TW200821559A - Semiconductor sensor device and manufacturing method thereof - Google Patents

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200821559 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關於具有 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Syatem)晶片之半導體感測裝置及其製造技術，特別關於 具備具有可動部之MEMS晶片之半導體感測裝置及其製 造之相關技術。 【先前技術】 於半導體製程技術組合機械加工技術及/或材料技 術，而於半導體基板上實現具有三次元微細構造之系統的 MEMS技術被應用於極爲廣泛領域，特別是以MEMS技術 製作之半導體感測裝置在自動車、飛機、攜帶型終端機 器、玩具等領域之應用於加速度、角速度、壓力等物理量 檢測而被注目。 彼等半導體感測裝置之特徵在於具有以MEMS技術 形成之可動部。可動部之移動量被以壓電電阻元件之電阻 變化或靜電容量變化檢測出，進行資料處理而測定加速 度、角速度、壓力等。專利文獻1〜3揭示加速度感測裝 置，專利文獻4〜6揭示角速度感測裝置，專利文獻7〜8 揭示壓力感測裝置等。 專利文獻1之加速度感測裝置之構造如圖1 4所示， 依該圖簡單說明如下。半導體感測裝置無特別明示時使用 加速度感測裝置予以說明。另外，半導體感測裝置使用之 半導體感測晶片之構造、構成等準用專利文獻1〜8揭示 -5- 200821559 者而省略其詳細說明。圖14A表示，具有以MEMS技術 形成之可動部的半導體3軸加速度感測器之分解斜視圖。 半導體3軸加速度感測器1 〇h，係於殻體7 1 h內以樹脂等 接著劑固定加速度感測晶片2 0 h與IC規制板3 0 h成爲特 定間隔。加速度感測晶片20h之晶片端子24h藉由導線 5 1h連接於1C規制板30h，1C規制板30h藉由導線51h 連接於殻體端子74h，感測信號由外部端子75h取出。於 殼體71h上部以接著劑固定殻體蓋72h。圖14B表示，加 速度感測晶片2 Oh由感測器上面觀察之平面圖。於加速度 感測晶片20h形成半導體3軸加速度感測元件20h’及晶 片端子24h。半導體3軸加速度感測元件20h’由以框27h 與錘26h形成對之樑25h構成。錘26h係藉由2對之樑 2 5h保持於框27h之中央成。於樑25h形成壓電電阻元 件。於一對之樑形成X軸壓電電阻元件2 1 h及Z軸壓電 電阻元件2 1 h ’，於另一對之樑形成Y軸壓電電阻元件 21h，，。 圖14所示半導體3軸加速度感測器l〇h，其之殻體 7 lh及殼體蓋72h以氧化鋁等之陶瓷構成。因爲陶瓷使得 殼體71h及殼體蓋72h之厚度之薄肉化有所限制，不僅難 以小型化，亦難以輕量化。於陶瓷製殼體7 1 h形成金屬之 殼體端子74h及外部端子75h，再經由陶瓷連接彼等之 故，陶瓷製殼體價位高，一但使用陶瓷製殼體即難以實現 便宜之加速度感測器。殻體7 1 h及殼體蓋72h被以接著劑 樹脂封裝，因爲使用樹脂之故周圍環境變化會使氣密性降 -6- 200821559 低。 提升氣密性之構造如專利文獻9所示。如圖1 5 A所 示，於以MEMS技術製作之半導體感測晶片20i被形成有 多數的半導體感測基板2i之上下，接合被形成有多數帽 蓋晶片30i、30i’的帽蓋基板3i、3i5，使半導體感測晶片 2 0i之可動部以上下之帽蓋晶片30i、30Γ密封而構成半導 體感測組裝基板4i。於半導體感測組裝基板4i，在一點 虛線所示切割線 90i、90Γ之處以鑽石切斷而構成如圖 15B所示半導體感測組裝體40i。密封部分限定於半導體 感測晶片20i之可動部而容易確保氣密性。如圖1 5C所 示，將半導體感測組裝體40i接著於殻體7 1 i之內底部， 於殻體71i之上邊接著殼體蓋72i而構成半導體感測裝置 1 〇i。但是，如上述將半導體感測組裝體放入殼體內將難 以實現小型化或低價格化。 如專利文獻1 〇所示，印用半導體之樹脂封裝技術， 以樹脂覆蓋半導體感測組裝體而成之半導體感測裝置開始 實用化。圖1 5D所示爲以樹脂封裝半導體感測組裝體40j 而成之半導體感測裝置1 Oj之例。使半導體感測組裝體 4 0j與導線51 J大略以不直接接觸外氣的方式，構成較薄 之模塑樹脂70j，可實現半導體感測裝置之小型化及輕量 化。另外，圖1 5 C所示半導體感測裝置1 〇 i爲必要之殼體 接著作業，於圖1 5 D所示樹脂封裝而成之半導體感測裝 置1 Oj成爲不必要，因此可降低製造成本。 專利文獻1 :特開2006 — 133123號公報 200821559 專利文獻2 :特開平8 — 2 3 3 8 5 1號公報 專利文獻3 :特開平1 1 — 1 6 0 3 4 8號公報 專利文獻4 :特開2 0 0 6 — 1 7 5 5 5 4號公報 專利文獻5 :特開2003 — 1 94545號公報 專利文獻6 :特表2005 — 524077號公報 專利文獻7 :特開2004 — 1 32947號公報 專利文獻8 :特開平1 0 — 9 8 2 0 1號公報 專利文獻9 :特開平3 - 25 3 5號公報 專利文獻1 〇 :特開平1 0 - 1 7 0 3 8 0號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） 製造多數半導體感測組裝體40i之過程中，半導體感 測晶片20i與帽蓋晶片30i、30Γ之間存在氣密性問題乃 習知者。於圖1 6 A以虛線表示氣密受損部分，爲進入帽 蓋晶片30i之帽蓋晶片裂痕81i，及半導體感測晶片20i 與帽蓋晶片30i、30i’之接合區域或進入接合區域附近之 接合區域裂痕82i。針對彼等裂痕產生之模樣及原因調查 結果發現帽蓋晶片裂痕8 1 i產生於（a)相對於帽蓋基板與半 導體感測基板接合時之加壓力，帽蓋基板之厚度太薄時， (b)使用厚的帽蓋基板接合後施予硏磨進行帽蓋之削薄加 工時，及（c)以鑽石切斷帽蓋基板而切割爲各個晶片時。 接合區域裂痕82i主要產生於（d)以鑽石切斷帽蓋基板之切 割線而分割爲各個晶片時。 -8- 200821559 另外，半導體感測組裝體40j或導線5 U以不直接接 觸外氣的方式削薄模塑樹脂施予樹脂封裝而成的半導體感 測裝置1 〇j，如圖1 6B所示，於模塑樹脂70j出現虛線所 示裂痕83j。裂痕83j產生於帽蓋晶片30j之側面之模塑 樹脂70j。半導體施予模塑樹脂者會因爲半導體基板與模 塑樹脂之熱膨脹係數差異而產生應力，該應力使半導體基 板由模塑樹脂剝離，剝離之部分會產生裂痕。爲防止該裂 痕之產生，可於半導體基板與模塑樹脂之間形成聚醯亞胺 苯酮等樹脂層而緩和應力，使熱膨脹係數和半導體基板接 近之高價位溶融二氧化矽等之塡充劑混合於模塑樹脂，而 使模塑樹脂之熱膨脹係數接近半導體基板之熱膨脹係數， 減少熱膨脹係數差產生之應力。但是，於半導體感測組裝 體，和半導體基板比較其之表面凹凸極大，難以在半導體 感測組裝體形成聚釀亞胺苯酮[等樹脂層。另外，使塡充劑 混合於模塑樹脂會導致電氣絕緣困難或成本上升而難以採 用。 另外’半導體感測組裝體4 0 j被以模塑樹脂7 0 j覆蓋 而成的多數半導體感測裝置1 0j之中，如圖1 7所示，導 線5 1 J會接觸半導體感測組裝體的感測端子24j以外之部 位’雜訊之產生、導線間之短路等不良情況產生之機率雖 低但亦有可能。導線5 1 J之接觸全部在和帽蓋晶片3 0 j之 間產生，和半導體感測晶片2 0j間之接觸不會產生。溶接 於感測端子2 4 j之導線5 1 J上升，具有某種曲率下降而連 接於基板端子66j。該導線5 lj之上升部分於樹脂模塑 -9- 200821559 時’因樹脂流動而變形接觸帽蓋晶片端3 8 j。半導體感測 晶片側面設爲單純之形狀’因此可考慮爲樹脂模塑時之樹 脂流動不會使單純化之導線5 lj變形。 增大帽蓋晶片端3 8j與感測端子24j之間格可防止帽 蓋晶片端與導線之接觸，但半導體感測裝置變大而妨礙小 型化要求。反之，即使帽蓋晶片端與導線接觸情況下亦可 使不會發生短路，而採用電氣絕緣性之帽蓋晶片，可藉由 導電性之帽蓋晶片端之絕緣予以對應，或可考慮使用絕緣 覆蓋之導線。但是，超音波導線接合、球型接合無法使用 絕緣覆蓋之導線。另外，使用絕緣覆蓋之導線將增大導線 之曲率半徑而妨礙小型化要求。另外，和裸線比較，絕緣 覆蓋導線之價位高而導致成本上升。 可以電氣絕緣性材料製作帽蓋晶片，但半導體感測晶 片爲矽製之故，導致半導體感測晶片與帽蓋晶片之熱膨脹 係數不同。難以選擇採用熱膨脹係數和矽一致之絕緣材， 因此會產生熱膨脹係數差引起之裂痕。即使使用熱膨脹係 數和矽大略相等之玻璃作爲絕緣材，因玻璃之加工精確度 或接合後之薄肉化、電極焊墊之露出加工困難而無可避免 導致製造成本變高。 使用矽製帽蓋晶片製作半導體感測組裝體之後’以電 氣絕緣性材料覆蓋帽蓋晶片側面時，電極端子之上須覆以 光阻等掩罩，掩罩部位自蓋帽蓋晶片起會凹陷約數十〜數 百μιη，難以使用微影成像技術製作阻劑遮罩。欲取代微 影成像技術改用捲帶等施予掩罩時’考慮到掩罩之位置精 -10- 200821559 確度或作業工時而變爲難以採用。另外，可考慮採用覆蓋 柔軟性高之樹脂材料，但是半導體感測晶片安裝於配線基 板或電路基板時需要回流等之加熱工程，加熱時樹脂有可 能劣化。 本發明目的在於提供可確保以MEMS技術製作之半 導體感測晶片與帽蓋晶片間之氣密性，可防止帽蓋晶片產 生裂痕之同時，可消除模塑樹脂產生之樹脂裂痕之小型、 輕量化的半導體感測裝置及其製造方法。 本發明另一目的在於提供可確保雜訊產生與線間短路 之原因的帽蓋晶片與導線間之電氣絕緣之小型、輕量化半 導體感測裝置及其製造方法。 (用以解決課題的手段） 本發明之半導體感測裝置，係由以下構成： 半導體感測組裝體，係由以下構成：半導體感測晶 片，其具有可動部及設於該可動部周圍的接合區域；及帽 蓋晶片，被積層於半導體感測晶片之上下面之至少一面， 具有四邊形基底，及接合區域，其沿基底周邊設爲區塊狀 而接合於半導體感測晶片之接合區域，用於密封半導體感 測晶片之可動部； 基板，用於將半導體感測組裝體固定、保持於其上； 配線，用於連接半導體感測晶片與基板之間；及 樹脂，在基板上用於進行半導體感測組裝體之模塑； 帽蓋晶片之周圍側面爲被施予濕蝕刻的面。 -11 - 200821559 上述半導體感測晶片與帽蓋晶片較好是平板狀。 半導體感測晶片爲，檢測加速度、角速度、壓力等物 理量的加速度感測器、陀螺感測器、壓力感測器等。於半 導體感測晶片，由外部被施加加速度、角速度、壓力等 時，半導體感測晶片之可動部上形成之電阻元件、容量元 件等將其轉換爲電流、電壓、靜電容量等物理量而輸出。 爲迴避環境或壓力對輸出之影響而將半導體感測晶片 之可動部藉由帽蓋晶片以氣密密封。例如檢測靜電容量之 靜電容量元件，其之靜電容量C以C= sGsS/d表示，其中 ε〇爲真空之介電係數，ε爲半導體感測組裝體內之氣體之 介電係數，S爲電極面積，d爲電極間隔。半導體感測組 裝體內之介電係數’亦即環境（氣體）或壓力（真空度）會使 靜電容量變化，因此較好是以氣密密封半導體感測組裝體 內。另外，作爲電壓或電流予以輸出的電阻元件，其之電 阻會受大氣中水分或溫度影響。因此較好是以氣密密封半 導體感測組裝體內據以縮小水分侵入對測定直帶來之影 響。 帽蓋晶片以矽製作，較好是微細加工容易的單晶矽。 半導體感測晶片’半導體感測晶片可使用於單晶矽適用製 膜、触刻、圖案化等半導體技術而製作者。可以和半導體 感測晶片以相同材質製作帽蓋晶片使彼等之線性熱膨脹係 數一致。如此則，即使針對半導體感測基板與帽蓋基板接 合時及其他製程中施加之溫度變化亦難以破壞。帽蓋晶片 爲平板狀之單純形狀時，可使用和半導體感測晶片之材料 -12- 200821559 爲大略相同線性熱膨脹係數之玻璃、多晶矽、陶瓷等作爲 帽蓋晶片。若非平板狀而爲具有凹凸之帽蓋晶片時，較好 是選擇半導體感測晶片製作時使用之濕蝕刻液可使用之材 料作爲帽蓋晶片材料。藉由此種材料之帽蓋晶片之使用， 可以不必要增加濕蝕刻液種類而達成工程之簡化。由上下 挾持半導體感測基板而設之帽蓋基板，亦可以變化上下之 帽蓋基板之材質。例如上側之帽蓋基板爲單晶矽，下側之 帽蓋基板爲陶瓷亦可。 在帽蓋晶片之和半導體感測晶片呈對向之面形成：固 定於半導體感測晶片的接合區域，抑制可動部之驅動的凹 部’及電極焊墊開口溝。電極焊墊開口溝之深度形成爲較 抑制可動部之驅動的凹部深時，帽蓋晶片之切割成爲容 易。在半導體感測基板與帽蓋基板接合而成之半導體感測 組裝基板中，藉由鈾刻分離帽蓋基板分割（個片化）成爲帽 蓋晶片時，電極焊墊開口溝之深度較深時，可於短時間之 蝕刻分離（個片化）成爲帽蓋晶片。接合區域、凹部、及電 極焊墊開口溝可使用微影成像技術、濕蝕刻、乾触刻技術 形成。 於帽蓋晶片之接合區域形低融點金屬或樹脂等之接合^ 材料層。藉由接合材料密封接合半導體感測基板與帽胃s 板。接合材料可藉由分離（lift-off)、離子触刻（i〇n milling)、鈾刻、鍍層等被形成於接合區域。接合材料使 用低融點金屬或樹脂等加熱時容易流動之材料時，較$子胃 於接合區域形成阻擋接合材料之流動的溝。 -13- 200821559 半導體感測晶片上之檢測元件、配線、電極焊墊等並 非耐高溫特性，因此半導體感測晶片與帽蓋晶片之接合較 好是使用陽極接合、低融點材料接合（包含低融點金屬接 合、共晶接合、低融點玻璃接合、樹脂接合等）、擴散接 合、表面活化接合之任一。半導體感測基板與帽蓋基板之 接合較好是使用低融點材料接合。將半導體感測基板與帽 蓋基板定位後，藉由加壓基熱進行接合。半導體感測基板 與帽蓋基板之彎曲等產生之間隙，可藉由低融點材料之流 動而塡埋該間隙，可提升氣密性。因此無須施加大壓力來 矯正基板之彎曲，帽蓋基板等之破損危險變低，半導體感 測組裝體內空間可保持於真空（減壓下），或以乾燥氮氣體 或惰性氣體塡充而保持氣密性，因此較好是於真空（減壓） 環境下、乾燥氮氣體或惰性氣體環境中進行接合。 本發明之半導體感測裝置中，較好是半導體感測晶片 之周圍側面爲被施予濕蝕刻的面。 半導體感測基板藉由濕蝕刻予以個片化（分離）。厚度 厚之半導體感測基板予以個片化時，不僅需要長時間蝕 刻，亦需要控制側面蝕刻量。因此較好是預先於半導體感 測基板之分離部形成溝，使能以較少蝕刻量進行個片化。 溝可使用鑽石形成，或於半導體感測基板之形成時藉由乾 蝕刻形成。於半導體感測基板之形成時藉由乾飩刻同時形 成分離部之溝，可以不增加工程數或使用裝置，就成本面 而言有利。 半導體感測晶片與帽蓋晶片構成之半導體感測組裝 -14- 200821559 體’係被保持、固定於基板上。基板可使用配線基板或電 路基板。基板較好是使用在配線基板上以樹脂接著劑或金 屬糊等接著之電路基板。半導體感測組裝體可以樹脂接著 劑等接著於電路基板上。半導體感測組裝體與電路基板、 配線基板之電極焊墊間可藉由金屬之極細線（導線等）連 接。電極焊墊與金屬之極細線間之連接可藉由超音波溶接 或焊錫溶接進行。亦可取代金屬之極細線連接，改用焊錫 球或球型接合之連接。 本發明之半導體感測裝置中，半導體感測組裝體於基 板上被施予樹脂模塑。樹脂模塑可使用環氧樹脂、矽樹 脂、苯酚樹脂等熱硬化性樹脂。樹脂模塑可使用利用液狀 樹脂之滴注法（potting)或利用粉體樹脂之傳遞模塑法。傳 遞模塑法係將半導體感測組裝體與基板與導線呈一體化者 裝入模具內，在模塑機器之容器塡入成形爲薄片形狀之樹 脂，加熱容器之擠壓部軟化樹脂，藉由押壓機構將容器之 軟化樹脂押壓至模具內。於模具內使樹脂硬化後由模具取 出樹脂模塑品而獲得半導體感測裝置。滴注法（potting)係 將半導體感測組裝體與基板與導線呈一體化者設置於模具 內，使液狀樹脂流入模具內，使樹脂硬化後由模具取出樹 脂模塑品而獲得半導體感測裝置。 帽蓋基板之薄肉化或個片化可使用氫氧化鉀、聯氨、 乙撐二胺、氫氧化氨系水溶液等鹼性水溶液進行濕蝕刻。 將半導體感測組裝基板浸漬於鹼性水溶液進行濕鈾刻。濕 蝕刻量，可藉由變化鹼性水溶液之濃度、溫度、浸漬時間 -15- 200821559 而調整。於鹼性水溶液中混合乙醇等有機溶劑可調整結晶 方位之蝕刻速率。於帽蓋基板形成格子形狀之溝可同時進 行帽蓋基板之薄肉化及個片化。進行帽蓋基板之個片化分 離爲帽蓋晶片時出現半導體感測基板之分離部。對分離部 進行濕蝕刻則半導體感測基板亦被個片化而成爲半導體感 測組裝體。於半導體感測基板之分離部預先形成溝，可於 短時間進行個片化，可縮小半導體感測晶片側面之鈾刻 量。於鹼性水溶液中混合有機溶劑可調整結晶方位之鈾刻 速率，可抑制側面之蝕刻量，可縮小半導體感測晶片橫向 之尺寸變化。藉由濕蝕刻進行半導體感測基板之個片化 時，已經被個片化之帽蓋晶片之角部會被過度鈾刻，帽蓋 晶片之周圍側面成爲厚度方向相鄰之至少2面之被濕蝕刻 之面。厚度方向相鄰之2面間之角度較好是大於/等於90 度、亦即鈍角。 接合之晶圓浸漬於鹼性水溶液，因此可藉由濕蝕刻對 半導體感測基板上下接合之帽蓋基板同時進行同一厚度範 圍內之薄肉化。接合大略同一厚度之半導體感測基板，則 濕餓刻時可加工上下之帽蓋基板成爲大略同一厚度。上下 之帽蓋基板設爲同一厚度可獲得半導體感測基板產生之應 力等之平衡，可減少應力產生之裂痕。和物理性之鑽石切 割或硏磨等比較，使用濕鈾刻之化學反應進行帽蓋基板之 切割及薄肉化時，加工時施加之力量或振動極小。就帽蓋 基板之切割及薄肉化而言，濕鈾刻爲不溶液產生裂痕之軟 性加工方法。 -16- 200821559 於帽蓋晶片側面，出現相對於帽蓋晶片上面具有逆向 傾斜之矽之結晶面{ 1 1 1 }，可設爲以2面以上結晶面構 成之側面。帽蓋晶片之側面爲矽之結晶面丨1 1 1丨’角部 以高次結晶面構成，側面之表面粗糙度可設爲Ra $ 1 0 0 nm ° 習知帽蓋基板之個片化係藉由半切割（half dicing)進 行，對上下面之帽蓋基板分別加工，因此切斷需要時間’ 另外，使用薄肉化之帽蓋基板時，切斷時帽蓋基板溶液產 生裂痕。相對於此，如本發明藉由濕鈾刻進行帽蓋基板之 個片化時，半導體感測晶片之上下面接合之帽蓋基板亦可 同時進行個片化，上下2片帽蓋基板之薄肉化可同時進 行。 本發明之半導體感測裝置中，較好是於半導體感測晶 片全周圍形成大略連續之1條大略三角畝狀之突起。 對半導體感測基板之切割線上形成之溝之其餘部分 (連結部）進行濕蝕刻，個片化（分離）爲半導體感、測晶片 時，於連結部之厚度出現矽結晶面{ η1 }。由半導體感 測基板之上下2面蝕刻之故，可於半導體感測晶片側面全 周圍形成斷面呈大略三角形狀之突起。斷面呈大略三角形 狀之突起被形成於半導體感測晶片側面，因此成爲大略三 角畝被黏著之模樣。大略三角畝之斷面形狀不限定於大略 二等邊三角形狀，斜邊可設爲曲面。另外，大略三角畝可 藉由過度蝕刻設爲消失狀態。 藉由大略三角畝狀之突起之形成，於後續工程進行樹 -17- 200821559 脂封裝時可防止樹脂材料與半導體感測晶片間之偏移或剝 離。另外，大略三角畝繪製或形狀，可藉由半導體感測基 板之切割線上形成之連結部位置或連結部厚度調整。大略 三角畝繪製或形狀，可使用作爲表示半導體感測晶片之批 次或規格等之識別標記。 於半導體感測晶片側面形成之大略三角畝，可藉由肉 眼或實體顯微鏡辨識，可使用作爲識別標記。 本發明半導體感測裝置中較好是，帽蓋晶片之周圍側 面爲由鄰接於帽蓋晶片厚度方向的至少2面形成。較好是 鄰接於帽蓋晶片厚度方向的2面間之角度爲90度或較其 爲大。 帽蓋基板之薄肉化或個片化可使用氫氧化鉀、聯氨、 乙撐而胺、氫氧化氨系水溶液等鹼性水溶液進行濕蝕刻。 帽蓋基板之側面使用矽結晶面{ 111 }時，在帽蓋基板之 個片化終了時點，帽蓋基板之側面角部成爲矽結晶面 { 111 }與側面結晶面{ η 1 }交叉之鈍角。其次，藉由濕 蝕刻進行半導體感測基板之個片化時，因爲存在帽蓋晶片 側面之於帽蓋晶片厚度方向相鄰的2面間之角而產生角 落，結晶面{ η 1 }與結晶面{ η 1 }於厚度方向相鄰，彼 等間之角度可設爲90度或較其爲大。 針對半導體感測基板之分離部，以鹼性水溶液進行濕 蝕刻，可使帽蓋基板之側面角部成爲矽結晶面{ 1 〇〇 }與 結晶面{ 11 1 }或結晶面{ 111 }與結晶面{ 111 }交叉之 形狀，角部成爲鈍角。又，半導體感測基板之個片化時， -18- 200821559 帽蓋晶片側面亦被濕蝕刻’因此帽蓋晶片側面可設爲至少 2面。和以鑽石切割時角部成爲直角的帽蓋晶片側面比 較，藉由帽蓋晶片側面角部之設爲鈍角，可緩和樹脂封裝 時施加於角部之應力’裂痕難以進入模塑樹脂。 帽蓋基板之側面可使用矽結晶面{ 1 〇 〇 }，帽蓋基板 及帽蓋基板之側面使用結晶面{ 1 00 }時，和使用結晶面 { 1 1 1 }之情況比較，具有逆向逆向傾斜之側壁處變爲不 存在，裂痕難以進入模塑樹脂，可減少死角（dead space)。和半導體感測基板之錘呈對向之驅動抑制溝之角 部，成爲帽蓋基板之結晶面{ 1 〇〇 }與帽蓋側面之結晶面 { 1 0 0 }交叉之部位，可以去角而成爲結晶面{ 1 〇 〇 }與結 晶面{ 11 1 }包圍之八角形。帽蓋基板之薄肉化或個片化 可使用氫氧化鉀、聯氨、乙撐而胺、氫氧化氨系水溶液等 鹼性水溶液進行濕鈾刻。帽蓋基板之個片化終了時點之帽 蓋基板之結晶面{ 100 }與帽蓋晶片側面之結晶面{ 100 } 交叉之角度可設爲直角。另外，進行濕蝕刻，於帽蓋晶片 側面之角部施予去角，如此則，可使帽蓋基板之結晶面 { 1 00 }與帽蓋側面之結晶面{ 1 00 }間之角部，設爲挾持 高次結晶面之鈍角。 本發明之半導體感測裝置中較好是，帽蓋晶片之周圍 側面爲，在被施予濕蝕刻的面之上以絕緣性保護膜覆蓋。 又，較好是上述絕緣性保護膜爲耐鹼性，更好是上述絕緣 性保護膜爲0.1 μιη或較其爲厚。 較好是，在有可能和導線接觸之帽蓋晶片之側面形成 -19- 200821559 絕緣性保護膜覆蓋。帽蓋晶片之側面以外的面、亦即半導 體感測晶片之對向面及該對向面之背面的絕緣性保護膜之 形成可以任意。帽蓋晶片之背面未接觸導線之故，維持以 濕蝕刻進行薄肉化或個片化之狀態，無須形成絕緣性保護 膜。在帽蓋晶片之於半導體感測晶片之對向面形成絕緣性 保護膜，可以保護該背面以外之部位免於濕蝕刻液之影 響，可達成帽蓋晶片之形狀及尺寸之穩定。在帽蓋晶片之 於半導體感測晶片之對向面及側面所形成之絕緣性保護膜 爲連續之膜較好。即使在和半導體感測晶片之接合區域被 形成絕緣性保護膜情況下亦不會有接合、氣密問題。在帽 蓋晶片之於半導體感測晶片之對向面之全面形成絕緣性保 護膜，則不必要進行阻劑圖案之製作，可降低製作成本。 本發明中帽蓋晶片於半導體感測晶片之對向之面，係 由接合於半導體感測晶片之接合區域、抑制可動部之驅動 的凹部、帽蓋晶片側面及電極焊墊開口溝構成。以濕蝕刻 進行帽蓋晶片之薄肉化或個片化時，帽蓋側面之一部分及 電極焊墊開口溝被鈾刻除去。電極焊墊開口溝之深度形成 爲較抑制可動部之驅動的凹部深，如此則，帽蓋晶片之個 片化成爲容易。在半導體感測基板與帽蓋基板接合而成之 半導體感測組裝基板中，藉由蝕刻帽蓋基板使其薄肉化’ 則可於電極焊墊開口溝之處完全分離。以機械式除去帽蓋 側面之一部分及僅有電極焊墊開口溝之絕緣性保護膜殘留 之部位的絕緣性保護膜，可進行帽蓋晶片之個片化。薄肉 化而被蝕刻除去之量（厚度）須大於電極焊墊開口溝之處之 •20- 200821559 矽厚度。又’矽雖爲銳角，但配合以機械式被除去之絕緣 性保護膜端而成爲鈍角。 本發明之半導體感測裝置中較好是，半導體感測晶片 之周圍側面形成之絕緣性保護膜之電阻係數爲1 〇10(Ω · cm)以上、具有耐鹼性。 欲構成爲即使導線接觸帽蓋晶片亦不會引起雜訊或線 間短路時，絕緣性保護膜之電阻係數越大越好。進行帽蓋 晶片之薄肉化及個片化時，絕緣性保護膜不能被鹼性蝕刻 液鈾刻。又，使蝕刻液不會經由絕緣性保護膜侵入而須設 爲緻密、無缺陷的膜。可藉由濺鍍法、CVD製作之絕緣 性保護膜，可使用氧化矽（> 1 0 1 4 Ω · c m)、氮化矽（ >1014Ω· cm)、氧化錫（>1014Ω. cm)、氧化鉻（1〇13ω· cm)等材質。又，可使用積層彼等材料而成之膜。帽蓋基 板使用單晶矽之故，形成抑制可動部之驅動的凹部及電極 焊墊開口溝之後，可藉由熱氧化形成氧化矽膜。 又，上述絕緣性保護膜之厚度設爲0 · 1 μπι以上成爲緻 密之膜，可確保絕緣性及防止蝕刻液之侵入。帽蓋側面之 一部分及僅有電極焊墊開口溝之絕緣性保護膜殘留之部位 的絕緣性保護膜可藉由機械式容易除去，較好是帽蓋晶片 側面之絕緣性保護膜不會剝離之膜強度及膜黏著強度。隨 絕緣性保護膜之材質差異上限之膜厚會有少許差異，槪略 可設定上限爲3μηι。 又，藉由濕蝕刻進行帽蓋基板之薄肉化及個片化時， 出現帽蓋側面之一部分及電極焊墊開口溝僅有絕緣性保護 -21 - 200821559 膜殘留之部位。該絕緣性保護膜極薄之故，可藉由在蝕刻 液內或洗淨液內之搖動或施加超音波而容易除去，另外， 亦可藉由刷洗輕輕擦拭而除去。該絕緣性保護膜被除去之 時點，帽蓋晶片之實質之個片化被完成。帽蓋側面之絕緣 性保護膜形成於濕蝕刻面上，膜之密接性強，即使藉由超 音波或刷洗擦拭而除去應被除去部位之絕緣性保護膜時， 帽蓋側面應殘留之絕緣性保護膜亦不會被除去。 可依絕緣性保護膜之厚度差異變化絕緣性保護膜之除 去方法，雖因膜之材質而有差異，大體上絕緣性保護膜之 厚度爲〇 · 1〜〇 . 5 μ m時適用蝕刻液內或洗淨液內之搖動、 0.3〜1 · 0 μηι時適用洗淨液內之施加超音波、1 . 〇 μηα時適用 刷洗之機械式除去方法。隨絕緣性保護膜之厚度變厚，除 去變爲越困難，除去使用之機械設備費用越高。因此就製 造成本而言，隨絕緣性保護膜儘可能設爲較薄。 本發明之半導體感測裝置中較好是，半導體感測晶片 之側面以外之表面被耐鹼性水溶液材覆蓋。

半導體感測基板與帽蓋基板於鹼性水溶液進行濕蝕刻 而薄肉化或個片化。濕鈾刻時，半導體感測晶片之可動部 被以帽蓋晶片密封、固定，未曝曬於濕触刻液，但半導體 感測晶片之可動部以外部位會曝曬於濕蝕刻液，因此較好 是被耐鹼性水溶液材覆蓋而不被進行濕触刻。鹼性水溶液 材可爲，在電極焊墊上覆蓋貴金屬材料、在其以外之部位 上覆蓋〇 · 〇 5 μ m以上之氧化矽或氮化矽。半導體感測晶片 之可動部上亦可覆蓋耐驗性水溶液材。藉由CVD -22- 200821559 (Chemical Vapor Deposition)、濺鍍等製作氧化砂或氮化 矽予以覆蓋。貴金屬材料可藉由濺鍍、真空蒸鑛等製作予 以覆盍。製作之氧化砂、氮化砂及貴金屬材料，可藉由微 影成像技術、乾蝕刻等形成圖案。接合半導體感測基板與 帽盡基板的接合材料’和耐驗性水溶液材料使用之眚金屬 材料相同時’可同時製作而節省作業工時。但於濕餓刻作 業結束時需要除去耐鹼性水溶液材料。 本發明之半導體感測裝置中，半導體感測晶片之周圍 側面可爲機械加工切斷面或雷射切斷面。 半導體感測晶片之側面可以鑽石切斷面（切割面），上 下之帽蓋晶片側面以濕蝕刻之面形成。帽蓋基板進行濕餓 刻而薄肉化及個片化之後，藉由鑽石切斷半導體感測基板 可獲得半導體感測組裝體。或者半導體感測晶片之側面可 以雷射切斷面，上下帽蓋晶片側面以濕鈾刻之面形成。半 導體感測基板之個片化使用之雷射，可使用激發雷射、 YAG雷射、毫微微（1(Γ15)秒雷射、或碳酸氣體雷射。藉由 雷射功率大的碳酸氣體雷射之使用，可於短時間進行半導 體感測基板之切斷，可減低工時。另外，藉由雷射之使 用’不需要噴灑硏削液，可防止接合區域之裂痕之產生。 另外，藉由雷射之切斷半導體感測基板，可防止屑片之產 生。 本發明之半導體感測裝置之製造方法，係執行以下步 使用：具有多數半導體感測晶片的半導體感測基板， -23- 200821559 該半導體感測晶片具有可動部及設於該可動部周圍的接合 區域；及具有多數帽蓋晶片的帽蓋基板，該帽蓋晶片具有 四邊形基底，及沿基底周邊設爲區塊狀之接合區域； 使帽蓋基板積層於半導體感測晶片之上下面之至少一 面，使帽蓋晶片之接合區域接合於半導體感測晶片之接合 區域，藉由帽蓋晶片封裝半導體感測晶片之可動部而設爲 半導體感測組裝基板； 使半導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液，對帽蓋基板 進行厚度方向之濕蝕刻使其薄肉化，將帽蓋基板分割爲帽 盡晶η ， 在帽蓋基板之薄肉化同時或其後，將半導體感測基板 分割爲半導體感測晶片而設爲在半導體感測晶片安裝有帽 蓋晶片的半導體感測組裝體； 將半導體感測組裝體接著固定於基板上、以配線連接 半導體感測晶片與基板之間，藉由樹脂進行基板上之半導 體感測組裝體之模塑。 較好是，半導體感測晶片在接合區域以外之上下面被 施予耐驗性水溶液之覆蓋。 本發明之半導體感測裝置之製造方法中較好是，在半 導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液期間，對半導體感測基 板之多數半導體感測晶片周邊自上面及下面起進行濕蝕刻 而將半導體感測基板分割爲半導體感測晶片，設爲在半導 體感測晶片安裝有帽蓋晶片的半導體感測組裝體。 本發明之半導體感測裝置之製造方法中可設爲，使半 -24- 200821559 導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液對帽蓋基板進行厚度方 向之濕鈾刻使其薄肉化後，對半導體感測基板進行機械加 工或雷射加工分割爲半導體感測晶片，設爲在半導體感測 晶片安裝有帽蓋晶片的半導體感測組裝體。 本發明之半導體感測裝置之製造方法中可設爲，帽蓋 基板具有：在接合區域以外之表面具有絕緣性保護膜的多 數帽蓋晶片。 【實施方式】 以下參照圖面說明本發明實施形態。又，爲容易理解 本發明針對同一構件、部位附加同一符號。 (第1實施形態） 參照圖1 - 4以加速度感測裝置之例說明半導體感測 裝置之構造及製程。以下說明中，以 MEMS技術製作之 半導體感測基板定義爲加速度感測基板，以MEMS技術 製作之半導體感測晶片定義爲加速度感測晶片。圖1 A爲 半導體感測晶片由上觀察之斜視圖，圖1 B爲由底部觀察 之斜視圖。圖2A爲半導體感測基板之平面圖’圖2B爲 其斷面圖。圖3A爲帽蓋基板之平面圖，圖3B爲其斷面 圖。圖4A〜4G爲半導體感測裝置之製程說明圖。 如圖1 A、圖1 B所示，半導體感測晶片（加速度感測 晶片）2 0a係由以下構成：壓電電阻元件21a，配線22a ’ 電極焊墊2 4 a，2點虛線所示接合區域2 3 a、2 3 a ’’樑 -25- 200821559 25a，錘 26a，及框 27a。 半導體感測晶片20a之製作，係於約400μιη厚之矽 板上，使用積層數μηα厚之氧化砂層與約6μηι厚之砂層而 成的SOI(Silicon on Insulator)晶圓。圖2Α爲被製作有多 數半導體感測晶片20a之晶圓所構成之半導體感測晶片 (加速度感測晶片）2 0 a之一部分的平面圖，圖2 B爲其斷面 圖。於半導體感測晶片20a，多數半導體感測晶片20a被 以連結部2 9 a連結。沿1點虛線所示之切割線9 0 a被分離 而個片化，於半導體感測晶片20a之上下面設有接合區域 23&、23&’用於接合帽蓋基板。於接合區域依（^、>^、八11 之順序被積層而於表面形成Au層。半導體感測晶片20a 之周邊之分割溝28a係於形成樑25a、錘26a時同時形 成。 以下說明半導體感測晶片20a之製程。於SOI晶圓之 矽層上面形成壓電電阻元件2 1 a之形狀的光阻圖案，於矽 層植入 1〜3xl018原子/cm3之硼而形成壓電電阻元件 21a。連接於壓電電阻元件21a之配線22a，係藉由金屬 濺鍍法及乾蝕刻形成。 形成半導體感測（加速度感測）之壓電電阻元件21a、 配線22a、電極焊墊 24a之後，於其上藉由 CVD積層 0.1 μιη厚之氮化矽，之後，藉由微影成像技術、蝕刻除去 電極焊墊2 4 a上之氮化矽。之後，全面覆蓋光阻膜，於電 極焊墊24a及接合區域23a、23a’之光阻膜設置開口部 之後，藉由金屬濺鍍依序積層〇·1μπι厚之Cr、0.2μηι厚 -26- 200821559 之Ni、及0·5μιη厚之Au而形成積層膜。之後，除去光阻 膜，除去電極焊墊24a及接合區域23a、23a’以外之金 屬膜，於電極焊墊24a及接合區域23a、23a’殘留金屬 積層膜。於曝曬於濕蝕刻液的部位殘留氮化矽膜予以保 護。 藉由微影成像技術及乾蝕刻加工SOI晶圓之矽層而形 成樑與框之間之溝及框與錘之間之溝，於矽層殘留樑 25a、錘26a及框27a而形成溝之同時，形成分割溝28a。 乾蝕刻係於交互導入SF6、含氧氣體與C4F8氣體的電漿內 進行。氧化矽層作爲矽之乾蝕刻時之阻蝕層功能。僅矽被 乾蝕刻，氧化矽層被殘留。 之後，反轉SOI晶圓，於矽板背面形成框與錘之間被 隔開之阻劑圖案，自矽板背面進行乾蝕刻形成1 00 μηι之 錘26a與框27a之間的溝及樑25a與框27a之間的溝之 後，進行光阻圖案之圖案化而形成分割溝2 8 a之形狀。如 此則，相較於錘26a與框27a之間的溝及樑25a與框27a 之間的溝，分割溝28a變爲淺ΙΟΟμιη。於分割溝28a殘留 連結部29a。連結部29a成爲ΙΟΟμηι厚、80μηι長。乾蝕 刻之後，浸漬於氟酸、氟化氨水溶液藉由濕蝕刻除去氧化 石夕層。 圖3表示帽蓋基板3a之一部分。圖3Α爲帽蓋基板 3a由接合區域33a側觀察之平面圖，圖3B爲其斷面圖。 於帽蓋基板3a，在400μιη厚之矽平板之單面，以凹狀形 成成爲四邊形基底的驅動抑制溝3 1 a及分離溝32a，沿驅 -27- 200821559 動抑制溝31a周邊以凸狀形成設爲堤郾（bank)狀之接合區 域3 3a。於矽平板之單面，積層0·5 μηι厚之氧化矽之後， 形成和錘26a呈對向的驅動抑制溝3 1 a之阻劑圖案，蝕刻 除去該部分之氧化矽。之後，藉由CVD於帽蓋基板全面 積層0 . 1 μηι厚之氮化矽膜，於其上形成阻劑圖案，除去帽 蓋基板之分離溝3 2a對應之部分之氮化矽膜。之後，於 67 °C溫度之氫氧化鉀水溶液（40wt.%)進行濕蝕刻形成 85 μηι深之分離溝32a。之後，除去帽蓋基板全面之氮化 矽膜之後，進行濕蝕刻形成15μπι深之驅動抑制溝31a、 追加形成15μιη之分離溝32a。分離溝32a之深度設爲 100 μηι。在形成於分離溝32a與驅動抑制溝31a之間的堤 郾狀接合區域33a，藉由真空蒸鍍形成3μιη厚之Au- Sn 合金膜。 以接合區域23a、23a’ 、接合區域3 3 a可進行氣密 封裝的方式設爲60μηι寬。帽蓋基板3a爲厚度400μιη， 加壓接合帽蓋基板3 a與加速度感測基板2a時壓力約爲 100kN，具有足夠之強度，加壓接合時不會產生割破、裂 痕等問題。 使用圖4說明本實施形態之半導體感測裝置（加速度 感測裝置）之製程。於半導體感測基板2a之上下面接合帽 蓋基板3 a、3 a’，構成半導體感測組裝基板（加速度感測組 裝基板）4a(圖4A)。將半導體感測組裝基板4a浸漬於加熱 至 67 °C溫度之氫氧化鉀水溶液（40wt.%)進行帽蓋基板 3a、3a’之厚度方向300μηι之蝕刻，削薄帽蓋基板3a、 -28- 200821559 3a，，於切割線90a，之處除去分離溝32a ’獲得藉由帽蓋 基板3a、3a，之薄肉化而被分離的帽蓋晶片30a、30a’（圖 4B)。使用氫氧化鉀水溶液（40 wt·%)含異丙醇之飽和狀態 水溶液，進行加速度感測基板2 a之個片化、帽蓋晶片 3 0a、3 0a’之更薄肉化及其側面角部之鈾刻，獲得半導體 感測組裝體（加速度感測組裝體）40a(圖4C)。半導體感測 基板之連結部2 9 a爲1 0 0 μ m厚之故，自上下兩側起進行 5 Ομηι之濕蝕刻，分離爲半導體感測晶片20a。此時帽蓋 晶片3 0 a、3 0 a ’亦被追加鈾刻5 0 μ m，帽蓋晶片之驅動抑制 溝31a之處之厚度成爲50μηι(圖4B)。使用飽和含有異丙 醇之水溶液之故，於半導體感測晶片側面產生約3 0 μηι高 之大略三角畝狀之突起46a。大略三角畝狀之突起46a容 易藉由肉眼或實體顯微鏡辨識，可作爲半導體感測組裝體 (力口速度感測組裝體）40a之批次、規格等之區別辨識之標 記用。 在200μιη厚之配線基板60a上，使進行半導體感測 元件之信號放大或溫度補正的電路基板6 5 a藉由環氧接著 劑接著固定（圖4D)。於電路基板65a上藉由環氧系樹脂 接著固定半導體感測組裝體40a(圖4E)。使半導體感測組 裝體40a之電極焊墊24a與電路基板65a之電極焊墊 66a、電路基板65a之電極焊塾67a與配線基板60a之電 極焊墊61a藉由直徑25μηι之裸金導線51a連接（圖4F)。 將半導體感測組裝體4 0 a、電路基板6 5 a與配線基板 60a組裝而成之構造體藉由傳遞模塑法以環氧樹脂70a進 -29- 200821559 行模塑。傳遞模塑作業係於以下順序、條件進行。將半導 體感測組裝體40a、電路基板65a與配線基板60a組裝而 成之構造體保持於成形模具內，在模塑機之容器塡入成形 爲薄片形狀之樹脂，加熱容器之擠壓部軟化樹脂，藉由押 壓機構將容器之軟化之175 °C樹脂以5MPa壓力押壓至模 具內。成形時間爲2分鐘。於模具內使樹脂硬化後由模具 取出樹脂模塑品而獲得半導體感測裝置l〇a(圖4(G)。使 用一次之傳遞模塑作業可獲得50個半導體感測裝置l〇a 之模具。 (第2實施形態） 參照圖 5 - 6說明半導體感測裝置（加速度感測裝 置）。圖5爲半導體感測基板（加速度感測基板）2b之一部 分。圖5A爲半導體感測基板（加速度感測基板）2b之壓電 電阻元件21b側之平面圖，圖5B爲圖5A之斷面圖。圖 6A〜6G爲本實施形態之半導體感測裝置l〇b之製程說明 圖。圖5之半導體感測基板2b，除未設置第1實施形態 之於半導體感測基板設置之分割溝28a及連結部29a以 外，均和第1實施形態之半導體感測基板爲相同構造及構 成，製程亦相同因而省略其詳細說明。又，帽蓋基板 3 b、3 b ’之材質及形狀亦相同於第1實施形態之帽蓋基板 3 a ° 參照圖6說明本實施形態之半導體感測裝置1 〇 b之製 程。將驅動抑制溝3 1 a及分離溝32a以凹狀形成，接合區 -30- 200821559 域3 3a以凸狀形成的400 μιη厚之矽平板所構成之帽蓋基 板3b、3b’ ，接合於半導體感測基板2b之上下而形成半 導體感測組裝基板（加速度感測組裝基板）4b(圖6A)。將半 導體感測組裝基板4b浸漬於加熱至67°C溫度之氫氧化鉀 水溶液（40wt.%)進行帽蓋基板3b、3b’之濕蝕刻使薄肉化 而分割爲帽蓋晶片3 0 b、3 0 b ’ 。於第1實施形態，加速 度感測基板2 a之個片化係以濕蝕刻進行，因此加速度感 測基板2 a之個片化時可追加進行帽蓋基板3 a、3 a ’之薄 肉化，但本實施形態中，加速度感測基板2b之個片化係 以鑽石切割進行，因此較第1實施形態進行更多濕蝕刻以 使帽蓋基板薄肉化。進行帽蓋基板3b、3b’之厚度方向之 3 40 μιη之蝕刻，設定驅動抑制溝 31b之處的矽厚爲 60μιη。帽蓋基板3b、3b’之分離溝32b處之矽被除去，分 割爲各個之帽蓋晶片30b、30b’。之後，使用氫氧化鉀水 溶液（4 0wt·%)含異丙醇之飽和狀態水溶液，對帽蓋晶片 3 0b、3 0b’進行ΙΟμηι之濕蝕刻，設定驅動抑制溝31b之 背面之矽厚爲60 μηι。藉由該10 μιη之追加濕蝕刻，使帽 蓋晶片30b、30b’之側面35b成爲2面以上，使2面間 之角度成爲大於或等於90度（圖6B)。 進行帽蓋基板3b、3b’之分割爲各個帽蓋晶片3〇b、 3 0b’之後，針對半導體感測基板2b使用2000號鑽石於 切割線90b之處切斷成爲半導體感測晶片（加速度感測晶 片）20b。鑽石之切斷係以旋轉數20000rpm進行。切斷 時，在鑽石與半導體感測組裝基板4b間噴灑3〜5升/分 -31 - 200821559 之硏削液。半導體感測器側面之表面粗糙度爲 Ra S 200nm。表面粗糙度Ra之測定依據JISB060 1進行。分割 半導體感測基板2b而獲得半導體感測組裝體40b(圖 6C)。 在配線基板60b上使電路基板65b接著固定（圖 6D)，作爲配線基板60b與電路基板65b之組裝體，於其 上接著固定半導體感測組裝體40b(圖6E)之後’使配線基 板60b、電路基板65b、半導體感測組裝體40b之間藉由 導線51b電連接（圖6F)。將半導體感測組裝體40b、電路 基板6 5 b與配線基板6 Ob組裝而成之構造體藉由滴注法 (potting)於環氧樹脂70a中進行完全之模塑而獲得半導體 感測裝置l〇b(圖6G)。圖6D〜圖6F之工程係在第1實施 形態同樣條件下實施因而省略其說明。圖6 G之工程中， 係將半導體感測組裝體40b、電路基板65b與配線基板 6 0 b組裝而成之構造體配置於成形模具內，使加熱至約 1 5 0 °c之溶融環氧樹脂流入模具內而硬化’施加硬化時可 獲得環氧樹脂之形狀的壓力。 (第3實施形態） 第3實施形態係由第1及第2實施形態改變帽蓋晶片 之結晶方位者’藉由濕蝕刻進行帽蓋晶片之薄肉化及分 割，以鑽石切斷分割成爲半導體感測晶片’參照圖7說明 本實施形態之半導體感測裝置（加速度感測裝置）之製程。 圖7 A爲帽蓋基板3 c、3 c ’由接合於半導體感測基板（加 -32- 200821559 速度感測基板）2 c之側觀察的平面圖，圖7 B爲其斷面 圖。帽蓋基板3c、3c’之側面設爲矽結晶面{ 100 }。和 半導體感測基板之錘呈對向之部位的驅動抑制溝3 1 c，成 爲面{100}與面{111}包圍之八角形，藉由過蝕刻可進 行角部3 1 1 c之去角，而成爲鈍角形狀。另外，和角部 3 11c對應之外側之角部 312c，亦在面{ 1〇〇 }與面 { 100 }交叉之部位產生去角（圖 7A)。將帽蓋基板3c、 3c’接合於半導體感測基板2c之上下而形成半導體感測 組裝基板（加速度感測組裝基板）4c(圖7 C)。將半導體感測 組裝基板4c浸漬於加熱至67 t溫度之氫氧化鉀水溶液 (40wt.%)對帽蓋基板 3c、3c’進行 3 00μηι之蝕刻，使帽 蓋基板3c、3c’薄肉化而於分離溝32c分離爲帽蓋晶片 30c、30c’ 。於帽蓋晶片30c、30c’之側面35c之角部 351c，面{100}與面{100}呈交叉（圖 7D)。更進一步 進行濕蝕刻實行側面3 5 c之角部3 5 1 c之去角而形成高次 結晶面，在面{ 1 〇〇 }—高次結晶面—面{ 1 〇〇 }構成之側 面35c獲得角部3 5 2c(圖7E)。帽蓋基板3c、3c’分割爲 各個帽蓋晶片30c、30c’之後，針對半導體感測基板2c 使用2000號鑽石於切割線90c之處切斷成爲半導體感測 晶片而獲得半導體感測組裝體（加速度感測組裝體）40c(圖 7F)。切斷條件和第2實施形態相同。使半導體感測組裝 體4 0c藉由和第1實施形態相同製造條件之傳遞模塑法進 行樹脂模塑而獲得半導體感測裝置。 -33- 200821559 (第4實施形態） 第4實施形態，係針對參照圖6說明之第2實施形態 之半導體感測裝置之製程，於半導體感測基板之分離工程 使用雷射切斷。雷射係使用規格輸出8 00W之碳酸氣體雷 射。加工前進速度設爲1〜2m/分。除切斷工程以外均同 第2實施形態。藉由和第1實施形態相同製造條件之傳遞 模塑法進行樹脂模塑。 (第5實施形態） 針對第1〜第4實施形態製作之半導體感測組裝體 (未被安裝於基板的組裝體、未進行樹脂模塑）各1〇〇〇 個，及以鑽石切斷帽蓋晶片製作而成之比較用半導體感測 組裝體1 000個進行氣密試驗。試驗樣品數爲1 000個，但 半導體感測組裝體具有2個帽蓋晶片，因此氣密試驗個數 成爲2 0 0 0個，合格率之計算以2 0 0 0爲母數。氣密試驗使 用吸氣型檢漏裝置（sniffer)之He漏氣檢測器進行。氣密 試驗結果如下。半導體感測基板與帽蓋基板藉由濕蝕刻進 行個片化之第1實施形態的半導體感測組裝體中，不良之 產生數爲〇個、合格率爲1 00%。帽蓋基板藉由濕蝕刻、 半導體感測基板藉由鑽石切割進行個片化之第2實施形態 的半導體感測組裝體中，不良之產生數爲8個、合格率爲 9 9.6%。變化方位之帽蓋基板藉由濕蝕刻、半導體感測基 板藉由鑽石切割進行個片化之第3實施形態的半導體感測 組裝體中，不良之產生數爲〇個、合格率爲。帽蓋 -34- 200821559 基板藉由濕蝕刻、半導體感測基板藉由雷射切斷進行個片 化之第4實施形態的半導體感測組裝體中，不良之產生數 爲0個、合格率爲1 0 0 %。比較用半導體感測組裝體中， 不良之產生數爲61 8個、合格率爲69」％。上下帽蓋晶片 同時不良之半導體感測組裝體存在之故，以半導體感測組 裝體（母數1 00 0個）估計時之合格率爲78.8%。相較於比較 用半導體感測組裝體之氣密試驗合格率之69.1 %，本發明 之半導體感測組裝體之氣密試驗合格率爲99.6%〜100%， 確認可以大幅改善。 調查第2實施形態的半導體感測組裝體產生之8個不 良品，結果發現氣密洩漏原因，8個均爲半導體感測晶片 與帽蓋晶片之接合部產生之接合部裂痕，在矽與接合材料 間、於接合部附近之矽部分產生裂痕。於矽厚爲50μηι之 驅動抑制溝未發現裂痕。比較用半導體感測組裝體之不良 品之中約20%爲接合部裂痕，約80%爲存在於驅動抑制溝 之帽蓋晶片裂痕。由該結果可確認，藉由對帽蓋基板進行 濕蝕刻使其薄肉化與個片化可以有效防止驅動抑制溝之帽 蓋晶片裂痕。第2實施形態及比較用試料產生之接合部裂 痕，可推測爲藉由鑽石切斷半導體感測基板時之振動或硏 削液對帽蓋晶片提供剝離力而產生者。因此，噴灑硏削液 之同時藉由鑽石切斷半導體感測基板而進行個片化時，裂 痕產生之機率（危險性）難以設爲〇。 (第6實施形態） -35- 200821559 評估傳遞模塑而成之樹脂部分之裂痕。針對第1、第 3及第4實施形態製作之半導體感測裝置各1 000個，及 以鑽石切斷帽蓋晶片及加速度感測晶片製作而成之比較用 半導體感測裝置1 0 0 0個進行評估。各試料之樹脂部分之 裂痕之有無藉由實體顯微鏡檢測，使用無裂痕者。針對各 試料之溫度於一 8 0 °C〜8 0 °C範圍內變化，以此作爲1熱循 環。經過1 〇〇熱循環試驗之後，藉由實體顯微鏡觀察、檢 測樹脂部分之裂痕之有無。第1、第3及第4實施形態之 試料中，未產生裂痕、合格率爲100%。比較用半導體感 測裝置中有42個試料產生裂痕、合格率爲95.8%。分解 調查產生裂痕之半導體感測裝置發現，裂痕之產生起點在 帽蓋晶片之側面角部。由此可確認，將帽蓋晶片之側面設 爲2面以上，將側面角部設爲鈍角之效果有效。 (第7實施形態） 評估滴注模塑而成之樹脂部分之裂痕。針對第2實施 形態製作之半導體感測裝置1 〇〇〇個，和第6實施形態之 試驗同樣進行熱循環試驗之後，藉由實體顯微鏡觀察、檢 測樹脂部分之裂痕之有無。結果，第2實施形態之試料中 未產生裂痕、合格率爲1 0 0 %。配合第6實施形態之結果 加以考量可推論，因模塑樹脂而產生之裂痕，係和樹脂模 塑法無關，而是因爲帽蓋晶片之側面角部形狀引起者。因 此，將帽蓋晶片之側面設爲2面以上，將側面角部設爲鈍 角之效果爲有效者。 -36- 200821559 (第8實施形態） 圖8爲陀螺感測裝置之斷面圖。取代第1實施形態使 用之加速度感測基板，改用陀螺感測基板。帽蓋基板之構 成及其製程係和第1實施形態使用者相同。於陀螺感測裝 置l〇d，陀螺感測晶片20d之可動部被以帽蓋晶片30d、 3 〇d’密封而成爲半導體感測組裝體（陀螺感測組裝 體）4 0d。在配線基板60d上使電路基板65d與半導體感測 組裝體40d藉由接著劑固定，使半導體感測組裝體40d之 端子24d與電路基板65d之電極焊墊66d之間、及電路基 板65d之電極焊墊67d與配線基板60d之電極焊墊61d之 間藉由導線5 1 d電連接。使半導體感測組裝體40d、電路 基板65d與配線基板60d組裝而成之構造體於環氧樹脂 7 0d中進行完全之封裝而獲得陀螺感測裝置10d。陀螺感 測晶片係由，錘、檢測部、及接合區域構成。對陀螺感測 晶片施加角速度時，錘會移動，檢測部以靜電容量之變化 檢測出錘之移動量。於圖8省略錘、檢測部、及接合區域 之詳細。獲得具備以微影成像技術、蝕刻技術、製膜技術 等微機器（micro-machining)形成之錘、檢測部、接合區域 及分離溝的陀螺感測基板。將陀螺感測基板和帽蓋基板於 真空中接合而獲得半導體感測組裝基板（陀螺感測組裝基 板）。將半導體感測組裝基板浸漬於氫氧化氨系水溶液之 一種之四甲基氨水溶液進行濕蝕刻，進行帽蓋基板之薄肉 化及個片化，另外進行陀螺感測基板連結部之濕蝕刻使個 -37- 200821559 片化而獲得半導體感測組裝體40 d ° 針對樹脂模塑前之半導體感測組裝體40d進行氣密試 驗。氣密試驗使用吸氣型檢漏裝置（sniffer)之He漏氣檢 測器進行。進行1 〇〇〇個樣品之氣密試驗結果，不良之產 生數爲〇個、合格率爲1〇〇%。另外’針對傳遞模塑之樹 脂部分之裂痕進行1 〇〇〇個樣品之檢測結果，裂痕之產生 數爲〇個。 (第9實施形態） 本實施形態中使用和第1實施形態製作者相同構成之 帽蓋基板，在和其之半導體感測基板呈對向之面藉由 CVD形成0.3μιη厚度之氮化矽之絕緣性保護膜37e。如此 製作之帽蓋基板3 e之斷面圖如圖9所示。於帽蓋基板3 e 之驅動抑制溝3 1 e與分離溝3 2e之間之接合區域3 3 e，藉 由真空蒸鍍形成4μηι厚度之Au — Sn合金膜。 使用和第2實施形態相同構成之半導體感測基板（加 速度感測基板）2e，於其上下接合帽蓋基板3e、3e’而獲 得圖1 0 A所示半導體感測組裝基板（加速度感測組裝基 板）4e。使帽蓋基板3e、3e’之接合區域3 3 e蒸鍍形成之 Au — Sn合金膜（4μπι厚），和半導體感測基板2e之接合區 域23e、23e’上之Au層接觸而加壓、加熱至約320°C溫 度，使帽蓋基板3 e、3 e ’接合於半導體感測基板2 e之兩 面。將半導體感測組裝基板4e浸漬於加熱至67 t：溫度之 氫氧化鉀水溶液（4 0 wt. % )，至2點虛線所示飩刻線9 0 e ’爲 -38- 200821559 止進行帽蓋基板3e、3e，之厚度方向300μηι之蝕刻，藉由 帽蓋基板之薄肉化而完全除去分離溝32e之矽’成爲僅有 絕緣性保護膜3 7 e (圖1 0 B )。於蝕刻液內使半導體感測組 裝基板4e進行大約1 0次之上下左右搖動’除去帽蓋晶片 3〇e間之絕緣性保護膜37e(圖4C)。沿半導體感測基板2e 之切割線90e，使用2000號鑽石以旋轉數20000rpm進行 切斷而獲得半導體感測組裝體40e (圖4D)。將該組裝體 4〇e固定於電路基板65e及配線基板60e上，進行配線連 接後，進行樹脂模塑而獲得半導體感測裝置（加速度感測 裝置）l〇e。半導體感測組裝體40e之固定於電路基板65e 及配線基板60e上之以後之工程矽和第1實施形態相同， 於此省略說明。又，帽蓋晶片端被鈾刻成爲銳角，但和藉 由機械式被除去而產生之絕緣性保護膜端配合而成爲鈍 角。成爲鈍角，因此可防止模塑樹脂之裂痕。 (第10實施形態） 本實施形態使用如圖1 1所示帽蓋基板3 f。圖1 1 A爲 帽蓋基板3f之平面圖，圖11B爲圖5A之斷面圖。帽蓋 基板3f爲，在40 0 μηι厚之矽平板之單面使驅動抑制溝 3 If及分離溝32f以凹狀形成，接合區域33f以凸狀形 成。在矽平板之單面藉由熱氧化形成1.0 μηι厚之氧化矽之 後，形成驅動抑制溝3 1 f之阻劑圖案，鈾刻除去該部分之 矽。之後，藉由熱氧化形成0.7 μηι厚之氧化矽，於其上形 成阻劑圖案，除去帽蓋基板之分離溝3 2f對應之部分之氧 -39- 200821559 化矽膜。之後，於67°C溫度之氫氧化鉀水溶液（4〇wt.%)進 行濕蝕刻形成90 μιη深度之分離溝32a。之後，除去帽蓋 基板全面之氧化矽之後，進行追加鈾刻形成1 〇 μπι深之驅 動抑制溝3 If、形成ΙΟμηι之分離溝32f。分離溝32f之深 度設爲ΙΟΟμιη。在形成有驅動抑制溝31f及分離溝32f之 面的全面藉由熱氧化形成0.6 μιη厚之氧化矽作爲絕緣性保 護膜3 7f。製作設於接合區域上的阻劑框，於此形成4μπι 厚之Au - Sn合金膜。 使用和第2實施形態相同構成之半導體感測基板，於 其上下接合圖1 1所示帽蓋基板而獲得半導體感測組裝基 板。使帽蓋基板之接合區域蒸鍍形成之Au — Sn合金膜， 和半導體感測基板之接合區域上之Au層接觸而加壓、加 熱至約320 °C溫度，使帽蓋基板接合於半導體感測基板之 兩面。之後，將半導體感測組裝基板浸漬於加熱至67 t 温度之氫氧化鉀水溶液（4 0 w t. % )，藉由帽蓋基板之薄肉化 而完全除去分離溝之矽，帽蓋晶片間殘留之氧化矽構成之 絕緣性保護膜，可藉由浸漬於異丙醇與水之混合溶液中施 加超音波而完全除去，藉由異丙醇與水之混合溶液之使 用，被除去之氧化矽不會再度附著。使用2〇〇〇號鑽石進 行切斷而獲得半導體感測組裝體。將該組裝體固定於電路 基板及配線基板上，進行配線連接後，進行樹脂模塑而獲 得半導體感測裝置。 本實施形態中，分離溝3 2f之側壁成爲矽結晶面 {100}，側壁相對於帽蓋基板成爲垂直’可增大電極與 -40- 200821559 帽蓋晶片側面間之距離，可防止導線與側面之接觸。又， 驅動抑制溝3 1 f之側面設爲結晶面{ 1 1 1 }及結晶面 {100} 〇 (第11實施形態） 使用圖1 2、1 3說明第1實施形態。該實施形態之半 導體感測裝置爲靜電容量型陀螺感測器，靜電容量型陀螺 感測器之檢測部被形成於矽基板之單面，因此帽蓋晶片爲 1個。圖1 2爲陀螺感測器之分解斜視圖。圖1 3 A〜1 3 F爲 陀螺感測器適用之半導體感測裝置之製程說明圖。 如圖12所示，半導體感測晶片（陀螺感測晶片）20g係 由以下構成：靜電容量檢測部2 1 g，電路元件28g，配線 22g’電極焊塾24g’接合區域23g。半導體感測晶片20g 之製作，係於約5 00 μπι厚之矽板上，使用積層有數μπι厚 之氧化矽層與約數ι〇μι^厚之矽層而成的SOI晶圓。於矽 層側之面，使用半導體製程技術、微影成像技術、製膜技 術形成信號放大用的電路元件2 8 g ’靜電容量檢測部 21g，電極焊塾24g’接合區域23g。帽盖晶片30g係和第 1實施形態說明者相同之構成’在半導體感測基板之對向 面藉由熱氧化形成1 . 〇 μ m厚之氧化矽之絕緣性保護膜 37g。於帽蓋晶片30g在和半導體感測晶片20g呈對向之 面，形成成爲四邊形基底的驅動抑制溝3 1 S及於其周邊以 設爲堤郾（bank)狀之接合區域33g°在接合區域33g’藉 由真空蒸鍍形成4^m厚之Au— 311合金膜。 -41 - 200821559 參照圖13A〜13F說明第11實施形態之半導體感測 裝置（陀螺感測裝置）l〇g之製程。於半導體感測基板（陀螺 感測基板）2g之形成有電路元件28g及靜電容量檢測部 21g的面接合帽蓋基板3g而獲得半導體感測組裝基板（陀 螺感測組裝基板）4g(圖13A)。將半導體感測組裝基板4g 浸漬於加熱至70°C溫度之四甲基氨水溶液（25wt.%)，至2 點虛線所示蝕刻線90g’爲止進行帽蓋基板3g、半導體感 測基板（陀螺感測基板）2g之鈾刻使薄肉化。蝕刻除去之厚 度微300 μηι，藉由帽蓋基板之薄肉化使分離溝32g之矽完 全被除去，成爲僅有絕緣性保護膜37g(圖13B)。於蝕刻 液內及洗淨液內使半導體感測組裝基板4g搖動，可以大 略除去帽蓋晶片間之絕緣性保護膜3 7g，對於殘餘部分藉 由數次之刷洗可以完全除去（圖1 3 C)。沿半導體感測基板 2g之切割線90g，進行雷射照射而切斷。雷射係使用規格 輸出800W之碳酸氣體雷射。加工前進速度設爲1〜2m/ 分，而獲得半導體感測組裝體（陀螺感測組裝體）40g(圖 13D) 〇 將該半導體感測組裝體（陀螺感測組裝體）40g以環氧 系樹脂固定於厚度200 μπι之配線基板60g上，使半導體 感測組裝體40g之電極焊墊24g與配線基板60g之電極焊 墊61g藉由直徑25μιη之裸金導線51g連接（圖13E)。將 半導體感測組裝體40g、與配線基板60g組裝而成之構造 體藉由傳遞模塑法以環氧樹脂70g進行模塑可獲得半導體 感測裝置l〇g(圖13F)。 -42- 200821559 (第12實施形態） 針對第9實施形態〜第1 1實施形態之使用具有絕緣 性保護膜37e、37f、37g的矽帽蓋而構成之半導體感測裝 置，及使用無絕緣性保護膜的矽帽蓋而構成之比較用半導 體感測裝置，針對彼等評估雜訊之產生及線間短路之有無 結果如下。比較用半導體感測裝置2000個之中有8個不 良，不良率爲0.4%。於帽蓋晶片側面形成有絕緣性保護 膜的第9實施形態〜第1 1實施形態之半導體感測裝置中 不良數爲0個，不良率爲〇%。因此，藉由於帽蓋晶片側 面形成絕緣性保護膜，可以解決雜訊之產生及線間短路之 不良情況。 (產業上可利用性） 以MEMS技術製作之本發明的半導體感測裝置，帽 蓋晶片之周圍側面設爲濕蝕刻之面，可防止切斷時產生於 帽蓋晶片及模塑樹脂之裂痕之同時，可確保半導體感測晶 片與帽蓋晶片間之氣密性。另外，帽蓋晶片側面被以絕緣 性保護膜覆蓋據以確保絕緣性。因此，使用於加速度、角 速度、壓力等物理量檢測、測定之本發明半導體感測裝 置，可以減少不良之產生，可提升信賴性。 (發明效果） 本發明的半導體感測裝置，係藉由濕蝕刻進行帽蓋晶 •43- 200821559 片之個片化（分離）時之切斷，可防止帽蓋晶片及模塑樹脂 產生之裂痕之同時，可確保半導體感測晶片與帽蓋晶片間 之氣密性。另外，帽蓋晶片側面被以絕緣性保護膜覆蓋， 即使帽蓋晶片側面接觸導線情況下亦不會產生絕緣不良。 【圖式簡單說明】 圖1爲本發明第1實施形態之半導體感測裝置使用之 半導體感測晶片，圖1 A爲半導體感測晶片由上觀察之斜 視圖，圖1 B爲其底面斜視圖。 圖2爲具有圖1所示多數半導體感測晶片的半導體感 測基板，圖2A爲平面圖，圖2B爲其斷面圖。 圖3爲具有第1實施形態之半導體感測裝置使用之多 數帽蓋晶片的帽蓋基板，圖3A爲平面圖，圖3B爲其斷 面圖。 圖4A〜4G爲第1實施形態之半導體感測裝置之製程 說明圖。 圖5爲具有第2實施形態之半導體感測裝置使用之多 數半導體感測晶片的半導體感測基板，圖5A爲平面圖， 圖5B爲其斷面圖。 圖6A〜6G爲第1實施形態之半導體感測裝置之製程 說明圖。 圖7A爲第3實施形態之半導體感測裝置使用之帽蓋 基板之平面圖，圖7B爲其斷面圖，圖7C〜7F爲第3實 施形態之半導體感測裝置之製程說明圖。 -44 - 200821559 圖8爲第8實施形態之陀螺感測裝置之斷面圖。 圖9爲第9實施形態使用之帽蓋基板之斷面圖。 圖10A〜10G爲第10實施形態之半導體感測裝置之 製程說明圖。 圖1 1爲第1 0實施形態使用之帽蓋基板，圖1 1 A爲 平面圖，圖11B爲其斷面圖。 圖1 2爲第1 1實施形態之半導體感測裝置之分解斜視 圖。 圖13A〜13F爲第11實施形態之半導體感測裝置之 製程說明圖。 圖14表示文獻記載之加速度感測器之構造，圖14A 爲其分解斜視圖，圖1 4B表示其使用之加速度感測晶片之 平面圖。 圖1 5 A表示文獻記載之半導體感測組裝基板之斷面 圖’圖15B表示其之半導體感測組裝體之斷面圖，圖15C 表示使用該組裝體之半導體感測裝置之斷面圖，圖15D 表示該組裝體進行樹脂模塑而成之半導體感測裝置之斷面 圖。 圖16A〜B爲習知半導體感測裝置產生之裂痕之狀況 說明圖。 圖1 7爲習知半導體感測裝置之導線與半導體感測晶 片之接觸說明圖。 【主要元件符號說明】 -45- 200821559 2a、2b、2c、2e、2g :半導體感測基板 3a、3a’、3b、3b’、3c、3c’、3e、3e’、3f、3g ： 帽蓋基板 4a、4b、4c、4e、4g :半導體感測組裝基板 10a、10b、10e、lOg:半導體感測裝置 l〇d :陀螺感測裝置 20a、20b、20g :半導體感測晶片 20d :陀螺感測晶片 23a、23a’、23e、23e’、23g、33a、33b、33e、33f、 3 3 g :接合區域 30a、30a’、30b、30b’、30c、30c’、30d、30d’、 3〇e、30g :帽蓋晶片 35b、 35c ：側面 37e、37f、37g :絕緣性保護膜 40a、40b、40c > 40d、40e、40g:半導體感測組裝體 5 1 a、5 1 b、5 1 g :導線 -46-

Claims (1)

1. 200821559 十、申請專利範圍 1 · 一種半導體感測裝置，係由以下構成： 半導體感測組裝體’係由以下構成：半導體感測晶 片，其具有可動部及設於該可動部周圍的接合區域；及帽 蓋晶片，被積層於半導體感測晶片之上下面之至少一面， 具有四邊形基底，及接合區域，其沿基底周邊設爲區塊狀 而接合於半導體感測晶片之接合區域，用於密封半導體感 測晶片之可動部； 基板，用於將半導體感測組裝體固定、保持於其上； 配線，用於連接半導體感測晶片與基板之間；及 樹脂，在基板上用於進行半導體感測組裝體之模塑； 帽蓋晶片之周圍側面爲被施予濕蝕刻的面。 2 ·如申請專利範圍第1項之半導體感測裝置，其 中， 帽蓋晶片之周圍側面爲由鄰接於帽蓋晶片厚度方向的 至少2面形成。 3. 如申請專利範圍第2項之半導體感測裝置，其 中， 帽蓋晶片之周圍側面爲，鄰接於帽蓋晶片厚度方向的 2面間之角度爲90度或較其爲大。 4. 如申請專利範圍第1項之半導體感測裝置，其 中， 帽蓋晶片之周圍側面爲，在被施予濕蝕刻的面之上以 絕緣性保護膜覆蓋。 -47- 200821559 5 如申請專利範圍第4項之半導體感測裝置，其 中， 上述絕緣性保護膜爲耐_性° 6 如申請專利範圍第4項之半導體感測裝置，其 中， 上述絕緣性保護膜爲0 · 1 W m或較其爲厚。 7.如申請專利範圍第1項之半導體感測裝置，其 中， 半:導體感測晶片之周圍側面爲被施予濕蝕刻的面。 8，如申請專利範圍第1項之半導體感測裝置，其 中， 半導體感測晶片之周圍側面爲機械加工切斷面或雷射 切斷面。 9.如申請專利範圍第1項之半導體感測裝置，其 中， 半導體感測晶片之側面以外之表面爲被耐鹼性覆蓋構 件覆蓋。 1 〇 . —種半導體感測裝置之製造方法，係執行以下步 驟· 使用：具有多數半導體感測晶片的半導體感測基板， 該半導體感測晶片具有可動部及設於該可動部周圍的接合 區域；及具有多數帽蓋晶片的帽蓋基板，該帽蓋晶片具有 四邊形基底，及沿基底周邊設爲區塊狀之接合區域； 使帽蓋基板積層於半導體感測晶片之上下面之至少一 -48- 200821559 面’使帽蓋晶片之接合區域接合於半導體感測晶片之接合 區域，藉由帽蓋晶片封裝半導體感測晶片之可動部而設爲 半導體感測組裝基板； 使半導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液’對帽蓋基板 進行厚度方向之濕蝕刻使其薄肉化，將帽蓋基板分割爲帽 蓋晶片； 在帽蓋基板之薄肉化同時或其後，將半導體感測基板 分割爲半導體感測晶片而設爲在半導體感測晶片安裝有帽 蓋晶片的半導體感測組裝體； 將半導體感測組裝體接著固定於基板上、以配線連接 半導體感測晶片與基板之間，藉由樹脂進行基板上之半導 體感測組裝體之模塑。 1 1.如申請專利範圍第1 〇項之半導體感測裝置之製 造方法，其中， 在半導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液期間，對半導 體感測基板之多數半導體感測晶片周邊自上面及下面起進 行濕蝕刻而將半導體感測基板分割爲半導體感測晶片，設 爲在半導體感測晶片安裝有帽蓋晶片的半導體感測組裝 體。 1 2 .如申請專利範圍第1 0項之半導體感測裝置之製 造方法，其中， 使半導體感測組裝基板浸漬於濕蝕刻液對帽蓋基板進 行厚度方向之濕蝕刻使其薄肉化後，對半導體感測基板進 行機械加工或雷射加工分割爲半導體感測晶片，設爲在半 -49- 200821559 導體感測晶片安裝有帽蓋晶片的半導體感測組裝體。 1 3 .如申請專利範圍第1 〇項之半導體感測裝置之製 造方法，其中， 帽蓋基板具有：在接合區域以外之表面具有絕緣性保 護膜的多數帽蓋晶片。 -50-