KR20150049056A - 가속도 센서 - Google Patents

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KR20150049056A
KR20150049056A KR1020130129084A KR20130129084A KR20150049056A KR 20150049056 A KR20150049056 A KR 20150049056A KR 1020130129084 A KR1020130129084 A KR 1020130129084A KR 20130129084 A KR20130129084 A KR 20130129084A KR 20150049056 A KR20150049056 A KR 20150049056A
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김종운
김종범
한승훈
이성준
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삼성전기주식회사
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Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서는 제1 질량체와 제2 질량체를 포함하는 질량체부와, 상기 제1 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 제2 질량체에 대향되도록 위치된 제1 지지부와, 상기 제1 지지부에 결합된 제2 지지부를 포함하는 지지부를 포함하고, 상기 질량체부, 가요성 빔 및 지지부는 적층되도록 결합된 제1 기판 및 제2 기판으로 이루어지고, 상기 질량체부의 과대변위발생시 제2 질량체는 상기 제1 지지부에 접촉되어 질량체부의 변위가 제한된다.

Description

가속도 센서{Acceleration Sensor}
본 발명은 가속도 센서에 관한 것이다.
일반적으로 관성센서는 자동차, 항공기, 이동통신단말기, 완구등에서 다양하게 사용되고 있으며, X축, Y축 및 Z축 가속도 및 각속도를 측정하는 3축 가속도 및 각속도 센서가 요구되고, 미세한 가속도를 검출하기 위해 고성능 및 소형으로 개발되고 있다.
이와 같은 관성센서 중에서 가속도 센서는 질량체 및 가요성 빔의 움직임을 전기신호로 변환시키는 기술적특징을 포함하고, 질량체의 움직임을 가요성 빔에 배치된 피에조저항 소자의 저항변화로부터 검출하는 압저항(피에조 저항)방식과, 질량체의 움직임을 고정전극과의 사이의 정전용량 변화로 검출하는 정전용량방식 등이 있다.
그리고 압저항방식은 응력(Stress)에 의한 저항값이 변화하는 소자를 이용하는 것으로, 예를 들어 인장응력이 분포된 곳에는 저항값이 증가하며, 압축응력이 분포된 곳에는 저항값이 감소한다.
또한, 선행기술문헌을 포함한 종래기술에 따른 압저항방식의 가속도 센서는 감도증가를 위해 빔의 면적을 축소하다보니 충격에 취약하고, 질량체의 과대변위를 방지하기 위해 스토퍼 형성시 공정이 복잡하고, 생산성이 저하되는 문제점을 지니고 있다.
US 20060156818 A
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 제1 관점은 제1 기판 및 제2 기판의 적층구조로 이루어짐에 따라, 가요성 빔이 얇게 형성되어 센싱감도가 향상되고, 강성을 갖는 스토퍼가 형성될 수 있을 뿐만 아니라, 질량체부가 제1 질량체 및 제2 질량체로 형성되고, 상기 제2 질량체는 정해진 공간에서 최대화 설계가 가능함에 따라 질량증가 및 무게중심이 하향됨에 감도가 향상된 가속도 센서를 제공하기 위한 것이고,
본 발명의 제2 관점은 질량체부에 금속이 도금된 도금층을 형성시켜 감도를 향상시킬 수 있는 가속도 센서를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서는 제1 질량체와 제2 질량체를 포함하는 질량체부와, 상기 제1 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 제2 질량체에 대향되도록 위치된 제1 지지부와, 상기 제1 지지부에 결합된 제2 지지부를 포함하는 지지부를 포함하고, 상기 질량체부, 가요성 빔 및 지지부는 적층되도록 결합된 제1 기판 및 제2 기판으로 이루어지고, 상기 질량체부의 과대변위발생시 제2 질량체는 상기 제1 지지부에 접촉되어 질량체부의 변위가 제한된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 가요성 빔은 제1 기판으로 이루어진다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 질량체는 상기 제1 기판으로 이루어지고, 상기 제2 질량체는 상기 제2 기판으로 이루어진다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 질량체의 폭(W1) 보다 제2 질량체의 폭(W2)이 크게 형성된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 질량체는 외측부로부터 중심부를 향해 연장된 복수의 홈부가 등간격으로 형성되고, 가요성 빔은 상기 홈부를 통해 상기 제1 질량체의 중심부에 연결된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 지지부는 제1 기판으로 이루어지고, 제2 지지부는 제2 기판으로 이루어진다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 지지부는 제2 지지부와의 연결부를 기준으로 상기 제1 질량체를 향해 돌출되도록 형성된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 제2 기판에 결합되는 제1 기판의 적층방향에 대하여, 상기 제1 지지부는 제2 질량체의 상부에 소정간격으로 이격되어 위치된 가속도 센서.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 가요성 빔의 두께(T1) 보다 상기 제1 지지부의 두께(T2)가 크게 형성된다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 기판은 SOI Wafer로 이루어지고, 상기 제2 기판은 Bare Wafer로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제1 기판 과 제2 기판은 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합될 수 있다.
또한, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서에 있어서, 상기 제2 기판에 결합되는 상기 제1 기판의 일면에는 SiO2 층이 형성된다.
또한, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가속도 센서는 제1 질량체와 제2 질량체를 포함하는 질량체부와, 상기 제1 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 제2 질량체에 대향되도록 위치된 제1 지지부와, 상기 제1 지지부에 결합된 제2 지지부를 포함하는 지지부를 포함하고, 상기 질량체부, 가요성 빔 및 지지부는 적층되도록 결합된 제1 기판 및 제2 기판으로 이루어지고, 상기 질량체부의 과대변위발생시 제2 질량체는 상기 제1 지지부에 접촉되어 질량체부의 변위가 제한되고, 상기 제2 질량체는 금속이 도금된 도금층이 형성될 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 의하면 제1 기판 및 제2 기판의 적층구조로 이루어짐에 따라, 가요성 빔이 얇게 형성되어 센싱감도가 향상되고, 강성을 갖는 스토퍼가 형성될 수 있을 뿐만 아니라, 질량체부가 제1 질량체 및 제2 질량체로 형성되고, 상기 제2 질량체는 정해진 공간에서 최대화 설계가 가능함에 따라 질량증가 및 무게중심이 하향됨에 감도가 향상되고, 질량체부에 금속이 도금된 도금층을 형성시켜 감도를 향상시킬 수 있는 가속도 센서를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서를 개략적으로 도시한 사시도.
도 2는 도 1에 도시한 가속도 센서에 있어서 질량체부를 도시한 사시도.
도 3은 도 1에 도시한 가속도 센서를 개략적으로 도시한 평면도.
도 4는 도 2에 도시한 가속도 센서의 개략적인 A-A 단면도.
도 5는 도 2에 도시한 가속도 센서의 개략적인 B-B 단면도.
도 6은 도 2에 도시한 가속도 센서에 있어서 C의 개략적인 부분 확대도.
도 7은 본 발명의 일실시예에 따른 각속도 센서의 개략적인 사용상태도.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가속도 센서의 개략적인 단면도.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서를 개략적으로 도시한 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 가속도 센서에 있어서 질량체부를 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1에 도시한 가속도 센서를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 2에 도시한 가속도 센서의 개략적인 A-A 단면도이고, 도 5는 도 2에 도시한 가속도 센서의 개략적인 B-B 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상기 가속도 센서(100)는 가요성 빔(110), 질량체부(120), 지지부(130)를 포함한다. 그리고 상기 가속도 센서(100)는 제1 기판(100a)과 제2 기판(100b)이 결합되어 이루어지고, 상기 제1 기판(100a)과 제2 기판(100b) 각각에 형성되는 패턴을 다르게 하고, 식각하여 각각의 구성요소가 이루어짐에 따라 설계자유도가 증가되고, 질량체부를 최대화시킬 수 있다. 이에 따른 세부적인 기술구성은 후술한다.
또한, 상기 제1 기판(100a)은 SOI Wafer로 이루어지고, 상기 제2 기판(100b)은 Bare Wafer로 이루어질 수 있다. 그리고, 상기 제1 기판(100a) 및 제2 기판(100b)는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합될 수 있다.
그리고 상기 가속도 센서(100)의 각 구성요소는 상기 제1 기판(100a) 만으로 이루어지거나, 제1 기판(100a) 및 제2 기판(100b)으로 이루어진다.
보다 구체적으로, 상기 가요성 빔(110)는 제1 기판(100a)으로 이루어지고, 상기 질량체부(120)는 제1 기판(100a)과 제2 기판(100b)으로 이루어지고, 상기 지지부(130)는 제1 기판(100a)과 제2 기판(100b)으로 이루어진다.
즉, 상기 질량체부(120)는 제1 기판(100a)으로 이루어진 제1 질량체(120a)와 제2 기판(100b)으로 이루어진 제2 질량체(120b)로 이루어지고, 상기 지지부(130)는 제1 기판(100a)으로 이루어진 제1 지지부(130a)와 제2 기판(100b)으로 이루어진 제2 지지부(130b)로 이루어진다.
이하, 각 구성요소의 보다 구체적인 형상 및 구성요소간 유기적 결합에 대하여 보다 자세히 기술한다.
우선, 상기 질량체부(120)는 상기 가요성 빔(110)에 변위가능하도록 결합되고, 관성력, 외력, 코리올리힘, 구동력등에 의해 변위가 발생된다.
또한, 상기 질량체부(120)는 일실시예로서 사각기둥 형상으로 형성된 것을 도시한 것이고, 이에 한정되지 않고, 원기둥 등 당업계에 공지된 모두 형상으로 형성될 수 있다.
또한, 상기 질량체부(120)는 전술한 바와 같이, 제1 기판(100a)으로 이루어진 제1 질량체(120a)와 제2 기판(100b)으로 이루어진 제2 질량체(120b)로 이루어진다.
그리고 도 2에 보다 자세히 도시한 바와 같이, 상기 제1 질량체(120a)는 상기 가요성 빔(110)이 사방에서 각각 연결될 수 있도록 4개의 홈부(121a)가 등간격으로 형성되고, 직육면체 형상으로 이루어진다. 즉, 상기 질량체부(120)가 가요성 빔(110)에 의해 중심부가 변위가능하도록 고정되기 위해 상기 4개의 홈부(121a)는 제1 질량체(120a)의 외측부로부터 중심부를 향해 연장되도록 형성되고, 상기 제1 질량체(120a)의 중심부에는 4개의 가요성 빔(110)이 사방에서 각각 결합된다.
그리고 상기 제2 질량체(120b)는 상기 제1 질량체(120a)에 결합되고, 전술한 바와 같이, 제2 기판(100b)으로 이루어진다. 그리고 상기 제2 질량체(120b)는 질량체부(120)의 질량을 증가시키고, 무게중심을 상기 질량체부(120)의 하부에 형성시키기 위해 상기 제1 질량체(120a)보다 크게 형성되고, 상기 지지부(130)에 인접하도록 위치된다.
즉, 도 5에 도시된 바와 같이 상기 제1 질량체(120a)의 폭(W1) 보다 제2 질량체(120b)의 폭(W2)이 크게 형성되어 질량체부(120)의 크기를 최대화할 수 있다.
그리고 상기한 바와 같이, 상기 제2 질량체(120b)의 형상에 의해 상기 질량체부(120)가 최대화 되도록 형성시킬 수 있다.
다음으로 상기 가요성 빔(110)은 판상으로 형성되고, 상기 질량체부(120)가 변위를 일으킬 수 있도록 탄성을 갖는 멤브레인, 빔 등의 가요성 기판으로 이루어진다. 그리고 전술한 바와 같이 상기 가요성 빔(110)은 제1 기판(100a) 만으로 이루어진다. 또한 상기 가요성 빔(110)의 일단은 상기 제1 질량체(120a)의 홈부(121a)를 통해 제1 질량체(120a)의 중심부에 연결되고, 타단은 상기 지지부(130)에 연결된다.
또한, 상기 가요성 빔(110)의 일면에는 상기 질량체의 변위를 검출하기 위한 검출수단(미도시)이 형성될 수 있고, 상기 검출수단은 압전체, 압저항체 등으로 다양하게 이루어질 수 있다.
다음으로, 상기 지지부(130)는 상기 질량체부(120)에 결합된 가요성 빔(110)이 결합되어, 상기 질량체부(120)가 부상가능하도록 지지함과 동시에, 상기 질량체부(120)가 변위가능하도록 중공(中空)형으로 형성되어, 상기 질량체부(120)가 변위를 일으킬 수 있는 공간을 확보해준다.
또한, 전술한 바와 같이 상기 지지부(130)는 제1 기판(100a)으로 이루어진 제1 지지부(130a)와 제2 기판(100b)으로 이루어진 제2 지지부(130b)를 포함한다. 그리고 상기 제1 지지부(130a)에 상기 가요성 빔(110)이 연결된다.
또한, 상기 제1 지지부(130a)는 제2 지지부(130b)와의 연결부를 기준으로 상기 제1 질량체(120a)를 향해 돌출되도록 형성된다. 이를 위해 상기 제1 기판(100a)과 제2 기판(100b)에 패턴 차이를 형성시키고, 제1 기판(100a)에서 단차를 두어 가요성 빔(110)을 형성시킴에 따라, 감도를 향상시킬 수 있는 얇은 빔부인 가요성 빔(110)과 강성이 확보된 스토퍼부인 제1 지지부(130a)를 동시에 형성시킬 수 있다.
즉, 도 6에 도시한 바와 같이 상기 가요성 빔(110)의 두께(T1) 보다 상기 제1 지지부(130a)의 두께(T2)가 크게 형성됨에 따라, 얇은 빔 및 두꺼운 스토퍼가 동시에 구현된다.
그리고, 상기 제2 질량체(120b)의 단부는 제1 지지부(130a)의 하부에 위치되도록 형성된다. 이에 따라 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 질량체부(120)의 과대변위가 발생될 경우, 상기 제2 질량체(120b)는 상기 제1 지지부(130a)에 맞닿아 변위가 제한되고, 상기 제1 지지부(130a)는 스토퍼의 기능을 수행한다.
또한, 전술한 바와 같이, 상기 제1 기판(100a) 및 제2 기판(100b)는 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합될 수 있다. 이는 폴리머 본딩방식으로 결합될 경우 산포의 제한이 어렵고, 정밀접합이 어렵기 때문이다.
도 6은 도 2에 도시한 가속도 센서에 있어서 C의 개략적인 부분 확대도이다. 도시한 바와 같이, 상기 제1 기판(100a)에는 SiO2 층(131a)이 형성되고, 상기 SiO2 층(131a)의 두께를 조절하여 제2 질량체(120b)와 상기 제1 지지부(130a)와의 간격을 정밀하게 형성시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 가속도 센서(100)는 상기 질량체부(120)를 커버하도록 상기 제2 지지부(130b)에 결합되는 하부커버(미도시)와 상기 가요성 빔(110)을 커버하도록 상기 지지부(130)의 일면에 결합되는 상부커버(미도시)를 더 포함하여 이루어질 수 있다.
종래기술에 따른 가속도 센서는 상부커버를 통해 질량체부의 변위를 제한하는 스토퍼의 기능을 수행한 반면, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서는 상기 제1 지지부에 의해 스토퍼의 기능이 수행됨에 따라 상부커버에 스토퍼를 형성시키지 않아도 된다.
또한, 상기 가요성 빔에는 질량체부의 변위를 감지하기 위한 감지수단이 더 형성되고, 상기 감지수단은 압전체, 압저항체 등으로 다양하게 구현될 수 있다.
또한, 상기 하부커버는 상기 질량체부를 커버하도록 상기 제2 지지부의 하부에 결합된다.
다음으로, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서(100)는 각각의 구성요소를 형성시키기 위해 상기 제1 기판 및 제2 기판에 형성시킨 마스킹 패턴이 가속도 센서(100)의 잔존구조에 남도록 형성될 수 있다.
이와 같이 이루어짐에 따라, 본 발명의 일실시예에 따른 가속도 센서(100)는 상기 가요성 빔(110)이 얇게 형성되어 센싱감도가 향상되고, 강성을 갖는 상기 제1 지지부(130a)에 의해 신뢰성 있는 스토퍼가 형성될 수 있을 뿐만 아니라, 질량체부(120)가 제1 질량체(120a) 및 제2 질량체(120b)로 형성되고, 상기 제2 질량체(120b)는 정해진 공간에서 최대화 설계가 가능함에 따라 질량증가 및 무게중심이 하향됨에 감도가 향상된 가속도 센서를 얻을 수 있다.
도 8은 본 발명의 다른 실시예에 따른 가속도 센서의 개략적인 단면도이다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 다른 실시예에 따른 가속도 센서(200)는 도 4에 도시한 일실시예에 따른 가속도 센서(100)과 비교하여 질량체부만이 상이하다.
보다 구체적으로, 상기 질량체부(220)는 제1 기판(200a)으로 이루어진 제1 질량체(220a)와 제2 기판(200b)으로 이루어진 제2 질량체(220b)로 이루어진다.
또한, 상기 제2 기판(100b) 형성시에는 상기 제2 질량체부(220b)에 대응되어 밀도가 높은 금속을 도금등의 방식으로 도금층(221b)이 형성된다.
그리고 상기 가속도 센서(200)의 다른 구성요소는 일실시예에 따른 가속도 센서(100)의 대응되는 구성요소와 동일한 바 자세한 설명은 생략한다.
이와 같이 이루어짐에 따라, 상기 질량체부(200)는 사이즈의 추가증가 없이도 금속의 도금층이 형성되어 무게를 증가시킬 수 있고, 이에 따라 질량체부(200)의 무게중심을 하부로 형성시킬 수 있어 감도가 향상된다.
그리고, 도 8은 도금층이 형성된 일실시예를 도시한 것이고 상기 도금층이 질량체부의 상부 및 측부에 형성될 수도 있다.
이와 같이 이루어질 경우, 상기 금속의 도금층은 상기 질량체부의 과대변위에 따라 상기 제2 질량체가 스토퍼부의 역할을 수행하는 제1 지지부에 접촉될 경우, 제2 질량체를 커버하여 상기 제2 질량체의 파손에 따른 센싱 신뢰성 저하의 문제점을 방지할 수 있다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100 : 가속도 센서 100a : 제1 기판
100b : 제2 기판 110 : 가요성 빔
120 : 질량체부 120a: 제1 질량체
120b : 제2 질량체 121a : 홈부
130 : 지지부
130a: 제1 지지부 130b: 제2 지지부
131a : SiO2 층
200 : 가속도 센서 200a : 제1 기판
200b : 제2 기판 210 : 가요성 빔
220 : 질량체부 220a: 제1 질량체
220b : 제2 질량체
221b : 도금층 230 : 지지부
230a: 제1 지지부 230b: 제2 지지부

Claims (13)

  1. 제1 질량체와 제2 질량체를 포함하는 질량체부;
    상기 제1 질량체에 결합된 가요성 빔; 및
    상기 가요성 빔이 연결되고 제2 질량체에 대향되도록 위치된 제1 지지부와, 상기 제1 지지부에 결합된 제2 지지부를 포함하는 지지부를 포함하고,
    상기 질량체부, 가요성 빔 및 지지부는 적층되도록 결합된 제1 기판 및 제2 기판으로 이루어지고,
    상기 질량체부의 과대변위발생시 제2 질량체는 상기 제1 지지부에 접촉되어 질량체부의 변위가 제한되는 가속도 센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 가요성 빔은 제1 기판으로 이루어진 가속도 센서.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 질량체는 상기 제1 기판으로 이루어지고, 상기 제2 질량체는 상기 제2 기판으로 이루어진 가속도 센서.
  4. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 질량체의 폭(W1) 보다 제2 질량체의 폭(W2)이 크게 형성된 가속도 센서.
  5. 청구항 3에 있어서,
    상기 제1 질량체는 외측부로부터 중심부를 향해 연장된 복수의 홈부가 등간격으로 형성되고, 가요성 빔은 상기 홈부를 통해 상기 제1 질량체의 중심부에 연결된 가속도 센서.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 지지부는 제1 기판으로 이루어지고, 제2 지지부는 제2 기판으로 이루어진 가속도 센서.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 지지부는 제2 지지부와의 연결부를 기준으로 상기 제1 질량체를 향해 돌출되도록 형성된 가속도 센서.
  8. 청구항 7에 있어서,
    제2 기판에 결합되는 제1 기판의 적층방향에 대하여, 상기 제1 지지부는 제2 질량체의 상부에 소정간격으로 이격되어 위치된 가속도 센서.
  9. 청구항 1에 있어서,
    상기 가요성 빔의 두께(T1) 보다 상기 제1 지지부의 두께(T2)가 크게 형성된 가속도 센서.
  10. 청구항 1에 있어서,
    상기 제1 기판은 SOI Wafer로 이루어지고, 상기 제2 기판은 Bare Wafer로 이루어진 가속도 센서.
  11. 청구항 10에 있어서,
    상기 제1 기판 과 제2 기판은 실리콘 다이렉트 본딩방식으로 결합된 가속도 센서.
  12. 청구항 6에 있어서,
    상기 제2 기판에 결합되는 상기 제1 기판의 일면에는 SiO2 층이 형성된 가속도 센서.
  13. 청구항 1에 있어서,
    상기 제2 질량체는 금속이 도금된 도금층이 형성된 가속도 센서.
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