JP4337099B2

JP4337099B2 - 加速度センサ

Info

Publication number: JP4337099B2
Application number: JP2004323761A
Authority: JP
Inventors: 勇夫坂口
Original assignee: Hitachi Metals Ltd
Current assignee: Hitachi Metals Ltd
Priority date: 2004-11-08
Filing date: 2004-11-08
Publication date: 2009-09-30
Anticipated expiration: 2024-11-08
Also published as: KR100906573B1; TWI266878B; TW200624811A; WO2006049004A1; US7716984B2; US20090071248A1; KR20070085897A; JP2006133123A; CN101057148A; CN101057148B

Description

本発明は、自動車、航空機、携帯端末機器、玩具等に用いられる加速度検出用の半導体
加速度センサに関するものである。

加速度センサは、自動車のエアーバッグ作動用の大きな衝撃力を検出する用途やブレー
キ制御システムなどの車両制御用途向けの小さな加速度の検出に使用されてきた。これら
の自動車用途ではＸ軸、Ｙ軸の加速度を測定するため１軸もしくは２軸機能で充分であっ
た。最近は、携帯端末機器、ロボットや人体動作の検出による各種制御等の新しい用途向
けに開発、実用化が進んできている。このような新用途では空間の動きを検出することが
多いためＸ、Ｙ、Ｚ軸の加速度を測定できる３軸加速度センサが要求されてきている。ま
た、微小な加速度を検出するために高分解能で、小型、薄型であることも要求されている
。

加速度センサは可撓部の動きを電気信号に変換する方法で、ピエゾ抵抗型、静電容量型
、圧電型に大別される。用途によって使い分けられるが、静止加速度の検出用途ではピエ
ゾ抵抗型と静電容量型に絞られ、これら２つのタイプはシリコン基板に半導体技術やマイ
クロマシン技術により立体的な構造を形成することにより小型で高感度の加速度センサを
一度に大量に製造できる。特に、ピエゾ抵抗型は構造および製造プロセスが単純であり小
型・薄型で低価格化に向いた加速度センサである。

従来の加速度センサ素子構造として特開昭６３−１６９０７８に記載されているものが
ある。その構造を図１８示す。加速度センサ素子１０は、中央に錘部１、周辺に支持枠３
があり、錘部１は可撓部２に接続され、可撓部２は支持枠３に接続され、可撓部２には複
数個の半導体ピエゾ抵抗素子４が設けられている。半導体ピエゾ抵抗素子４は端子５に配
線パターン（図示せず）で接続されている。加速度に比例した外力が加速度センサ素子１
０に加わると錘部１が動き、それに伴って可撓部２が変形し半導体ピエゾ抵抗素子４に加
わる応力が変化し抵抗値が変わる。半導体ピエゾ抵抗素子の抵抗変化は微小であるため、
可撓部２に４個のピエゾ素子を配してフルブリッジ回路を構成し、この抵抗変化を電圧変
化として検出するものである。

この構造において、加速度センサ素子１０の感度は、可撓部の長さを長く、幅を狭く、
厚みを薄くするほど向上するものである。例えば、高感度品では可撓部５００〜７００μ
ｍ、幅は８０〜１２０μｍ、厚みは５〜１０μｍと非常に薄くなっている。このため、シ
リコンで形成された可撓部２は強度的に弱く、大きな衝撃力が加わると簡単に破損してし
まう。そこで、高感度で高耐衝撃性を確保するために、錘部１の動きを規制する構造が採
用されている。

特開昭６３−１６９０７８図７

錘部１の動きを規制する構造として特開平８−２３３８５１に一例が記載されており、
その構造を図１９に示す。上部ストッパー基板７と下部ストッパー基板８を球形微粒子を
混練した接着剤９でセンサチップ６に固着することによって、錘部１の動きを規制し可撓
部２の破損を防止するものである。説明を判り易くするため、同一の機能を有する部品、
部位は同じ名称、符合を用いている。過度の衝撃が加わり錘部１と上下ストッパー基板７
、８の隙間ｇ３とｇ４以上に、錘部１が動いた時錘部が上下ストッパー基板７，８と接触
して動きが規制され、可撓部２の破損を防ぐものである。下部ストッパー基板８と錘部１
の下面の隙間ｇ４は、下部ストッパー基板８に設けられた深さｈ１の凹み部と球形微粒子
を混練した接着剤９の厚みｈ２の合計である。上部ストッパー基板７と隙間ｇ３の関係も
同様である。上下ストッパー基板に設けられた凹み部は、樹脂９に混練する球形微粒子径
を小さくすることができるのと、樹脂が錘部側に流れ出した場合でも隙間を正確に保持で
きる様にするものである。

特開平８−２３３８５１図４、１５

錘部１の動きを規制する構造の他の例が、特開平６−２４２１４１に記載されており、
その構造を図２０に示す。錘部１の動きを隙間ｇ５、ｇ６で規制するものである。特開平
６−２４２１４１が特許文献２と異なる点は、上部ストッパーがＩＣチップ１１であるこ
とと、ＩＣチップ１１とセンサチップ６が密封状態になるように接着剤１２で接着されて
いることである。上部ストッパーをＩＣチップ１１に置き換えることで、従来の上部スト
ッパー部品を無くすことができる。半導体ピエゾ抵抗素子の抵抗変化を電気的に処理する
のに不可欠なＩＣチップ１１を、上部ストッパーとすることで加速度センサの小型化には
非常に有効である。ＩＣチップ１１とセンサチップ６を密封状態に保持し密閉された狭い
領域内でダンパー効果により、錘部１の急激な移動を抑制するものである。密閉された狭
い領域内の圧力の変化で抑制するものであり、錘部１とＩＣチップ１１が接触して動きを
規制するものではない。

特開平６−２４２１４１図１

特許文献２、３では上部ストッパーの錘部との対向面を凹ませている。凹ませる目的は
隙間を正確に制御するためと、密閉された空間を得るもので僅かではあるが異なっている
。しかし、錘部の対向面を凹ませるには、シリコンのエッチング工程を追加する必要があ
りコストの上昇は避けられ無い。錘部との対向面が平らなＩＣチップを上部ストッパー基
板として使用できればコスト低減が図れることは容易に理解できる。

特許文献３では、密閉された狭い領域内でダンパー効果を利用するため、ＩＣチップと
センサチップを接着剤で密封状態にすることが必要である。有機系接着剤を用いた場合気
密を維持することは難しく、接着剤の吸湿による膨潤等によって気密の信頼性が低下する
。ガラス等の無機系接着剤を使うことも考えられるが、ガラスの軟化点以上の温度で処理
する必要があり容易に採用できるものではない。そのため、信頼性を犠牲にしても接着力
が強く作業性の良い有機系接着剤であるエポキシ系樹脂を使う事が多くなる。

有機，無機系の接着剤を用いても、接着部位全域に接着剤を塗布する必要がある。ＩＣ
チップやセンサチップの主となる材料はシリコンであり、その線熱膨張係数は２．４×１
０^−６（ｄｅｇ^−１）である。エポキシ系樹脂の線熱膨張係数は９０×１０^−６（ｄｅｇ
^−１）、鉛系ガラスでも９．８×１０^−６（ｄｅｇ^−１）とシリコンに比べて差が大きい
。加速度センサの周囲環境温度の変化や、加速度センサ自体の温度上昇等により、この線
熱膨張の差によって、可撓部に応力が加わり感度の低下やオフセット電圧の増加などが生
じてしまう。

特許文献２，３には記載がないが、高精度な加速度センサには、オフセット電圧および
出力感度のバラツキ、さらに出力温度特性を補償する補償回路を増幅回路とともに付加す
ることが必要である。特に、温度補償は加速度センサチップの温度変化をＩＣチップ内に
ある温度センサで検知して出力を補正する方法を取ることから、加速度センサチップとＩ
Ｃチップの温度差は小さいことが望ましいものである。ＩＣチップ内にある温度センサの
位置とセンサチップの位置、接着剤の位置等を詳細に検討して配する事が必要になってく
る。これら、高性能化に必要な技術の開示は今までなされていない。

本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、加速度センサの周囲および
自己温度の変化に対しても、特性への影響を最小限に抑え、小型・薄型で高性能、低価格
の加速度センサを提供することを目的とする。

本発明の加速度センサは、支持枠と支持枠に可撓部を介して保持される錘部、可撓部に
設けられた半導体ピエゾ抵抗素子と配線よりなる加速度センサ素子とセンサ端子部からな
る加速度センサチップと、保護ケースと、加速度センサ素子の錘部上方で錘部の動きを規
制するＩＣ規制板とを備える加速度センサであって、
保護ケースは保護ケース蓋と保護ケース箱を接合して構成され、保護ケース箱の凹部に
は加速度センサチップが配置され、前記凹部は底面と内壁で構成され、保護ケース箱及び
保護ケース蓋に囲われた空間の中にＩＣ規制板を有し、
前記空間には空気が満たされており、
加速度センサチップは、支持枠の下面で保護ケースに設けられており、支持枠の上面に
ＩＣ規制板を設けており、
センサ端子部と接する加速度センサ素子の１辺を除いた３辺の少なくとも１辺以上の支
持枠端より、前記空間内にＩＣ規制板がはみ出して設けられており、ＩＣ規制板のはみ出
し部が保護ケースの内壁から離れており、
加速度センサチップとＩＣ規制板は、加速度センサ素子の錘部に対称位置となる四隅に
設けられた樹脂溜りに、プラスチック球を含むシリコンゴム系の樹脂を用いて接合されて
おり、
ＩＣ規制板は温度センサを有し、
加速度センサ素子の上面に直交する向きにおいて、温度センサが、前記樹脂溜りの１つ
と少なくとも一部で重なるように配置されていることを特徴とする。

ＩＣ規制板は最低限錘部を覆う大きさが有ればストッパー機能としての効果は得られる
し、ＩＣ規制板を小さくすることでＩＣ規制板のコストを下げることが出来る訳であるの
で、ＩＣ規制板を小さくするのは当然の流れである。しかし、本願は逆にＩＣ規制板を加
速度センサ素子より大きくし、センサ端子部と接する加速度センサ素子の辺を除いた３辺
の少なくとも一辺以上の加速度センサ素子端よりＩＣ規制板をはみ出して設けることで、
次に示すような優れた効果を奏するものである。個々の効果については次項以降で詳細に
述べるが、主な効果として、ａ）ＩＣ規制板のはみ出し部で、保護ケース内の空気の流れ
を阻害することになり温度の変化が緩慢になり、ＩＣ規制板と加速度センサ素子の温度差
を小さくすることができる。ｂ）また、加速度センサ素子とＩＣ規制板とで挟まれた内部
の空気の流れを阻害することでダンパー効果も得られ、加速度センサに過度な振動が加わ
った時に、加速度センサ素子の振幅を小さくしたり、減衰速度を上げる効果がある。ｃ）
ＩＣ規制板をはみ出させることで、ＩＣ規制板と保護ケースの間隔を狭くすることができ
るので、外部温度の変化に対して追従性が良くなる。ｄ）ＩＣ規制板をはみ出させ、はみ
出した部位にＩＣ端子Ｂを配することで、ＩＣ端子Ｂと保護ケース端子をワイヤーボンデ
ィング接続するワイヤーＢの長さを短くすることができるので、ワイヤーの取廻しによる
ワイヤー高さを低くすることができ、加速度センサの薄型化や小型化が可能となる。ｅ）
ＩＣ規制板をはみ出させることで、ＩＣ規制板の切断端から発生し易いシリコンの欠片に
よる、錘部や可撓部の動きを阻害する危険性を下げることができる。ｆ）正方平面形状の
加速度センサ素子の四隅で、ＩＣ規制板を接着するので、支持枠等への応力を均等にする
ことができ、特性が安定する。また、ＩＣ規制板に設けられた温度センサを接着部近傍に
配することができるようになり、温度補正の精度が上がる。ｇ）ＩＣ規制板を大きくする
ことができるので、集積度を下げることができＩＣ回路設計の自由度が上がるだけでなく
、放熱性の良いＩＣ規制板ができるので、ＩＣ規制板を薄くすることも可能となり加速度
センサの薄型化も図れる。

本発明の加速度センサの、加速度センサチップは、正方平面形状を有する加速度センサ
素子と長方平面形状を有するセンサ端子部が一体に形成されていることが望ましい。加速
度センサ素子の上面に直交する向きでみたときに、ＩＣ規制板のはみ出し部が保護ケース
の内壁から離れており、ＩＣ規制板の加速度センサ素子からのはみ出し量ｄ１は、加速度
センサチップの端と保護ケースの内壁との間隔ｄ２よりも小さく、ｄ１／ｄ２が０．２以
上であることが好ましい。更にｄ１／ｄ２が０．２以上且つ０．９以下であることがより
好ましい。

Ｘ，Ｙ，Ｚの３軸方向の加速度を検知する加速度センサ素子の、錘部や可撓部、支持枠
を対称位置に配することで、配置のアンバランスが起因として発生するノイズを排するこ
とができるので、加速度センサ素子は、正方平面形状とすることが好ましい。センサ端子
部は支持枠と一体化されていることが好ましい。一体化とは接着剤等で接合されているの
ではなく、加速度センサ素子とセンサ端子部は同一部材から同一工程を通して形成されて
いるものである。

加速度センサ素子の厚みに対し、センサ端子部の厚みは同等以下である必要がある。セ
ンサ端子部の厚みが厚いと、保護ケース箱の平らな底面に加速度センサチップを接着した
時、加速度センサ素子の錘部底面と保護ケース箱の底面との隙間が得られないためである
。支持枠とセンサ端子部の間に切り込みを設けたり、センサ端子部を削り込んで薄くした
り、センサ端子部の側面を傾斜させたりすることもできる。センサ端子部を削り込んだり
傾斜させたりして、極僅かでもあるが加速度センサの重量を下げることが可能となる。

本発明の加速度センサは、加速度センサチップとＩＣ規制板は、加速度センサ素子の錘
部に対称位置となる四隅に設けられた樹脂溜りに、プラスチック球を含むシリコンゴム系
の樹脂を用いて接合されていることが好ましい。プラスチック球はシリコンゴム系の樹脂
より硬い。

正方平面形状を有する加速度センサ素子の四隅でＩＣ規制板を接着することで、支持枠
や可撓部に不要な応力を与えることがないので、感度の低下やオフセット電圧の増加を最
小限にすることができる。加速度センサ素子の形状や接着位置だけでは、感度の低下やオ
フセット電圧の増加をなくすことはできない。その原因の一つとして、各部材の線熱膨張
係数の違いがある。加速度センサ素子とＩＣ規制板は３．２ｘ１０^−６（ｄｅｇ^−１）、
硬質プラスチック球は９８ｘ１０^−６（ｄｅｇ^−１）、エポキシ系樹脂は９０ｘ１０^−６
（ｄｅｇ^−１）と大きく異なっている。室温硬化のエポキシ系樹脂を用いても、硬化時の
収縮応力が残留応力として残ることは避けられない。したがって、感度の低下やオフセッ
ト電圧の増加などを生じる。また、温度が変わった場合には、当然この線熱膨張係数差に
より特性のドリフトが生じてしまう。

エポキシ系樹脂は使い勝手も良いため使いたい樹脂であるが、硬化後硬いため先に述べ
た温度変化によって支持枠や可撓部に不要な応力を与えることになる。線熱膨張係数がシ
リコンと同じ接着剤を用いれば良いわけであるが、硬質プラスチック球の線熱膨張係数ま
で合わせることは難しい。そのため、硬化しても柔らかい樹脂を用いることで、応力を吸
収することが好ましくなる。接着剤としてのシリコンゴム系樹脂は一般的にヤング率が非
常に小さいために硬化後でも柔らかく、線膨張係数差による応力などを軽減できる。特に
ヤング率が１０^−２ＧＰａより小さい場合にはその効果が大きく、線熱膨張係数が大きく
異なる材料を接着した場合でも加速度センサの特性への影響を非常に小さいものにするこ
とができるものである。

正方平面形状を有する加速度センサ素子の四隅に、樹脂溜りを設けることが好ましい。
樹脂溜りの深さは、可撓部の厚さとすることで可撓部を形成する時に樹脂溜りも同時に形
成することができるので製造工程的に好ましいものである。樹脂溜りは接着剤の接着位置
を安定化させるためであり、不要な部位への接着剤の付着を防ぐものである。特に、シリ
コンゴム系の接着剤は粘度が低く水のように流れ易いため、接着剤だけで接着面積を一定
に制御することは難しいため、樹脂溜りを設けることが有効である。シリコンゴム系の接
着剤に混練する硬質プラスチック球は重量比で約１０％とすることが好ましい。

（削除）

加速度センサ素子の一辺の両端に略同じ長さで接着剤が塗布されており、両端の接着剤
の長さの合計長を樹脂の塗布されている長さｂとしている。樹脂の塗布されている長さｂ
が小さいとＩＣ規制板との接合強度が得られなくなるので下限が決まる。上限は空気の出
入りによる温度特性の悪化が許容される範囲と、接着剤の応力を最小限にする範囲で決め
ることができる。加速度センサ素子の一辺の長さａが１．９ｍｍで０．３ｍｍ位のＩＣ規
制板はみ出し量とした時、接着強度を得るには樹脂の塗布されている長さｂを０．４５ｍ
ｍ程度とすることが好ましく、比ｃは０．２４程度となる。加速度センサ素子とＩＣ規制
板との間の空気の出入りを大きくするのが良いのか小さくするのが良いのかは一概に説明
できないが、温度補償のやり易い範囲を求めたところ、比ｃは０．７以下が良いことが確
認されている。

本発明の加速度センサの、加速度センサチップのセンサ端子とＩＣ規制板のＩＣ端子Ａ
はワイヤーＡ、保護ケース端子とＩＣ端子ＢはワイヤーＢでボンディング接続されている
ことが好ましい。

特に、保護ケース端子とＩＣ端子ＢをワイヤーＢで接続する時、ワイヤーを交差させな
いことが重要である。対向する保護ケース端子とＩＣ端子Ｂを最短距離で接続し、対向し
ていない端子をワイヤーＢで接続することは好ましくない。交差させたり接続距離を長く
すると、ワイヤー間の短絡だけでなく、ワイヤーの取廻し高さが高くなり加速度センサの
薄型化を阻害することになる。また、本発明では、加速度センサチップのセンサ端子は１
辺でのみＩＣチップの端子にワイヤボンド接続されている。これによって、加速度センサ
チップのセンサ素子部へのワイヤボンド時の応力の影響をほとんどなくすことができる。

本発明の加速度センサは、加速度センサ素子端よりＩＣ規制板がはみ出して設けられた
位置に、保護ケース端子と接続されるＩＣ端子Ｂが設けられていることが好ましい。

加速度センサ素子端よりＩＣ規制板がはみ出して設けられた位置に、保護ケース端子と
接続されるＩＣ端子Ｂを設けることで、ワイヤーＢの長さを短くすることができる。ワイ
ヤーＢの長さを短くすることができる事で、ワイヤーの取廻し高さを低くすることができ
、加速度センサの薄型化や小型化が図れるものである。

本発明の加速度センサは、ＩＣ規制板は温度センサを有し、
加速度センサ素子の上面に直交する向きにおいて、温度センサが、前記樹脂溜りの１つ
と少なくとも一部で重なるように配置されていることが望ましい。

本願のＩＣ規制板は加速度センサ素子の四隅の位置でのみ加速度センサチップに接着さ
れており、接着部位以外の部分は空間に浮かんだ状態になっている。また、ＩＣ規制板の
錘部と対向しない面の表面には、酸化シリコン（ＳｉＯ２）や窒化シリコン（ＳｉＮ）な
どの絶縁膜や、アルミニウム合金からなる配線パターンなどシリコン基板とは線熱膨張係
数の異なる材料からなる膜や処理回路、配線パターンが形成されている。そのため、環境
温度の変化などで熱応力のために、ＩＣ規制板は微妙な変形を容易に生じてしまう。特に
接着されていない部位においての変形は顕著である。本願ＩＣ規制板の設けられた処理回
路には、加速度センサの特性の一つである温度ドリフトを補正するために、温度センサも
設けている。温度センサとしては、例えば抵抗体を梯子状に組んだラダー抵抗方式があり
、ラダー抵抗体をフルブリッジ状に組んで温度検出をする。この温度センサの抵抗値は一
般的に応力によって抵抗値が変化し易いものである。そのため、温度出力が応力によって
誤差を生じることになり、加速度センさの温度特性を十分に補正しきないことになってし
まう。このような実装形態に起因する温度センサの検出誤差を最小限にするため、熱応力
によるＩＣ規制板の変形に伴う、温度センサに加わる応力変化の少ない接着部位に温度セ
ンサを配置することが望ましい。

本発明の加速度センサは、ＩＣ規制板の厚さｄが０．０６〜０．２５ｍｍの範囲内にあ
り、加速度センサチップが０．３５〜０．８５ｍｍの範囲内にあり、厚さｅの比ｆ＝ｄ／
ｅが、０．１以上０．４以下であることが好ましい。

加速度センサの用途として携帯端末機器などへの応用研究が盛んになりつつあるが、携
帯端末機器などを落下させた場合には、容易に１０００Ｇを超えるような大きな衝撃力が
加わる場合がある。この場合でも錘部がぶつかってＩＣ規制板が割れては機能を果たせな
いことになる。また、薄くすることで温度による応力で変形し易いことになり、変形する
ことで温度補償回路等の機能低下を起こすことになる。これらを防ぐために必要以上にＩ
Ｃ規制板を厚くすると、加速度センサの薄型化ができないことになり、携帯端末機器用途
などで要求される薄型化を実現できなくなる。勿論、測定する加速度範囲により錘部の重
さが異なるため、必然的にそれに合わせてＩＣ規制板の厚の適正化をする必要はある。Ｉ
Ｃ規制板の厚さｄと加速度センサチップの厚さｅの比ｆ＝ｄ／ｅを、０．１以上０．４以
下とすることで過度の加速度が加わっても、ＩＣ規制板の破損が防げ、加速度センサの薄
型化が達成できるものである。

本発明により、ａ）ＩＣ規制板のはみ出し部で、保護ケース内の空気の流れを阻害する
ことになり温度の変化が緩慢になり、ＩＣ規制板と加速度センサ素子の温度差を小さくす
ることができる。ｂ）また、保護ケース内の空気の流れを阻害することでダンパー効果も
得られ、加速度センサに過度な振動が加わった時に、加速度センサ素子の振幅を小さくし
たり、減衰速度を上げる効果がある。ｃ）ＩＣ規制板をはみ出させることで、ＩＣ規制板
と保護ケースの間隔を狭くすることができるので、外部温度の変化に対して追従性が良く
なる。ｄ）ＩＣ規制板をはみ出させ、はみ出した部位にＩＣ端子Ｂを配することで、ＩＣ
端子Ｂと保護ケース端子をワイヤーボンディング接続するワイヤーＢの長さを短くするこ
とができるので、ワイヤーの取り回しによるワイヤー高さを低くすることができ、加速度
センサの薄型化や小型化が可能となる。ｅ）ＩＣ規制板をはみ出させることで、ＩＣ規制
板の切断端から発生し易いシリコンの欠片による、錘部や可撓部の動きを阻害する危険性
を下げることができる。ｆ）正方平面形状の加速度センサ素子の四隅で、ＩＣ規制板を接
着するので、支持枠等への応力を均等にすることができ、特性が安定する。また、ＩＣ規
制板に設けられた温度センサを接着部近傍に配することができる様になり、温度補正の精
度が上がる。ｇ）ＩＣ規制板を大きくすることができるので、集積度を下げることができ
ＩＣ回路設計の自由度が上がるだけでなく、放熱性の良いＩＣ規制板ができるので、ＩＣ
規制板を薄くすることも可能となり加速度センサの薄型化も図れる。これらのことから、
加速度センサの周囲および自己温度の変化に対しても、特性への影響を最小限に抑え、小
型・薄型で高性能、低価格の加速度センサを提供することができた。

以下、本発明の実施例について、図を用いて詳細に説明する。説明を判り易くするため
、同じ部品、部位には同一の符号を用いている。

（参考例１）
参考例の加速度センサについて説明する。説明を判りやすくするため図で、従来例と同
一の部品、部位には同じ符号を用いている。図１は、参考例の加速度センサの展開斜視図
、図４は図１のｋ−ｋ’断面図である。図２は用いた加速度センサチップの斜視図で、図
３は加速度センサチップとＩＣ規制板の組立て状態を示す斜視図である。図１で加速度セ
ンサ２０は、保護ケース箱１３の内底に加速度センサチップ１５が硬質プラスチック球が
混練された接着剤（図示せず）で所定の間隔を有して固着されている。加速度センサチッ
プ１５の加速度センサ素子１０の部位にＩＣ規制板１６の３辺をはみ出させて、硬質プラ
スチック球が混練された接着剤（図示せず）で所定の間隔を有して固着されている。ＩＣ
規制板１６のＩＣ端子Ａ１７と加速度センサチップ１５のセンサ端子１８はワイヤ−Ａ１
９で電気的に接続されている。ＩＣ規制板１６のＩＣ端子Ｂ２１と保護ケース箱１３の保
護ケース端子２２はワイヤーＢ２３で電気的に接続される。保護ケース端子２２は保護ケ
ース箱内を通して外部端子２４に接続されている。保護ケース箱１３と保護ケース蓋１４
を接着剤で接着することで加速度センサ２０を得た。

図２に加速度センサチップ１５の斜視図を示す。加速度センサチップ１５は、正方平面
形状の加速度センサ素子１０と長方平面形状のセンサ端子部２５からなっている。本参考
例では、正方平面形状の加速度センサ素子１０の一辺は１．９ｍｍとした。センサ端子部
２５は０．２ｍｍとしたので、加速度センサチップ１５は２．１×１．９ｍｍの長方平面
形状となっている。加速度センサ素子１０の可撓部２の寸法は長さ５００μｍ、幅７０μ
ｍ、厚み１０μｍ、錘部１の一辺の長さは５００μｍ、支持枠３の幅は２００μｍとした
。正方平面形状の加速度センサ素子１０の四隅には、ＩＣ規制板１６を固着する接着剤を
塗布するための樹脂溜り２６を形成している。樹脂溜り２６の深さは、可撓部２を形成す
ると同時に形成したので可撓部の厚さ１０μｍと同じとしている。可撓部２には半導体ピ
エゾ抵抗素子４が形成され、配線でセンサ端子１８に繋がれている。図２では、配線の図
示は省略しているのと、センサ端子の員数は任意の数で描いている。

半導体ピエゾ抵抗素子４の製造方法を簡単に説明する。約６００μｍ厚のシリコン板に
数μｍのシリコン酸化層と１０μｍ程度のシリコン層を有するＳＯＩウェファーを使用し
た。フォトレジストでパターニングを行いシリコン層にボロンを１〜３ｘ１０^１８原子／
ｃｍ^３打ち込み半導体ピエゾ抵抗素子４を作製、半導体ピエゾ抵抗素子に接続する配線を
、金属スパッタ−、ドライエッチング装置を用いて形成した。シリコン層に可撓部２と錘
部１、支持枠３をフォトリソとドライエッチング装置を用いて形成した。シリコン酸化層
がエッチングストッパーとなるため、エッチングされるのはシリコン層のみである。半導
体ピエゾ素子面を下にしてＳＯＩウェファーをダミー基板に、熱伝導の高い金属粉末を樹
脂に混練したもの等を用いて接着した。ＳＯＩウェファーのシリコン板の約６００μｍを
ドライエッチングするには、ＳＦ_６と酸素を導入したプラズマ内で行うため、被加工物の
冷却が重要である。そのため、被加工物のＳＯＩウェファーとダミー基板の接着は重要で
ある。可撓部２と錘部１、支持枠３、センサ端子部２５が形成されたウェファーがダミー
基板に接着された状態で、ウェファーを切断機でチップに分離したのち、溶剤を用い接着
樹脂を溶かし加速度センサチップ１５をダミー基板から取り外した。

図３に、加速度センサチップとＩＣ規制板の組立て状態の斜視図を示す。加速度センサ
チップ１５の加速度センサ素子１０を覆い被せるようにＩＣ規制板１６を接着している。
接着は樹脂溜り２６に硬質プラスチック球を混練したシリコンゴム系樹脂を塗布した。Ｉ
Ｃ規制板１６は、２．６ｍｍ×２．２ｍｍとしたので、ＩＣ規制板１６の加速度センサ素
子１０からのはみ出し量は両側に０．３５ｍｍ、センサ端子１８の反対側には０．３ｍｍ
とした。ＩＣ規制板１６に設けられたＩＣ端子Ｂ２１は、はみ出し部に設けている。ＩＣ
端子Ｂ２１は１００μｍ角としている。ＩＣ端子Ｂの員数は任意の数で描いている。

図４に、図１の加速度センサのｋ−ｋ’断面を示す。保護ケース箱１３に硬質プラスチ
ック球が混練されたシリコンゴム系接着剤２８で支持枠３を固着し、隙間ｇ２を得ている
。センサ端子部２５の底面には接着剤２８は塗布しなかった。センサ端子部２５の底面に
接着剤２８を塗布することで、接着面積のばらつきにより発生する応力による感度の低下
やオフセット電圧の増加を防ぐためである。加速度センサ素子１０の樹脂溜り２６にも、
硬質プラスチック球が混練されたシリコンゴム系接着剤２８でＩＣ規制板１６を固着し、
隙間ｇ１を得ている。本参考例では、ｇ１は１０μｍ、ｇ２も１０μｍとした。

（実施例１）
図５を用いて、ＩＣ規制板１６の加速度センサ素子１０からのはみ出し量ｄ１の効果に
ついて説明する。センサ端子１８の反対側にはみ出した量は０．３ｍｍと一定として、両
側にはみ出した量ｄ１を０ｍｍ〜０．４５ｍｍまで変化させて特性を測定した。はみ出し
量ｄ１＝０ｍｍは加速度センサチップ１５の端とＩＣ規制板１６の端を一致させた状態で
ある。加速度センサチップ１５の端と保護ケース箱１３の内壁との間隔ｄ２は、０．５ｍ
ｍである。ｄ２が０．５ｍｍであるので、ｄ１を０．４５ｍｍまでとした。本実施例では
、ＩＣ規制板１６の横幅は、切断砥石の厚みを変えて、ＩＣウェファーの切り代部を最大
限に活用し、不足する場合には、隣接チップを切断して実験に供した。はみ出し量ｄ１を
大きくするとＩＣ規制板とセンサチップ間の狭ギャップからの空気の流れが阻害されるよ
うになるために、ダンピング効果が生じるようになる。その結果、機械的な共振周波数に
おける梁の変位量を低減できるため耐衝撃性向上や加速度の大きさが変化した瞬間の出力
の減衰時間を短縮できるなどの効果が得られた。

図６に、はみ出し量ｄ１を変えた時の減衰時間の評価結果を示す。横軸は、ＩＣ規制板
のはみ出し量ｄ１とセンサ素子端からパッケージ内壁までの距離ｄ２との比ｄ１／ｄ２と
した。減衰時間の測定は、可速度センサを糸で吊るし、糸を切断して自由落下させた時に
加速度が１Ｇから０Ｇに変化する時の出力を、モニターして出力がゼロになる時間を測定
した。図６より、はみ出し量ｄ１が大きくなると減衰時間が小さくなることがわかる。ｄ
１／ｄ２＝０つまり、はみ出しがない時の減衰時間が約２２ｍｓに比べ、ｄ１／ｄ２＝０
．６とＩＣ規制板を支持枠端よりはみ出させることで、減衰時間を約１４ｍｓと約４０％
短縮できることが確認できた。

また、ＩＣ規制板のはみ出し量が大きくなると空気の流れを阻害することになるため、
ＩＣ規制板と加速度センサ素子の温度差が小さくなり、温度特性の精度が向上するという
効果も得られた。本願の、ＩＣ規制板に設けられたＩＣ回路は、感度やオフセット電圧の
温度ドリフトを補正する機能を装備している。ＩＣ回路には処理回路と同時に温度センサ
も設けられ、この温度センサの出力をフィードバックして温度ドリフトを補正している。
温度ドリフトを補正する機能を正常に動作させ、補正後の特性を高精度にするためには、
ＩＣ規制板と加速度センサ素子との温度差を極力小さくすることが重要である。前述した
ように、ＩＣ規制板のはみ出し量を大きくすると空気の流れを阻害するようになり、ＩＣ
規制板と加速度センサ素子との温度差を小さくできるので、温度ドリフトを小さくできる
。

図７に、実施例１で用いた加速度センサを使ってオフセット電圧の温度ドリフトを評価
した結果を示す。図７で、温度ドリフト範囲として示している曲線の範囲に、全ての測定
値が分布しており、図の曲線は測定値の上限および下限値を繋いで範囲を表現しているも
のである。図７から判るように、支持枠端からのＩＣ規制板のはみ出し量が大きいほど、
オフセット電圧の温度ドリフトが小さくなることが判る。実装時のマウント精度も考慮す
ると、ｄ１／ｄ２は０．２以上とすることが好ましい。ｄ１／ｄ２は０．４以上とするこ
とがより好ましい。ｄ１／ｄ２を０．２以上とすることで、１００ｍｍ角のＩＣ端子Ｂを
ＩＣ規制板のはみ出し部に設けることも可能となる。ｄ１／ｄ２を大きくすることで、Ｉ
Ｃ規制板と加速度センサ素子の温度差が小さくなったのと、ＩＣ規制板と加速度センサ素
子が同じ様な温度になる速度、言い換えると温度追従性が良くなり、図７に示したように
オフセット電圧の温度ドリフトが改善されたものと考えられる。

（実施例２）
図８を用いて、ＩＣ規制板の温度センサ３０と樹脂溜り２６の位置関係による、温度補
償精度に付いて説明する。樹脂溜り２６の中心点と温度センサ３０の中心点の位置をずら
し、ずれ量（ｗ１、ｗ２）と温度補償精度の関係を測定した。ずれ量は温度センサ３０の
中心点が加速度センサ素子１０の中心に近づく方向をプラス側ｗ１、ｗ２、遠退く方向を
マイナス側ｗ１、ｗ２とした。

温度補償精度の評価として、温度センサと樹脂溜り位置をずらして組立た時の温度セン
サの出力電圧と周囲温度との関係を測定し、この結果から補正後のオフセット電圧の温度
ドリフト範囲を算出した。結果を図９に示す。オフセット電圧の温度ドリフト範囲を±２
０ｍＶと±４０、±６０ｍＶで囲ったものである。温度センサと樹脂溜り位置のずれによ
って、温度センサ出力の周囲温度に対するリニアリティが悪くなり、（例えば温度による
特性変化を直線近似で補正する場合には、）このために補正後のオフセット電圧の温度ド
リフトには調整誤差が大きく含まれ、精度が悪くなったものと考えられる。加速度センサ
のずれ量としては、オフセット電圧の温度ドリフト量が、±２０ｍＶ以内に入る±１００
μｍ以内が好ましい。

（参考例２）
図１０を用いて、加速度センサ素子１０とＩＣ規制板１６を接着する樹脂の領域の長さ
ｂと、加速度センサ素子の一辺の長さａの比ｃ＝ｂ／ａとオフセット電圧の温度ドリフト
の関係に付いて説明する。本参考例で用いた加速度センサ素子１０の一辺の長さａは１．
９ｍｍとしたので、接着領域の長さｂを変化させて比ｃを、０．０２から１．０まで変化
させた。樹脂溜りの寸法は変えずに接着剤をはみ出させる様に塗布した。比ｃが１．０は
加速度センサ素子１０とＩＣ規制板１６を完全に接着した状態である。

ＩＣ規制板をはみ出させることで、ＩＣ規制板と加速度センサ素子との温度差を小さく
出来、その結果補正後のオフセット電圧の温度ドリフトを低減できることを実施例１等で
述べた。これと同じ効果が、ＩＣ規制板と加速度センサ素子を接着する樹脂の、接着長さ
によっても得られる。図１１に、接着樹脂の長さを変えた加速度センサを作製して、オフ
セット電圧の温度ドリフトを測定した結果を示す。図１１で、温度ドリフト範囲として示
している曲線の範囲に、全ての測定値が分布しており、図の曲線は測定値の上限および下
限値を繋いで範囲を表現しているものである。横軸は、上記した接着樹脂の長さｂと加速
度センサ素子の１辺の長さの比ｃ＝ｂ／ａとした。ｂ／ａが大きくなると接着樹脂の応力
が大きく影響してくるため、オフセット電圧の温度ドリフトは悪くなってくる。また、ｂ
／ａが極端に小さくなると逆に、空気の流れが良くなってくるために温度差が大きくなり
、逆に補正後の温度ドリフトが悪くなると同時に、接着樹脂面積が小さくなると耐衝撃性
が低下する。本結果から比ｃ＝ｂ／ａは、０．２から０．７の範囲が良いことが確認でき
た。

（実施例３）
図１２を用いて、ＩＣ端子Ｂの位置とワイヤーＢの取廻し高さｈの関係に付いて説明す
る。ＩＣ端子Ｂ２１の中心位置が加速度センサ素子の支持枠３の端部と一致した位置を基
準として、ＩＣ端子Ｂが保護ケース箱１３の内壁に近づく方向をプラス側、遠退く方向を
マイナス側として、プラス側に０．５ｍｍ、マイナス側に０．２ｍｍ変化させた。ワイヤ
ーＢ２３の取廻し高さｈは、ＩＣ端子Ｂ２１の表面からワイヤーＢ２３の上面までの距離
を、拡大投影機を用いて測定した。用いたワイヤーＢの径は４０μｍである。

ＩＣ端子Ｂの位置とワイヤーＢの取廻し高さｈとの関係を図１３に示す。プラス方向、
つまり保護ケース箱の内壁に近づけるほどワイヤーの取廻し高さは低く出来る。プラス側
０．５ｍｍにずらすと、ワイヤーの取廻し高さｈは約０．１２ｍｍまで低くすることが出
来た。逆に、マイナス側に０．２ｍｍずらすと、取廻し高さｈは約０．５ｍｍにもなる。
ＩＣ規制板を加速度センサ素子の支持枠端よりはみ出させて、そのはみ出し部分にＩＣ端
子Ｂを設けることで、ワイヤーＢの取廻し高さを低くでき、その分保護ケース蓋の内部高
さを低くすることができ、保護ケース全体の厚さ言い換えると加速度センサの薄型化に効
果がある。しかし、あまり短いワイヤ−Ｂにすると、逆にＩＣ規制板の端部と保護ケース
側の接続端子が近すぎると作業効率が落ちるなどの問題が出てきた。ＩＣ端子Ｂと保護ケ
ース箱の内壁の間隔を、０．２ｍｍ以上とすることで、作業効率を落さずにワイヤ−ボン
ディングができることも判った。

（実施例４）
図１４を用いて、ＩＣ規制板を加速度センサ素子より大きくし、ＩＣ規制板をはみ出さ
せるように構成することで、ＩＣ規制板の切断端から発生し易いシリコンの欠片による、
錘部や可撓部の動きを阻害する危険性を下げることができることに付いて説明する。ＩＣ
規制板は、シリコンウェファーをダイヤモンド砥石等で切断して各片としている。シリコ
ン単結晶は硬く劈開性を有するため、欠け３１が出易いものである。完全に欠けてしまえ
ば良いのであるが、ルーズチップと言われる不完全な欠けが問題である。不完全な欠けは
僅かな外力で脱落する危険性があり、脱落してしまった欠片が加速度センサ素子の特に錘
部や可撓部とＩＣ規制板との間に入ってしまうと、正確な加速度を測定できなくなってし
まう。図１４ａ）に示す参考例１のＩＣ規制板をはみ出させた加速度センサ１０００個と
、図１４ｂ）に示す、ＩＣ規制板を略１／３幅にした加速度センサ１０００個作製した。
１０ｃｍ厚みの板に１ｍの高さから１０回落下させた後に検出加速度範囲の１．３倍の大
きさである４Ｇの加速度を加えて、正常な測定値が得られるか否かを参考例１のＩＣ規制
板をはみ出させた加速度センサについては行った。ＩＣ規制板を略１／３幅にした加速度
センサは、ＩＣ規制板が回路として働かないため分解して、ＩＣ規制板と錘部の間に挟ま
っている欠片の大きさを実測し、欠片の大きさから正常な測定値が得られる加速度センサ
か否か判断した。

図１４ａ）に示す参考例１のＩＣ規制板をはみ出させた加速度センサは、１０００個全
て正常な値を示した。図１４ｂ）に示す幅の狭いＩＣ規制板を用いた加速度センサは、分
解調査でＩＣ規制板と錘部間に欠片が挟まったものが７個見つかった。７個の欠片の大き
さを測定し、図４に示した隙間ｇ１の値との比を求めた。欠片の高さをｇ１の５０％以下
、５０〜８０％、８１〜１００％で分類したところ、５０％以下が５個、５０〜８０％、
８１〜１００％が各１個であった。模擬的にｇ１を狭めた加速度センサの結果から８１〜
１００％に分類され加速度センサは、加速度の測定上限が下がってしまうので正常でない
と判断した。５０〜８０％に分類される加速度センサは正常か異常か灰色領域であるが、
今回は異常と判断した。そのため、ＩＣ規制板の大きさを図１４ｂ）のように小さくする
と、約０．２％の不具合発生の危険があることが判った。図１４ａ）に示す参考例１のＩ
Ｃ規制板をはみ出させた加速度センサは、ＩＣ規制板の不完全な欠けに対して信頼性が高
いことが確認できた。

（参考例３）
図１５を用いて、ＩＣ規制板の厚さｄと加速度センサチップの厚さｅの関係に付いて述
べる。過度の加速度が加わって、錘部１がＩＣ規制板１６にぶつかってＩＣ規制板が割れ
ては機能を果たせないことになる。また、薄くすることで温度による応力で変形し易いこ
とになり、変形することで温度補償回路等の機能低下を起こすことになる。これらを防ぐ
ために必要以上にＩＣ規制板を厚くすると、加速度センサの薄型化ができないことになる
。測定する加速度範囲により錘部の重さが異なり、必然的にそれに合わせてＩＣ規制板の
厚みを適正化する必要がある。ＩＣ規制板の厚みを０．０６ｍｍ〜０．２５ｍｍまで変化
させ、加速度センサ素子の厚みを０．３５ｍｍ〜０．８５ｍｍまで変化させた。加速度セ
ンサ素子の厚みを変えると、錘部の質量が変化するので錘部の幅ｗを変えて質量を一定と
した。質量を一定とするために可撓部の長さを変化させたため、加速度センサ素子の感度
は一定となっていない。そのため、感度の違いについては無視して評価している。

ＩＣ規制板の厚さｄと加速度センサ素子の厚さｅの違うものを組合せ、比ｆ＝ｄ／ｅを
０．０７〜０．７１まで変化させた。振子式衝撃試験機に加速度センサのＸ，Ｙ，Ｚ軸に
当る面の表裏で順次取り付け（６回取り付けて試験したことになる）各面に３回衝撃を印
加後、正常な測定値が得られたものはＩＣ規制板が破損していないと判断した。印加した
衝撃値は約６０００Ｇである。ＩＣ規制板や加速度センサ素子は、薄くすることで温度に
よる応力で変形し易いことになり、変形することで温度補償回路等の機能低下を起こすこ
とになる。そのため、加速度センサを室温と６０℃にした状態で、温度補償回路の機能を
測定し室温と６０℃での差が少ない比ｆを求めた。ＩＣ規制板の厚さｄと加速度センサチ
ップの厚さｅの比ｆ＝ｄ／ｅを、０．１以上０．４以下とすることで過度の加速度が加わ
っても、ＩＣ規制板の破損が防げ、温度補償回路の機能低下も起こさず、加速度センサの
薄型化が達成できた。ＩＣ規制板の機能を損なわない薄さにすることで、ＩＣ規制板の温
度センサと加速度センサ素子の温度差を小さくでき、温度補償回路の機能を低下させずに
済んだものと考えられる。

（実施例５）
図１６ａ）からｄ）に、加速度センサチップとＩＣ規制板の接合方法の他の実施例を示
す。図１６ａ）は、加速度センサチップ１５の両端からＩＣ規制板１６をはみ出させたも
のである。図１６ｂ）は、加速度センサチップの片端からとセンサ端子１８と反対側にＩ
Ｃ規制板をはみ出させたものである。図１６ｃ）は、センサ端子と反対側にのみＩＣ規制
板をはみ出させたものである。図１６ｄ）は、加速度センサチップの片端からのみＩＣ規
制板をはみ出させたものである。何れも、ＩＣ端子Ｂ２１はＩＣ規制板のはみ出し部に設
けられている。ＩＣ端子部の員数は任意の数で描いている。何れの加速度センサチップと
ＩＣ規制板の組合せにおいても、ＩＣ規制板を加速度センサ素子の支持枠端からはみ出さ
せることで、詳細は略すが前述して来た効果は、程度の差はあるが得られた。

（参考例４）
図１７ａ）からｃ）に、センサ端子部の下部形状の他の実施例を示す。加速度センサチ
ップの支持枠下面は保護ケース箱１３の内底と所定の隙間を保ち、接着剤で固着される。
接着剤の応力による特性の変化を最小限にするため、支持枠３の所定の位置以外に接着剤
を塗布しないことが好ましい。接着剤の位置を制御し易くするため、図１７ａ）に示すよ
うに支持枠とセンサ端子部間に切り込み３２を入れたり、ｂ）に示すようにセンサ端子部
に段差３３を設けたり、ｃ）に示すようにセンサ端子部の側面を傾斜面３４としたもので
ある。

参考例１で示したセンサ端子部下面と支持枠下面を同一面にしたものに比べ、接着剤の
制御は容易であることが確認できた。しかし、加速度センサ素子の上面の接着剤に比べ下
面の接着剤の影響は無視できる程度であることも確認できたので、何れの形状も採用する
ことができることが確認できた。図１７ａ）からｃ）に示すように、センサ端子部の一部
を切り欠くことで、極僅かであるが軽量化に効果がある。センサ端子部の一部を切り欠く
工数によるコスト上昇分と比較して、センサ端子部の一部を切り欠くか否かを決めること
ができる。

参考例１の加速度センサの展開斜視図である。参考例１の加速度センサチップの斜視図である。参考例１の加速度センサチップとＩＣ規制板の組立て状態を示す斜視図である。参考例１の加速度センサのｋ−ｋ’断面図である。実施例１の保護ケースと加速度センサチップ、ＩＣ規制板の関係を示す図である。実施例１のはみ出し量と減衰時間の関係図である。実施例１のはみ出し量とオフセット電圧の温度ドリフトの関係図である。実施例２のＩＣ規制板の温度センサと樹脂溜りの位置関係を示す図である。実施例２の温度センサと樹脂溜り位置とオフセット電圧の温度ドリフトの関係図である。参考例２の加速度センサ素子とＩＣ規制板を接着する樹脂の領域を説明する図である。参考例２の接着樹脂領域とオフセット電圧の温度ドリフトの関係図である。実施例３のＩＣ端子Ｂ位置とワイヤーＢ取廻し高さｈを示す図である。実施例３のＩＣ端子Ｂ位置とワイヤーＢ取廻し高さｈの関係を示す図である。実施例４のＩＣ規制板と加速度センサ素子の大きさ関係を説明する図である。参考例３のＩＣ規制板の厚さｄと加速度センサチップの厚さｅの関係を示す図である。実施例５の加速度センサチップとＩＣ規制板の他の接合方法を示す図である。参考例４のセンサ端子部の他の下部形状を示す図である。従来の加速度センサ素子の斜視図である。従来の加速度センサの錘部の動き規制方法を説明する断面図である。従来の加速度センサの錘部の動き規制方法を説明する断面図である。

符号の説明

１錘部、２可撓部、３支持枠、４半導体ピエゾ抵抗素子、５端子、
６センサチップ、７上部ストッパー基板、８下部ストッパー基板、９接着剤、
１０加速度センサ素子、１１ＩＣチップ、１２接着剤、１３保護ケース箱、
１４保護ケース蓋、１５加速度センサチップ、１６ＩＣ規制板、
１７ＩＣ端子Ａ、１８センサ端子、１９ワイヤーＡ、２０加速度センサ、
２１ＩＣ端子Ｂ、２２保護ケース端子、２３ワイヤーＢ、２４外部端子、
２５センサ端子部、２６樹脂溜り、２８接着剤、２９樹脂、３０温度センサ、
３１欠け、３２切り込み、３３段差、３４傾斜面。

以上

Claims

支持枠と支持枠に可撓部を介して保持される錘部、可撓部に設けられた半導体ピエゾ抵
抗素子と配線よりなる加速度センサ素子とセンサ端子部からなる加速度センサチップと、
保護ケースと、加速度センサ素子の錘部上方で錘部の動きを規制するＩＣ規制板とを備
える加速度センサであって、
保護ケースは保護ケース蓋と保護ケース箱を接合して構成され、保護ケース箱の凹部に
は加速度センサチップが配置され、前記凹部は底面と内壁で構成され、保護ケース箱及び
保護ケース蓋に囲われた空間の中にＩＣ規制板を有し、
前記空間には空気が満たされており、
加速度センサチップは、支持枠の下面で保護ケースに設けられており、支持枠の上面に
ＩＣ規制板を設けており、
センサ端子部と接する加速度センサ素子の１辺を除いた３辺の少なくとも１辺以上の支
持枠端より、前記空間内にＩＣ規制板がはみ出して設けられており、
ＩＣ規制板のはみ出し部が保護ケースの内壁から離れており、
加速度センサチップとＩＣ規制板は、加速度センサ素子の錘部に対称位置となる四隅に
設けられた樹脂溜りに、プラスチック球を含むシリコンゴム系の樹脂を用いて接合されて
おり、
ＩＣ規制板は温度センサを有し、
加速度センサ素子の上面に直交する向きにおいて、温度センサが、前記樹脂溜りの１つ
と少なくとも一部で重なるように配置されていることを特徴とする加速度センサ。
加速度センサ素子の上面に直交する向きでみたときに、ＩＣ規制板のはみ出し部が保護
ケースの内壁から離れており、ＩＣ規制板の加速度センサ素子からのはみ出し量ｄ１は、
加速度センサチップの端と保護ケースの内壁との間隔ｄ２よりも小さく、ｄ１／ｄ２が０
．２以上且つ０．９以下であることを特徴とする請求項１に記載の加速度センサ。
加速度センサチップは正方形状を有する加速度センサ素子と長方形状を有するセンサ端
子部が一体に形成されており、加速度センサチップのセンサ端子とＩＣ規制板のＩＣ端子
ＡはワイヤーＡ、保護ケース端子とＩＣ端子ＢはワイヤーＢでボンディング接続されてい
ることを特徴とする請求項１または２のいずれかに記載の加速度センサ。
加速度センサチップは正方形状を有する加速度センサ素子と長方形状を有するセンサ端
子部が一体に形成されており、加速度センサ素子端よりＩＣ規制板がはみ出して設けられ
た位置に、保護ケース端子と接続されるＩＣ端子が設けられていることを特徴とする請求
項１ないし３のいずれかに記載の加速度センサ。