TW201009849A - Wiring material and wiring board using the same - Google Patents
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- 239000000463 material Substances 0.000 title claims description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 103
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 36
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 205
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 54
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 23
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 23
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 17
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 15
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 abstract description 65
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 35
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 26
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 abstract description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 abstract description 19
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 abstract description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 16
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 abstract description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 44
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 42
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 38
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 35
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 34
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 28
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 16
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 15
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 14
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 13
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 12
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N Hydrazine Chemical compound NN OAKJQQAXSVQMHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 9
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 7
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 7
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 4
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 4
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 4
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 4
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 4
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 4
- DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 6-[3-[4-[2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)pyrimidin-5-yl]piperidin-1-yl]-3-oxopropyl]-3H-1,3-benzoxazol-2-one Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C1CCN(CC1)C(CCC1=CC2=C(NC(O2)=O)C=C1)=O DEXFNLNNUZKHNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910017852 NH2NH2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- -1 i.e. Substances 0.000 description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 3
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001093 Zr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000004453 electron probe microanalysis Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical compound [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N N-[1-oxo-1-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propan-2-yl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(C(C)NC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 MKYBYDHXWVHEJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N [(3S)-3-[8-(1-ethyl-5-methylpyrazol-4-yl)-9-methylpurin-6-yl]oxypyrrolidin-1-yl]-(oxan-4-yl)methanone Chemical compound C(C)N1N=CC(=C1C)C=1N(C2=NC=NC(=C2N=1)O[C@@H]1CN(CC1)C(=O)C1CCOCC1)C FHKPLLOSJHHKNU-INIZCTEOSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 150000001879 copper Chemical class 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N lead(0) Chemical compound [Pb] WABPQHHGFIMREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910001092 metal group alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Substances [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C5/00—Alloys based on noble metals
- C22C5/06—Alloys based on silver
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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Description
201009849 六、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於TFT型液晶顯示器(TFT— LCD )或有 機EL用的配線基板、反射電極及其製造方法。 【先前技術】 TFT ( Thin Film Transistor :薄膜電晶體)型液晶顯 • 示器(以下簡稱TFT - LCD ),由於擁有顯示性能佳、省 能源等的特徵,作爲攜帶用電腦、膝上型電腦、電視等的 顯示器,已經成爲主流。此TFT— LCD的製造方法,各公 司有各種方法,而由於製造TFT的製程複雜,又爲了積層 各種金屬、金屬氧化物,而被要求製程的簡單化。 又,對於顯示裝置的其他方式亦即有機EL (有機 Electroluminescence,有機電激光),正在嘗試以TFT驅 動方式來顯示。 TFT— LCD的基本構造 說明以往的TFT — LCD的基本構造。第3圖係模式地 表示透過型TFT_ LCD的剖面之剖面模式圖。如該圖所示 ,透過型TFT — LCD,其基本構造係作成以彩色濾光片基 板12和TFT基板14,夾住液晶10的構造。而且,在 TFT基板14的背面,設置背光源16,從背面照射透過型 TFT— LCD。彩色濾光片基板12係作成其彩色濾光片22 被夾在玻璃基板18a和透明電極20a之間的構造;分別使 201009849 紅(R)、綠(G)、藍(B)色的光透過。 TFT基板14,在玻璃基板18b上,形成透明電極2 0b :訊號電壓便經由TFT24而被施加在此透明電極20b上。 再者,在第3圖中,雖然予以省略而未顯示出來,在彩色 濾光片基板12側,設有一枚偏光板;進而在TFT基板14 側,設有一枚偏光板。這些構成爲眾所週知的構成。 在第3圖中,係顯示出透過型TFT — LCD的構成;而 反射型TFT — LCD的構成,其TFT基板14側的電極不是 _ 透明電極20b,而是構成能夠反射外光之使用鋁等的反射 型電極。又,反射型TFT — LCD的情況,由於反射外光, 所以不需背光源1 6。 在第4圖中,顯示出表示透過型TFT— LCD的上述 TFT基板14上的1個畫素的基本構造之平面模式圖。如 該圖所示,訊號線30上的資訊,係經由利用TFT24的開 關,而施加在透明電極20b上。TFT24具有源極電極32、 閘極電極34、及汲極電極36,在閘極電極34的部位,積 ⑩ 層非晶質矽38。 在第5圖中,顯示出第4圖的V-V'線的剖面模式圖。 閘極電極34設置在玻璃基板18b上,並在其上方積層 SiNx膜35。進而,在閘極電極34的上方,設置非晶質矽 38的層。源極電極32和汲極電極36被配置成夾住此非晶 質矽38並與源極電極部分重疊。進而,在其上方整體地 設置絕緣膜40。而且,在絕緣膜40上,設置透明電極 20b。透明電極20b,經由開口在絕緣膜40的通孔40b, -6- 201009849 而與汲極電極36導電連接。 被利用在TFT—LCD中的配線 對於驅動習知的TFT - LCD之TFT陣列的製造過程, 正在硏究著在TFT的閘極電極、源極.汲極電極中,使用 Cr、TaW、MoW等的金屬。 在這些金屬中,Cr的加工性容易但是卻有容易腐蝕的 φ 問題;TaW、MoW雖然耐腐蝕,卻有電阻大等的問題。 因此,加工容易且電阻低的金屬被廣泛地使用。單就 電阻低的金屬來說,有Ag、Cu、A1等。因此,從以往便 提案出使用以鋁爲主體的配線之TFT陣列(電晶體陣列) 。又,使用鋁的情況,已知有可能在電極表面形成被稱爲 堆積(Hillock)的突起。一旦在TFT的源極等的電極上 產生此堆積,則有可能突破其上層的絕緣層,進而與上層 的透明電極接觸而形成不良品。因此,爲了防止產生此堆 〇 積,以往係採用將Nd添加在鋁內的構成。 但是,若使如此的鋁電極和矽層與透明電極直接接觸 ,則鋁會擴散至矽層,由於會使元件性能劣化、鋁被氧化 而轉換成氧化鋁,則與透明電極之間的電阻有可能變大。 結果,已知有構成TFT陣列的各元件沒有正常地動作的問 題。 進而,若將Nd添加在鋁中,與TaW、MoW同樣的, 有電阻變高的危險。 因此,在以往改良的手段中,目前係採用將鋁電極以 201009849
Mo或Ti等,作成三明治構造(夾住構造),來降低與氧 化物透明電極之間的接觸電阻。亦即,爲了防止鋁往矽層 擴散,係將Mo成膜在矽層上,再於該膜上,設置鋁層。 而且,爲了防止由於被氧化而增加與透明電極之間的接觸 電阻的情況發生,進而在鋁層上,設置Mo層。如此,以 往係採用Mo/ Al/ Mo的3層構造的配線。根據同樣的理 由,也採用Ti/Al/Ti的3層構造的配線。
Ag合金的習知例 再者,以Ag爲主要成分的合金,利用作爲電接點材 料的例子,已知有日本特許(專利)第127072號。在該 特許中,揭示:含有Fe、Co、Ni中的1種或2種之5〜 20wt%的Ag合金;及其他構成的Ag合金。又,在日本特 許第1585932號中,揭示:含有 5〜25 wt%Ni、〇.〇5〜 8wt%Zr的Ag合金。 又’利用以Ag爲主要成分的合金,作爲電子零件用 金屬材料來利用的例子,例如有日本特開2001 -1 9275 2號 公報。在該公報中,揭示:含有0.1〜3 wt%的P,且含有 Au、Pt、Cu、Ta、Cr、Ti、Ni、Co、Si 等,總共 〇,i 〜 3wt%的Ag合金。 又,以Ag爲主要成分,將含有從Zn、Co、Fe、Cr、 Μη、Ti中選擇出1種以上的金屬以及pd的合金,作成閑 極電極來使用的例子’揭示在日本特開2001-102592號公 報中。 -8 - 201009849
Cu合金的習知例 再者’以Cu爲主要成分的合金,其中半導體機器的 導線材用的銅合金,記載於日本特許第1549371號(特願 昭57-6061)。在該特許中’揭示:含有〇4〜4 wt %的Ni 、0.1〜lwt%的Si之Cu合金。又,作爲副成分,揭示出 含有P或As等。 又,在日本特許第191 4484號(特願昭58-65265)中 φ ’揭示以Cu爲主要成分的合金。在該特許中,揭示出: 含有0.01〜2_0wt%的Cr之銅合金;含有0.005〜1.0wt%的 Zr之銅合金;以及含有Cr和Zr兩者的銅合金。 又,在日本特許第2136017號(特願昭62-124365號 )中’記載著半導體用銅合金的例子。在該特許中,揭示 :含有 1.0 〜4.0 wt % 的 Ni、0.2 〜1.0 wt % 的 Si、0.0005〜 0.5wt°/。的Ag ;進而含有Zn或Mn、Co等總共2.0wt%以下 之Cu合金。 ❹ 在使用於顯示裝置的電極中,利用銅的習知例 又,在日本特許第2579106號(特開平05-188401號 公報)的TFT液晶面板中,揭示出TFT電晶體的閘極電 極作成Cr/ Cu/ Cr的三層構造之技術。進而,在日本特 開平1 0-1 5 3788號公報中,記載著:液晶顯示裝置的閘極 電極’由Cu和Zr的合金和覆蓋此合金的ZrO氧化層所構 成。又,在日本特開201-196371號中,揭示:導電性金 屬作成銅薄膜圖案和IZO薄膜圖案的積層構造。又,在曰 -9- 201009849 本特開2001-22321 7號公報中,揭示:與銅薄膜之間的電 阻爲1 .0x1 0·6Ω · cm以下的金屬氧化物導電體薄膜。 【發明內容】 採用上述中的3層構造的配線的情況’爲了將鋁電極 作成三明治狀,必須首先將Mo或Ti等成膜,之後使以鋁 爲主體的金屬成膜,然後再度使Mo或Ti等成膜,而會有 成爲複雜的製程的缺點。 又,如上所述,電阻低的金屬,除了鋁以外,已知有 Ag或Cu等。因此,也嘗試藉由Ag或Cu電極來解決上述 問題,但是Ag或Cu與基板亦即玻璃或矽膜之間的密著性 低,在製造過程中,會發生剝離等的問題。 本發明係鑒於此種問題而開發出來,其第1目的係針 對以Ag爲主要成分的合金(Ag合金),實現可以改善與 玻璃基板或矽膜等之間的密著性,而提供使用此Ag合金 的配線材料。 又,本發明的第2目的係針對以Cu爲主要成分的合 金(Cu合金),實現可以改善與玻璃基板或矽膜等之間 的密著性,而提供使用此Cu合金的配線材料。 1·關於Ag合金的發明 對於上述課題,經過發明人深入硏究的結果,瞭解到 若將以Ag、Zr爲必要成分,進而含有由Au、Ni、Co或 A1所組成的群組中的1種或2種以上的金屬的Ag合金, 201009849 使用於配線,將可以解決上述課題。 此Ag金屬合金配線,判明其與玻璃基板之間的密著 _ 性良好、電阻低,而且即使與矽層直接接觸,金屬原子幾 乎不會往矽層擴散。結果,判明幾乎不會有使構成TFT陣 列的各元件的性能劣化的危險。 又,判明即使在由此Ag合金所構成的金屬電極上, 直接形成以氧化銦、氧化錫、氧化鋅爲主要成分的液晶驅 φ 動用電極(透明電極),在金屬電極與此透明電極之間的 接觸電阻也不會變成過大,元件可以安定地動作。 當此Ag合金成膜時,理想爲藉由濺鍍來進行成膜。 所使用的靶材,係以Ag和Zr爲必要成分。具體而言 ,該靶材的組成係被調整成可以形成:Ag爲60〜99wt% 、Zr爲1〜5wt%,且Au、Ni、Co的組成比率分別爲0〜 2 0wt%,且A1的組成比率爲0〜39wt%的薄膜。一般而言 ,藉由將其組成與所要作成的薄膜的組成相同的靶材,作 Φ 爲濺鍍靶材來使用,能夠生成所希望組成的薄膜。 以如此的組成,能夠製作出AgZr2或AgZr等的化合 物。藉此,Zr的分散性被促進,而藉由一部份NiZr、 NiZr2、Ni3Zr等的化合物或是 AuZr2、Au2Zr等的化合物 的生成,第三成分的分散也被促進,預期可以得到安定的 濺鍍。 又,由此Ag合金所構成的金屬電極,與基板也就是 玻璃或矽膜之間的密著性也變大,在製造過程中,膜不會 剝離,可以安定地進行製造。 -11 - 201009849 本發明的具體構成如以下所示。 1一 A 關於配線材料的發明 爲了解決上述課題,本發明的配線材料,係由以Ag 、Zr爲必要成分,進而含有由Au、Ni、Co或A1所組成 的群組中選擇出1種或2種以上的金屬的Ag合金,所構 成的配線材料。如此構成的Ag合金,可以提高與玻璃基 板或矽晶圓之間的密著性。 _ 又,本發明的配線材料,針對上述Ag合金,其特徵 爲:Ag的組成比率爲60〜99wt%,且Zr的組成比率爲1 〜5 wt% 〇 若Zr爲1 wt%以下,則沒有添加效果,與矽晶圓之間 的密著強度依舊是低。另一方面,若Zr過多,則由該配 線材料所形成的薄膜的電阻値(電阻率)變大,而被觀察 到會變成比4 /z Ω _ cm大的情況、或是濺鍍中的異常放電 增加的情況。根據該結果可知,若使Zr的組成比率範圍 © 在1〜5 wt%的範圍以外,會產生作爲低電阻配線材料所不 希望的特性的危險。 又,本發明的配線材料,針對上述Ag合金,其特徵 爲:Ag的組成比率爲60〜99wt%、Zr的組成比率爲1〜 5wt°/〇、Au的組成比率爲〇〜20wt%、Ni的組成比率爲0〜 2 0wt%、Co的組成比率爲〇〜20wt%,且A1的組成比率爲 0 〜3 9wt% 〇 藉由添加Au、Ni及Co,觀察到與玻璃基板之間的密 -12- 201009849 著強度變高。但是,若這些金屬的組成比率超過2 0 wt%, Au的情況會產生成本升高的問題。又,Ni的情況,若其 . 組成比率超過20wt%,被觀察到其電阻値(電阻率)會變 成比4^ Ω · cm大的情況、或是濺鍍中的異常放電增加等 的情況。結果,顯示出具有作爲低電阻配線材料所不希望 的特性的可能性。 在此,已經針對Au、Ni、Co加以說明,這些第三金 • 屬’當然是不會擴散至半導體層的金屬;或是即使擴散也 不會影響到半導體元件的性能的金屬;或是應該限定在不 會影響的範圍的量。 再者’作爲Ag/ Zr合金,例如AgZr2、AgZr等。又 ,作爲 Zi/ Ni 合金,例如 NiZr、NiZr2、Ni3Zr 等。又, 在 Zr/Au 合金中,例如 AuZr2、Au2Zr、Au4Zr 等。 進而’本發明的配線材料,對於到此爲止所述的配線 材料,含有從由Re、RU、Pd、Ir所組成的群組中選擇出1 ® 種或2種以上的金屬,其含量爲〇〜i wt%。 進而’本發明的配線材料,針對上述配線材料,其電 阻率在4// Ω · cm以下。 作爲半導體元件用的配線薄膜而使用前述材料時,該 電阻率若在4 /z Ω · cm以上,則其値過大而被認爲會變成 無法忽視訊號的遲延的程度。因此,藉由組成電阻率爲4 V Ω · cm以下的配線材料,能夠提供訊號遲延少的半導 體元件用的配線薄膜。 -13- 201009849 1- B 關於配線基板的發明 本發明的配線基板,係具備:基板;及設置在該基板 的配線,該配線係由具有上述組成的配線材料所構成。 又,本發明的上述基板,爲玻璃基板或矽基板。在上 述構成中的配線材料,實現與玻璃基板或矽晶圓等的密著 強度優異,不會剝離的配線。 又,本發明的配線基板,其中前述配線和前述基板之 間的密著強度,利用刮痕試驗法所測得的値爲3牛頓以上 。若不到3牛頓,則在製程中,薄膜會發生剝離的問題。 又,本發明的配線基板,其中前述配線,係被形成在 前述配線基板上的薄膜電晶體的閘極配線和閘極電極。在 此情況下,本發明的配線基板被稱爲半導體元件配線基板 。藉由如此的構成,能夠使薄膜電晶體的閘極電極的電阻 値變小,有助於薄膜電晶體性能的提高。 又,本發明的配線基板,其中前述配線,係被形成在 前述配線基板上的薄膜電晶體的源極配線和汲極配線以及 源極電極和汲極電極。在此情況下,本發明的配線基板爲 半導體元件配線基板。藉由如此的構成,能夠使薄膜電晶 體的源極電極和汲極電極的電阻値變小,有助於薄膜電晶 體性能的提高。 又,本發明的配線基板,其中前述基板的至少表面爲 絕緣性;金屬氧化物導電膜層,被形成在前述配線上。 又,本發明的配線基板,其中前述配線和前述金屬氧 化物導電膜,係構成2層構造的積層配線。 -14- 201009849 這些發明中的金屬氧化物導電膜,例如爲IZO/I-Z • 〇(登錄商標)等的透明電極。若藉由如此的構成來製 造反射型LCD或有機EL等,能夠使電極的電阻小,因而 能夠製造出性能佳的薄膜電晶體等。結果,能夠提升反射 型LCD或有機EL等的性能。 又,本發明的配線基板,其中前述金屬氧化物導電膜 係由氧化銦和氧化鋅的非晶質透明導電膜所構成;此非晶 質透明導電膜的原子構成,滿足In/ (In+Zn) = 0.8〜 0.95的關係。此公式的値若不到0.8,則金屬氧化物薄膜 的電阻會變大,另一方面,若超過0.95,則有蝕刻速度下 降的顧慮。 又’本發明的配線基板,其中前述非晶質透明導電膜 的功函數爲5.4eV以上。特別是要使用本發明的配線基板 來構成有機EL的情況,爲了提高正孔的注入性,功函數 理想爲5.4eV以上。 2.關於Cu合金的發明 對於上述課題,經過發明人深入硏究的結果,瞭解到 在以Cu爲主要成分的電極中,若將Cu的組成比率爲80 〜99.5wt°/e,且Au的組成比率和Co的組成比率的和爲 0_5〜20wt%所構成的Cu合金,用於配線,能夠解決上述 課題。 此Cu合金配線,判明其與玻璃基板之間的密著性良 好、電阻低,而且即使與矽層直接接觸,金屬原子幾乎不 -15- 201009849 會往矽層擴散。結果,判明幾乎不會有使構成TFT陣列的 各元件的性能劣化的危險。 又,判明即使在由此Cu合金所構成的金屬電極上, 直接形成以氧化銦、氧化錫、氧化鋅爲主要成分的液晶驅 動用電極(透明電極),在金屬電極與此透明電極之間的 接觸電阻也不會變成過大,元件可以安定地動作。 當此Cu合金成膜時,理想爲藉由濺鍍來進行成膜。 所使用的靶材,係含有Au及/或Co,並以Cu爲主 要成分。具體而言,該靶材的組成係被調整成可以形成: Cu爲80〜99.5wt%且Au及/或Co爲0.5〜20wt%的薄膜 。一般而言,藉由將其組成與所要作成的薄膜的組成相同 的靶材,作爲濺鍍靶材來使用,能夠生成所希望組成的薄 膜。 如此,藉由將靶材作成CuAu、Cu3Au等的化合物,
Cu以外的成分的分散也被促進,預期可以得到安定的濺 鍍。 又,由此Cu合金所構成的金屬電極,與基板也就是 玻璃或矽膜之間的密著性也變大,在製造過程中,膜不會 剝離,可以安定地進行製造。 本發明的具體構成如以下所示,首先說明關於配線材 料的發明。 2- A 關於配線材料的發明 爲了達成上述課題,本發明的配線材料,係由Au及 201009849 /或Co、和CU所構成的Cu合金,其特徵爲:
Cu的組成比率爲80〜99.5wt%,而Au的組成比率和 C 〇的組成比率的和爲〇. 5〜2 0 wt%。 若藉由如此的構成,可以提高與玻璃基板或矽晶圓之 間的密著性。 進而’本發明的前述配線材料,更理想爲:其中Au 的組成比率爲〇〜1 〇wt%。進而,本發明的配線材料,更 ❹ 理想爲·其中Co的組成比率爲〇〜i〇wt%。 上述組成中,關於Au和Co的組成,發明人藉由實驗 等,判明以下的情況。首先’當Au和C 〇的總組成比率爲 1 wt%以下,則沒有添加效果’與玻璃基板之間的密著強度 低。 另一方面,若其總組成超過20 wt %,Au的情況會產 生成本升高的問題。又,Co的情況,若其組成比率過大 ,被觀察到其電阻値(電阻率)會變大的情況、或是濺鍍 # 中的異常放電增加等的情況。結果,顯示出具有作爲低電 阻配線材料所不希望的特性的可能性。 到此爲止,已經針對Au、C〇加以說明,這些第三金 屬,當然是不會擴散至半導體層的金屬;或是即使擴散也 不會影響到半導體元件的性能的金屬;或是應該限定在不 會影響的範圍的量。 進而,本發明的上述配線材料,其電阻率在4/ζ Ω . cm以下。 作爲半導體元件用的配線薄膜而使用前述材料時,該 -17- 201009849 電阻率若在4# Ω · cm以上,則其値過大而被認爲會變成 無法忽視訊號的遲延的程度。因此,藉由構成電阻率爲4 从Ω · cm以下的配線材料,能夠提供訊號遲延少的半導 體元件用的配線薄膜。 接著,說明關於使用到目前爲止所述的配線材料之配 線基板的發明。 2- B 關於配線基板的發明 本發明的配線基板,係由:到目前爲止所述的配線材 料所構成的配線、金屬氧化物導電膜、及基板所構成的配 線基板。又,本發明的配線基板,其中前述配線和前述金 屬氧化物導電膜層,係構成2層構造的積層配線。 這些發明中的金屬氧化物導電膜,例如爲IZO等的透 明電極。再者,「IZO/I.Z.O」爲登錄商標。 若藉由如此的構成來製造反射型LCD或有機EL等’ 能夠使電極的電阻小,因而能夠製造出性能佳的薄膜電晶 體等。結果,能夠提升反射型LCD或有機EL等的性能。 又,本發明的配線基板,其中前述金屬氧化物導電膜 ,含有從由Ru、Pd、Re、Ir所組成的群組中選擇出1種 或2種以上的金屬,其含量爲0.05原子%〜5原子%。 這些金屬的含量若不足〇.〇5原子%,則添加效果小’ 會有功函數沒有成爲5.4eV以上的情況。另一方面’若這 些金屬的添加量超過5原子%,則有蝕刻速度下降的顧慮 ,而有產生沒有預料到的著色的可能性。 201009849 再者,在本發明中的前述金屬含量係設定在0.05〜5 原子%,但是3原子%左右則更爲理想,在下述的實施例 中,係顯示出3原子%的例子。 又,本發明的配線基板,其中前述金屬氧化物導電膜 ,係由氧化銦和氧化鋅所構成的非晶質透明導電膜;此非 晶質透明導電膜的原子構成爲In/ (In+Zii) =0.80〜 0.95。此公式的値若不到0.8,則金屬氧化物薄膜的電阻 參 會變大,另一方面,若超過0.95,則有蝕刻速度下降的顧 慮。 又,本發明之到目前爲止所述的配線基板,其中係由 表面爲絕緣性的基板所構成。又,本發明的配線基板,係 針對到目前爲止所述的配線基板,具備:被設置在前述基 板上的配線、及薄膜電晶體。 藉由如此的構成,能夠使薄膜電晶體的電極或配線等 的電阻値變小,有助於薄膜電晶體的性能的提升。 【實施方式】 以下,根據圖面來說明本發明的理想實施形態。 1· Ag合金的實施形態 在本實施形態中,係提案出一種以Ag爲主要成分的 合金,而與玻璃基板或矽晶圓之間的密著性良好的配線材 料。 特別是在本實施形態中,係說明藉由濺鍍法來說明形 -19- 201009849 成此種合金的例子。首先,簡單地說明使用在濺鍍中的靶 材。將Ag以及規定比率的Zr和Ni或Mo、Au等,以真 空熔解爐加以熔解,並加以冷卻固化後,進行滾軋來實行 板狀加工,之後再進行切削、硏削加工,作成4英吋 φ 的靶材。將此靶材固定在濺鍍裝置的支撐板上,進行濺鍍 。結果,利用此靶材在玻璃基板或矽晶圓上進行成膜。以 下試著比較成膜後的薄膜的性能。將比較結果表示於第1 圖的表中。在此第1圖的表中,顯示出組成和導電率等。 此薄膜的組成,係藉由X線微量分析儀(ΕΡΜΑ : Electron Probe Micro-Analysis)來加以測定。又,導電率 係利用四探針法來加以測定。 進而,剝離強度係藉由刮痕試驗和膠帶剝離試驗來進 行測定。實行刮痕試驗的刮痕試驗機,係使用CSME公司 製造的Micro-Scratch-Tester。在此,剝離強度的測定條 件,如以下所示。 刮痕距離:2 0 mm 刮痕負載:〇 - 1〇牛頓 負載率:1 0牛頓/ min 刮痕速度:20mm/min 鑽石錐體形狀:前端2OOym0 以上述條件進行刮痕試驗後的試料,利用光學顯微鏡 進行觀察,以底層的玻璃或矽(晶圓)露出來的點當作是 皮膜的剝離點,藉由測量出從刮痕開始點開始算起的距離 ,來算出剝離負載。 -20- 201009849 接著,膠帶剝離示試驗,係在薄膜上,利用刀具’以 1 mm的節距之如同圍棋的格子狀般地形成溝槽,再於其上 黏貼黏著膠帶,當將膠帶剝下時,根據剝離程度’來檢查 密著程度的試驗。 當然,不論是刮痕試驗或是膠帶剝離試驗,都是根據 JIS( Japanese Industrial Standards)所規定的基準,來進 行測定。 φ 在此第1圖的表中,係舉例表示出以將Zr、Au、Co 、Ni等添加在Ag中的情況的合金,作爲靶材加以利用, 並藉由濺鍍在玻璃基板或矽晶圓上成膜的6個例子。 實施例1 一 2,係將Co添加在Ag+ Zr中的構成,作 爲靶材來使用的例子。又,實施例1- 3,係將Ni添加在 Ag + Zr中的例子。實施例1 _ 4,係將A1添加在Ag+ Zr 中的例子。進而,實施例1 — 5,係在實施例1 一 1所示的 將Au添加在Ag+ Zr中的構成,更添加入Pd的例子。而 • 實施例1 一 6,係在實施例1 — 1所示的將Au添加在Ag + Zr中的構成,更添加入Ru的例子。 在上述各實施例中,密著強度皆可以達到3牛頓以上 ;又’在膠帶剝離試驗中,不論是玻璃基板或是矽晶圓, 都沒有見到剝離的情況。 又,比較例1一 1係僅有Ag的情況,其密著強度爲1 牛頓以下’在玻璃基板 '矽晶圓上,皆觀察到剝離的情況 〇 比較例1 一 3至1 一 8 ’係表示沒有添加Zr的情況的例 -21 - 201009849 皆觀察 情況, 觀察到 將本發 關於透 經加以 5圖中 濺鍍法 :Ag合 將該膜 刻液的 電極配 埃之構 厚 3 500 ,SiNx H ( i) i 35 * 子。在各比較例中,不論是玻璃基板或是矽晶圓, 到剝離的情形。 比較例1 一 9,係在比較例1 一 2中添加Pd的 電阻率增加而無法達成目標。又,在玻璃基板上, 剝離的情況。 〔實施例1 一 1〕說明在透過型TFT— LCD中, 明的Ag合金的一例作成配線加以利用的參考例。 過型TFT — LCD的基本構造,於第3圖〜第5圖已 說明’但是在實際製造時,雖然沒有在第3圖〜第 表示出來,有適當地形成各種的保護膜(層)。 首先,在透過性的玻璃基板18b上,藉由高頻 ,在室溫下,將含有1.7wt%的Zr、3.5wt%的Au之 金,沉積膜厚1500埃(電阻率:2.8/ζ Ω . cm)。 ,藉由使用硝酸、醋酸、磷酸系的水溶液來作爲蝕 光蝕刻法,做出所希望形狀的閘極電極34和閘極 線。 接著,藉由輝光放電CVD法,沉積膜厚3000 成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕緣膜。接著,沉積膜 埃的- Si: H(i)膜38。此時,作爲放電氣體 膜35係使用SiH4— NH3—N2系氣體;而α — Si: 膜38,則使用SiH4— N2系的混合氣體。此SiNxi 係藉由使用CF4氣體的乾蝕刻,形成所要的溝道保護層。 接著,使用SiH4— H2~PH3系的混合氣體,沉積膜厚 201009849 透明電極2 0b形成所要的畫素電極和引出電極的圖案。形 成遮光膜圖案,完成a — SiTFT基板14。使用此TFT基板 14,製造出TFT-LCD方式平面顯示器。然後,輸入影像 訊號,確認能夠顯示出良好的顯示性能。 〔實施例1 _ 2〕說明在反射型TFT— LCD中,將本發 明的Ag合金的一例作爲配線加以利用的實施例。 φ 關於反射型TFT- LCD的基本構造,其原理上的相異 點,係將透過型TFT— LCD的TFT基板14側的透明電極 2〇b,變成反射光的反射電極。當實際製造時, 適當地形成沒有在第3圖〜第5圖中表示出來的各種 保護膜(層)。又,除了電極以外,與透過型之間的相異 點,已廣爲週知。 首先,在透過性的玻璃基板18b上,藉由高頻濺鍍法 ,在室溫下,將含有1.7wt%的Zr、3.5wt%的Au之Ag合 金,沉積膜厚15 00埃(電阻率:2.8#Ω·(:ιη)。將該膜 ,藉由使用硝酸、醋酸、磷酸系的水溶液來作爲蝕刻液的 光蝕刻法,做出所希望形狀的閘極電極34和閘極電極配 線。 接著,藉由輝光放電CVD法,沉積膜厚3 000埃之構 成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕緣膜。接著,沉積膜厚35 00 埃的a-Si:H(i)膜38。此時,作爲放電氣體,SiNx 膜35係使用SiH4- NH3 — N2系氣體;而a-Si:H(i) 膜38,則使用SiH4- N2系的混合氣體。此SiNx膜35, -24- 201009849 3 000埃的a— Si: H(n)膜。再於其上,藉由濺鍍法, 在室溫下沉積膜厚〇.3/zm(電阻率:3.4μ Ω · cm)之含 有1 .7wt%的Zr和1.7wt%的Ni之Ag合金層膜。 使用硝酸、醋酸、磷酸系的水溶液的蝕刻液,以光蝕 刻法,將此層做出所希望的源極電極32和汲極電極36的 圖案。進而,藉由倂用使用CF4氣體的乾蝕刻和使用聯氨 (NH2NH2 · H20 )水溶液的濕蝕刻,做出所希望圖案的α —Si:H(i)膜38的圖案、a— Si:H(n)膜的圖案。 · 再於其上,藉由輝光放電CVD法,沉積膜厚3 000埃之構 成氮化矽膜(SiNx )的閘極絕緣膜。此時,作爲放電氣體 ,SiNx膜係使用SiH4- NH3 - N2系氣體。進而藉由使用 CF4氣體的乾蝕刻法之光蝕刻法,形成閘極電極34引出口 、源極電極32引出口、及作爲汲極電極36和透明電極 20b的電接點之所要的通孔40b。然後,使氬電漿作用在 Ag合金電極表面上,將表面洗淨。 而且,利用濺鍍法沉積以氧化銦和氧化鋅爲主要成分 @ 的非晶質透明導電膜。此時所使用的靶材,係In和Zn的 原子比〔In/ (In+Zn)〕被調整爲 0_83 的 Ιη203 -Ζη0 的燒結體。將此燒結體設置在平面的磁控管型濺鍍裝置的 陰極上,作爲靶材來使用。放電氣體則以使用純氬或是混 入lVol%程度的微量氧氣之氬氣的方法,沉積膜厚1200 埃的透明電極20b膜。此Ιη203 — ZnO膜,若利用X線繞 射法加以分析,沒有觀察到峰値,而爲非晶質。 藉由光蝕刻法,且利用草酸3.4wt%的水溶液,將此 -23- 201009849 係藉由使用CF4氣體的乾蝕刻,形成所要的溝道保護層。 接著,使用SiH4- H2 — PH3系的混合氣體,沉積膜厚 3 000埃的a — Si :H(n)膜◊再於其上,藉由濺鍍法, 在室溫下沉積膜厚〇.3/zm(電阻率:3·4/ζ Ω · cm)之含 有1.7wt%的Zr和1.7wt%的Ni之Ag合金層膜。 而且,利用濺鍍法沉積以氧化銦和氧化鋅爲主要成分 的非晶質透明導電膜。 〇 使用硝酸、醋酸、磷酸系的水溶液的蝕刻液,以光蝕 刻法,將此層做出所希望的源極電極32和汲極電極36的 圖案。進而,藉由倂用使用CF4氣體的乾飩刻和使用聯氨 (NH2NH2 _ H20 )水溶液的濕蝕刻,將a — Si: Η膜做出 所希望圖案的a—Si:H(i)膜38的圖案、a— Si:H( η)膜的圖案。再於其上,藉由輝光放電CVD法,沉積膜 厚3 00 0埃之構成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕緣膜。此時 ,作爲放電氣體,SiNx膜係使用SiH4 - NH3— N2系氣體 • 。進而藉由使用CF4氣體的乾蝕刻法之光蝕刻法,形成閘 極電極34引出口、源極電極32引出口、及作爲汲極電極 36和透明電極20b的電接點之所要的通孔40b。然後,使 氬電漿作用在Ag合金電極表面上,將表面洗淨。 接著,再於其上,在室溫下,藉由濺鍍法,沉積膜厚 〇.2#m(電阻率:2·8/ζ Ω · cm)之含有 1.7wt%的 Zr 和 3.5wt%的Au之Ag合金層膜。 而且,利用濺鍍法沉積以氧化銦和氧化鋅爲主要成分 的非晶質透明導電膜。此時所使用的靶材,係In和Zn的 -25- 201009849 原子比〔In/ ( In+ Zn)〕被調整爲 0_83 的 Ιη203 — ZnO 的燒結體。將此燒結體設置在平面的磁控管型濺鍍裝置的 陰極上,作爲靶材來使用。放電氣體則以使用純氬或是混 入lVol%程度的微量氧氣之氬氣的方法,沉積膜厚1200 埃的透明電極20b膜。此ln203 — ZnO膜,若利用X線繞 射法加以分析,沒有観察到峰値,而爲非晶質。 藉由光蝕刻法,且利用濃度調整成可以同時蝕刻此透 明電極20b和Ag合金層及氧化銦-氧化鋅層之硝酸、醋 酸、磷酸水溶液系的蝕刻液,來形成所要的反射型畫素電 極及引出電極。 形成遮光膜圖案,完成α — SiTFT基板14。使用此 TFT基板14,製造出TFT — LCD方式平面顯示器。然後, 輸入影像訊號,確認能夠顯示出良好的顯示性能。 〔實施例1— 3〕說明將本發明的Ag合金的一例,在 有機EL用基板上,形成配線加以利用的參考例。 在實施例1-1中,將金屬氧化物導電膜成膜。此成 膜,係藉由將In和Zn的原子比〔In/ ( In+ Zn)〕被調 整爲0.83的ln203 - ZnO作爲靶材加以利用的濺鍍法來進 行,而形成膜厚爲300埃的膜。亦即,此金屬氧化物導電 膜,係在實施例1- 1中所提及的透明電極。 在本實施例1-3中的特徵,係作爲此金屬氧化物導 電膜的組成成分,使Pd相對於全部的金屬量,含有3原 子%。此導電膜的功函數,利用大氣中紫外線電子分析裝 -26- 201009849 置(理硏計器(股份有限公司)製造:AC - 1 )所測定的 値爲5.65eV ;判明具有作爲有機EL用陽極之理想的性質 再者,在此例中,係根據使用Pd的例子來加以說明 ,使用Ru、Re、Ir也是理想的。而添加各物質的情況, 其功函數分別爲5.51eV、5.63eV、5.61eV。結果,皆具有 作爲有機EL用陽極之理想的性質。 2.關於Cu合金的實施形態 在本實施形態中,係提案出一種以Cu爲主要成分的 合金,而與玻璃基板或矽晶圓之間的密著性良好的配線材 料。 特別是在本實施形態中,係說明藉由濺鍍法來說明形 成此種合金的例子。首先,簡單地說明使用在濺鍍中的靶 材。將Cu以及規定的比率的Au及/或Co,以真空熔解 Ο 爐加以熔解,並加以冷卻固化後,進行滾軋來實行板狀加 工,之後再進行切削、硏削加工,作成4英吋φ 的靶材 。將此靶材固定在濺鍍裝置的支撐板上,進行濺銨。結果 ,利用此靶材在玻璃基板或矽晶圓上進行成膜。 測量成膜後的薄膜的性能。將測量結果表示於第2圖 的表中。在此表中,顯示出靶材的組成、膜厚、測定電阻 、電阻率、密著強度及膠帶剝離試驗的結果等。再者,成 膜溫度全部爲室溫。 此薄膜的組成,係藉由X線微量分析儀(ΕΡΜΑ : -27- 201009849
Electron Probe Micro-Analysis)來加以測定。又,導電率 (測定電阻、電阻率)係利用四探針法來加以測定。 進而,剝離強度係藉由在上述關於Ag的實施形態中 所述的相同的手法、條件來進行測定。 又,膠帶剝離試驗,也是藉由在上述關於Ag的實施 形態中所述的相同的手法、條件來進行測定。在第2圖的 表中,顯示出邊長爲1mm的膠帶片,100片中有幾片剝離 的數値。 當然,不論是刮痕試驗或是膠帶剝離試驗,都是根據 JIS ( Japanese Industrial Standards)所規定的基準,來進 行測定。 〔基本實施例〕 在此第2圖的表中,舉出6個例子,表示出以將Au 添加在Cu中所構成的合金,作爲靶材來利用的實施例; 以將Co添加在Cu中所構成的合金,作爲靶材來利用的實 施例;及以將Au和Co添加在Cu中所構成的合金,作爲 靶材來利用的實施例。在各實施例中,將上述合金作爲靶 材來使用,並藉由濺鍍法,成膜在玻璃基板或矽晶圓等之 上。 實施例2 - 1和實施例2—2,係使用將Au添加在Cu 中的靶材來作出薄膜的情況的實施例。實施例2- 1,係 Au的組成比率爲4.0wt%的實施例;實施例2 — 2,係Au 的組成比率爲1.7wt%的實施例。 -28- 201009849 在實施例2-1中’電阻率爲3.8/ζ Ω · cm。又,密著 強度,在玻璃基板的情況,爲5.72N ;而在矽晶圓的情況 ,爲3.48N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生;而在矽晶圓的情況,觀察到100片中僅有 2片剝離。 在實施例2— 2中,電阻率爲2.9/ζ Ω · cm。又,密著 強度,在玻璃基板的情況,爲4.37N;而在矽晶圓的情況 籲 ,爲3.1 2N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生;而在矽晶圓的情況,觀察到1 00片中僅有 5片剝離。 實施例2_3和實施例2— 4,係使用將Co添加在Cu 中的靶材來作出薄膜的情況的實施例。實施例2 _ 3,係 Co的組成比率爲3.7wt%的實施例;實施例2— 4,係Co 的組成比率爲4.8wt%的實施例。 在實施例2_3中,電阻率爲2.9//Ω . cm。又,密著 • 強度,在玻璃基板的情況,爲5.5 4N ;而在矽晶圓的情況 ,爲3.6 5N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生:而在矽晶圓的情況,觀察到100片中有10 片剝離。 在實施例2—4中,電阻率爲3.2#Ω · cm。又,密著 強度,在玻璃基板的情況,爲5.6 8N ;而在矽晶圓的情況 ,爲3.68N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生;而在矽晶圓的情況,觀察到1 0 0片中有1 0 片剝離。 -29- 201009849 實施例2 — 5和實施例2 一 6,係使用將Au和Co添加 在Cu中的靶材來作出薄膜的情況的實施例。實施例2 一 5 ’係Au的組成比率爲2.3wt%、Co的組成比率爲2.7wt°/〇 的實施例;實施例2— 6,係Au的組成比率爲1.2 wt%、 Co的組成比率爲4.2wt%的實施例。 在實施例2—5中,電阻率爲3.9# Ω · cm。又,密著 強度’在玻璃基板的情況,爲5.52N;而在矽晶圓的情況 ,爲3.54N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生;而在矽晶圓的情況,也沒有剝離發生。 在實施例2-6中,電阻率爲4.0/ζ Ω · cm。又,密著 強度,在玻璃基板的情況,爲5.31N;而在矽晶圓的情況 ,爲3· 07N。膠帶剝離試驗的結果,在玻璃基板的情況, 沒有剝離發生;而在矽晶圓的情況,也沒有剝離發生。 〔比較例〕 在第2圖所示的表中,爲了與上述各基本實施例作比 較,記載著比較例2 _ 1〜比較例2 - 9。 比較例2 - 1,係使用Cu的靶材來作出薄膜的情況的 比較例。在此比較例2— 1中,電阻率爲4.Ω · cm。又 ,密著強度,不論是在玻璃基板的情況或是在矽晶圓的情 況,均爲0.1N以下。進而,膠帶剝離試驗的結果,100片 全部剝離。 比較例2— 2,係使用將3.0wt%的Zr添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2- 2中,電 -30- 201009849 阻率爲10.1" Ω · cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲〇·65Ν ;而在矽晶圓的情況,爲1.64N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,有12片剝離;而在矽晶 圓的情況,則有40片剝離。 比較例2 — 3,係使用將1.9wt%的Ni添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2_3中,電 阻率爲8.9// Ω . cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 φ ,爲0.24N ;而在矽晶圓的情況,爲1.41N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在矽 晶圓的情況,則有40片剝離。 比較例2— 4,係使用將5.4wt%的A1添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2- 4中,電 阻率爲11.1/ζ Ω _ cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲0.13N;而在矽晶圓的情況,爲1.71N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在矽 • 晶圓的情況,則有50片剝離。 比較例2-5,係使用將6.5wt%的In添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2— 5中,電 阻率爲9.0 Αί Ω · cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲0.73N:而在矽晶圓的情況,爲0.82N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,有20片剝離;而在矽晶 圓的情況,則有3 0片剝離。 比較例2 - 6,係使用將2.8wt%的Bi添加在Cu中的 耙材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2 - 6中,電 -31 - 201009849 阻率爲1〇_2// Ω . cm。又’密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲0.62N ;而在矽晶圓的情況,爲0.94N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在砂 晶圓的情況,也是1 〇〇片全部剝離。 比較例2 — 7,係使用將1 . 7wt%的Sn添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2 — 7中,電 阻率爲46·6/ζ Ω · cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ’爲0.53N ;而在矽晶圓的情況,爲〇_64N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在矽 晶圓的情況,也是1〇〇片全部剝離。 比較例2 - 8,係使用將1 .2wt%的Ti添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2 — 8中,電 阻率爲4.5/ζ Ω . cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲0·47Ν;而在矽晶圓的情況,爲0.78N。膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在矽 晶圓的情況,也是1〇〇片全部剝離。 比較例2-9,係使用將1.6wt%的W添加在Cu中的 靶材來作出薄膜的情況的比較例。在比較例2 — 9中,電 阻率爲21.5/ζ Ω . cm。又,密著強度,在玻璃基板的情況 ,爲0.47N;而在矽晶圓的情況,爲0.78N·»膠帶剝離試 驗的結果,在玻璃基板的情況,100片全部剝離;而在矽 晶圓的情況,也是100片全部剝離。 〔應用實施例〕 -32- 201009849 〔應用實施例2—1〕說明在透過型TFT— LCD中,將 本發明的Cu合金的一例作成配線加以利用的參考例。關 於透過型TFT — LCD的基本構造,於第3圖〜第5圖已經 加以說明,但是在實際製造時,雖然沒有在第3圖〜第5 圖中表示出來,有適當地形成各種的保護膜(層)。 首先,在透過性的玻璃基板18b上,藉由高頻濺鍍法 ,將含有2.3wt%的Au、2.7wt%的Co之Cu合金(電阻率 • :39"Ω •cm),沉積膜厚15 00埃。將該膜,藉由使用 過硫酸氨系的水溶液來作爲飩刻液的光蝕刻法,做出所希 望形狀的閘極電極34和閘極電極配線。 接著,藉由輝光放電CVD法,沉積膜厚3000埃之構 成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕緣膜。接著,沉積膜厚3500 埃的a — Si:H(i)膜38。此時,作爲放電氣體,SiNx 膜35係使用SiH4 — NH3 ->^2系氣體;而a-Si:H(i) 膜38,則使用SiH4- N2系的混合氣體。此SiNx膜35, 〇 係藉由使用cf4氣體的乾蝕刻,形成所要的溝道保護層。 接著,使用SiH4 — H2—PH3系的混合氣體,沉積膜厚 3000埃的〇: — Si: H(n)膜。再於其上,藉由濺鍍法, 在室溫下沉積膜厚〇_3#m(電阻率:4.0/ζ Ω . cm)之含 有1.2wt%的Au和4.2wt%的Co之Cu合金層膜。 使用鹽酸、過氧硫酸氫鉀、氫氟酸系的水溶液的蝕刻 液,以光蝕刻法,將此層做出所希望的源極電極32和汲 極電極36的圖案。進而,藉由倂用使用CF4氣體的乾蝕 刻和使用聯氨(NH2NH2 · H20 )水溶液的濕蝕刻,做出所 -33- 201009849 希望圖案的a—Si:H(i)膜38的圖案、a— Si:H(n )膜的圖案。再於其上,藉由輝光放電CVD法,沉積膜 厚3 00 0埃之構成氮化矽膜(SiNx )的閘極絕緣膜。此時 ,作爲放電氣體,SiNx膜係使用SiH4— NH3— N2系氣體 。進而藉由使用CF4氣體的乾蝕刻法之光蝕刻法,形成閘 極電極34引出口、源極電極32引出口、及作爲汲極電極 36和透明電極20b的電接點之所要的通孔40b。然後,使 氬電漿作用在Cu合金電極表面上,將表面洗淨。 而且,利用濺鍍法沉積以氧化銦和氧化鋅爲主要成分 的非晶質透明導電膜。此時所使用的靶材,係In和Zn的 原子比〔In/ ( In + Zn )〕被調整爲 0.83 的 Ιη203 _Ζη0 的燒結體。將此燒結體設置在平面的磁控管型濺鍍裝置的 陰極上,作爲靶材來使用。放電氣體則以使用純氬或是混 入lVol%程度的微量氧氣之氬氣的方法,沉積膜厚1200 埃的透明電極20b膜。此Ιη203 — ZnO膜,若利用X線繞 射法加以分析,沒有觀察到峰値,而爲非晶質。 藉由光蝕刻法,且利用草酸3.4wt%的水溶液,將此 透明電極20b形成所要的畫素電極和引出電極的圖案。形 成遮光膜圖案,完成a - SiTFT基板14。使用此TFT基板 14,製造出TFT— LCD方式平面顯示器。然後,輸入影像 訊號,確認能夠顯示出良好的顯示性能。 〔應用實施例2 — 2〕說明在反射型TFT — LCD中,將 本發明的Cu合金的一例作成配線加以利用的實施例。關 -34- 201009849 於反射型TFT - LCD的基本構造,其原理上的相異點,係 將透過型TFT— LCD的TFT基板14側的透明電極20b, 變成反射光的反射電極。當實際製造時,適當地形成沒有 在第3圖〜第5圖中表示出來的各種保護膜(層)。又, 除了電極以外,與透過型之間的相異點,已廣爲週知。 首先,在透過性的玻璃基板18b上,藉由高頻濺鍍法 ,將含有2.73wt%的Au、2.7wt%的Co之Cu合金,沉積 φ 膜厚1 500埃(電阻率:3.9/ζ Ω . cm)。將該膜,藉由使 用過硫酸氨系的水溶液來作爲蝕刻液的光蝕刻法,做出所 希望形狀的閘極電極34和閘極電極配線。 接著,藉由輝光放電CVD法,沉積膜厚3 00 0埃之構 成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕緣膜。接著,沉積膜厚3 500 埃的a-Si:H(i)膜38。此時,作爲放電氣體,SiNx 膜35係使用SiH4 — NH3 — :^2系氣體;而a-Si:H(i) 膜38,則使用SiH4 - N2系的混合氣體。此SiNx膜35, • 係藉由使用CF4氣體的乾蝕刻,形成所要的溝道保護層。 接著,使用SiH4-H2-PH3系的混合氣體,沉積膜厚 3 000埃的a — Si :H(n)膜。再於其上,藉由濺鍍法, 在室溫下沉積膜厚0.3/zm(電阻率:4.0# Ω . cm)之含 有1.2wt%的Au和4.2wt%的Co之Cu合金層膜。 使用鹽酸、過氧硫酸氫鉀、氫氟酸系的水溶液的蝕刻 液’以光蝕刻法,將此層做出所希望的源極電極3 2和汲 極電極36的圖案。進而,藉由倂用使用CF4氣體的乾蝕 刻和使用聯氨(NH2NH2 · H20 )水溶液的濕蝕刻,將α - -35- 201009849
Si: Η膜做出所希望圖案的a — Si: H(i)膜38的圖案、 a - Si: H(n)膜的圖案。再於其上,藉由輝光放電CVD 法,沉積膜厚3000埃之構成氮化矽膜(SiNx)的閘極絕 緣膜。此時,作爲放電氣體,SiNx膜係使用SiH4 — NH3 — N2系氣體。進而藉由使用CF4氣體的乾蝕刻法之光蝕刻法 ,形成閘極電極34引出口、源極電極32引出口、及作爲 汲極電極36和透明電極20b的電接點之所要的通孔40b。 然後,使氬電漿作用在Cu合金電極表面上,將表面洗淨 〇 接著,再於其上,於室溫下,藉由濺鍍法,沉積膜厚 0.2/zm(電阻率:3.9以Ω . cm)之含有2.3wt%的 Au和 2.7评1%的〇〇之(:11合金層膜。 而且,利用濺鍍法沉積以氧化銦和氧化鋅爲主要成分 的非晶質透明導電膜。此時所使用的靶材,係In和Zn的 原子比〔In/ (In+Zn)〕被調整爲 0.83 的 Ιη203 -Ζη0 的燒結體。將此燒結體設置在平面的磁控管型濺鍍裝置的 陰極上,作爲靶材來使用。放電氣體則以使用純氬或是混 入lVol%程度的微量氧氣之氬氣的方法,沉積膜厚3 00埃 的透明電極20b膜。此Ιη203 — ΖϋΟ膜,若利用X線繞射 法加以分析,沒有觀察到峰値,而爲非晶質。 藉由光蝕刻法,且利用濃度調整成可以同時蝕刻此透 明電極20b和Cu合金層及氧化銦-氧化鋅層之過硫酸氨 系水溶液的蝕刻液,來形成所要的反射型畫素電極及引出 電極。 -36- 201009849 形成遮光膜圖案,完成α-SiTFT基板14。使用此 TFT基板14,製造出TFT-LCD方式平面顯示器。然後, 輸入影像訊號,確認能夠顯示出良好的顯示性能。 〔應用實施例2— 3〕說明將本發明的Cu合金的一例 ’在有機EL用基板上,形成配線加以利用的參考例。 首先,在玻璃基板上,形成厚度1 500埃之含有 ❹ 2_3wt°/〇的 Au、2.7wt%的 Co 之 Cu 合金(電阻率·· 3.9//Ω • cm )的膜。 接著,在此Cu合金的膜上,形成金屬氧化物導電膜 。此成膜,係藉由將In和Zn的原子比〔In/ ( ln+ Zn) 〕被調整爲0.83的Ιη203 - ZnO作爲靶材加以利用的濺鍍 法來進行,而形成膜厚爲3 00埃的膜。亦即,此金屬氧化 物導電膜,係在實施例2— 1或2 - 2中所提及的透明電極 〇 Φ 在本應用實施例2— 3中的特徵,係作爲此金屬氧化 物導電膜的組成成分,使Pd相對於全部的金屬量,含有 3原子%。此導電膜的功函數,利用大氣中紫外線電子分 析裝置(理硏計器(股份有限公司)製造:AC — 1)所測 定的値爲5.65eV ;判明具有作爲有機EL用陽極之理想的 性質。 再者,在此例中’係根據使用Pd的例子來加以說明 ,使用Ru、Re、Ir也是理想的。而添加各物質的情況, 其功函數分別爲5.51eV、5.63eV、5.61eV。結果,皆具有 -37- 201009849 作爲有機EL用陽極之理想的性質。 [發明之效果] 如以上所述,若根據本發明,可以得到一種配線材料 ,在將電阻質抑制在低的狀態下,提高與玻璃基板和矽晶 圓等之間的密著強度。結果,即使是應用在TFT — LCD或 是有機EL裝置等的其他電子裝置中的情況,由於不會產 生剝離且電阻低,故能提高元件的特性。 又,若根據本發明,藉由採用濺鍍法將上述的Ag合 金或Cu合金成膜,來構成金屬電極的製程,能夠使製造 過程簡單化,有效率地生產TFT陣列。結果,能夠以低成 本地供給TFT - LCD或TFT驅動有機EL。特別是藉由採 用如本發明的組成,在濺鍍製程中,能夠抑制異常放電的 可能性,實行效率佳的生產。 【圖式簡單說明】 第1圖係顯不本實施形態的配線材料的特性之表的圖 〇 第2圖係顯不本實施形態的配線材料的特性之表的圖 0 第3圖係透過型TFT — LCD的剖面模式圖。 第4圖係顯示透過型TFT — LCD的1個畫素的基本構 造之平面模式圖。 第5圖爲第4圖的V-V’線的剖面模式圖。 • 38 - 201009849 【主要元件符號說明】 10 :液晶
12:彩色濾光片基板 14 : TFT基板 1 6 :背光源 1 8 a、1 8 b :玻璃基板 20a、20b:透明電極 φ 24 : TFT 22 :彩色濾光片 3 〇 .訊號線 3 2 :源極電極 3 4 :閘極電極 35 : SiN x 膜 3 6 :汲極電極 3 8 :非晶質矽 • 4〇 :絕緣膜 40b :通孔 -39-
Claims (1)
- 201009849 七、申請專利範圍: 1·—種由Cu合金所構成的配線材料,係由Au及/或 Co、和Cu所構成的Cu合金,其特徵爲: Cu的組成比率爲80〜99· 5wt% ’而Au的組成比率和 Co的組成比率的和爲〇.5〜20wt %。 2.如申請專利範圍第1項所述的配線材料,其中au 的組成比率爲0〜10wt%。 3·如申請專利範圍第1項所述的配線材料,其中c〇 ^ 的組成比率爲0〜1 0 wt%。 4. 如申請專利範圍第1、2或3項所述的由cu合金所 構成的配線材料,其中電阻率在Ω . cm以下。 5. —種配線基板,係由: 申請專利範圍第1、2、3或4項所述的配線材料所構 成的配線; 金屬氧化物導電膜;及 基板所構成。 ❹ 6. 如申請專利範圍第5項所述的配線基板,其中前述 配線和前述金屬氧化物導電膜層’係構成2層構造的積層 配線。 7. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的配線基板’ 其中前述金屬氧化物導電膜’含有從由Ru、pd、Re、Ir 所組成的群組中選擇出1種或2種以上的金屬,其含量爲 〇.〇5原子%〜5原子%。 8. 如申請專利範圍第5項或第6項所述的配線基板’ -40- 201009849 其中前述金屬氧化物導電膜,係由氧化銦和氧化鋅所構成 的非晶質透明導電膜;此非晶質透明導電膜的原子構成爲 In/ (In+Zn) =0.80 〜0·95。 9.如申請專利範圍第5項或第6項所述的配線基板, 其中係由表面爲絕緣性的基板所構成。 種配線基板,具備: 基板; # 被設置在前述基板上的配線,此配線係由申請專利範 圍第1、2、3或4項所述配線材料所構成的配線;及薄膜 電晶體。-41 -
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002143318A JP2003342653A (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 配線材料及びそれを用いた配線基板 |
JP2002143312A JP4738705B2 (ja) | 2002-05-17 | 2002-05-17 | 配線材料及びそれを用いた配線基板 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201009849A true TW201009849A (en) | 2010-03-01 |
Family
ID=29552300
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092112341A TW200406789A (en) | 2002-05-17 | 2003-05-06 | Wiring material and wiring board using the same |
TW098134369A TW201009849A (en) | 2002-05-17 | 2003-05-06 | Wiring material and wiring board using the same |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW092112341A TW200406789A (en) | 2002-05-17 | 2003-05-06 | Wiring material and wiring board using the same |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050127364A1 (zh) |
EP (2) | EP1507267B1 (zh) |
KR (1) | KR20050014822A (zh) |
CN (1) | CN100365737C (zh) |
DE (1) | DE60324553D1 (zh) |
SG (1) | SG152056A1 (zh) |
TW (2) | TW200406789A (zh) |
WO (1) | WO2003098641A1 (zh) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100750922B1 (ko) * | 2001-04-13 | 2007-08-22 | 삼성전자주식회사 | 배선 및 그 제조 방법과 그 배선을 포함하는 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
EP1507267B1 (en) * | 2002-05-17 | 2008-11-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Wiring material and wiring board using the same |
KR100590270B1 (ko) * | 2004-05-11 | 2006-06-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
KR101171175B1 (ko) * | 2004-11-03 | 2012-08-06 | 삼성전자주식회사 | 도전체용 식각액 및 이를 이용한 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
KR100959460B1 (ko) * | 2007-11-16 | 2010-05-25 | 주식회사 동부하이텍 | 투명 박막 트랜지스터 및 투명 박막 트랜지스터의 제조방법 |
JP2010065317A (ja) * | 2008-08-14 | 2010-03-25 | Kobe Steel Ltd | 表示装置およびこれに用いるCu合金膜 |
KR101980167B1 (ko) | 2008-11-07 | 2019-08-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치의 제작 방법 |
TWI396314B (zh) * | 2009-07-27 | 2013-05-11 | Au Optronics Corp | 畫素結構、有機電激發光顯示單元及其製造方法 |
JP5776630B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2015-09-09 | 日立金属株式会社 | 銅系材料及びその製造方法 |
KR101953215B1 (ko) * | 2012-10-05 | 2019-03-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 식각 조성물, 금속 배선 및 표시 기판의 제조방법 |
JP5742859B2 (ja) * | 2013-01-30 | 2015-07-01 | 日立金属株式会社 | 高速伝送ケーブル用導体、及びその製造方法、並びに高速伝送ケーブル |
EP2915898B1 (en) * | 2013-03-01 | 2020-04-22 | JX Nippon Mining & Metals Corp. | High-purity copper-cobalt alloy sputtering target |
JP6172573B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-08-02 | 日立金属株式会社 | はんだ接合材料とその製造方法、及びはんだ接合用部材、並びに太陽電池モジュール |
JP6287126B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2018-03-07 | 日立金属株式会社 | プリント配線板及びその製造方法 |
JP6123655B2 (ja) * | 2013-11-29 | 2017-05-10 | 日立金属株式会社 | 銅箔及びその製造方法 |
KR102040450B1 (ko) * | 2016-04-28 | 2019-11-04 | 닛데쓰마이크로메탈가부시키가이샤 | 반도체 장치용 본딩 와이어 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3772174A (en) * | 1971-04-21 | 1973-11-13 | Nasa | Deposition of alloy films |
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EP1507267B1 (en) * | 2002-05-17 | 2008-11-05 | Idemitsu Kosan Company Limited | Wiring material and wiring board using the same |
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TW200422258A (en) * | 2003-02-26 | 2004-11-01 | Sumitomo Chemical Co | Method for producing α-alumina powder |
-
2003
- 2003-04-14 EP EP03752892A patent/EP1507267B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-04-14 EP EP08163123A patent/EP2161726A1/en not_active Withdrawn
- 2003-04-14 SG SG200607662-4A patent/SG152056A1/en unknown
- 2003-04-14 CN CNB038110857A patent/CN100365737C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-04-14 KR KR10-2004-7018512A patent/KR20050014822A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-04-14 WO PCT/JP2003/004690 patent/WO2003098641A1/ja active Application Filing
- 2003-04-14 US US10/513,324 patent/US20050127364A1/en not_active Abandoned
- 2003-04-14 DE DE60324553T patent/DE60324553D1/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-06 TW TW092112341A patent/TW200406789A/zh unknown
- 2003-05-06 TW TW098134369A patent/TW201009849A/zh unknown
-
2007
- 2007-06-05 US US11/758,279 patent/US20070228575A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1507267A1 (en) | 2005-02-16 |
EP2161726A1 (en) | 2010-03-10 |
TW200406789A (en) | 2004-05-01 |
CN1653557A (zh) | 2005-08-10 |
CN100365737C (zh) | 2008-01-30 |
US20070228575A1 (en) | 2007-10-04 |
DE60324553D1 (zh) | 2008-12-18 |
EP1507267B1 (en) | 2008-11-05 |
WO2003098641A1 (en) | 2003-11-27 |
US20050127364A1 (en) | 2005-06-16 |
EP1507267A4 (en) | 2006-02-08 |
KR20050014822A (ko) | 2005-02-07 |
SG152056A1 (en) | 2009-05-29 |
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