JPH04339266A - 加速度センサおよびその製造方法 - Google Patents

加速度センサおよびその製造方法

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JPH04339266A
JPH04339266A JP3084053A JP8405391A JPH04339266A JP H04339266 A JPH04339266 A JP H04339266A JP 3084053 A JP3084053 A JP 3084053A JP 8405391 A JP8405391 A JP 8405391A JP H04339266 A JPH04339266 A JP H04339266A
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JP
Japan
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mass
cantilever
frame
added mass
acceleration
Prior art date
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Pending
Application number
JP3084053A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Iwata
仁 岩田
Koichi Itoigawa
貢一 糸魚川
Yukio Iwasaki
幸雄 岩崎
Kiyokazu Otaki
清和 大瀧
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tokai Rika Co Ltd
Original Assignee
Tokai Rika Co Ltd
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Publication of JPH04339266A publication Critical patent/JPH04339266A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基板の温度ドリフトへ
の影響を小さくし、かつ加速度の検出感度を向上させる
のに好適な加速度センサに関する。
【0002】
【従来の技術】加速度センサの検出感度を高める為に、
チップに一体成形されている振動を感知するマスに異な
る材質からなる質量を付加した加速度センサが提案され
ている。この種の加速度センサとしては、(a)特開昭
63−169078号公報および(b)特開昭64−6
9915号公報がある。特に(b)の第1図には付加質
量の熱膨張によるセンサの温度オフセットの影響を少な
くするために所定間隔を置いて設けられた2つの付加質
量を有する加速度センサが開示されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記(
a)にあっては、付加質量はその一面の全面と基板と固
着されているため、付加質量の熱膨張に起因してセンサ
にオフセット温度特性が発生する可能性が考えられる。 また上記(b)にあっては、付加質量を2つの必要とす
るので、部品点数が増加するという問題がある。更にそ
の製造に関しては、これら2つの付加質量の相互の位置
関係に配慮して固着する必要があるので、その位置の設
定が面倒である。
【0004】本発明の目的は、付加質量による熱膨張の
影響を少なくした加速度センサを提供することである。 また他の目的は、付加質量をマス面に容易に固着するた
めの加速度センサの製造方法を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明の加速度センサは振動を感知するマスを有
するカンチレバーを設け、前記カンチレバーの応力発生
部位に歪ゲージが配置されていると共に、前記マス面に
球形の付加質量が固着されていることを特徴とするもの
である。また他の発明に係る加速度センサの製造方法は
、振動を感知するマスを有するカンチレバーを設け、前
記カンチレバーの応力発生部位に歪ゲージが配置されて
いるセンサチップであって、球形の付加質量の外径より
若干大きい径の孔が穿設されたマスクを、前記マス面に
前記孔を合わせて位置させ、前記孔に球形の付加質量を
入れて位置決めした後に前記付加質量をマス面に固着す
ることを特徴とするものである。
【0006】
【作用】マスに固着された付加質量により、マスの質量
は大きくなるため、加速度による振動に対して素早く応
動してカンチレバーに変形を起こさせ、歪ゲージによっ
て加速度が検出される。付加質量とマスとの固着は球体
と平面との接触で、その接触面積が小さくなっているた
め、付加質量の熱膨張してもマスに与える影響が小さく
なり、センサにオフセット温度特性が発生する可能性が
小さくなる。またセンサチップはマス面にマスクの孔を
合わせて位置させ、この孔に球形の質量部を入れて位置
決めし、次いでマス面と質量部とを固着することにより
作製される。
【0007】
【実施例】本発明の実施例を図面に基づいて説明する。 図1は本発明の第1実施例である一次元加速度センサの
センサチップ1の基本構成を示す。一次元加速度センサ
は、半導体製造技術により作製されるセンサチップ1を
備えている。センサチップ1は、シリコンウエハ上に振
動による応力歪みを検知する拡散歪ゲージ2(以下「歪
ゲージ」という)、歪ゲージ2を増幅回路等の処理回路
に接続するための配線、ボンディング用パッド等の電極
パターン(図示せず)を形成した後、ウエハの両面から
異方性エッチングによりU形の貫通部3が形成され、こ
の貫通部3により四方が周辺厚肉部4に囲われた振動を
感知するマスとなる中央厚肉部5が設けられている。中
央厚肉部5は貫通部の終端部分が形成するカンチレバー
7によって周辺厚肉部4に連結された片持構造になって
いる。また中央厚肉部5の上面または下面にはマスの質
量を増加させるための付加質量8が固着されている。こ
のタイプのカンチレバー7は、チップ面の垂直方向に作
用する振動に対して変形し易く、またチップ面の平行方
向に作用する振動に対して変形しにくい構造になってい
る。以下に、上記センサチップ1の基本構成をもつ変形
例を説明する。
【0008】カンチレバー7は、図1Aまたは1Bに示
すように、周辺厚肉部4との連結部分をチップ下面から
異方性エッチングにより形成される薄肉部9によって構
成され、振動による変形を起こし易くして感度を上げて
いる。付加質量8はカンチレバー9の最大衝撃強度を考
慮した重量のものが適用される。この付加質量8の取り
付け位置は、チップの下面(図1A)または上面(図1
B)のいずれかに固着される。またカンチレバー7は、
図1Cまたは1Dに示すように、薄肉部を持たず、チッ
プの厚みをそのまま利用し、高い衝撃強度を持たせてい
る。付加質量8は、カンチレバー7の高い衝撃強度を考
慮して大きい重量のもの選択される。この付加質量8の
取り付け位置は、マスの下面(図1C)または上面(図
1D)のいずれでも良い。
【0009】本実施例によれば、図示の矢印方向の振動
Gが加わったとき、図1A,1Bではカンチレバー9と
周辺厚肉部4の連結部分、または図1C,1Dでは周辺
厚肉部4との連結部分に歪み応力が発生する。この歪み
応力を検知するため、歪ゲージ2(R1〜R4)が図4
Aに示す如く配置されている。この歪ゲージR1〜R4
は、図4Cに示すブリッジ回路を構成している。
【0010】図2は本発明の第2実施例である一次元加
速度センサのセンサチップ10の基本構成を示す。セン
サチップ10は上記同様の半導体製造技術により作製さ
れ、対向する2つのU字形の貫通部13により四方が周
辺厚肉部14に囲われたマスを構成する中央厚肉部15
が設けられており、この中央厚肉部15は貫通部13の
両端部分により形成される一対のカンチレバー17によ
って周辺厚肉部14に連結された両持構造になっている
。また中央厚肉部15の上面または下面にはマスの質量
を増加させるための付加質量8が固着されている。この
タイプのカンチレバー17は、上記第1実施例とほぼ同
じ振動に対する変形特性を示す。以下に、上記センサチ
ップ10の基本構成をもつ変形例を説明する。
【0011】カンチレバー17は、図2Aまたは2Bに
示すように、周辺厚肉部14との連結部分をチップ下面
から異方性エッチングにより形成される薄肉部19、ま
たは図2Cまたは2Dに示すように、薄肉部19を持た
ず、チップ10の厚みをそのまま利用して構成されてい
る。付加質量8は上記第1実施例と同じように、衝撃強
度を考慮した重量のものが選択され、またその取り付け
位置はチップ10の下面(図2A,2C)または上面(
図2B,2D)のいずれかに固着される。
【0012】本実施例によれば、マス15は2つのカン
チレバー17によって両持構造で支持されているため、
両カンチレバー17と周辺厚肉部14の連結部分に歪み
応力が発生する。この歪み応力を検知するため、各カン
チレバー17には振動感知方向に並べた対の歪ゲージ2
(R1〜R4)が配置されている。この歪ゲージR1〜
R4は電気的に接続され、ブリッジ回路を構成している
。例えば、図4Bの如く、一方のカンチレバー17に歪
ゲージR1,R2を、また他方のカンチレバー17に歪
ゲージR3,R4とする歪ゲージ2を配置の場合、図4
Cに示されるように、歪ゲージR1とR3およびR2と
R4を対辺配置とするブリッジ回路が構成される。ここ
で、歪ゲージの抵抗変化は引張応力に対して増加(記号
「↑」)し、一方圧縮応力に対して減少(記号「↓」)
する。例えば、図4Bに示す矢印方向に加速度Gが印加
されたとき、歪ゲージR2,R4は引張応力により抵抗
が増加し、また歪ゲージR1,R3は圧縮応力により抵
抗が減少する。このときの抵抗変化を図4Cに示す。
【0013】図3は本発明の第3実施例である三次元加
速度センサのセンサチップ20の基本構成を示す。セン
サチップ20は、フォトリソ技術を用いて異方性エッチ
ング等により方形の四隅に貫通部23および方形の各辺
にカンチレバー27を設け、この貫通部23とカンチレ
バー27に囲われた内側にはカンチレバー27の先端と
なる厚肉部25が形成されている。この厚肉部25はZ
軸方向の加速度を感知するためのマスとなる。カンチレ
バー27には拡散歪ゲージ2がZ軸に直交するX軸とY
軸線上のマスの中心から等距離に対向した位置に作製さ
れている。また厚肉部25には、図3Bに示すように、
拡散歪ゲージ側とは反対側(下面)に球形の付加質量8
が固着されている。以下に、上記センサチップ20の基
本構成をもつ変形例を説明する。
【0014】カンチレバー27は、図3Aまたは3Bに
示すように、周辺厚肉部24との連結部分をチップ下面
から異方性エッチングにより形成される薄肉部29、ま
たは図3Cまたは3Dに示すように、薄肉部29を持た
ず、チップ20の厚みをそのまま利用して構成されてい
る。付加質量8は上記第1実施例と同じように、衝撃強
度を考慮した重量のものが選択され、またその取り付け
位置はチップ20の下面(図3A,3C)または上面(
図3B,3D)のいずれかに固着される。
【0015】付加質量をマスに固着した場合、マスの質
量は付加質量が加えられて大きくなり、しかも重心点は
付加質量側に移動する。したがって、センサチップが、
例えば図3Aに示す水平方向(矢印a)の加速度Gを受
けたとき、支点Oを中心としたねじりモーメントMを積
極的に発生させ、X,Y軸方向の加速度を合成値として
検出する。またZ軸上に付加質量があるため、Z軸方向
の加速度も当然検出される。
【0016】本実施例によれば、マス25は4つのカン
チレバー27によって両持構造で支持されているため、
各カンチレバー27と周辺厚肉部24の連結部分に歪み
応力が発生する。この歪み応力を検知するため、各カン
チレバー27には、図5に示すように、振動感知方向に
並べた歪ゲージr1〜r12が配置されている。この歪
ゲージr1〜r12は電気的に接続され、ブリッジ回路
を構成している。例えば、図5Aに示す如く、Y方向の
カンチレバーには周辺厚肉部側にr3とr8、中央厚肉
部側にr4とr7を、またX方向のカンチレバーには周
辺厚肉部側にr1とr6、中央厚肉部側にr2とr5が
それぞれ配置されている。これらの歪ゲージは貫通部終
端から等しい距離のカンチレバーに形成されると共に、
各方向の歪ゲージは一直線上に配置される。そして、X
方向のカンチレバーにおいて、一方には更に周辺厚肉部
側でかつ貫通部寄りにr9を、中央厚肉部側でかつ貫通
部寄りにRS10を,また他方には中央厚肉部の中心点
を対称とする周辺厚肉部側と中央厚肉部側にr11,r
12がそれぞれ配置されている。
【0017】上記歪ゲージの配置において、Z方向に加
速度が印加されると、r1,r3,r6,r8の抵抗が
小さくなり、r2,r4,r5,r7の抵抗が大きくな
る。またX方向に加速度が印加されると、r3,r4,
r7,r8の抵抗は変わらず、r2とr6は小さくなり
、r1とr5は大きくなる。同様にY方向に加速度が印
加されると、r1,r2,r5,r6は変わらず、r3
とr7は小さくなり、r4とr8は大きくなる。ところ
で、上記歪ゲージを図5Bに示すブリッジ回路に構成し
た場合、X,YおよびZ方向の加速度に対して図6に示
す出力変化が得られる。XY方向については出力VX,
VYにより加速度の方向と大きさが分かる。またZ方向
についてはVX,VYの出力変化がないときのみ加速度
の方向と大きさが分かる。またr9〜r12を図5Cに
示すブリッジ回路に構成した場合、出力VZ1は表1に
示すようにX,Y方向の加速度に独立して検出できる。
【0018】次に上記センサチップの製造方法を説明す
る。複数のチップに球形の付加質量8を位置決めして同
時に接着処理するために、図7に示すように、所定ピッ
チで複数の孔31が穿設されたマスク30が用意される
。このマスク30は、図8に示すように、付加質量8を
固着する側を上にして並べられた複数のチップ(図には
1チップのみ示す)のマス面に孔31を位置させる。 次いで球形の付加質量8として、例えば直径0.1mm
の銅ボールやガラスボールをマスク30の孔31に入れ
る。そして銅ボール(ニッケルメッキ、ハンダメッキ)
ではハンダ付けにより固着され、またガラスボールでは
アノーディックボンドにより接着される。
【0019】
【発明の効果】上述のとおり、本発明によれば、マスの
質量が付加質量により増加するため、加速度の検出方向
の感度が向上される。特にマスの重心点を移動させるこ
とにより、ねじりモーメントMを積極的に発生させ、直
交する2軸方向の加速度を合成値として検出できる。ま
た付加質量を球体としたので、マスとの固着面積が少な
くなり、付加質量の熱膨張による基板への影響を抑える
ことができる。
【0020】また本発明の製造方法によれば、マス面に
質量部を固着する際に、球形の付加質量を用いることに
よりマスクでの位置決めができるので、ハンダやボンド
による接合が容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施例である一次元加速度センサ
のセンサチップの基本構成を示す図で、図1A〜1Dは
変形例を示すAーA線に沿った断面図である。
【図2】本発明の第2実施例である一次元加速度センサ
のセンサチップの基本構成を示す図で、図2A〜2Dは
変形例を示すAーA線に沿った断面図である。
【図3】本発明の第3実施例である一次元加速度センサ
のセンサチップの基本構成を示す図で、図3A〜3Dは
変形例を示すAーA線に沿った断面図である。
【図4】第1及び2実施例の歪ゲージ配置及びブリッジ
回路の一例を説明する図である。
【図5】第3実施例の歪ゲージ配置及びブリッジ回路の
一例を説明する図である。
【図6】図5に示すブリッジ回路に構成した場合のX,
YおよびZ方向の加速度に対する出力変化を説明する図
である。
【図7】本発明の加速度センサのセンサチップの製造方
法を説明する図である。
【図8】センサチップの製造方法に使用するマスクの平
面図である。
【符号の説明】
1,10,20  センサチップ 2  歪ゲージ 4,14,24  周辺厚肉部 5,15,25  中央厚肉部(マス)7,17,27
  カンチレバー 8  球形の付加質量 30  マスク

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  振動を感知するマスを有するカンチレ
    バーを設け、前記カンチレバーの応力発生部位に歪ゲー
    ジが配置されていると共に、前記マス面に球形の付加質
    量が固着された加速度センサ。
  2. 【請求項2】  振動を感知するマスを有するカンチレ
    バーを設け、前記カンチレバーの応力発生部位に歪ゲー
    ジが配置されている加速度センサであって、球形の付加
    質量の外径より若干大きい径の孔が穿設されたマスクを
    、前記マス面に前記孔を合わせて位置させ、前記孔に球
    形の付加質量を入れて位置決めした後に前記付加質量を
    マス面に固着することを特徴とする加速度センサの製造
    方法。
JP3084053A 1991-02-08 1991-04-16 加速度センサおよびその製造方法 Pending JPH04339266A (ja)

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JP3084053A JPH04339266A (ja) 1991-02-08 1991-04-16 加速度センサおよびその製造方法

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JP3-39501 1991-02-08
JP3950191 1991-02-08
JP3084053A JPH04339266A (ja) 1991-02-08 1991-04-16 加速度センサおよびその製造方法

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1348967A3 (en) * 2002-03-25 2005-02-02 Hitachi Metals, Ltd. Acceleration sensor
JP2006525132A (ja) * 2003-04-29 2006-11-09 フリースケール セミコンダクター インコーポレイテッド Mems構造体に質量を付加する方法
CN100422697C (zh) * 2002-03-25 2008-10-01 日立金属株式会社 加速度传感器

Cited By (4)

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