JPS63169078A - 半導体振動・加速度センサ - Google Patents
半導体振動・加速度センサInfo
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- JPS63169078A JPS63169078A JP62000901A JP90187A JPS63169078A JP S63169078 A JPS63169078 A JP S63169078A JP 62000901 A JP62000901 A JP 62000901A JP 90187 A JP90187 A JP 90187A JP S63169078 A JPS63169078 A JP S63169078A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01P—MEASURING LINEAR OR ANGULAR SPEED, ACCELERATION, DECELERATION, OR SHOCK; INDICATING PRESENCE, ABSENCE, OR DIRECTION, OF MOVEMENT
- G01P15/00—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration
- G01P15/02—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses
- G01P15/08—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values
- G01P2015/0805—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration
- G01P2015/0822—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass
- G01P2015/084—Measuring acceleration; Measuring deceleration; Measuring shock, i.e. sudden change of acceleration by making use of inertia forces using solid seismic masses with conversion into electric or magnetic values being provided with a particular type of spring-mass-system for defining the displacement of a seismic mass due to an external acceleration for defining out-of-plane movement of the mass the mass being suspended at more than one of its sides, e.g. membrane-type suspension, so as to permit multi-axis movement of the mass
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Measurement Of Mechanical Vibrations Or Ultrasonic Waves (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、例えば自動車の加速度状態、揺れの状態等
を検出し、その検出信号を効果的に処理して各種制御等
に使用されるようにするもので、特に３次元の振動ある
いは加速度を効果的に検出するように構成することがで
きる半導体振動・加速度センサに関する。
を検出し、その検出信号を効果的に処理して各種制御等
に使用されるようにするもので、特に３次元の振動ある
いは加速度を効果的に検出するように構成することがで
きる半導体振動・加速度センサに関する。
〔従来の技術］
例えば、加速度の状態を３次元的に検出しようとする場
合には、３次元の各次元にそれぞれ対応する振動および
加速度の状態をそれぞれ検出する手段が必要となる。
合には、３次元の各次元にそれぞれ対応する振動および
加速度の状態をそれぞれ検出する手段が必要となる。
第２図はこのような３次元的な加速度検出機構の例を示
す斜視図で、基台２１に対して例えば三角鐘状の取付は
台２２を設定し、この取付は台２２の各面に対応して、
３次元の各方向Ｘ、Ｙ、Ｚにそれぞれ直行する方向に延
びるような振動板２３．２４．２５を取付は設定する。
す斜視図で、基台２１に対して例えば三角鐘状の取付は
台２２を設定し、この取付は台２２の各面に対応して、
３次元の各方向Ｘ、Ｙ、Ｚにそれぞれ直行する方向に延
びるような振動板２３．２４．２５を取付は設定する。
この場合、この各振動板２３〜２５に対しては、それぞ
れの先端に質量２６〜２８を取付け、上記各振動１反２
３〜２５が３次元のＸ、Ｙ、Ｚの振動によってそれぞれ
励振されるようにする。この場合、上記振動板２３〜２
５に対しては、それぞれ歪ゲージ等を取付け、その振動
状態を電気的に検出できるようにしているものである。
れの先端に質量２６〜２８を取付け、上記各振動１反２
３〜２５が３次元のＸ、Ｙ、Ｚの振動によってそれぞれ
励振されるようにする。この場合、上記振動板２３〜２
５に対しては、それぞれ歪ゲージ等を取付け、その振動
状態を電気的に検出できるようにしているものである。
しかしながら、このような加速度検出装置にあっては、
各振動板２３〜２５をそれぞれ異なる方向に延びる状態
で設定しなければならず、その相互角度関係も所定の状
態に正確に設定しなければならない。したがって、この
検出装置はその構造が複雑な状態となるばかりでなく、
実質的に手作りに近い状態で動作特性の調整設定を行わ
なければならないものであり、大型であり且つ高価なも
のとなっていた。そこで本発明は、上記の点に濫みなさ
れたものであって、充分簡単な構成で互いに直交する３
次元的な方向の振動、加速度等も効果的に検出できるよ
うにするものであり、小型であり且つ軽量に構成可能で
例えば量産性にも冨むようにする事のできる半導体振動
・加速度センサを提供する事を目的としている。
各振動板２３〜２５をそれぞれ異なる方向に延びる状態
で設定しなければならず、その相互角度関係も所定の状
態に正確に設定しなければならない。したがって、この
検出装置はその構造が複雑な状態となるばかりでなく、
実質的に手作りに近い状態で動作特性の調整設定を行わ
なければならないものであり、大型であり且つ高価なも
のとなっていた。そこで本発明は、上記の点に濫みなさ
れたものであって、充分簡単な構成で互いに直交する３
次元的な方向の振動、加速度等も効果的に検出できるよ
うにするものであり、小型であり且つ軽量に構成可能で
例えば量産性にも冨むようにする事のできる半導体振動
・加速度センサを提供する事を目的としている。
〔問題点を解決するための手段］
上記の目的を達成する為に本発明は、厚肉状の中央厚肉
部と、 前記中央厚肉部と所定の間隔を有し、且つ該中央厚肉部
を囲うように形成された厚肉状の周辺厚肉部と、 少なくとも４ケ所にて前記中央厚肉部と前記周辺厚肉部
とを連結する事により、該中央厚肉部を支持する薄肉状
の薄肉支持部と、 前記薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージと、を備え
ることを特徴とする半導体振動・加速度センサを採用し
ている。
部と、 前記中央厚肉部と所定の間隔を有し、且つ該中央厚肉部
を囲うように形成された厚肉状の周辺厚肉部と、 少なくとも４ケ所にて前記中央厚肉部と前記周辺厚肉部
とを連結する事により、該中央厚肉部を支持する薄肉状
の薄肉支持部と、 前記薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージと、を備え
ることを特徴とする半導体振動・加速度センサを採用し
ている。
上記薄肉支持部は半導体振動・加速度センサのダイヤフ
ラムを構成するものであり、例えば通常の半導体製造工
程において使用されるエツチングによって簡単に形成さ
れるものであり、この薄肉支持部により支持される中央
厚肉部は振動、加速度等による慣性力を増加し、薄肉支
持部と共に変位するものである。そして、この変位状態
は薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージによって電気
信号の状態で検出されるものである。
ラムを構成するものであり、例えば通常の半導体製造工
程において使用されるエツチングによって簡単に形成さ
れるものであり、この薄肉支持部により支持される中央
厚肉部は振動、加速度等による慣性力を増加し、薄肉支
持部と共に変位するものである。そして、この変位状態
は薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージによって電気
信号の状態で検出されるものである。
又、例えば中央厚肉部の表面に平行な方向で、その表面
に対して対称な４方向に薄肉支持部及びその上側に形成
される歪ゲージを設定すると、振動、加速度等の応力が
加わった際に、薄肉支持部により中央厚肉部を支持する
点と、中央厚肉部の重心点とのずれにより、中央厚肉部
にねじれ力が働く。そして、このねじれ力に応じた電気
信号を、中央厚肉部を介して対向する２組の歪ゲージに
より検出する事により前記中央厚肉部の表面に平行なＸ
方向、及びその表面に平行でＸ方向に直交するＹ方向の
２次元の振動、加速度等が検出されるようになる。又、
中央厚肉部の表面に直交するＺ方向については、各々の
歪ゲージからの電気信号の和、又はその平均を求める事
により検出でき、結局、３次元の振動、加速度等の検出
機構が設定されるようになる。
に対して対称な４方向に薄肉支持部及びその上側に形成
される歪ゲージを設定すると、振動、加速度等の応力が
加わった際に、薄肉支持部により中央厚肉部を支持する
点と、中央厚肉部の重心点とのずれにより、中央厚肉部
にねじれ力が働く。そして、このねじれ力に応じた電気
信号を、中央厚肉部を介して対向する２組の歪ゲージに
より検出する事により前記中央厚肉部の表面に平行なＸ
方向、及びその表面に平行でＸ方向に直交するＹ方向の
２次元の振動、加速度等が検出されるようになる。又、
中央厚肉部の表面に直交するＺ方向については、各々の
歪ゲージからの電気信号の和、又はその平均を求める事
により検出でき、結局、３次元の振動、加速度等の検出
機構が設定されるようになる。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明する。第
１図は本発明の一実施例を示す図であり、同図（ａ）に
その上面図、同図（ｂ）に同図（ａ）におけるＡ−Ａ線
断面図を示す。図において、５はその平面形状が正方形
で、厚肉状の厚みをもった中央厚肉部、６は中央厚肉部
５と所定の間隔を有し、その中央厚肉部５を囲うように
口の字型に形成された厚肉状の周辺厚肉部である。中央
厚肉部５と周辺厚肉部との間には、中央ｌＩ肉部５の平
面形状における正方形の各辺の略中央より、各辺の長さ
より短い所定の幅をもって周辺厚肉部６側にのび、周辺
厚肉部６と中央厚肉部５とを連結する薄肉状の薄肉支持
部８〜１１が形成されている。尚、この薄肉支持部８〜
１１の図中圧のＺ方向側表面は、中央厚肉部５及び周辺
厚肉部６の同表面と同一平面上に形成されている。そし
て、各々の薄肉支持部８〜１１にはピエゾ抵抗素子であ
る４本の歪ゲージからなる歪ゲージ群１〜４が拡散等に
より形成されており、又、各々の歪ゲージ群１〜４は例
えば中央厚肉部５より周辺厚肉部６側に向かう方向にそ
の長手方向を有する２個の歪ゲージと、その方向に直交
する方向にその長手方向を有する２個の歪ゲージとから
成り、互いに電気的に接続しフルブリッジを構成してい
る。
１図は本発明の一実施例を示す図であり、同図（ａ）に
その上面図、同図（ｂ）に同図（ａ）におけるＡ−Ａ線
断面図を示す。図において、５はその平面形状が正方形
で、厚肉状の厚みをもった中央厚肉部、６は中央厚肉部
５と所定の間隔を有し、その中央厚肉部５を囲うように
口の字型に形成された厚肉状の周辺厚肉部である。中央
厚肉部５と周辺厚肉部との間には、中央ｌＩ肉部５の平
面形状における正方形の各辺の略中央より、各辺の長さ
より短い所定の幅をもって周辺厚肉部６側にのび、周辺
厚肉部６と中央厚肉部５とを連結する薄肉状の薄肉支持
部８〜１１が形成されている。尚、この薄肉支持部８〜
１１の図中圧のＺ方向側表面は、中央厚肉部５及び周辺
厚肉部６の同表面と同一平面上に形成されている。そし
て、各々の薄肉支持部８〜１１にはピエゾ抵抗素子であ
る４本の歪ゲージからなる歪ゲージ群１〜４が拡散等に
より形成されており、又、各々の歪ゲージ群１〜４は例
えば中央厚肉部５より周辺厚肉部６側に向かう方向にそ
の長手方向を有する２個の歪ゲージと、その方向に直交
する方向にその長手方向を有する２個の歪ゲージとから
成り、互いに電気的に接続しフルブリッジを構成してい
る。
次に、上述した実施例における半導体振動・加速度セン
サの具体的な製造方法の一例を説明する。
サの具体的な製造方法の一例を説明する。
まず単結晶シリコン基板の主表面に対して、通常のＩＣ
製造プロセスによってＭＯＳ）ランリスタ。
製造プロセスによってＭＯＳ）ランリスタ。
バイポーラトランジスタ等による増幅回路、波形整形回
路、あるいは電源回路等と共に、Ｐ型不純物を導入しＰ
型拡散抵抗による歪ゲージを形成する。尚、増幅回路等
の処理回路は図示はしないが前述の中央厚肉部５あるい
は周辺厚肉部６に形成され、歪ゲージ群１〜４等と互い
に電気的に接続される。そして単結晶シリコン基板の主
表面及び他主面の所定の領域に絶縁膜としての例えばシ
リコン酸化膜を形成する。しかる後に、シリコン酸化膜
をマスクとして単結晶シリコン基板の他主面側より化学
エツチング等のエツチングを行ない、単結晶シリコン基
板の他主面側に所定の深さｄの口の字型の凹部を形成す
る。引続き、単結晶シリコン基板の主表面側より同様に
シリコン酸化膜をマスクとしてエツチングを行ない、４
ケ所に形成されるくの字型の貫通孔７を形成する事によ
り半導体振動・加速度センサを構成する。尚、本実施例
においてはＺ方向における面方位を（１００）。
路、あるいは電源回路等と共に、Ｐ型不純物を導入しＰ
型拡散抵抗による歪ゲージを形成する。尚、増幅回路等
の処理回路は図示はしないが前述の中央厚肉部５あるい
は周辺厚肉部６に形成され、歪ゲージ群１〜４等と互い
に電気的に接続される。そして単結晶シリコン基板の主
表面及び他主面の所定の領域に絶縁膜としての例えばシ
リコン酸化膜を形成する。しかる後に、シリコン酸化膜
をマスクとして単結晶シリコン基板の他主面側より化学
エツチング等のエツチングを行ない、単結晶シリコン基
板の他主面側に所定の深さｄの口の字型の凹部を形成す
る。引続き、単結晶シリコン基板の主表面側より同様に
シリコン酸化膜をマスクとしてエツチングを行ない、４
ケ所に形成されるくの字型の貫通孔７を形成する事によ
り半導体振動・加速度センサを構成する。尚、本実施例
においてはＺ方向における面方位を（１００）。
Ｘ方向を＜１１０＞、Ｙ方向を＜１１０＞とじている。
そこで、上記実施例によると、振動、加速度等による力
を受けて中央厚肉部５及び薄肉支持部８〜１１が変位し
、その変位状態に応じた信号を歪ゲージ群１〜４によっ
て電気信号の状態で検出されるようになる。ここで、振
動、加速度等による力のＸ、Ｘ方向成分は次のようにし
て検出される。
を受けて中央厚肉部５及び薄肉支持部８〜１１が変位し
、その変位状態に応じた信号を歪ゲージ群１〜４によっ
て電気信号の状態で検出されるようになる。ここで、振
動、加速度等による力のＸ、Ｘ方向成分は次のようにし
て検出される。
すなわち、例えばＸ方向成分について考えると、第３図
の断面図に示すように、中央厚肉部５の重心Ｇと支持点
Ｐ、（支持点ｐｇ）との間にはＺ方向において距離２の
ずれが生じており、このずれのためにＸ方向に力が作用
した場合、支持点Ｐ１は図中圧のＺ方向へ変位し、支持
点Ｐ２は負のＺ方向へ変位する。従って薄肉支持部９側
と薄肉支持部１１側では表面応力の加わり方が逆になる
。
の断面図に示すように、中央厚肉部５の重心Ｇと支持点
Ｐ、（支持点ｐｇ）との間にはＺ方向において距離２の
ずれが生じており、このずれのためにＸ方向に力が作用
した場合、支持点Ｐ１は図中圧のＺ方向へ変位し、支持
点Ｐ２は負のＺ方向へ変位する。従って薄肉支持部９側
と薄肉支持部１１側では表面応力の加わり方が逆になる
。
すなわち、薄肉支持部９側においては台座１２に近接す
るほど圧縮応力が作用し、中央厚肉部５に近接するほど
引張り応力が作用するのに対し、薄肉支持部ｌｌ側にお
いては、台座１２に近接するほど引張応力が作用し、中
央厚肉部５に近接するほど圧縮応力が作用する事になる
。そこで、各々の薄肉支持部９．１１に形成される歪ゲ
ージ群２゜４が形成するブリッジ回路の出力信号の差を
検出する事によりＸ方向に受ける力に応じた電気信号を
得る事ができる。尚、Ｙ方向成分についてはその説明を
省略するが、上述したＸ方向成分における説明と同様に
考える事ができる。
るほど圧縮応力が作用し、中央厚肉部５に近接するほど
引張り応力が作用するのに対し、薄肉支持部ｌｌ側にお
いては、台座１２に近接するほど引張応力が作用し、中
央厚肉部５に近接するほど圧縮応力が作用する事になる
。そこで、各々の薄肉支持部９．１１に形成される歪ゲ
ージ群２゜４が形成するブリッジ回路の出力信号の差を
検出する事によりＸ方向に受ける力に応じた電気信号を
得る事ができる。尚、Ｙ方向成分についてはその説明を
省略するが、上述したＸ方向成分における説明と同様に
考える事ができる。
又、Ｚ方向成分については第４図の断面図に示すように
、例えば負のＺ方向に力が作用した場合、薄肉支持部９
側と薄肉支持部ｌｌ側には共に、台座１２に近接するほ
ど引張り応力が作用し、中央厚肉部５に近接するほど圧
縮応力が作用する。又、図示はしないが薄肉支持部８，
１０側においても同様に応力が作用しており、従って、
各々の薄肉支持部８〜１１に形成される歪ゲージ群１〜
４が形成するブリッジ回路の出力信号の和、あるいはそ
の平均を検出する事により、Ｚ方向に受ける力に応じた
電気信号を得る事ができる。
、例えば負のＺ方向に力が作用した場合、薄肉支持部９
側と薄肉支持部ｌｌ側には共に、台座１２に近接するほ
ど引張り応力が作用し、中央厚肉部５に近接するほど圧
縮応力が作用する。又、図示はしないが薄肉支持部８，
１０側においても同様に応力が作用しており、従って、
各々の薄肉支持部８〜１１に形成される歪ゲージ群１〜
４が形成するブリッジ回路の出力信号の和、あるいはそ
の平均を検出する事により、Ｚ方向に受ける力に応じた
電気信号を得る事ができる。
上述したように本実施例によると、振動、加速度等によ
って作用する力のＸ方向成分をＹ方向（軸）まわりのね
じれ力に、Ｙ方向成分をＸ方向（軸）まわりのねじれ力
に変換し、Ｚ方向成分をＺ方向に作用する力とする事に
より、互いに直交する３次元的な方向の振動、加速度等
を効果的に検出する事ができる。しかも半導体振動・加
速度センサの製造工程において、何ら特別の工程は行な
っておらず、通常の半導体製造工程において使用される
エツチングによって節単に形成する事ができ、又、従来
の第２図に示すような半導体装置・加速度センサと比較
して小型であり且つ軽量に構成できるという効果がある
。
って作用する力のＸ方向成分をＹ方向（軸）まわりのね
じれ力に、Ｙ方向成分をＸ方向（軸）まわりのねじれ力
に変換し、Ｚ方向成分をＺ方向に作用する力とする事に
より、互いに直交する３次元的な方向の振動、加速度等
を効果的に検出する事ができる。しかも半導体振動・加
速度センサの製造工程において、何ら特別の工程は行な
っておらず、通常の半導体製造工程において使用される
エツチングによって節単に形成する事ができ、又、従来
の第２図に示すような半導体装置・加速度センサと比較
して小型であり且つ軽量に構成できるという効果がある
。
尚、本発明は上記第１実施例に限定される事なく、その
主旨を逸脱しない限り例えは以下に示す如く種々変形可
能である。
主旨を逸脱しない限り例えは以下に示す如く種々変形可
能である。
（１）第５図の模式的断面図に示すように、中央厚肉部
５の下側表面に、振動、加速度等に対する慣性力をより
増加して感度を高める為に、質量１３を接着してもよい
。
５の下側表面に、振動、加速度等に対する慣性力をより
増加して感度を高める為に、質量１３を接着してもよい
。
（２）上記第１実施例では第３図等に示すように半導体
振動・加速度センサの固定は、周辺厚肉部６と台座１２
とを周辺厚肉部６及び中央厚肉部５との間に形成される
凹部側表面にて接着する事により行っているが、第６図
の模式的断面図に示すように表面が平滑な側の周辺厚肉
部６表面に半田等のバンプ１４を形成し、さらにバンプ
１４の製造工程と同じ工程にて中央厚肉部５表面に半田
を付着し質量１３を形成した上で、バンプ１４と、外部
用導線１７の形成された基板１６とを接着する事により
半導体振動・加速度センサを固定してもよい。
振動・加速度センサの固定は、周辺厚肉部６と台座１２
とを周辺厚肉部６及び中央厚肉部５との間に形成される
凹部側表面にて接着する事により行っているが、第６図
の模式的断面図に示すように表面が平滑な側の周辺厚肉
部６表面に半田等のバンプ１４を形成し、さらにバンプ
１４の製造工程と同じ工程にて中央厚肉部５表面に半田
を付着し質量１３を形成した上で、バンプ１４と、外部
用導線１７の形成された基板１６とを接着する事により
半導体振動・加速度センサを固定してもよい。
（３）各々の歪ゲージ群は、第７図の上面図に示すよう
に全ての歪ゲージの長手方向を中央厚肉部５より周辺厚
肉部６側に向かう方向と一致するようにして、中央厚肉
部５側と周辺厚肉部６側に各々２個ずつ配置してもよい
。又、歪ゲージ群において、４個の歪ゲージにてプルブ
リッジを構成する必要はなく、例えば各々の歪ゲージ群
において２個の歪ゲージだけを形成してハーフブリッジ
を構成してもよい。
に全ての歪ゲージの長手方向を中央厚肉部５より周辺厚
肉部６側に向かう方向と一致するようにして、中央厚肉
部５側と周辺厚肉部６側に各々２個ずつ配置してもよい
。又、歪ゲージ群において、４個の歪ゲージにてプルブ
リッジを構成する必要はなく、例えば各々の歪ゲージ群
において２個の歪ゲージだけを形成してハーフブリッジ
を構成してもよい。
（４）薄肉支持部は４ケ所以上に形成してもよく、その
場合、上記第１実施例の如く中央厚肉部５の中心に対し
て対称的に配置するのがよい。
場合、上記第１実施例の如く中央厚肉部５の中心に対し
て対称的に配置するのがよい。
（５）薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージは、薄肉
支持部の表面上に多結晶シリコン等の多結晶半導体を堆
積し、その多結晶半導体内にＰ型不純物を導入する事に
より形成してもよく、又、その際、多結晶半導体を再結
晶したものを使用してもよい。
支持部の表面上に多結晶シリコン等の多結晶半導体を堆
積し、その多結晶半導体内にＰ型不純物を導入する事に
より形成してもよく、又、その際、多結晶半導体を再結
晶したものを使用してもよい。
（６）中央厚肉部５及び周辺厚肉部６の平面形状は四角
形状に限定される事なく、例えは円形形状であってもよ
い。
形状に限定される事なく、例えは円形形状であってもよ
い。
（７）尚、本発明の゛ド導体振動・加速度センサは２次
元、１次元的な方向を存する振動、加速度等を検出する
半導体振動・加速度センサとしても適用できる事は言う
までもない。
元、１次元的な方向を存する振動、加速度等を検出する
半導体振動・加速度センサとしても適用できる事は言う
までもない。
以上述べたように、本発明によると何ら特別の工程を必
要とする事なく、通常の半導体製造工程と同様な工程に
よって同時に、且つ裔精度に製造する事ができ、しかも
、充分簡単な構成にて振動。
要とする事なく、通常の半導体製造工程と同様な工程に
よって同時に、且つ裔精度に製造する事ができ、しかも
、充分簡単な構成にて振動。
加速度等による応力を中央厚肉部及び薄肉支持部のねじ
れ等の変位に変換して、その変位状態に応じた電気信号
を歪ゲージにより検出する事により３次元的な方向の振
動、加速度等も検出でき、小型、軽量に製造可能で、量
産性にも富むという優れた効果がある。
れ等の変位に変換して、その変位状態に応じた電気信号
を歪ゲージにより検出する事により３次元的な方向の振
動、加速度等も検出でき、小型、軽量に製造可能で、量
産性にも富むという優れた効果がある。
第１図（ａ）は本発明の一実施例の上面図、第１図（ｂ
）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図、第２図は従来
の３次元的な加速度検出機構の例を示す斜視図、第３図
はＸ方向成分について説明するための断面図、第４図は
Ｚ方向成分について説明するための断面図、第５図は質
量を接着した例を示す模式的断面図、第６図はバンプに
より固定した例を示す模式的断面図、第７図は歪ゲージ
の配置の他の例を示す上面図である。 １〜４・・・歪ゲージ群、５・・・中央厚肉部、６・・
・周辺厚肉部、７・・・貫通孔、８〜１１・・・薄肉支
持部。
）は同図（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図、第２図は従来
の３次元的な加速度検出機構の例を示す斜視図、第３図
はＸ方向成分について説明するための断面図、第４図は
Ｚ方向成分について説明するための断面図、第５図は質
量を接着した例を示す模式的断面図、第６図はバンプに
より固定した例を示す模式的断面図、第７図は歪ゲージ
の配置の他の例を示す上面図である。 １〜４・・・歪ゲージ群、５・・・中央厚肉部、６・・
・周辺厚肉部、７・・・貫通孔、８〜１１・・・薄肉支
持部。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 厚肉状の中央厚肉部と、 前記中央厚肉部と所定の間隔を有し、且つ該中央厚肉部
を囲うように形成された厚肉状の周辺厚肉部と、 少なくとも４ヶ所にて前記中央厚肉部と前記周辺厚肉部
とを連結する事により、該中央厚肉部を支持する薄肉状
の薄肉支持部と、 前記薄肉支持部の上側に形成される歪ゲージと、を備え
ることを特徴とする半導体振動・加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000901A JPS63169078A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体振動・加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62000901A JPS63169078A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体振動・加速度センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63169078A true JPS63169078A (ja) | 1988-07-13 |
Family
ID=11486585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62000901A Pending JPS63169078A (ja) | 1987-01-06 | 1987-01-06 | 半導体振動・加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63169078A (ja) |
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-
1987
- 1987-01-06 JP JP62000901A patent/JPS63169078A/ja active Pending
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