TW200905741A - Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate by substrate vibration - Google Patents

Methods and apparatus for polishing a notch of a substrate by substrate vibration Download PDF

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Description

200905741 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上是關於基材處理,且特別是關於清潔基 材邊緣之缺口的方法及設備。 【先前技術】 基材乃用於半導體元件製造。處理時,基材的缺口與 邊緣將變髒而不當影響形成於基材上的半導體元件。習知 系統無法在符合成本效益的時間内有效清潔基材缺口。因 此,樂見有清潔或研磨基材邊緣之缺口的改善方法及設備。 【發明内容】 在本發明之第一態樣中,提出研磨基材邊緣之缺口的 設備。設備包含一基材支撐件,用以支撐基材;一研磨頭, 用以接觸基材邊緣之缺口;以及一控制器,於研磨頭接觸 基材缺口時,使基材至少在第一與第二振盪位置間擺動。 在本發明之另一態樣中,提出研磨基材邊緣之缺口的 系統。系統包含一基材支撐件,用以支撐基材;一研磨頭, 用以擠壓研磨帶抵著基材邊緣之缺口;以及一控制器,於 研磨頭接觸基材缺口時,使基材至少在第一與第二振盪位 置間擺動,藉以控制研磨頭的研磨情形。 在本發明之又一態樣中,提出研磨基材邊緣之缺口的 方法。方法包含支撐一基材,其中基材邊緣包括缺口;擠 壓一研磨頭抵著缺口表面;以及當研磨頭抵靠著缺口時, 5 200905741 在第一與第一振盘位置間擺動基材。 本發明之其他特徵和態樣在參閱以下詳細說明、 專利範圍和所附圖式後,將變得更清楚易,度。 π 【實施方式】 用於半導體元件處理的基材通常含有薄膜及/或表 缺陷,其一般在進行後續處理步驟前會被移除。在一肽面 況下’這些薄琪和缺陷會出現在基材邊緣(包括形成::: 之缺口)。 、 清潔及研磨基材缺口的一方法包括當將基材固 定位置時,應用研磨膜或研磨帶於缺口 動研磨帶。當接觸缺口時應用於研磨帶之力=::: 研磨帶接觸缺口的程度 $度會t響研磨纟率。景多響研磨效率的 另一因素為研磨帶相對· ▼相對基材缺口的移動程度。在一些實施 例令,推動研磨帶越過缺口 ^ ^ 表面T產生相對移動。然而’ 於研磨帶則進越過缺口表 A ^ ^ . 時移動基材,可提高研磨帶與 基材缺口的相對移動程度, 效益。 進而“缺口研磨效率及成本 本發明提出設備和方 ..^ ^ 去來加強研磨帶與基材缺口區之 ^ ^ ^ ^ 错·^有效且具成本效益地移除基材 缺口的薄膜和表面缺陷。 曰 在一或多個實施例中,提出缺口 考墊。缺口背塾用來擠壓蒋 一些實施例中…背j動之研磨帶抵著基材^。在 突出部。”部可由彈:括實質上順應基材缺口形狀的 ^、可變形材料構成,如此缺口背 6 200905741 墊可實際遵照缺口形狀(例如當其抵靠著缺口時)並擠壓研 磨帶使之接觸缺口的所有表面。缺口背墊可包括狹縫,用 以引導缺口背墊上的研磨帶。 在 二實施例中,研磨帶前進越過缺口時,基材繞著 旋轉中〜轉動及/或振盪。轉動及/或振盪作用將提高研磨 π與基材缺口的相對移動程度,進而提高研磨效率及成本 效益。 第1圖為根據本發明一實施例之基材研磨系統1 〇 〇的 平面圖第1圖系、统100用來研磨基材,例如包括基 材邊緣101及/或基材邊緣1〇1之缺口 244(第3圖)。在一 二實施例中,缺口 244用來對準系統j 〇〇的基材j 〇2。基 材102還包括二個主面1〇3(顯示其_)。基材ι〇2之各主 面103可包括元件製造於上的元件區(未繪示)和不製造元 件於上的晶邊排除區(未繪示)。然一般而言,只有一主面 1 03包括το件區和晶邊排除區。晶邊排除區當作元件區與 基材邊緣101的緩衝區。在邊緣研磨製程中,基材邊緣 101(包括缺口 244)經研磨移除了缺陷或污染物,因而減少 膜厚及大致增進表面均勻度。 第1圖系統100包括三個研磨頭1〇4,其各自包括複 數個研磨設備來清潔及研磨上述基材1〇2的部分。研磨頭 104的數量/、類里可视實際應用而定。任何數量的研磨頭 1 0 4 同時、個別及 / 或ytE. ja. . U J J 4桉任意順序使用。一或多個研磨頭 104可設在不同位置及配置成不同方位(如對準基材邊緣 或缺口、纟直基材邊緣或缺口、角度傾斜於基材邊緣或缺 200905741 口等),讓一或多個研磨頭104(和下述背墊及/或研磨帶) 研磨基材102邊緣及/或缺口的不同部分。研磨時,基材 102可固定不動或旋轉。可以任一手段使一或多個研磨頭 104繞著或沿著基材邊緣101及/或缺口 244擺盪或移動(如 繞著基材102之正切軸角度移動及/或繞著基材ι〇2周邊移 動)藉以研磨基材102的不同部分。不同研磨頭1〇4可用 於不同基材102、不同類型的基材102或不同的研磨操作。 系統1 00亦包括程式化或使用者操作之控制器1 〇6。 控制器1 06可指示一或多個研磨頭1 04和其他系統組件的 操作及移動,此將進一步說明於後。 第2圖為研磨設備200之一實施例的透視圖,用來研 磨基材缺口 244(第3圖)。研磨設備2〇〇包括基材驅動器 21〇(如伺服馬達、齒輪、傳動帶' 鏈條等),其可裝在臺座 212上。支撐件21 4(如真空吸座)耦接(如牢接)基材驅動器 2 1 〇的轴桿(未繪示)^支撐件2 1 4例如支撐基材2 1 6。基材 驅動器210可透過支撐件214而繞著基材216之中心218 或其他適當軸心轉動基材216。基材驅動器210可連接至 基材驅動器控制單元(未繪示),以控制基材2丨6的角位 移 '角速度和角加速度。研磨設備200更包括研磨臂220, 其對齊近乎正切基材216之邊緣103(第1圖)的水平面且 由框架224托住。在其他實施例中,研磨臂22〇排成不同 角度’例如垂直或傾斜於水平面。研磨臂220包括研磨頭 222區段。研磨頭222包括缺π背塑* 226,諸如液壓致動器、 氣壓致動器、伺服馬達等致動器(未繪示)可將其移向或移 200905741 離基材216 °研磨帶228縷繞研磨頭222且繞過缺 並在捲轴230、232間拉緊。捲軸23〇、232分 轴驅動器234、236(如飼服馬達)驅動。捲軸驅動器 236係經標記以用來精確控制研磨帶228前進越過 222(例如從捲軸230至捲軸232)以研磨基材216 244的量。 在一或多個實施例中,研磨帶228由各種材料 例如氧化、&切、碳切等。也可採用其他材 二實施例中,研磨粒的尺寸為約〇, 5微米至約3 但亦可採用其他尺寸。研磨帶228的寬度可為約〇 至約1‘5英吋,但亦可採用其他研磨帶寬度。在一 實施例中,研磨帶228的厚度為約〇.〇〇2英吋至約 吋,承受張力為約1-5磅。也可使用不同厚度與張 的研磨帶。捲軸23 0、232的直徑為約】英吋,且可 500英吋的研磨帶228。捲軸亦可具其他直徑。捲肩 232的組成材料例如為聚氨酯、聚二氟乙烯等。也 其他材料。 第3圖為第2圖中用來研磨基材缺口 244之研 200的局部透視圖。研磨臂220支樓的研磨頭222 口背墊226和一或多個引導滾軸238、240。在一些 中’研磨帶228纏繞滚軸238、缺口背墊226和另 24 0而纏著研磨頭222。如上述,研磨帶228可拉緊 230、232之間。在一些實施例中,缺口背墊226包 部242’其截面近似基材缺口 244形狀。當研磨帶 口背墊 別由捲 234 ' 研磨頭 之缺口 組成, 料。在 微米, .2英吋 或多個 0_02 英 力強度 持有約 4 230 ' 可採用 磨設備 包括缺 實施例 一滚軸 於捲轴 括突出 228纏 200905741 繞研磨頭222且在捲軸230、232間拉緊時,其可 缺口背墊226的突出部242形狀。 如上述,致動器(未繪示)可將缺口背墊226 離基材216。也可採用其他適合裝置來移動缺口 $ 當缺口背墊226移向基材216時,缺口背墊226 242會壓入基材缺口 244。隨著缺口背墊226壓入 244,順應缺口背墊226之突出部242形狀的研 亦壓進且順應基材缺口 244截面,因而接觸基材 的整個表面。一旦研磨帶22 8前進而接觸基材缺 整個表面,即可清潔及研磨基材缺口 244的整個. 參照第4圖,其繪示包括缺口 244的部分基 為清楚說明,乃放大顯示缺口 244。缺口 244包 個缺口側邊400。缺口 244還包括一或多個缺口車 轉角402位於缺口側邊400與基材216周圍的相 口 244更包括缺口中心404,位於一或多個缺口 的相交處。缺口深度406是指缺口中心404之水 口轉角402之水平面的間距。在一些實施例中, 施例,缺口 244從一缺口轉角402經由缺口側邊 口中心404到另一缺口轉角402的曲率呈大幅變 缺口 244之曲率改變,因此研磨時,樂見研磨帶 持接觸缺口 244的所有區域(如缺口側邊400、缺口 和缺口中心404),而可研磨/清潔整個缺口 244。 第5圖為缺口背墊2 2 6之一實施例的戴面圖 磨基材缺口 244。如上述,缺口背墊226包括突d 配置順應 移向或移 f 墊 226。 的突出部 基材缺口 磨帶22 8 缺口 244 口 244 的 良面。 材 2 1 6 ° 括一或多 春角402 。 交處。缺 側邊4 0 0 平面與缺 例如此實 4 0 0和缺 化。由於 2 2 8能保 轉角402 ,用來研 ί 部 24 2, 10 200905741 其形狀大致對應基材缺〇 ^ 0, ^ 24, , ^ ω 244的形狀。在一些實施例中, 犬出部242由軟性順應材 好 ,且成’例如聚氨酯或其他適合 材枓。在其他實施例中, ^ ^ 突出。15 242由剛硬材料級成。缺 口背墊226的其餘部分 取缺 』、 』由軟性順應材料或剛硬材料構 成。缺口背墊226還包括— '或夕個狹縫246、248。研磨帶 前進並接觸基材缺口 研潛常 Ζ44時,狹缝246、248引導研磨 帶228越過突出部242。春 田缺口背墊226的突出部242壓 入缺口 244時,突屮邱
犬出邵242可順應缺口 244形狀,使研磨 帶228接觸缺口侧邊4〇〇、 缺口轉角402和缺口中心404(第 4圖)》 第6圖’其為一基材實施例的俯視圖且基材在 本發月之缺口研磨設備中振盪。冑注意缺口 Μ 4並未按比 例缘示,而是放大顯示以便於說明。如同上述第圖, 支樓件214托住基材216,基材驅動器21〇則使基材216 繞著基材中〜2 1 8轉動及/或擺動。例如,控制器丨〇 6 (第1 圖)或其他控制器促使基材驅動器21〇來回旋轉,進而來回 轉動(如擺動)基材216。為研磨基材缺口 244,研磨帶228 因缺口背墊226施予之壓力而接觸缺口 244,造成研磨帶 228前進越過缺口背墊226。研磨帶228隨其接觸缺口 244 而前進的方向近乎垂直基材216的旋轉面,即近乎垂直圖 式。然研磨帶228也可以相對基材216之旋轉面的其他角 度推進。 在一些實施例中,研磨帶228前進時,基材216以其 中心2 1 8為軸旋轉或正弦擺盪。例如,控制器1 06(第1圖) 11 200905741 促使基材驅動器2 1 0來回轉動。在此實施例中,基材2 1 6 繞著其旋轉中心218擺盪。半徑R代表一方向,其中基材 缺口 244對準或置於研磨頭222(如第2圖所示,但未繪於 第6圖)中央,明確地說,為缺口背墊226的突出部242(第 5圖)。基材216擺動時,半徑R表示基材216的中點位置 或方向;半徑分別代表基材以角度θ!、θ2擺盪時, 缺口中心404(第4圖)行進的極限。虛線244a表示缺口 244 沿半徑Ri行進的輪廓極限,虛線244b表示缺口 244沿另 一半徑R2行進的輪廓極限。基材2 1 6的旋轉角度θ!、θ2 可設定成大致相同或不同。在一些實施例中,研磨期間的 角度θ〗、θ2為約0度至約1度。也可採取其他角度。研磨 時,基材2 1 6在半徑R !、R2間擺盪的頻率可有所不同,例 如為約0轉/分鐘至約50000轉/分鐘,較佳為約1 〇〇〇轉/ 分鐘至約50000轉/分鐘。也可採取其他及/或固定頻率。 研磨帶228壓抵缺口 244的力量或壓力和研磨帶228 與缺口 244的相對移動作用會影響研磨程度及/或效率。研 磨帶228接觸缺口 244以致例如朝垂直基材216之主面方 向推進時,將造成研磨帶228與缺口 244相對移動,故有 助於研磨製程。此外,基材216於研磨帶228前進時繞著 基材中心21 8擺盪,將促進研磨帶228與缺口 244表面相 對移動,因而有益於研磨製程。在一些實施例中,相較於 單獨利用研磨帶推進作用,振盪可讓研磨帶228與缺口表 面的接觸效果更佳,故基材振盪加上研磨帶推進更能有效 地研磨缺口。 12
200905741 參照第7圖,其繪示方 万去7〇〇之〜實施例 及研磨基材216的缺口 244。此·™· 44° 步驟 S7〇2 & 且ϋ定於支#件214上。接 隹戈騍S704中 不停旋轉直到缺口 244對進m Λ 半研磨頭222,例如 塾226的突出部242。在步驟S7〇6 T ’缺口背 出部242接觸基材缺口 244,* 並且掩饜研磨帶 著缺口 244。步驟S708為利用捲軸驅動器234 器236驅使研磨帶228前進,制 J戈掩軸2 3 0或 收緊捲轴或供給捲轴。在步驟S7i〇由 中,基材 中心218或其他適當位置擺盪。此步驟可與步 時、或在步驟S708前或後進行。研磨帶 口 244而前進及配合基材216擺盪,可研磨移 的薄膜和缺陷》 另外’在步驟S712中’研磨頭222垂直 缺口 244擺動’例如當研磨帶228前進時,研 著正切基材216(和缺口 244)之轴線旋轉,藉以 潔及研磨基材216之主面103(第1圖)旁的缺t S712可與步驟S7〇8及/或S710同時、或在步 或S710前或後進行。研磨帶228的速度、方 壓力等、基材216的旋轉位移、速度與加速度 222繞著基材216的旋轉位移、速度與加速度 控制器1〇6(第1圖)調整。例如,研磨帶228 度前進一段長度,再以另一速度前進一段長度 磨帶228可承受固定或變化張力和壓力而矛 ,用以清潔 材2 1 6敌置 ,基材2 1 6 對準缺口背 塾2 2 6的突 228使之抵 或捲麵軀動 232可做為 2 1 6繞著其 驟S7〇8同 隨著接觸缺 除缺口 244 轉動或圍繞 磨頭222繞 更有效地清 1 2 4 4。步驟 騍S708及/ 向、張力、 、和研磨頭 例如可利用 可以某一速 。此外,研 &動及/或擺 13 200905741 動。再者,基材216可以第一振幅擺盪第一段時間,再以 第二振幅擺盪第二段時間。或者或另外,基材216可交替 振盪週期與單獨旋轉或不旋轉週期。清潔不含缺口之基材 邊緣時,亦可擺盪基材(例如,採取類似或其他擺盪方式)。 以上敘述僅說明本發明之實施例。一般熟習此技藝者 在不脫離本發明之精神和範圍内,當可更動及潤飾上述設 備和方法。 因此,雖然本發明已以較佳實施例揭露如上,但應理 解其他實施例亦落在本發明之精神和範圍内,本發明之保 護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。 【圖式簡單說明】 第1圖為根據本發明一實施例之系統的平面圖,用來 研磨部分基材,包括主面、邊緣、斜面和缺口。 第2圖為根據本發明一實施例用來研磨基材缺口之研 磨設備的透視圖。 第3圖為第2圖中用來研磨基材缺口之研磨設備的局 部透視圖。 第4圖繪示一基材實施例的一部分,包括基材缺口。 第5圖為根據本發明一實施例之支撐背墊的截面圖, 用來研磨基材缺口。 第6圖為一基材實施例的俯視圖。 第7圖為根據本發明一實施例之研磨基材缺口的方法 流程圖。 14 200905741
【主要元件符號說明】 100 系統 101 邊緣 102 基材 103 主面 104 研磨頭 106 控制器 200 研磨設備 210 ' 234 ' 236 驅 212 臺座 214 支撐件 216 基材 218 中心 220 研磨臂 222 研磨頭 224 框架 226 背墊 228 研磨帶 230、 232 捲軸 238、 240 滾軸 242 突出部 244 缺口 244a 、244b 虛線 246 ' 248 狹縫 400 側邊 402 轉角 404 中心 406 深度 S702 > S704 、 S706 、 S708 、 S710 、 S712 步驟 15

Claims (1)

  1. 200905741 十、申請專利範圍: 1. 一種研磨一基材邊緣中之一缺口的設備,其至少包含: 一基材支撐件,用以支撐一基材; 一研磨頭,用以接觸該基材之一邊緣中的一缺口;以及 一控制器,於該研磨頭接觸該基材之缺口時,使該基材 至少在一第一振盪位置與一第二振盪位置間擺盪。 2. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該研磨頭包含 一背塾。 3. 如申請專利範圍第2項所述之設備,更包含一研磨帶, 其中該背墊係適合以該研磨帶接觸該基材之缺口。 4·如申請專利範圍第3項所述之設備,更包含一馬達,用 來推進該研磨帶,藉以造成該研磨帶與該基材之缺口間的 相對移動。 5·如申請專利範圍第2項所述之設備,其中該背墊包含一 突出構件。 6.如申請專利範圍第1項所述之設備,其中當該基材為固 定不動時,該第一振盪位置與該基材之一中央半徑相夾一 第一擺盪角度,且當該基材為固定不動時,該第二振盪位 16 200905741 置與該基材之一中央半徑相夾一第二擺盪角度。 7. 如申請專利範圍第6項所述之設備,其中該第一擺盪角 度與該第二擺盪角度相同。 8. 如申請專利範圍第6項所述之設備,其中該第一振盪位 置與該第二振盪位置間的一擺盪頻率係多變的。 9. 如申請專利範圍第1項所述之設備,其中該研磨頭適以 繞著正切該基材之缺口的一軸線擺動。 1 0. —種研磨一基材邊緣中之一缺口的系統,其至少包含: 一基材支撐件,用以支撐一基材; 一研磨頭,用以擠壓一研磨帶抵著該基材之一邊緣中的 一缺口;以及 一控制器,於該研磨頭接觸該基材之缺口時,使該基材 至少在一第一振盪位置與一第二振盪位置間擺盪,藉以控 制該研磨頭的一研磨情形。 1 1.如申請專利範圍第1 0項所述之系統,其中該研磨頭包 含一背墊,而其中該背墊係適合以該研磨帶接觸該基材之 缺口 。 17 200905741 1 2.如申請專利範圍第1 0項所述之系統,其中當該基材為 固定不動時,該第一振盪位置與該基材之一中央半徑相夾 一第一擺盪角度,且當該基材為固定不動時,該第二振盪 位置與該基材之一中央半徑相夾一第二擺盪角度。 1 3 .如申請專利範圍第1 0項所述之系統,其中該基材以一 第一振幅擺盪一第一段時間,並以一第二振幅擺盪一第二 段時間。 14. 一種研磨一基材邊緣中之一缺口的方法,該方法包含: 支樓一基材,其中該基材之一邊緣包括一缺口; 擠壓一研磨頭抵著該缺口之一表面;以及 當該研磨頭抵靠著該缺口時,在一第一振盪位置與一第 二振盪位置間擺動該基材。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之方法,更包含下列至少 其一: 透過該研磨頭擠壓一研磨帶抵著該缺口; 當該研磨帶抵靠著該缺口時,推進該研磨帶;以及 圍繞該缺口擺動該研磨頭。 18
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