JP2009020001A - 加速度センサ - Google Patents

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Abstract

【課題】ストッパ部の破損を防止することで、耐久性を向上させる加速度センサを得る。
【解決手段】錘部材36に下向きの振動が加えられ、錘部材36が下側に変位すると、錘部材36の底面が底板90に当って、錘部材36は停止して下側の変位は阻止される。また、錘部材36が上側に変位すると、周辺錘部36Bがストッパ部20に当って、錘部材36は停止して上側の変位は阻止される。ストッパ部20に当って錘部材36の変位が阻止されるため、ストッパ部20の強度が低いとストッパ部20の破損が考えられる。しかし、ストッパ部20の両側にストッパ部20を補強する補強部24が設けられていため、ストッパ部20の破損を防止し、これにより、加速度センサ100の耐久性を向上させることができる。
【選択図】図1

Description

本発明は、XYZの3軸方向の加速度を検出するための加速度センサに関する。
特許文献1に記載の加速度センサによると、加速度測定対象物から振動が伝達され、錘固定部に取り付けられた錘部材が加振されると、錘固定部が変位し、これにより、錘固定部と隣り合う梁部が撓む。また、この梁部が撓むことで、梁部に取り付けられた抵抗素子の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて加速度測定対象物の加速度が測定される。
ここで、錘部材の下側への変位は、この錘部材の底面が底板に当って阻止され、上側への変位は、錘部材の上面が、ストッパ部と当って阻止される。
このように、ストッパ部が錘部材の上側への変位を阻止することで、過大な加速度による抵抗素子(加速度センサ)の破壊を防止している。
特開2004−198243号公報
一方、近年、加速度センサに対し耐久性の向上が求められているが、従来の加速度センサでは、錘部材がストッパ部へ強く当ってストッパ部が破損すると、梁部が大きく撓んで抵抗素子が過大に変位して破壊されることとなる。
本発明は、上記事実を考慮し、ストッパ部の破損を防止することで、加速度センサの耐久性を向上させることが課題である。
本発明の請求項1に係る加速度センサは、錘固定部と、該錘固定部の周囲に離間して形成される周辺固定部と、該錘固定部と該周辺固定部とを接続する梁部と、該錘固定部及び該梁部と離間し、該周辺固定部に隣接するストッパと、該錘固定部、該周辺固定部、該梁部、及び該ストッパを画成する開口部を備える第1の基板と、前記周辺固定部を支持する台座部と、前記錘固定部に固定される中央錘部と、該中央錘部から四方へ伸びる周辺錘部と、を備える錘部材と、を有する加速度センサにおいて、前記ストッパは、前記周辺錘部の角部が上方へ過度に変位すると接触するストッパ部と、該ストッパ部から前記梁部へ向って延在する補強部と、を備えることを特徴とする。
上記構成によれば、第1の基板の周辺固定部が台座部に支持されている。この台座部に振動が伝達されると、錘部材が振動する。また、錘部材が振動すると、錘部材に備えられた中央錘部と固定された錘固定部が変位する。さらに、錘固定部が変位すると、錘固定部と接続される梁部が撓む。例えば、梁部に抵抗素子を取り付けることで、梁部の撓みによりこの抵抗素子の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて加速度が検知される。
また、周辺固定部と隣接するストッパには、中央錘部から四方へ伸びる周辺錘部の角部が上方へ過度に変位すると接触するストッパ部が設けられており、ストッパ部は、周辺錘部と当って錘部材の変位を阻止し、過大な加速度による加速度センサの破壊を防止している。
ここで、周辺錘部がストッパ部に強く当ることで、ストッパ部が破損することが考えられる。しかし、ストッパには、ストッパ部から梁部へ向って延在する補強部が設けられている。この補強部は、周辺錘部がストッパ部に当ることで発生する応力を緩和する。これにより、ストッパ部の破損を防止することができ、さらに、加速度センサの耐久性を向上させることができる。
本発明の請求項2に係る加速度センサは、請求項1に記載において、前記補強部の前記開口部に臨む開口縁は、直線形状であることを特徴とする。
上記構成によれば、補強部の開口部に臨む開口縁は、直線形状である。このため、この直線部が均等に撓んで、錘部材がストッパ部に当ることで発生する応力を緩和することができる。
本発明の請求項3に係る加速度センサは、請求項1に記載において、前記補強部の前記開口部に臨む開口縁は、湾曲形状であることを特徴とする。
上記構成によれば、補強部の開口部に臨む開口縁は、湾曲形状である。このため、補強部の開口縁には、局部的な形状変化がなく、錘部材がストッパ部に当ることで発生する応力が局部的に集中することを防止することができる。
本発明によれば、ストッパ部の破損を防止することで、加速度センサの耐久性を向上させることができる。
本発明の第1実施形態に係る加速度センサ100の実施形態について図1〜図10に従って説明する。
図2(B)に示されるように、加速度センサ100は、厚さ5μm程度の第1のシリコン基板10と厚さ525μm程度の第2のシリコン基板30とを絶縁層50を介して貼り合わせたSOI(Silicon on Insulator)ウエハに、エッチング等の処理を施して形成したものである。
図1、図2(A)に示されるように、加速度センサ100の1個分のシリコン基板10は、一辺が2.5mm程度のほぼ正方形され、シリコン基板10の周辺部は、後述する台座部32(図2(B)参照)に支持されている。さらに、シリコン基板10の内側に4個の開口部12を設けることにより、周辺固定部14、錘固定部16、梁部18、及びストッパ23の各領域が形成されている。
詳細には、シリコン基板10の中央側に設けられ、1辺が700μm程度とされた錘固定部16には、錘部材36が固定されている。さらに、錘部材36は、錘固定部16に対応した直方体状の中央錘部36A(図2(C)参照)と、中央錘部36Aの四隅に接続されると共に、四方へ伸びて配置され、シリコン基板10と非接合状態にある直方体状の周辺錘部36Bを備えている。
また、図1に示されるように、錘固定部16の四方には、シリコン基板10を開口し、周辺錘部36Bの角部を隠すように残して周辺錘部36Bを露出させる開口部12が設けられている。
さらに、4つの開口部12で画成され、縦及び横方向に直交するように設けられた幅400μm程度の4つの梁部18が錘固定部16と隣り合って設けられている。また、この梁部18の表面には、機械的歪みによって電気抵抗が変化するピエゾ抵抗効果を有する矩形状の抵抗素子22が夫々2個設けられている。
また、シリコン基板10の周辺部には、梁部18と隣り合い、台座部32(図2(B)参照)に接合される幅500μm程度の四角枠状の周辺固定部14が設けられている。
さらに、周辺錘部36Bの角部が上方へ過度に変位すると接触すると共に、ストッパ23に備えられた三角形状のストッパ部20が、開口部12の外側で周辺固定部14と隣接して設けられている。また、ストッパ部20には、複数の小さな開口部80が設けられている。
さらに、ストッパ23には、ストッパ部20から梁部18へ向って延在する補強部24が設けられている。また、開口部12に臨む補強部24の開口縁24Aは、直線形状とされている。
一方、図2(D)に示されるように、シリコン基板30には、シリコン基板10の周辺固定部14に対応して周辺に設けられた幅500μm程度の台座部32が、周辺錘部36Bとの間に隙間34を設けて配置されている。さらに、台座部32をシリコン基板10とで挟むように底板90が台座部32の端部に固定されている。
また、図2(B)に示されるように、シリコン基板30において、シリコン基板10の梁部18に対応する箇所は、溝部38としてシリコンが除去されている。さらに、錘部材36の厚さ(高さ)は、台座部32の厚さよりも最大許容変位量(例えば、5μm)だけ薄く形成されている。
シリコン基板10,30は、周辺固定部14に対応して残された絶縁層50の酸化膜52と、錘固定部16に対応して残された絶縁層50の酸化膜54を介して相互に接続されている。
なお、参考に、各層のパターンを示す平面図を、図5(A)〜(C)に示す。図5(A)は、シリコン基板10の平面図であり、図5(B)は絶縁層50の平面図であり、図5(C)はシリコン基板30の平面図である。
次に図3、図4に沿って、加速度センサ100の製造方法について説明する。
先ず、図3(A)に示されるように、工程1で、例えば、厚さ5μmで体積抵抗率6〜8Ω/cm程度のN型のシリコン基板10と厚さ525μmで体積抵抗率16Ω/cm程度のシリコン基板30を、厚さ5μm程度の酸化シリコンによる絶縁層50を介して貼り合わせたSOIウエハを準備する。
次に、図3(B)に示されるように、工程2で、シリコン基板10の表面に、1000℃程度の加湿雰囲気を用いた熱酸化条件で、厚さ0.4μm程度の酸化シリコンによる保護膜72を形成する。
次に、図3(C)に示されるように、工程3で、ホトリソエッチング技術を用いて保護膜72に開口部72Aを設け、ボロン拡散法により、シリコン基板10の表面に抵抗素子22等(図1参照)となるP型の拡散層74を形成する。更に、拡散層74の表面にCVD(Chemical Vapor Deposition)法によって保護酸化膜72Bを形成する。
次に、図3(D)に示されるように、工程4で、ホトリソエッチング技術を用いて保護酸化膜72Bに電極取り出し口72Cを開口し、メタルスパッタリング技術を用いて保護膜72上にアルミニウムを堆積する。更に、ホトリソエッチング技術を用いてアルミニウムをエッチングし、配線76を同時に形成する。
次に、図3(E)に示されるように、工程5で、PRD(Plasma Reactive Deposition)法を用いて、保護膜72及びその上に 形成された配線76の表面に、保護用のシリコン窒化膜78を形成する。尚、次の工程6以降の説明では、このシリコン窒化膜78の図示を省略している。
次に、図3(F)に示されるように、工程6で、シリコン窒化膜78上にホトレジストを形成し、ホトリソエッチング技術を用いて、梁部18とストッパ部20を区隔する開口部12と、後の工程で周辺錘部36Bとストッパ部20(図1参照)の間に介在する絶縁層50を除去するために用いる開口部80を形成する。
次に、図4(A)に示されるように、工程7で、SOIウエハの裏面、即ちシリコン基板30の表面に、CVD技術を用いて酸化膜82を形成する。台座部32に対応するように周囲の酸化膜82を残し、中央部の酸化膜82をホトリソエッチング技術を用いて除去して、開口部82Aを形成する。
次に、図4(B)に示されるように、工程8で、周辺部に残された酸化膜82をエッチングマスクとし、ガスチョッピング・エッチング技術(GCET:Gas Chopping Etching Technology,所謂Bosch法)を用いてシリコン基板30の表面を20μm程度エッチングし、凹部30Aを形成する。
次に、図4(C)に示されるように、工程9で、ホトリソ技術により、シリコン基板30の台座部32と錘部材36の間の隙間34及び溝部38を形成するためのエッチングマスク86を形成する。
次に、図4(D)に示されるように、工程10で、GCETを用いて、シリコン基板30の隙間34と溝部38を形成する。
次に、図4(E)に示されるように、工程11で、工程10までの処理が完了したSOIウエハを緩衝ふっ酸に浸漬し、シリコン基板10,30間の絶縁層50をエッチングする。この時、シリコン基板10に設けられた開口部12,80と、シリコン基板30の隙間34及び溝部38から緩衝ふっ酸が流入し、周辺錘部36Bとストッパ部20の間に介在する絶縁層50が除去される。
その後、通常の半導体製造方法と同様に、SOIウエハからチップを切り出し、所定の配線を行う。
次に、加速度センサ100の動作について説明する。
図2(B)に示されるように、加速度センサ100に加速度が加えられると、慣性力により錘部材36に応力が作用し、錘部材36が変位する。また、錘部材36が変位すると、錘部材36に備えられた中央錘部36Aと接合される錘固定部16が変位する。さらに、錘固定部16が変位すると、錘固定部16と隣り合う梁部18が撓み、これより、梁部18に取り付けられた抵抗素子22の抵抗値が変化し、この抵抗値の変化に基づいて加速度が検知される。
ここで、錘部材36に下向きの振動が加えられ、錘部材36が下側に変位すると、錘部材36の底面が底板90に当って、錘部材36は停止して下側の変位は阻止される。また、錘部材36が上側に変位すると、周辺錘部36Bがストッパ部20(図1参照)に当って、錘部材36は停止して上側の変位は阻止される。
ここで、錘部材36が上側に変位したときに、ストッパ部20に当って錘部材36の変位が阻止される。このため、ストッパ部20の強度が低いとストッパ部20が破損し、さらに、ストッパ部20が破損することで、梁部18が大きく撓んで抵抗素子22が過大に変位して破壊されることが考えられる。しかし、本実施形態では、ストッパ部20の両側にストッパ部20を補強する補強部24が設けられている。
そして、本願の発明者は、構造解析を利用して、この補強部24の作用について確認した。
図6(A)には、上側に変位する周辺錘部36B(図1参照)がストッパ部20に当ったときの応力が示されている。色の濃い部位は応力が高い場所で、色が薄い部位は応力が低い場所である。また、図6(B)は、図6(A)の比較例として、ストッパ部20に補強部24が設けられていない場合を示している。
図6(A)(B)より、三角形状のストッパ部20の直交する2辺に沿って応力が集中するのが分かる。また、図6(B)に示されるように、補強部24を備えない従来の構造では、色が濃くなっている応力集中部位が、ストッパ部20の縁部と周辺固定部14の縁部が交差する点Kまで伸びている。このため、従来の構造では、この点Kを起点に、亀裂が生じる可能性がある。しかし、図6(A)に示されるように、補強部24を設けることで、応力集中部位が補強部24の面内に吸収され、応力集中部位が縁部にまで達しない。このように、縁部から亀裂が生じることを効果的に防止していることが分かる。
また、図7(A)には、上側に変位する周辺錘部36Bがストッパ部20に当ったときのストッパ部20の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで示されている。点線で示されているのが、補強部24が設けられていない場合を示し、実線で示されているのが、補強部24が設けられた本実施形態の構造である。点線と実線を比較して分かるように、補強部24を設けることで、相当応力を小さくすることができる。
さらに、図7(B)には、上側に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときのストッパ部20の変位(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで示されている。点線で示されているのが、補強部が設けられていない構造の変位と時間の関係を示し、実線で示されているのが、補強部24が設けられた本実施形態の構造である。点線と実線を比較して分かるように、ストッパ部20の変位については、補強部24の有無で変化がほとんどないことが分かる。
また、図8(A)には、左右方向に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときのストッパ部20の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで示されている。点線で示されているのが、補強部24が設けられていない構造の応力と時間の関係を示し、実線で示されているのが、補強部24が設けられた本実施形態の構造である。点線と実線を比較して分かるように、補強部24を設けることで、相当応力を小さくすることができる。
さらに、図8(B)には、左右に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときのストッパ部20の変位(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで示されている。点線で示されているのが、補強部が設けられていない構造の変位と時間の関係を示し、実線で示されているのが、補強部24が設けられた本実施形態の構造である。点線と実線を比較して分かるように、補強部24を設けることで、変位を少なくすることができる。
また、図9(A)には、補強部24を設けることによるストッパ部20の最大相当応力の変化が示されている。点線で示すのが、上側に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときの最大相当応力の変化で、実線で示すのが、左右に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときの最大相当応力の変化である。補強部24を設けることで、錘部材36が上側に変位する場合は、最大相当応力が13%低下し、錘部材36が左右に変位する場合は、最大相当応力が10%低下するこが分かる。
さらに、図9(B)には、左右に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときの梁部18の相当応力が、補強部24を設けることでどのように変化するかが示されている。梁部18の相当応力ついては、補強部24の有無で変化がないことが分かる。
また、図10には、左右方向に変位する錘部材36がストッパ部20に当ったときの梁部18の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで示されている。点線で示されているのが、補強部24が設けられていない構造を示し、実線で示されているのが、補強部24が設けられた本実施形態の構造である。点線と実線を比較して分かるように、補強部24の有無で変化がほとんどないことが分かる。つまり、補強部24を設けることで梁部18の相当応力を変えることなく、ストッパ部20の相当応力を下げることができることが分かる。
以上の解析結果からも分かるように、ストッパ部20の両側に補強部24を設けることで、ストッパ部20の応力が下がり、ストッパ部20の破損を防止することができ、これにより、加速度センサ100の耐久性を向上させることができる。
また、開口部12に臨む補強部24の開口縁24Aを直線形状とすることで、この直線部が均等に撓んで、周辺錘部36Bがストッパ部20に当ることで発生する応力を緩和することができる。
また、4つの梁部18が開口部12によって区画しており、梁部18が撓みやすくなっているため、加速度センサ100の感度を向上させることができる。
次に本発明の加速度センサ100の第2実施形態について図11に従って説明する。
なお、第1実施形態と同一部材については、同一符号を付してその説明を省略する。
図11に示されるように、この実施形態では第1実施形態とは違い、開口部12に臨む補強部26の開口縁26Aは、湾曲形状とされており、ストッパ部20の開口縁20A、及び周辺固定部14の開口縁14Aと接するように設けられている。
このため、開口縁14A、開口縁20A、及び開口縁26Aには、局部的な形状変化がなく、周辺錘部36Bがストッパ部20に当ることで発生する応力が局部的に集中することを防止することができる。
本発明の第1実施形態に係る加速度センサを示した拡大平面図である。 (A)本発明の第1実施形態に係る加速度センサを示した平面図である。(B)本発明の第1実施形態に係る加速度センサを示し、図2(A)のB−B線断面図である。(C)本発明の第1実施形態に係る加速度センサを示した底面図である。(D)本発明の第1実施形態に係る加速度センサを示し、図2(A)のD−D線断面図である。 (A)(B)(C)(D)(E)(F)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。 (A)(B)(C)(D)(E)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの製造方法を示す工程図である。 (A)(B)(C)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの各層のパターンを示す平面図である。 (A)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を表した斜視図である。(B)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果と比較する比較例を示した解析結果の斜視図である。 (A)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、ストッパ部の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係をグラフで現した図面である。(B)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、ストッパ部の変位(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで現した図面である。 (A)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、ストッパ部の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係をグラフで現した図面である。(B)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、ストッパ部の変位(縦軸)と時間(横軸)の関係がグラフで現した図面である。 (A)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、補強部を設けることによるストッパ部の最大相当応力の変化を現した図面である。(B)本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、補強部を設けることによる梁部の最大相当応力の変化を現した図面である。 本発明の第1実施形態に係る加速度センサの解析結果を示し、梁部の相当応力(縦軸)と時間(横軸)の関係をグラフで現した図面である。 本発明の第2実施形態に係る加速度センサを示した拡大平面図である。
符号の説明
10 シリコン基板(第1の基板)
12 開口部
14A 開口縁
16 錘固定部
18 梁部
20 ストッパ部
20A 開口縁
22 抵抗素子
23 ストッパ
24 補強部
24A 開口縁
26 補強部
26A 開口縁
32 台座部
36 錘部材
36A 中央錘部
36B 周辺錘部
100 加速度センサ

Claims (3)

  1. 錘固定部と、該錘固定部の周囲に離間して形成される周辺固定部と、該錘固定部と該周辺固定部とを接続する梁部と、該錘固定部及び該梁部と離間し、該周辺固定部に隣接するストッパと、該錘固定部、該周辺固定部、該梁部、及び該ストッパを画成する開口部を備える第1の基板と、
    前記周辺固定部を支持する台座部と、
    前記錘固定部に固定される中央錘部と、該中央錘部から四方へ伸びる周辺錘部と、を備える錘部材と、
    を有する加速度センサにおいて、
    前記ストッパは、前記周辺錘部の角部が上方へ過度に変位すると接触するストッパ部と、該ストッパ部から前記梁部へ向って延在する補強部と、を備えることを特徴とする加速度センサ。
  2. 前記補強部の前記開口部に臨む開口縁は、直線形状であることを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
  3. 前記補強部の前記開口部に臨む開口縁は、湾曲形状であることを特徴とする請求項1記載の加速度センサ。
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