JPH05312829A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH05312829A JPH05312829A JP4123220A JP12322092A JPH05312829A JP H05312829 A JPH05312829 A JP H05312829A JP 4123220 A JP4123220 A JP 4123220A JP 12322092 A JP12322092 A JP 12322092A JP H05312829 A JPH05312829 A JP H05312829A
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- G01P2015/0828—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type being suspended at one of its longitudinal ends
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- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
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- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
- G01P2015/0842—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass the mass being of clover leaf shape
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Abstract
(57)【要約】
【目的】加速度を検出する半導体加速度センサに係るも
のである。微小な加速度から衝突に至る百Gにも達する
加速度を検出可能な構造であり、量産性が高いプロセス
構造となっている。 【構成】単結晶シリコン1を加工して、枠部3と質量部
5とをつなぐ、ダイヤフラム部6とにより、質量部5と
付加金属膜7の重量がダイヤフラム部を中心に上下に配
設され、質量部5の加速度によって変位する変化量を高
精度に検出することが出来、更に印加された加速度の方
向とレベルを判別する回路を設えた構成となっており、
端子部8に接続された回路によって検出するものであ
る。 【効果】加速度及び三次元加速度を検出することによ
り、車両用のセンサとして新たな用い方が出来る効果が
ある。
のである。微小な加速度から衝突に至る百Gにも達する
加速度を検出可能な構造であり、量産性が高いプロセス
構造となっている。 【構成】単結晶シリコン1を加工して、枠部3と質量部
5とをつなぐ、ダイヤフラム部6とにより、質量部5と
付加金属膜7の重量がダイヤフラム部を中心に上下に配
設され、質量部5の加速度によって変位する変化量を高
精度に検出することが出来、更に印加された加速度の方
向とレベルを判別する回路を設えた構成となっており、
端子部8に接続された回路によって検出するものであ
る。 【効果】加速度及び三次元加速度を検出することによ
り、車両用のセンサとして新たな用い方が出来る効果が
ある。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は加速度センサに係り、特
に自動車のエアバック用や車体制御用に好適な加速度セ
ンサに関する。
に自動車のエアバック用や車体制御用に好適な加速度セ
ンサに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の加速度センサとしては例えば特開
平3−214064 号公報に記載されている装置がある。この
加速度センサは回転加速度と並進加速度を分離して検出
するセンサで、検出面の厚みに関して等配分平面内に重
心をもつ重りを設けたものである。
平3−214064 号公報に記載されている装置がある。この
加速度センサは回転加速度と並進加速度を分離して検出
するセンサで、検出面の厚みに関して等配分平面内に重
心をもつ重りを設けたものである。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術は、重り
を質量部と同様のシリコンを加工して形成したものであ
るため、微細加工の両面アライメントが数回に亘たり、
加工精度を十分確保することはできなかった。そのた
め、量産とするために問題があった。本発明の目的は、
量産が可能で微小加速度から百Gに達する加速度が検出
できる加速度センサを提供することにある。
を質量部と同様のシリコンを加工して形成したものであ
るため、微細加工の両面アライメントが数回に亘たり、
加工精度を十分確保することはできなかった。そのた
め、量産とするために問題があった。本発明の目的は、
量産が可能で微小加速度から百Gに達する加速度が検出
できる加速度センサを提供することにある。
【0004】
【課題を解決するための手段】上記目的は検出対象物に
固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣性力に
変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接続する
ダイヤフラム部とを有する加速度センサにおいて、前記
質量部に付加質量膜を設けることによって達成される。
固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣性力に
変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接続する
ダイヤフラム部とを有する加速度センサにおいて、前記
質量部に付加質量膜を設けることによって達成される。
【0005】また、上記目的を達成するための本発明
は、検出対象物に固定される枠部と、前記検出対象物の
加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質
量部とを接続するダイヤフラム部とを有する加速度セン
サにおいて、前記質量部の上面と下面に付加質量部材を
設けたものである。
は、検出対象物に固定される枠部と、前記検出対象物の
加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質
量部とを接続するダイヤフラム部とを有する加速度セン
サにおいて、前記質量部の上面と下面に付加質量部材を
設けたものである。
【0006】さらに、本発明の加速度センサは、検出対
象物に固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣
性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接
続するダイヤフラム部とを有する加速度センサにおい
て、前記質量部にその質量部よりも密度の高い材料から
なる付加質量部材を設けたものである。
象物に固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣
性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接
続するダイヤフラム部とを有する加速度センサにおい
て、前記質量部にその質量部よりも密度の高い材料から
なる付加質量部材を設けたものである。
【0007】さらに、本発明の加速度センサは、検出対
象物に固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣
性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接
続するダイヤフラム部とを有する加速度センサにおい
て、前記質量部の前記ダイヤフラム部の幅の部分に質量
中心がくるように付加質量部材を前記質量部に設けたも
のである。
象物に固定される枠部と、前記検出対象物の加速度を慣
性力に変換する質量部と、前記枠部と前記質量部とを接
続するダイヤフラム部とを有する加速度センサにおい
て、前記質量部の前記ダイヤフラム部の幅の部分に質量
中心がくるように付加質量部材を前記質量部に設けたも
のである。
【0008】
【作用】車体制御用の微小加速度及び衝突時の百Gにも
及ぶ加速度のいずれの検出の場合でも、質量部をつなぐ
ダイヤフラム部によって一体となっているシリコンに
て、印加された加速度により、質量部が変位し、質量部
につながれたダイヤフラム部に配設された拡散ゲージが
変化として採り出し、加速度の印加された方向と加速度
レベルを検出するものである。
及ぶ加速度のいずれの検出の場合でも、質量部をつなぐ
ダイヤフラム部によって一体となっているシリコンに
て、印加された加速度により、質量部が変位し、質量部
につながれたダイヤフラム部に配設された拡散ゲージが
変化として採り出し、加速度の印加された方向と加速度
レベルを検出するものである。
【0009】このように作用する加速度センサで質量部
に付加質量膜や、質量部よりも密度の高い付加質量部材
を設けることによって、質量中心をダイヤフラム部の幅
の位置にもってくることができるので、出力の零点補償
が容易となるとともに、加工精度がよくなる。
に付加質量膜や、質量部よりも密度の高い付加質量部材
を設けることによって、質量中心をダイヤフラム部の幅
の位置にもってくることができるので、出力の零点補償
が容易となるとともに、加工精度がよくなる。
【0010】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図1,図2により
説明する。
説明する。
【0011】単結晶シリコン板1を加工して、枠部3と
質量部5とを形成し、それらを継ぐダイヤフラム部6を
形成し、ダイヤフラム部6との組合わせにより質量部5
が加速度に応じた動きを検出した際、その動きのバラン
スをとるものである。そのバランスは付加金属7と質量
部5との組合わせにもよってくる。
質量部5とを形成し、それらを継ぐダイヤフラム部6を
形成し、ダイヤフラム部6との組合わせにより質量部5
が加速度に応じた動きを検出した際、その動きのバラン
スをとるものである。そのバランスは付加金属7と質量
部5との組合わせにもよってくる。
【0012】この質量部5の形状は従来、図9に示すご
とく、図1のダイヤフラム部6に相当するカンチレバー
10は質量部5の中心に配設されている構造となってい
る。これは加速度検出時の特性であるヒステリシスや感
度を確保するための構成であるが、微細加工においては
両面からのアライメントが複雑となり、これらの断面形
状を確保するためにはウエハ両面からのアライメント
(ホトリソグラフィ)が4〜5回必要となりウエハ両面
での精度確保は非常に困難とならざるを得ない。更に、
この形状で量産適用となると、両面アライナーはコンタ
クト方式のみであり、ULSI等の半導体で用いられて
いるステッパ方式の両面アライナーは無く、数回の表裏
両面のパターン合わせ精度と共に量産移行が困難な構成
であると云わざるを得ないものである。ところが図1の
構成形状はダイヤフラム部6は現在量産されている半導
体圧力センサと同じく、両面のアライメントが1回で行
なわれるもので、ディープエッチングも図1のごとく、
片側から一度行なうだけで済み、そのため、ヒステリシ
ス等の特性を確保するため、Au等の付加金属膜7を質
量部5相当分だけ、薄膜化して成膜積上げるものであ
り、実質ダイヤフラム部6が付加金属膜7+質量部5の
中心に配設されるものである。
とく、図1のダイヤフラム部6に相当するカンチレバー
10は質量部5の中心に配設されている構造となってい
る。これは加速度検出時の特性であるヒステリシスや感
度を確保するための構成であるが、微細加工においては
両面からのアライメントが複雑となり、これらの断面形
状を確保するためにはウエハ両面からのアライメント
(ホトリソグラフィ)が4〜5回必要となりウエハ両面
での精度確保は非常に困難とならざるを得ない。更に、
この形状で量産適用となると、両面アライナーはコンタ
クト方式のみであり、ULSI等の半導体で用いられて
いるステッパ方式の両面アライナーは無く、数回の表裏
両面のパターン合わせ精度と共に量産移行が困難な構成
であると云わざるを得ないものである。ところが図1の
構成形状はダイヤフラム部6は現在量産されている半導
体圧力センサと同じく、両面のアライメントが1回で行
なわれるもので、ディープエッチングも図1のごとく、
片側から一度行なうだけで済み、そのため、ヒステリシ
ス等の特性を確保するため、Au等の付加金属膜7を質
量部5相当分だけ、薄膜化して成膜積上げるものであ
り、実質ダイヤフラム部6が付加金属膜7+質量部5の
中心に配設されるものである。
【0013】本発明においては半導体圧力センサと同じ
く、両面アライメントが一回で済む形状であり、容易に
量産可能な形状を示した。
く、両面アライメントが一回で済む形状であり、容易に
量産可能な形状を示した。
【0014】図1は本発明の断面を示し、ダイヤフラム
部6を中心に質量部5と付加金属膜7を構成し、そのダ
イヤフラム部6に拡散ひずみゲージ21,22,23,
24で構成するブリッジ回路2を配設し、実装を容易に
するガラス板(下)4を陽極接合等により接合したもの
を示した。
部6を中心に質量部5と付加金属膜7を構成し、そのダ
イヤフラム部6に拡散ひずみゲージ21,22,23,
24で構成するブリッジ回路2を配設し、実装を容易に
するガラス板(下)4を陽極接合等により接合したもの
を示した。
【0015】図2はその平面図であり、点線部分が裏側
からディープエッチングして極薄となったダイヤフラム
部6を示しているものである。
からディープエッチングして極薄となったダイヤフラム
部6を示しているものである。
【0016】図3はチップサイズ(図1等において)が
数mm角となった場合に加速度に対応した質量部5の形状
が確保出来なかったり、又はダイヤフラム部6の厚みが
極薄となって質量部5との組合わせが困難となった場合
に質量部5に補助付加金属膜11を成膜し、付加金属膜
7もこれに相当する膜厚にすることにより、ダイヤフラ
ム部6を極薄にしなくても良い構成を示したものであ
る。
数mm角となった場合に加速度に対応した質量部5の形状
が確保出来なかったり、又はダイヤフラム部6の厚みが
極薄となって質量部5との組合わせが困難となった場合
に質量部5に補助付加金属膜11を成膜し、付加金属膜
7もこれに相当する膜厚にすることにより、ダイヤフラ
ム部6を極薄にしなくても良い構成を示したものであ
る。
【0017】この様に一枚のウエハに数百チップを形成
(数mm角)するセンサ等の両面アライメントはウエハ中
心と端部とのチップでは露光時の光の入射角の違いや光
の収差の関係で多数回の両面アライメントは大変であ
り、パワー半導体のごとき、GTO等のサイリスタでの
両面露光はウエハがそのままチップであり、センサ等の
数百チップ/ウエハとは両面アライナーの用い方やセン
サ構成時と利用プロセスによって精度や量産性が決って
しまうものである。
(数mm角)するセンサ等の両面アライメントはウエハ中
心と端部とのチップでは露光時の光の入射角の違いや光
の収差の関係で多数回の両面アライメントは大変であ
り、パワー半導体のごとき、GTO等のサイリスタでの
両面露光はウエハがそのままチップであり、センサ等の
数百チップ/ウエハとは両面アライナーの用い方やセン
サ構成時と利用プロセスによって精度や量産性が決って
しまうものである。
【0018】図4は、質量部5の下部に空隙16を設け
た加速度センサである。
た加速度センサである。
【0019】図5及び図6には図1〜図4を用いたセン
サとしての回路図を示したもので、特に図6には図1及
び図2と一体化した回路の概念図と断面構造を示したも
のである。
サとしての回路図を示したもので、特に図6には図1及
び図2と一体化した回路の概念図と断面構造を示したも
のである。
【0020】図7は図6に示した回路構成の断面概念図
を示した。もちろん、これらは図1に示す検出部と回路
は別々に構成され、ワイヤボンディング等により接続さ
れても良いことは云うまでもない。
を示した。もちろん、これらは図1に示す検出部と回路
は別々に構成され、ワイヤボンディング等により接続さ
れても良いことは云うまでもない。
【0021】図8は図1及び図2の検出部を用いて加速
度の他に角速度も検出する、所謂三次元の加速度を検出
する回路を示したものである。
度の他に角速度も検出する、所謂三次元の加速度を検出
する回路を示したものである。
【0022】図9,図10は一般の半導体容量式加速度
センサの検出部と回路ブロック図を示したものである。
これらは先に説明したごとく質量部5の中央にカンチレ
バー10を設けて特性であるヒステリシスを確保した形
状である。この加速度センサを製作するためには微細加
工を両面のアライメント数回する必要がある。
センサの検出部と回路ブロック図を示したものである。
これらは先に説明したごとく質量部5の中央にカンチレ
バー10を設けて特性であるヒステリシスを確保した形
状である。この加速度センサを製作するためには微細加
工を両面のアライメント数回する必要がある。
【0023】図11は図1の構造のものを静電容量方式
に代え付加金属膜7を質量部5の上側に配設したもので
あり、図1と同様にカンチレバー10が中央から上方に
移って微細加工が仕易くなった構成となっており、同様
に加速度の検出が可能な構成である。図12は図3と同
じ構成であり、図3と同様に補助付加金属膜11を設け
たものである。
に代え付加金属膜7を質量部5の上側に配設したもので
あり、図1と同様にカンチレバー10が中央から上方に
移って微細加工が仕易くなった構成となっており、同様
に加速度の検出が可能な構成である。図12は図3と同
じ構成であり、図3と同様に補助付加金属膜11を設け
たものである。
【0024】図13,図14,図15,図16の構成の
ものについては質量部5の上に付加金属膜7を配設する
ことにより、静電容量方式において三次元の加速度を検
出する構成とその動作回路を示したものである。付加金
属膜7を設けて前に示した実施例と同様にヒステリシス
の特性が改善される構成にしたものである。
ものについては質量部5の上に付加金属膜7を配設する
ことにより、静電容量方式において三次元の加速度を検
出する構成とその動作回路を示したものである。付加金
属膜7を設けて前に示した実施例と同様にヒステリシス
の特性が改善される構成にしたものである。
【0025】図17は図1の平面図と同様に付加金属膜
7の配設を示したものである。図1との違いはダイヤフ
ラム部6に吹抜け孔14を設けたものである。これらは
ブリッジ回路2の拡散ひずみゲージ21,23の両脇に
設けた構成としているが、どの位置でも良いのは云うま
でもない。質量部5の中に吹抜け孔14を設けることも
可能であり、シリコン板1と陽極接合等でガラス板
(下)4とのダンピングを良くすることである。しか
し、図11〜図12での静電容量方式においてはガラス
板(上)9も接合され、上下に動作することにより、ダ
ンピング時の空気の流れが上下に移動する構造の時は吹
抜け孔14の設定位置は中央等に検討しなければならな
い。
7の配設を示したものである。図1との違いはダイヤフ
ラム部6に吹抜け孔14を設けたものである。これらは
ブリッジ回路2の拡散ひずみゲージ21,23の両脇に
設けた構成としているが、どの位置でも良いのは云うま
でもない。質量部5の中に吹抜け孔14を設けることも
可能であり、シリコン板1と陽極接合等でガラス板
(下)4とのダンピングを良くすることである。しか
し、図11〜図12での静電容量方式においてはガラス
板(上)9も接合され、上下に動作することにより、ダ
ンピング時の空気の流れが上下に移動する構造の時は吹
抜け孔14の設定位置は中央等に検討しなければならな
い。
【0026】図18はダイヤフラム部6が極薄になる様
な質量部5の設計の際は、ダイヤフラム部6よりも若干
肉厚にする必要がある。厚肉部15を設定することによ
り極薄のダイヤフラム部6と質量部5を支えることが出
来る構成である。
な質量部5の設計の際は、ダイヤフラム部6よりも若干
肉厚にする必要がある。厚肉部15を設定することによ
り極薄のダイヤフラム部6と質量部5を支えることが出
来る構成である。
【0027】図19は、図17に示した実施例にスリッ
ト17を設けたものである。
ト17を設けたものである。
【0028】図20,図21は加速度センサの特性を示
したものであるが、非直線誤差(Non−linearity)のヒス
テリシスを示した。図9,図10のように微細加工にて
表裏の両面アライメントを数回繰返して図9の質量部5
の中心にカンチレバー10(又はダイヤフラム部6)を
配設すれば特性を確保出来るが、質量部5の上面にダイ
ヤフラム部6を設定すると上下の動作に対し、ヒステリ
シスを生じるため、付加金属膜7を設けたものであり、
その比較を示したものである。これによって微細加工が
容易になり、両面のアライメントも一回で済み、精度確
保が可能な構成となった。
したものであるが、非直線誤差(Non−linearity)のヒス
テリシスを示した。図9,図10のように微細加工にて
表裏の両面アライメントを数回繰返して図9の質量部5
の中心にカンチレバー10(又はダイヤフラム部6)を
配設すれば特性を確保出来るが、質量部5の上面にダイ
ヤフラム部6を設定すると上下の動作に対し、ヒステリ
シスを生じるため、付加金属膜7を設けたものであり、
その比較を示したものである。これによって微細加工が
容易になり、両面のアライメントも一回で済み、精度確
保が可能な構成となった。
【0029】図16の回路は、各電極間の容量変化はΔ
C検出部50にて検出され、増幅部51にて増幅され、
PWM部52(パルス幅変調部)で変調され、その各々
の信号が演算出力部53にて演算され、Z方向はV1 と
して検出され、X方向はV2として、Y方向はV3 とし
て各々の電圧が検出され、三次元の加速度として判別さ
れるものである。電源部1101,規準電圧発生部11
02,自己診断回路1103等は当然、設えられている
ものである。
C検出部50にて検出され、増幅部51にて増幅され、
PWM部52(パルス幅変調部)で変調され、その各々
の信号が演算出力部53にて演算され、Z方向はV1 と
して検出され、X方向はV2として、Y方向はV3 とし
て各々の電圧が検出され、三次元の加速度として判別さ
れるものである。電源部1101,規準電圧発生部11
02,自己診断回路1103等は当然、設えられている
ものである。
【0030】図16と図8の回路における各信号の干渉
を排除するための位相をずらす様にするものであるが、
ここではタイミングチャート等は示してないが、信号の
位相を各々ずらしているものである。以上の様に本発明
の加速度センサは三次元の判別可能な構成となってお
り、質量部5とダイヤフラム部6(カンチレバー10)
に対し、付加金属膜7及び補助付加金属膜11等の組合
わせによって確保されるものである。
を排除するための位相をずらす様にするものであるが、
ここではタイミングチャート等は示してないが、信号の
位相を各々ずらしているものである。以上の様に本発明
の加速度センサは三次元の判別可能な構成となってお
り、質量部5とダイヤフラム部6(カンチレバー10)
に対し、付加金属膜7及び補助付加金属膜11等の組合
わせによって確保されるものである。
【0031】以上説明した図11〜図12の構造におい
て、ガラス板(下)4とガラス板(上)9を用いた構成
になっているが、上下にシリコン板を配設してシリコン
/シリコン/シリコンの組合わせが出来ることは云うま
でもない。
て、ガラス板(下)4とガラス板(上)9を用いた構成
になっているが、上下にシリコン板を配設してシリコン
/シリコン/シリコンの組合わせが出来ることは云うま
でもない。
【0032】以上説明した加速度センサにおいては、実
質的な質量中心の位置を質量部5のダイヤフラム部6の
幅内に設けることによって出力の零点調整が簡単に行え
るとともに、温度変化による影響を受けずに精度よく加
速度を検出することができる。
質的な質量中心の位置を質量部5のダイヤフラム部6の
幅内に設けることによって出力の零点調整が簡単に行え
るとともに、温度変化による影響を受けずに精度よく加
速度を検出することができる。
【0033】さらに、本発明の実施例で示した加速度セ
ンサは、自動車等の車体制御用の微小加速度の検出か
ら、エアバック用の百Gの大きな加速度を検出すること
もできる。そのため、検出部,エアバック動作等の判断
するための演算出力部、その演算出力部からの出力によ
って動作するエアバック装置との組合わせにより、より
高精度に動作するエアバックシステムに適用することが
可能である。同様に車体制御システムにも適用すること
ができる。
ンサは、自動車等の車体制御用の微小加速度の検出か
ら、エアバック用の百Gの大きな加速度を検出すること
もできる。そのため、検出部,エアバック動作等の判断
するための演算出力部、その演算出力部からの出力によ
って動作するエアバック装置との組合わせにより、より
高精度に動作するエアバックシステムに適用することが
可能である。同様に車体制御システムにも適用すること
ができる。
【0034】
【発明の効果】本発明によれば自動車等の車体制御用の
微小加速度の検出から、衝突による百G等の大きな加速
度も検出することが出来、更にこれまで、方向によって
多数個のセンサを要していたものが、一ケにて三次元の
加速度を検出することが出来る等の効果があると共に、
それらによって製造の容易さと信頼性の向上が計れると
云う効果がある。
微小加速度の検出から、衝突による百G等の大きな加速
度も検出することが出来、更にこれまで、方向によって
多数個のセンサを要していたものが、一ケにて三次元の
加速度を検出することが出来る等の効果があると共に、
それらによって製造の容易さと信頼性の向上が計れると
云う効果がある。
【図1】本発明の加速度センサの一実施例を示す断面
図。
図。
【図2】図1の平面図。
【図3】本発明の他の実施例を示す加速度センサの断面
図。
図。
【図4】本発明の他の実施例を示す加速度センサの断面
図。
図。
【図5】本発明の適用回路構成図。
【図6】適用回路の平面及び断面概念図。
【図7】適用回路の断面構造概念図。
【図8】三次元検出用の適用回路構成図。
【図9】従来構造の断面図。
【図10】従来構造の回路構成図。
【図11】本発明の他の実施例を示す加速度センサの断
面図。
面図。
【図12】本発明の他の実施例を示す加速度センサの断
面図。
面図。
【図13】本発明の他の実施例を示す加速度センサの斜
視図。
視図。
【図14】図13のA−A′断面図。
【図15】図13のB−B′断面図。
【図16】図13の検出用回路構成図。
【図17】本発明の他の実施例を示す図。
【図18】本発明の他の実施例を示す図。
【図19】本発明の他の実施例を示す図。
【図20】本発明の特性比較図。
【図21】本発明の特性比較図。
1,1′…シリコン板、2…ブリッジ回路、21〜24
(21′〜24′,21″〜24″)…拡散ひずみゲー
ジ、3…枠部、4…ガラス板(下)、5…質量部(可動
電極)、6…ダイヤフラム部、7…付加金属膜、8…端
子部、9…ガラス板(上)、10…カンチレバー、11
…補助付加金属膜、12(12a〜12d)…分離領
域、13…固定電極、14…吹き抜け孔、15…厚肉
部、33〜34…直列抵抗、45〜46…並列抵抗、5
0…ΔC検出部、51…増幅部、52…PWM部、53
…演算出力部、54…発振器、55…クロック発生器、
61〜64…出力端子及び電源端子、81〜84…並列
抵抗、104…絶縁分離用拡散層、105…エピタキシ
ャル成長層、106…npnトランジスタ、107…アル
ミ電極配線、108…シリコン酸化膜、151〜158
…演算増幅器、1101…電源部、1102…規準電圧
発生部、1103…自己診断回路、V0〜V3 …出力電
圧。
(21′〜24′,21″〜24″)…拡散ひずみゲー
ジ、3…枠部、4…ガラス板(下)、5…質量部(可動
電極)、6…ダイヤフラム部、7…付加金属膜、8…端
子部、9…ガラス板(上)、10…カンチレバー、11
…補助付加金属膜、12(12a〜12d)…分離領
域、13…固定電極、14…吹き抜け孔、15…厚肉
部、33〜34…直列抵抗、45〜46…並列抵抗、5
0…ΔC検出部、51…増幅部、52…PWM部、53
…演算出力部、54…発振器、55…クロック発生器、
61〜64…出力端子及び電源端子、81〜84…並列
抵抗、104…絶縁分離用拡散層、105…エピタキシ
ャル成長層、106…npnトランジスタ、107…アル
ミ電極配線、108…シリコン酸化膜、151〜158
…演算増幅器、1101…電源部、1102…規準電圧
発生部、1103…自己診断回路、V0〜V3 …出力電
圧。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小出 晃 東京都国分寺市東恋ケ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (12)
- 【請求項1】検出対象物に固定される枠部と、前記検出
対象物の加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠部
と前記質量部とを接続するダイヤフラム部とを有する加
速度センサにおいて、前記質量部に付加質量膜を設けた
ことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項2】請求項1記載の加速度センサにおいて、前
記付加質量膜は金属膜であることを特徴とする加速度セ
ンサ。 - 【請求項3】請求項1記載の加速度センサにおいて、前
記枠部、前記質量部及び前記ダイヤフラム部をシリコン
の一体構造としたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項4】請求項1記載の加速度センサにおいて、前
記質量部の周囲に前記ダイヤフラム部を設けたことを特
徴とする加速度センサ。 - 【請求項5】請求項1記載の加速度センサにおいて、前
記ダイヤフラム部に検出部を配設したことを特徴とする
加速度センサ。 - 【請求項6】請求項5記載の加速度センサにおいて、前
記検出部の肉厚を前記ダイヤフラム部よりも厚くしたこ
とを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項7】検出対象物に固定される枠部と、前記検出
対象物の加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠部
と前記質量部とを接続するダイヤフラム部とを有する加
速度センサにおいて、前記質量部の上面と下面に付加質
量部材を設けたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項8】請求項7記載の加速度センサにおいて、前
記付加質量部材は金属膜であることを特徴とする加速度
センサ。 - 【請求項9】検出対象物に固定される枠部と、前記検出
対象物の加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠部
と前記質量部とを接続するダイヤフラム部とを有する加
速度センサにおいて、前記質量部にその質量部よりも密
度の高い材料からなる付加質量部材を設けたことを特徴
とする加速度センサ。 - 【請求項10】検出対象物に固定される枠部と、前記検
出対象物の加速度を慣性力に変換する質量部と、前記枠
部と前記質量部とを接続するダイヤフラム部とを有する
加速度センサにおいて、前記質量部の前記ダイヤフラム
部の幅の部分に質量中心がくるように付加質量部材を前
記質量部に設けたことを特徴とする加速度センサ。 - 【請求項11】請求項1ないし請求項10のいずれか記
載の加速度センサにおいて、前記質量部は上部に付加質
量部と、下部に空隙部を有することを特徴とする加速度
センサ。 - 【請求項12】請求項1ないし請求項11のいずれか記
載の加速度センサと、前記ダイヤフラム部に配設された
検出部の変化により加速度の変化を検出する検出回路
と、前記検出回路からの出力に基づいて自動車のエアバ
ックを動作させるか否かを判断する演算出力部とから構
成したことを特徴とするエアバックシステム。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4123220A JP2776142B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 加速度センサ |
DE9320965U DE9320965U1 (de) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | Halbleiter-Beschleunigungsmesser |
DE4316279A DE4316279A1 (de) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | Halbleiter-Beschleunigungsmesser |
US08/060,832 US5567880A (en) | 1992-05-15 | 1993-05-14 | Semiconductor accelerometer |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP4123220A JP2776142B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 加速度センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05312829A true JPH05312829A (ja) | 1993-11-26 |
JP2776142B2 JP2776142B2 (ja) | 1998-07-16 |
Family
ID=14855177
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4123220A Expired - Lifetime JP2776142B2 (ja) | 1992-05-15 | 1992-05-15 | 加速度センサ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
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JP (1) | JP2776142B2 (ja) |
DE (1) | DE4316279A1 (ja) |
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- 1993-05-14 US US08/060,832 patent/US5567880A/en not_active Expired - Fee Related
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DE4316279A1 (de) | 1993-11-18 |
JP2776142B2 (ja) | 1998-07-16 |
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