低，為 0.40。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x,y) = (0.23，0.42)，該薄膜顯示青綠色發光。從色度 亦確認從該薄膜獲得的發光中之源自發光材料EM-A之發 光之比率低。該等結果表示於表4。 <比較例3 > 在實施例14,除了以MMA(聚曱基丙烯酸曱酯）取代高 分子化合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作， 製作組成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜 之PLQY為15%(條件A)、15%(條件B)，作為源自發光材料 EM-A發光之比率之指標之比率為1. 00,確認獲得發光材料 108 321750 201035160 EM-A單獨的發光作為該薄膜獲得的發光。由該薄膜之發光 光譜求付之光激發光岭值波長為525nm，色度座標 C. I.E· 1931為（x，yM0.35，0.60)，該薄膜顯示綠色發 光。該等結果表示於表4。 表 高分子化 合物 發光材料 組成比 (重量比) 量子收率(PLQY)

〇 <實施例21 > 在上述高分子化合物P1調製添加發光材料 量％之組成物之0.8重量％二甲苯溶液。將該容纩5重 春塗佈法塗佈在石基其in L 回轉迷 〇 度lOOOrpm旋轉塗佈法塗佈在石英基板上，制从回轉 物之薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果該薄棋上述釦 69%(條件A)、65%(條件B)，作為從該薄腔從、之PLQY為 源白藤本颜™…以夕m 的發光 物之薄膜，泪丨丨京贫德暄夕ΡΤ,Ων。甘红„ 本^乍上述級成 源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之〜赞光中之 由該薄膜之發光光譜求得之色度座禪Γ τ D … 不 u i.E. 1931 a (x，y)=(0.29，0.62)，該薄膜顯示良好的綠 令 沾旦主二# 士「 、以色發光。該等 結果表示於表5 <實施例2 2 > 321750 109 201035160 在實施例21，除了以高分子化合物P2取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為68%(條件A)、66%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x,yM〇. 29，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表5。 <實施例23> 在實施例21，除了以高分子化合物P3取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為58%(條件A)、56%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I. E. 1931 為（x，yM〇. 28，0.61)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表5。 <實施例24> 在實施例21，除了以高分子化合物P4取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為73%(條件A)、70%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 110 321750 201035160 為（x，yM〇. 28，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表5。 <實施例25> 在實施例21，除了以高分子化合物P5取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為74%(條件A)、71%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 〇 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x，y)=(0.28，0.63)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表不於表5。 <實施例26> 在實施例21，除了以高分子化合物P6取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY q 為73%(條件A)、70%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x，y) = (0.28，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表5。 〈實施例27〉 在實施例21，除了以高分子化合物P7取代高分子化 合物P1之外，進行與實施例21相同的操作，製作組成物 的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY為 111 321750 201035160 64%(條件A)、62%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光中之 源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為0. 97。 由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931為 (x，y) = (0. 28，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該等 結果表示於表5。 <實施例28> 在實施例21，除了以高分子化合物P8取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為69%(條件A)、66%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 95。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x，y) = (0. 28，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。該 等結果表示於表5。 <比較例4> 在實施例21，除了以高分子化合物CP1取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為5.4%(條件A)、3.5%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發 光中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率低， 為0.64。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x，yM〇.26，0.43)，該薄膜顯示青綠色發光。從色度 亦確認從該薄膜獲得的發光中之源自發光材料EM-B之發 光之比率低。該等結果表示於表5。 112 321750 201035160 <比較例5 > 在實施例21，除了以P丽A(聚甲基丙烯酸曱酯）取代高 分子化合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作， 製作組成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜 之PLQY為48%(條件A)、48%(條件B)，作為源自發光材料 EM-B，發光，比率，指標之比率為1. 00，確認獲得發光材 料EM-B單獨的發光作為從該薄膜獲得的發光。由該薄膜之 發光光譜求得之光激發光峰值波長為525nm，色度座標 〇 C. I. E. 1931為（X，yMO. 33, 0. 62)，該薄膜顯示綠色發 光。該等結果表示於表5。 表5 高分子化 合物 發光材料 組成比 (重量比） PL量子收率(PLQY) 比率 色度(CIE) (x,y) 條件A 條件B 實施例21 P1 EM-B 95/5 69% 65% 0. 95 (0.29,0.62) 實施例22 P2 EM-B 95/5 68% 66% 0.96 (0.29, 0. 62) 實施例23 P3 EM-B 95/5 58% 56% 0. 96 (0. 28, 0.61) 實施例24 P4 EM-B 95/5 73% 70% 0.96 (0.28,0.62) 實施例25 P5 EM-B 95/5 74% 71% 0. 96 (0.28, 0. 63) 實施例26 P6 EM-B 95/5 73% 70% 0.96 (0.28,0.62) 實施例27 P7 EM-B 95/5 64% 62% 0.97 (0.28, 0. 62) 實施例28 P8 EM-B 95/5 69% 66% 0. 95 (0.28, 0. 62) 比較例4 CP1 EM-B 95/5 5. 4% 3.5% 0. 64 (0.26,0.43) 比較例5 PMMA EM-B 95/5 48% 48% 1.00 (0. 33,0.62) <實施例29> (組成物MP1及其溶液的調製） 將高分子化合物P1與發光材料EM-B以重量比70: 30 混合而成的組成物MP1溶解於二曱苯（關東化學公司製造， 電子工業用等級）中使全固形份濃度為2. 6重量％。獲得的 113 321750 201035160 溶液以下稱為「組成物MP1之2· 6重量％二田* j 一 Τ本溶液 (發光元件DPI的製作） 在經以滅鑛法安裝150nm厚度之Iτ〇胺& 瑪的基板使用个 (3, 4-伸乙二氧噻吩）/聚苯乙烯磺酸的溶液（拜耳八司p 造，商品名：BaytronP AI4083)，藉由旋榦各 A ’ 得愛佈法以65nm 的厚度成膜，在加熱板上，於2 0 0 °C乾燁1 η、 礼庥10分鐘。接著， 使用高分子化合物CP3的0. 7重量％二甲笨'、资 τ本令液藉由旋轉塗 佈法’以3000rpm的回轉速度成膜，在氮翕 %乳乳環境化在加埶 板上於18(TC使其乾燥60分鐘。膜厚為約2〇nm。接著/使 用組成物MP1的2.6重量％二甲苯溶液藉由旋轉塗佈法，以 1600rpm的回轉速度成膜，膜厚為約100nme將該等在氮氣 環境下在加熱板上，於130°C乾燥10分鐘後蒸鍍鋇約4n= 接著蒸鍍鋁約80nm作為陰極，製作發光元件Dpi。元件構 成為 ITO/BaytronP(65nm)/組成物 MP1/鋇（4nm)/鋁 (80nm)。真空度達到lxl〇-4pa以下後開始金屬的蒸鏡。 對發光元件DPI施加電壓後顯示峰值波長（EL)52〇nm 的綠色發光。最大發光效率為33. 4cd/A，此時的電壓為 10. 0V。在亮度l〇〇〇cd/m2的驅動電壓為8. 6V，色度座標 C. I.E. 1931 為（x，yM〇.32，0.62)，發光效率為 29.5cd /A。在將初期亮度設定為4a〇〇cd//m2進行定電流驅動後 亮度半衰期為18小時。該等結果表示於表6。 <實施例30> (組成物MP4及其溶液的調製） 將高分子化合物P4與發光材料EM-B以重量比7〇: 3〇 114 321750 201035160 、 混合而成的組成物MP4溶解於二甲苯（關東化學公司製造， 電子工業用等級）中使全固形份濃度為2.3重量％。獲得的 溶液以下稱為「組成物MP4之2. 3重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DP4的製作） 在實施例29，除了使用組成物MP4之2. 3重量％二甲 苯溶液替代組成物MP1之2· 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從16〇〇rpm變更為2〇〇〇rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件DP4。對發光元件 〇 DP4施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。最大 發光效率為27· lcd/A ’此時的電壓為i〇.8V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為9.4V，色度座標C. Ι·Ε· 1931為 (X，y)=(0. 33，0· 62)，發光效率為25. 4cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 8. 4小時。該等結果表示於表6。 <實施例31> (組成物MP5及其溶液的調製） 將高分子化合物P5與發光材料EM-B以重量比70:別 混合而成的組成物MP5溶解於二曱苯（關東化學公司製造， 電子工業用等級）中使全固形份濃度為2· 2重量％。獲得的 溶液以下稱為「組成物· ΜΡ5之2. 2重量％二甲苯溶液」。 (發光元件DP5的製作） 在實施例29，除了使用組成物ΜΡ5之2. 2、重量％二甲 苯溶液替代組成物ΜΡ1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從16〇〇rpm變更為1800rpm以外，其餘進行 115 321750 201035160 與實施例29相同的操作，製作發光元件dps。對發光元件 DP5施加電壓後顯示峰值波長（EL)52〇mn的綠色發光。最大 發光效率為28. 2cd/A’此時的電壓為5. 4V。在亮度l〇〇〇cd /m2的驅動電壓為7· 3V，色度座標c. I E. 1931為 (X，y) = (0· 32，0. 62) ’發光效率為27. 2cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 15小時。該等結果表示於表6。 <實施例32> (組成物MP7及其溶液的調製） 將高分子化合物P7與發光材料EM-B以重量比70: 30 混合而成的組成物MP7溶解於二曱苯（關東化學公司製 造，電子工業用等級）中使全固形份濃度為2. 6重量％。獲 得的溶液以下稱為「組成物MP7之2. 6重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DP7的製作） 在實施例29，除了使用組成物MP7之2. 6重量％二曱 苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從16〇〇rpm變更為i8〇〇rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件DP7。對發光元件 DP7施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。最大 發光效率為37. lcd/A，此時的電壓為7.4V。在亮度l〇〇〇cd /m2的驅動電壓為7. 1V ’色度座標C. I.E. 1931為 (x，y)=(0. 32，〇. 63)，發光效率為36. 9cd/A。在將初期 亮度設定為4〇〇〇cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 13小時。該等結果表示於表6。 116 321750 201035160 <實施例33> (組成物MP8及其溶液的調製） 將高分子化合物P8與發光材料EM-B以重量比7〇: 3〇 混合而成的組成物MP8溶解於二甲苯（關東化學公司製造， 電子工業用等級）中使今固形份濃度為2.2重量％。獲得的 溶液以下稱為「組成物Μί>8之2.2重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DP8的製作） 在實施例29，除了使用組成物MP8之2· 2重量％二甲 ❸苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二曱苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為2000rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件DP8。對發光元件 DP8施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。最大 發光效率為34. 6cd/A ’此時的電壓為11.6V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為10.8V，色度座標C. I.E. 1931為 (x，y)=(0. 32，0. 63)，發光效率為34. 5cd/A。在將初期 q 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 19小時。該等結果表示於表6。 <比較例6 > (組成物MCP1及其溶液的調製） 將高分子化合物CP1與發光材幹EM-B以重，量比70 : 30混合而成的組成物MCP1溶解於二甲苯（關東化學*公司製 造，電子工業用等級）中使全固形份濃度為1. 3重量％。獲 得的溶液以下稱為「組成物MCP1之1. 3重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DCP1的製作） 117 321750 201035160 在實施例29，除了使用組成物MCP1之1. 3重量％二甲 苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從160Orpm變更為800rpm以外，其餘進行與 實施例29相同的操作，製作發光元件DCP1。 對發光元件DCP1施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm 的綠色發光。最大發光效率為10. 2c'd/A ’此時的電壓為 7.6V。在亮度i〇〇〇cd/m2的驅動電壓為8.4V，色度座標 C. I.E. 1931 為（x，y) = (〇. 33，0. 62)，發光效率為 9. 7cd/ A。在將初期亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮 度半衰期為4. 7小時。該等結果表示於表6。 表6 發光 元件 高分子 化合物 發光材料 組成比 (重量比） 最大發羌 效率 (cd/A) 在亮度 1000cd/m2 的驅 動電壓 亮度半衰 期(hr) 實施例29 DPI P1 EM-B 70/30 33.4 8.6 18 實施例30 DP4 P4 EM-B 70/30 27.1 9.4 8.4~~ 實施例31 DP5 P5 EM-B 70/30 28.2 7.3 15 實施例32 DP7 P7 EM-B 70/30 37.1 7.1 13 實施例33 DP8 P8 EM-B 70/30 34.6 10.8 19 — 比較例6 DCP1 CP1 EM-B 70/30 10.2 8.4 4. <實施例34> (組成物MP1B及其溶液的調製） 將高分子化合物P1、發光材料EM-B及電子輸送材料 ET-A以重量比44 : 30 : 26混合而成的組成物MP1B溶解於 二甲苯（關東化學公司製造，電子工業用等級）中使全固形 份濃度為2. 6重量％。獲得的溶液以下稱為「組成物MP1B 之2. 6重量％二曱苯溶液」。 321750 118 201035160 (發光元件DP1B的製作） 在實施例29，除了使用組成物μριβ之2. 6重量％二甲 苯溶液替代組成物ΜΠ之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為uoorpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件DpiB。對發光元 件DP1B施加電壓後顯示峰值波長（EL)52〇nm的綠色發光。 最大發光效率為39. 9cd/A ’此時的電壓為6. 6V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為5. 3V ’色度座標c. I.E. 1931為 〇 (x，yM〇.33，0.62)，發光效率為39. 3cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 215小時。該等結果表示於表7。 <實施例35> (組成物MP4B及其溶液的調製） 將高分子化合物P4、發光材料em-B及電子輸送材料 ET-A以重罝比44 3 0 · 2 6混合而成的組成物}IP4B溶解於 〇二曱苯（關東化學公司製造，電子工業用等級）中使全固形 份濃度為2. 3重量％。獲得的溶液以下稱為「組成物MP4B 之2.3重量％二甲苯溶液」。 (發光元件DP4B的製作） 在實施例29 ’除了使用组成物MP4B之2. 3重量％二曱 苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為I450rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件DP4B。對發光元 件DP4B施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。 119 321750 201035160 最大發光效率為35. 6cd/A，此時的電壓為6. 2V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為5. 6V，色度座標C. I. E. 1931為 (X，y) = (0. 33，0. 62)，發光效率為35. 2cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 61小時。該專結果表不於表7。 <實施例36> (組成物MP6B及其溶液的調製） 將高分子化合物P6、發光材料EM-B及電子輸送材料 ET-A以重量比44 . 30 . 26混合而成的組成物.MP6B溶解於 二曱苯（關東化學公司製造，電子工業用等級）中使全固形 份濃度為2. 4重量％。獲得的溶液以下稱為「組成物MP6B 之2.4重量°/◦二曱苯溶液」。 (發光元件DP6B的製作） 在實施例29 ’除了使用組成物MP6B之2. 4重量％二曱 苯溶液替代組成物MP1之2· 6重量°/。二曱苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為i4〇〇rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作’製作發光元件DP6B。對發光元 件DP6B施加電壓後顯示峰值波長（EL)52〇nin的綠色發光。 隶大發光效率為39. 2cd/A，此時的電壓為6. 0V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為5.4V，色度座標C. I.E. 1931為 (x，yM〇.32，0.62)，發光效率為37. 7cd/A。在將勒期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 62小時。該等結果表示於表7。 <實施例37> 321750 120 201035160 (組成物MP8B及其溶液的調製） 將高分子化合物P8、發光材料eM—b及電子輸送材料 ET-A以重量比44: 30: 26混合而成的組成物MP8B溶解於 二曱苯（關東化學公司製造，電子工業用等級）中使全固形 份濃度為2. 1重量％。獲得的溶液以下稱為「組成物Mp8B 之2. 1重量％二甲苯溶液」。 (發光元件DP8B的製作） 在實施例29 ’除了使用組成物MP8B之2. 1重量❶/◦二曱 〇笨溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從16〇〇rpm變更為i300rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件j)p8B。對發光元 件DP8B施加電壓後顯示峰值波長（EL)52〇mn的綠色發光。 最大發光效率為34. 7cd/A，此時的電壓為6. 2V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為5. 9V，色度座標c· I. E. 1931為 (x，y)K〇. 33，〇. 62)，發光效率為34. 5cd/A。在將初期 〇亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 91小時。該等結果表示於表7。 <比較例7> (組成物MCP1B及其溶液的調製） 將咼分子化合物CP卜發光材料EM-B及電子輸送材料 ET-A以重量比40 : 30 : 30混合而成的組成物MCP1B溶解 於二曱苯（關東化學公司製造’電子工業用等級）中使全固 形份濃度為2. 4重量％。獲得的溶液以下稱為「組成物MCP1B 之2. 4重量％二甲苯溶液」。 321750 121 201035160 (發光元件DCP1B的製作） 在實施例29，除了使用組成物MCP1B之2. 4重量％二 曱苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二曱苯溶液，旋轉塗 佈法的回轉速度從1600rpm變更為i4〇〇rpm以外，其餘進 行與實施例29相同的操作，製作發光元件DCP.1B。對發光 元件DCP1B施加電壓後顯示峰值波長⑽）52〇nm的綠色發 光。最大發光效率為18. 6cd/A，此時的電壓為5. 0V。亮 度在lOOOcd/m2的驅動電壓為5.4V，色度座標C. I.E. 1931 為（X，y)=(0. 33，0. 62) ’發光效率為π. 9cd/A。在將初 期亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 14小時。該等結果表示於表7。 表7 發光 元件 高分子 化合物 發光 材料 電子輪送 材料 組成比 (重量比） 最大發光 效率 (cd/A) 在亮度 1000cd/m2 的 驅動電壓 亮度半衰 期(hr) 實施例34 DP1B P1 EM-B ET-A 44/30/26 39.9 5.3 21^^ 實施例35 DP4B P4 EM-B ET-A 46/30/24 35. 6 5.6 ~~6Γ~~ 實施例36 DP6B P6 EM-B ET-A 44/30/26 39.2 5.4 ~62 實施例37 DP8B P8 EM-B 'etwH 42/30/28 34.7 5.9 ~~9Γ~~ 比較例7 DCP1B CP1 EM^B ετ-α 44/30/30 18.6 5.4 —---- <合成例11 > (化合物CM4之合成）

n-BuLi Et2〇

122 321750 201035160 t 在氮氣環境下將ig)之脫水二 乙謎 («2 m L)'錢用乾冰/甲醇混合洛冷卻。在獲得的懸濁液中 漫It滴入2· 77M之正丁基鐘的己燒溶液（37. 2mL)後搜摔J 小時’調製鐘試藥。 、在氮氣環境下將氰脲醯氯之脫水二乙__ 懸濁液用乾冰/f醇混合浴冷卻’慢慢加人上述之賴藥後 昇温至室溫，於室溫進行反應。將獲得的生成物過遽，減壓 乾燥。將獲得的固體（16.5g)精製，獲得針狀結晶13 %。

C12H25 CM4 在氮氣環境下’於將脫水四氫^⑽㈣加入至鎮 (1. 37g)而成的懸濁液中每次少量加入4_十二烷基溴苯 ❹（14.2g)之脫水四氫呋喃（15mL)溶液，加熱，在回流下攪 摔、。放冷後在反應液中再加入鎂（〇. 39g)，再加熱，在回流 下進行反應，調製Grignard試藥。 在氮氣環境下’在上述針狀結晶（12 〇)之脫水四氯咬 喃（lOOmL)懸濁液中一邊攪拌一邊加入上述之Gri,rd ★式 藥’加熱回流。放冷後將反應液用稀鹽酸水溶液洗淨。將 有機層與水層分開，將水層用二乙醚萃取。合併獲得的有 機層，再用水洗淨，將有機層用無水硫酸鎮脫水後過濟、 淡縮。將獲得的白色固體用铸管检精製，再經由再結晶， 321750 123 201035160 獲得6. 5g之白色固體化合物CM4。 <實施例38> (高分子化合物P9之合成） 在氮氣環境下，在200mL可分離式燒瓶中，於90°C加 入化合物 CM3(1. 560g)、化合物 M7(0. 324g)、2, 7-二溴-9, 9-二辛基芴（2. 〇66g)、化合物CM4(0. 598g)及曱笨（50mL)的混 合物後加熱’加入乙酸鈀（1. 7mg)、三（2-甲氧基苯基）膦 (10. Omg)、20重量％氳氧化四乙銨水溶液（i6mL)，再加熱， 在回流下攪拌約21小時。 接著’加入苯棚酸（58mg)、乙酸把（1. 6mg)、三（2-甲 氧基苯基）膦（10. lmg)及20重量％氫氧化四乙銨水溶液 (16mL)，一邊加熱至l〇5°C—邊在回流下攪拌約2〇小時。 經由分液除去水層後加入將N, N-二乙基二硫代胺基 甲酸鈉三水合物（2. 62g)溶解於離子交換水（52mL)中而成 之溶液，一邊加熱至85°C —邊授拌2小時。 將有機層與水層分離後，依序將有機層用離子交換水 (約50mL)洗淨2次、3重量％乙酸水溶液（約5〇mL)洗淨2 次、離子交換水（約50mL)洗淨2次。在甲醇中滴入有機層 使高分子化合物沉澱，濾取、乾燥，獲得固體。將該固體 溶解於曱苯（約l〇〇mL)中後，使其通過經預先使曱笨通過 之矽膠管柱及氧化鋁管柱，在甲醇（約3〇〇mL)中滴入獲得 之溶液使高分子化合物沉澱’濾取、乾燥，獲得高分子化 合物（1. 98g、高分子化合物P9)。高分子化合物p9之換算 成聚苯乙烯之數平均分子量（Μη)及重量平均分子量（mw)， 321750 124 201035160 ' Mn=9. 2xl04、Mw=2. 8χ105，玻璃轉移溫度為123°C，薄膜之 螢光峰值波長為396nm。從單體之饋入比推定高分子化合 物P9為具有以下構成單元及莫耳比且由選自（PA)之構成 單元與選自（PB)之構成單元交替聚合而成之聚合物。

<實施例39> 在實施例14，除了以高分子化合物P9取代高分子化 Q 合物P1之外，其餘進行與實施例14相同的操作，製作組 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為48%(條件A)、46%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-A之發光之比率之指標之比率為 0. 96。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x,y) = (0.29，0.59)，該薄膜顯示良好的綠色發光。 <實施例40 > 在實施例21，除了以高分子化合物P9取代高分子化 合物P1之外，其餘進行與實施例21相同的操作，製作組 125 321750 201035160 成物的薄膜，測定該薄膜之PLQY。其結果，該薄膜之PLQY 為61%(條件A)、59%(條件B)，作為從該薄膜獲得的發光 中之源自發光材料EM-B之發光之比率之指標之比率為 0. 97。由該薄膜之發光光譜求得之色度座標C. I.E. 1931 為（x，yM〇. 28，0.62)，該薄膜顯示良好的綠色發光。 <實施例41 > (組成物MP9A及其溶液的調製） 將高分子化合物P8與發光材料EM-B以重量比7〇: 3Q 混合而成的組成物MP9A溶解於二甲苯（關東化學公司製 造，電子工業用等級）中使全固形份濃度為1.8重量％。獲 得的溶液以下稱為「組成物MP9A之1· 8重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DP9A的製作） 在實施例29，除了使用組成物MP9A之1. 8重量％二甲 苯溶液替代組成物MP1之2· 6重量％二曱苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為2000rpm以外，其餘進行 與實施例29相同的操作，製作發光元件dp9a。對發光元 件DP9A施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。 最大發光效率為34· 〇cd/A，此時的電壓為5. 8V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為6.2V，色度座標C. I.E. 1931為 (X, y) = (〇· 32，0. 62)，發光效率為33. 7cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 64小時。該等結果表示於表8。 <實施例42> (組成物MP9B及其溶液的調製） 126 321750 201035160 將南分子化合物P8與發光材料EM-B以重量比60 : 40 混合而成的組成物MP9B溶解於二甲苯（關東化學公司製 造’電子工業用等級）中使全固形份濃度為2. 〇重量％。獲 得的溶液以下稱為「組成物MP9B之2. 〇重量％二曱苯溶液」。 (發光元件DP9B的製作） 在實施例29，除了使用組成物MP9B之2. 0重量％二甲 苯溶液替代組成物MP1之2. 6重量％二甲苯溶液，旋轉塗佈 法的回轉速度從1600rpm變更為2000rpm以外，其餘進行 〇與實施例29相同的操作，製作發光元件DP9B。對發光元 件DP9B施加電壓後顯示峰值波長（EL)520nm的綠色發光。 最大發光效率為38. 2cd/A，此時的電壓為5. 2V。在亮度 1000cd/m2的驅動電壓為5· 9V，色度座標C. I.E. 1931為 (x，y) = (0. 32，〇. 62)，發光效率為38. 9cd/A。在將初期 亮度設定為4000cd/m2進行定電流驅動後亮度半衰期為 168小時。該等結果表示於表8。 〇 ^ 8 發光 元件 兩分子 化合物 發光 材料 組成比 (重量比） 最大發光效 率(cd/A) 在亮度 1000cd/m2 的驅 動電壓 亮度半衰 期(hr) 實施例41 DP9A P9 EM-B 70/30 34.0 6.2 —] 64 實施例42 DP9B P9 EM-B 60/40 38.2 5.9 "1 168 <評估> 根據表4、5 ’由於確認含有本發明高分子化合物的組 成物為PLQY優越的組成物，故用於發光元件時，亦能顯示 高的最大發光效率。本發明之高分子化合物作為與碟光發 127 321750 201035160 光性化合物之組成物使用時，有用於作為引出磷光發光性 化合物之色度特性之材料。 根據表6至8，使用含有本發明高分子化合物之組成 物的發光元件顯示優越的最大發光效率，另，確認具有優 越的亮度半衰期。 (產業上之可利用性） 本發明之高分子化合物為在製作最大發光效率優越的 有機元件等發光元件時有用的高分子化合物（尤其是有用 於作為對於顯示比紅色更短波長之發光色的磷光發光性化 合物之主體材料的高分子化合物）。所以，本發明之組成物 亦在製作最大發光效率優越之發光元件時有用。又，使用 本發明組成物的發光元件通常具有優越的亮度半衰期。本 發明之高分子化合物通常耐熱性優越且顯示良好的藍色發 光。 【圖式簡單說明】無 【主要元件符號說明】無 128 321750

Claims (1)

1. 201035160 七、申請專利範圍： 1. 一種高分子化合物，係含有；至少一種選自下述式（2) 表示之構成單元及下述式（3)表示的構成單元所成組群 的構成單元、以及下述式（1)表示的構成單元： R1

   R3 入"f^R3 R2 Ο ⑴ [式中，R1表示烷基、芳基、1價芳族雜環基、芳烷基 或取代胺基，R2及R3各自獨立地表示氫原子、烷基、 芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳 基烧氧基、取代胺基、取代裁基、取代缓基、氟原子或 氰基；2個R3可相同或不同] -Ar1- ❹ (2) [式中，Ar1表示伸芳基、2價芳族雜環基、或2個以上 相同或不同的選自由伸芳基及2價芳族雜環基所成組 群的基直接結合的2價基；惟，Ar1不為式il)表示的 基；Ar1表示的基中之氫原子可經烷基、芳基1價芳 族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取 代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基取代] 129 321750 201035160 Ar2

   Ar4 Ar6 Ar5

   nn Ar8 中’ AW、A1"、A〆及Μ各自獨立地表示伸芳美、 4貝芳族雜環基、或2個以上相同戋 土 芬9廢μ*· A不同的選自由伸芳J 及/償方㈣環基所成組群直接結合的2價基；-Ar、Ar7及Ar8各自獨立地表示芳A 土 Γ、ΑΓ ★、紅7、…表示的基中之氫原 子可經烷基、芳基、1價芳族雜 原 芳产美&減、芳氧基， :絲、方基炫氧基、取代胺基、取代幾基、取代絲、 氣原子或氰基取代；紅5、仏紅7、^表示的基各者 可和與該基所結合之氮原子結合之Ar2、Ar3、A〆 β、Ar7、P表示的基直接結合、或透過-H、 <(,-、-C(=0)+、_N(RA)_、_c(=〇)_n(ra)—或 〇=)2_結合；形成5至7員環，n及nn各自獨立地為 2二表不燒基、芳基、1價芳族雜環基或芳淀基]。 2. 如申請專利範圍第！項所述之高分子化合物，其中，該 R1為烷基、芳基或芳烷基。 3. 如申請專利範圍第2項所述之高分子化合物，其中，該 R1為甲基。 ^ 321750 130 201035160 4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述之高分子 化合物，其中，該R2為氫原子、烷基、芳基、1價芳族 雜環基或取代胺基。 5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述之高分子 化合物，其中，該R3為氫原子。 6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述之高分子 化合物，其中，含有下述式（4)表示的構成單元作為式 (2)表示之構成單元： 〇 R1 R2

   R4 R5 131 321750 1 [式中，R2表示烷基、芳基、1價芳族雜環基、烷氧基、 芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取代胺基、取代羰基、 取代羧基或氰基；R1表示氫原子、烷基、芳基、1價芳 族雜環基、烷氧基、芳氧基、芳烷基、芳基烷氧基、取 代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或氰基；2個R2 可相同或不同；2個R1可相同或不同]。 7. 如申請專利範圍第6項所述之高分子化合物，其中，含 有式（4)表示之構成單元及式（4)表示的構成單元以外 的構成單元作為式（2)表示之構成單元。 8. 如申請專利範圍第1項至第7項中任一項所述之高分子 化合物，其中，含有下述式（5)表示之構成單元及/或 2 201035160 下述式（6)表示之構成單元作為式（2)表

   之構成單元 [气中RS不垸基、芳基、Η賈芳族雜環基或芳烧基， ^個R6可互相結合；2 g可相同或不同；r7表示烧基、 方基、1價芳族雜環基、院氧基、芳氧基、芳院基、芳 基院氧基、取代絲、取代録、取代縣、氟原子或 氰基；m表示0至3之整數；2個m可相同或不同；R7 存在複數個時，該等R7可相同或不同] R10

   (6) [式中’R表不氫原子、燒基、芳基、丨價芳族雜環基、 烧氧基、芳氧基、技基、絲絲基、取代胺基、取 代幾基、取代絲、氟料或氰基；及Αι·11各自獨 立地表示伸芳基或2價芳録縣；k及kk各自獨立 地表不〇至2之整數；惟，Ar1()及Ar11不為上述式（1) 表不的基’Ar 'Ar11表示之基中之氫原子可經烧基、 方基、1價方族雜環基、统氧基、芳氧基、芳烷基、芳 321750 132 201035160 基烷氧基、取代胺基、取代羰基、取代羧基、氟原子或 氰基取代；Ar1(1、Ar11存在複數個時，該等Ar1()、Ar11 各者可相同或不同]。 9.如申請專利範圍第8項所述之高分子化合物，其中，含 有下述式2-104、2-218或2-219表示之構成單元作為 式（6)表示之構成單元：

   [式中，R表示氳原子、烷基、芳基、1價芳族雜環基、 烧氧基、芳氧基、芳烧基、芳基烧氧基、取代胺基、取 代羰基、取代羧基、氟原子或氰基；複數個R可相同或 不同]。 Q 10.如申請專利範圍第1項至第9項中任一項所述之高分子 化合物，其中，含有式（3)表示之構成單元。 11. 如申請專利範圍第1項至第10項中任一項所述之高分 子化合物，其中，相對於式（1)表示之構成單元之合計 莫耳數，其他構成單元之合計莫耳數比率為0. 1至999 者。 12. 如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述之高分 子化合物，其中，該式（1)表示之構成單元在1分子中 存在2個以上，存在2個以上之式（1)表示之構成單元 133 321750 201035160 之間實質上不相鄰者。 13. 如申請專利範圍第6項至第12項中任一項所述之高分 子化合物，其中，相對於式（1)表示之構成單元及式（4) 表示之構成單元之合計莫耳數，其他構成單元之合計莫 耳數比率為0. 95至1. 05者。 14. 如申請專利範圍第6項至第12項中任一項所述之高分 子化合物，其中，該式（1)表示之構成單元及式（4)表示 之構成單元1分子中各有存在2個以上，存在2個以上 之式（1)表示之構成單元彼此、存在2個以上之式（4) 表示之構成單元彼此、以及式（1)表示之構成單元及式 (4)表示之構成單元實質上不相鄰者。 15. 如申請專利範圍第1項至第14項中任一項所述之高分 子化合物，其中，復含有由磷光發光性化合物衍生之構 成單元。 16. —種組成物，係含有：申請專利範圍第1項至第15項 中任一項所述之高分子化合物、以及至少一種選自由電 洞輸送材料、電子輸送材料及發光材料所成組群的材 料。 17. 如申請專利範圍第16項所述之組成物，其中，該發光 材料含有磷光發光性化合物。 18. —種溶液，係含有申請專利範圍第1項至第15項中任 一項所述之高分子化合物及溶劑。 19. 一種薄膜，係含有申請專利範圍第1項至第15項中任 一項所述之高分子化合物。 134 321750 201035160 * 20. —種發光元件，係具有：由陽極及陰極所構成的電極、 以及設置於該電極間且含有申請專利範圍第1項至第 15項中任一項所述之高分子化合物的有機層。 21. —種面狀光源，係具備申請專利範圍第20項所述之發 光元件。 22. —種顯示裝置，係具備申請專利範圍第20項所述之發 光元件。 23. —種下述式（la)表示的化合物：

   (Ra) [式中，Rla表示烷基；1^表示烷基、可具有取代基之芳 基、可具有取代基之1價芳族雜環基、取代胺基、取代 羰基、取代羧基或氰基；X表示0至5之整數；Ra存在 複數個時，讓等Ra可相同或不同；Xaa表示溴原子、碘 原子、氣原子、-〇-S〇0)2R2°、-B(OR21)2、-BFrQ1、 -Sn(R22)3、-MgY1或-ZnY1 ; 2個又“可相同或不同；R2D 表示烷基、或是可經烷基、烷氧基、硝基、氟原子或氰 基取代之芳基；R21及R22各自獨立地表示氫原子或烷 基；2個R21可相同或不同，可一同形成環；3個R22可 135 321750 201035160 相间我不同，可一同 表不鐘、叙 鉋的1價陽離子，γ1表㉝鉀、㈣ 〇4 ,. /、，原子、碘原子或氣原子]。 24.—種下述式（lc)表示的化合物··

   :有示二t;"。表示可具有取代基之芳基或可 ”-之1仏方族雜環基；2個Rc可相同或不同， -B(0R -BF4—Q1、-Sn(R22)3、-MgY1 或 :同开/成，’ X表示溴原子、碘原子、氯原子 -0-S(=〇)2R2° …一， -ZnY丨；2 個 ' ~llgI ^ 個X可相同或不同；R2。表示烧基、或是可經 ’元土22燒氧基、硝基、氟原子或氰基取代之芳基；R21 及R各自獨立地表示氫原子或燒基；MR21可相同或 不同^可^同形成環；3個R22可相同或不同，可一同 /成衣Q表不鐘、納、鉀、飾或铯的Η賈陽離子；γ1 表示溴原子、硬原子或氣原子]。 321750 136 201035160 四、指定代表圖：本案無圖式 (一) 本案指定代表圖為：第（）圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明： 五、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式：

   本案無代表化學式 321750