JPH08122358A - 半導体加速度センサ - Google Patents
半導体加速度センサInfo
- Publication number
- JPH08122358A JPH08122358A JP25700794A JP25700794A JPH08122358A JP H08122358 A JPH08122358 A JP H08122358A JP 25700794 A JP25700794 A JP 25700794A JP 25700794 A JP25700794 A JP 25700794A JP H08122358 A JPH08122358 A JP H08122358A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- stoppers
- sensor chip
- adhesive
- acceleration sensor
- semiconductor acceleration
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 センサチップとストッパとの隙間を精度よく
一定値とする。 【構成】 おもり部１１が肉薄のはり部１２で枠状支持
部１３内に支持されてセンサチップ１４が構成され、セ
ンサチップ１４の両面にストッパ１５，１６が接着剤層
２４で接着される。接着剤層２４は接着剤２１にグラス
ファイバよりなる円柱状微細物２５が混入され、センサ
チップ１４とストッパ１５，１６との隙間１９，２０が
円柱状微細物２５の直径と一致させられている。
一定値とする。 【構成】 おもり部１１が肉薄のはり部１２で枠状支持
部１３内に支持されてセンサチップ１４が構成され、セ
ンサチップ１４の両面にストッパ１５，１６が接着剤層
２４で接着される。接着剤層２４は接着剤２１にグラス
ファイバよりなる円柱状微細物２５が混入され、センサ
チップ１４とストッパ１５，１６との隙間１９，２０が
円柱状微細物２５の直径と一致させられている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は単結晶シリコンよりな
り、おもり部をはり部で支持部に支持したセンサチップ
と、そのセンサチップの両側に接着剤にて接着され、上
記おもり部の過振動によるはり部の破壊を防止する第
１、第２ストッパとよりなる半導体加速度センサ。
り、おもり部をはり部で支持部に支持したセンサチップ
と、そのセンサチップの両側に接着剤にて接着され、上
記おもり部の過振動によるはり部の破壊を防止する第
１、第２ストッパとよりなる半導体加速度センサ。
【０００２】
【従来の技術】図２Ａ、Ｂに従来の半導体加速度センサ
を示す。おもり部１１は肉薄のはり部１２により支持部
１３に支持される。この例では支持部１３は方形枠状を
しており、その内部に方形おもり部１１が各辺を互いに
ほぼ平行として位置し、おもり部１１の一対の対向辺の
各両端からはり部１２が支持部１３の対向辺に連結され
ている。はり部１２は肉薄とされ、支持部１３がその枠
面と垂直な加速度を受けるとおもり部１１が支持部１３
に対して変位する。おもり部１１、はり部１２、支持部
１３は単結晶シリコン基板に対して選択エッチングがな
されて、センサチップ１４として形成される、この際は
り部１２は薄くされ、かつおもり部１１、はり部１２、
及び支持部１３の一面は同一平面上に位置し、おもり部
１１及び支持部１３の他面は他の同一平面上に位置して
いる。
を示す。おもり部１１は肉薄のはり部１２により支持部
１３に支持される。この例では支持部１３は方形枠状を
しており、その内部に方形おもり部１１が各辺を互いに
ほぼ平行として位置し、おもり部１１の一対の対向辺の
各両端からはり部１２が支持部１３の対向辺に連結され
ている。はり部１２は肉薄とされ、支持部１３がその枠
面と垂直な加速度を受けるとおもり部１１が支持部１３
に対して変位する。おもり部１１、はり部１２、支持部
１３は単結晶シリコン基板に対して選択エッチングがな
されて、センサチップ１４として形成される、この際は
り部１２は薄くされ、かつおもり部１１、はり部１２、
及び支持部１３の一面は同一平面上に位置し、おもり部
１１及び支持部１３の他面は他の同一平面上に位置して
いる。
【０００３】この支持部１３の両面は、板状ストッパ１
５，１６が取付けられ、おもり部１１が過度に変位して
はり部１２が破損しないようにされている。この場合、
おもり部１１とストッパ１５，１６との間に隙間１７，
１８を設けるため、ストッパ１５，１６の各内面に浅い
凹部１９，２０が形成されている。このような凹部１
９，２０を形成する加工を省略し、より簡単に加速度セ
ンサを作成するために、従来において、図２Ｃに一部を
示すように、支持部１３にストッパ１５，１６をそれぞ
れ接着する接着剤２１に球状微粒子２２を混合し、この
微粒子２２により隙間１９，２０が生じるようにされた
ものがある。
５，１６が取付けられ、おもり部１１が過度に変位して
はり部１２が破損しないようにされている。この場合、
おもり部１１とストッパ１５，１６との間に隙間１７，
１８を設けるため、ストッパ１５，１６の各内面に浅い
凹部１９，２０が形成されている。このような凹部１
９，２０を形成する加工を省略し、より簡単に加速度セ
ンサを作成するために、従来において、図２Ｃに一部を
示すように、支持部１３にストッパ１５，１６をそれぞ
れ接着する接着剤２１に球状微粒子２２を混合し、この
微粒子２２により隙間１９，２０が生じるようにされた
ものがある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】接着剤２１にスペーサ
内微粒子２２を混入した場合は、ストッパ１５，１６に
凹部を加工する処理を必要としないが、支持部１３及び
ストッパ１５，１６と球状微粒子２２との各接触はそれ
ぞれ点接触となる。このため、隙間１９，２０が一定値
になるようにするには、支持部１３に対するスペーサ１
５，１６の押し付けをある程度以上強くする必要があ
り、この荷重が球状微粒子２２の支持部１３、ストッパ
１５，１６の各接触する１点に集中し、球状微粒子２２
が変形し易い。一方、球状微粒子２２が変形することな
く、丁度一点で支持部１３、ストッパ１５，１６に接触
させるようにすることは困難であり、このため隙間１
９，２０を常に一定値にすることは難しかった。
内微粒子２２を混入した場合は、ストッパ１５，１６に
凹部を加工する処理を必要としないが、支持部１３及び
ストッパ１５，１６と球状微粒子２２との各接触はそれ
ぞれ点接触となる。このため、隙間１９，２０が一定値
になるようにするには、支持部１３に対するスペーサ１
５，１６の押し付けをある程度以上強くする必要があ
り、この荷重が球状微粒子２２の支持部１３、ストッパ
１５，１６の各接触する１点に集中し、球状微粒子２２
が変形し易い。一方、球状微粒子２２が変形することな
く、丁度一点で支持部１３、ストッパ１５，１６に接触
させるようにすることは困難であり、このため隙間１
９，２０を常に一定値にすることは難しかった。
【０００５】この問題を軽減するため、球状微粒子２２
の接着剤２１内の密度を大とすると、製造価格が高くな
り、かつ接着強度が劣化する。
の接着剤２１内の密度を大とすると、製造価格が高くな
り、かつ接着強度が劣化する。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明によればおもり
部を支持する支持部の両面に対し、それぞれストッパを
接着する接着剤に、直径が均一な円柱状微細物が混入さ
れ、その円柱状微細物の直径により、センサチップと各
ストッパとの隙間が規定される。
部を支持する支持部の両面に対し、それぞれストッパを
接着する接着剤に、直径が均一な円柱状微細物が混入さ
れ、その円柱状微細物の直径により、センサチップと各
ストッパとの隙間が規定される。
【０００７】
【実施例】図１にこの発明の実施例を示し、図２と対応
する部分に同一符号を付けてある。この発明では支持部
１３（センサチップ１４）とストッパ１５，１６とを接
着する接着剤層２４によりおもり部１１とストッパ１
５，１６との各隙間１９，２０の大きさが規定される。
接着剤層２４は図１Ｂに示すように接着剤２１内に円柱
状微細物２５が混入されたものである。接着剤２１は従
来と同様に例えばエポキシ樹脂系のものであり、その直
径を例えば２０μｍ程度とされ円柱状微細物２５は均一
の直径をもち、長さが直径の５倍以上程度とされ、例え
ば直径が２０μｍ、長さが１００μｍ以上のグラスファ
イバが用いられる。円柱状微細物２５としてはエポキシ
系樹脂でもよい。更にこのような円柱状微細物２５は１
ｍｍ立方当り接着剤２１中に２０〜３０個程度あればよ
い。
する部分に同一符号を付けてある。この発明では支持部
１３（センサチップ１４）とストッパ１５，１６とを接
着する接着剤層２４によりおもり部１１とストッパ１
５，１６との各隙間１９，２０の大きさが規定される。
接着剤層２４は図１Ｂに示すように接着剤２１内に円柱
状微細物２５が混入されたものである。接着剤２１は従
来と同様に例えばエポキシ樹脂系のものであり、その直
径を例えば２０μｍ程度とされ円柱状微細物２５は均一
の直径をもち、長さが直径の５倍以上程度とされ、例え
ば直径が２０μｍ、長さが１００μｍ以上のグラスファ
イバが用いられる。円柱状微細物２５としてはエポキシ
系樹脂でもよい。更にこのような円柱状微細物２５は１
ｍｍ立方当り接着剤２１中に２０〜３０個程度あればよ
い。
【０００８】
【発明の効果】以上述べたようにこの発明によれば円柱
状微細物が混入された接着剤にてストッパ１５，１６が
センサチップに接着され、円柱状微細物２５の直径によ
りおもり部１１とストッパ１５，１６との各隙間が決定
される。よってストッパ１５，１６に浅い凹部を形成す
る処理を必要とせず、しかも円柱状微細物２５と支持部
１３、ストッパ１５，１６とはそれぞれ点ではなく線接
触となり、接着時にストッパ１５，１６を支持部１３に
押し付けた際に、その力が微細物２５の線状接触個所に
集中し、点状接触個所に集中する場合よりも円柱状微細
物２５は変形し難く、円柱状微細物２５の直径で決る隙
間１９，２０を簡単に得ることができる。
状微細物が混入された接着剤にてストッパ１５，１６が
センサチップに接着され、円柱状微細物２５の直径によ
りおもり部１１とストッパ１５，１６との各隙間が決定
される。よってストッパ１５，１６に浅い凹部を形成す
る処理を必要とせず、しかも円柱状微細物２５と支持部
１３、ストッパ１５，１６とはそれぞれ点ではなく線接
触となり、接着時にストッパ１５，１６を支持部１３に
押し付けた際に、その力が微細物２５の線状接触個所に
集中し、点状接触個所に集中する場合よりも円柱状微細
物２５は変形し難く、円柱状微細物２５の直径で決る隙
間１９，２０を簡単に得ることができる。
【０００９】また円柱状微細物２５の長さを直径を４倍
程度以上とすることにより、接着層２４内の円柱状微細
物２５の軸心がほぼ同一面上に位置し、隙間１９，２０
を精度よく、所定値とすることができる。更に円柱状微
細物２５はセンサチップ１４、ストッパ１５，１６と接
触するため、従来の球状微粒子２２を接着剤２１に混入
する場合よりも、その混入率を１／３〜１／６程度、つ
まり１立方ミリ中に２０〜３０個と少なくすることがで
き、それだけ接着剤２１の量が多くなり、支持部１３と
ストッパ１５，１６との各接着強度が大となる。
程度以上とすることにより、接着層２４内の円柱状微細
物２５の軸心がほぼ同一面上に位置し、隙間１９，２０
を精度よく、所定値とすることができる。更に円柱状微
細物２５はセンサチップ１４、ストッパ１５，１６と接
触するため、従来の球状微粒子２２を接着剤２１に混入
する場合よりも、その混入率を１／３〜１／６程度、つ
まり１立方ミリ中に２０〜３０個と少なくすることがで
き、それだけ接着剤２１の量が多くなり、支持部１３と
ストッパ１５，１６との各接着強度が大となる。
【図１】Ａはこの発明の実施例を示す断面図、Ｂはその
接着剤層２４の部分の拡大断面図である。
接着剤層２４の部分の拡大断面図である。
【図２】Ａは従来の半導体加速度センサの断面図、Ｂそ
の平面図、Ｃは接着剤でセンサチップとストッパとの隙
間を規定する従来の加速度センサにおける接着剤層部分
の拡大断面図である。
の平面図、Ｃは接着剤でセンサチップとストッパとの隙
間を規定する従来の加速度センサにおける接着剤層部分
の拡大断面図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 単結晶シリコンよりなり、おもり部をは
り部で支持部に支持したセンサチップと、上記おもり部
の過振動による破壊を防止する、上記センサチップの両
面に接着剤にて接着された第１、第２ストッパとよりな
る半導体加速度センサにおいて、 上記接着剤には直径が均一な円柱状微細物が混入され、
その円柱状微細物の直径により、上記センサチップと第
１、第２ストッパとの隙間が規定されていることを特徴
とする半導体加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25700794A JPH08122358A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25700794A JPH08122358A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08122358A true JPH08122358A (ja) | 1996-05-17 |
Family
ID=17300433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25700794A Withdrawn JPH08122358A (ja) | 1994-10-21 | 1994-10-21 | 半導体加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08122358A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11344506A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 半導体加速度センサ |
| US6448624B1 (en) | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
| KR100461787B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2004-12-14 | 학교법인 포항공과대학교 | Ｍｅｍｓ 기술을 이용한 가속도센서 및 그 제조방법 |
| JP2007043017A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体センサ装置 |
-
1994
- 1994-10-21 JP JP25700794A patent/JPH08122358A/ja not_active Withdrawn
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6448624B1 (en) | 1996-08-09 | 2002-09-10 | Denso Corporation | Semiconductor acceleration sensor |
| DE19734530B4 (de) * | 1996-08-09 | 2008-04-24 | Denso Corp., Kariya | Halbleiterbeschleunigungssensor |
| JPH11344506A (ja) * | 1998-06-03 | 1999-12-14 | Japan Aviation Electronics Ind Ltd | 半導体加速度センサ |
| KR100461787B1 (ko) * | 2002-04-10 | 2004-12-14 | 학교법인 포항공과대학교 | Ｍｅｍｓ 기술을 이용한 가속도센서 및 그 제조방법 |
| JP2007043017A (ja) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Murata Mfg Co Ltd | 半導体センサ装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020115 |