JP2000263405A - 半導体ウェハのノッチ面取り面研磨方法および研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複雑な形状のノッチ面取り面全面を均一かつ
効率的に研磨するとともに、同時に二枚の半導体ウエハ
を研磨することで研磨効率をさらに倍化する半導体ウェ
ハのノッチ面取り面研磨方法及び装置を提供する。 【解決手段】 研磨盤１は、その外周に研磨パッド１ａ
を備え、回転及び昇降自在に保持されている。研磨盤１
の両側には、半導体ウエハ２を保持する一対のウエハ保
持具３を傾斜配置する。本発明では、半導体ウエハ２の
ノッチ面取り面を研磨パッド１ａに当接させて研磨する
が、この際半導体ウエハ２をその中心とノッチ２０の中
心を通る仮想直線Ｘ１の軸周りに任意の角度回転、揺動
させる。望ましくは研磨盤１の昇降周期と半導体ウエハ
２の揺動周期を同期させて、半導体ウエハ２を研磨する
ことにより、これまで困難であったノッチの複雑な面取
り面全面が均一かつ効率的に研磨される。加えて、ひと
つの研磨盤１で同時に２枚の半導体ウエハ２を研磨でき
るので、研磨効率はさらに倍化する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する分野】本発明は、半導体ウェハのノッチ
面取り面研磨方法および研磨装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＬＳＩなどのデバイス作成工程において
半導体ウェハの結晶方向を示す手段として、半導体ウエ
ハにオリエンテーション フラット（Ｏｒｉｅｎｔａｔ
ｉｏｎＦｌａｔ）（以下「オリフラ」と略称する）やノ
ッチ（Ｎｏｔｃｈ）を形成しておくことは、一般的によ
く用いられる技術である。オリフラやノッチは、半導体
結晶の結晶特性を特定できる段階において形成し、スラ
イスされた後もウェハの外周部にそのまま残して結晶方
向の目印とする。このうち、ノッチはオリフラより占有
面積が小さく歩留まりがよいため、直径２００ｍｍ以上
のウェーハに対してはより多く利用される。反面、オリ
フラが線面状であるのに対し、ノッチはわずかではある
が開口幅のあるＶ字状凹部となっているため、ノッチ面
取り面は半導体の表裏面や外周面の研磨加工では十分研
磨できなかった。しかしながら、近年この部分からの発
塵が原因と思われる歩留り低下が問題となり、ノッチ面
取り面も鏡面加工することが求められている。

【０００３】ノッチ面取り面を研磨加工する装置として
は、特許第２６１３５０４号及び特許第２６５２０９０
号公報所載の発明が知られている。これらの発明では、
円板状砥石と半導体ウェハとが略直角に交差、当接する
ように配置されている。円盤状砥石は上下方向に昇降可
能である。一方、半導体ウエハは、円盤状砥石に対して
近接、離反運動するとともに、半導体ウエハの面に垂直
な中心軸の周りに任意の角度回転する。円盤状砥石の昇
降と半導体ウエハの近接、離反及び回転運動は同期され
ている。一方、円盤状砥石の周縁先端部は、半導体ウエ
ハのノッチ部内で、半導体ウエハ面に平行な方向及びウ
エハの板厚方向に移動できる程度の大きさとされてい
る。

【０００４】しかしながら、これらの発明における円盤
状砥石と半導体ウエハの近接、離反運動は自明のことと
して、円盤状砥石の昇降と半導体ウエハの水平的回動で
は、図６に示すノッチ２０の側端面部２０ｃ、勾配をも
つ表裏端面部２０ａ、２０ｂは一応研磨できても、円盤
状砥石の周縁先端部とノッチ面取り面の接触角により当
接面積が狭くなるので均一な研磨は期待できない。ま
た、円盤状砥石の周縁先端部の形状自体が小さく、ノッ
チ面取り面全体を移動しながら研磨するのでは研磨に長
時間を要する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記のごと
き問題点を解決したもので、複雑な形状のノッチ面取り
面全面を効率的且つ均一に研磨する半導体ウェハのノッ
チ面取り面研磨方法を提供することを目的としている。

【０００６】また本発明は、一枚の研磨盤で同時に二枚
の半導体ウエハを研磨することのできる半導体ウェハの
ノッチ面取り面研磨装置を提供することを目的としてい
る。

【０００７】

【課題を解決するための手段】前記目的を達成した本発
明の半導体ウェハのノッチ面取り面研磨方法は、少なく
とも外周部に研磨パッドを有する回転研磨盤と、外周部
にノッチを有する半導体ウエハを交差させて、研磨パッ
ドとノッチを当接し、当接状態で研磨盤を昇降させてノ
ッチ面取り面を研磨するに当たり、半導体ウエハの中心
からノッチの中心にいたる仮想直線の軸周り方向に、半
導体ウエハを任意の角度揺動させることを特徴としてい
る。

【０００８】この場合、研磨盤の昇降周期と半導体ウエ
ハの揺動周期を、仮想直線と仮想直線から研磨盤中心点
までの仮想延長線が一直線となる時、半導体ウエハが揺
動方向において水平となるように同期させることが望ま
しく、これにより研磨パッドとノッチ面取り面の当接面
が常に最大となり、ノッチ面取り面の側端面部、表端面
部、裏端面部がくまなく均一に研磨される。

【０００９】研磨パッドの外周縁部は、ノッチ形状と実
質的に相似形で、大きさが略等しいかわずかに小さくす
ることが望ましく、これにより研磨パッドとノッチ面取
り面の当接が点状接触ではなく面状接触となり、研磨が
均一かつ効率的になる。

【００１０】研磨盤を任意の時間間隔をおいて正逆回転
させることが望ましく、これによりノッチの研磨面は方
向性を持たずより均一となる。

【００１１】研磨時、研磨パッドに連続あるいは間歇的
に砥材スラリーを供与するのが、研磨効率を上げるうえ
から好ましい。

【００１２】砥材スラリーを供与する場合は、半導体ウ
エハの研磨盤側が下方に位置するように、半導体ウエハ
を傾斜保持するのが望ましく、これにより半導体ウエハ
の表裏面を砥材スラリーが流れて、汚染あるいは侵食す
るのを防止できる。

【００１３】前記目的を達成した本発明の半導体ウェハ
のノッチ面取り面研磨装置は、少なくとも外周部に研磨
パッドを有する研磨盤と、研磨盤を回転させる回転駆動
装置と、回転駆動装置を介して研磨盤を昇降させる昇降
装置と、研磨盤の両側に配置され、２枚の半導体ウエハ
を研磨盤に対して交差するように保持する一対のウエハ
保持具と、各ウエハ保持具を半導体ウエハの中心点から
ノッチの中心点にいたる仮想直線の軸周り方向に、任意
の角度範囲で揺動させる一対の揺動装置と、各揺動装置
を介して各半導体ウエハ保持具に保持された半導体ウエ
ハを研磨盤の研磨パッドに当接、離反せしめるスライド
装置とを備えたことを特徴としている。

【００１４】本発明の研磨装置には、仮想直線と仮想直
線から研磨盤中心点までの仮想延長線が一直線となる
時、ウエハ保持具が揺動角度において水平となるよう
に、昇降装置の昇降周期と揺動装置の揺動周期を制御す
る手段を設けるのが望ましく、これにより研磨パッドと
ノッチ面取り面の当接面が常に最大となり、ノッチ面取
り面の側端面部、表端面部、裏端面部の研磨が一度の当
接で均一となる。

【００１５】研磨パッドの外周縁部は、ノッチ面取り面
の形状と実質的に相似形で、大きさが略等しいかわずか
に小さく形成するのが望ましく、これにより研磨パッド
とノッチ面取り面の当接が点状接触ではなく面状接触と
なり、研磨が均一かつ効率的になる。

【００１６】回転駆動装置は、任意の時間間隔をおいて
正逆回転する制御手段を備えているのが望ましく、回転
方向を周期的に変えることで、これによりノッチの研磨
面は方向性を持たずより均一となる。

【００１７】研磨盤頂部近傍で開口する砥材スラリー供
給ノズルは、回転駆動装置に固定されているのが望まし
く、これにより昇降装置による研磨盤の昇降とともに回
転駆動装置も昇降するので、ノズル開口部と研磨盤との
距離はつねに一定に保たれる。

【００１８】一対のウエハ保持具は、砥材スラリーを供
与する時は、その研磨盤側が低くなるように傾斜配置さ
れているのが望ましく、これにより半導体ウエハの表裏
面を砥材スラリーが流れて、汚染あるいは侵食するのを
防止できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】次に図面にしたがって、本発明の
実施の形態を詳述する。図１は、本発明の研磨装置の基
本的な構成を例示する。図１において、研磨盤１には、
例えば直径９０ｍｍ、厚さ４ｍｍのステンレス製円盤を
用いる。研磨盤１の外周には、その外周の延出長５ｍ
ｍ、幅４ｍｍ程度のフェルト状素材からなる研磨パッド
１ａを巻き付け接着し、全体の直径が略１００ｍｍ程度
になるようにする。さらに大径の研磨盤を使用して、負
担をかけずに周速を大きくし、研磨速度を上げることも
できる。研磨パッド１ａの外周縁は、半導体ウエハ２の
ノッチ２０と実質的に相似形で略同一かわずかに小さく
設計すればよいが、通常はノッチ２０が凹状Ｖ字型にな
っているので凸状Ｖ字型に成形する。他にリング状のフ
ェルト板をフェルト板直径よりわずかに小さい直径のス
テンレス製円盤で挟み込んで、前述同様の外周縁を形成
することもできる。

【００２０】本発明では、研磨盤１は、回転駆動装置４
に回転軸１４を介して垂直に取り付けられている。回転
駆動装置４は、望ましくは任意の時間間隔をおいて正逆
回転させる制御手段を備えている。回転駆動装置４は昇
降装置５に連結されているので、昇降装置５の昇降によ
り、研磨盤１は回転駆動装置４を介して上下動する。こ
の回転と昇降により、研磨盤１の研磨パッド１ａはノッ
チ２０との当接面を摺動、研磨する。

【００２１】研磨盤１の両側には、２枚の半導体ウエハ
２をそれぞれ保持する一対のウエハ保持具３を配設す
る。各ウエハ保持具３は、半導体ウエハ２の片面を好ま
しくは吸着により保持し、研磨盤１の両側からノッチ２
０を研磨パッド１ａに当接させる。また各ウエハ保持具
３は、各半導体ウエハ２の中心とノッチ２０の中心を通
る仮想直線Ｘ１の延長線Ｘ２の交点が、研磨盤１の内側
であって、望ましくは研磨盤１の中心より下方に位置す
るように、研磨盤１側において低く傾斜支持されてい
る。これは、研磨の際に通常供給される砥材スラリー
が、半導体ウェハ２の表裏面に流れでて、これを汚染、
侵食するのを防止するためである。

【００２２】各ウエハ保持具３は、それぞれ一対の揺動
装置６に回動軸６１を介して連結されている。回動軸６
１は、前記仮想直線Ｘ１と一直線になるように、軸受６
２で回動自在に支承されている。回動軸６１は、ギア６
４を介してモーター６３に連結されている。モーター６
３は、揺動角度及び揺動周期を制御する手段（図示せ
ず）を備えている。この制御手段により、各半導体ウェ
ハ２は、仮想直線Ｘ１の軸周りに、任意の角度揺動す
る。各揺動装置６は、一対のスライド装置７に支持され
いる。

【００２３】各スライド装置７には、揺動装置６の軸受
６２を有する支柱７１が立設されている。各支柱７１
は、レール７２上に摺動自在に搭載されており、例えば
発条７３により常時研磨盤１側に付勢されている。７５
はエアシリンダーで、半導体ウェハ２の着脱の際、発条
７３の付勢に抗して支柱７１を押し板７４を介し後退さ
せる。スライド装置７の前進、後退駆動により、揺動装
置６を介してウエハ保持具７は研磨盤１に接近、離反し
て、各保持具７に保持された半導体ウエハ２のノッチ２
０を研磨盤１の外周研磨パッド１ａに当接、離反させ
る。研磨パッド１ａに砥材スラリーを供給するノズル８
は、研磨盤１の頂部で開口しており、回転駆動装置４に
アーム８１を介して固定されている。このため、ノズル
８は昇降装置５による研磨盤１の昇降とかかわりなく、
研磨盤１との距離を常に一定に保つことができる。

【００２４】本発明の研磨装置では、半導体ウエハ２の
ノッチ２０の面取り面を均一かつ効率的に研磨するに
は、後述するように昇降装置５の昇降周期と揺動装置６
の揺動周期を同期させるのが望ましい。同期には、例え
ば昇降装置５と揺動装置６にパルスモーター(図示せず)
を用い、各々に同一タイミングのパルス信号を送出す
る。この同期は、望ましくは、仮想直線Ｘ１と仮想直線
Ｘ１から研磨盤中心点までの仮想の延長線Ｘ２が一直線
となる時、ウエハ保持具が揺動角度において水平となる
ように制御する。回転駆動装置４にもパルスモーターを
用いて、研磨盤１の正逆回転も同期させることもでき
る。

【００２５】次に図面にしたがって、図１に示す研磨装
置を用いた半導体ウェハ２のノッチ２０の面取り面研磨
方法を詳述する。本発明の研磨加工の対象となる半導体
ウエハ２は、主としてＬＳＩなどに用いるもので、直径
１５０〜３００ｍｍ、厚さ０．５〜０．８ｍｍである。
半導体ウエハ２の外周ノッチ２０の形状は一般的には凹
状Ｖ字型に形成されており、開口幅は３〜５ｍｍ、深さ
は１〜３ｍｍ程度である。

【００２６】半導体ウエハ２は、図１に示す研磨装置の
ウエハ保持具３に吸着、保持させる。保持に際しては、
エアシリンダー７５により押し板７４を介して発条７３
の付勢に抗しウエハ保持具３を研磨盤１から引き離して
おく。半導体ウエハ２をウエハ保持具３に搭載した後、
エアシリンダー７５により押し板７４を後退させると、
半導体ウェハ２のノッチ２０は、発条７３の付勢により
研磨盤１の外周研磨パッド１ａに当接する。

【００２７】本発明の研磨方法で特徴的なのは、保持さ
れた半導体ウエハ２の研磨に際し、回転する研磨盤１を
昇降させながら、ウエハ保持具３を揺動させることであ
る。この昇降、揺動の組み合わせにより、研磨盤１の研
磨パッド１ａとウエハ２のノッチ２０の当接面は後述す
るように多様に変化する。望ましくは研磨盤１の回転を
一定時間間隔毎に正逆回転させると、研磨に方向性が生
じることを回避できる。研磨盤１の回転は、回転駆動装
置４により回転軸１４を介して行う。研磨盤１の昇降
は、昇降装置５により回転駆動装置４を介して行う。半
導体ウエハ２の揺動は、ウエハ保持具３を介して揺動装
置６により行う。

【００２８】研磨時における研磨パッド１ａとノッチ２
０との当接面の変化を詳述すると、研磨盤１は回転しな
がら、図２の矢印Ａで示す方向に、昇降装置５により周
期的に上下動する。研磨盤１が上下動すると、各ウエハ
保持具３に保持された二枚の半導体ウエハ２は、発条７
３の付勢により研磨パッド１ａに一定の当接圧で当接し
たまま、研磨盤１の曲率にならって、図２の矢印Ｂに示
すように、最遠近間隔ＭＡＸと最接近間隔ＭＩＮとの差
だけ動く。

【００２９】また半導体ウエハ２は、図３に示すよう
に、半導体ウエハ２の中心からノッチ２０の中心にいた
る仮想直線Ｘ１の軸周り方向に、例えば４５度周期的に
回動する。本発明ではこの飛行機が翼をふるような回動
を揺動と呼ぶが、研磨盤１の上下動と半導体ウエハ２の
揺動により、研磨パッド１ａとノッチ２０の当接面は、
図３及び図４に示すように変化する。すなわち半導体ウ
ェハ２は、図３に示すように、仮想直線Ｘ１と、仮想直
線Ｘ１から研磨パット１の中心にいたる延長線Ｘ２とが
一直線になる位置をはさんで、研磨盤１に対して相対的
に上下に動く。この仮想直線Ｘ１と延長線Ｘ２が一直線
になる時、望ましくは研磨パッドをその揺動角度におい
て水平となるように制御する。このとき、図５に示すよ
うに、研磨パッド１ａの周縁Ｖ字状凸部の角θ１はノッ
チ２０の最狭部側面部分２０ｃの開角度φ１と一致す
る。したがって、半導体ウェハ２を揺動しなくても、ノ
ッチ２０のＶ字状側端面部２０ｃは確実に研磨される。

【００３０】一方、仮想直線Ｘ１と延長線Ｘ２が一直線
とならず、研磨パッド１ａとノッチ２０が上側または下
側で当接する場合は、図５に示すように、研磨パッド１
ａのＶ字角度θ２は実質的に減少するので、ノッチ２０
の表裏面部分の開度φ２は増加し、研磨パッド１ａとノ
ッチ２０との間に間隙が生じる。この間隙部分は、半導
体ウエハ２の水平回動のみでは研磨されないが、本発明
では図３に示すように、仮想直線Ｘ１の軸周り方向に半
導体ウェハ２を周期的に揺動させることで、ノッチ２０
の表端面部２０ａおよび裏端面部２０ｂの間隙部分も同
時に研磨され、研磨効率がよく且つ均一になる。

【００３１】すなわち、仮想直線Ｘ１と延長線Ｘ２が一
直線とならず、研磨盤１が上方にあるときは、図６に示
すノッチ２０の表端面部２０ａを、図４(a)に示すよう
に研磨パッド１ａの下部により研磨する。仮想直線Ｘ１
と延長線Ｘ２が一直線となるときは、図６に示すノッチ
２０の側端面部２０ｃを、図４(b)に示すように研磨パ
ッド１ａの中部により研磨する。仮想直線Ｘ１と延長線
Ｘ２が一直線とならず、研磨盤１が下方にあるときは、
図６に示すノッチ２０の裏端面部２０ｂを、図４(ｃ)に
示すように研磨パッド１の上部により研磨する。

【００３２】本発明では、昇降装置５による研磨盤１の
昇降周期と揺動装置６による半導体ウエハ２の揺動周期
を同期させ、仮想直線Ｘ１と延長線Ｘ２が一直線となる
とき、揺動角度が０の水平となり、研磨盤１の昇降周期
における上死点及び下死点では揺動角度が最大となるよ
うにするのが、前述のノッチ２０の表端面部２０ａ、裏
端面部２０ｂ、側端面部２０ｃをまんべんなく研磨する
上で望ましい。

【００３３】ノッチ２０の各面が研磨された半導体ウェ
ハ２は、図１に示すスライド装置７の作動により、研磨
盤１から離反し、ロボット(図示せず)により自動的に次
工程へ送出される。

【００３４】

【実施例】研磨対象の半導体ウェハ２には直径２００ｍ
ｍのものを用いた。半導体ウエハ２のノッチ２０は、開
口幅３．５ｍｍ、深さ３．０ｍｍのＶ字型であった。研
磨には図１に示す研磨装置の片側を使用した。研磨盤１
の直径は１００ｍｍであった。この研磨盤１は、直径９
０ｍｍ、厚さ４ｍｍのステンレス製円盤と、その外周の
延出長５ｍｍ、幅４ｍｍのフェルト状素材からなる研磨
パッド１ａとで構成した。研磨パッド１ａは、ステンレ
ス製円盤に巻き付けて接着した。研磨パッド１ａの周縁
は、前記ノッチ２０より若干小さめの凸状Ｖ字型に成形
した。研磨盤１の上下往復距離は５０ｍｍ、一往復／分
とし、回転数は５００回転／分で、回転方向の反転は３
０秒毎に行なった。半導体ウェハ２は、ウエハ保持具３
に吸着保持した。ウエハ保持具３は、保持した半導体ウ
エハ２の中心からノッチ２０の中心にいたる仮想線Ｘ
が、仮想水平線に対して５度となるように傾斜支持し
た。ウエハ保持具３の揺動角度は４５度で、一揺動／分
とした。研磨盤１の研磨パッド１ａに対する半導体ウェ
ハ２のノッチ２０の当接圧は、スライド装置７により
０．５Ｋｇｆにした。ノズル８からの砥材スラリーの供
給量は、０．５ｍｌ／分であった。ノッチ２０面の研磨
は４分で完了、全面に亘って均一な鏡面が得られた。

【００３５】

【比較例】実施例と同じ半導体ウエハ２のノッチ２０
を、従来の当接面積の小さい円盤状砥石を使って研磨し
た。この円盤状砥石は、弾性材料基材に研磨用砥材を分
散固定したものであり、冷却水を半導体ウェーハとの当
接部に供給することにより、これを鏡面状態に研磨可能
なものである。この場合ノッチ２０の面取り面の研磨に
は９分を要した。ノッチ２０の側端面部２０ｃは鏡面と
なったが、表端面部２０ａと裏端面部２０ｂは部分的に
未研磨に近い状態であった。

【００３６】実施例と比較例の研磨結果から明らかなよ
うに、実施例は比較例の約半分の時間で研磨できる。図
１の研磨装置では、実際には半導体ウエハ２を２枚同時
に研磨できるので、研磨効率は約４倍になる。加えて、
ノッチ面取り面の全面にわたって均一な鏡面が得られ
る。

【００３７】

【発明の効果】本発明の半導体ウエハのノッチ面取り面
研磨方法及び研磨装置によれば、以下のような効果を奏
することができる。

【００３８】（１）本発明の研磨方法では、研磨盤の昇
降と半導体ウエハの揺動の組み合わせで、多様なノッチ
面取り面の全面を効率よく研磨できる。

【００３９】（２）特に研磨盤の昇降周期と半導体ウエ
ハの揺動周期を、仮想直線Ｘ１と延長線Ｘ２が一直線と
なるとき、揺動角度が０の水平となるように同期させる
と、ノッチ面取り面の全面がくまなく研磨され、研磨は
より均一かつ効率的となる。

【００４０】(３)本発明の研磨装置では、前記研磨方法
の効果に加えて、一つの研磨パッドの両側から、２枚の
半導体ウェハを同時に当接させて研磨できるので、研磨
効率が一層向上するとともに、研磨加工する半導体ウエ
ハ一枚あたり、少ない設置スペースですむ。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係わる研磨装置の基本的な構成を模式
的に示す正面図である。

【図２】研磨盤の昇降による研磨パッドと半導体ウェハ
との相対的動きを模式的に示す一部切欠き正面図であ
る。

【図３】研磨盤の上下動と半導体ウエハの揺動による研
磨パッドと半導体ウェハとの相対的動きを模式的に示す
一部切欠き正面図である。

【図４】研磨盤の上下動による研磨パッドと半導体ウエ
ハとの当接状態を模式的に示す一部切欠き正面図であ
る。

【図５】研磨パッドの周縁形状とノッチの形状との関係
を模式的に示す一部切欠き正面図である。

【図６】半導体ウエハのノッチ形状を示す一部切欠き拡
大斜視図である。

【符号の説明】

１……研磨盤 １ａ……研磨パッド ２……半導体ウエハ ２０……ノッチ ２０ａ……ノッチの表端面部 ２０ｂ……ノッチの裏端面部 ２０ｃ……ノッチの側端面部 ３……ウエハ保持具 ４……回転駆動装置 ４１……回転軸 ５……昇降装置 ６……揺動装置 ６１……回動軸 ６２……軸受 ６３……モーター ６４……ギア ７……スライド装置 ７１……支柱 ７２……レール ７３……スプリング ７４……押し板 ７５……エアシリンダー ８……供給ノズル ８１……アーム Ｘ１……仮想直線 Ｘ２……延長線

Claims (12)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 少なくとも外周部に研磨パッドを有する
   回転研磨盤と、外周部にノッチを有する半導体ウエハを
   交差させて、研磨パッドとノッチを当接し、当接状態で
   研磨盤を昇降させてノッチ面取り面を研磨するに当た
   り、半導体ウエハの中心からノッチの中心にいたる仮想
   直線の軸周り方向に、半導体ウエハを任意の角度揺動さ
   せることを特徴とする半導体ウェハのノッチ面取り面研
   磨方法。
2. 【請求項２】 研磨盤の昇降周期と半導体ウエハの揺動
   周期を、仮想直線と仮想直線から研磨盤中心点までの仮
   想延長線が一直線となる時、半導体ウエハが揺動方向に
   おいて水平となるように同期させることを特徴とする請
   求項１記載の半導体ウェハのノッチ面取り面研磨方法。
3. 【請求項３】 研磨パッドの外周縁部が、ノッチ面取り
   面の形状と実質的に相似形で、大きさが略等しいかわず
   かに小さいことを特徴とする請求項１記載の半導体ウェ
   ハのノッチ面取り面研磨方法。
4. 【請求項４】 研磨盤を任意の時間間隔をおいて正逆回
   転させることを特徴とする請求項１記載の半導体ウェハ
   のノッチ面取り面研磨方法。
5. 【請求項５】 研磨時、研磨パッドに砥材スラリーを供
   与することを特徴とする請求項1記載の半導体ウェハの
   ノッチ面取り面研磨方法。
6. 【請求項６】 半導体ウエハの研磨盤側が下方に位置す
   るように、半導体ウエハを傾斜保持することを特徴とす
   る請求項５記載の半導体ウェハのノッチ面取り面研磨方
   法。
7. 【請求項７】 少なくとも外周部に研磨パッドを有する
   研磨盤と、研磨盤を回転させる回転駆動装置と、回転駆
   動装置を介して研磨盤を昇降させる昇降装置と、研磨盤
   の両側に配置され、２枚の半導体ウエハを研磨盤に対し
   て交差するように保持する一対のウエハ保持具と、各ウ
   エハ保持具を半導体ウエハの中心点からノッチの中心点
   にいたる仮想直線の軸周り方向に、任意の角度範囲で揺
   動させる一対の揺動装置と、各揺動装置を介して各半導
   体ウエハ保持具に保持された半導体ウエハを研磨盤の研
   磨パッドに当接、離反せしめるスライド装置とを備えた
   ことを特徴とする半導体ウェハのノッチ面取り面研磨装
   置。
8. 【請求項８】 仮想直線と仮想直線から研磨盤中心点ま
   での仮想延長線が一直線となる時、ウエハ保持具が揺動
   角度において水平となるように、昇降装置の昇降周期と
   揺動装置の揺動周期を制御する手段を備えたことを特徴
   とする請求項７記載の半導体ウェハのノッチ面取り面研
   磨装置。
9. 【請求項９】 研磨パッドの外周縁部が、ノッチ形状と
   実質的に相似形で、大きさが略等しいかわずかに小さい
   ことを特徴とする請求項７記載の半導体ウェハのノッチ
   面取り面研磨装置。
10. 【請求項１０】 回転駆動装置が、任意の時間間隔をお
    いて正逆回転する制御手段を備えていることを特徴とす
    る請求項７記載の半導体ウェハのノッチ面取り面研磨装
    置。
11. 【請求項１１】 研磨盤頂部近傍で開口するノズルが回
    転駆動装置に固定されていることを特徴とする請求項７
    記載の半導体ウェハのノッチ面取り面研磨装置。
12. 【請求項１２】 一対のウエハ保持具が、その研磨盤側
    において低くなるように傾斜配置されていることを特徴
    とする請求項１１記載の半導体ウェハのノッチ面取り面
    研磨装置。