JPH04274005A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
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- JPH04274005A JPH04274005A JP3490591A JP3490591A JPH04274005A JP H04274005 A JPH04274005 A JP H04274005A JP 3490591 A JP3490591 A JP 3490591A JP 3490591 A JP3490591 A JP 3490591A JP H04274005 A JPH04274005 A JP H04274005A
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- JP
- Japan
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- sensor chip
- stoppers
- semiconductor acceleration
- acceleration sensor
- sensor
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- Pending
Links
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Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体加速度センサに関
し、特に両もちのおもり部を有する半導体加速度センサ
に関する。
し、特に両もちのおもり部を有する半導体加速度センサ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体加速度センサは、
移動体等に用いられている。
移動体等に用いられている。
【０００３】図３はかかる従来の一例を示す半導体加速
度センサの断面図である。図３に示すように、従来のセ
ンサはおもり部２と両もちのはり部３を形成するために
溝部７を形成したセンサチップ１の上下にストッパ４，
５を接着している。これらのストッパ４，５はおもり部
２の過大振幅によるはり部３の破壊を防ぐために、おも
り部２と極めて微少な間隙８，９を形成する。このため
、ストッパ４，５は必要とされる間隙８，９の厚さだけ
センサチップ１に接着する面から掘り下げる加工が施さ
れる。また、接着にあたっては、接着の厚さを出来る限
り薄くする必要から、静電接着・金−シリコン共晶接合
・金−金拡散接合等が用いられている。これらストッパ
４，５の材質としては、パイレックスガラスやシリコン
板等が用いられる。
度センサの断面図である。図３に示すように、従来のセ
ンサはおもり部２と両もちのはり部３を形成するために
溝部７を形成したセンサチップ１の上下にストッパ４，
５を接着している。これらのストッパ４，５はおもり部
２の過大振幅によるはり部３の破壊を防ぐために、おも
り部２と極めて微少な間隙８，９を形成する。このため
、ストッパ４，５は必要とされる間隙８，９の厚さだけ
センサチップ１に接着する面から掘り下げる加工が施さ
れる。また、接着にあたっては、接着の厚さを出来る限
り薄くする必要から、静電接着・金−シリコン共晶接合
・金−金拡散接合等が用いられている。これらストッパ
４，５の材質としては、パイレックスガラスやシリコン
板等が用いられる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来の半導体
加速度センサは、ストッパ自体におもり部との間隙を確
保するための加工が必要になるという欠点があり、また
金−シリコン共晶接合・金−金拡散接合にあたっては接
着のための金パターンの形成も必要になる等の欠点があ
る。
加速度センサは、ストッパ自体におもり部との間隙を確
保するための加工が必要になるという欠点があり、また
金−シリコン共晶接合・金−金拡散接合にあたっては接
着のための金パターンの形成も必要になる等の欠点があ
る。
【０００５】本発明の目的は、かかるセンサチップを挟
むストッパの加工を簡略化し、また接着のための加工を
不要にする半導体加速度センサを提供することにある。
むストッパの加工を簡略化し、また接着のための加工を
不要にする半導体加速度センサを提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体加速度セ
ンサーは、半導体基板に３次元加工を施して両もちのは
り部とおもり部とを形成してなるセンサチップと、前記
センサチップのおもり部の過振動による破壊を防止する
ために前記センサチップの上下に設けた２つのストッパ
と、前記センサチップおよび前記２つのストッパ間を接
着するための直径が均一な球状微粒子および接着剤の混
合物からなる接着部とを有して構成される。
ンサーは、半導体基板に３次元加工を施して両もちのは
り部とおもり部とを形成してなるセンサチップと、前記
センサチップのおもり部の過振動による破壊を防止する
ために前記センサチップの上下に設けた２つのストッパ
と、前記センサチップおよび前記２つのストッパ間を接
着するための直径が均一な球状微粒子および接着剤の混
合物からなる接着部とを有して構成される。
【０００７】
【実施例】次に、本発明の実施例について図面を用いて
説明する。
説明する。
【０００８】図１は本発明の一実施例を示す半導体加速
度センサの断面図である。図１に示すように、本実施例
はおもり部２と両もちのはり部３を形成し且つおもり部
２の周囲に溝部７を形成したセンサチップ１を有する。 このセンサチップ１の上部及び下部には、それぞれスト
ッパ４，５が接着される。このストッパ４，５はセンサ
チップ１のおもり部２が震動により必要以上に変位し、
はり部３の破壊を防止するために設けられている。これ
らストッパ４，５とセンサチップ１を接着する接着部６
は均一な直径の球状微粒子を接着剤に混合した物により
形成される。これにより、ストッパ４，５およびセンサ
チップ１間には、一定の間隙８，９（例えば、１０〜２
０μｍ）が形成され、センサチップ１のおもり部２がこ
の間隙以上に変位することを防止している。
度センサの断面図である。図１に示すように、本実施例
はおもり部２と両もちのはり部３を形成し且つおもり部
２の周囲に溝部７を形成したセンサチップ１を有する。 このセンサチップ１の上部及び下部には、それぞれスト
ッパ４，５が接着される。このストッパ４，５はセンサ
チップ１のおもり部２が震動により必要以上に変位し、
はり部３の破壊を防止するために設けられている。これ
らストッパ４，５とセンサチップ１を接着する接着部６
は均一な直径の球状微粒子を接着剤に混合した物により
形成される。これにより、ストッパ４，５およびセンサ
チップ１間には、一定の間隙８，９（例えば、１０〜２
０μｍ）が形成され、センサチップ１のおもり部２がこ
の間隙以上に変位することを防止している。
【０００９】図２は図１に示す接着部の拡大図である。
図２に示すように、ここではセンサチップ１と下側のス
トッパ５を接着する接着部６を示す。特に、空隙８，９
を規制する間隙の大きさは、接着部６の接着剤１１とと
もに用いられる球状微粒子１０の直径により決定される
。ここに用いられる球状微粒子１０は、硬質プラスチッ
プ微粒子で直径５〜２０μｍで均一なものを用いる。
トッパ５を接着する接着部６を示す。特に、空隙８，９
を規制する間隙の大きさは、接着部６の接着剤１１とと
もに用いられる球状微粒子１０の直径により決定される
。ここに用いられる球状微粒子１０は、硬質プラスチッ
プ微粒子で直径５〜２０μｍで均一なものを用いる。
【００１０】図３は図１に示すセンサチップの上面図で
ある。図３に示すように、本実施例のセンサチップ１は
ピエゾ抵抗型半導体加速度センサーであり、はり部３の
上に拡散プロセスにより形成される。すなわち、はり部
３のたわみを検出するためのゲージ抵抗１２が４本形成
され、ブリッジ回路を構成するために、４本のゲージ抵
抗１２間が接続され且つパッド１３と接続されている。 かかるピエゾ抵抗型の半導体加速度センサの他にも、シ
リコンを３次元加工することにより、はり部３とおもり
部２を形成してもよい。
ある。図３に示すように、本実施例のセンサチップ１は
ピエゾ抵抗型半導体加速度センサーであり、はり部３の
上に拡散プロセスにより形成される。すなわち、はり部
３のたわみを検出するためのゲージ抵抗１２が４本形成
され、ブリッジ回路を構成するために、４本のゲージ抵
抗１２間が接続され且つパッド１３と接続されている。 かかるピエゾ抵抗型の半導体加速度センサの他にも、シ
リコンを３次元加工することにより、はり部３とおもり
部２を形成してもよい。
【００１１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体加
速度センサは、ストッパ自体におもり部との間隙を形成
するための加工を不要にするだけでなく、センサチップ
との接着のための加工を加える必要をなくし、安価に製
造できるという効果がある。
速度センサは、ストッパ自体におもり部との間隙を形成
するための加工を不要にするだけでなく、センサチップ
との接着のための加工を加える必要をなくし、安価に製
造できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施例を示す半導体加速度センサの
断面図である。
断面図である。
【図２】図１に示す接着部の拡大図である。
【図３】図１に示すセンサチップの上面図である。
【図４】従来の一例を示す半導体加速度センサの断面図
である。
である。
１ センサチップ
２ おもり部
３ はり部
４，５ ストッパ
６ 接着部
７ 溝部
８，９ 空隙
１０ 球状微粒子
１１ 接着剤
１２ ゲージ抵抗
１３ パッド
Claims (3)
- 【請求項１】 半導体基板に３次元加工を施して両も
ちのはり部とおもり部とを形成してなるセンサチップと
、前記センサチップのおもり部の過振動による破壊を防
止するために前記センサチップの上下に設けた２つのス
トッパと、前記センサチップおよび前記２つのストッパ
間を接着するための直径が均一な球状微粒子および接着
剤の混合物からなる接着部とを有することを特徴とする
半導体加速度センサ。 - 【請求項２】 前記センサチップは表面に複数のゲー
ジ抵抗からなる抵抗列を複数組配置していることを特徴
とする請求項１記載の半導体加速度センサ。 - 【請求項３】 前記球状微粒子は硬質プラスチック微
粒子を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体加
速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3490591A JPH04274005A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3490591A JPH04274005A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04274005A true JPH04274005A (ja) | 1992-09-30 |
Family
ID=12427207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3490591A Pending JPH04274005A (ja) | 1991-03-01 | 1991-03-01 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04274005A (ja) |
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483106A (en) * | 1993-07-30 | 1996-01-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device for sensing strain on a substrate |
| US5895853A (en) * | 1995-02-23 | 1999-04-20 | Nec Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
| US6448624B1 (en) | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
| US6892578B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-05-17 | Hitachi Metals Ltd. | Acceleration sensor |
| US6892579B2 (en) | 2002-12-19 | 2005-05-17 | Hitachi Metals, Ltd | Acceleration sensor |
| US7111514B2 (en) | 2003-09-16 | 2006-09-26 | Hitachi Metals, Ltd. | Acceleration sensor |
| JP2006317181A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 加速度センサ |
| JP2006317180A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 加速度センサ |
| JP2006329840A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Toyama Prefecture | ハイブリッドセンサ部品 |
| JP2007069320A (ja) * | 2005-09-08 | 2007-03-22 | Sony Corp | 機能素子およびその製造方法 |
| US7331230B2 (en) | 2003-12-24 | 2008-02-19 | Hitachi Metals, Ltd. | Semiconductor-type three-axis acceleration sensor |
| US7562575B2 (en) | 2005-08-05 | 2009-07-21 | Hitachi Metals, Ltd. | Impact-resistant acceleration sensor |
| US7716984B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-05-18 | Hitachi Metal Ltd. | Acceleration sensor device having piezo-resistors measuring acceleration |
| CN107271724A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-10-20 | 中北大学 | 单片集成的压阻式三轴加速度计及制备方法 |
-
1991
- 1991-03-01 JP JP3490591A patent/JPH04274005A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5483106A (en) * | 1993-07-30 | 1996-01-09 | Nippondenso Co., Ltd. | Semiconductor device for sensing strain on a substrate |
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| CN100351631C (zh) * | 2002-11-29 | 2007-11-28 | 日立金属株式会社 | 加速度传感器 |
| US6892578B2 (en) | 2002-11-29 | 2005-05-17 | Hitachi Metals Ltd. | Acceleration sensor |
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| US7716984B2 (en) | 2004-11-08 | 2010-05-18 | Hitachi Metal Ltd. | Acceleration sensor device having piezo-resistors measuring acceleration |
| JP2006317181A (ja) * | 2005-05-10 | 2006-11-24 | Matsushita Electric Works Ltd | 加速度センサ |
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| CN107271724A (zh) * | 2017-05-18 | 2017-10-20 | 中北大学 | 单片集成的压阻式三轴加速度计及制备方法 |
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