JPH03214064A - 加速度センサ - Google Patents

加速度センサ

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JPH03214064A
JPH03214064A JP2009112A JP911290A JPH03214064A JP H03214064 A JPH03214064 A JP H03214064A JP 2009112 A JP2009112 A JP 2009112A JP 911290 A JP911290 A JP 911290A JP H03214064 A JPH03214064 A JP H03214064A
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JP
Japan
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weight
center
acceleration
beams
gravity
Prior art date
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Pending
Application number
JP2009112A
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English (en)
Inventor
Junichi Takahashi
淳一 高橋
Hiroyuki Horiguchi
堀口 浩幸
Motomi Ozaki
尾崎 元美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ricoh Co Ltd filed Critical Ricoh Co Ltd
Priority to JP2009112A priority Critical patent/JPH03214064A/ja
Publication of JPH03214064A publication Critical patent/JPH03214064A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回転加速度と並進加速度を分離して検出する
加速度センサに関する。
従来の技術 従来における加速度センサの第一の従来例を第19図及
び第20図に基づいて説明する。第19図は加速度セン
サ本体の斜視図、第20図はそのセンサがパッケージ内
に収納された場合における断面形状を示したものである
。起歪体1はSi基板からなり、作用部2と支持部3と
は片持梁4により連設されている。この片持梁4の表面
には検出素子(ピエゾ抵抗)5が形成されている。前記
作用部2には肉厚の厚い重り6が設けられ、その上部に
付加重り7(ここでは、Au)が取付けられている。
この場合、加速度α又は角加速度乙により重り6部分に
力が加わり、この力により片持梁4が変形する。そして
、この片持梁4上に形成されたピエゾ抵抗5により、そ
の梁の歪(変形)を検出し、これにより加速度センサに
加わるα又は品を検出している。
次に、第二の従来例を第18図に基づいて説明する。起
歪体lはSi基板等からなるものであり、その中心部が
作用部2とされ、その周辺部が支持部3とされ、これら
両者間は検出面としての梁4により連設されている。そ
の梁4の表面には検出素子5が形成されている。また、
作用部2には肉厚の厚い重り6が形成され、その重り6
の下方にはさらに別体の付加重り7が取付けられている
さらに、支持部3の下方には台座8が設けられ、その上
部にはストッパー9が取付けられている。
そして、このように形成された起歪体1はパッケージ1
0内に収納されており、ボンディングワイヤ11を介し
て、リードビン12により外部に信号が取り出されるよ
うになっている。
このような構成において、加速度α又は角加速度品によ
り重り部分に力が加わり、この力により梁4が変形する
。この梁4に形成された検出素子5(ピエゾ抵抗)によ
り梁4の歪(変形)を検出することによって加速度α又
は角加速度ゐを測定することができる。
発明が解決しようとする課題 上述したような第一の従来例の装置においては、重り6
の部分はSi基板をエツチングすることにより形成され
ており、また、その付加重り7として用いられるAuは
重りの重心がピエゾ抵抗5が形成されている起歪体lの
表面と同一平面−Fにあるようにするために形成されて
いる。
この場合、重り6の表面方向の加速度βに対しては片持
梁4が曲がることがないために、その加速度βに対して
はセンサ出力は不感である。しかし、加速度0と角加速
度品の両者に対して、片持梁4は−様な変形を示す。こ
のため従来のような構成においては、加速度αと角加速
度ゐとを分離して検出することができない。
また、前述したような第二の従来例において、X軸方向
の加速度αXによりY軸方向の回転力Myが生じ、片持
梁4が変形し、この変形を検出素子5により検出してα
Xを求めることができる。
しかし、この場合、Y軸回りの角加速度Myが本加速度
センサに加わっても、梁4はαXが加わった場合と同様
に変形するため、結局、αXとδyを分離して検出する
ことができない。
課題を解決するための手段 そこで、このような問題点を解決するために、本発明は
、中心部に重りを有する作用部とその周辺部の支持部と
の間を肉厚の薄い検出面により連設して起歪体を形成し
、この検出面の機械的変形をその表面に形成された検出
素子により電気抵抗に変化させて検出する加速度センサ
において、前記作用部に前記検出面の厚みに関しての等
配分平面内に重心をもつ重りを設け、この重りの重心を
中心とした慣性モーメントが大きくなるように前記重り
の形状を設定した。
作用 従って、作用部に検出面の厚みに関しての等配分平面内
に重心をもつ重りを設け、この重りの重心を中心とした
慣性モーメントが大きくなるように重りの形状を設定し
たことにより、検出面と平行な方向の加速度に対して不
感な状態で角加速度のみを分離して検出することができ
、また、これにより検出面に垂直な加速度も独立して検
出することができる。
実施例 本発明の第一の実施例を第1図ないし第8図に基づいて
説明する。起歪体13は、Si単結晶基板により形成さ
れており、その中心は作用部14とされ、その周辺は支
持部15とされている。これら作用部14と支持部15
との間は肉厚の薄い検出面としての4本の梁16により
連設されている。前記作用部14には、その上下方向に
それぞれ重り17a、17bが形成されており、それら
市り17a、17bの先端にはさらに付加重りとしてA
u19が取付けられている。また、前記梁16は、n−
epi層により形成されており、その表面には検出素子
としてのピエゾ抵抗18(Rx、 〜Rx、、Ry、−
Ry、)が形成されている。
この場合、前記作用部17に設けられた重り17a、1
7bは、前記梁16の厚みに関しての等配分平面20内
に重心をもつようになっており、重り17a、17bの
重心を中心としたモーメントが大きくなるようにそれら
重り17a、17bの形状が設定されている。
また、前記支持部15の表面にはポンディングパッド2
1が形成され、このパッドはボンディングワイヤ22を
介してリードビン23と接続されている。前記支持s1
5はその下方では台座24に固定されている。
さらに、前記ピエゾ抵抗18は、第6図に示すようなブ
リッジ回路25を構成しており、増幅器26により出ノ
Jが増幅される。この場合、増幅器26としては、例え
ば、第7図に示すような構成のものを用いることができ
る。
このような構成において、第3図に示すように、梁16
に平行でX軸方向の加速度αXが加わったとしても1作
用部14に設けられた重り17a。
17bの重心は等配分平面20上に存在するので、梁1
6は何ら歪を生じない。従って、この場合、ピエゾ抵抗
RXl 〜Rx4− RV t 〜Rysの抵抗値は変
化しない。このことは加速度αyについても同じことが
言える。
次に、Y軸回りの角加速度Myが加わった場合、第4図
に示すような歪が梁16に生じ、これにより、Rx、、
Rx、は増加(+ΔR)し、RxR1Rx、は減少(−
ΔR)する。しかし、Ry+〜Ry、は変化しない。従
って、この場合、第6図に示すようなVMyだけがay
を検出した信号として出力される。また、これと同様な
原理により、tbxに関しても、VixだけがtaXを
検出した信号として出力される。
次に、α2が加わった時には、第5図に示すような歪が
梁16に生じ、これによりRx、、Rx4゜Ry、、R
V4は減少し、Rx、、Rx、、RV、。
RV sは増加する。従って、この場合、第6図に示す
ような■α2のみがαZを検出した信号として出力され
る。
上述したように、本実施例における加速度センサは、梁
16に平行な加速度αX、ayには不感で、x、Y軸回
りの角加速度ax、Myを分離して検出することができ
る。また、Lx、ayとは独立的に梁16に垂直な方向
の加速度α2を検出することができる。
次に、本加速度センサを作成するプロセスを第8図に基
づいて説明する。起歪体13の基板としては、P!52
Si上にn型エピタキシャル層を成長させたものを用い
る(a)、まず、この基板にイオン注入法、固相拡散法
等の選択拡散法により、ボロン等を拡散してピエゾ抵抗
18をn型エピタキシャル層上に形成し、さらに、コン
タクトホールメタル配線等により第6図のブリッジ回路
を構成する(b)。次に、電気化学エツチングによる結
晶軸異方性エツチング等によりP型Siを部分的にエツ
チング除去し、作用部14の下部の重り17b、支持部
15、梁16の領域のみを残す(C)。
次に、上部の重り17aとなるものを単結晶基板Siを
異方性エツチングにより別途作製しておき、この重り1
7aを陽極接合法或いは接着剤等により下部の重り17
bの真上に接合する(d)。これにより起歪体13を作
成することができる。
次に、本発明の第二の実施例を第9図に基づいて説明す
る。前述した第一の実施例では、検出面としての梁16
を4本用いたが、ここでは、その梁16を2本にしてピ
エゾ抵抗Rx、〜Rx、のみを形成したものである。こ
れにより加速度αZと角加速度myを検出することがで
きる。なお、その検出原理、回路構成、作製方法につい
ては、第一の実施例と同様に行うことができるのでここ
での説明は省略する。
次に、本発明の第三の実施例を第10図に基づいて説明
する。これは、検出面をこれまで述べた梁16としてで
はなく、ダイヤフラム27として形成した場合の例であ
る。この場合、そのダイヤフラム27上にピエゾ抵抗R
x、〜Rx4. Ry〜Ry4を形成することにより、
第一の実施例と同様に角加速度を分離して検出すること
ができる。
次に、本発明の第四の実施例を第1I図〜第13図に基
づいて説明する。これは、第12図に示すように、P’
lSiにピエゾ抵抗Rx、 〜Rx、。
Ry、〜Ry、を形成後、Siチップ両面から異方性エ
ツチングを行い、その中央部分に穴28を開ける。そし
て、その基板に別途作成した上部の重り17aと下部の
重り17bとをはめ込み接着剤等を用いて接合すること
により、第11図(a)に示すようなセンサを作成する
ことができる。なお、本実施例も第一の実施例と同様な
効果を得ることができる。
次に、本発明の第五の実施例を第14図に基づいて説明
する。この場合、第四の実施例で述べた第12図と同様
なプロセスを行うことにより、検出面を梁16上に形成
し、第11図と同様に組立ててセンサを構成することが
できる。
次に、本発明の第六の実施例を第15図に基づいて説明
する。起歪体であるSiチップは、第一の実施例で述べ
た第8図と同様なプロセスを行うことにより作成するこ
とができる。この場合、検出面は、第16図に示すよう
に4本の梁16として形成してもよいし、また、第17
図に示すようにダイヤフラム27として形成するように
してもよい。
最後に、これまで各実施例において述べた本発明に係る
加速度センサと従来技術において述べた第18図に示す
ような加速度センサとを組合わせた場合について考える
まず、第18図の加速度センサにおいて、Vx、=Aa
x十Bゐy  ・・・(1)V y 、 −Ccty 
+D t;> x   −(2)の関係が成り立つ。
また1本発明に係る加速度センサにおいて、Vx2=E
品y       ・・・(3)V y、=FゐX  
     ・・・(4)の関係が成り立つ。
従って、これら(1)〜(4)式の関係から、Vx。
ゐy=              ・・・(7)”j
x ゐX=              ・・・(8)ただ
し、A−Fは定数とする。
従って、これら(5)〜(8)式より、加速度と角加速
度を分離して検出することができることがわかる。この
ように従来の加速度センサと本発明に係る加速度センサ
とを組合わせることによってその測定の応用範囲を広げ
ることができる。
発明の効果 本発明は、中心部に重りを有する作用部とその周辺部の
支持部との間を肉厚の薄い検出面により連設して起歪体
を形成し、この検出面の機械的変形をその表面に形成さ
れた検出素子により電気抵抗に変化させて検出する加速
度センサにおいて、前記作用部に前記検出面の厚みに関
しての等配分平面内に重心をもつ重りを設け、この重り
の重心を中心とした慣性モーメントが大きくなるように
前記重りの形状を設定したので、作用部に検出面の厚み
に関しての等配分平面内に重心をもつ重りを設け、この
重りの重心を中心とした慣性モーメントが大きくなるよ
うに重りの形状を設定したことにより、検出面と平行な
方向の加速度に対して不感な状態で角加速度のみを分離
して検出することができ、また、これにより検出面に垂
直な加速度も独立して検出することができるものである
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の第一の実施例を示す側面図、第2図(
a)はそのセンサ本体の上面図、第2図(b)はそのセ
ンサ本体の下面図、第3図は加速度αXが作用した時の
状態図、第4図は角加速度Myが作用した時の状態図、
第5図は加速度αZが作用した時の状態図、第6図は検
出素子によりブリッジ回路を構成した時の様子を示す回
路図、第7図はその増幅器の一例を示す回路図、第8図
はプロセス図、第9図(a)は本発明の第二の実施例で
あるセンサ本体の上面図、第9図(b)はそのセンサ本
体の下面図、第10図(a)は本発明の第三の実施例で
あるセンサ本体の上面図、第1O図(b)はそのセンサ
本体の下面図、第11図(a)は本発明の第四の実施例
を示す上面図、第11図(b)はその側面図、第12図
はそのプロセス図、第13図(a)は第11図のセンサ
本体の上面図、第13図(b)はそのセンサ本体の下面
図、第14図は本発明の第五の実施例を示す平面図、第
15図は本発明の第六の実施例を示す側面図、第16図
(a)はそのセンサ本体の上面図、第16図(b)はそ
のセンサ本体の下面図、第17図(a)は第15図の検
出面をダイヤフラムとした場合におけるセンサ本体の上
面図、第17図(b)はそのセンサ本体の下面図、第1
8図(a)は第二の従来例を示す側面図、第18図(b
)はそのセンサ本体の平面図、第19図は第一の従来例
であるセンサ本体を示す斜視図、第20図はそのセンサ
本体がパッケージ内に収められた時の機側面図である。 3・・・起歪体、 14・・・作用部、 5・・・支持部、 ■ 6・・・検出面、 17a。 17b・・・重り、 ■ 8・・・検 出素子、 20・・・等配分平面 出 願 人 株式会社 リ コ 11 」 2図 (a) (b) 」6 」 ヌ U 図 一下 5ヌ 、17b q (a) (a) 」8 図 (b) 図 (b) −第」」図 (a) Jl 、12図 J5 J3図 (a) (b) J」は図 」6 1」7図 (a) (b) 1( 3」○図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 中心部に重りを有する作用部とその周辺部の支持部との
    間を肉厚の薄い検出面により連設して起歪体を形成し、
    前記検出面の機械的変形をその表面に形成された検出素
    子により電気抵抗に変化させて検出する加速度センサに
    おいて、前記作用部に前記検出面の厚みに関しての等配
    分平面内に重心をもつ重りを設け、この重りの重心を中
    心とした慣性モーメントが大きくなるように前記重りの
    形状を設定したことを特徴とする加速度センサ。
JP2009112A 1990-01-18 1990-01-18 加速度センサ Pending JPH03214064A (ja)

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4316279A1 (de) * 1992-05-15 1993-11-18 Hitachi Ltd Halbleiter-Beschleunigungsmesser
US5485749A (en) * 1993-05-26 1996-01-23 Matsushita Electric Works, Ltd. Acceleration detector
KR100353994B1 (ko) * 1999-12-23 2002-09-26 현대자동차주식회사 회전 각속도 및 가속도 검출 장치
EP1363104A2 (en) * 2002-05-17 2003-11-19 Delphi Technologies, Inc. Tilt sensor and method of forming such device
JP2006105798A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体加速度センサおよびその製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4316279A1 (de) * 1992-05-15 1993-11-18 Hitachi Ltd Halbleiter-Beschleunigungsmesser
JPH05312829A (ja) * 1992-05-15 1993-11-26 Hitachi Ltd 加速度センサ
US5567880A (en) * 1992-05-15 1996-10-22 Hitachi, Ltd. Semiconductor accelerometer
US5485749A (en) * 1993-05-26 1996-01-23 Matsushita Electric Works, Ltd. Acceleration detector
KR100353994B1 (ko) * 1999-12-23 2002-09-26 현대자동차주식회사 회전 각속도 및 가속도 검출 장치
EP1363104A2 (en) * 2002-05-17 2003-11-19 Delphi Technologies, Inc. Tilt sensor and method of forming such device
EP1363104A3 (en) * 2002-05-17 2005-07-13 Delphi Technologies, Inc. Tilt sensor and method of forming such device
JP2006105798A (ja) * 2004-10-06 2006-04-20 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体加速度センサおよびその製造方法
JP4559178B2 (ja) * 2004-10-06 2010-10-06 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体加速度センサおよびその製造方法

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