JP2020151829A - Ｍｅｍｓパッケージ、ｍｅｍｓマイクロフォンおよびｍｅｍｓパッケージの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】薄膜フィルタの強度および薄膜フィルタの接着強度が高められているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンおよびＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳパッケージ１は、ＭＥＭＳチップ１０と、ＭＥＭＳチップ１０が固着されているパッケージ基板２０とを有する。ＭＥＭＳパッケージ１は、パッケージ基板２０またはＭＥＭＳチップ１０に接着されている薄膜フィルタ５を有し、その薄膜フィルタ５は、フィルム面と裏フィルム面とを有する薄膜部を有し、その薄膜部のパッケージ基板２０またはＭＥＭＳチップ１０に接着されている接着領域に、フィルム面から裏フィルム面まで貫通する貫通孔が形成されている。【選択図】図１

Description

本発明は、マイクロフォンやセンサ等として用いられるＭＥＭＳチップがパッケージ基板上に実装されているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳパッケージを有するＭＥＭＳマイクロフォンおよびＭＥＭＳパッケージの製造方法に関する。

従来、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）と呼ばれる微細なデバイスが知られている。ＭＥＭＳはシリコン等からなる基板(素子基板ともいう)上に微細な可動素子や電子回路が集積されたデバイスである。ＭＥＭＳの全体がチップ状に形成されているため、本発明において、以下、ＭＥＭＳはＭＥＭＳチップともいう。ＭＥＭＳチップは、マイクロフォン、センサ、アクチュエータ等として利用されている。

例えば、マイクロフォンとして利用されるＭＥＭＳチップは、薄膜であるメンブレンと、そのメンブレンの近くに配置された１つまたは２つの薄膜からなる電極とを有し、メンブレンが配置される凹部が形成された構造を有している。静電容量型マイクロフォンとして利用されるＭＥＭＳチップでは、音圧に応じたメンブレンの変位が電極間の静電容量の変位として検出される。そのため、静電容量型マイクロフォンとして利用されるＭＥＭＳチップは、可変コンデンサの原理で作動する。

そして、ＭＥＭＳチップがパッケージ基板上に実装されているＭＥＭＳパッケージに関して、従来、次のような２つの構造が知られていた。１つは、ＦＣＢ（Flip Chip Bonding）によって、ＭＥＭＳチップがパッケージ基板上に実装される構造（例えば、特許文献１参照）であり、もう１つは、ワイヤボンディング（Wire Bonding）によって、ＭＥＭＳチップがパッケージ基板上に実装される構造（例えば、特許文献２参照）である。

従来、静電容量型マイクロフォンとして利用されるＭＥＭＳでは、外部から進入した微粒子に起因する次のＡ），Ｂ）の課題があった。Ａ）微粒子がメンブレンに当たり、そのことによってメンブレンが傷つく、Ｂ）微粒子が電極の間に入り込み、そのことによって可変コンデンサの機能が低下する。そのため、従来、微粒子の進入を防ぐ薄膜（微粒子フィルタ）が音孔に形成されているマイクロフォンモジュールが知られていた（例えば、特許文献３参照）。また、フィルムが装着されることによって、実装工程等におけるダストの進入が防止されるマイクロフォンユニットも知られていた（例えば、特許文献２参照）。

特開２００７−１８４３４１号公報 特開２０１２−３９２７２号公報 米国特許９５６５４８８号明細書 特開２０１５−１９９０６９号公報 特開２０１７−２２１８８７号公報

ところで、従来、微小穿孔が形成されているフィルムが知られている。例えば、特許文献４に開示されているポリマーフィルム、特許文献５に開示されている加工フィルムが知られている。これら従来のポリマーフィルムや加工フィルムがＭＥＭＳにおいて、微粒子、水の進入を防止するフィルタとして利用されることも可能である。

しかし、従来のポリマーフィルムや加工フィルムは、非常に厚さが薄い薄膜状に形成されているため、フィルムそのものの強度が低い。また、この種の薄膜状のフィルムがフィルタとして利用されるためには、そのフィルムがＭＥＭＳパッケージに接着等によって実装される必要がある。その場合でも、フィルムが薄膜状に形成されていることにより、接着等に関わっている部分の強度が低く、剥離等のおそれがある。

この点、膜厚が大きくされることでフィルムの強度が高められるから、膜厚が大きくされたフィルムに微小穿孔が形成され、その微小穿孔フィルムがフィルタとして利用されることが望ましい。

しかし、微小穿孔フィルムの膜厚が大きくされると、その微小穿孔フィルムが厚さの拡大に伴い、空気の振動が大きく妨げられる。すると、ＭＥＭＳパッケージがマイクロフォンとして利用される場合には、マイクロフォンの感度や、ＳＮＲ(Signal-to-Noise Ratio)等のマイク特性が大きく低下する。

そこで、本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、微粒子や水の進入を防止するための微小穿孔が形成されている薄膜状フィルム（薄膜フィルタ）の強度および薄膜フィルタの接着強度が高められているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンおよびＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は、ＭＥＭＳチップと、そのＭＥＭＳチップが固着されているパッケージ基板とを有するＭＥＭＳパッケージであって、そのＭＥＭＳパッケージは、パッケージ基板またはＭＥＭＳチップに接着されている薄膜フィルタを有し、その薄膜フィルタは、フィルム面と、そのフィルム面の裏側に配置されている裏フィルム面とを有する薄膜部を有し、その薄膜部のパッケージ基板またはＭＥＭＳチップに接着されている接着領域に、フィルム面から裏フィルム面まで貫通する貫通孔が形成されているＭＥＭＳパッケージを特徴とする。

上記ＭＥＭＳパッケージの場合、薄膜フィルタの接着に用いられているフィルタ接着層が貫通孔に入り込んだ接着層進入構造を有することが好ましい。

さらに、フィルタ接着層が薄膜部の接着領域および貫通孔の内壁面に接着されていることが好ましい。

また、フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が貫通孔の内側に形成されていることが好ましい。

さらに、薄膜部の接着領域以外のフィルタ領域にも貫通孔が形成され、接着領域に形成されている貫通孔およびフィルタ領域に形成されている貫通孔の双方の内側に、フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が形成されているようにすることができる。

さらに、筋状部は、貫通孔の内壁面よりも凹んだ凹部またはその内壁面よりも突出した凸部として形成され、フィルタ接着層は、筋状部が凹部として形成されているときには凹部に入り込み、筋状部が凸部として形成されているときには凸部の内壁面よりも突出している突出面に接触しているようにすることもできる。

貫通孔が平面視円形に形成され、薄膜フィルタは、貫通孔をそれぞれ複数有する第１の貫通孔群および第２の貫通孔群を有し、その第１の貫通孔群は、薄膜部の周端部との間隔が第１の間隔に設定されている第１の貫通孔を有し、かつ複数のその貫通孔が直線上に等間隔で配置され、その第２の貫通孔群は、周端部との間隔が第１の間隔と異なる第２の間隔に設定されている第２の貫通孔を有し、かつ複数の該貫通孔が直線上に等間隔で配置され、第１の貫通孔群によって形成される第１のラインと、第２の貫通孔群によって形成される第２のラインとが交互に配置されているようにすることもできる。

筋状部が貫通孔の内壁面のほぼ全体に配置されているようにすることもできる。

また、筋状部が薄膜部の厚さであるフィルム厚の８０％よりも大きい長さに形成されているようにすることもできる。

そして、本発明は、ＭＥＭＳパッケージと、そのＭＥＭＳパッケージを包み込んでいるキャップとを有するＭＥＭＳマイクロフォンであって、そのＭＥＭＳパッケージは、ＭＥＭＳチップと、そのＭＥＭＳチップが固着されているパッケージ基板と、そのパッケージ基板またはＭＥＭＳチップに接着されている薄膜フィルタを有し、その薄膜フィルタは、フィルム面と、そのフィルム面の裏側に配置されている裏フィルム面とを有する薄膜部を有し、その薄膜部のパッケージ基板またはＭＥＭＳチップに接着されている接着領域に、フィルム面から裏フィルム面まで貫通する貫通孔が形成されているＭＥＭＳマイクロフォンを提供する。

また、本発明は、ＭＥＭＳチップと、そのＭＥＭＳチップが固着されるパッケージ基板とを用いてＭＥＭＳパッケージが製造されるＭＥＭＳパッケージの製造方法であって、パッケージ基板が製造されるパッケージ領域が複数形成されているパッケージパネルの表面に接着剤からなるフィルタ接着層を形成するフィルタ接着層形成工程と、剥離可能な剥離接着層がベース基板に形成される剥離接着層形成工程と、その剥離接着層上に薄膜フィルタが形成される薄膜フィルタ形成工程とが実行されることによって製造されている薄膜フィルタ基板について、その薄膜フィルタ基板の剥離接着層から薄膜フィルタが剥離される薄膜フィルタ剥離工程と、その薄膜フィルタ剥離工程によって剥離された薄膜フィルタがパッケージパネルに転写される薄膜フィルタ転写工程とを有し、薄膜フィルタ形成工程は、薄膜フィルタの形成に用いられる樹脂層を貫通する貫通孔が、その樹脂層のパッケージ基板に接着される予定の接着予定領域に形成される貫通孔形成工程を有し、薄膜フィルタ転写工程は、接着予定領域がフィルタ接着層に重ねられた後、そのフィルタ接着層の一部が貫通孔に入り込むようにすることによって、薄膜フィルタがパッケージ領域に接着されるＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供する。

さらに、薄膜フィルタ形成工程は、薄膜フィルタが形成される複数の個別領域が各パッケージ領域に応じた配置で形成されているフィルタ層が剥離接着層上に形成されるようにすることができる。

さらに、本発明は、ＭＥＭＳチップと、そのＭＥＭＳチップが固着されるパッケージ基板とを用いてＭＥＭＳパッケージが製造されるＭＥＭＳパッケージの製造方法であって、剥離可能な剥離接着層がベース基板に形成される剥離接着層形成工程と、剥離接着層上に薄膜フィルタが形成される薄膜フィルタ形成工程とが実行されることによって製造されている薄膜フィルタ基板について、その薄膜フィルタ基板の表面に接着剤からなるフィルタ接着層が形成されることによって、接着層付フィルタ基板が製造される接着層付フィルタ基板製造工程と、ＭＥＭＳチップが製造されるＭＥＭＳ領域が複数形成されているＭＥＭＳ基板と、接着層付フィルタ基板とが重なった重合基板が製造される基板重合工程と、その重合基板が加熱されて、重合基板から剥離接着層とベース基板とが剥離されることによって、薄膜フィルタがＭＥＭＳウェハに転写される薄膜フィルタ転写工程とを有し、薄膜フィルタ形成工程は、薄膜フィルタの形成に用いられる樹脂層を貫通する貫通孔が、その樹脂層のＭＥＭＳチップに接着される予定の接着予定領域に形成される貫通孔形成工程を有し、接着予定領域にフィルタ接着層が形成された後、そのフィルタ接着層の一部が貫通孔に入り込むようにする進入工程を更に有するＭＥＭＳパッケージの製造方法を提供する。

上記ＭＥＭＳパッケージの製造方法の場合、薄膜フィルタ形成工程は、薄膜フィルタが形成される複数の個別領域がＭＥＭＳ領域に応じた配置で形成されているフィルタ層が剥離接着層上に形成されるようにすることができる。

また、上記ＭＥＭＳパッケージの製造方法の場合、貫通孔形成工程は、薄膜フィルタの接着予定領域以外のフィルタ予定領域にも貫通孔が形成されるように実行されることができる。

上記ＭＥＭＳパッケージの製造方法の場合、貫通孔形成工程は、フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が貫通孔の内側に形成されるように実行されるようにすることができる。

また、薄膜フィルタ形成工程は、樹脂層の表面に金属層が形成される金属層形成工程と、複数の孔部が形成されているレジストパターンがその金属層に形成されるレジストパターン形成工程と、そのレジストパターンがマスクに用いられて複数の孔部に応じた対応孔部が金属層に形成されることによって、金属パターンが形成される金属パターン形成工程とを更に有し、貫通孔形成工程は、筋付内壁面が形成されるように、その金属パターンをマスクに用いた反応性イオンエッチングが実行されるようにすることができる。

以上詳述したように、本発明によれば、微粒子や水の進入を防止するための微小穿孔が形成されている薄膜状フィルム（薄膜フィルタ）の強度および薄膜フィルタの接着強度が高められているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンおよびＭＥＭＳパッケージの製造方法が得られる。

本発明の実施の形態に係るＭＥＭＳマイクロフォンの図３における１−１線に対応した部分の断面図である。 図１の要部を拡大して示した断面図である。 ＭＥＭＳマイクロフォンのキャップを外して示した要部の平面図である。 図１のＭＥＭＳマイクロフォンが有する薄膜フィルタの要部を拡大した平面図である。 同じく、薄膜フィルタの複数の貫通孔を含む部分の平面図である。 図４の６−６線に対応した部分の断面図である。 同じく、薄膜フィルタの要部を更に拡大した平面図である。 図７の８−８線の切断面を示す斜視図である。 薄膜フィルタおよびその接着構造の要部を拡大して示した断面図である。 薄膜フィルタおよびその接着構造の要部を示す平面図である。 図１０の要部を拡大し、一部省略した平面図である。 薄膜フィルタが接着される音孔の周辺部分を拡大して示した平面図である。 接着領域に配置されている薄膜フィルタの要部を更に拡大した平面図である。 図１３の１４−１４線の切断面を示す斜視図である。 （ａ）は筋状部の要部を示す斜視図、（ｂ）は接着貫通孔の筋状部の要部を示す斜視図である。 変形例１に係る薄膜フィルタの要部を拡大した平面図である。 同じく、薄膜フィルタの代表貫通孔を含む部分の平面図である。 変形例２に係る薄膜フィルタの要部を拡大した平面図である。 同じく、薄膜フィルタの要部を更に拡大した平面図である。 図１９の２０−２０線の切断面を示す斜視図である。 変形例３に係る薄膜フィルタの図６に応じた断面図である。 （ａ）は変形例４に係る薄膜フィルタの図８に応じた斜視図、（ｂ）は同じく、薄膜フィルタの接着貫通孔の要部を示す一部省略した平面図である。 パッケージパネルを示す斜視図である。 薄膜フィルタ基板を示す斜視図である。 フィルタ接着層形成工程を示す要部の断面図である。 （ａ）は剥離接着層形成工程を示す要部の断面図、（ｂ）は薄膜フィルタ形成工程を示す要部の断面図である。 （ａ）は図２６（ｂ）の後続の工程を示す要部の断面図、（ｂ）は図２７（ａ）の後続の工程を示す要部の断面図である。 薄膜フィルタ基板の一例を示す断面図である。 フィルタ接着層形成工程の別の要部を示す断面図である。 薄膜フィルタ剥離工程を示す要部の断面図である。 薄膜フィルタ転写工程を示す断面図である。 チップ付きパネルを示す斜視図である。 変形例にかかるＭＥＭＳマイクロフォンの図１に対応した断面図である。 ＭＥＭＳウェハを示す斜視図である。 薄膜フィルタ基板を示す斜視図である。 薄膜フィルタ基板の要部を示す断面図である。 接着層付フィルタ基板製造工程を示す要部の断面図である。 基板重合工程を示す要部の断面図である。 薄膜フィルタ転写工程を示す要部の断面図である。 図３９の後続の工程を示す要部の断面図である。 変形例１に係るＭＥＭＳパッケージを有するＭＥＭＳマイクロフォンを示す図１に対応した断面図である。 同じく、ＭＥＭＳマイクロフォンを示す図２に対応した断面図である。 変形例２に係るＭＥＭＳパッケージを有するＭＥＭＳマイクロフォンを示す図１に対応した断面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、同一要素には同一符号を用い、重複する説明は省略する。

第1の実施の形態
（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの構造）
まず、図１〜図３を参照して、本発明の実施の形態に係るＭＥＭＳパッケージ１と、ＭＥＭＳマイクロフォン１００の構造について説明する。ここで、図１は本発明の第１の実施の形態に係るＭＥＭＳマイクロフォン１００の図３における１−１線に対応した部分の断面図、図２は図１の要部を拡大して示した断面図である。図３はＭＥＭＳマイクロフォン１００のキャップ９９を外して示した要部の平面図である。

図１に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン１００は、ＭＥＭＳパッケージ１と、キャップ９９とを有している。

ＭＥＭＳパッケージ１は、ＭＥＭＳチップ１０と、ＭＥＭＳチップ１０が固着されているパッケージ基板２０と、ボンディングバンプ４と、薄膜フィルタ５と、音響シールド６とを有している。また、ＭＥＭＳパッケージ１は、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）パッケージ９１を有している。ＭＥＭＳパッケージ１では、ＭＥＭＳチップ１０とＡＳＩＣ９２とがＦＣＢ（Flip Chip Bonding）によってパッケージ基板２０に実装されている。

ＭＥＭＳチップ１０は、可動素子としてのメンブレン３が形成されている素子基板２２を有している。ＭＥＭＳチップ１０は、静電容量型マイクロフォンとして利用される。素子基板２２は図３に示すような平面視矩形状に形成されている基板（側面２２ｄを有する基板）であり、シリコン（silicon）を用いて形成されている。素子基板２２の中央に孔部２２ｃが形成されている。孔部２２ｃは、素子基板２２の基板面２２ｂ（素子基板２２の外側の面）から対向面２２ａ（素子基板２２のパッケージ基板２０に対向する面）に向かう円筒状に形成されていて、対向面２２ａ側にメンブレン３が形成されている。なお、メンブレン３の上側と下側にバックプレートと呼ばれる２つの薄膜（図示せず）が配置されている。

メンブレン３は、概ね円形状に形成されている振動膜であって、ＳｉＯ_２，ＳｉＮ等の無機金属からなる薄膜である。

ボンディングバンプ４は、はんだからなるはんだバンプである。図２に示すように、各ボンディングバンプ４がそれぞれ４つの角部２Ｄ、２Ｅ，２Ｆ，２Ｇの近傍に配置されている。

ボンディングバンプ４は、図１に示すように、ＭＥＭＳチップ１０とパッケージ基板２０の双方に固着されている。すなわち、ボンディングバンプ４は対向面２２ａに形成されている電極パッド７と、パッケージ基板２０のパッケージ面２０ａ（パッケージ基板２０のＭＥＭＳチップ１０側の表面）に形成されている電極パッド２１の双方にそれぞれ固着されている。ボンディングバンプ４は、ＭＥＭＳチップ１０とパッケージ基板２０とを電気的にかつ固定的に接続している。

ＭＥＭＳマイクロフォン１００では、後に詳述する薄膜フィルタ５が、パッケージ基板２０に対して、後述する音孔（サウンドホール）２０ｂを塞ぐように接着されている。薄膜フィルタ５は、後述する薄膜フィルタ基板１９を用いて形成されている。薄膜フィルタ５は、図３に示すように、矩形の四隅を欠落させた変形矩形状に形成されている。

音響シールド６は、シリコーン樹脂などからなり、ＭＥＭＳチップ１０を囲むようにして、ＭＥＭＳチップ１０とパッケージ基板２０との間に形成されている。

パッケージ基板２０は、シリコンやセラミックなどからなる板材（またはPCB(プリント基板; Printed Circuit Board ）)である。パッケージ基板２０のパッケージ面２０ａに電極パッド２１と、電極パッド１２とが形成されている。パッケージ面２０ａの電極パッド２１が形成されている部分にＭＥＭＳチップ１０が搭載され、電極パッド１２が形成されている部分にＡＳＩＣパッケージ９１が搭載されている。また、パッケージ基板２０のＭＥＭＳチップ１０が搭載されている部分に音孔２０ｂが形成されている。音孔２０ｂは、パッケージ面２０ａからその反対側の底面２０ｃまで貫通している。

ＡＳＩＣパッケージ９１は、ＡＳＩＣ９２と、ボンディングバンプ９３とを有している。ＡＳＩＣ９２は、例えばＭＥＭＳチップ１０の出力信号を増幅する集積回路（ＭＥＭＳチップ１０における静電容量の変位を電圧の変位として取り出す集積回路）である。ＡＳＩＣ９２の下側に電極パッド１４が形成されている。その電極パッド１４と、パッケージ面２０ａの電極パッド１２とがボンディングバンプ９３によって接続されている。ＡＳＩＣ９２は、パッケージ基板２０に実装されている。

キャップ９９は、ＭＥＭＳパッケージ１を覆っており、図示しない接着剤によって(またははんだ付けにて)、パッケージ面２０ａに固着されている。キャップ９９と、パッケージ基板２０とによって空隙９９Ａが確保されていて、その空隙９９ＡにＭＥＭＳパッケージ１が収められている。

（薄膜フィルタ）
続いて、図４〜図８、図１５（ａ）を参照して、薄膜フィルタ５について説明する。ここで、図４は薄膜フィルタ５の要部を拡大した平面図、図５は薄膜フィルタ５の複数の貫通孔１５を含む部分の平面図、図６は図４の６−６線に対応した部分の断面図である。図７は薄膜フィルタ５の要部を更に大した平面図、図８は図７の８−８線の切断面を示す斜視図である。図１５（ａ）は、筋状部の要部を示す斜視図である。

薄膜フィルタ５は、微粒子や水の進入防止に用いられるフィルタである。薄膜フィルタ５は、図４に示すように、ポリアミド(polyamide)またはポリイミドフィルムを用いて形成されている薄膜部１６を有している。また、複数の貫通孔１５が薄膜部１６に形成され、図７、８に示す筋付内壁面３８がその各貫通孔１５に形成されている。

薄膜部１６は、図６に示すように、片側表面であるフィルム面１６ａと、フィルム面１６ａの裏側に配置されている裏フィルム面１６ｂとを有している。複数の貫通孔１５がその薄膜部１６に規則的で均一な配置で形成されている。図４、図５、図７では、そのフィルム面１６ａにドットが付されている。

各貫通孔１５は、図６に示すように、フィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまで貫通している孔部である。フィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまで貫通孔１５の大きさ（直径）が一定である。隣接している貫通孔１５の間隔も一定の大きさで形成されている。

また、各貫通孔１５が平面視円形に形成されている。その直径（図６のＲ）はおよそ２μｍから６μｍ程度である。また、薄膜フィルタ５の膜厚（図６のＴで、薄膜部１６の厚さであるフィルム厚に相当する）がおよそ１μｍから６μｍ程度である。

そして、図４に詳しく示すように、薄膜フィルタ５は、第１の貫通孔群１５Ａおよび第２の貫通孔群１５Ｂを有している。第１の貫通孔群１５Ａには、第１の貫通孔１５Ａ１と、貫通孔１５Ａ２，１５Ａ３・・・貫通孔１５Ａｎとを含む複数の貫通孔１５が含まれている。第１の貫通孔１５Ａ１は、薄膜部１６の周端部１６ｅとの間隔が第１の間隔ｄ１に設定され、かつ第１の貫通孔群１５Ａに含まれる貫通孔１５の中で周端部１６ｅに最も近い位置に配置されている。第１の貫通孔１５Ａ１、貫通孔１５Ａ２、１５Ａ３・・・１５Ａｎは、周端部１６ｅと直交上に交差する方向に沿って直線上に等間隔で配置されて、第１のラインＬ１を形成している。

第２の貫通孔群１５Ｂには、第２の貫通孔１５Ｂ１と、貫通孔１５Ｂ２と、貫通孔１５Ｂｎとを含む複数の貫通孔１５が含まれている。第２の貫通孔１５Ｂ１は、周端部１６ｅとの間隔が第１の間隔ｄ１よりも大きい第２の間隔ｄ２に設定され、かつ第２の貫通孔群１５Ｂに含まれる貫通孔１５の中で周端部１６ｅに最も近い位置に配置されている。第２の貫通孔１５Ｂ１、貫通孔１５Ｂ２・・・１５Ｂｎは、周端部１６ｅと直交上に交差する方向に沿って直線上に等間隔で配置されて、第２のラインＬ２を形成している。

また、薄膜フィルタ５では、第１のラインＬ１と第２のラインＬ２とが交互に配置されている。

さらに、薄膜フィルタ５は、第１の貫通孔群１５Ａ１に含まれる隣接する貫通孔１５（例えば、図４では、貫通孔１５Ａ２、貫通孔１５Ａ３）の中心の間に、第２の貫通孔群１５Ｂに含まれる貫通孔１５（例えば、図４の貫通孔１５Ｂ２）の中心が配置されるように形成されている。

貫通孔１５は空気の通り道となるが、隣接する貫通孔１５の間の部分（図４、図５、図７では、ドットが付されている部分）は薄膜部１６であるため、空気の通り道にならない。

薄膜フィルタ５の場合は、図５に示すように、代表貫通孔として、３つの隣接する貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃが考慮される。貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃの中心はａ０，ｂ０，ｃ０であるが、これらを頂点とする三角形（図５の三角形ＡＢＣ）は貫通孔１５の配置の規則性から、正三角形である。また、薄膜フィルタ５は、薄膜部１６における貫通孔１５の配置密度ができるだけ高くなるように形成されている。薄膜フィルタ５は、隣接する３つの貫通孔１５の間に別の貫通孔１５が形成され得ないように（例えば、貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃの間に別の貫通孔１５が形成され得ないように）、隣接する貫通孔１５の間隔が狭められている（このような構造を貫通孔の高密度構造ともいう）。

そして、薄膜フィルタ５は、図７、図８に示すように、筋付内壁面３８が各貫通孔１５の内側に形成されている。筋付内壁面３８は複数の筋状部３７を有している。複数の筋状部３７が貫通孔１５の内壁面のほぼ全体に配置され、筋付内壁面３８は貫通孔１５の内壁面のほぼ全体に形成されている。貫通孔１５の内壁面に滑らかな部分が残らないように、筋状部３７が隙間なく形成されている。

筋状部３７は、フィルム面１６ａと交差する交差方向、すなわち、フィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまでを最短距離で結ぶ方向（図８のｄ７、ｄ８で示す方向）に沿って形成されている。

各筋状部３７は、貫通孔１５の内壁面に交差方向に沿って概ね直線状に形成された凸部または凹部である。各筋状部３７がすべて凸部でもよいし、すべて凹部でもよい。各筋状部３７に凸部と凹部とが混在してもよい。

図１５（ａ）には、筋状部３７が交差方向に沿った凹部として描かれている。図１５（ａ）の筋状部３７は、第１の筋状部３７ａと、第１の筋状部３７ａよりも幅の広い第２の筋状部３７ｂとを有している。各筋状部３７は、フィルム厚Ｔの８０％よりも大きい長さに形成されている。筋状部３７の長さ３７Ｌがフィルム厚Ｔの８０％よりも大きい大きさを有している。図１５（ａ）に示されている筋状部３７のように、各筋状部３７の長さが共通でもよい。各筋状部３７の長さが相違していてもよい（図示せず）。

（薄膜フィルタ５の接着構造）
次に、図９〜図１４、図１５（ｂ）を参照して、薄膜フィルタ５の接着構造について説明する。ここで、図９は薄膜フィルタ５およびその接着構造の要部を拡大して示した断面図である。図１０は薄膜フィルタ５およびその接着構造の要部を示す平面図、図１１は図１０の要部を更に拡大し、一部省略した平面図、図１２は薄膜フィルタ５が接着される音孔２０ｂの周辺部分を拡大して示した平面図である。図１３は接着領域に配置されている薄膜フィルタの要部を更に拡大した平面図である。図１４は図１３の１４−１４線の切断面を示す斜視図である。図１５（ｂ）は接着貫通孔の筋状部の要部を示す斜視図である。

薄膜フィルタ５は、図９に示すように、パッケージ面２０ａのうちの音孔２０ｂの周辺部分（音孔周辺部ともいう）２０ｂｂに、音孔２０ｂを塞ぐようにして接着されている。また、図１２に示すように、後述する感光性接着層６１が音孔周辺部２０ｂｂに形成されており、薄膜フィルタ５がその感光性接着層６１によって、音孔周辺部２０ｂｂに接着されている。感光性接着層６１は、音孔２０ｂよりも若干大きい大きさの孔部６１ａが形成された孔あき構造を有している。

そして、図１０，１１に示すように、薄膜フィルタ５の薄膜部１６において、音孔周辺部２０ｂｂに接着されている部分が接着領域１６Ｘ、薄膜部１６の接着領域１６Ｘ以外の部分がフィルタ領域１６Ｙである。接着領域１６Ｘは、感光性接着層６１によって、音孔周辺部２０ｂｂに接着されているから、濾過機能を有していない。これに対し、フィルタ領域１６Ｙは、音孔２０ｂを跨ぐようにして配置されているため、濾過機能を有している。

また、薄膜フィルタ５では、フィルタ領域１６Ｙだけでなく、接着領域１６Ｘにも、貫通孔１５が複数形成されている。フィルタ領域１６Ｙに形成されている貫通孔１５がフィルタ貫通孔１５Ｙである。接着領域１６Ｘに形成されている貫通孔１５が接着貫通孔１５Ｘである。図１０、１１において、ハッチングが付されていない貫通孔１５がフィルタ貫通孔１５Ｙ、ハッチングが付されている貫通孔１５が接着貫通孔１５Ｘである。

フィルタ貫通孔１５Ｙ、接着貫通孔１５Ｘは、薄膜部１６のフィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまで貫通している孔部である。しかしながら、図９、図１３、図１４に示すように、感光性接着層６１を用いた接着によって、接着貫通孔１５Ｘには（接着貫通孔１５Ｘの音孔周辺部２０ｂｂ側の一部分に）、その感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして入り込んでいる。感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして接着貫通孔１５Ｘに入り込んでいる構造が本発明における接着層進入構造である。この接着層進入構造により、接着貫通孔１５Ｘは、音孔周辺部２０ｂｂ上で閉鎖されている。

また、感光性接着層６１が接着貫通孔１５Ｘに入り込んでいるため、感光性接着層６１の進入部６１ｄが接着貫通孔１５Ｘの内壁面（前述した筋付内壁面３８であり、この点、以下詳しく説明する）に接着されている。このように、接着貫通孔１５Ｘによって、薄膜フィルタ５のパッケージ面２０ａへの接着強度（接着力）が向上している。なお、感光性接着層６１は、薄膜フィルタ５の接着に用いられているため、本発明におけるフィルタ接着層に相当する。感光性接着層６１は、感光性接着剤を用いて形成される。そのほか、感光性接着層６１の代わりに、ポリイミド系接着剤やエポキシ樹脂系接着剤を用いた接着層がフィルタ接着層として形成されることもできる。この点は後に詳述する。

前述した筋状部３７，筋付内壁面３８がフィルタ貫通孔１５Ｙ、接着貫通孔１５Ｘの双方に形成されている。図１３，１４に示すように、接着貫通孔１５Ｘにおいて、感光性接着層６１の進入部６１ｄが筋付内壁面３８に接着されている。筋付内壁面３８において、筋状部３７は凹部として形成されている。そのため、図１５（ｂ）に示すように、進入部６１ｄが筋状部３７の中に（筋状部３７ａ，３７ｂの凹んだ曲面部分３７ａｄ，３７ｂｄに）入り込み、曲面部分３７ａｄ，３７ｂｄに接着されている。図１５（ｂ）に示すように、貫通孔１５（フィルタ貫通孔１５Ｙ、接着貫通孔１５Ｘ）の筋付内壁面３８が無い滑らかな内壁面１５ｄｄよりも、進入部６１ｄが曲面部分３７ａｄ，３７ｂｄに入り込んでいるため、進入部６１ｄがより広い部分に接着されている。

（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの製造方法）
続いて、以上の構成を有するＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００の製造方法について、図２３〜図３１を参照して説明する。ここで、図２３は後述するパッケージパネル４０を示す斜視図、図２４は後述する薄膜フィルタ基板１９を示す斜視図である。図２５〜図２９は、フィルタ接着層形成工程、薄膜フィルタ基板形成工程、薄膜フィルタ剥離工程、薄膜フィルタ転写工程を示す要部の断面図である。

ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００の製造方法では、前述したＭＥＭＳチップ１０と、ＡＳＩＣ９２と、そのＭＥＭＳチップ１０とＡＳＩＣ９２とが固着されるパッケージ基板２０とを用いて、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００が製造される。その製造方法には、後述するフィルタ接着層形成工程と、薄膜フィルタ剥離工程と、薄膜フィルタ転写工程とが含まれている。また、パッケージ基板２０が図２３に示すパッケージパネル４０を用いて製造される。

パッケージパネル４０は、図２３に示すように、ＰＣＢまたはセラミックからなる矩形板状の部材であり、その表面４０ａに複数のパッケージ領域４１が規則的な配置で形成されている。パッケージパネル４０が分割ライン４２に沿って分割されると、各パッケージ領域４１によって、パッケージ基板２０が製造される（パッケージパネル１枚あたり概ね６００個程度）。

薄膜フィルタ基板１９は、図２４に示すように、シリコンウェハ３１（ガラス、石英などからなる基板でもよい）と、フィルタ層２９と、剥離接着層３３とを有している。薄膜フィルタ基板１９は、後述する薄膜フィルタ基板製造工程が実行されることによって製造される。

そして、薄膜フィルタ基板１９は、ＭＥＭＳマイクロフォン１００に用いられるという特定の用途を有している。そのため、薄膜フィルタ基板１９の場合、シリコンウェハ３１が複数の個別領域３１Ｘを有し、フィルタ層２９が複数の個別領域５１を有している。

複数の個別領域３１Ｘは、パッケージパネル４０のパッケージ領域４１に応じた規則的な配置で形成されている。各個別領域３１Ｘの間が分割ライン４２に応じた分割ライン３１ｙになっている。また、複数の個別領域５１も、パッケージパネル４０のパッケージ領域４１に応じた規則的な配置で形成されている。各個別領域５１の間が分割ライン４２に応じた分割ライン５２になっている。フィルタ層２９が分割ライン５２に沿って区分けされることによって、複数の個別領域５１が形成される。その各個別領域５１から薄膜フィルタ５が形成される。その各個別領域５１に前述した複数の貫通孔１５および筋付内壁面３８が形成されている。

また、各個別領域５１には、図２４に示すように、フィルタ部５８が配置される。各フィルタ部５８が後に前述の薄膜フィルタ５になる。そのため、各フィルタ部５８は、薄膜フィルタ５に応じた変形矩形状に形成される。

（薄膜フィルタ基板製造工程）
薄膜フィルタ基板製造工程には、剥離接着層形成工程と、薄膜フィルタ形成工程とが含まれている。

（剥離接着層形成工程）
剥離接着層形成工程では、シリコンウェハ３１に剥離接着層３３が形成される。この場合、例えば、熱発泡性テープがベース基板としてのシリコンウェハ３１のベース面３１ａに張り付けられる。すると、図２６（ａ）に示すように、剥離接着層３３が形成される。また、図示しない熱発泡性樹脂がシリコンウェハ３１のベース面３１ａに塗布されることによって、剥離接着層３３が形成されることもできる。

熱発泡性樹脂は樹脂および発泡剤を含む。熱発泡性樹脂は加熱によりガスを発生させて発泡可能である。このような熱発泡性樹脂が塗布されて、熱発泡性樹脂層が形成されると、その熱発泡性樹脂層が加熱によって剥離する熱剥離層になり、その熱剥離層によって、剥離接着層３３が形成される。また、熱発泡性樹脂がシート状に加工されている熱発泡性樹脂シートが張り付けられて熱発泡性樹脂層が形成されてもよい。この場合、その熱発泡性樹脂シートによって、剥離接着層３３が形成される。

（薄膜フィルタ形成工程）
次に、図２６（ａ）、（ｂ）、図２７（ａ）、（ｂ）に示すように、薄膜フィルタ形成工程が実行されることによって、フィルタ層２９が剥離接着層３３上に形成される。その薄膜フィルタ形成工程には、樹脂層形成工程と、金属層形成工程と、レジストパターン形成工程と、金属パターン形成工程と、貫通孔形成工程とが含まれている。

まず、樹脂層形成工程が実行される。樹脂層形成工程では、図２６（ａ）、に示すように、樹脂層４４がポリアミド(polyamide)またはポリイミドフィルムを用いて剥離接着層３３上に形成される。

次に、金属層形成工程が実行される。金属層形成工程では、図２６（ｂ）に示すように、金属層４５がチタン（Ｔｉ）を用いて樹脂層４４の表面上に形成される。チタン（Ｔｉ）のほか、ＳＵＳ，Ｃｒが用いられて金属層４５が形成されることもできる。

続いて、レジストパターン形成工程が実行される。レジストパターン形成工程では、金属層４５の表面にフォトレジストが塗布される。その後、図示しないフォトマスクを用いて露光が行われ、さらに現像が行われることにより、複数の孔部４６ｒが形成されているレジストパターン４６ｐが形成される。

次に、金属パターン形成工程が実行される。金属パターン形成工程では、レジストパターン４６ｐがマスクに用いられて金属層４５を対象にしたＡrによるミリングが行われる（反応性イオンエッチングが行われてよいし、ウェットエッチングが行われてもよい）。その後、レジストパターン４６ｐが除去される。すると、図２７（ａ）に示すように、金属層４５の不要な部分が除去され、レジストパターン４６ｐの孔部４６ｒに応じた対応孔部４５ｈが金属層４５に形成される。これによって、金属パターン４５Ａが形成される。金属パターン４５Ａは、のちに形成されるフィルタ層２９に応じたパターンで形成される。

続いて、貫通孔形成工程が実行される。貫通孔形成工程では、金属パターン４５Ａがマスクに用いられて、筋付内壁面３８が形成されるように、樹脂層４４に対する反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;ＲＩＥ）が実行される。すると、図２７（ｂ）に示すように、金属パターン４５Ａに応じて、樹脂層４４の金属パターン４５Ａで被覆されていない部分が不要な部分として除去される。不要な部分が除去される箇所に貫通孔１５が形成される。この場合、樹脂層４４の各個別領域５１において、各フィルタ部５８の周縁部５８ｅおよびその内側の領域（後に前述したフィルタ領域１６Ｙになる部分で、フィルタ予定領域ともいう）に貫通孔１５が形成される。各フィルタ部５８の周縁部５８ｅは、後に音孔周辺部２０ｂｂに接着される予定の領域であり、本発明における接着予定領域に相当する（周縁部５８ｅは図２４参照）。

そして、反応性イオンエッチングでは、イオンによるスパッタ作用と化学反応の両方の効果でエッチングが進行する。そのため、反応性イオンエッチングでは、アンダーカットのない垂直な形状が実現されやすい。したがって、貫通孔１５の内側に複数の筋状部３７が形成され、それによって、筋付内壁面３８が形成される。こうして、反応性イオンエッチングが実行された後の樹脂層４４によって、薄膜部１６を有するフィルタ層２９が得られる。

貫通孔形成工程が実行されたあと、図２８に示すフィルタ層２９のように、金属パターン４５Ａが除去されることもあるが、図２７（ｂ）に示すフィルタ層２９のように、薄膜部１６の表面（フィルム面１６ａ）に金属パターン４５Ａが残ることもある。以上のようにして、薄膜フィルタ基板１９が製造される。

（フィルタ接着層形成工程）
フィルタ接着層形成工程では、図２５に示すように、感光性接着層６１がパッケージパネル４０の表面４０ａに形成される。感光性接着層６１は、感光性ポリイミド接着剤シートを張り付けるなどして形成される。この場合、図２９に示すように、感光性接着層６１は、音孔２０ｂが後に形成される部分を除いた孔あき構造で形成される。感光性接着層６１の代わりに、ポリイミド系接着剤やエポキシ樹脂系接着剤を用いた接着層が形成されることもできる。感光性接着層６１や、これらの接着層がフィルタ接着層となる。

（薄膜フィルタ剥離工程）
薄膜フィルタ剥離工程では、薄膜フィルタ基板１９が加熱される。すると、そのときの熱によって、剥離接着層３３が発泡する。そのため、図３０に示すように、剥離接着層３３からフィルタ層２９が剥がれる。こうして、フィルタ層２９が製造される。

（薄膜フィルタ転写工程）
続いて、薄膜フィルタ転写工程が実行される。薄膜フィルタ転写工程では、薄膜フィルタ基板１９から剥離されたフィルタ層２９がパッケージパネル４０に転写される。この場合、前述したようにパッケージパネル４０の表面４０ａに感光性接着層６１が形成されているため、図３１に示すように、その上に、薄膜フィルタ基板１９から剥離されたフィルタ層２９が重ねられる。また、パッケージパネル４０には、複数のパッケージ領域４１が形成されているので、各パッケージ領域４１において、レーザ加工によって、フィルタ層２９の不要部分が除去される。この場合、各パッケージ領域４１において、フィルタ部５８が残され、そのほかの部分は除去される。

そして、各パッケージ領域４１において、各フィルタ部５８の周縁部５８ｅが感光性接着層６１の上に重なる。このとき、感光性接着層６１が常温でペースト状の場合、感光性接着層６１の表面の一部が、フィルタ部５８の周縁部５８ｅ（接着予定領域に相当する）の貫通孔１５の内側に進入して、前述した進入部６１ｄになる。また、感光性接着層６１が加熱されたときに軟化する場合には、パッケージパネル４０が加熱されたときの熱によって、感光性接着層６１の表面が柔らかくなり、その一部が貫通孔１５の内側に進入して進入部６１ｄになる。すると、進入部６１ｄが形成される貫通孔１５が前述した接着貫通孔１５Ｘになり、前述した接着層進入構造が得られる。

このように、薄膜フィルタ転写工程では、フィルタ部５８が後にパッケージ基板２０となる各パッケージ領域４１に接着される。このようにして、薄膜フィルタ５が音孔２０ｂを塞ぐようにして形成される。

（そのほかの工程）
その後、ＭＥＭＳチップ搭載工程が実行される。ＭＥＭＳチップ搭載工程では、ＭＥＭＳチップ１０に電極パッド７が形成され、さらにはんだバンプが形成される。その後、パッケージパネル４０において、ＭＥＭＳチップ１０が、はんだバンプを用いたフリップチップボンディングによってパッケージ領域４１ごとに搭載されて、チップ付きパネル４０Ｘ（図３２参照）が形成される。そのチップ付きパネル４０Ｘが図示しない加熱リフロー炉に通される。すると、はんだバンプが溶融したあと、ボンディングバンプ４になる。その後、音響シールド６が形成される（ＭＥＭＳチップ１０が実装される前に音響シールド６が形成される場合もある）。

その後、ＡＳＩＣ９２がパッケージ領域４１に実装され、さらに、キャップ９９が固着される。なお、チップ付きパネル４０ＸにＡＳＩＣ９２が実装されるときは、ＭＥＭＳチップ１０とＡＳＩＣ９２の一括リフローが行われてもよい。

さらに続いて、パネル裁断工程が実行される。パネル裁断工程では、ＭＥＭＳチップ１０およびＡＳＩＣ９２が実装され、さらにキャップ９９が被せられたチップ付きパネル４０Ｘが分割ライン４２に沿ってパッケージ領域４１ごとに裁断される。すると、チップ付きパネル４０Ｘが複数のパッケージ領域４１に区分けされる。その各パッケージ領域４１によって、パッケージ基板２０とともに、ＭＥＭＳパッケージ１とＭＥＭＳマイクロフォン１００とが製造される。製造されたパッケージ基板２０には、前述した薄膜フィルタ５が接着されている。

（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの作用効果）
ＭＥＭＳパッケージ１とＭＥＭＳマイクロフォン１００には、薄膜フィルタ５が接着されているから、微粒子や水の外部からの進入がその薄膜フィルタ５によって防止される。薄膜フィルタ５の薄膜部１６は、非常に厚さが薄い薄膜状に形成されている。しかし、貫通孔１５（接着貫通孔１５Ｘ）がそのパッケージ基板２０に接着される接着領域１６Ｘに形成されている。そのため、パッケージ基板２０に接着されている状態で、その接着に用いられる感光性接着層６１が貫通孔１５（接着貫通孔１５Ｘ）の内側に接触して、感光性接着層６１が貫通孔１５（接着貫通孔１５Ｘ）に係合する構造が得られる。そのため、薄膜フィルタ５の接着強度（接着力）が、貫通孔のない滑らかな表面がパッケージ基板２０に接着される場合に比べて向上している。

また、感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして貫通孔１５（接着貫通孔１５Ｘ）の内側に進入しているから、感光性接着層６１のアンカー効果が得られ、よって、接着力がさらに向上する。

感光性接着層６１が接着領域１６Ｘに接着されるだけでなく、その一部が進入部６１ｄとして貫通孔１５（接着貫通孔１５Ｘ）の内壁面（筋付内壁面３８）にも接着されているから、感光性接着層６１と薄膜フィルタ５の接触面積が広がり、よりいっそう接着力が向上している。

一方、薄膜フィルタ５には、複数の貫通孔１５が形成され、その内側に筋付内壁面３８が形成されているから、貫通孔１５の内壁面が滑らかな曲面である場合に比べて、感光性接着層６１と貫通孔１５の内壁面との接触面積が広がる。そのため、感光性接着層６１のアンカー効果が拡大され、接着力もよりいっそう向上する。

そして、薄膜フィルタ５には、複数の貫通孔１５が形成され、その内側に筋付内壁面３８が形成されている。複数の貫通孔１５が、筋付内壁面３８が形成されるように、反応性イオンエッチングで形成されている。そのため、薄膜フィルタ５には、例えば、デブリの付着による孔の閉鎖のような製造工程に起因する濾過機能の低下がない。また、薄膜フィルタ５の耐久性も良好である。

筋付内壁面３８は、複数の筋状部３７を有しており、筋状部３７は交差方向に沿って形成されている。すると、空気が薄膜フィルタ５を通過する場合、その空気による気流（通過気流）は、貫通孔１５（フィルタ貫通孔１５Ｙ）の内側を筋状部３７に沿った方向（図８のｄ７、ｄ８で示す方向）に通過する。つまり、筋状部３７が貫通孔１５（フィルタ貫通孔１５Ｙ）を通過する気流の動きを交差方向に整えるガイド部材となるため、ｄ７、ｄ８で示す方向とは異なった方向の気流が形成されない。ゆえに、貫通孔１５（フィルタ貫通孔１５Ｙ）の周囲の部分が通過気流の影響を受けにくく、損傷も受けにくい。通過気流が一定の方向を向くような構造を薄膜フィルタ５が有するから、薄膜フィルタ５の耐久性が良好である。

また、薄膜フィルタ５では、貫通孔１５の孔開け加工が反応性イオンエッチングで行われている。反応性イオンエッチングでは、イオンによるスパッタ作用と化学反応の両方の効果でエッチングが進行する。この場合、除去された材料（薄膜フィルタ５の場合は、ポリイミドなど）が揮発物質化され、それを含む真空排気が行われる。そのため、デブリの発生や、そのデブリの付着が生じることもない。したがって、貫通孔１５の孔径にばらつきが生じることもない。よって、薄膜フィルタ５は、製造工程に起因する濾過機能の低下がなく、耐久性も良好である。

薄膜フィルタ５では、筋状部３７が貫通孔１５の内壁面のほぼ全体に配置されているから、貫通孔１５の内壁面のほぼ全体がガイド部材であり、耐久性が良好である。また、筋状部３７がフィルム厚Ｔの８０％よりも大きい長さに形成されているから、通過気流の乱れがより生じにくく、筋状部３７が良好なガイド部材となる。

そして、薄膜フィルタ５では、第１の貫通孔群１５Ａに含まれる隣接する貫通孔１５の中心の間に、第２の貫通孔群１５Ｂに含まれる貫通孔１５の中心が配置されるように形成されている。そのため、薄膜フィルタ５において、貫通孔１５の配置に無駄がなく、通過気流の通り道になる部分が効率的に確保されている。しかも、薄膜フィルタ５が高密度構造を有するから貫通孔１５の配置によりいっそうの無駄がない。

一方、薄膜フィルタ５（フィルタ層２９）は、ポリアミド(polyamide)またはポリイミドなどからなる薄膜部１６が主体となった部材であるため、それ単独での取扱いが困難である。しかし、薄膜フィルタ基板１９であれば、平板状のシリコンウェハ３１を有するから、運搬、保管等の取扱いが容易になる。

しかも、薄膜フィルタ基板１９は、剥離接着層３３を有しているので、必要に応じて、フィルタ層２９がシリコンウェハ３１から剥離されることによって、フィルタ層２９が取り出される。そのフィルタ層２９が所望の製品に取り付けられることで、その製品に求められる濾過機能が発揮される。そのため、薄膜フィルタ基板１９の利便性が高い。また、シリコンウェハ３１は、フィルタ層２９が剥離されたあと、再びフィルタ層２９が形成されるベース基板として再利用可能であるから、材料や資源の無駄が減少する。

（薄膜フィルタの変形例１）
次に、図１６、図１７を参照して、変形例１に係る薄膜フィルタ３２について説明する。ここで、図１６は、変形例１に係る薄膜フィルタ３２の要部を示した平面図、図１７は薄膜フィルタ３２の代表貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄを含む部分の平面図である。

薄膜フィルタ３２は、薄膜フィルタ５と比較して、第１の貫通孔群１５Ａを有しているが、第２の貫通孔群１５Ｂを有していない点で相違している。薄膜フィルタ３２は、第２の貫通孔群１５Ｂを有していないので、第１のラインＬ１が複数配置されている。また、それぞれの第１のラインＬ１に含まれる第１の貫通孔１５Ａ１、貫通孔１５Ａ２、１５Ａ３・・・１５Ａｎが周端部１６ｅと直交上に交差する方向に沿って直線上に等間隔で配置されている。さらに、各第１のラインＬ１に含まれる複数の第１の貫通孔１５Ａ１が周端部１６ｅに沿って直線上に等間隔で配置されている（貫通孔１５Ａ２、１５Ａ３・・・１５Ａｎも同様）。すべての第１の貫通孔１５Ａ１と周端部１６ｅとの間隔が一定の端部間隔ｄ３に設定されている。

薄膜フィルタ３２では、図１７に示すように、代表貫通孔として、４つの隣接する貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄが設定される。貫通孔１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄの中心はａ０，ｂ０，ｃ０，ｄ０である。

四角形ＡＢＣＤは、隣接する２つの第１の貫通孔群１５Ａに含まれる隣接する複数の貫通孔１５（１５ａ，１５ｂ，１５ｃ，１５ｄ）の中心ａ０，ｂ０，ｃ０，ｄ０を頂点とする四角形であり、貫通孔１５の配置の規則性から正方形である。

薄膜フィルタ３２は、薄膜フィルタ５と同様の複数の貫通孔１５を有し、薄膜フィルタ５と同様の製造方法によって製造することができる。薄膜フィルタ３２も、薄膜フィルタ５と同様に、接着領域とフィルタ領域を有し、その双方に貫通孔１５が形成されている。また、貫通孔１５に薄膜フィルタ５と同様の筋付内壁面３８が反応性イオンエッチングによって形成されている（図１６、図１７には図示せず）。そのため、薄膜フィルタ３２も、薄膜フィルタ５の代わりに薄膜フィルタ３２が形成されているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォン（図示せず）も、前述した薄膜フィルタ５、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００と同様の作用効果を奏する。

（薄膜フィルタの変形例２）
次に、図１８、図１９、図２０を参照して、変形例２に係る薄膜フィルタ３４について説明する。ここで、図１８は、変形例２に係る薄膜フィルタ３４の要部を拡大した平面図、図１９は薄膜フィルタ３４の要部を更に拡大した平面図、図２０は図１９の２０−２０線の切断面を示す斜視図である。

薄膜フィルタ３４は、薄膜フィルタ５と比較して、薄膜部１６の代わりに薄膜部３６を有する点、貫通孔１５の代わりに貫通孔３５が形成されている点で相違している。薄膜部３６は、薄膜部１６と比較して、貫通孔３５が形成されている点で相違している。

前述した貫通孔１５は、平面視円形に形成されていたが、貫通孔３５は平面視正６角形に形成されている。薄膜フィルタ３４は、第１の貫通孔群３５Ａおよび第２の貫通孔群３５Ｂを有している。第１の貫通孔群３５Ａには、第１の貫通孔３５Ａ１と、貫通孔３５Ａ２，３５Ａ３・・・貫通孔３５Ａｎとを含む複数の貫通孔３５が含まれている。第１の貫通孔３５Ａ１、貫通孔３５Ａ２、３５Ａ３・・・３５Ａｎは、第１の貫通孔群１５Ａと同様の第１のラインＬ１を形成している。

第２の貫通孔群３５Ｂには、第２の貫通孔３５Ｂ１と、貫通孔３５Ｂ２と、貫通孔３５Ｂｎとを含む複数の貫通孔３５が含まれている。第２の貫通孔３５Ｂ１、貫通孔３５Ｂ２・・・３５Ｂｎは、第２の貫通孔群３５Ｂと同様の第２のラインＬ２を形成している。薄膜フィルタ３４の場合も、隣接する３つの貫通孔３５（例えば、貫通孔３５Ａ２、３５Ａ３、３５Ｂ２）の中心を頂点とする三角形が、貫通孔３５の配置の規則性から、正三角形である。

そして、薄膜フィルタ３４は、図１９、図２０に示すように、筋付内壁面４８が各貫通孔３５の内側に形成されている。筋付内壁面４８は複数の筋状部４７を有している。複数の筋状部４７は、複数の筋状部３７と同様、貫通孔３５の内壁面のほぼ全体に配置され、筋付内壁面４８は貫通孔３５の内壁面のほぼ全体に形成されている。筋状部４７は、筋状部３７と同様、交差方向に沿って形成されている。また、各筋状部４７は、貫通孔３５の交差方向に沿って概ね直線状に形成された凸部または凹部である。

薄膜フィルタ３４は、複数の貫通孔３５を有し、薄膜フィルタ５と同様の製造方法によって製造することができる。薄膜フィルタ３４も、薄膜フィルタ５と同様に、接着領域とフィルタ領域を有し、その双方に貫通孔３５が形成されている。また、貫通孔３５に、貫通孔１５の筋状部３７、筋付内壁面３８と同様の筋状部４７、筋付内壁面４８が形成されている。そのため、薄膜フィルタ３４も、薄膜フィルタ５の代わりに薄膜フィルタ３４が形成されているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォン（図示せず）も、前述した薄膜フィルタ５、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００と同様の作用効果を奏する。

（薄膜フィルタの変形例３）
次に、図２１を参照して、変形例３に係る薄膜フィルタ６２について説明する。ここで、図２１は、変形例３に係る薄膜フィルタ６２の図６に応じた断面図である。

薄膜フィルタ６２は、薄膜フィルタ５と比較して、貫通孔１５の代わりに貫通孔６５が形成されている点で相違している。貫通孔１５の場合、フィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまで直径が一定であった。これに対して、貫通孔６５では、フィルム面１６ａから裏フィルム面１６ｂまで直径が漸次縮小されている。薄膜フィルタ６２も、薄膜フィルタ５と同様に、接着領域とフィルタ領域を有し、その双方に貫通孔６５が形成されている。また、貫通孔６５には、貫通孔１５と同様、筋付内壁面３８が形成されているから（図２１には図示せず）、薄膜フィルタ６２も、薄膜フィルタ５の代わりに薄膜フィルタ６２が形成されているＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォン（図示せず）も、前述した薄膜フィルタ５、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００と同様の作用効果を奏する。

（薄膜フィルタの変形例４）
次に、図２２（ａ）、（ｂ）を参照して、変形例４に係る薄膜フィルタ７２について説明する。ここで、図２２（ａ）は、変形例４に係る薄膜フィルタ７２の図８に応じた斜視図である。図２２（ｂ）は、薄膜フィルタ７２の接着貫通孔の要部を示す一部省略した平面図である。

薄膜フィルタ７２は、薄膜フィルタ５と比較して、貫通孔１５の代わりに貫通孔７３が形成されている点で相違している。また、薄膜フィルタ７２では、貫通孔７３の内側に筋付内壁面７４が形成されている。

前述した筋付内壁面３８では、貫通孔１５の内壁面に滑らかな部分が残らないように、筋状部３７が隙間なく形成されていた。これに対し、筋付内壁面７４では、貫通孔７３の内側に滑らかな部分（平滑部）が残るように、筋状凸部７６が間隔７６ｄを隔てて飛び飛びに形成されている。そのため、各筋状凸部７６の間の部分が平滑部７４ａとして残っている。筋状凸部７６は、貫通孔７３の内壁面に形成された凸部であり、交差方向に沿って概ね直線状に形成されている。したがって、筋付内壁面７４の筋状凸部７６によって、通過気流が一定の方向に沿って流れ、薄膜フィルタ７２も、薄膜フィルタ５と同様の作用効果を奏する。

また、薄膜フィルタ７２も、薄膜フィルタ５と同様に、接着領域とフィルタ領域を有し、その双方に貫通孔７３が形成されている。貫通孔７３の場合、筋状凸部７６が形成されている。そのため、図２２（ｂ）に示すように、接着領域の貫通孔７３において、感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして、隣接する筋状凸部７６の間に入り込む。すると、進入部６１ｄが、筋付内壁面７４の平滑部７４ａと、平滑部７４ａよりも突出している突出面（筋状凸部７６の突出側面７６ｅ，７６ｆ）に接触する。したがって、薄膜フィルタ７２も、薄膜フィルタ５と同様、感光性接着層６１と薄膜フィルタ７２の接触面積の拡大と、感光性接着層６１のアンカー効果とが得られるから、接着力が向上する。

第２の実施の形態
（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの構造）
次に、変形例に係るＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００について図３３を参照して説明する。図３３は、ＭＥＭＳマイクロフォン２００の図１に対応した断面図である。

図３３に示すように、ＭＥＭＳマイクロフォン２００は、ＭＥＭＳパッケージ１０１と、キャップ９９とを有している。

前述したＭＥＭＳマイクロフォン１００（ＭＥＭＳパッケージ１）では、ＭＥＭＳチップ１０と、ＡＳＩＣ９２とがフリップチップボンディングによって、パッケージ基板２０に実装されていた。

これに対し、第２の実施の形態に係るＭＥＭＳマイクロフォン２００（ＭＥＭＳパッケージ１０１）では、ＭＥＭＳチップ１０と、ＡＳＩＣ９２とがワイヤボンディングによって、パッケージ基板２０に実装されている。

そして、ＭＥＭＳパッケージ１０１は、ＭＥＭＳパッケージ１と比較して、以下ａ），ｂ），ｃ）の各点で相違している。
ａ）薄膜フィルタ５がＭＥＭＳチップ１０に接着されている点
ｂ）ＭＥＭＳパッケージ１０１がボンディングバンプ４、音響シールド６、電極パッド７、２１を有していない点、
ｃ）ＭＥＭＳチップ１０がワイヤ２６Ａによって、ＡＳＩＣ９２に接続されている点
ＭＥＭＳパッケージ１では、薄膜フィルタ５がパッケージ基板２０に接着されているが、ＭＥＭＳパッケージ１０１では、薄膜フィルタ５がＭＥＭＳチップ１０に接着されている。薄膜フィルタ５は、ＭＥＭＳチップ１０の基板面２２ｂに対し、孔部２２ｃを塞ぐようにして接着されている。

ＭＥＭＳパッケージ１０１では、薄膜フィルタ５の薄膜部１６のうちの、基板面２２ｂに接着されている部分が接着領域１６Ｘ、薄膜部１６の接着領域１６Ｘ以外の部分がフィルタ領域１６Ｙである（接着領域１６Ｘ、フィルタ領域１６Ｙは図示を省略）。接着領域１６Ｘ、フィルタ領域１６Ｙの双方に貫通孔１５が形成されている。接着領域１６Ｘの貫通孔１５が接着貫通孔１５Ｘであり、フィルタ領域１６Ｙの貫通孔１５がフィルタ貫通孔１５Ｙである（接着貫通孔１５Ｘ、フィルタ貫通孔１５Ｙも図示を省略）。

ＡＳＩＣ９２は、ボンディングバンプ９３ではなく、ワイヤ２６Ｂによって、パッケージ基板２０に接続されている。

（ＭＥＭＳマイクロフォンの製造方法）
続いて、以上の構成を有するＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００の製造方法について、図３４〜図４０を参照して説明する。ここで、図３４は後述するＭＥＭＳウェハ１４０を示す斜視図、図３５は後述する薄膜フィルタ基板１５０を示す斜視図である。図３６は、薄膜フィルタ基板１５０の要部の断面図、図３７は接着層付フィルタ基板製造工程を示す要部の断面図、図３８は基板重合工程を示す要部の断面図、図３９、図４０は薄膜フィルタ転写工程を示す要部の断面図である。

ＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００の製造方法では、図３４に示すＭＥＭＳウェハ１４０と、図３５に示す薄膜フィルタ基板１５０と、パッケージ基板２０が用いられる。ＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００の製造方法には、接着層付フィルタ基板製造工程、基板重合工程、薄膜フィルタ転写工程とが含まれている。

ＭＥＭＳウェハ１４０は、シリコンウェハを用いて形成されている。ＭＥＭＳウェハ１４０には、複数のＭＥＭＳ領域１４１が規則的な配置で形成されている。ＭＥＭＳウェハ１４０がスクライブライン１４２に沿って分割されると、その各ＭＥＭＳ領域１４１によって、ＭＥＭＳチップ１０が製造される（ウェハ１枚あたり１０,０００〜２０,０００個程度製造される）。

薄膜フィルタ基板１５０は、薄膜フィルタ基板１９と比較して、シリコンウェハ３１と、剥離接着層３３とを有している点では一致し、フィルタ層２９の代わりにフィルタ層１５９を有する点で相違している。薄膜フィルタ基板１９の場合、シリコンウェハ３１の個別領域３１Ｘは、パッケージ領域４１に応じた規則的な配置で形成されていた。これに対し、薄膜フィルタ基板１５０の場合、シリコンウェハ３１の個別領域３１Ｘは、ＭＥＭＳ領域１４１に応じた規則的な配置で形成されている（図３５では、個別領域３１Ｘの図示が省略されている）

薄膜フィルタ基板１５０は、薄膜フィルタ基板１９と同様に、薄膜フィルタ基板製造工程が実行されることによって製造される。その薄膜フィルタ基板製造工程には、剥離接着層形成工程と、薄膜フィルタ形成工程とが含まれている。

剥離接着層形成工程では、図３６に示すように、薄膜フィルタ基板１９の場合と同様、シリコンウェハ３１に剥離接着層３３が形成される。次に、薄膜フィルタ形成工程が実行されることによって、フィルタ層１５９が剥離接着層３３上に形成される。この場合、その薄膜フィルタ形成工程には、樹脂層形成工程と、金属層形成工程と、レジストパターン形成工程と、金属パターン形成工程と、貫通孔形成工程とが含まれている。

そして、前述したフィルタ層２９は、パッケージ領域４１に応じた複数の個別領域５１を有していた。これに対し、図３５に示すように、フィルタ層１５９には、ＭＥＭＳ領域１４１に応じた複数の個別領域１５１が規則的な配置で形成されている。各個別領域１５１の間は、スクライブライン１４２に応じた分割ライン１５２になっている。各個別領域１５１に１つのフィルタ部１５８が配置されている。各個別領域１５１には、２つ以上のフィルタ部１５８が配置されるスペースがない。フィルタ層１５９には、フィルタ部１５８の確保という点で無駄がない。

そして、各フィルタ部１５８は、フィルタ部５８と同様、後に前述の薄膜フィルタ５になる。各フィルタ部１５８には、薄膜フィルタ５と共通する複数の貫通孔１５、筋付内壁面３８が形成されている。フィルタ部１５８は、薄膜フィルタ５に応じた変形矩形状に形成されている。

また、薄膜フィルタ形成工程には、薄膜フィルタ基板１９の場合と同様、樹脂層形成工程と、金属層形成工程と、レジストパターン形成工程と、金属パターン形成工程と、貫通孔形成工程とが含まれている。これら各工程は、薄膜フィルタ基板１９が形成される場合と比べて、フィルタ層２９とフィルタ層１５９の区画パターンの相違（個別領域３１Ｘ、１５１）に応じた相違があるが、そのほかは共通である。

フィルタ層１５９が形成される場合は、貫通孔形成工程において、フィルタ層１５９の形成に用いられる樹脂層４４（フィルタ層２９が形成される場合と同様の樹脂層で、図３６では図示が省略されている）につき、貫通孔１５が接着予定領域に形成される。接着予定領域は、各フィルタ部１５８のＭＥＭＳチップ１０に接着される予定の領域であって、各フィルタ部１５８の周縁部１５８ｅに相当する（周縁部１５８ｅは、図３５参照）。この場合、貫通孔１５は、樹脂層４４の各個別領域１５１において、各フィルタ部１５８の周縁部１５８ｅの内側の領域（フィルタ予定領域に相当する領域）にも形成される。周縁部１５８ｅは、後にＭＥＭＳチップ１０の基板面２２ｂ（孔部２２ｃの周囲）に接着される。

（接着層付フィルタ基板製造工程）
接着層付フィルタ基板製造工程では、以上のようにして製造された薄膜フィルタ基板１５０に対して、その表面に感光性接着層６１が形成される。感光性接着層６１は、感光性ポリイミド接着剤シートを張り付けるなどして形成される。この場合、図３７に示すように、感光性接着層６１は、薄膜フィルタ基板１５０の表面に次のような孔あき構造で形成される。感光性接着層６１は、各個別領域１５１において、各フィルタ部１５８の周縁部１５８ｅに対応した環状の部分が残り、その内側が除去された孔あき構造で形成される。露光、現像によって、感光性接着層６１がパターニングされる。接着層付フィルタ基板製造工程が実行されることによって、接着層付フィルタ基板１５３が製造される。感光性接着層６１の代わりに、ポリイミド系接着剤やエポキシ樹脂系接着剤を用いた接着層が形成されることもできる。感光性接着層６１や、これらの接着層がフィルタ接着層となる。また、例えば、フィルタ接着層の材料となる接着剤がインクジェット方式で塗布されるか、またはディスペンサを用いて塗布されることによって、フィルタ接着層が形成されることができる。

（基板重合工程）
基板重合工程では、図３８に示すように、重合基板１６５が製造される。この場合、各ＭＥＭＳ領域１４１と、各個別領域１５１との位置合わせが行われた後、感光性接着層６１が各ＭＥＭＳ領域１４１に重なるように、接着層付フィルタ基板１５３とＭＥＭＳウェハ１４０とが重ね合わされる。それによって、重合基板１６５が製造される。

（薄膜フィルタ転写工程）
次の薄膜フィルタ転写工程では、まず、重合基板１６５が加熱される。すると、そのときの熱によって、剥離接着層３３が発泡する。そのため、図３９に示すように、重合基板１６５から剥離接着層３３とベース基板であるシリコンウェハ３１が剥がれる。そのため、図４０に示すように、フィルタ層１５９が感光性接着層６１上に残る。これによって、フィルタ層１５９がＭＥＭＳウェハ１４０に転写される。その後、ＭＥＭＳチップ搭載工程、パネル裁断工程が実行されると、ＭＥＭＳパッケージ１０１とＭＥＭＳマイクロフォン２００とが製造される。

（進入工程）
また、接着層付フィルタ基板製造工程から基板重合工程までの間で進入工程が実行される。進入工程では、各フィルタ部１５８の周縁部１５８ｅ（接着予定領域）に感光性接着層６１が形成されるとき、または感光性接着層６１が形成された後で、その感光性接着層６１の一部が周縁部１５８ｅ（接着予定領域）の貫通孔１５に入り込むようにする。例えば、接着層付フィルタ基板製造工程において、感光性接着層６１が各フィルタ部１５８の周縁部１５８ｅに形成されたときに接着層付フィルタ基板１５３が加熱されることで、感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして貫通孔１５に入り込むようにすることができる。また、基板重合工程で、接着層付フィルタ基板１５３とＭＥＭＳウェハ１４０とが重ね合わされたときに両者が押し合わされることによって、感光性接着層６１の一部が進入部６１ｄとして貫通孔１５に入り込むようにすることができる（図３７，３８では、進入部６１ｄを図示せず）。進入工程によって、進入部６１ｄが形成される貫通孔１５が前述した接着貫通孔１５Ｘになり、前述した接着層進入構造が得られる。

以上のようにして製造されたＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００は、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００と比較して、薄膜フィルタ５が接着されている部分がＭＥＭＳチップ１０である点で相違しているが、薄膜フィルタ５が接着されている点では共通している。そのため、ＭＥＭＳパッケージ１０１、ＭＥＭＳマイクロフォン２００は、ＭＥＭＳパッケージ１、ＭＥＭＳマイクロフォン１００と同様の作用効果を奏する。

（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの変形例１）
図４１は、変形例１に係るＭＥＭＳパッケージ１Ａを有するＭＥＭＳマイクロフォン１００Ａを示す図１に対応した断面図である。図４２は、ＭＥＭＳマイクロフォン１００Ａを示す図２に対応した断面図である。

ＭＥＭＳパッケージ１Ａは、ＭＥＭＳパッケージ１と比較して、薄膜フィルタ５がＭＥＭＳチップ１０に形成されている点で相違している。ＭＥＭＳパッケージ１Ａは、ＭＥＭＳパッケージ１と同様に薄膜フィルタ５を有しているため、ＭＥＭＳパッケージ１と同様の作用効果を奏する。

ＭＥＭＳパッケージ１Ａでは、薄膜フィルタ５がＭＥＭＳチップ１０に形成されている。そのため、第２の実施の形態にかかるＭＥＭＳパッケージ１０１と同様の製造方法によって、ＭＥＭＳチップ１０が製造され、さらに、そのＭＥＭＳチップ１０がＦＣＢによって、パッケージ基板２０上に実装されることによって、ＭＥＭＳパッケージ１Ａが製造される。

（ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンの変形例２）
図４３は、変形例２に係るＭＥＭＳパッケージ１０１Ａを有するＭＥＭＳマイクロフォン２００Ａを示す図３３に対応した断面図である。ＭＥＭＳパッケージ１０１Ａは、ＭＥＭＳパッケージ１０１と比較して、薄膜フィルタ５がパッケージ基板２０に接着されている点で相違している。ＭＥＭＳパッケージ１０１Ａは、ＭＥＭＳパッケージ１０１と同様に薄膜フィルタ５を有しているため、ＭＥＭＳパッケージ１０１と同様の作用効果を奏する。

ＭＥＭＳパッケージ１０１Ａは、薄膜フィルタ５がパッケージ基板２０に接着されている。そのため、第１の実施の形態と同様のパッケージパネル４０が用いられることによって、ＭＥＭＳパッケージ１０１Ａが製造される。この場合、そのパッケージパネル４０には、第１の実施の形態と同様にフィルタ層２９が転写される（例えば図３１参照）。そして、そのパッケージパネル４０にＭＥＭＳチップ１０などがワイヤボンディングで搭載され、その後、パネル裁断工程などが実行されて、ＭＥＭＳパッケージ１０１Ａが製造される。

以上の実施形態では、メンブレン３を有するＭＥＭＳパッケージ１を例にとって説明しているが、本発明は、他のＭＥＭＳパッケージにも適用され得る。例えば、本発明は、センサ、アクチュエータ等として用いられるＭＥＭＳチップを有するＭＥＭＳパッケージにも適用され得る。

また、以上の実施形態では、メンブレン３の上側と下側にバックプレートと呼ばれる２つの薄膜（図示せず）が配置されているタイプ（ダブルバックプレート）を例にとって説明した。本発明は、それに加えて、メンブレン３の片側に１つのバックプレートが配置されているタイプ（シングルバックプレート）にも適用することができる。

さらに、薄膜フィルタに形成されている貫通孔の形状として、平面視円形、六角形のほか、四角形でもよい。シリコンウェハ３１の代わりにガラス、石英等の透明な材料からなる基板がベース基板として用いられる場合、ＵＶテープがベース面に張り付けられて剥離接着層が形成されることもできる。

以上の実施形では、本発明にかかる薄膜フィルタが適用される製品の一例としてＭＥＭＳマイクロフォンについて説明したが、ＭＥＭＳマイクロフォン以外の製品、例えば、ＭＥＭＳセンサにも薄膜フィルタが適用される。

以上の説明は、本発明の実施の形態についての説明であって、この発明の装置及び方法を限定するものではなく、様々な変形例を容易に実施することができる。又、各実施形態における構成要素、機能、特徴あるいは方法ステップを適宜組み合わせて構成される装置又は方法も本発明に含まれるものである。

本発明を適用することにより、微粒子や水の進入を防止するための微小穿孔が形成されている薄膜フィルタの強度および薄膜フィルタの接着強度が高められる。本発明は、ＭＥＭＳパッケージ、ＭＥＭＳマイクロフォンおよびＭＥＭＳパッケージの製造方法の分野で利用することができる。

１，１０１，１Ａ，１０１Ａ…ＭＥＭＳパッケージ、５，３２，３４，６２，７２…薄膜フィルタ、３…メンブレン、５…薄膜フィルタ、６ｐ…レジストパターン、１０…ＭＥＭＳチップ、１５，３５，７３…貫通孔、1５Ａ，３５Ａ…第１の貫通孔群、1５Ｂ，３５Ｂ…第２の貫通孔群、Ｌ１…第１のライン、Ｌ２…第２のライン、１６，３６…薄膜部、１６ａ…フィルム面、１６ｂ…裏フィルム面、１６Ｘ…接着領域、１６Ｙ…フィルタ領域、１９…薄膜フィルタ基板、２０…パッケージ基板、２２…素子基板、３１…シリコンウェハ、３１ａ…ベース面、３３…剥離接着層、３７，４７…筋状部、３８，４８，７４…筋付内壁面、４０…パッケージパネル、４１…パッケージ領域、６１…感光性接着層、１００，１００Ａ，２００，２００Ａ…ＭＥＭＳマイクロフォン、１４０…ＭＥＭＳウェハ、１５０…薄膜フィルタ基板。

Claims (17)

1. ＭＥＭＳチップと、該ＭＥＭＳチップが固着されているパッケージ基板とを有するＭＥＭＳパッケージであって、
   該ＭＥＭＳパッケージは、前記パッケージ基板または前記ＭＥＭＳチップに接着されている薄膜フィルタを有し、
   該薄膜フィルタは、フィルム面と、該フィルム面の裏側に配置されている裏フィルム面とを有する薄膜部を有し、
   該薄膜部の前記パッケージ基板または前記ＭＥＭＳチップに接着されている接着領域に、前記フィルム面から前記裏フィルム面まで貫通する貫通孔が形成されているＭＥＭＳパッケージ。
2. 前記薄膜フィルタの接着に用いられているフィルタ接着層が前記貫通孔に入り込んだ接着層進入構造を有する請求項１記載のＭＥＭＳパッケージ。
3. 前記フィルタ接着層が前記薄膜部の前記接着領域および前記貫通孔の内壁面に接着されている請求項２記載のＭＥＭＳパッケージ。
4. 前記フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が前記貫通孔の内側に形成されている請求項１〜３のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージ。
5. 前記薄膜部の前記接着領域以外のフィルタ領域にも前記貫通孔が形成され、前記接着領域に形成されている前記貫通孔および前記フィルタ領域に形成されている前記貫通孔の双方の内側に、前記フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が形成されている請求項１〜３のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージ。
6. 前記筋状部は、前記貫通孔の内壁面よりも凹んだ凹部または該内壁面よりも突出した凸部として形成され、
   前記フィルタ接着層は、前記筋状部が前記凹部として形成されているときには前記凹部に入り込み、前記筋状部が前記凸部として形成されているときには前記凸部の前記内壁面よりも突出している突出面に接触している請求項４または５記載のＭＥＭＳパッケージ。
7. 前記貫通孔が平面視円形に形成され、
   前記薄膜フィルタは、前記貫通孔をそれぞれ複数有する第１の貫通孔群および第２の貫通孔群を有し、
   該第１の貫通孔群は、前記薄膜部の周端部との間隔が第１の間隔に設定されている第１の貫通孔を有し、かつ複数の該貫通孔が直線上に等間隔で配置され、
   該第２の貫通孔群は、前記周端部との間隔が前記第１の間隔と異なる第２の間隔に設定されている第２の貫通孔を有し、かつ複数の該貫通孔が直線上に等間隔で配置され、
   前記第１の貫通孔群によって形成される第１のラインと、前記第２の貫通孔群によって形成される第２のラインとが交互に配置されている請求項５記載のＭＥＭＳパッケージ。
8. 前記筋状部が前記貫通孔の内壁面のほぼ全体に配置されている請求項４〜７のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージ。
9. 前記筋状部が前記薄膜部の厚さであるフィルム厚の８０％よりも大きい長さに形成されている請求項４〜８のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージ。
10. ＭＥＭＳパッケージと、該ＭＥＭＳパッケージを包み込んでいるキャップとを有するＭＥＭＳマイクロフォンであって、
    該ＭＥＭＳパッケージは、ＭＥＭＳチップと、該ＭＥＭＳチップが固着されているパッケージ基板と、該パッケージ基板または前記ＭＥＭＳチップに接着されている薄膜フィルタを有し、
    該薄膜フィルタは、フィルム面と、該フィルム面の裏側に配置されている裏フィルム面とを有する薄膜部を有し、
    該薄膜部の前記パッケージ基板または前記ＭＥＭＳチップに接着されている接着領域に、前記フィルム面から前記裏フィルム面まで貫通する貫通孔が形成されているＭＥＭＳマイクロフォン。
11. ＭＥＭＳチップと、該ＭＥＭＳチップが固着されるパッケージ基板とを用いてＭＥＭＳパッケージが製造されるＭＥＭＳパッケージの製造方法であって、
    前記パッケージ基板が製造されるパッケージ領域が複数形成されているパッケージパネルの表面に接着剤からなるフィルタ接着層を形成するフィルタ接着層形成工程と、
    剥離可能な剥離接着層がベース基板に形成される剥離接着層形成工程と、該剥離接着層上に薄膜フィルタが形成される薄膜フィルタ形成工程とが実行されることによって製造されている薄膜フィルタ基板について、該薄膜フィルタ基板の前記剥離接着層から前記薄膜フィルタが剥離される薄膜フィルタ剥離工程と、
    該薄膜フィルタ剥離工程によって剥離された前記薄膜フィルタが前記パッケージパネルに転写される薄膜フィルタ転写工程とを有し、
    前記薄膜フィルタ形成工程は、前記薄膜フィルタの形成に用いられる樹脂層を貫通する貫通孔が、該樹脂層の前記パッケージ基板に接着される予定の接着予定領域に形成される貫通孔形成工程を有し、
    前記薄膜フィルタ転写工程は、前記接着予定領域が前記フィルタ接着層に重ねられた後、該フィルタ接着層の一部が前記貫通孔に入り込むようにすることによって、前記薄膜フィルタが前記パッケージ領域に接着されるＭＥＭＳパッケージの製造方法。
12. 前記薄膜フィルタ形成工程は、前記薄膜フィルタが形成される複数の個別領域が各前記パッケージ領域に応じた配置で形成されているフィルタ層が前記剥離接着層上に形成される請求項１１記載のＭＥＭＳパッケージの製造方法。
13. ＭＥＭＳチップと、該ＭＥＭＳチップが固着されるパッケージ基板とを用いてＭＥＭＳパッケージが製造されるＭＥＭＳパッケージの製造方法であって、
    剥離可能な剥離接着層がベース基板に形成される剥離接着層形成工程と、前記剥離接着層上に薄膜フィルタが形成される薄膜フィルタ形成工程とが実行されることによって製造されている薄膜フィルタ基板について、該薄膜フィルタ基板の表面に接着剤からなるフィルタ接着層が形成されることによって、接着層付フィルタ基板が製造される接着層付フィルタ基板製造工程と、
    前記ＭＥＭＳチップが製造されるＭＥＭＳ領域が複数形成されているＭＥＭＳ基板と、前記接着層付フィルタ基板とが重なった重合基板が製造される基板重合工程と、
    該重合基板が加熱されて、前記重合基板から前記剥離接着層と前記ベース基板とが剥離されることによって、前記薄膜フィルタが前記ＭＥＭＳウェハに転写される薄膜フィルタ転写工程とを有し、
    前記薄膜フィルタ形成工程は、前記薄膜フィルタの形成に用いられる樹脂層を貫通する貫通孔が、該樹脂層の前記ＭＥＭＳチップに接着される予定の接着予定領域に形成される貫通孔形成工程を有し、
    前記接着予定領域に前記フィルタ接着層が形成された後、該フィルタ接着層の一部が前記貫通孔に入り込むようにする進入工程を更に有するＭＥＭＳパッケージの製造方法。
14. 前記薄膜フィルタ形成工程は、前記薄膜フィルタが形成される複数の個別領域が前記ＭＥＭＳ領域に応じた配置で形成されているフィルタ層が前記剥離接着層上に形成される請求項１３記載のＭＥＭＳパッケージの製造方法。
15. 前記貫通孔形成工程は、前記薄膜フィルタの前記接着予定領域以外のフィルタ予定領域にも前記貫通孔が形成されるように実行される請求項１１〜１４のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージの製造方法。
16. 前記貫通孔形成工程は、前記フィルム面と交差する交差方向に沿った筋状部を有する筋付内壁面が前記貫通孔の内側に形成されるように実行される請求項１１〜１４のいずれか一項記載のＭＥＭＳパッケージの製造方法。
17. 前記薄膜フィルタ形成工程は、
    前記樹脂層の表面に金属層が形成される金属層形成工程と、
    複数の孔部が形成されているレジストパターンが該金属層に形成されるレジストパターン形成工程と、
    該レジストパターンがマスクに用いられて前記複数の孔部に応じた対応孔部が前記金属層に形成されることによって、金属パターンが形成される金属パターン形成工程とを更に有し、
    前記貫通孔形成工程は、前記筋付内壁面が形成されるように、該金属パターンをマスクに用いた反応性イオンエッチングが実行される請求項１６記載のＭＥＭＳパッケージの製造方法。

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