TW201014917A - Process for producing powder mixture comprising noble-metal powder and oxide powder and powder mixture comprising noble-metal powder and oxide powder - Google Patents

Description

201014917 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種製造含有責金屬與氧化物成分之乾 時作為原料之由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成之混合粉 末以及其製造方法’特別是關於一種便宜地製造貴金屬粉 末與氧化物粉末之混合粉末的方法、與所獲得之貴金屬粉 末與氡化物粉末所構成之混合粉末。

【先前技術】 含有責金屬與氧化物成分之靶，如由（c〇_Cr Pt)+ si〇: 把所代表之被使用於磁氣記錄媒體之記錄層用⑽輕。而 在製造該靶時必須要使用到貴金屬粉末（微粉末）。 舉麵的例子，於以下說明過去製造貴金屬微粉末的方 法。首先，將鉑的原料（例如，鉑的廢料）溶於王水過濾分 別在王水無法溶解之殘渣。過濾分別後，透過加熱方式， 對王水中的硝酸成分進行脫硝，製成氣化鉑酸水溶液。之 j，使其與氣化銨產生反應得到固體之氣鉑酸銨。進一步， 藉由焙燒該氯鉑酸銨，使氣化銨脫離，製成海綿狀之鉑。 其次，將海綿狀鉑再次溶於王水，製成氯化鉑酸水溶 液’將液中之pH值調整成中性〜鹼性之後，藉由添加聯胺 產生之還原反應，將鈾析出。 藉由調整還原反應條件得以將該鉑製成微粉末，經過 過濾分別、洗淨、乾燥之步驟後’得以製造所要之鉑微粉 末。 在上述之步驟中，自「將海綿狀鉑再次溶於王水」開 201014917 始的步驟，變成用以製造翻微粉末的步驟，成本會増加。 卜再加上，會出現含於王水之氣、參與聯胺還原i應之 氮作為鉑微粉末中之雜質而殘留下來的問題。為了充分去 除此等雜質’須要進行加熱乾燥之步驟，但當該條件：於 高溫環境下時，會發生晶粒成長或凝集之現象。 如上所述，乾燥時發生晶粒成長或凝集現象之粉末， 進一步須要進行粉碎或分級步驟m，在低溫乾燥 的情況下’不僅因為脫氣不夠充分須要再進行溫水洗淨、 再乾燥之步驟，並且雖然就氣而言具有一定程度之效果， 但就氮而言幾乎完全沒有效果。因此，在過去之步驟中， 存在著為了獲得貴金屬之微粉末的製造成本較高之問題。 又’同樣之㈣末之製造方法，揭示了於氨水溶液中， 同時添加氣化鉑酸水溶液與氨胺水溶液來製造鉑粉末之方 法（參照專利文獻1)。 在該情況下亦採用了於溶液中進行粉末之製造的製作 方法。其結果，將所獲得之㈣末進行拙氣過濾之後，必 須要進行乾燥，並進-步以35G〜6G(rc進行燒成將吸附於 銷粉末之氣等作為氣體成分加以除去。 又’進-步’丨了進行脫氣’須要進行溫水洗淨、乾 燥、粉碎。 因為在溶液中之反應中，如此之步驟為必要而不可或 缺’所以步驟也相對地變得很煩#，成為生產成本增加的 原因。 又，同樣之麵粉末之製造方法’揭示了於氣化始酸水 201014917 溶液中同時添加氨胺水溶液來製 獻2)。 造銘粉末之方法 (專利文 在該情況下亦採用了於溶液中 /奋夜中進仃粉末之製造的製作 方法。其結果，將所獲得之鉑粉 物不進仃洗淨、抽氣過濾之 设，進行乾燥步驟，作夯馮兮丰成^ — “ m玄步冑無法充分除去作為鉑粉 末中的雜質而殘留下來之氯、氮。 為了充分去除此等雜質，須要在高溫下進行乾燥的步

驟，但如此-來會發生晶粒成長或凝集的現象。如上所述， 對於乾燥步料發生晶粒成長或凝集現象之粉末，因須要 進步進行粉碎或分級步驟，故步驟相對地變得須雜，成 會生產成本增加的原因。 專利文獻1 :日本專利特開2008-95174號公報 專利文獻2 :曰本專利特開平〇2_294416號公報 【發明内容】 本叙明有鑑於此等之問題，於上述之步驟中，避免貴 金屬粉末製造時重複之步驟，以盡可能不讓含於王水之氣 或參與聯胺還原反應之氮混人之方式，讓步驟得以省略。 其結果，本發明之課題在於：省略乾燥步驟，防止晶粒成 長或凝集現象發生，進一步去掉粉碎或分級步驟，顯著地 降低製造成本。 本發明人等，為了解決上述課題專心致力研究的結 果知到以下之見解：將貴金屬之氯化銨鹽之粉末與氧化 物粉末加以混合’接著培燒該混合粉末，從頭開始製造主 金屬粉末與氧化物粉末之混合粉末，對於降低成本極為^ 201014917 效。 基於該見解，本發明係 υ提供一種由貴金屬 粉末之製造方法，其特徵在於，化物粉末所構成之混合 貴金與氧化物粉末之混合粉末的製造，，將 貴金屬之氣化銨鹽之粉末與氧化物粉末加以混 燒該混合粉末，藉由哕 口接者i ^ ^ ^ . 々，°燒使氣化銨脫離，得到貴金屬粉 末與氧化物粉末之混合粉末。 ::步：為本申請案發明之基本。雖然藉由本製造方法 巧付之貝金屬粉末係以與氧化物粉末之混合物之形式獲 得’但如同過去’作為由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成 之混合粉末之製造方法並不存在，亦沒有這樣的想法。 如後所述，藉由該步驟，可省略高溫下的乾燥步驟， 防止晶粒成長或凝集現象發生，進—步去掉粉碎或分級步 驟’顯著地降低製造成本。χ，以盡可能不讓含於王水之 氣或參與聯胺還原反應之氮混入之方式，讓步驟得以省略。 又’本發明係 2) —種如上述1)之由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成 之混合粉末之製造方法，其特徵在於； 貴金屬粉末之粒徑的90%以上為20 " m以下，氧化物 粉末之粒徑的90%以上為12/z m以下； 3) 一種如上述1)或2)之由貴金屬粉末與氧化物粉末所 構成之混合粉末之製造方法，其特徵在於： 培燒係在大氣中，以350°C以上、800t以下之培燒溫 201014917 度來進行； 4) 一種上述1)或2)之由貴金屬粉末與氧化物粉末所構 成之混合粉末之製造方法，其特徵在於：焙燒係在含氫氣 體環境中，以焙燒溫度為10(rc以上、5〇(rc以下來進行； 5) —種如1)〜4)中任一項之由貴金屬粉末與氧化物粉末 所構成之混合粉末之製造方法，其特徵在於： 作為原料所添加之氧化物的體積，為責金屬之氣化銨 鹽之體積的3〇/。〜35% ; 6) —種如上述υ〜5)中任一項之由責金屬粉末與氧化物 粉末所構成之混合粉末之製造方法，其特徵在於： 貝金屬為始、金、銥、把、釕之至少1種； 7) 提供-種如上述υ〜6)中任一項之由責金屬粉末與氧 化物粉末所構成之混合粉末之製造方法，其特徵在於： &氧化物為氧化鋰、氧化硼、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、 乳化舞、氧化銳、氧化欽、氧化叙、氧化鉻、氧化猛、氧 φ化鋅、氧化鎵、氧化鍺、氧化記、氧化綱、氧化飾、氧化 鳍、氧化斂、氧化釤、氧化錯、氧化鈮、氧化鉬、氧化銦、 氧化錫、氧化給、氧化组、氧化鹤、氧化叙之至少】種。 又’本發明係 之混合 8)提供一種由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成 粉末’其特徵在於： 氣未滿1 〇〇〇ρρ 的90%以上為2〇" 為12 # m以下； m，氮未滿l〇〇〇ppm，貴金屬粉末之粒徑 m以下’氧化物粉末之粒徑的9〇%以上 201014917 該氣與氮之含有量可以藉由本發明來達成，關於兩雜 質的含量可控制在500ppm以下，甚至控制在2〇〇ppm以下。 又’本發明係 9) 一種如上述8)之由責金屬粉末與氧化物粉末所構成 之混合粉末之製造方法，其特徵在於： 貴金屬為翻、金、銀' 、釕之至少1種； 10) 提供一種如上述8)或1〇)之由貴金屬粉末與氧化物 粉末所構成之混合粉末’其特徵在於：氧化物為氧化鋰、 氧化硼、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、氧化鈣、氧化銃、氧 化鈦 '氧化鈒、氧化鉻、氧減、氧化鋅' 氧化鎵、氧化 鍺氧化釔、氧化鑭、氧化鈽、氧化镨、氧化鈥、氧化釤、 氧化鍅：氧化鈮、氧化鉬、氧化銦、氧化錫、氧化铪、氧 化组 '氧化鶴、氧化叙之至少1種。 根據本發明可避免貴金屬粉末製造時重複之步驟，並 以盡可月匕不讓含於王水之氣或參與聯胺還原反應之氮混入 之方式，^步驟得以省略。其結果，得以省略高溫下的乾 燥步驟’ P方止晶粒成長或凝集現象的發生，進一步去掉粉 碎或分級步驟’具有顯著地降低由貴金屬粉末與氧化物粉 末所構成之靶的製造成本之優異效果。 【實施方式】 本發明之作為濺鍍靶原料 末所構成之混合粉末之製造方 合氧化物之後再進行焙燒者。 化物於液中混合，亦可將乾燥 之由貴金屬粉末與氧化物粉 法，係於氣化銨鹽之階段混 混合方式可將氣化銨鹽與氣 的氣化銨鹽與氧化物放入容 201014917 器内直接混合。 因為藉此除了可以讀备义 金屬於m札讓&女脫離，同時又可以得到貴 金屬杨末舆乳化物粉.曰人 ,,_ v ^ A 末之"& σ物’所以與過去的製法相 如上二 縮短步驟，成本也隨之大幅降低。然而， 的粉末Γ"只不過是貴金屬粉末與氧化物粉末混合而成 料# ^因被用於磁氣記錄媒體之記錄層用濺鑛乾之原 := 貴金屬粉末與氧化物混合而成之材料，所以 會L /末與氧化物粉末混合而成的粉末作為原料並不 壬可問題，甚至可以說事先加以混合較為有用。 於進行培燒前換入氣化物微粉末，是為了要防止貴金 ^燒時發生凝集現象。在製造磁氣記錄媒體之記錄層 :鍍靶時’ $ 了將組織微細化、防止不正常放電或顆粒 /生、謀求品質之提升，貴金屬之粒徑以及氧化物之粒 從被要求要微細。 因，，將責金屬粉末之粒徑的90〇/〇以上設為2〇#m以 下將氣化物粉末之粒徑的9〇%以上設為12 “ ^以下。進 、步’較佳為將貴金屬粉末之粒徑的90%以上設為1〇#m 以下’將氧化物粉末之粒役的90%以上設為6μ m以下。如 述可以藉由限制焙燒時之貴金屬的凝集範圍加以達 成。亦艮P_L. λ- 。 在大氣中進行焙燒之際，較佳為將焙燒溫度設 350 C以上。特佳之範圍為350°C ~500。(：。 、、、言因為禱培燒溫度未滿3 5 0 °C時，則氣化錢會變得難 乂脫離，戶斤獲得之微粉末中的氯、氮含有量會變多。又， 201014917 亦可舉出脫離所需之時間會變得相當長，生產性會產生問 題等理由。 另一方面’之所以會將焙燒溫度設為8〇〇以下，是為 了抑制貴金屬微粉末發生晶粒成長的現象。再加上氧化物 粉末也會發生凝集或晶粒成長的現象，故必須加以預防。 另外’在含氫氣體環境中進行焙燒時，即使溫度較低 亦可。亦即’可以在焙燒溫度為l〇〇〇c以上、5〇(rc以下之 環境下進行焙燒。在氫氣體環境中，因為氫會幫助從氣鉑 酸銨分解出氣化銨之反應，焙燒會進行地非常迅速，所以 可以較一般之焙燒溫度低之溫度來進行焙燒。 要將上述之貴金屬粉末之粒徑的以上控制在2〇 # m以下、氧化物粉末之粒徑的9〇%以上控制在丨2 #爪以下， 可以藉由使用作為原料之貴金屬之氯化銨鹽粉末之粒徑的 90 /。以上控制在3〇以m以下者，或氧化物粉末之粒徑的9〇% 以上控制在12 # m以下者，輕易地達成。 例如，當氣化銨從氣鉑酸銨脫離之際，粒徑為從3〇 " m 變成1 〇 V m左右。此時，受到焙燒時之溫度的影響，多少 會發生晶粒成長的現象，其程度會因溫度而異。 如同上述，當焙燒溫度超過800°C時，則通常會變成粒 在超20以m之貝金屬粉。然而，如果氯始酸鍵之粒徑夠 小的話，即使以超過80(TC的溫度進行焙燒，也會出現貴金 屬粉之粒徑未達2〇 # m的情況。 同樣地’當氧化物之粒徑設為12 " m以下時，也被預 期會因為焙燒步驟而導致晶粒成長現象之發生。基於以 201014917 上 田將貴金屬之粒徑的90%以上設為20 " m以下、氧化 物粉末之粒徑的9〇%以上設為12#m以下時，為35(rc〜8〇〇 °C範圍之焙燒溫度為推薦溫度。 作為原料添加之氧化物之體積係設為貴金屬之氯化銨 鹽之體積的3%〜35%。 這是因為當氧化物粉末沒有貼近貴金屬之氣化銨鹽粉 末時，則於焙燒時貴金屬微粉末會變得容易凝集，故以氧 ❺化物體積成為貴金屬之氯化錄鹽體積的3%以上之方式來添 加氧化物粉末。再者，當添加氧化物粉末到超過貴金屬之 氣化銨鹽體積的35%時，則就磁氣記錄媒體之記錄層用濺 錢靶用之原料而言’並非實用之混合比例。因此，可以說 較佳為設成上述之範圍。 關於上述’雖然㈣是在使㈣的情況下效果會特別 顯者，但其他情況即在貴金屬為销、纟、銀、把、釕之至 乂 1種的情況之下使用本發明也會被理解。 ❹ 又’可以使用氧化鋰、氧化硼’氧化鎂、氧化鋁 化石夕、氧㈣、氧化銳、氧化鈦、氧化叙、氧化絡 錳、氧化鋅，氧化鎵、氧化鍺、 卜 虱匕 氧化镨、氧化鈦、氧化=b:化妃、氧化鑭、氧化鈽、 :銦、.化錫、氧化給、氣化纽、氣化鶴、氧化…二 π 201014917 又，闕於該氯之含有量，特 200ppm以下，推一半处 疋可成為500ppm以下、 少他成為100p 氮亦可成為500ppm以下， 乂下。同樣地’關於 【實施例】 步可成為2〇〇ppm以下。 接著’說明本發明之具體的實施 施例係用以使本申請案發 下之實 * ^ ^ ' 更加容易理解者，而非將本 申明案發明侷限於此。亦即， Ρ肝不 ^ m 春 土於本申請案發明的技術思 想之變形、實施態樣及其 〇 發明中。 *他之實施例，亦包含於本申請案 (實施例1) 將始廢料(⑽P)以酸溶解’過濾分別殘逢之後藉由讓 溶液與氣化銨產生反應之步驟來製造氣銘酸錢。 •接著，將於該鉑廢料的精製步驟所獲得之氣鉑酸銨與 S i 0 2混合。 混合比例以體積換算，相對於氣鉑酸銨1〇，將以〇2設 為1。混合方法係將混合物放入研缽之中充分攪拌。之後， 將混合物放入石英製的容器，投入焙燒爐，在大氣中以6〇〇 〇 °C培燒20小時，使氣化銨脫離。 为析培燒後之混合物的結果，氣<l〇〇ppm、氮為 500ppm ’可以確認到氣化銨沒有殘留。測量粒度分佈 (HORIBA製，雷射繞射散射式）的結果，鉑粉末之粒徑有9〇% 以上為3~10/zm。又，Si〇2粉末之粒徑有90%以上為0.5〜3 μ m。 將該培燒後之浪合粉作為原料，於製造Co-Cr-Pt- Si02 12 201014917 靶之際，加入既定量之CO粉、cr粉、用以補足不足部分之 Si02粉，混合後使之燒結。 一般而言，使用作為記錄媒體之際，就c〇_Cr_pt_以〇 的情況係將各個成分調整為既定之比率來使用，作此等2 成分調整’亦即對於不足部分之材料，可以適當添加。 以下之實施例以及比較例之 燒結體的組織很微細， 體之記錄層膜成形之濺鍍靶 中，可進行同樣之成分調整。 可以得到適合用於磁氣記錄媒

(比較例1) 以下之比較例並非過去之習知技術。亦即因為在過去 的技術中並不存在近似於本申請案發明之技術。在比較例 中，係表示界定於本發明之請求項的附屬項之中，嗖為較 佳範圍之條件以外的例子。因此，表示於此之條件應當被 理解為不料為本中請案發明之上位概念所界定之範_ 例外要.素。 當將培燒條件設為在大負Φ W 。ώ: h φ 八軋甲从900 C之溫度進行炉·燒 2〇小時的時候，雖然氣、氮量夠低，但是銘之粒徑在· °\以上者約占了鳩的比例，所占比例錢變大。在這種 情況下’即使使用該原料央匍、止^ ^ ^ , 术I 乾，也無法付到所希望之 較佳的微細組織。反之，者 。 田將虼燒條件設為在大氣中以300 °C之焙燒溫度進行焙燒 心20小時的時候，氯化銨沒有完全脫 離，在這樣的情況下也盔半 ’去件到所希望之較佳的细粉。由 以上可知，於焙燒之際 將溫度設成35(TC以上、800〇C以 下為較佳之條件。 13 201014917 (比較例2) 如上所述’在實施例1中’以體積換算混合比，相對 於氣鉑酸銨10，將Si〇2設為0.2 ’亦即2%的情況下，於 培燒後，以顯微鏡觀察混合粉的結果，隨處可見翻粉的大 塊凝集。吾人認為氧化物粉末的比例較少，於焙燒時貴金 屬粉末彼此較容易凝集。 (實施例2) 將含釘廢料以酸溶解’過渡分別.殘潰之後，經過使溶 液與氣化銨產生反應之步驟，製造氣釕酸錢。接著，將於 ❹ 該釕廢料之精製步驟所獲得之氣釕酸銨與Si〇2混合。 混合比以體積換算’相對於氣釘酸錄1 〇，將設為 1。混合方法係將混合物放入研蛛之中充分撥拌。之後，將 混合物放入石英製的容器，投入焙燒爐，在不活性環境中， 以60(TC的溫度進行焙燒20小時，使氣化銨脫離。 分析焙燒後之混合物的結果，氯<1〇〇ppm、氮為 50〇Ppm，可以確認到氣化銨沒有殘留。測定粒度分佈 (horIBA製，雷射繞射散射式）的結果，釘粉末之粒徑有❹ 以上為3〜ΙΟ/zm。又，Si〇2粉末之粒徑，9〇%以上為〇5〜3 β m。 以該焙燒後之混合粉作為原料來製造c〇_Ru_Si〇2靶之 際’加入既定量之C〇粉、用以補足不足部分之以〇2粉，混 合後使之燒結。 燒結體之組織微細’可以得到適合用於磁氣記錄媒體 之濺鍍歡。 14 201014917 (實施例3) 將於上述實施例1之鉑廢料的精製步驟所獲得之氯鉑 酸銨與τ1〇2混合。混合比以體積換算，相對於氣鉑酸銨1〇, 將Ti〇2設為1。 混合方法係將混合物放入研缽之中充分搅拌。之後， 將混合物放入石英製的容器，投入焙燒爐，在大氣中以600 C的溫度培燒2 0小時，使氣化録脫離。 分析焙燒後之混合物的結果，氣<1〇〇ppm、氮為 5〇〇PPm，可以確認到氣化銨沒有殘留。測定粒度分佈 (hoiuba製，雷射繞射散射式）的結果，銷粉末之粒徑有9〇% 以上為3〜l〇"m。又，Ti〇2粉末之粒徑有9〇%以上為〇 5〜3 // m。 以該結果所獲得之培燒後的混合粉作為原料來製造 C〇-C卜Pt-Ti〇2靶之際，加入既定量之c〇粉、&粉、用以 補足不足部分之氧化i (Ti〇2)粉，混合後使之燒結。 瘳 *結果，燒結體之組織微細’可以得到適合用於磁氣 記錄媒體之濺鍍靶。 在上述實施例中，雖然作為氧化物使用了氧化石夕、氧 化鈦之此二例，但包含此等之氧化石夕、氧化欽，添加氧化 鐘、氧化硼、酸化鎮、氧化銘、氧化石夕、氧化妈、氧化筑、 乳化鈦、氧化鈒、氧化鉻、氧化鐘、氧化鋅、氧化鎵、氧 化鍺、氧化纪、氧化鑭、氧化鈽、氧化鳍、氧化斂、氧化 化錯、氧化銳、氧化翻、氧化銦、氧化錫、氧化給、 、氧化鎢、氧化鉍之至少1種的情況下，亦可得到 15 201014917 « · 同樣的結果。 (實施例4) 將鉑廢料以酸溶解，過濾分別殘渣之後’經過使溶液 與氣化錢產生反應的步驟，來製造氯銘酸敍。接著，將於 該始廢料之精製步驟所獲得之氣鉑酸銨與Si02混合。 混合比以體積換算，相對於氯鉑酸銨100，將Si〇2設 為32。混合方法係將混合物放入研缽之中充分攪拌。之後， 將混合物放入石英製的容器中，投入焙燒爐，在氫環境中， 以400。(：進行培燒1〇小時，使氣化按脫離。 ❹ 分析培燒後之混合物的結果，氣<1〇〇ppm、氮為 500ppm，可以確認到氣化銨沒有殘留。測定粒度分佈的 (HORIBA製，雷射繞射散射式）結果，鉑粉末之粒徑有 以上為7〜16/zm。又，si%粉末之粒徑有9〇%以上為〇 5〜3 /zm。 將該焙燒後之混合粉作為原料，於製造c〇_Cr_pt· §丨〇2 靶之際，加入既定量之Co粉、Cr粉、用以補足不足部分之 Sl〇2粉’混合後使之進行燒結。 ❿ 其結果，燒結體之組織微細，可以得到適合用於磁氣 記錄媒體之濺鍍靶。 在以上的實施例中，雖然使用了鉑與釕，但包含此等 之貴金屬，使用鉑、金、釕'鈀、銥之至少i種亦可得到 同樣的結果。 (產業利用性） ， 本發明係避免貴金屬粉束製造時重複之步驟，並以盡 16 201014917 :能：讓含於王水之氣或參與聯胺還原反應之氮混入之方 成長或凝集現象之發生，進一步2乾燥步驟’防止晶粒 有可以顯著降低由貴金屬粉末與：：：分級步驟，具 製造成本之優異效果，因此、 η所構成之靶的 錄層用濺鍍靶。 、，可用於磁氣記錄媒體之記 【圖式簡單說明】 盖 Ο 【主要元件符號說明】 益

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Claims (1)

1. 201014917 七、申請專利範圍： . 1. 一種由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成之混合粉末 之製造方法，其特徵在於： 在貴金屬粉末與氧化物粉末之混合粉末的製造中，將 貴金屬之氣化銨鹽的粉末與氧化物粉末加以混合，其次， 焙燒該混合粉末，藉由該焙燒使氣化銨脫離，得到貴金屬 粉末與氧化物粉末之混合粉末。 2·如申請專利範圍第1項之由貴金屬粉末與氧化物粉 末所構成之混合粉末之製造方法，其中，焙燒係在大氣中’❹ 以3 50 C以上、800。〇以下之焙燒溫度來進行。 3. 如申請專利範圍第丨項之由責金屬粉末與氧化物粉 末所構成之混合粉末之製造方法，其中，焙燒係在含氫氣 體環境中，以100。(：以上、50(TC以下之焙燒溫度來進行。 4. 如申請專利範圍第！至3項中任一項之由貴金屬粉 末與氧化物粉末所構成之混合粉末之製造方法，其中，作 為原料所添加之氧化物的體積，為貴金屬之氣化銨鹽之體 積的3%〜35%。 _ 5. 如申請專利範圍第1或2項之由貴金屬粉末與氧化 物粉末所構成之混合粉末之製造方法，其中，貴金屬為始、 金、釕、鈀、銥之至少1種。 6. 如申請專利範圍第1或2項之由責金屬粉末與氧化 物粉末所構成之混合粉末之製造方法’其中，氧化物為氧 化鋰' 氧化硼、氧化鎂、氧化鋁、氧化矽、氧化鈣、氧化 銳氡化鈦、氧化鈒、氧化鉻、氧化猛、氧化鋅、氧化鎵、 18 201014917 氧化鍺氧化纪、氧化鋼、氧化鈽、氧化鍇、氧化鈥、氧 化釤氧化鍅、氧化鈮、氧化鉬、氧化銦、氧化錫、氧化 鈐、氧化钽、氧化鎢、氧化鉍之至少1種。 7_種由貴金屬粉末與氧化物粉末所構成之混合粉 末，其特徵在於： 氯未滿lOOOppm，氛未滿1〇〇〇ρριη，貴金屬粉末之粒徑 的9〇%以上為2G//m以下，氧化物粉末之粒徑的90%以上 為12 /z m以下。 8.如申請專利範圍第7項之由貴金屬粉末與氧化物粉 末所構成之混合粉末，纟中’貴金屬為鉑、金、釕、鈀、 銀之至少1種。 9.如申請專利範圍第7或8項之由貴金屬粉末與氧化 物粉末所構成之混合粉末’纟中，氧化物為氧化鐘、氧化 硼' 氧化鎮、氧化銘、氧化矽、氧化鈣、氧化銃、氧化鈦、 氧化叙、氧化絡、氧化錳、氧 n 乳化鋅、氧化鎵、氧化鍺、氧

   化釔、氧化鑭、氧化鈽、氧化錯、 ^ 乳化钕、乳化釤、氧化 锆、氧化鈮、氧化鉬、氧化銦、氧 卜 軋化踢乳化铪、氧化鈕、 氧化鎢、氧化鉍之至少1種。 八、圖式： 無 19