KR20150101741A - Mems 센서 - Google Patents

Mems 센서 Download PDF

Info

Publication number
KR20150101741A
KR20150101741A KR1020140023387A KR20140023387A KR20150101741A KR 20150101741 A KR20150101741 A KR 20150101741A KR 1020140023387 A KR1020140023387 A KR 1020140023387A KR 20140023387 A KR20140023387 A KR 20140023387A KR 20150101741 A KR20150101741 A KR 20150101741A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
flexible beam
reinforcing portion
mass
sensor
sensing means
Prior art date
Application number
KR1020140023387A
Other languages
English (en)
Inventor
김종운
한승훈
이성준
김성욱
임창현
Original Assignee
삼성전기주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전기주식회사 filed Critical 삼성전기주식회사
Priority to KR1020140023387A priority Critical patent/KR20150101741A/ko
Priority to US14/602,031 priority patent/US20150241215A1/en
Publication of KR20150101741A publication Critical patent/KR20150101741A/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B3/00Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
    • B81B3/0064Constitution or structural means for improving or controlling the physical properties of a device
    • B81B3/0067Mechanical properties
    • B81B3/0072For controlling internal stress or strain in moving or flexible elements, e.g. stress compensating layers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01CMEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
    • G01C19/00Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
    • G01C19/56Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
    • G01C19/5719Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using planar vibrating masses driven in a translation vibration along an axis
    • G01C19/5733Structural details or topology
    • G01C19/5755Structural details or topology the devices having a single sensing mass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P15/12Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
    • G01P15/123Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/18Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2201/00Specific applications of microelectromechanical systems
    • B81B2201/02Sensors
    • B81B2201/0228Inertial sensors
    • B81B2201/0235Accelerometers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B81MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
    • B81BMICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
    • B81B2203/00Basic microelectromechanical structures
    • B81B2203/01Suspended structures, i.e. structures allowing a movement
    • B81B2203/0145Flexible holders
    • B81B2203/0163Spring holders
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/0825Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass
    • G01P2015/0831Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass for one single degree of freedom of movement of the mass the mass being of the paddle type having the pivot axis between the longitudinal ends of the mass, e.g. see-saw configuration
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01PMEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
    • G01P15/00Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
    • G01P15/02Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
    • G01P15/08Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
    • G01P2015/0805Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
    • G01P2015/0822Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
    • G01P2015/084Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
    • G01P2015/0842Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass the mass being of clover leaf shape

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Remote Sensing (AREA)
  • Micromachines (AREA)
  • Pressure Sensors (AREA)
  • Gyroscopes (AREA)

Abstract

본 발명의 일실시예에 따른 MEMS 센서는 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부가 형성된다.

Description

MEMS 센서{Micro Electro Mechanical Systems Sensor}
본 발명은 MEMS 센서에 관한 것이다.
일반적으로 관성센서는 자동차, 항공기, 이동통신단말기, 완구등에서 다양하게 사용되고 있으며, X축, Y축 및 Z축 가속도 및 각속도를 측정하는 3축 가속도 및 각속도 센서가 요구되고, 미세한 가속도를 검출하기 위해 고성능 및 소형으로 개발되고 있다.
이와 같은 관성센서 중에서 가속도 센서는 질량체 및 가요성 빔의 움직임을 전기신호로 변환시키는 기술적특징을 포함하고, 질량체의 움직임을 가요성 빔에 배치된 피에조저항 소자의 저항변화로부터 검출하는 압저항(피에조 저항)방식과, 질량체의 움직임을 고정전극과의 사이의 정전용량 변화로 검출하는 정전용량방식 등이 있다.
그리고 압저항방식은 응력(Stress)에 의한 저항값이 변화하는 소자를 이용하는 것으로, 예를 들어 인장응력이 분포된 곳에는 저항값이 증가하며, 압축응력이 분포된 곳에는 저항값이 감소한다.
또한, 선행기술문헌을 포함한 종래기술에 따른 압저항방식의 가속도 센서는 질량체 또는 고정부와 가요부의 연결부에 응력집중이 발생되고, 이에 따른 감도저하, 충격파손유발 등의 문제점을 지니고 있다.
US 20060156818 A
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 제1 관점은 가요성 빔과 지지부의 연결부에 대응되어 보강부가 형성됨에 따라 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성을 확보할 수 있는 MEMS 센서를 제공하기 위한 것이다.
또한, 본 발명의 제2 관점은 압저항 가속도센서로 이루어진 제1 센서부와 압전소자를 포함하는 제2 센서부로 이루어지고, 압전체로 제2 센서부에 소자형성시, 상기 압전체를 제1 센서부의 보강부로 형성시킴에 따라, 별도의 추가공정없이 질량체와 가요성 빔, 지지부의 연결부에 있어서 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성을 확보할 수 있는 MEMS 센서를 제공하기 위한 것이다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서는 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부가 형성된다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 보강부는 상기 연결부를 커버하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 보강부는 금속 및 세라믹을 포함하는 고강성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 감지수단은 상기 보강부의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서는 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단 및 제2 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부가 형성되고, 상기 가요성 빔과 질량체부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부가 형성된다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 각각 상기 연결부를 커버하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 금속 및 세라믹을 포함하는 고강성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 제1 감지수단은 상기 제1 보강부의 단부에 인접하도록 형성되고, 상기 제2 감지수단은 상기 제2 보강부의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서는 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부가 형성 된 제1 센서부 및 질량체, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위를 검출하는 감지수단이 형성된 제2 센서부를 포함하고, 상기 제2 센서부의 감지수단은 압전체로 이루어지고, 상기 제1 센서부의 보강부는 상기 압전체로 이루어진다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단 및 제2 감지수단이 형성되고, 상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부가 형성되고, 상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔과 질량체부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부가 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 센서부의 상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 각각 상기 연결부를 커버하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 센서부의 상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제1 센서부의 제1 감지수단은 상기 제1 보강부의 단부에 인접하도록 형성되고, 상기 제2 감지수단은 상기 제2 보강부의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 제2 센서부는 상기 질량체를 구동시키기 위한 구동수단을 더 포함할 수 있다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서에 있어서, 상기 구동수단은 압전체로 이루어질 수 있다.
본 발명의 특징 및 이점들은 첨부도면에 의거한 다음의 상세한 설명으로부터 더욱 명백해질 것이다.
이에 앞서, 본 명세서 및 청구범위에 사용된 용어나 단어는 통상적이고 사전적인 의미로 해석되어서는 아니 되며, 발명자가 그 자신의 발명을 가장 최선의 방법으로 설명하기 위해 용어의 개념을 적절하게 정의할 수 있다는 원칙에 입각하여 본 발명의 기술적 사상에 부합되는 의미와 개념으로 해석되어야만 한다.
본 발명에 의하면 가요성 빔과 지지부의 연결부에 대응되어 보강부가 형성됨에 따라 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성을 확보할 수 있는 MEMS 센서를 얻을 수 있고,
압저항 가속도센서로 이루어진 제1 센서부와 압전소자를 포함하는 제2 센서부로 이루어지고, 압전체로 제2 센서부에 소자형성시, 상기 압전체를 제1 센서부의 보강부로 형성시킴에 따라, 별도의 추가공정없이 질량체와 가요성 빔, 지지부의 연결부에 있어서 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성을 확보할 수 있는 MEMS 센서를 얻을 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도.
도 2는 도 1에 도시한 MEMS 센서의 개략적인 A-A' 단면도.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도.
도 4는 도 2에 도시한 MEMS 센서의 개략적인 B-B' 단면도.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도.
도 6은 도 5에 도시한 MEMS 센서에 있어서 다른 실시예에 따른 제2 센서부를 개략적으로 도시한 사시도.
본 발명의 목적, 특정한 장점들 및 신규한 특징들은 첨부된 도면들과 연관되어지는 이하의 상세한 설명과 바람직한 실시예들로부터 더욱 명백해질 것이다. 본 명세서에서 각 도면의 구성요소들에 참조번호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 한해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 번호를 가지도록 하고 있음에 유의하여야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명은 생략한다.
이하, 첨부된 도면을 참조로 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도이고, 도 2는 도 1에 도시한 MEMS 센서의 개략적인 A-A' 단면도이다.
도시한 바와 같이, 상기 MEMS 센서(100)는 질량체(111), 가요성 빔(112), 지지부(113)를 포함하고, 가속도 센서로 구현된다.
그리고 상기 가요성 빔(112)에는 상기 질량체(111)의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단(112a)이 형성되고, 상기 가요성 빔(112)과 지지부(113)와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부(112b)가 형성된다.
이에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서(100)는 응력집중의 감소에 따른 파손방지, 감도유지에 따른 신뢰성이 확보될 수 있다.
이를 위한, 세부기술구성, 이들의 유기적 결합, 및 작용 효과에 대하여 보다 자세히 기술한다.
보다 구체적으로, 상기 질량체(111)는 상기 가요성 빔(112)에 변위가능하도록 결합되고, 관성력, 외력, 코리올리힘, 구동력등에 의해 변위가 발생된다.
또한, 상기 질량체(111)는 일실시예로서 사각기둥 형상으로 형성된 것을 도시한 것이고, 이에 한정되지 않고, 원기둥 등 당업계에 공지된 모두 형상으로 형성될 수 있다.
그리고 상기 질량체(111)는 상기 가요성 빔(112)이 사방에서 각각 연결될 수 있도록 4개의 홈부(111a, 111b, 111c, 111d)가 등간격으로 형성되고, 직육면체 형상으로 이루어질 수 있다.
즉, 상기 질량체(111)가 가요성 빔(112)에 의해 중심부가 변위가능하도록 고정되기 위해 상기 4개의 홈부(111a, 111b, 111c, 111d)는 상기 질량체(111)의 외측부로부터 중심부를 향해 연장되도록 형성되고, 상기 질량체(111)의 중심부에는 4개의 가요성 빔(112)이 사방에서 각각 결합된다.
다음으로 상기 가요성 빔(112)은 판상으로 형성되고, 상기 질량체(111)가 변위를 일으킬 수 있도록 탄성을 갖는 멤브레인, 빔 등의 가요성 기판으로 이루어진다. 또한 상기 가요성 빔(112)의 일단은 상기 질량체(111)의 홈부(111a, 111b, 111c, 111d)를 통해 상기 질량체(111)의 중심부에 연결되고, 타단은 상기 지지부(113)에 연결된다.
또한, 상기 가요성 빔(112)의 일면에는 상기 질량체의 변위를 검출하기 위한 감지수단(112a)이 형성될 수 있고, 상기 감지수단(112a)은 압전체, 압저항체 등으로 다양하게 이루어질 수 있다.
그리고 전술한 바와 같이, 상기 가요성 빔(112)에는 상기 지지부(113)와의 연결부(C)에 대응되어 강성보강을 위한 응력집중완화를 위한 보강부(112b)가 형성된다. 보다 구체적으로, 상기 보강부(112b)는 상기 가요성 빔(112)과 지지부(113)의 연결부(C)를 커버하도록 상기 가요성 빔(112)과 지지부(113)에 형성된다.
또한, 상기 보강부(112b)는 상기 가요성 빔(112)과 지지부(113)의 일면에 형성되고, 연결부(C)에 대응되도록 위치된다.
그리고 상기 보강부(112b)는 금속 및 세라믹을 포함하는 고강성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 보강부(112b)는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다. 그리고 상기 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)은 고강성 재료에 맞는 등방성 또는 이방성 식각공정에 의해 형성될 수 있다.
그리고 상기 가요성 빔(112)의 감지수단(112a)은 상기 보강부(112b)의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다. 또한, 상기 가요성 빔(112)의 감지수단(112a)은 질량체와 인접한 상기 보강부(112b)의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
다음으로, 상기 지지부(113)는 상기 질량체(111)가 결합된 가요성 빔(112)이 결합되어, 상기 질량체(111)가 부상가능하도록 지지함과 동시에, 상기 질량체(111)가 변위가능하도록 중공(中空)형으로 형성되어, 상기 질량체(111)가 변위를 일으킬 수 있는 공간을 확보해준다.
그리고 전술할 바와 같이, 상기 가요성 빔(112)과의 결합부(C)를 커버하도록 보강부(112b)가 형성됨에 따라 상기 결합부(C)에 대향된 지지부(113)의 일면에 보강부(112b)가 형성된다.
이와 같이 이루어짐에 따라, 본 발명의 제1 실시예에 따른 MEMS 센서(100)는 상기 가요성 빔(112)과 지지부(113)의 연결부(C)에 대응되어 보강부가 형성됨에 따라 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성이 확보될 수 있다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도이고, 도 4는 도 3에 도시한 MEMS 센서의 개략적인 B-B' 단면도이다. 도시한 바와 같이, 상기 MEMS 센서(200)는 도 1에 도시한 제1 실시예에 따른 MEMS 센서(100)와 비교하여 보강부가 추가로 형성된다.
보다 구체적으로, 상기 MEMS 센서(200)는 질량체(211), 가요성 빔(212), 지지부(213)를 포함하고, 가속도 센서로 구현된다.
그리고 상기 가요성 빔(212)에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단(212a')과 제2 감지수단(212a")이 형성되고, 상기 가요성 빔(212)과 지지부(213)와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부(212b')가 형성되고, 상기 가요성 빔(212)과 질량체부(211)와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부(212b")가 형성된다.
즉, 상기 제1 보강부(212b')는 상기 가요성 빔(212)과 지지부(213)의 연결부(C)를 커버하도록 상기 가요성 빔(212)과 지지부(213)의 일면에 형성되고, 상기 제2 보강부(212b")는 상기 가요성 빔(212)과 질량체(211)와의 연결부(C)를 커버하도록 상기 가요성 빔(212)과 질량체부(211)의 일면에 형성된다.
그리고 상기 제1 보강부(212b') 및 제2 보강부(212b")는 금속 또는 세라믹등 고강성을 갖는 재료로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 제1 보강부(212b') 및 제2 보강부(212b")는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다. 그리고 상기 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)은 고강성 재료에 맞는 등방성 또는 이방성 식각공정에 의해 형성될 수 있다.
그리고 상기 가요성 빔(212)의 제1 감지수단(212a')은 상기 질량체(211)와 인접한 상기 제1 보강부(212b')의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 감지수단(212a")은 상기 지지부(213)와 인접한 제2 보강부(212b")의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
또한, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서(200)의 세부구성은 도 1를 통해 설명한 MEMS 센서(100)의 대응되는 기술구성과 동일한 바, 이에 대한 세부기술구성의 설명은 생략한다.
이와 같이 이루어짐에 따라, 본 발명의 제2 실시예에 따른 MEMS 센서(200)는 상기 가요성 빔(212)과 지지부(213)의 연결부(C)에 대향되어 제1 보강부(212b')가 형성되고, 상기 가요성 빔(212)과 질량체(211)와의 연결부(C)에 대향되어 제2 보강부(212b")가 형성됨에 따라, 질량체와 가요성 빔, 지지부의 연결부에 있어서 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성이 확보될 수 있다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서의 개략적인 사시도이다. 도시한 바와 같이, 상기 MEMS 센서(300)는 제1 센서부(310)와 제2 센서부(320)를 포함하고, 상기 제1 센서부(310)는 가속도 센서로 이루어지고, 제2 센서부(320)는 압전소자를 갖는 각속도센서, 압력센서 및 가속도 센서등으로 이루어질 수 있다. 그리고 도 5는 이에 대한 일례로서, 제2 센서부(320)가 압전소자를 갖는 각속도 센서로 구현된 것을 도시한 것이다.
보다 구체적으로, 상기 MEMS 센서(300)의 제1 센서부(310)는 도 3에 도시한 제2 실시예에 따른 MEMS 센서(200)와 동일하다. 즉, 상기 제1 센서부(310)는 질량체(311), 가요성 빔(312), 지지부(313)를 포함하고, 상기 가요성 빔(312)에는 상기 질량체(311)의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단(312a') 및 제2 감지수단(312a")이 형성되고, 상기 가요성 빔(312)과 상기 지지부(313)와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부(312b')가 형성되고, 상기 가요성 빔(312)과 질량체부(311)와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부(312b")가 형성된다.
또한, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서(300)의 제1 센서부(310)에 대한 세부구성은 도 3을 통해 설명한 MEMS 센서(200)의 대응되는 기술구성과 동일한 바, 이에 대한 세부기술구성의 설명은 생략한다.
다음으로, 상기 MEMS 센서(300)의 제2 센서부(320)는 각속도 센서로 구현되고, 이를 위해 상기 제2 센서부(320)는 질량체(321), 가요성 빔(322), 지지부(323)를 포함하고, 구동수단(322b) 및 감지수단(322a)을 포함한다.
보다 구체적으로, 상기 질량체(321)는 상기 가요성 빔(322)에 변위가능하도록 결합되고, 관성력, 외력, 코리올리힘, 구동력등에 의해 변위가 발생된다.
그리고 상기 가요성 빔(322)은 판상으로 형성되고, 상기 질량체(321)가 변위를 일으킬 수 있도록 탄성을 갖는 멤브레인, 빔 등의 가요성 기판으로 이루어진다.
또한, 상기 가요성 빔(322)의 일면에는 상기 질량체의 변위를 검출하기 위한 감지수단(322a)과, 상기 질량체를 구동시키기 위한 구동수단(322b)이 형성된다. 그리고, 상기 감지수단(322a) 및 구동수단(322b)은 압전체로 이루어질 수 있다.
그리고 압전체로 상기 감지수단(322a) 및 구동수단(322b) 형성공정시, 상기 제1 센서부(310)의 제1 보강부(312b') 및 제2 보강부(312b")를 압전체로 형성시킬 수 있다.
즉, 상기 제1 보강부(312b')는 상기 가요성 빔(312)과 지지부(313)의 연결부를 커버하도록 상기 가요성 빔(312)과 지지부(313)의 일면에 형성되고, 상기 제2 보강부(312b")는 상기 가요성 빔(312)과 질량체(311)와의 연결부를 커버하도록 상기 가요성 빔(312)과 질량체부(311)의 일면에 형성된다.
또한, 상기 제1 보강부(312b') 및 제2 보강부(312b")는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성될 수 있다.
그리고 상기 가요성 빔(312)의 제1 감지수단(312a')은 상기 질량체(311)와 인접한 상기 제1 보강부(312b')의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 제2 감지수단(312a")은 상기 지지부(313)와 인접한 제2 보강부(312b")의 단부에 인접하도록 형성될 수 있다.
이와 같이 이루어짐에 따라, 본 발명의 제3 실시예에 따른 MEMS 센서(300)는 하나의 칩으로 복합센서가 구현됨과 동시에, 압전체로 제2 센서부에 소자형성시, 상기 압전체를 제1 센서부의 보강부로 형성시킴에 따라, 별도의 추가공정없이 질량체와 가요성 빔, 지지부의 연결부에 있어서 응력집중의 감소에 따른 파손이 감소되고, 감도가 유지되어 센싱 신뢰성이 확보될 수 있다.
한편, 도 6에 도시한 바와 같이, 상기 제2 센서부(320')는 가속도 센서 또는 압력센서로 구현될 경우 구동수단을 포함하지 않고 구현될 수 있다. 즉, 상기 제2 센서부(320')는 질량체(321'), 가요성 빔(322'), 지지부(323')를 포함하고, 상기 가요성 빔(322')에는 감지수단(322a')이 형성된다.
이상 본 발명을 구체적인 실시예를 통하여 상세히 설명하였으나, 이는 본 발명을 구체적으로 설명하기 위한 것으로, 본 발명은 이에 한정되지 않으며, 본 발명의 기술적 사상 내에서 당해 분야의 통상의 지식을 가진 자에 의해 그 변형이나 개량이 가능함은 명백하다고 할 것이다.
본 발명의 단순한 변형 내지 변경은 모두 본 발명의 영역에 속하는 것으로 본 발명의 구체적인 보호 범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 명확해질 것이다.
100, 200, 300 : MEMS 센서
111, 211, 311, 321, 321': 질량체
111a, 111b, 111c, 111d : 홈부
112, 212, 312, 322, 322': 가요성 빔
112a, 322a, 322a': 감지수단
212a', 312a': 제1 감지수단
212a", 312a" : 제2 감지수단
112b : 보강부
212b', 312b': 제1 보강부
212b", 312b": 제2 보강부
113, 213, 313, 323, 323': 지지부
322b : 구동수단
C : 결합부
310 : 제1 센서부
320, 320': 제2 센서부

Claims (17)

  1. 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고,
    상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부가 형성된 MEMS 센서.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 보강부는 상기 연결부를 커버하도록 형성된 MEMS 센서.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 보강부는 금속 및 세라믹을 포함하는 고강성을 갖는 재료로 이루어진 MEMS 센서.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성된 MEMS 센서.
  5. 청구항 1에 있어서,
    상기 감지수단은 상기 보강부의 단부에 인접하도록 형성된 MEMS 센서.
  6. 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고,
    상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단 및 제2 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부가 형성되고, 상기 가요성 빔과 질량체부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부가 형성된 MEMS 센서.
  7. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 각각 상기 연결부를 커버하도록 형성된 MEMS 센서.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 금속 및 세라믹을 포함하는 고강성을 갖는 재료로 이루어진 MEMS 센서.
  9. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성된 MEMS 센서.
  10. 청구항 6에 있어서,
    상기 제1 감지수단은 상기 제1 보강부의 단부에 인접하도록 형성되고, 상기 제2 감지수단은 상기 제2 보강부의 단부에 인접하도록 형성된 MEMS 센서.
  11. 질량체와, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 감지수단이 형성되고, 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 보강부가 형성 된 제1 센서부; 및
    질량체, 상기 질량체에 결합된 가요성 빔과, 상기 가요성 빔이 연결되고 상기 질량체를 부상가능하도록 지지하는 지지부를 포함하고, 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위를 검출하는 감지수단이 형성된 제2 센서부를 포함하고,
    상기 제2 센서부의 감지수단은 압전체로 이루어지고, 상기 제1 센서부의 보강부는 상기 압전체로 이루어진 MEMS 센서.
  12. 청구항 11에 있어서,
    상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔에는 상기 질량체의 변위에 따른 물리량 검출을 위한 제1 감지수단 및 제2 감지수단이 형성되고, 상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔과 지지부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제1 보강부가 형성되고, 상기 제1 센서부의 상기 가요성 빔과 질량체부와의 연결부에는 강성보강에 따른 응력집중완화를 위한 제2 보강부가 형성된 MEMS 센서.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 각각 상기 연결부를 커버하도록 형성된 MEMS 센서.
  14. 청구항 12에 있어서,
    상기 제1 보강부 및 제2 보강부는 소정 두께를 갖고, 가장자리는 챔퍼(chamfer) 또는 필렛(fillet)이 형성된 MEMS 센서.
  15. 청구항 12에 있어서,
    제1 감지수단은 상기 제1 보강부의 단부에 인접하도록 형성되고, 상기 제2 감지수단은 상기 제2 보강부의 단부에 인접하도록 형성된 MEMS 센서.
  16. 청구항 12에 있어서,
    상기 제2 센서부는
    상기 질량체를 구동시키기 위한 구동수단을 더 포함하는 MEMS 센서.
  17. 청구항 16에 있어서,
    상기 구동수단은 압전체로 이루어지는 MEMS 센서.
KR1020140023387A 2014-02-27 2014-02-27 Mems 센서 KR20150101741A (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140023387A KR20150101741A (ko) 2014-02-27 2014-02-27 Mems 센서
US14/602,031 US20150241215A1 (en) 2014-02-27 2015-01-21 Micro electro mechanical systems sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020140023387A KR20150101741A (ko) 2014-02-27 2014-02-27 Mems 센서

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150101741A true KR20150101741A (ko) 2015-09-04

Family

ID=53881898

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140023387A KR20150101741A (ko) 2014-02-27 2014-02-27 Mems 센서

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20150241215A1 (ko)
KR (1) KR20150101741A (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3368922A1 (en) 2015-10-30 2018-09-05 ION Geophysical Corporation Ocean bottom seismic systems
JP6984342B2 (ja) * 2017-11-22 2021-12-17 セイコーエプソン株式会社 物理量センサー、物理量センサーの製造方法、慣性計測ユニット、携帯型電子機器、電子機器、および移動体
BR112021003892A2 (pt) * 2018-09-13 2021-05-18 Ion Geophysical Corporation medidor de aceleração de massa, único e multidirecional
CN109596859B (zh) * 2019-01-18 2021-08-31 中国电子科技集团公司第十三研究所 压阻式加速度传感器
CN111664975A (zh) * 2019-12-28 2020-09-15 黄辉 一种半导体纳米线力学传感器及其制备方法
US11781867B2 (en) * 2020-12-03 2023-10-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Piezoelectric frequency-modulated gyroscope

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6341080A (ja) * 1986-08-06 1988-02-22 Nissan Motor Co Ltd 半導体加速度センサ
JP2004198280A (ja) * 2002-12-19 2004-07-15 Hitachi Metals Ltd 加速度センサ
JPWO2005062060A1 (ja) * 2003-12-24 2007-12-13 日立金属株式会社 半導体型3軸加速度センサ
US7367232B2 (en) * 2004-01-24 2008-05-06 Vladimir Vaganov System and method for a three-axis MEMS accelerometer
JP4272115B2 (ja) * 2004-06-03 2009-06-03 Okiセミコンダクタ株式会社 加速度センサ及びその製造方法
JP4540467B2 (ja) * 2004-12-22 2010-09-08 Okiセミコンダクタ株式会社 加速度センサの構造及びその製造方法
JP2006201041A (ja) * 2005-01-20 2006-08-03 Oki Electric Ind Co Ltd 加速度センサ
TW200813431A (en) * 2006-08-09 2008-03-16 Hitachi Metals Ltd Multi-range three-axis acceleration sensor device
JP2008224254A (ja) * 2007-03-08 2008-09-25 Oki Electric Ind Co Ltd センサ装置、センサ装置の製造方法
JP4838229B2 (ja) * 2007-07-27 2011-12-14 トレックス・セミコンダクター株式会社 加速度センサー
US10336605B2 (en) * 2013-11-21 2019-07-02 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Micro electro mechanical systems sensor

Also Published As

Publication number Publication date
US20150241215A1 (en) 2015-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8607638B2 (en) Micro electro mechanical systems component
KR20150101741A (ko) Mems 센서
US9638524B2 (en) Chip level sensor with multiple degrees of freedom
CN108020686B (zh) 具有改进配置的mems三轴加速度计
ITTO20130174A1 (it) Dispositivo mems e relativa struttura micromeccanica con compensazione integrata delle deformazioni termo-meccaniche
EP3227691B1 (en) A mems sensor and a semiconductor package
WO2015190064A1 (ja) 振動型角速度センサ
KR101565684B1 (ko) Mems 센서용 검출모듈 및 이를 포함하는 mems 센서
US7104128B2 (en) Multiaxial micromachined differential accelerometer
US20150059477A1 (en) Acceleration sensor
KR20150075852A (ko) 가속도 센서
KR20150090629A (ko) 다기능 mems 센서
KR101482400B1 (ko) Mems 소자
KR101516069B1 (ko) 관성센서
KR101454124B1 (ko) 가속도 센서
JP2007017284A (ja) センサ
KR101521712B1 (ko) 압저항 감지모듈 및 이를 포함하는 mems 센서
KR20150085705A (ko) 가속도 센서
JP2008304409A (ja) 加速度検知ユニット及び加速度センサ
CN219536306U (zh) 一种收发一体式mems芯片器件
KR101461335B1 (ko) 관성센서용 마스킹 패턴 및 이에 의해 제조된 관성센서
KR101598274B1 (ko) Mems 센서
KR101598257B1 (ko) Mems 센서모듈 및 mems 센서 패키지모듈
JP5046240B2 (ja) 加速度センサの製造方法
KR20150049056A (ko) 가속도 센서

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid