TW200909596A - Method and apparatus for forming multilayer film - Google Patents

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200909596 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 形成明係關於一種多層膜形成方法及多層膜 【先前技術】 礦複合氧化物(以下簡稱為鉛系複合 Λ具備優良壓電性與誘電性，而被廣泛運 用^如感應器、致動器等電子裝置。㈣系複合氧 物所組成之各㈣件以往係#由㈣系複合氧 化物之燒結體施行機械加工所形成。 近年來於電子裝置製造技術領域，隨著電子裝 置之細微化以及微機電系統（MEMS，MicroElectr〇

Mechanical System)技術之發達，產生了薄膜化鉛 系複合氧化物的需求。已知的鉛系複合氧化物之薄 膜化技術係包括濺鍍法、溶膠凝膠法、CVD法、激 光熔樣法（laser abrasion)等。然而，藉由此類方 法所製成之鉛系複合氧化物之薄膜要達到與藉由 機械加工所形成之鉛系複合氧化物相當之誘電性 及壓電性實屬不易。 因此，在鉛系複合氧化物之薄膜化技術上，已 有較以往提升其誘電性與壓電性之提案被具體實 施。專利文獻1係提出一種形成超過較本發明期望 之鋸鈦酸鉛（pzt)薄膜厚度之方法，其中將ρζτ薄 膜表面形成之鉛（P b)過剩層以反濺擊蝕刻方式除 去，以此加工PZT薄膜至期望之膜厚。於此情況 200909596 下’僅有去除Pb過剩層的部分能達到提升Ρζτ薄 膜之，電性及誘電性之效果。此外，專利文獻2揭 示’若於ΡΖΤ薄膜之構成元素中增加V、Nb、c、Ν、 BN中至少一項，可使其壓電性與誘電性提升。 然而，錯系複合氧化物一般而言僅有在呈現詞 鈦礦相（Perovskite phase)時才會顯示期望之誘 電性與壓電性，在呈現亞穩性燒綠石相 (metastable pyrochlore phase)時會顯示較鈣鈦 礦相低之誘電率，且幾乎無壓電性之顯示。 當鉛系複合氧化物之薄膜於電極層上方堆積 時，前述燒綠石相會於鉛系複合氧化物層及電極層 之間的界面形成。而呈現燒綠石相之錯系複合氧化 物層一旦形成後，即便施予高溫退火處理（thermal annealing)也難以轉移至鈣鈦礦相。因此，在減低 鉛系複合氧化物層厚度（例如至5//m以下）的情況 下，鉛系複合氧化物之薄膜會因燒綠石相之影響， 導致誘電性與壓電性之劣化。 "曰 在第七圖中係揭示了 PZT層膜厚與比誘電率 及誘電損失之關係，而在第八圖中係揭示了 PZT層 膜厚與壓電常數之關係。如第七圖及第八圖所示s， 前述燒綠石相的影響會隨著ΡΠ層膜厚的變薄而 增加，使其比誘電率降低，且增加其誘電損失。此 外’PZT層之壓電常數也會隨著膜厚的變薄而降低。 因此，薄膜化後的鉛系複合氧化物會導致誘電 性與壓電性之劣化，進而產生上述損失電子裝置之 200909596 電子特性之問題。 (專利文獻1)曰本專利特開平第7-109562號 公報。 〇 (專利文獻2)日本專利特開第2003-212545 號公報。 【發明内容】 本發明係提供一種多層薄膜形成方法及多層薄 膜之形成裝置，其係可使由鉛系鈣鈦礦複合氧化物組 成的薄膜之誘電性及壓電性提升。 本發明之第一方面係為包含電極層及鉛系鈣鈦 礦複合氧化物層之多層膜形成方法。該方法係具備： 使用由貴金屬所組成之第一靶材以濺鍍法於基板上 方形成前述電極層；及使用含鉛之第二靶材於前述電 極層上方層積前述錯系詞鈦鑛複合氧化物層，其中前 述電極層形成法係包含形成10〜30nm厚度之前述電 極層。 /本發明之第二方面係為多層膜形成裝置。該裝 ，係具備：第一成膜部，其係具有由貴金屬所組成之 第一靶材’且係以濺錢法使前述第一靶材於基板上方 形成電極層；第二成骐部，其係具有含鉛之第二靶 材’且係以濺鍍法將前述第二靶材於前述電極層上方 =成鉛系鈣鈦礦複合氧化物層；搬送部，其係為連結 月9述第一成膜部與前述第二成膜部，且搬送前述基板 200909596 至前述第一成膜部及前述第二成膜部；及控制部，其 係為驅動前述搬送部、前述第一成膜部及前述第二成 膜部，其中前述控制部之功能係包含驅動前述第一成 膜部，於前述基板上方形成10〜30nm厚度之前述電極 〇 【實施方式】 以下說明為本發明實施態樣的多層膜形成裝 置。第一圖係為將作為該多層膜形成裝置之成膜裝置 10以模型方式揭示之平面圖。 在第一圖中，成膜裝置10係具有：加載互鎖真 空室11 (load lock chamber，以下簡稱為LL室）；及 搬送室12，其係為與LL室11連結以構成搬送部。 此外，成膜裝置10係具有下部電極層室13，其係與 搬送室12連結以作為第一成膜部；作為第二成膜部 之氧化物層室14;及上部電極層室15。 LL室11係具有可減壓之内部空間（以下簡稱為 收容室11a)，可收容複數個基板S的搬出及搬入。 該基板S係可使用如矽基板或陶瓷基板等。一旦基板 S之成膜處理開始，LL室11會使收容室11a減壓， 使複數的基板得以搬出至搬送室12。而當基板S之 成膜處理結束後，LL室會使收容室11a對大氣開放， 使其收容之基板得以被搬出至成膜裝置10外部。 搬送室12係具有可與收容室11a連通之内部空 200909596 間（以下簡稱為搬送室12a)，其係搭載為搬送基板s 動搬送裝置12b。一旦基板s之成膜處理開始， 自動搬送裝置12b會將成膜處理前的基板s從Ll室 11 ^入至搬送室12。而自動搬送裝置12b則將搬入 之土板S依照第一圖所示之逆時針順序搬送，即指依 …、下。卩電極層室13、氧化物層室14、上部電極層室 15、之順序搬送。當基板S之成膜處理結束後，自動 搬送裝置12b會將成膜處理後之基板s從 搬出至LL室1!。 部電極層室13係具有可與搬送室12a連通之 13°广以下簡稱為成膜室13a)，及搭載於成膜室 a达、著層靶材TG1。該下部電極層室13得使 ==㈣層树TG1，_技㉔度^ 用例如S上形成密著層。職著層係可使 =由鈦(τ〇、鈕(Ta)、鎳⑽ =_2、Ta205等)所組成之薄膜丄)， -靶：係具有搭載於成膜室i3a之作為第 材之下邛電極層靶材TG2。該下部電極芦 糸二用濺鍍法濺鍍下部電極層靶材TG2 ; 電極芦基板之㈣層上形成下部 八 電極層乾材TG2係包含下部電極芦 成刀，即指包含90%以上之白金(Pt)、金(Α θ 11 、°卩伤係包含上述主成分之金屬元素以外 之金屬，如銅或料。而用於 室、卜 賤鍍法可❹如錢缝絲交錢麟 200909596 濺鍍法或交流磁控濺鍍法等各種濺鍍法。 氧化物層室14係具有可與搬送室12a連通之内 部空間（以下簡稱為成膜室14a)，及搭載於成膜室i4a 之作為弟一把材之氧化物層把材TG3。該氧化物層室 14係使用濺鍍法濺鍍氡化物層靶材TG3，於保持設 定溫度(例如500°C以上）之基板s上形成鉛系複合氧 化物（鉛系鈣鈦礦複合氧化物）層。該氧化物層靶材 TG3係可使用鉛系複合氧化物之主成分，即指包括錯 鈦酸錯（Pb(Zr，Ti)〇3: PZT)、组銳酸錯（pb(Sr，Ti)〇3: PST)、結鈦酸船鑭（Pb(Zr，Ti)〇3:PLZT)等錯系約鈦礦 複合氧化物之燒結體。或者，該氧化物層無材TG3 可使用如為锆鈦酸鉛（Pb(Zr，Ti)〇3: PZT)形成，由鉛 -錘-鈦所組成之合金靶材。亦即，氧化物層室14係 為使用濺鍍法形成鉛系鈣鈦礦複合氧化物薄膜之反 應至。而用於該氧化物層室14之'濺錢法可使用如直 流藏鑛法或交流錢鑛法、直流磁控賤鑛法或交流磁控 濺鍍法等各種濺鍍法。 上部電極層室15係具有可與搬送室12a連通之 内部空間（以下簡稱為成膜室15a)，及搭載於成膜室 15a之上部電極層把材TG4。該上部電極層室15係 使用瘛链法濺鑛上部電極層乾材TG4,於保持設定溫 度(例如500 C以上）之基板S上形成上部電極層。該 上部電極層材TG4係包含上部電極層之主成分， 即指包含90%以上之白金〇>〇、金(Au)、銀(Ag)等貴 金屬，較佳為95%以上。該上部電極層靶材τ(}4剩 餘部份係包含上述主成分之金屬元素以外之金屬，如 200909596 銅或矽等。 』妾著’說明有關於上述成 :塊圖弟?圖係為揭示一。之機電心 J處理等)之構件。該控制 二2基板s之成 =咖、容約各種數據上有演算 之成膜處理 儀表板等各種表示裝置開::=作2,及液晶 理動作之數據至控制部21，且产出^供應各種處 處理狀況相關之㈣糾輪出與成膜裝置w之 ::關之數據(例域錢用:出氣係::::參 為成膜條件數㈣供應至 極層、錯系::氧：層 =臈參數作為成膜條件數據各 =制勒遂以與輸出入部提供之成膜=數= ^之成臈條件執行各層之成膜處理。

控制部21係與為控制LL室η驅動之L 迴路23連結。該LL室驅動迴路23係為檢測LL 11 200909596 室11之狀態，且供應其檢測結果至控制部21。例如， LL室驅動迴路23檢測出LL室11之壓力值，且供 應其檢測數據至控制部21。控制部21進一步依據 LL室驅動迴路23供應之檢測信號，供應與LL室驅 動迴路23相對應之驅動控制信號至LL室驅動迴路 23。 LL室驅動迴路23則回應從控制部21接收之驅 動控制信號，進行收容室11a之減壓或使其對大氣開 放，以利基板S之搬入或搬出。 控制部21係與為控制搬送室12驅動之搬送室 驅動迴路24連結。該搬送室驅動回路24係為檢測搬 送室12之狀態，且供應其檢測結果至控制部21。例 如，搬送室驅動迴路24檢測出自動搬送裝置12b之 機械手臂之位置，且供應其關於機械手臂位置之數據 之檢測信號至控制部21。該控制部21進一步依據搬 送室驅動迴路24供應之檢測信號，供應與搬送室驅 動迴路24相對應之驅動控制信號至搬送室驅動迴路 24。 搬送室驅動迴路24則回應從控制部21接收之驅 動控制信號，依成膜處理程式將基板S照LL室11、 搬送室12、下部電極層室13、氧化物層室14、上部 電極層15之順序搬送。 控制部21係與為控制下部電極層室13驅動之 下部電極層室驅動迴路25連結。該下部電極層室驅 動迴路25係為檢測下部電極層室13之狀態，且供應 其檢測結果至控制部21。例如，下部電極層室驅動 迴路25檢測出成膜室13a之實際壓力、濺鍍氣體之 實際流量、基板S之實際溫度、處理時間、施予靶材 12 200909596 力值等參數，且供應其闕於夹 仏虎至控制部21。該㈣部2i ^參數數據之檢測 ff驅動迴路25供應之檢· m選下部電極 數據w相對應之驅動控應與成膜條件 迴路25。下部電極層室驅動°迴路至電極層室驅動 21接收之驅動抑劍户贷路25則回應從控制部 應之成膜條件實:絲Y ’ 職件數據Id對 者層及下部電極層之成膜處理。 化物層室===氧物二 室14驅動之氧 26係為檢測氧化物層化物層室驅動迴路 果至控制部21。例如，蓋 ""且供應其檢測結 出成膜室14a之告1層室驅動迴路26檢測 板s之實際:；只=;、賤鑛氣體之實際流量、基 等參數㈣之實際電力值 驅動控制信號至氧化;層據1υ i=::rr控制部21接 == 系複對應之成膜條件實脑 上部與為控制上部電極層室15驅動之 動迴路迴路27連結。該上部電極層室驅 ”1。例如 ^ 實p旦i5a之實際壓力、藏鐘氣體之 錢里、基板s之實際溫度、處理時間、施予把材 13 200909596 參數，且供應其關於參數數據之檢測 ϋ驅C。該控制部21進一步依據上部電極 i據Λi27供應之檢測信號，供應與成膜條件 迴路27 /應之驅動控健號至上部紐層室驅動 21接電極層室驅動迴路27貝回應從控制部 庳之成胺伙動控制信號，依照與成膜條件數據14對 叫成膜條件實施上部電極層之成膜處理。 方法接第著：明利用上述成膜裝置i〇之多層臈形成 S驟Si0至第三圖⑴係為揭示多層膜形 容室Ua中之基板s搬送至下部電極層’將收 時，入下部電極層室13之成膜室❿ 及下部電極層32b層二積It)所示’會使密著層32a 21 件二對應之成膜條 ^ ΐ 7；：^" ^1 ^ 形成下部電極層32b，心部=== 200909596 10〜3〇nm。你f t , 驅動迴路25制部21測量經由下部電極層室 且當處理時門P電極層32b之所需處理時間， 處理，藉此設之成膜時㈣時即結束成膜 / w周整下部電極層膜厚Τ1至10〜30nm。 在後續電極層32b形成3Gnm以下之膜厚， 電極声2 μ，當錯系複合氧化物層33形成於下部 合減二可更:T系複合氧化物層33之錯擴散則 二咸低了更進—步迴避鉛系複合氧化物之鉛欠損狀 態。 、 並且，藉由於下部電極層32b形成10nm以上 之膜厚，在後續步驟中，當蝕刻鉛系氧化物層33時， 在鉛系複合氧化物層33及下部電極層32b之間的敍 刻選擇比得以確保。例如，若鉛系化合物層33之膜 厚差（膜厚之不平均）為45nm ’在下部電極層膜厚们 為10nm的情況下，鉛系複合氧化物層33及下部電 極層32b之中的餘刻選擇比可選擇較4·5大的範°圍。 因此可獲得足夠的鉛系複合氧化物加工性。此外，若 在鉛系化合物層33之膜厚差（膜厚之不平均）為 45nm，且下部電極層膜厚Τ1為30nm的情況下，; 使鉛系複合氧化物層33及下部電極層321)之間的姓 刻選擇比下降至1.5。 下部電極層32b形成後，控制部21如第三圖（b) 所示，會使錯系複合氧化物層33於下部電極層32b 上側層積。亦即’控制部21經由搬送室驅動迴9路24 驅動搬送室12’將下部電極層室13之基板$搬送至 15 200909596 至14。接著，控制部21經由氧化物層室驅 26驅動氧化物層室Η，依照與成膜條件H 對應之成膜條件層積料複合氧化物層33。 化物化物層33之财係稱之為氧 物T2。乳化物層室14依據成膜 仏形成錯系複合氧化物層33,而此氧化物層膜^ T2則為〇.2〜5仰m。例如，控制部2丨測量經由氧 物層室驅動迴路26形成鉛系複合氧化物層％之 處理時間，且當處理時間達到預設之成膜時間點時；j 、、-吉束成膜處理，藉此調整鉛系複合氧化物層膜 至 0.2〜5.0 // m。 藉此，鉛系複合氧化物層33之膜厚會被規定於 較下部電極層32b更大的數值。其結果可使鉛系複 合氧化物層之誘電性及壓電性更確實的提升。、 一鉛系複合氧化物層33形成後，控制部21如第 二圖（c )所示’會使上部電極層34於錯系趨人惫〆μ 物層33上側層積。亦即，控制部21經由搬送^驅動 迴路24驅動搬送室12，將氧化物層室14之基板s 搬送至上部電極層室15。接著，控制部21經由上部 電極層室驅動迴路27驅動上部電極層室15，依照與 成膜條件數據Id對應之成膜條件層積上部電極層 34。 藉此，形成由密著層32a、下部電極層32b，錯 系複合氧化物層33、上部電極層34所組成之多層膜 35。 上部電極層34形成後，控制部21會使基板s 16 200909596 室"驅動迴卜部。亦即，控制部21經由搬送 之基板S至LT=送室12,收納上部電極層室15 各驅動趣路23 2至部21則如同前述，經由 s力一？ 23〜27驅動各反應室11〜U，所有美板 S只方也费著層32a、下部電声m =基板 層33、上部雷I a 、°糸複合氧化 丄。卩電極層34之層積且收納至[乙室丨丨 所有基板s所施行之成膜處理結束時，控制部η經 由LL室驅動迴路23使ll室11對大氣開放，所 有的基板S搬出至成膜裝置1〇外部。 接著’舉實施例及比較例說明本發明。 第四圖係揭示利用上述成膜裝置1〇所獲得之 多層膜35之X射線衍射譜。第五圖係揭示下極 層32b膜厚與比誘電率及誘電損失之關係，而第六圖 則揭示了下部電極層32b之膜厚與壓電常數之關係。 (實施例） 使用具有直徑15〇mm的矽基板作為基板s，形 成具有l"m膜厚，作為最下層31之氧化矽膜。^ 作為密著層32a及下部電極層32b之成膜條 件，分別使用以Ti及Pt為主成分之靶材。此外，'使 用Ar氣體作為喷濺用氣體。接著，保持基板s溫度 於500°C，使具有20nm膜厚且以Ti為主成分之密著 層32a，及具有3〇nm膜厚且以Pt為主成分之下部電 極層32b於最下層31上按照順序層積。 使用以锆鈦酸船（Pb (Zr〇. a i Μ) a)為主成分之 17 200909596

Sr作:體ί氧化物層33之成膜條件。此外使 接著，保持基板S溫度於咖。 膜厚且以結鈦酸錯⑽Zr，Ti)〇3 : :〇, 錯系複合氧化物層33。 Mi)為主成分之 之志ϋΓ ^為主成分之免材作為上部電極層34 於S ^氣體作為騎氣體。接著， Γ:主層33上層積具有100麵膜厚且以 Pt為主成为之上部電極層34。 施例之多㈣35。 ㈣以上步驟獲付實 測量：====;= 損失。此外，對於實施例之多里比誘2J誘電 於形成懸臂梁狀之多層膜35 3部5電:讀34之中施以設定之交流電Π = 3^^^^^^^^^€(laserd0ppi?r vibrometer)測定墨電定數。 即 (比較例） 使用以Pt為主成分之乾材作為 此:卜使用^氣體作為濺鍍氣體接著 =3個基板S，於各基板上形成以pt為主成分之 m。3個下部！極層32b膜厚分別為 &5〇nm。接著，排除下部電極層32b 之成膜條件’使用與實施例相同之其餘成膜條件形成 18 200909596 比較例1〜3之多層膜35。比較例i之多層膜35係具 有膜厚為100nm之下部電極層32b;比較例2之多層 膜係具有膜厚為70nm之下部電極層32b ;比較例3 之多層膜係具有膜厚為50nm之下部電極層32b。接 著，如同上述實施例，對於比較例丨〜3分別施以χ 射線衍射譜、比誘電率、誘電損失、及壓電定數之測 量0 第四圖係為揭示實施例及比較例1〜3之X射線 衍射譜之圖表。橫軸及縱軸分別揭示X射線之衍射 角度26»及X射線衍射強度。 在約40°衍射角度2<9之位置，形成下部電極層 32b之Pt(l 11)之面可被認定為與實施例及比較例1〜3 共通。此外，與鉛系複合氧化物層33(PZT)之_鈦礦 相相當之（100)面、（110)面、（111)面、（200)面，分別 於約22°、約32°、約38°、約44°之衍射角度20可 被認定為與實施例及比較例1〜3共通。 另一方面，於約29°之衍射角度20之位置，與 敍系複合氧化層33(PZT)之燒綠石相相當（111)之面 可被認定為僅與比較例1〜3共通。若詳加描述，於各 比較例卜3，燒綠石相（111)之面之強度，相對於鈣 鈦礦相之各面強度較為低下。此低下程度係按照比較 例1、比較例2、比較例3之順序，即指按照下部電 極層32b膜厚變薄順序增加。接著，於實施例中，被 認定為比較例1〜3之燒綠石相之（111)面會消失。 由此可知，隨著下部電極層32b形成30nm以下 200909596 膜厚示，比誘電率會隨著下部電極層 膜厚τι之實曰：二即’具有30nm之下部電極層 二7數值。此外’誘電損失會隨著下部= 比較例1，及而實=。中亦，’實施例之绣電損失係二 控制下部值以，^ 化物層扣之誘電性係可提升 錯系複合氧 膜厚示，壓電常數會隨著下部電極層 膜厚T1之眚^亦即’具有3〇nm之下部電極層 例中最高的數V ^電常數係為比較例1〜3及實施 厚T1至3數值。由此可知，藉由控制下部電極層膜 係可提/以下，鉛系複合氧化物層33之壓電性 i 點 本貧施態樣之多層臈形成方法係具有以下 優 下部雷）本實施態樣之多層膜形成方法係包含使用 逼層靶材以濺鍍法於基板s上形成由貴金屬 L、，珉之下部電極層32b之步驟，及使用含鉛之氧化 物層靶材以賤鍍法於下部電極層32b上層積錯系複 合氧化物層33之步驟。於下部電極層32b之形成步 驟中，该下部電極層32b之厚度係規定為10〜30mn。 鉛系#5鈦礦複合氧化物33會因鉛之欠損而移 20 200909596 轉至燒綠石相。本發明之發明者們發現，可藉由使作 為基礎之電極層32b變薄，抑制鉛系鈣鈦礦複合氧化 物33中鉛的擴散，迴避燒綠石相之成長。以往鉛系 鈣鈦礦複合氧化物之下部電極層一般使用較1〇〇nm 厚之膜厚。本發明之發明者們發現，藉由規定此下部 電極層之膜厚於30nm以下，足以抑制燒綠石相之成 長，提升錯系約鈦礦複合氧化物之誘電性及壓電性。 此外，於實施態樣，藉由規定下部電極層32b 之膜厚於10nm以上，可確保下部電極層32b及鉛系 複合氧化物層33之間的餘刻比。因此可確保錯系複 合氧化物層33之加工性，且可於不損失錯系複合氧 化物層33之加工性的情況下抑制錯的擴散，亦可維 持鉛系複合氧化物33於鈣鈦礦相，使薄膜化後的鉛 系複合氧化物層33之誘電性與壓電性提升。 (2) 錯系複合氧化層33之厚度係規定於 0. 2〜5. 0 /z m。因此可使相對於薄化後的下部電極層 32b之膜厚更厚之鉛系複合氧化物層33形成。因此， 可使多層膜35之誘電性及壓電性更確實地提升。 (3) 使用以白金為主成分之靶材，以濺鍍法於加 熱至500C以上之基板s上形成以白金為主成分之下 部電極層32b。隨即使用鍅鈦酸鉛為主成分之靶材， 以濺鍍法於下部電極層321：)上，形成以錘鈦酸鉛為主 成分之鉛系複合氧化物層。 藉由加熱下部電極層32b至500。(：以上，可使 锆鈥酸船之配向性最佳化。因此可使鈣鈦礦相之錯鈦 21 200909596 酸鉛更圓滑的成長，提升薄膜化锆鈦酸鉛之誘電性與 壓電性。 此外，上述實施態樣亦可以以下態樣實施。 •於上述實施型態，使用單一靶材濺鍍之單一 靶材濺鍍法適用於密著層32a、下部電極層32b、鉛 系複合氧化物層33、及上部電極層34。濺鍍法不以 此為限，例如使用複數靶材之複數靶材濺鍍法亦適 用0 【圖式簡單說明】 第一圖係為將實施態樣之成膜裝置以模型方式 揭示之平面圖。 第二圖係為揭示第一圖之成膜裝置之機電構成 之迴路方塊圖。 第三圖（a)係為揭示多層膜之下部電極層之製造 步驟之流程圖。 第三圖（b)係為揭示多層膜之錯系複合氧化物層 之製造步驟之流程圖。 第三圖（c)係為揭示多層膜之上部電極層之製造 步驟之流程圖。 第四圖係為多層膜之X射線衍射光譜。 第五圖係為揭示多層膜之比誘電率及誘電損失 之圖式。 22 200909596 第六圖係為揭示多層膜之壓電常數之圖式。 第七圖係為揭示習知之多層膜之比誘電率及誘 電損失之圖式。 第八圖係為揭示習知之壓電常數之圖式。 23

Claims (1)

1. 200909596 十、申請專利範圍： [.一種多層膜（35)之形成方法，其中該多層祺包含 極層（32b)及鉛系鈣鈦礦複合氧化物層（33)，嗜 方法之特徵係包含： ° x 電極層形成法，其係使用由貴金屬組成之第一 材（TG2)以濺鍍法於基板（S)上方形成前述電極層； ^士系鈣鈦礦複合氧化物層形成法，其係使用含鉛 之一靶材（TG3)以濺鍍法於前述電極層上方層 積，形成前述鉛系鈣鈦礦複合氧化物層； 曰 〔、中則述電極層形成法係包含至厚度 (T1)之前述電極層之形成。 2. 3. :申：專利，圍第1項所述之多層膜形成方法，其 二月述鉛系鈣鈦礦複合氧化物層層積法所形成之 °系、，弓鈦礦複合氧化物層厚度（T2)係為0.2至5 0 # m ° 如：請甘專利範圍第1項或第2項之多層膜形成方 法，其中： 前述電極層軸法係包含T列步驟: 將前述基板加熱至5〇〇°c以上； 將：白金為主成分之靶材，以濺鍍法於前述已加 …之基板上形成具有10至3〇nm厚度之前述電極層； 前述鉛系鈣鈦礦複合氧化物層 用鍅鈦酸錯為主成分之㈣，以賤;又法於= 24 200909596 層上方形成具有〇· 2至5. 0/im厚度之前述鉛系鈣鈦 礦複合氧化物層。 4. /種多層膜形成裝置（10)，其特徵為包含： 第—成膜部（13)，其係具有由貴金屬所組成之第 /輕材（TG2)，且係以濺鍍法將前述第一靶材於基板 (S)上方形成電極層（32b); 第二成膜部（14)，其係具有含鉛之第二乾材 (TG3) ’且係以濺鍍法將前述第二靶材於前述電極層 上方形成錯系鈣鈦礦複合氧化物層（33); 搬送部（12)，其係為連結前述第一成膜部與前述 第二成膜部’且搬送前述基板至前述第一成膜部及前 述第二成膜部；及 控制部（21)，其係為驅動前述搬送部、前述第一 成膜部及前述第二成膜部； 其中月ό述控制部功能係包含驅動前述第一成膜部，於 則述基板上方形成10至30nm厚度之前述電極層。 5. 如申睛專利範圍第4項所述之多層膜形成裝置’其中 前述控制部功能係包含驅動前述第二成膜部，於前述 電極層上方層積〇. 2至5. O/zm厚度之前述鉛系鈣鈦 礦複合氧化物層。 6. 如申請專利範圍第4項或第5項所述之多層膜形成裝 ί，其中： 前述第一靶材為以白金為主成分之靶材； 25 200909596 前述第二靶材為以鍅鈦酸鉛為主成分之靶材； 前述控制部功能為驅動前述第一成膜部，於已加 熱至500°C以上之前述基板上方形成前述厚度為10 至30nm之以白金為主成分之前述電極層；且驅動前 述第二成膜部，於前述電極層上方層積前述厚度為 0. 2至5. 0/zm之以锆鈦酸鉛為主成分之前述鉛系鈣 鈦礦複合氧化物層。 f \ 26