JP2002116106A - 半導体圧力センサ - Google Patents
半導体圧力センサInfo
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- JP2002116106A JP2002116106A JP2000314418A JP2000314418A JP2002116106A JP 2002116106 A JP2002116106 A JP 2002116106A JP 2000314418 A JP2000314418 A JP 2000314418A JP 2000314418 A JP2000314418 A JP 2000314418A JP 2002116106 A JP2002116106 A JP 2002116106A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ピエゾ抵抗とダイアフラムを組み合わせた構造
をもつ半導体圧力センサで、１チップで差圧、静圧、加
速度が測定できる圧力センサを提供する。 【解決手段】圧力センサのダイアフラムを支持する単結
晶シリコン基板上に固定端をもつ梁を形成し、その梁上
に加速度検出用のピエゾ抵抗を形成する。圧力と加速度
が同時センサに印加された時、差圧センサ、静圧センサ
の出力から、加速度だけに反応する梁上のピエゾ抵抗の
出力を補正して差し引くことにより、圧力成分と加速度
成分の分離が可能となり、１チップのセンサで高精度な
圧力測定が可能となる。
をもつ半導体圧力センサで、１チップで差圧、静圧、加
速度が測定できる圧力センサを提供する。 【解決手段】圧力センサのダイアフラムを支持する単結
晶シリコン基板上に固定端をもつ梁を形成し、その梁上
に加速度検出用のピエゾ抵抗を形成する。圧力と加速度
が同時センサに印加された時、差圧センサ、静圧センサ
の出力から、加速度だけに反応する梁上のピエゾ抵抗の
出力を補正して差し引くことにより、圧力成分と加速度
成分の分離が可能となり、１チップのセンサで高精度な
圧力測定が可能となる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラント、航空機、
自動車などで圧力、流量等を測定する際に使用される半
導体圧力センサに関する。
自動車などで圧力、流量等を測定する際に使用される半
導体圧力センサに関する。
【０００２】
【従来の技術】被測定物の圧力を受けて変位するシリコ
ンダイアフラム上に感歪ゲージとしてピエゾ抵抗を配置
し、圧力センサを構成することはよく知られている。通
常、圧力センサは例えば特開平５−１５７６４８号公報
のようにダイアフラム上面と下面の圧力差を測定する差
圧センサ、ダイアフラム下面を一定圧力に密閉して上面
の圧力変化を測定する静圧センサの２種類の圧力センサ
が集積化されているのが一般的である。しかし、圧力セ
ンサが例えば航空機や自動車などの動的な場所や振動の
大きな場所で使用される場合、ダイアフラムの変位には
加速度による変位分が重畳するが、特開平５−１５７６
４８号公報のような構成では、差圧センサ、静圧センサ
とも加速度を重畳した形でしか圧力検知ができない。
ンダイアフラム上に感歪ゲージとしてピエゾ抵抗を配置
し、圧力センサを構成することはよく知られている。通
常、圧力センサは例えば特開平５−１５７６４８号公報
のようにダイアフラム上面と下面の圧力差を測定する差
圧センサ、ダイアフラム下面を一定圧力に密閉して上面
の圧力変化を測定する静圧センサの２種類の圧力センサ
が集積化されているのが一般的である。しかし、圧力セ
ンサが例えば航空機や自動車などの動的な場所や振動の
大きな場所で使用される場合、ダイアフラムの変位には
加速度による変位分が重畳するが、特開平５−１５７６
４８号公報のような構成では、差圧センサ、静圧センサ
とも加速度を重畳した形でしか圧力検知ができない。
【０００３】これに対し、特開平１０−１３２６８２号
公報は、圧力センサのダイアフラム中央に形成された剛
体部に板材を貼り付けることで加速度を検出できる構成
を提供している。
公報は、圧力センサのダイアフラム中央に形成された剛
体部に板材を貼り付けることで加速度を検出できる構成
を提供している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記公知例で
は、本来、過大圧力に対するストッパである板材を加速
度検出に利用するため、板材の剛性が高く、高感度な加
速度検出を行うことはできない。
は、本来、過大圧力に対するストッパである板材を加速
度検出に利用するため、板材の剛性が高く、高感度な加
速度検出を行うことはできない。
【０００５】本発明は、ダイアフラムの上面に梁を形成
し、梁の変形から加速度を測定することで、圧力成分と
加速度成分を分離できる構造を提供するものである。こ
の構造を用いると、梁の厚さを制御することで加速度の
測定感度を任意に設定でき、さらに、同一センサチップ
に加速度センサ、差圧センサ、静圧センサを容易に集積
化することができ、１チップのセンサで高精度な圧力測
定が可能となる。
し、梁の変形から加速度を測定することで、圧力成分と
加速度成分を分離できる構造を提供するものである。こ
の構造を用いると、梁の厚さを制御することで加速度の
測定感度を任意に設定でき、さらに、同一センサチップ
に加速度センサ、差圧センサ、静圧センサを容易に集積
化することができ、１チップのセンサで高精度な圧力測
定が可能となる。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する方法
として、ダイアフラムを支持する単結晶シリコン基板上
に固定端をもつ梁を形成し、その梁上にピエゾ抵抗を形
成する。
として、ダイアフラムを支持する単結晶シリコン基板上
に固定端をもつ梁を形成し、その梁上にピエゾ抵抗を形
成する。
【０００７】
【発明の実施の形態】図１は本発明における実施例の概
略構造を示す上面図、図２は図１の矢視Ａ−Ｏ−Ｂ断面
図である。ｎ型（１００）面単結晶シリコンからなる基
板５１の一部を、例えばアルカリ異方性エッチングによ
ってくり抜き、差圧検出用ダイアフラム３１および静圧
検出用ダイアフラム３２を形成する。ダイアフラム支持
部３３上には固定端３５を有する、例えばポリシリコン
からなる梁３４を形成する。この梁の形状は図１，図２
に示すように片持ち梁の他、図３に上面図、図４にその
矢視Ａ−Ｏ−Ｂ断面図を示す両持ち梁でも構わない。も
ちろん、更に多くの固定端をもつ梁であっても構わな
い。梁３４の配置位置は、梁の支持部３５がダイアフラ
ム支持部３３上にあればどこでも構わないが、梁をダイ
アフラム上に配置すればセンサチップ面積の拡大を防ぐ
ことができる。この場合、ダイアフラムと梁の間には、
梁およびダイアフラムが変形しない初期状態で所定の間
隔３７をもたせ、梁やダイアフラムの変形範囲を確保し
ておく。単結晶シリコン基板５１の下面側は例えばパイ
レックス（登録商標）ガラス５２，低融点ガラス５３を
介して、差圧検出用導入口３６を有する、例えばＴｅ−
Ｎｉ製のポスト５４に接着する。
略構造を示す上面図、図２は図１の矢視Ａ−Ｏ−Ｂ断面
図である。ｎ型（１００）面単結晶シリコンからなる基
板５１の一部を、例えばアルカリ異方性エッチングによ
ってくり抜き、差圧検出用ダイアフラム３１および静圧
検出用ダイアフラム３２を形成する。ダイアフラム支持
部３３上には固定端３５を有する、例えばポリシリコン
からなる梁３４を形成する。この梁の形状は図１，図２
に示すように片持ち梁の他、図３に上面図、図４にその
矢視Ａ−Ｏ−Ｂ断面図を示す両持ち梁でも構わない。も
ちろん、更に多くの固定端をもつ梁であっても構わな
い。梁３４の配置位置は、梁の支持部３５がダイアフラ
ム支持部３３上にあればどこでも構わないが、梁をダイ
アフラム上に配置すればセンサチップ面積の拡大を防ぐ
ことができる。この場合、ダイアフラムと梁の間には、
梁およびダイアフラムが変形しない初期状態で所定の間
隔３７をもたせ、梁やダイアフラムの変形範囲を確保し
ておく。単結晶シリコン基板５１の下面側は例えばパイ
レックス（登録商標）ガラス５２，低融点ガラス５３を
介して、差圧検出用導入口３６を有する、例えばＴｅ−
Ｎｉ製のポスト５４に接着する。
【０００８】差圧検出用ダイアフラム３１には差圧を受
けてダイアフラムが変形した際の応力を検知する差圧検
出用ピエゾ抵抗２１ａ〜２１ｄを、静圧検出用ダイアフ
ラム３２には静圧を受けてダイアフラムが変形した際の
応力を検知する静圧検出用ピエゾ抵抗２２ａ〜２２ｄを
形成し、単結晶シリコン基板５１上で、ダイアフラム領
域となっていない場所には温度検出用ピエゾ抵抗２３を
形成する。また、梁３４上には加速度検出用ピエゾ抵抗
２４ａ〜２４ｂを形成する。２５はｐ型高濃度不純物層
の配線、２６はアルミニウムの配線、１〜１６はアルミ
ニウムのコンタクトパッドである。
けてダイアフラムが変形した際の応力を検知する差圧検
出用ピエゾ抵抗２１ａ〜２１ｄを、静圧検出用ダイアフ
ラム３２には静圧を受けてダイアフラムが変形した際の
応力を検知する静圧検出用ピエゾ抵抗２２ａ〜２２ｄを
形成し、単結晶シリコン基板５１上で、ダイアフラム領
域となっていない場所には温度検出用ピエゾ抵抗２３を
形成する。また、梁３４上には加速度検出用ピエゾ抵抗
２４ａ〜２４ｂを形成する。２５はｐ型高濃度不純物層
の配線、２６はアルミニウムの配線、１〜１６はアルミ
ニウムのコンタクトパッドである。
【０００９】差圧検出用ダイアフラム３１ならびに４個
の静圧検出用ダイアフラム３２のそれぞれの表面付近に
形成されたｐ型のピエゾ抵抗は、ボロンを拡散して応力
に対して最も敏感な〈１１０〉方向に作り込まれる。ピ
エゾ抵抗は、長手方向に引張応力が働いた場合抵抗値が
増加する。この方向に配列したゲージをＬゲージと呼
ぶ。また、横手方向に引張応力が働いた場合抵抗値が減
少する。この方向に配列したゲージをＴゲージと呼ぶ。
図１の例では差圧検出用ダイアフラム３１上の支持部近
傍に、長手方向がダイアフラムの半径方向と平行となる
２個のＬゲージ２１ａ，２１ｃ、長手方向がダイアフラ
ムの接線方向と平行となる２個のＴゲージ２１ｂ，２１
ｄを配置している。差圧検出用ダイアフラム３２上には
Ｌゲージ２２ａ，２２ｃ，Ｔゲージ２２ｂ，２２ｄを配
置している。２１ａ〜２１ｄ，２２ａ〜２２ｄのピエゾ
抵抗は図５，図６に示すように２組のホイートストンブ
リッジを構成する。ここで、差圧検出用ダイアフラム３
１と２１ａ〜２１ｄのブリッジで構成される部分を差圧
センサ、静圧検出用ダイアフラム３２と２２ａ〜２２ｄ
のブリッジで構成される部分を静圧センサと呼ぶ。ダイ
アフラムに圧力が印加されると、それぞれのダイアフラ
ムがたわみ、ダイアフラム上に形成されたピエゾ抵抗で
構成される各ブリッジが上面と下面の圧力差にほぼ比例
したセンサ出力Ｖ1，Ｖ2を発生する。ここで、差圧セン
サはダイアフラムの上面と下面の圧力差（差圧）を測定
するのに対し、静圧センサはダイアフラムの上面と密閉
された一定圧力部分との圧力差（静圧）を測定すること
になる。
の静圧検出用ダイアフラム３２のそれぞれの表面付近に
形成されたｐ型のピエゾ抵抗は、ボロンを拡散して応力
に対して最も敏感な〈１１０〉方向に作り込まれる。ピ
エゾ抵抗は、長手方向に引張応力が働いた場合抵抗値が
増加する。この方向に配列したゲージをＬゲージと呼
ぶ。また、横手方向に引張応力が働いた場合抵抗値が減
少する。この方向に配列したゲージをＴゲージと呼ぶ。
図１の例では差圧検出用ダイアフラム３１上の支持部近
傍に、長手方向がダイアフラムの半径方向と平行となる
２個のＬゲージ２１ａ，２１ｃ、長手方向がダイアフラ
ムの接線方向と平行となる２個のＴゲージ２１ｂ，２１
ｄを配置している。差圧検出用ダイアフラム３２上には
Ｌゲージ２２ａ，２２ｃ，Ｔゲージ２２ｂ，２２ｄを配
置している。２１ａ〜２１ｄ，２２ａ〜２２ｄのピエゾ
抵抗は図５，図６に示すように２組のホイートストンブ
リッジを構成する。ここで、差圧検出用ダイアフラム３
１と２１ａ〜２１ｄのブリッジで構成される部分を差圧
センサ、静圧検出用ダイアフラム３２と２２ａ〜２２ｄ
のブリッジで構成される部分を静圧センサと呼ぶ。ダイ
アフラムに圧力が印加されると、それぞれのダイアフラ
ムがたわみ、ダイアフラム上に形成されたピエゾ抵抗で
構成される各ブリッジが上面と下面の圧力差にほぼ比例
したセンサ出力Ｖ1，Ｖ2を発生する。ここで、差圧セン
サはダイアフラムの上面と下面の圧力差（差圧）を測定
するのに対し、静圧センサはダイアフラムの上面と密閉
された一定圧力部分との圧力差（静圧）を測定すること
になる。
【００１０】一方、ダイアフラムと同一基板上に集積化
される温度検出用のピエゾ抵抗２３も同様にボロンを拡
散することで形成されるが、応力変化に対してほとんど
抵抗変化を示さない〈１００〉方向に配列することで、
温度に対してのみ感度をもたせるようにする。ピエゾ抵
抗２３からなる部分を温度センサと呼び、図５，図６に
示したように差圧センサ、静圧センサのピエゾ抵抗ブリ
ッジと結線される。また、梁上に形成される加速度検出
用のピエゾ抵抗２４ａ，２４ｂも同様にボロンを拡散す
ることで形成されるが、結晶方位依存性はないため、梁
のたわむ方向に平行に配列することで加速度に関する感
度を高くする。ピエゾ抵抗２４ａ，２４ｂからなる部分
を加速度センサと呼び、図５，図６に示したように差圧
センサ、静圧センサのピエゾ抵抗ブリッジと結線され
る。
される温度検出用のピエゾ抵抗２３も同様にボロンを拡
散することで形成されるが、応力変化に対してほとんど
抵抗変化を示さない〈１００〉方向に配列することで、
温度に対してのみ感度をもたせるようにする。ピエゾ抵
抗２３からなる部分を温度センサと呼び、図５，図６に
示したように差圧センサ、静圧センサのピエゾ抵抗ブリ
ッジと結線される。また、梁上に形成される加速度検出
用のピエゾ抵抗２４ａ，２４ｂも同様にボロンを拡散す
ることで形成されるが、結晶方位依存性はないため、梁
のたわむ方向に平行に配列することで加速度に関する感
度を高くする。ピエゾ抵抗２４ａ，２４ｂからなる部分
を加速度センサと呼び、図５，図６に示したように差圧
センサ、静圧センサのピエゾ抵抗ブリッジと結線され
る。
【００１１】ピエゾ抵抗の配列間ならびにアルミニウム
のコンタクトパッド１〜１６への配線には、より高濃度
にボロンを拡散したｐ型不純物拡散層２５とアルミニウ
ム配線２６を併用する。本実施例ではダイアフラムの外
側やピエゾ抵抗から離れた場所等、温度ヒステリシスの
影響が比較的小さい所については、抵抗値の小さいアル
ミニウム配線を使用しているが、この他、コンタクトパ
ッドを除くすべての配線を高濃度不純物層とする配線方
法も可能である。
のコンタクトパッド１〜１６への配線には、より高濃度
にボロンを拡散したｐ型不純物拡散層２５とアルミニウ
ム配線２６を併用する。本実施例ではダイアフラムの外
側やピエゾ抵抗から離れた場所等、温度ヒステリシスの
影響が比較的小さい所については、抵抗値の小さいアル
ミニウム配線を使用しているが、この他、コンタクトパ
ッドを除くすべての配線を高濃度不純物層とする配線方
法も可能である。
【００１２】次に図７を用いてダイアフラムに圧力が印
加された場合のセンサの動作について説明する。ダイア
フラムの上面と下面の間で圧力差が生じた場合、上面側
がより高圧力ならば図７（ａ）に示すようにダイアフラ
ムが変形する。ダイアフラム変形時に、ピエゾ抵抗が作
り込まれているダイアフラム表面付近に発生する応力は
図７（ｂ）に示すようになる。ダイアフラム上では、ダ
イアフラム支持部近傍で最大の引張応力σ1が発生す
る。ダイアフラムの外径をＸ、厚さをｈとすれば、差圧
ΔＰが印加された時σ1は次の式で表される。
加された場合のセンサの動作について説明する。ダイア
フラムの上面と下面の間で圧力差が生じた場合、上面側
がより高圧力ならば図７（ａ）に示すようにダイアフラ
ムが変形する。ダイアフラム変形時に、ピエゾ抵抗が作
り込まれているダイアフラム表面付近に発生する応力は
図７（ｂ）に示すようになる。ダイアフラム上では、ダ
イアフラム支持部近傍で最大の引張応力σ1が発生す
る。ダイアフラムの外径をＸ、厚さをｈとすれば、差圧
ΔＰが印加された時σ1は次の式で表される。
【００１３】
【数１】σ1＝３Ｘ2ΔＰ／（１６ｈ2） 図１に示すように、ダイアフラムの支持部近傍にそれぞ
れＬゲージ、Ｔゲージを２個ずつ配置した場合には、差
圧センサの出力Ｖ1は次の式で表される。
れＬゲージ、Ｔゲージを２個ずつ配置した場合には、差
圧センサの出力Ｖ1は次の式で表される。
【００１４】
【数２】Ｖ1＝（１／２）・π44（１−ν）σ1・Ｖ ここで、νはポワソン比、π44は剪断のピエゾ抵抗係
数、Ｖは励起電圧である。
数、Ｖは励起電圧である。
【００１５】次に、圧力センサが動的な場所で使用され
る場合を考える。図８に示すように、差圧ΔＰに加えて
加速度Ｇがセンサに印加された時、差圧検出量ダイアフ
ラム３１および静圧検出量ダイアフラム３２は圧力を受
けた際の変位に加え、加速度を受けたことによる変形を
生じる。図９は、ダイアフラム上面から正の差圧と正の
加速度が印加された時の変形状態とセンサ出力を示した
ものである。梁３４は加速度を受けた時にだけ変形する
ため、図９（ｂ）のように差圧センサの出力から加速度
センサの出力を補正して差し引くことにより、圧力成分
と加速度成分の分離が可能となる。加速度が図９と逆方
向であれば、加速度センサの出力も逆になるため、加速
度の方向も知ることができる。静圧センサについても同
様に補正処理を行うことができる。
る場合を考える。図８に示すように、差圧ΔＰに加えて
加速度Ｇがセンサに印加された時、差圧検出量ダイアフ
ラム３１および静圧検出量ダイアフラム３２は圧力を受
けた際の変位に加え、加速度を受けたことによる変形を
生じる。図９は、ダイアフラム上面から正の差圧と正の
加速度が印加された時の変形状態とセンサ出力を示した
ものである。梁３４は加速度を受けた時にだけ変形する
ため、図９（ｂ）のように差圧センサの出力から加速度
センサの出力を補正して差し引くことにより、圧力成分
と加速度成分の分離が可能となる。加速度が図９と逆方
向であれば、加速度センサの出力も逆になるため、加速
度の方向も知ることができる。静圧センサについても同
様に補正処理を行うことができる。
【００１６】図１０（ａ）〜（ｄ）は上記実施例圧力セ
ンサの製造工程を示す断面図である。以下、製造工程に
ついて説明する。
ンサの製造工程を示す断面図である。以下、製造工程に
ついて説明する。
【００１７】（ａ）まず、単結晶シリコン基板５１を熱
酸化，ポリシリコンの蒸着とホトリソで加速度検出用の
梁３４を形成する。
酸化，ポリシリコンの蒸着とホトリソで加速度検出用の
梁３４を形成する。
【００１８】（ｂ）次に、ピエゾ抵抗，ｐ型高濃度不純
物層の配線およびアルミニウムの配線、コンタクトパッ
ドを形成する。
物層の配線およびアルミニウムの配線、コンタクトパッ
ドを形成する。
【００１９】（ｃ）単結晶シリコン基板５１の裏面側に
ＳｉＮ膜の蒸着とホトリソでパターンを形成後、アルカ
リ異方性エッチングによって差圧ダイアフラム３１なら
びに静圧ダイアフラム３２を形成する。
ＳｉＮ膜の蒸着とホトリソでパターンを形成後、アルカ
リ異方性エッチングによって差圧ダイアフラム３１なら
びに静圧ダイアフラム３２を形成する。
【００２０】（ｄ）裏面のＳｉＮ膜を除去、パイレック
スガラス５２を接合後、低融点ガラス５３、ポスト５４
を接着する。
スガラス５２を接合後、低融点ガラス５３、ポスト５４
を接着する。
【００２１】この圧力センサはその後、図１１に示すよ
うに出力取り出し用金具（シール金具）５５に溶接ある
いは接着し、センサのパッド１〜１６と出力取り出し用
端子５６をシードワイヤ５７で接続する。この金具はハ
ーメチックシールによって気密構造となっており、最終
的には差圧伝送器へ組み込まれることになる。
うに出力取り出し用金具（シール金具）５５に溶接ある
いは接着し、センサのパッド１〜１６と出力取り出し用
端子５６をシードワイヤ５７で接続する。この金具はハ
ーメチックシールによって気密構造となっており、最終
的には差圧伝送器へ組み込まれることになる。
【００２２】
【発明の効果】本発明によって、差圧，静圧の他に加速
度の測定が可能となり、１チップのセンサで高精度な圧
力測定が可能となる。
度の測定が可能となり、１チップのセンサで高精度な圧
力測定が可能となる。
【図１】本発明の第１の実施例を示す圧力センサの概略
上面図。
上面図。
【図２】図１のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。
【図３】本発明の第２の実施例を示す圧力センサの概略
上面図。
上面図。
【図４】図３のＡ−Ｏ−Ｂ線に沿った概略断面図。
【図５】本発明の第１の実施例におけるピエゾ抵抗の結
線図。
線図。
【図６】本発明の第２の実施例におけるピエゾ抵抗の結
線図。
線図。
【図７】圧力印加時に発生する応力分布図。
【図８】圧力センサに圧力と加速度が同時に印加した時
の、印加圧力と抵抗値変化の関係を示す図。
の、印加圧力と抵抗値変化の関係を示す図。
【図９】圧力と加速度が同時に印加した時の圧力センサ
の変形状態とセンサ出力を示す図。
の変形状態とセンサ出力を示す図。
【図１０】圧力センサの製造工程図。
【図１１】圧力センサのシール金具への組込図。
１〜１６…圧力センサ出力取り出し用アルミコンタクト
パッド、２１ａ〜２１ｄ…差圧検出用ピエゾ抵抗、２２
ａ〜２２ｄ…静圧検出用ピエゾ抵抗、２３…温度検出用
ピエゾ抵抗、２４ａ〜２４ｂ…加速度検出用ピエゾ抵
抗、２５…ｐ型高濃度不純物層配線、２６…アルミニウ
ム配線、３１…差圧検出用ダイアフラム、３２…静圧検
出用ダイアフラム、３３…ダイアフラム支持部、３４…
梁、３５…梁固定端、３６…差圧検出用導入口、３７…
ダイアフラムと梁の間の空隙部、５１…単結晶シリコン
基板、５２…パイレックスガラス、５３…低融点ガラ
ス、５４…ポスト、５５…ハーメチックシール、５６…
出力取り出し用端子、５７…リードワイヤ。
パッド、２１ａ〜２１ｄ…差圧検出用ピエゾ抵抗、２２
ａ〜２２ｄ…静圧検出用ピエゾ抵抗、２３…温度検出用
ピエゾ抵抗、２４ａ〜２４ｂ…加速度検出用ピエゾ抵
抗、２５…ｐ型高濃度不純物層配線、２６…アルミニウ
ム配線、３１…差圧検出用ダイアフラム、３２…静圧検
出用ダイアフラム、３３…ダイアフラム支持部、３４…
梁、３５…梁固定端、３６…差圧検出用導入口、３７…
ダイアフラムと梁の間の空隙部、５１…単結晶シリコン
基板、５２…パイレックスガラス、５３…低融点ガラ
ス、５４…ポスト、５５…ハーメチックシール、５６…
出力取り出し用端子、５７…リードワイヤ。
Claims (5)
- 【請求項１】 単結晶シリコンからなるダイアフラムな
らびにその支持部を有し、上記ダイアフラム上に少なく
とも一つのピエゾ抵抗を配置した半導体圧力センサにお
いて、上記支持部上に固定端を持つ、少なくとも一つの
ピエゾ抵抗を配置した片持ち梁が形成されていることを
特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項２】 単結晶シリコンからなるダイアフラムな
らびにその支持部を有し、上記ダイアフラム上に少なく
とも一つのピエゾ抵抗を配置した半導体圧力センサにお
いて、上記支持部上に複数の固定端を持つ、少なくとも
一つのピエゾ抵抗を配置した梁が形成されていることを
特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項３】 請求項１，２記載の半導体圧力センサに
おいて、上記梁は上記ダイアフラム上に配置され、さら
に上記梁と上記ダイアフラムとの間には梁およびダイア
フラムが変形しない初期状態で所定の間隔を有すること
を特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項４】 請求項１〜３記載の半導体圧力センサに
おいて、同一基板上に、上記ダイアフラムとは別にダイ
アフラムを設け、この上に静圧検出素子としてピエゾ抵
抗を配置したことを特徴とする半導体圧力センサ。 - 【請求項５】 請求項１〜４記載の半導体圧力センサに
おいて、同一基板上に、温度検出素子としてピエゾ抵抗
を配置したことを特徴とする半導体圧力センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000314418A JP2002116106A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000314418A JP2002116106A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体圧力センサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002116106A true JP2002116106A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18793676
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000314418A Pending JP2002116106A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 半導体圧力センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002116106A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100449815C (zh) * | 2003-07-11 | 2009-01-07 | 友达光电股份有限公司 | 半导体压力传感器 |
| CN109003964A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-12-14 | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 | 一种集成式多参量传感芯片、电路板和电子装置 |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000314418A patent/JP2002116106A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100449815C (zh) * | 2003-07-11 | 2009-01-07 | 友达光电股份有限公司 | 半导体压力传感器 |
| CN109003964A (zh) * | 2018-07-05 | 2018-12-14 | 上海洛丁森工业自动化设备有限公司 | 一种集成式多参量传感芯片、电路板和电子装置 |
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