JP4272115B2 - 加速度センサ及びその製造方法 - Google Patents
加速度センサ及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4272115B2 JP4272115B2 JP2004166007A JP2004166007A JP4272115B2 JP 4272115 B2 JP4272115 B2 JP 4272115B2 JP 2004166007 A JP2004166007 A JP 2004166007A JP 2004166007 A JP2004166007 A JP 2004166007A JP 4272115 B2 JP4272115 B2 JP 4272115B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- layer
- acceleration sensor
- hole
- pedestal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/12—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance
- G01P15/123—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values by alteration of electrical resistance by piezo-resistive elements, e.g. semiconductor strain gauges
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0051—For defining the movement, i.e. structures that guide or limit the movement of an element
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P15/0802—Details
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/18—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration in two or more dimensions
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0228—Inertial sensors
- B81B2201/025—Inertial sensors not provided for in B81B2201/0235 - B81B2201/0242
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
- G01P2015/0842—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass the mass being of clover leaf shape
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Pressure Sensors (AREA)
Description
以下、図1〜図9を用いて、本発明の実施例1に関する加速度センサについて説明する。
以下、図1、図10〜図17を用いて、本発明の実施例1に関する加速度センサの製造方法について説明する。
v次に、ボロン拡散法により開口部1901の下方であり、かつ、103の表面に、P型の拡散層1902を形成する。
以下、図22〜図28を用いて、本発明の実施例2に関する加速度センサの構造について説明する。
以下、図22、図29〜図36を用いて、本発明の実施例2に関する加速度センサの製造方法について説明する。
以下、図37〜図41を用いて、本発明の実施例3に関する加速度センサの構造について説明する。
以下、図37、図42〜図47を用いて、本発明の実施例3に関する加速度センサの製造方法について説明する。
以下、図48〜図63を用いて、本発明の実施例4に関する加速度センサの構造について説明する。
以下、図48、図53〜図59を用いて、本発明の実施例4に関する加速度センサの製造方法について説明する。
102、2202、3702、4802 … 第1絶縁体層
103、2203、3703、4803 … 第2半導体層
104、2204 … 第2絶縁体層
105、2205 … 第3半導体層
106 … 第3絶縁体層
201、2301、3801、4901 … 台座部
202、2302、3802、4902 … 錘部
203、2303、3803、4903 … 開口部
204、2304、3804、4904 … ストッパー部
205、2305、3805、4905 … 梁部
301 … 第1の端部
302 … 第2の端部
303 … 第1の点
304 … 中心点
305 … 直線
306 … 第2の点
307 … 第1の梁部
308 … 第2の梁部
309 … 第3の端部
310 … 第4の端部
311 … 第5の端部
312 … 第6の端部
313 … 第1の辺
401、501,601,701,801,901、2401,2501,2601,2701,2801、3901,4001,4101、5001,5101,5201 … 枠部
402、2402、3902、5002 … ストッパー部
403、502,605,703,803,902、2403,2502,2605,2703,2803、3905,4003,4103、5005,5103,5203 … 孔部
604、2604、3904、4504 … 梁部
602、702、802、2602、2702,2802、3903,4002,4102、5003,5102,5202 … 錘部
1101、3001、4401 … 開口部
1102、3002、4402 … エッチング開口部
1801 … 酸化膜
1901 … 開口部
1902 … 拡散層
1903 … 保護酸化膜
2001 … 配線取りだし口
2002 … アルミニウム配線
2101 … シリコン窒化膜
1401、1501、3301,3401、4601、5801 … ホトレジスト
1502、3402 … 梁保護部
4301、5401 … 溝部
5601 … 開口パターン
5602 … エッチング開口パターン
Claims (14)
- 各々が上面及び該上面に対向する下面を備えた第1の層、第2の層、第3の層、第4の層、第5の層、及び第6の層を有し、各々の上面を同一方向に向け該第1の層を最上層としてこの順に上方から積層される積層基板に形成される加速度センサであって、
枠状に形成された台座部であって、前記第1の層乃至前記第6の層によって構成される該台座部と、
前記台座部の内側に該台座部とは離間して配置される錘部であって、前記第3の層乃至前記第5の層によって構成される該錘部と、
前記第3の層によって構成され、前記台座部の前記第3の層及び前記錘部の前記第3の層を接続する可撓的な梁部と、
前記第1の層によって構成され、前記台座部の前記第1の層に接続しかつ前記錘部とは離間して該錘部上に配置されるストッパー部と、を有し、
前記梁部が設けられた前記第3の層の厚みは前記ストッパー部が設けられた前記第1の層の厚みよりも薄いことを特徴とする加速度センサ。 - 各々が上面及び該上面に対向する下面を備えた第1の層、第2の層、第3の層、第4の層、及び第5の層を有し、各々の上面を同一方向に向け該第1の層を最上層としてこの順に上方から積層される積層基板に形成される加速度センサであって、
枠状に形成された台座部であって、前記第1の層乃至前記第5の層によって構成される該台座部と、
前記台座部の内側に該台座部とは離間して配置される錘部であって、前記第3の層乃至前記第5の層によって構成される該錘部と、
前記第3の層によって構成され、前記台座部の前記第3の層及び前記錘部の前記第3の層を接続する可撓的な梁部と、
前記第1の層によって構成され、前記台座部の前記第1の層に接続しかつ前記錘部とは離間して該錘部上に配置されるストッパー部と、を有し、
前記錘部を構成する前記第5の層の厚みは前記台座部を構成する該第5の層の厚みよりも薄く、前記梁部が設けられた前記第3の層の厚みは前記ストッパー部が設けられた前記第1の層の厚みよりも薄いことを特徴とする加速度センサ。 - 請求項1又は請求項2に記載の加速度センサにおいて、
前記梁部の上方にストッパー部が形成されていないことを特徴とする加速度センサ。 - 請求項1又は請求項2に記載の加速度センサにおいて、
前記梁部は半導体により形成されることを特徴とし、
前記梁部に形成され加速度を検知するピエゾ抵抗素子と、
前記台座部上に形成され前記ピエゾ抵抗素子と電気的に接続する電極パッドと、
を有する加速度センサ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の加速度センサにおいて、
前記ストッパー部は、前記錘側へ突出している辺が弧状に形成されていることを特徴とする加速度センサ。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一つに記載の加速度センサにおいて、
前記ストッパー部の前記錘部側へ突出している辺は、前記梁部及び前記錘部と離間して沿うように設けられていることを特徴とする加速度センサ。 - 請求項1乃至請求項6のいずれか一つに記載の加速度センサにおいて、
前記台座部は方形状であって前記内壁を構成する第1の辺と、該第1の辺に隣接し前記台座部の前記内壁を構成する第2の辺と、を有し
前記錘部は方形状であって前記第2の辺に対向し前記錘部を構成する第3の辺を有し、
前記梁部は前記台座部の前記第1の辺と前記錘部の前記第3の辺とを接続することを特徴とする加速度センサ。 - 第1層と第2層と第3層と第4層と第5層と第6層とを有し、前記各層は上面及び該上面に対向する下面を有し、該上面は第1領域と、該第1領域を囲む第2領域と、該第2領域と接する第3領域と、該第2及び第3領域を囲む第4領域とを含み、該下面は第5領域と、該第5領域から離間して該第5領域を囲み該上面の該第4領域と同一形状かつ該第4領域の直下であり同一の位置に配置される第6領域と、該第5領域と該第6領域とを接続する第7領域と、該第5領域と該第6領域と該第7領域とに隣接する第8領域とを含み、夫々の上面を同一方向に向け該第1層を最上層としてこの順に上方から積層される積層基板を用いて前記第4領域の前記第1乃至第6層からなる枠状の台座部、前記第5領域の前記第3乃至第5層からなり該台座部の内側に配置される錘部、前記第7領域の前記第3層からなり該台座部と該錘部とを接続する梁部、及び前記第2領域の前記第1層からなり該錘部を離間して覆うストッパー部を備えた加速度センサを形成する製造方法であって、該製造方法は、
前記積層基板を準備する工程と、
前記上面側から前記第1領域の前記第1及び第2層を除去することにより第1孔部を形成する工程と、
前記上面側から前記第3領域の前記第1及び第2層を除去することにより第2孔部を形成する工程と、
前記第1孔部及び前記第2孔部を介して、前記第2領域の前記第2層を除去する工程と、
前記下面側から前記第5領域と前記第7領域と前記第8領域の前記第6層を除去することにより第3孔部を形成する工程と、
前記第3孔部を介して、前記第8領域の前記第5層を除去することにより第4孔部を形成する工程と、
前記第3及び第4孔部を介して、前記第8領域の前記第4層を除去することにより第5孔部を形成する工程と、
前記第3、第4及び第5孔部を介して、前記第8領域の前記第3層と、前記第3孔部を介して、前記第7領域の前記第5層とを除去することにより第6孔部を形成する工程と、
前記第3、第4、第5及び第6孔部を介して、前記第8領域の前記第2層と、前記第3、第4孔部を介して、前記第7領域の前記第4層とを除去する工程と、を含むことを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 請求項8記載の加速度センサの製造方法において、
前記積層基板は半導体基板を最上層とし半導体層と絶縁体層が交互に積層されていることを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 請求項8記載の加速度センサの製造方法において、
前記第5領域の前記第3層上には、前記第1、第2層が形成されていないことを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 請求項8記載の加速度センサの製造方法において、
前記第3、第4及び第6孔部を介して、前記第5及び第6領域を除く前記第8領域の前記第3層を除去する工程により第7孔部を形成し、該7孔部を介して、前記第2領域の前記第2層の一部を除去する工程を含むことを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 第1層と第2層と第3層と第4層と第5層とを有し、前記各層は上面及び該上面に対向する下面を有し、該上面は第1領域と、該第1領域を囲む第2領域と、該第2領域と接する第3領域と、該第2及び第3領域を囲む第4領域とを含み、該下面は第5領域と、該第5領域から離間して該第5領域を囲み該上面の該第4領域と同一形状かつ該第4領域の直下であり同一の位置に配置される第6領域と、該第5領域と該第6領域とを接続する第7領域と、該第5領域と該第6領域と該第7領域とに隣接する第8領域とを含み、夫々の上面を同一方向に向け該第1層を最上層としてこの順に上方から積層される積層基板を用いて前記第4領域の前記第1乃至第5層からなる枠状の台座部、前記第5領域の前記第3乃至第5層からなり該台座部の内側に配置される錘部、前記第7領域の前記第3層からなり該台座部と該錘部とを接続する梁部、及び前記第2領域の前記第1層からなり該錘部を離間して覆うストッパー部を備えた加速度センサを形成する製造方法であって、該製造方法は、
前記積層基板を準備する工程と、
前記上面側から前記第1領域の前記第1及び第2層を除去することにより第1孔部を形成する工程と、
前記上面側から前記第3領域の前記第1及び第2層を除去することにより第2孔部を形成する工程と、
前記第1及び第2孔部を介して、前記第2領域の前記第2層を除去する工程と、
前記下面側から前記第8領域の前記第5層を除去することにより第3孔部を形成する工程と、
前記第3孔部を介して、前記第8領域の前記第4層を除去することにより第4孔部を形成する工程と、
前記第3及び第4孔部を介して、前記第8領域の前記第3層と、前記第3孔部を介して、前記第7領域の前記第5層とを除去することにより第5孔部を形成する工程と、
前記第3、第4及び第5孔部を介して、前記第8領域の前記第2層と、前記第3孔部を介して、前記第8領域の前記第4層とを除去することにより第6孔部を形成する工程と、を含むことを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 請求項12記載の加速度センサの製造方法において、
前記第8領域の前記第5層を除去する工程において、前記第7領域の前記第5層の一部を除去することを含むことを特徴とする加速度センサの製造方法。 - 請求項8又は請求項12記載の加速度センサの製造方法において、
前記第5孔部を形成する工程は、前記第7領域の前記第5層の一部を除去することで梁保護部を設けるものであることを特徴とする加速度センサの製造方法
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004166007A JP4272115B2 (ja) | 2004-06-03 | 2004-06-03 | 加速度センサ及びその製造方法 |
US11/063,551 US7357026B2 (en) | 2004-06-03 | 2005-02-24 | Acceleration sensor |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004166007A JP4272115B2 (ja) | 2004-06-03 | 2004-06-03 | 加速度センサ及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005345294A JP2005345294A (ja) | 2005-12-15 |
JP4272115B2 true JP4272115B2 (ja) | 2009-06-03 |
Family
ID=35446221
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004166007A Expired - Fee Related JP4272115B2 (ja) | 2004-06-03 | 2004-06-03 | 加速度センサ及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7357026B2 (ja) |
JP (1) | JP4272115B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007248147A (ja) * | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサの構造及びその製造方法 |
JP4897318B2 (ja) * | 2006-03-16 | 2012-03-14 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | ピエゾ抵抗素子及びその製造方法 |
JP5043358B2 (ja) * | 2006-04-04 | 2012-10-10 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 傾斜角演算方法及び傾斜角演算装置 |
JP4999356B2 (ja) | 2006-05-10 | 2012-08-15 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ及びその製造方法 |
US8329491B2 (en) | 2006-11-20 | 2012-12-11 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Mechanical quantity sensor and method of manufacturing the same |
US8516891B2 (en) * | 2007-01-16 | 2013-08-27 | Analog Devices, Inc. | Multi-stage stopper system for MEMS devices |
KR100868759B1 (ko) | 2007-01-25 | 2008-11-17 | 삼성전기주식회사 | 멤스 디바이스 및 이의 제조방법 |
JP2008224254A (ja) * | 2007-03-08 | 2008-09-25 | Oki Electric Ind Co Ltd | センサ装置、センサ装置の製造方法 |
US20100116057A1 (en) * | 2007-05-17 | 2010-05-13 | Rohm Co., Ltd. | Mems sensor and method of manufacturing the same |
JP2009020001A (ja) * | 2007-07-12 | 2009-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 加速度センサ |
JP2009049113A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Oki Electric Ind Co Ltd | Soi基板、soi基板の製造方法及び、半導体加速度センサ |
JP5253859B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-07-31 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサの構造及びその製造方法 |
JP5147491B2 (ja) * | 2008-03-28 | 2013-02-20 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ装置 |
US20100162823A1 (en) * | 2008-12-26 | 2010-07-01 | Yamaha Corporation | Mems sensor and mems sensor manufacture method |
KR20120131788A (ko) | 2011-05-26 | 2012-12-05 | 삼성전기주식회사 | 관성센서 및 그 제조방법 |
US20130019678A1 (en) * | 2011-07-22 | 2013-01-24 | Lazaroff Dennis M | Limiting travel of proof mass within frame of MEMS device |
CN103675346B (zh) | 2012-09-21 | 2018-03-06 | 中国科学院地质与地球物理研究所 | 一种加速度计及其制造工艺 |
US9778042B2 (en) | 2013-12-13 | 2017-10-03 | Intel Corporation | Opto-mechanical inertial sensor |
US9341644B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-05-17 | Intel Corporation | MEMS apparatus with a movable waveguide section |
US9285391B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-03-15 | Intel Corporation | Optomechanical inertial sensor |
US9239340B2 (en) | 2013-12-13 | 2016-01-19 | Intel Corporation | Optomechanical sensor for accelerometry and gyroscopy |
KR20150101741A (ko) * | 2014-02-27 | 2015-09-04 | 삼성전기주식회사 | Mems 센서 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5121633A (en) * | 1987-12-18 | 1992-06-16 | Nissan Motor Co., Ltd. | Semiconductor accelerometer |
JP2822486B2 (ja) * | 1989-09-27 | 1998-11-11 | 株式会社デンソー | 感歪センサおよびその製造方法 |
FR2700014B1 (fr) * | 1992-12-08 | 1995-04-28 | Commissariat Energie Atomique | Capteur capacitif sensible aux accélérations orientées dans toutes les directions d'un plan. |
JPH08327656A (ja) * | 1995-05-31 | 1996-12-13 | Matsushita Electric Works Ltd | 半導体加速度センサ |
JP2002296293A (ja) | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 加速度センサ |
JP4216525B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-01-28 | 株式会社ワコー | 加速度センサおよびその製造方法 |
JP4518738B2 (ja) | 2002-12-18 | 2010-08-04 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 加速度センサ |
EP1491901A1 (en) * | 2003-06-25 | 2004-12-29 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Semiconductor acceleration sensor and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-06-03 JP JP2004166007A patent/JP4272115B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-02-24 US US11/063,551 patent/US7357026B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050268717A1 (en) | 2005-12-08 |
JP2005345294A (ja) | 2005-12-15 |
US7357026B2 (en) | 2008-04-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4272115B2 (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
KR101231082B1 (ko) | 가속도 센서 | |
US8522613B2 (en) | Acceleration sensor | |
US7107847B2 (en) | Semiconductor acceleration sensor and method of manufacturing the same | |
TWI423450B (zh) | 半導體感測器及其製法 | |
EP3249371B1 (en) | Differential pressure sensor full overpressure protection device | |
JP2007248147A (ja) | 加速度センサの構造及びその製造方法 | |
US8067812B2 (en) | Acceleration sensor and method of producing the same | |
JP4518738B2 (ja) | 加速度センサ | |
US8276449B2 (en) | Acceleration sensor and method of manufacturing acceleration sensor | |
KR101198288B1 (ko) | 소자 웨이퍼 및 소자 웨이퍼의 제조방법 | |
JP4540983B2 (ja) | 電極構造、薄膜構造体の製造方法 | |
JP4093267B2 (ja) | 加速度センサ | |
JP2008241482A (ja) | センサ装置 | |
JP2007322299A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 | |
JP5941808B2 (ja) | 圧力センサ素子 | |
JP2010032389A (ja) | 物理量センサ及びその製造方法 | |
JP5541772B2 (ja) | 電極構造 | |
JP2006145547A (ja) | 加速度センサとその製造方法 | |
JP4781081B2 (ja) | 加速度センサチップ及びその製造方法 | |
CN105527042B (zh) | 压力传感器及其制造方法 | |
JP2005012060A (ja) | 半導体装置 | |
JP3938200B1 (ja) | センサ装置およびその製造方法 | |
JP2007279055A (ja) | 加速度センサの製造方法 | |
JP2008046089A (ja) | 加速度センサおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060825 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20060923 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060929 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20061013 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080722 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081111 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090108 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20090114 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090210 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090226 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120306 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |