TW200539336A - Saw singulation - Google Patents

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TW200539336A
TW200539336A TW94105428A TW94105428A TW200539336A TW 200539336 A TW200539336 A TW 200539336A TW 94105428 A TW94105428 A TW 94105428A TW 94105428 A TW94105428 A TW 94105428A TW 200539336 A TW200539336 A TW 200539336A
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cutting
cutting edge
fluid
nozzle
patent application
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TW94105428A
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Chris Mihai
Teang K Khor
Marcus Franciscus Donker
Gemert Leonardus Van
T Veld Henri H In
Atapol Prajuckamol
Johannes H Savenije
Original Assignee
Towa Intercon Technology Inc
Koninkl Philips Electronics Nv
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Description

200539336
A (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大致上有關積體電路處理設備。更特別地是, 本發明有關將一基板切割成複數積體電路封裝之已改善系 統及方法。 【先前技術】 φ 典型施行一切割程序以由諸如一載體或電路板之基板 分開諸如1C晶片之積體電路封裝。於切割期間,該基板 典型被固定在適當位置,而一或多塊鋸片將直線地切穿該 基板,以便形成該個別之積體電路封裝。這有時候被稱爲 “晶粒切割(d i c i n g ) ” 。 圖1係一習知晶粒切割裝置2之示範圖。該晶粒切割 裝置2包含一在晶粒切割程序期間用於固持該基板6之夾 架4,及一用於施行該晶粒切割程序之鋸子總成8。該鋸 φ 子總成8典型包含一平移經過該基板6之轉動式切刃1 〇, 以便由該處切開各部件。該切刃1 〇典型被附接至一主軸 1 2,該主軸經由一馬達(未示出)所轉動。如果使用超過 一切刃,間隔裝置可於各切刃之間被設在該主軸12上。 再者,爲了於該晶粒切割程序期間冷卻該切刃1 0,該鋸子 總成8可包含一由該切刃10隔開之噴灑噴嘴16。該噴灑 噴嘴1 6接近該切削表面產生一道流體1 8 ’該流體被引導 在該切刃10之前緣20。 雖然鋸削切割工作良好,該工業中之持續進步已測試 -5- 200539336 (2) 出鋸削切割之限制。例如,四邊扁平無接腳(Quad Flat No Lead,簡稱QFN )封裝已遭受鋸削切割之無能所壓制 ,而未能產生有效之結果,該QFN封裝是近來在該電子 市場中顯現的大部份刃口封裝技術之一。於QFN中,該 晶粒切割製程可能遭受切刃斷裂、切削品質衰退、部件移 動、低餵刀速度、短切刃壽命及低產量。這局部係由於小 及包含銅引線之QFN封裝及一模子合成物的架構,該鋸 φ 片必需切穿該模子合成物,以便由該基板切割該個別之 QFN封裝。 爲了詳細說明,與目前之晶粒切割製程有關之一問題 係該廢料可被擲入該切刃或變得捕獲於該切刃及該夾架之 諸部份之間,且這可造成切刃斷裂或不佳之切削品質。與 該晶粒切割方法有關之另一問題係該餵刀速率被保持低, 以防止過度之切刃磨損及不佳之切削品質(例如碎片、毛 邊)。譬如,QFN切割典型需要特殊格式之切刃,其必需 φ 對該切削界面不斷地暴露出新的鑽石。當該等鑽石移去材 料時,它們由該基板中所使用之材料而“變鈍”,且當該 切刃在一比正常較高之速率下磨損時必需被拋棄。切刃磨 損及切削品質間之平衡係一需要昂貴技術之精巧交易,以 延長切刃壽命,同時使毛邊及碎片減至最少。 與該晶粒切割方法有關之另一問題係該基板及由該處 所切削之部件可於該切削製程期間移動。如應了解者,該 鋸片在製程之中係相對該裝置轉動及平移兩者。該結果之 力量向量具有垂直及剪力分量兩者,其能壓倒該夾架之夾 -6- 200539336 敦 (3) 持力,藉此造成部件移動。當餵刀速率增加時,該剪力分 量之量値成比例地增加,並擴大該裝置固持問題。由於此 移動,可造成不符合之幾何形狀、損壞及未能利用之部件 。縱使該等部件未移動,由該切刃所建立之剪力可造成該 銅引線被弄髒,藉此造成不符合之部件。 與該晶粒切割方法有關之另一問題係該等切刃能變得 不平衡,且不平衡之切刃能造成切刃斷裂、過度之切刃磨 φ 損及不佳之切削品質。作爲例子,該切刃可藉著位於諸切 刃之各側面上之間隔裝置而變得不平衡。該不平衡狀態可 藉著該等間隔裝置內側或環繞著該等間隔裝置之流體累積 所造成。如在圖2Α及2Β所示,間隔裝置22包括一環狀 構件23,該環狀構件具有一裝入環繞著該主軸12之內部 半徑24,及一包含升高表面28之外部半徑26,該升高表 面由其壓頂抗該切刃1 〇側邊之側邊延伸。如在圖2C所示 ,該等間隔裝置22被設計成可僅只沿著其升高表面28接 φ 觸該等切刃1 0,如此留下一間隙或孔腔3 0。不幸地是, 於該晶粒切割製程期間,該晶粒切割製程中所使用之流體 (例如液體水柱2 〇 )傾向於累積在此間隙3 0中,藉此當 該等切刃1 〇經由該主軸1 2轉動時,造成不平衡問題。 於前面之視圖中,其將想要的是提供改善之系統及方 法,用於將一基板切割成複數積體電路封裝。 【發明內容】 於一具體實施例中,本發明有關一無栓銷之嵌套組件 -7- 200539336 (4) %r 。該無栓銷之嵌套組件包含一具有複數定位栓銷之栓銷夾 具平板。該無栓銷之嵌套組件亦包含一架構成於在其上面 放置一基板期間暫時地與該栓銷夾具平板咬合之嵌套。該 嵌套包含複數定位孔,其與該栓銷夾具平板之定位栓銷一 致。當該嵌套及栓銷夾具平板已咬合及當該定位栓銷是定 位穿過該嵌套之定位孔時,該定位栓銷突出在嵌套之一頂 部表面上方。突出該嵌套之頂部表面上方的定位栓銷部份 φ 有助於該基板對齊至該嵌套。 於另一具體實施例中,本發明有關用於引導一流體流 動越過一或多個半導體裝置切刃之噴嘴。該噴嘴包含一修 長形構件,其架構成可突出朝向一切刃,用於切削一半導 體裝置。該噴嘴亦包含複數形成在該修長形構件中之通道 。該等通道係每一個架構成至少局部圍繞著一切刃,以便 同時引導一流體之流動至該切刃的切口上及至該切刃之兩 側上。 φ 於另一具體實施例中,本發明有關一精細定位機制, 用於調整一噴灑噴嘴相對一半導體裝置切刃之位置。該機 制包含一耦接至主軸之主軸托架。該主軸有利於一切刃之 旋轉,用於切削一半導體裝置。該機制亦包含一噴嘴托架 ,其可移動地耦接至該主軸托架及架構成可支撐一噴灑噴 嘴組件,用於引導一流體至該切刃上。該噴嘴托架係另架 構成可相對該主軸托架移動,以便相對該切刃可調整地定 位該噴灑噴嘴組件。 於另一具體實施例中,本發明有關一用於分開半導體 200539336 夢 (5) 裝置切刃之間隔裝置。該間隔裝置包含一大致上環狀之硬 質構件’該構件在其內部半徑處具有一*內部表面、在其外 部半徑處具有一外部表面、及大體上由該內部表面延伸至 該外部表面之第一與第二表面。該第一表面係相向於該等 第二表面。該第一及第二表面大體上是平坦表面,每一表 面架構成大體上與半導體裝置切刃呈連續式接觸地放置, 以便當一流體係於該切刃之旋轉期間施加至該切刃及該硬 φ 質構件時,抑制不平衡力量之產生。 於另一具體實施例中,本發明有關一利於切刃之操作 的流體成份’用於切削一半導體裝置。該流體成份包含水 ;及某一數量之潤滑劑,而架構成可於該半導體裝置之切 削期間潤滑該切刃及利於由該切刃移除材料。 於另一具體實施例中,本發明有關一用於切削半導體 裝置之系統。該系統包含用於切削一半導體裝置之切刃。 該系統亦包含分開該等切刃之鄰接切刃的環狀硬質間隔裝 φ 置。該等間隔裝置每一個在其內部半徑處具有一內部表面 及在其外部半徑處具有一外部表面,且每一間隔裝置在第 一及第二大體上平坦表面上接觸該等切刃之鄰接切刃,而 每一平坦表面大體上由該內部表面延伸至該外部表面。該 系統另包含一流體貯槽。該系統額外包含一可移動接近至 該切刃之修長形構件。該修長形構件係與該流體貯槽流體 相通,且諸通道已架構成至少局部圍繞著該切刃,以便由 該流體貯槽同時引導一流體之流動至該切刃之刃口上及至 該切刃之側邊上。再者,該系統包含一架構成可移動該修 -9- 200539336 fl· (6) 長形構件之調整機制,以便可調整地對齊該等通道與該等 切刃。該系統可額外包含一無栓銷之嵌套夾架。 【實施方式】 ♦ 本發明大致上有關用於將一基板切割成複數積體電路 裝置(例如晶粒、未封裝之晶片、已封裝之晶片等)之改 良系統及方法。該系統係能夠克服上述缺點。特別地是, φ 減少切刃斷裂、改善切削品質、減少部件移動、能夠有較 高之餵刀速率、延長切刃壽命及增加產量。在此所敘述之 系統特別適合用於切割諸如QFN之無引線封裝。雖然針 對無引線封裝,該系統亦適合用於切割其他表面黏貼裝置 ,諸如晶片尺寸封裝、球柵列陣(BGA )、覆晶技術等。 本發明之一態樣對應於一夾架,該夾架於該晶粒切割 製程期間固定該基板。該夾架包含一消除定位栓銷之嵌套 ’其能防止碎物離開該切削區域,亦即該碎物被捕獲於該 • 等栓銷及該切刃之間。 本發明之另一態樣關於一噴嘴組件,其遍及該等切刃 提供更好之流體流動。該噴嘴組件之噴嘴在該切刃前緣之 一延伸部份上方及亦環繞著該切刃之側邊引導流體。該等 噴嘴亦利於較長時期地攪渾環繞著該切刃之流體,及利於 防止流體四散離開該切刃。如此做,該切刃被保持較冷卻 及更佳潤滑,藉此產生更佳之切割、減少切刃磨損或斷裂 、及允許餵刀速率成爲較高。 本發明之另一態樣對應於一噴嘴調整組件,其利於相 -10- 200539336 C7) 對該等切刃定位該等噴嘴。例如,該噴嘴調整組件可利於 該等噴嘴對齊至該切刃之中線,藉此利於在該等切刃上方 平均地分佈該流體以及防止該等噴嘴接觸該切刃。 本發明之另一態樣對應於間隔裝置,其減少由在其中 保有流體所造成之不平衡問題。該等間隔裝置被架構成沒 有一升高邊緣,藉此消除該間隔裝置及該切刃之間所形成 之間隙或孔腔。其結果是,該流體不能聚集在該間隙或孔 φ 腔內。 又另一態樣有關該流體之成份,其係藉著該噴嘴組件 分佈至該等切刃。譬如,該流體之成份可架構成具有添加 劑,該添加劑於該晶粒切割製程期間利於潤滑。 下文參考圖3-14討論本發明之諸具體實施例。然而 ’熟諳此技藝者將輕易地了解在此關於這些圖面所給與之 詳細敘述係用於說明之目的,因本發明延伸超出這些有限 之具體實施例。 φ 圖3係按照一具體實施例之基板處理系統5 0的簡化 方塊圖。該基板處理系統5 0可用來處理一細長條上所包 s之已封裝裝置、各種型式之載體或基板,包括電路板、 薄膜、在以陶瓷爲基礎的基板上之金屬等。作爲例子,該 基板處理系統50可用來處理QFN裝置。 該基板處理系統50大致上包含一裝載/卸載站52、 一嵌套裝載站54、及一切割站56。該裝載/卸載站52係 藉者該系統承納未處理基板及由該系統5 0移去已處理基 板之地點。該嵌套裝載站54係該等基板定位在一嵌套上 -11 - 200539336 m (8) 之地點,而該嵌套將承載該基板經過各種處理步驟 割站2 6係該等基板被分開成複數積體電路封裝之 例如,可施行一晶粒切割程序。 該系統50亦可包含後切割站5 8 »在此該已切 裝被進一步處理。該後切割站5 8可廣泛地變化。 該後切割站5 8可包含緩衝站6 0、淸洗站62 (洗滌 )、定位站6 4、檢查站6 6等。 ϋ 緩衝站6 0大致上有關用於在二不同處理步驟 存該等封裝之區域。譬如,一緩衝站可用來儲存在 後、但在淸洗之前的封裝。淸洗站62大致上有關 乾燥該等封裝之區域。如應了解者,微粒或碎物可 該已切割之封裝,且如此它們需要被淸洗。定位站 致上有關用於再次定位該等封裝之區域,例如用於 裝群聚在一起、用於分開它們、或用於移動它們至 之位置。檢查站66大致上有關檢查該基板及/或 φ 區域。作爲例子,可用包含攝影機之目視檢查系統 封裝之目視檢查。 該系統50亦可包含一傳送單元68,該傳送單 一或多個傳送機制(例如機器手臂、架台等)’用 種站之間傳送該基板,譬如於該裝載/卸載站52 套裝載站54之間、於該嵌套裝載站54及該切割站 間、於該切割站5 6及該後切割站5 8之間、和於該 站58及該裝載/卸載站52或嵌套裝載站54之間。 參考圖4,將更詳細地敘述一利用該系統5 0之 。該切 地點。 割之封 譬如, 及乾燥 之間儲 切割之 洗滌及 黏著至 64大 將諸封 一想要 封裝之 施行該 元包含 於在各 及該嵌 56之 後切割 製程。 -12- 200539336 m (9) 如所示,一包含複數基板108之卡匣110被放入該裝載/ 卸載站52之裝載部份,且此後每一基板1〇8被餵入至該 嵌套裝載站5 4。作爲例子,一個別基板1 〇 8可經由一拾取 放置機(或類似載具)被餵入至該嵌套裝載站54。 一旦該基板108係位於該嵌套裝載站54,該個別之基 板108被載入至一嵌套112上。該嵌套112可譬如是專利 第6,1 87,654及6,325,05 9號中所顯示及敘述的嵌套之一 φ ,它們係以引用的方式倂入本文中。這些嵌套包含附接至 其上之定位栓銷1 1 6,該栓銷有利於該基板對齊至該嵌套 。該定位栓銷是藉由該基板中之定位孔所承納。或者及如 圖4所示,該嵌套112可爲一無栓銷之嵌套,並在其上面 不包含定位栓銷,也無暫時地穿過該處承納定位栓銷1 1 6 之定位孔。該定位栓銷1 1 6被暫時地定位穿過該定位孔, 以致該基板1 〇 8能被對齊至該嵌套1 1 2。一旦已對齊,該 定位栓銷116由該定位孔移去(或反之亦然)。這被完成 φ ,以保持該定位栓銷1 1 6不受該晶粒切割製程所干涉。譬 如,它們可能妨礙該切削裝置之運動或它們可捕獲環繞著 該切刃之廢料,而這能造成切刃斷裂。 I羊細說明之,該定位栓銷1 1 6是定位在一前架台栓銷 夾具118上,而非該嵌套112上。如此,該栓銷116於切 割期間不會干涉,因爲它們隨著坐落在該嵌套裝載站54 內之前架台栓銷灰具118而非隨著該嵌套112停留。然而 ,該嵌套1 1 2確實包含對應之定位孔,用於承納該定位栓 銷1 1 6。然而,這些於切割期間未造成問題,因它們於切 -13- 200539336 ψτ (10) 割期間不會與基板1 ο 8咬合,且它們不會於該切削裝置之 前面往上地延伸。當該嵌套π 2被放置在該栓銷夾具I 1 8 上時,該定位栓銷11 6通過該定位孔及延伸或突出該嵌套 1 1 2外側。該定位栓銷1 1 6藉此施行其對齊功能,而好像 它們被永久地定位在該嵌套Π2上。 一旦該基板108被正確地定位在該嵌套112上,且典 型在移去該定位栓銷116之前,一外蓋119被放置在該基 φ 板108及嵌套1 12上方,以便將該基板108固定於其對齊 位置。該外蓋119可提供一在該嵌套112及該外蓋119之 間夾住該基板108的力量,藉此防止該基板108移出該對 齊位置。一旦該基板108係已對齊與固定至該嵌套112, 該栓銷116被移去。其後,該已覆蓋之嵌套112被載入該 切割站5 6。作爲例子,已覆蓋之嵌套1 1 2可被一傳送機制 (或類似載具)所載入,該傳送機制拾取該已覆蓋之嵌套 1 1 2及將其移動至該切割站5 6。 φ 一旦位於該切割站56中,該基板108被放置在一卡 盤120上。該卡盤120係架構成可承接該嵌套112及提供 一真空,以便在一切削順序期間之前及在一切削順序之後 固定該基板1 08及已晶粒切割之封裝。於一架構中,該卡 盤120包含一真空固持板122及複數真空支柱124。該真 空支柱124延伸在該真空固持板122上方,且藉著切削通 道1 26所分開,而該切削通道之尺寸被設計成可承納該切 刃。當該嵌套112被放置在該真空固持板122上時,該真 空支柱124突出穿過該嵌套112,藉此將該基板108升高 -14- 200539336 m (11) 在該嵌套112之上表面上方。每一真空支柱124典型通過 該嵌套1 1 2中之一個別柵格開口。開口及真空支柱之數目 大致上對應於位在該基板上之封裝的數目。該真空支柱 1 5 0之頂部表面與待切割封裝之平滑底面形成一真空密封 ,而當啓動該真空時,允許該封裝被牢靠地固定至該真空 支柱124之頂部表面。經過每一'真空支柱124中之真空通 口產生該吸力。一旦該嵌套112被定位在該卡盤120上, φ 該外蓋119可由該嵌套112移去,以便準備用於一切削操 作。 於該切削操作期間,該基板1 0 8經由一或多個鋸削裝 置130被分成複數個別之封裝。每一鋸削裝置130包含一 或多個切刃132,每一切刃被噴以一流體,以當切削時有 利於冷卻及潤滑該切刃1 3 2。典型以一或多個噴嘴1 3 4噴 灑該流體。該等噴嘴可爲管子、管路或其他類似物件。對 於每一切刃大致上有一噴嘴。該等噴嘴可爲分開的及彼此 φ 不同’或者它們可被整合成單一整體構件。該切刃132被 配置成可繞著一軸1 3 6轉動,且平移經過該基板1 0 8,以 便將該基板1 08切割成其個別之片段。於平移期間,該鋸 片132是於該等真空支柱124之間定位在該切削通道126 內。因爲該基板108稍微被升高在該嵌套112之頂部表面 上方’該鋸片132在該基板108之厚度下方突出,而不會 有對該嵌套112或該鋸片132造成損壞之風險。 該等鋸削裝置1 3 0及卡盤1 2 0能夠以各種方式移動, 以便實現該基板1 08之切割。這些零組件之每一個能被平 -15- 200539336 m (12) 移至驅動該等切刃1 3 2經過該基板1 0 8,且這些零組件之 每一個能被轉動,以致可在該基板1 0 8中作正交切削。作 爲例子,一機器手臂組件可架構成能移動該等鋸削裝置, 且一架台可架構成能移動該卡盤。於使用單一鋸削裝置 1 3 0之具體實施例中,該鋸削裝置或該卡盤能被轉動(例 如9 0度)’以致該基板可在二方向中(例如X及y )切削 。於使用二鋸削裝置1 3 0之具體實施例中,該鋸削裝置之 Φ 一係定位在第一方位,以便於第一方向中(例如沿著該X 軸)切削該基板108,且另一鋸削裝置120係定位在第二 方位中’以便於第二方向中(例如沿著該y軸)切削該基 板1 08。典型在以該第一鋸削裝置完成第一組切削之後轉 動該卡盤’以致可用第二鋸削裝置完成第二組切削。 於一特別之切削操作期間,第一鋸子係降低進入一切 削位置。例如,一機器手臂於該Z方向中移動該第一鋸子 裝置’直至該等切刃抵達一想要之切削高度,其大致上很 Φ 接近該基板。該切刃接著在想要之切削速度下轉動,且冷 卻劑及/或潤滑劑係噴在該等切刃上。此後,該卡盤被平 移,以便使該基板通過該等切刃。該卡盤可製成一通路, 且接著製成階梯狀,以便經過該切刃造成另一通路,直至 造成所有想要之切削。在完成該第一組切削之後,該切刃 及噴灑噴嘴被關掉及該第一鋸子係升高。此後,該卡盤係 轉動90度。在旋轉之後,第二鋸子係降低進入一切削位 置。例如,一機器手臂於該z方向中移動該第二鋸子裝置 ,直至該等切刃抵達一想要之切削高度,其大致上很接近 -16- 200539336 η (13) 該基板。該切刃接著在想要之切削速度下轉動,且冷卻劑 及/或潤滑劑係噴在該等切刃上。此後,該卡盤被平移, 以便使該基板通過該等切刃。該卡盤可製成一通路,且接 著製成階梯狀,以便經過該切刃造成另一通路,直至造成 所有想要之切削。因爲該第一及第二切削是正交的,該等 封裝係由該基板有效地切割。如應了解者,如果該等切刃 在每一鋸削裝置被同樣地隔開,將產生方形部件,且如果 φ 該等切刃不同地隔開,將產生長方形之部件。 在該基板108被切割成其各部件之後,一頂蓋140被 放置在包含該基板1 0 8之已切削晶粒的嵌套1 1 2上方,且 關掉該真空。該頂蓋1 40典型具有接觸線柱,其壓制每一 個別分開之封裝。該頂蓋1 4 0、該嵌套1 1 2、及位於其間 之切割封裝的組合形成一已覆蓋之嵌套夾架。藉著舉起該 已覆蓋之嵌套夾架離開該卡盤120,該個別之封裝被允許 往回掉落至該嵌套表面(不再藉著真空所固定),在此它 φ 們被環繞該嵌套112中之開口的壁面所止動。該止動壁面 藉著其邊緣牢靠地固定每一已切削封裝,藉此防止該已切 削封裝之平移及旋轉運動。大體上藉著該止動壁面保持固 定不動、以及捕獲於該頂蓋之接觸線柱及該嵌套1 1 2間之 已切削封裝現在可被進一步處理(例如淸洗、洗滌、乾燥 ),而不會招致任何移動。再者,因爲該等封裝大體上藉 著該止動壁面保持固定不動,當該頂板1 40最後被移去時 ,該已晶粒切割之封裝本質上係對齊與當作範例,易於使 用一拾取放置機由該嵌套Π 2移去。 -17- 200539336 (14) 參考圖5,將更詳細地敘述該鋸削裝置1 3 0。該鋸削 裝置130大致上包含一馬達150具有一主軸158,該主軸 繞著該軸1 3 6轉動,以提供用於該切刃1 3 2之旋轉。該切 刃132被附接至該主軸158。該主軸158包含一或多個間 隔裝置1 60,該間隔裝置被架構成可空間地分開該等切刃 1 3 2及固定該切刃1 3 2,以致它們當切削時不會滑動。該 等間隔裝置160及切刃132典型藉著一鎖定螺帽被鎖在適 φ 當位置,該螺帽沿著該軸1 3 6提供一軸向力,藉此將該等 間隔裝置160及切刃132夾在一起。於大部份案例中,該 馬達150係附接至一主軸外殻152,並可被耦接至一傳送 機制,該傳送機制架構成可對該鋸削裝置1 3 0提供運動。 可使用任一數目之切刃132。大致上,更多切刃132 等同於一減少之週期。因此較佳地是,平行地使用複數切 刃132,以便減少該系統之週期。譬如,該鋸子130可包 含二或更多並肩地定位之切刃1 3 2,並在其間具有間隙, φ 該間隙對應於該已切割封裝之想要寬度。這有時候被稱爲 “間距”。於一些案例中,切刃1 32之數目對應於成行或 成列地坐落在該基板1 0 8上之封裝的數目。例如,於十乘 十陣列中,該鋸子組件1 3 0可包含至少1 〇切刃1 3 2。這不 是一項要求,然而,及該切刃132之數目可根據每一裝置 之特定需要而有不同變化,亦即,其可能有比各封裝列更 少之切刃1 3 2,或可能有比各封裝列更多之切刃。於比封 裝有更少切刃122之案例中,該系統可被配置成造成超過 一個之通路,以便於該指定方向中完成該基板1 08之切削 -18- 200539336 η (15) 該等銷削裝置1 3 0亦包含一噴灑噴喂 在每一切刃1 3 2上噴灑冷卻劑或潤滑劑。 劑可譬如對應於水。該噴灑噴嘴組件i 64 於每一切刃132之噴灑噴嘴168。該等噴 由一或多條軟管1 7 6流體地耦接至一流體 該流體分佈至該等切刃1 32。於一些案例 φ 嘴1 6 8係一分開及不同之零組件。於其他 灑噴嘴168係聯合在一起,且一體地形成 任一案例中,每一噴灑噴嘴1 6 8可流體地 管1 7 〇,該歧管由該等軟管1 7 6承接該流 經過每一噴灑噴嘴1 6 8。 於一具體實施例中,每一噴灑噴嘴 1 69,該通道架構成可至少局部環繞該切叉 引導一流體之流動至該切刃之刃口上及至 φ 。當該切刃係於該通道169中時,該噴灑 圍繞該切刃之側壁及/或底部壁面。 該噴灑噴嘴組件164大致上係附接至 ,以便相對該切刃1 3 2精確地定位該等噴 案例中,該噴灑噴嘴組件164之位置係相 固定,且於其他案例中,該噴灑噴嘴組件 相對該等切刃1 3 2調整。於後一案例中, 164亦經由一微調定位裝置180被附接至 ,該微調定位裝置允許相對該等切刃1 3 2 ί組件164,用於 該冷卻劑或潤滑 大致上包含一用 灑噴嘴1 6 8是經 源174,以便將 中,每一噴灑噴 案例中,該等噴 爲單一部件。於 牵禹接至一中心歧 體及引導該流體 168包含一通道 1 3 2,以便同時 該切刃之側邊上 噴嘴可譬如包含 該主軸外殻152 嘴 1 6 8。於一些 對該等切刃1 3 2 164之位置係可 該噴灑噴嘴組件 該主軸外殼152 調整該噴灑噴嘴 -19- 200539336 (16) 組件1 64之位置。作爲例子,該噴灑噴嘴1 68可沿著直線 1 8 2線性地移動,以便將該等噴嘴1 6 8集中在該切刃1 3 2 上,藉此最佳化該流體與該切刃1 32之表面的接觸,以及 防止該等切刃132接觸該等噴嘴168。 根據本發明之第一態樣,提供一無栓銷之嵌套。該無 栓銷之嵌套不包含由該表面延伸之任何定位栓銷,且如此 該嵌套能被用於一切削操作中,而不需煩惱其與一鋸子裝 φ 置之干涉,及不會使其捕獲在它與該等切刃間之材料。亦 即,藉著移去該等栓銷,該鋸子裝置能相對該基板之表面 被放在其想要之位置,且再者該基板能被移動經過該等切 刃,而不會有鉤住該等栓銷之基板殘留物,亦即該等殘留 物滑離而非黏附於該栓銷及該切刃之間。 圖6A及6B是按照本發明一具體實施例之無栓銷嵌套 組件200的透視圖。該無栓銷嵌套組件200大致上包含一 栓銷夾具平板202及一嵌套204,該嵌套被架構成可與該 φ 栓銷夾具平板202暫時地咬合。圖6A顯示已由該栓銷夾 具平板202分開之嵌套204,及圖6B顯示該嵌套204已 安裝在該栓銷夾具平板202上。該栓銷夾具平板202係坐 落在一基板載入區內,而該嵌套204係可由該處移動。亦 即,該嵌套204被用於在各站之間傳送該基板220及已切 削部件。 該栓銷夾具平板202包含一承接表面206及複數由該 承接表面206延伸之定位栓銷2 08。該嵌套204包含一環 繞柵格配置2 1 2之支撐結構2 1 0。該支撐結構2 1 0包含複 -20- 200539336 (17) 數定位孔214,該定位孔與該栓銷夾具平板202 栓銷208 —致。當該嵌套204被放在該栓銷夾具 (圖6B),該嵌套218之底部表面嚙合該栓銷 202之承接表面206,且該定位栓銷208通過該5 及在該嵌套2 04之頂部表面216上方。 當該嵌套204及平板202咬合時,因爲該 208突出在該嵌套204之頂部表面216上方,該 φ 20 8能被用於適當地定位一在該嵌套204上之基 並類似於包含定位栓銷之嵌套。亦即,該定位栓; 頂部222,即延伸在該表面216上方之部份能被 該基板220上之定位孔224內,亦即,該頂部嚙 上之定位孔,以便關於該嵌套定位該基板。定位 目典型根據每一系統之想要需求而變化。該頂部 該定位栓銷208之基底226上方包含一利於導引 2 24之錐形部分。該基底226大致上具有一大小 φ 並與該定位孔224之大小及尺寸一致。因此,該 係相對該嵌套204正確地定位,亦即沒有橫側位 ,該錐形部分可包含一與該定位孔之大小及尺寸 份。 爲了適當地對齊與支撐該栓銷夾具平板202 2 04,該栓銷夾具平板202亦包含一或多個前導 23 0,其被放在該嵌套204上之前導定位孔232 導定位支柱2 3 0可包含一錐形部分,以便有利於 定位支柱23 0之一基底部分上方引導該前導定位 上之定位 平板上時 夾具平板 [位孔· 2 1 4 定位栓銷 定位栓銷 板 220, 銷208之 放在位於 合該基板 栓銷之數 222可在 該定位孔 及尺寸, 基板220 移。或者 一致的部 上之嵌套 定位支柱 內。該前 在該前導 孔 23 2。 -21 - 200539336 (18) 該基底部分係被設計成可與該前導定位孔具同樣大小及尺 寸,以便防止在其間之位移。定位支柱之數目可有寬廣之 變化。於所說明之具體實施例中,有二前導定位支柱2 3 0 被放置在該平板202之相向二角落。此架構有利於將該嵌 套維持在一已知之X及y位置中。該前導定位支柱230以 及該定位栓銷208典型是壓入配合至該平板202中之空隙 〇 (p 參考該嵌套204,該嵌套204已架構、或以別的方式 配置成可平移及旋轉地減少該基板220及封裝之移動,該 封裝由該基板所切削並定位在嵌套204內。當一基板220 被關於嵌套204適當地定位時,該基板206停靠頂抗該柵 格配置2 1 2。該柵格配置2 1 2界定諸開口 234,該等開口 容納由該基板220所切削之封裝221。亦即,在它們由該 基板220切削之後,該基板220之封裝221係至少局部放 置在該開口 234內。於大部份案例中,該嵌套開口 234具 Φ 有一連接點(Footprint ),其形狀大體上與該等封裝221 之形狀相同。開口 2 3 4之數目可有寬廣之變化,但大致上 對應於坐落在該基板220上之封裝的數目。每一開口有效 地“固持”一封裝。 爲詳細說明之,該嵌套開口 234被形成穿過嵌套204 之厚度。每一嵌套開口 234之尺寸係設計成稍微小於該封 裝221之尺寸,以防止該封裝221掉落。於大部份案例中 ,每一嵌套開口 234係藉著止動壁面(未示出)所圍繞, 該等壁面係設置在嵌套204之頂部表面上。配置止動壁面 -22- 200539336 (19) ,使得一封裝能停靠在該嵌套204之頂部表面上,同時壓 在嵌套開口 23 4上,又使其邊緣止動在止動壁面內,以限 制該個別封裝22 1之平移及旋轉移動。 一旦該基板220係與該嵌套204對齊,一外蓋(未示 出)可用來將該基板220固定至該嵌套204,以便相對該 嵌套204維持其適當之位置。於基板傳送期間,該外蓋保 持與該嵌套204鎖上。當該嵌套204被定位在該真空固持 φ 板上及打開該真空並藉此將該基板220固定至一真空卡盤 時,該外蓋被移去。該外蓋可例如包含一墊子,該墊子包 含定位栓銷或定位孔,用於嚙合該嵌套及/或該基板中之 定位栓銷及定位孔。該墊子典型亦包含一用於嚙合該基板 之咬合表面,亦即,該咬合表面係壓頂靠該基板,以將該 基板固持頂抗該嵌套。 本發明之另一態樣有關在一鋸削裝置之切刃上方用於 引導流體之噴嘴的設計。該流體流動具有冷卻該等切刃、 φ 以及潤滑它們之作用,以便有利於該切削製程。該流體流 動亦具有由該等切刃及該基板淸潔微粒狀物質之作用。如 應了解者,於該切削製程期間產生諸如熱及實質數量之微 粒狀物質的不想要副產物。更特別地是,在此所敘述之噴 嘴被架構成可改善環繞該等切刃之流體的流速及流動特性 ,以便用當前之噴嘴設計克服該等問題,而當前之噴嘴設 計通常無法充分地冷卻、淸潔、及潤滑該等切刃之側邊。 圖7係按照本發明一具體實施例之噴嘴組件3 1 0的透 視圖。該噴嘴組件3 1 0包含一管子構件3 1 2及噴嘴構件 -23- 200539336 (20) 3 1 4。該管子構件3 1 2被架構成可分佈流體至該噴嘴構件 3 14,且該噴嘴構件3 14被架構成可在每一切刃引導該流 體。該噴嘴構件314包含複數噴嘴315,每一噴嘴具有一 形成在其中之通道316。該等通道316是流體地耦接至該 管子構件3 1 2,且其大小及尺寸被設計成可承接一切刃。 於操作期間,該等通道3 1 6由該管子構件3 1 2承接該流體 及環繞著該切刃分佈該流體。亦即,該流體被引導經過該 φ 管子構件3 1 2及進入該噴嘴構件3 1 4。一旦於該噴嘴構件 3 1 4中,該流體被強迫流出經過每一噴嘴3 1 5中所形成之 通道316及至一已設置於該通道316中之切刃上。 圖8 A及8B分別是一晶粒切割組件3 1 7之等角及側視 圖,其採用圖7之噴嘴組件3 1 0。該晶粒切割組件3 1 7包 含一或多個切刃3 1 8,該等切刃被間隔裝置3 1 1所分開及 附接至一旋轉主軸320。能附接至該晶粒切割組件3 17之 一主軸外殼322的噴嘴組件310係定位成可承接每一切刃 φ 318,亦即該切刃318被局部地放置在該等噴嘴315之通 道3 1 6內。當該切刃3 1 8正轉動時,流體被強迫經過該管 子構件3 1 2及經過該等噴嘴3 1 5之通道3 1 6流出。因爲每 一噴嘴315局部地圍繞著該切刃318,當該等切刃318位 於該等通道3 1 6中時,流體被強迫沿著該切刃3 1 8之邊緣 、以及該切刃3 1 8之各側邊的至少一部份兩者。以此方式 ,比起以傳統之噴嘴,更多流體接觸該等切刃3 1 8。這導 致該等切刃3 1 8之改善冷卻,以及微粒狀物質之更佳移除 及更佳之潤滑作用。 -24- 200539336 (21) 參考圖9A-9H,現在將詳細敘述該噴嘴組件310之一 特別具體實施例。如圖9A及9B所示,該噴嘴構件3 1 4係 附接至該管子構件3 1 2,以便形成該噴嘴組件3 1 0。該管 子構件312在其端部之一包含·一入口 324,及一由該入口 3 24延伸至該管子構件312側面中之一開口 3 28的流體通 道3 26。該噴嘴構件314係在該開口 3 2 8附接至該管子構 件3 1 2。該噴嘴構件3 1 4可包含一流體承接端部3 3 0,其 φ 大小及尺寸被設計成可配置在該開口 3 28內。一旦於該開 口中,該噴嘴構件3 1 4係固定及密封至該管子構件3 1 2, 以形成單一整合單元。於操作期間,該入口 324係連接至 一流體源,且一流體被強迫經過該流體通道3 26及經過該 噴嘴構件314之流體承接端部3 3 0,以便強迫流體流出該 等噴嘴315中之每一通道316。 被顯示爲單一修長形構件之噴嘴構件3 1 4可由不銹剛 製成,但本發明考慮可由任何與該管子構件3 1 2相容及能 φ 夠承受該晶粒切割環境的材料所製成之噴嘴構件3 1 4結構 。當作範例,可取代不銹鋼使用其他金屬或塑膠。於該噴 嘴314及管子312係由諸如不銹鋼之金屬所製成的具體實 施例,該等通道3 1 6可僅只切削經過該噴嘴3 1 4之本體, 且該後面端部3 3 0可例如僅只在該噴嘴構件及該管子構件 間之界面焊接至該管子3 1 2。 圖9 C-9E說明該管子構件312之各種視圖,以便進一 步詳細地解釋其操作。該管子構件3 1 2係形成爲一管子, 其具有一延伸穿過該處之流體通道3 26。該管子構件312 -25- 200539336 (22) 之入口 3 24係能夠承接一配件,以致該管子構件3 1 2可流 體地耦接至一流體源。與該入口相向之端部被加上蓋子或 以別的方式阻斷。因此,流經該流體通道3 2 6之流體被強 迫經過該管子構件3 1 2側邊中之開口 3 28離開。該管子構 件3 1 2包含該開口 3 2 8之側邊部份形成一平坦表面,以便 當該端部噴嘴構件3 1 4被插入該管子構件3 1 2中之開口 3 2 8時,形成一用於該噴嘴構件3 1 4之承接表面。 B 圖9F-9H說明該噴嘴構件314之各種視圖,以便進一 步詳細地解釋其操作。該噴嘴構件3 1 4包含複數一體之噴 嘴3 1 5,該等噴嘴被聯接在一起。每一噴嘴3 1 5包含一切 刃承納部份3 5 2及一流體通道部份3 54。該切刃承納部份 352包含該等通道316。該流體通道部份354包含一穿透 孔、開口或凹槽3 5 5,其由該管子構件3 1 2引導流體至該 切刃承納部份3 52之通道3 1 6。該等凹槽3 5 5大致上包含 一用於由該管子3 1 2承接該流體之入口 3 5 6,及一用於將 φ 流體分佈至該切刃承納部份3 52之通道316的出口 3 5 8。 雖然未顯示,於一些案例中,一孔腔或貯槽可被設置於該 入口 356及該管子構件312間之所有該等入口 356的前面 ,以利於引導及等化經過每一凹槽3 5 5之流動。於一些案 例中,該凹槽3 5 5之橫截面積被製成大於傳統噴灑噴嘴( 例如傳統噴嘴具有大約平方毫米)中之孔洞的橫截面積。 這允許該流速增加,且因此一較大之流體量被分佈至該等 切刃。如應了解者,更多流體典型增加冷卻及潤滑作用兩 者,且亦有利於由該切削區移去材料° -26- 200539336 螫 (23) 該切刃承納部份3 5 2之諸通道3 1 6的每一通 及形狀被設計成可容納一分開之切刃3 1 8。更特 每一通道316具有一足以將切刃318包圍在其 3 62,及一足以沿著該切刃3 1 8之側邊引導流體乏 。因此,該流體不只被引導在該切刃之邊緣,同 導在該切刃之側邊。爲甚至進一步詳細說明之, 接部份3 52之通道是藉著包含側壁3 60及底部壁 φ 數個壁面所形成。該等側壁3 60及底部壁面362 圍繞著該切刃,如此利於強迫流體環繞著該切刃 持該流體與該切刃有較大之接觸(時間、區域等 將使用傳統噴嘴由該切刃偏離之流體現在係再次 該切刃上方。因此,一較大流體量可被用於沖洗 該等側壁及底部壁面之形狀可廣泛地變化。其可 、階梯狀、有角的,或它們可爲平直的或大體上 未所示)。當爲平面式時,該等壁面大體上是與 春行。 再者,該等通道316且因此該等噴嘴315係 一段距離3 66,此距離對應於切刃3 1 8間之距離 裝之寬度。又再者,該噴嘴3 1 5之切刃承接部份 含一斜面或錐形部分,以保持該噴嘴3 1 5不會與 割組件之各部份干涉。譬如,可由該噴嘴3 1 4之 切出一角度3 6 8,以便保持該噴嘴314不會撞擊 切割組件之間隔裝置3 1 1上。 應注意的是圖9所示具體實施例不是一項限 :道之尺寸 別地是, 內之寬度 1深度364 時也被引 該切刃承 面3 62之 係架構成 ,亦即保 )。通常 被引導在 該切刃。 成爲圓形 平面式( 該切刃平 彼此隔開 、或一封 3 5 2可包 該晶粒切 一前頂部 在該晶粒 制,且其 -27- 200539336 (24) 可能根據每一切削操作之特定需要而有不同變化。當作範 例,於一些案例中,其可爲想要的是消除該通道之底部壁 面,藉此形成一切口而非一通道。然而,吾人相信這不能 與一具有底部壁面之噴嘴般起良好之作用。 圖1 〇說明該噴嘴3 1 4於操作中之進一步細節。如上 面所述,切刃318被放置在該等通道316內,以致該噴嘴 3 14局部圍繞著該切刃318。接著流體被引導經過該通道 φ 316及至該切刃318上。當該切刃318自轉以切削一基板 3 78時,產生熱量及產生微粒狀物質。該流體具有潤滑該 切刃318、及由該切刃318之邊緣及側邊移去所產生之熱 量及微粒狀物質兩者之作用。 爲了更有效地引導流體至該切刃3 1 8上,架構該噴嘴 3 1 4,以致其通道3 1 6圍繞著該切刃3 1 8,而滿足該晶粒切 割製程之各種空間限制。例如,該角度3 6 8係設計成可允 許於該噴嘴3 1 4及間隔裝置3 1 1之間有一間隙3 74。這防 φ 止該噴嘴3 1 4接觸該間隔裝置3 1 1,及亦允許有用於使流 體流出該通道3 1 6至該切刃3 1 8上之空間。相同地,該噴 嘴314係亦設計成具有一間隙3 7 6,以便防止其於晶粒切 割期間磨擦頂抗基板3 7 8。該間隙3 76及/或該噴嘴315 之寬度亦保持該噴嘴3 1 5不會接觸任何定位栓銷3 82,該 等栓銷一般係用於在晶粒切割期間定位該等基板3 3 8。 當使用一傳統之嵌套而非上面所述之無栓銷嵌套時, 圖1 1說明一正交於圖1 0之視圖,其中能看出該定位栓銷 3 82提供又另一項當作範例之設計限制。特別地是,當該 -28- 200539336 (25) 定位栓銷3 82通常被放置於切刃3 1 8之間時,該等噴嘴 3 1 4被設計成具有切口 3 3 2,該切口於晶粒切割期間防止 與該等栓銷3 8 2接觸(於圖91中能看見切口 3 3 2 )。 本發明之另一態樣涉及於晶粒切割期間所使用流體之 成份。如上面所述,一流體被唧取經過該管子3 1 2及一噴 嘴3 1 4之通道3 1 6,以便冷卻、淸潔、及潤滑該切刃3 1 8 。此流體可僅只爲水。然而,某些額外化合物之存在具有 φ 增強該流體之想要性質的作用。如此,本發明考慮加入任 何化合物,只要其於晶粒切割期間具有增強所使用流體之 冷卻、潤滑、或微粒狀物質移除能力的作用。譬如,加入 習知脂肪酸鹽或其他淸洗溶液具有改善該流體之潤滑及淸 洗能力的作用。諸如那些藉由MirachemTM· CastrolTMm 製成之潤滑劑的加入亦具有改善潤滑之作用。因此,本發 明考慮加入這些及任何其他化合物,其修改流體之性質, 以便改善良該晶粒切割製程。 φ 另一本發明之態樣涉及相對該等切刃精細地定位該噴 灑噴嘴。這可被完成,以更佳地集中該等噴嘴,且如此集 中在該等切刃上之流體流束,以致該流體係更同等地運送 至每一切刃。 圖12A-C是按照本發明一具體實施例之噴嘴調整組件 4 0 0的圖示。圖1 2 A及1 2 B是一已組裝噴嘴調整組件4 0 0 之不同透視圖,而圖1 2C係一分解透視圖,其顯示組成該 噴嘴調整組件400之部件。該噴嘴調整組件400被架構成 可相對該切刃調整該噴灑噴嘴組件之位置。該調整典型係 -29- 200539336 (26) 在一切削順序(設定)之前施行。 該噴嘴調整組件400包含一主軸托架402。雖然未顯 示,該主軸托架402典型被附接至該主軸組件,當作範例 ,即與一鋸削裝置有關之主軸外殻。該主軸托架402係架 構成可相對該切刃設定該噴灑噴嘴組件之粗略位置。 該噴嘴調整組件400亦包含一噴嘴托架404,用於支 撐一噴灑噴嘴組件,如在圖7所顯示之組件範例。該噴嘴 φ 托架404被架構成可在一入口及一出口之間通過一流體( 冷卻劑及/或潤滑劑)。該入口大致上包含一入口耦接件 4 〇 6,用於由一流體源承接一軟管;及一出口耦接件4 0 8, 用於承接該噴嘴調整組件之端部。該入口及該出口耦接件 406及408兩者被附接至一托架本體410。該托架本體410 包含一由該入口至該出口之流體通道412。該流體通道 412被架構成可由該入口引導該流體至該出口。該托架本 體4 1 0亦提供一結構,用於附接至該主軸托架4 0 2。 # 於一具體實施例中,該噴嘴托架404及更特別是該托 架本體410係可移動地耦接至該主軸托架4〇2,以致該噴 灑噴嘴相對該切刃位置之位置能被精細地調整。於大部份 案例中,該噴嘴托架404相對該主軸托架402線性地移動 。該噴嘴托架404可被製生沿著單軸或複數軸移動。譬如 ,該噴嘴托架4 04可被架構成僅只沿著該y軸移動,或其 可被架構成沿著二軸(X及y)、所有三軸<^、7及z) 移動。其亦可被架構成繞著該X、y及z軸轉動。 於所示具體實施例中,該噴嘴托架404及更特別是該 -30- 200539336 (27) 托架本體410被架構成可相對該主軸托架402平移。平移 之方向係平行於該主軸及切刃之軸心(例如y軸)。藉著 允許於此方向中平移,該噴灑噴嘴組件可更精確地相對該 切刃之刃口放置。亦即,該噴灑噴嘴組件可被線性地移動 ,以便盡可能接近至每一切刃之中線適當地放置該噴灑噴 嘴。 爲了詳細說明之,該噴嘴托架404係可經由一微調平 φ 移機制414移動地耦接至該主軸托架402。該微調平移機 制J 4 1 4係被架構成可將旋轉運動轉換成線性運動。該微調 平移機制4 1 4包含一衝程外殼4 1 6、一調整外殻4 1 8、及 一微調按鈕420。該衝程外殻416係可滑動地耦接至該主 軸托架402。這可經由一位在衝程外殻416上之衝程溝槽 422及一位在該主軸托架402上之滑動裝置424所達成。 該衝程溝槽422與滑動裝置424咬合,以便產生該滑動式 運動。典型以保持該衝程外殼4丨6被止動至該主軸托架 φ 402之方式設計該滑動裝置424及溝槽422。譬如,該滑 動裝置424及衝程溝槽422可包含錐形或傾斜部份,以可 滑動地止動該衝程外殻416至該主軸托架402。 該衝程外殼416包含一附件結構426,而該噴嘴托架 4〇4係附接至該附件結構426。於大部份案例中,該噴嘴 托架404係以一或多個螺絲或螺栓428附接至該衝程外殼 4 16。該噴嘴托架404可包含一凹槽43 0,以致該噴嘴托架 4〇4之Z位置能相對該衝程外殻4丨6調整,且如此相對該 主軸托架402調整。譬如,該等螺絲能被放鬆,以便允許 -31 - 200539336 (28) 該噴嘴托架404經由該凹槽4 3 0相對該衝程外殻4 。一旦發現想要之高度,該等螺絲42 8能被鎖緊, 此高度。 該調整外殼4 1 8經由一或多個螺絲或螺栓432 至該主軸托架402。該調整外殼418被架構成可旋 撐該微調按鈕420。亦即,該微調按鈕420被架構 對該調整外殼418轉動。藉著一微調按鈕420提供 φ ,該按鈕包含一插入該調整外殻418中之開口 436 434。該軸桿434包含一軸環438,該軸環被捕獲於 440及該調整外殻41 8間之一空隙中。該軸環438 按鈕42 0相對該調整外殼418之位置(該安裝板及 殻用作對該軸桿的y方向之緊接止動件)。該軸桿 其端部亦包含一螺紋部份442,該部份442係以螺 至該衝程外殼416內之一螺紋插孔444。當該微 420轉動時,該嚙合螺紋沿著該溝槽/滑動裝置介 φ 推該衝程外殼416。亦即,該螺紋部份442進入或 螺紋插孔444 (視按鈕旋轉之方向而定),藉此造 程外殼4 1 6之線性運動。因爲該噴嘴托架404係附 衝程外殼4 1 6,其將沿著移動該y軸線性地移動。 該噴嘴托架404可包含一角度調整肘部45 0。 調整肘部45 0被架構成可繞著該y軸轉動,以致該 嘴組件之角度能被調整。這可被深度切削所需要。 調整肘部4 5 0係經由一可調整之配件452流體地及 地耦接至該托架本體410,且典型包含一延伸至該 1 6滑動 以維持 被附接 轉地支 成可相 該旋轉 的軸桿 安裝板 維持該 調整外 434在 紋耦接 調按鈕 面拉或 離開該 成該衝 接至該 該角度 噴灑噴 該角度 可旋轉 出口耦 -32- 200539336 (29) 接件408之通道。藉著使用一摩擦耦接件或一些其它繋緊 機構、諸如螺絲或螺栓可設定該角度調整肘部之位置。 本發明之另一態樣有關分開切刃之間隔裝置的設計。 如上文所討論者,基板通常藉著採用轉動式切刃被晶粒切 割、或切割成個別之封裝。通常,如圖1 3所示,一或多 個具有圓形剖面之切刃被放置在一主軸5 02上,接著迴轉 該主軸,以將一基板切成個別之封裝。當超過一切刃被採 φ 用時,於一般稱爲組合切刀之架構中,每一切刃被放置在 該主軸5 02上及藉著一間隔裝置504所分開,這有利於在 切刃之間維持一指定之間隙(通常爲每一已切割封裝之寬 度)。傳統之間隔裝置(如圖2所示)通常包含允許該晶 粒切割製程中所使用之流體收集在該主軸組件內之孔腔。 此增加流體之重量促成主軸不平衡,導致震動及較差之切 削,且有時候導致切刃斷裂。本發明之間隔裝置藉著消除 該等間隔裝置中所發現之孔腔克服此問題。 φ 圖14A-14C是按照本發明一具體實施例之能夠減少該 流體累積問題的間隔裝置6 1 0之圖示。該間隔裝置6 1 0之 形狀係環狀,且包含一內周邊612及一外周邊614。該內 周邊612之大小及尺寸被設計成可配置環繞著該主軸502 。該間隔裝置610亦包含雙邊表面61 6A及61 6B,當該等 間隔裝置610及切刃520例如經由一沿著該主軸502之軸 心所施加之軸向力被壓在一起時,該等表面接觸切刃520 之側表面。 不像在側表面上具有外部升高區域之傳統間隔裝置( -33- 200539336 (30) 看圖2 ) ’在此所不間隔裝置6 1 0係形成有完全平坦之側 表面616A及616B。每一側表面616大體上位於該內周邊 及外周邊間之一平面中。其結果是,當該等間隔裝置6 1 0 被放置頂抗切刃5 2 0時,該側表面6 1 6大體上位於齊平地 頂抗該切刃5 2 0之側表面,而不會有收集流體之孔腔。 爲確保充分接觸該等切刃520,該等表面616能被製 成至少與傳統間隔裝置中所發現之升高表面相同的平面度 φ 及表面光滑度。譬如,很多傳統間隔裝置具有硏磨至±2微 米平面度、及8級表面光滑度之升高表面。因此,間隔裝 置6 1 0能具有硏磨到至少相同平面度及表面光滑度之側表 面616,雖然本發明考慮硏磨至任何平面度及表面光滑度 之表面6 1 6 ’以確保與該切刃充分接觸,及防止流體之任 何實質聚積。 雖然已由數個較佳具體實施例之觀點敘述本發明,在 此有落在本發明之範圍內的修改、置換、及同等項。亦請 φ 注意有施行本發明之方法及設備的許多可替代方式。因此 其意欲使下文所附申請專利被解釋爲包含所有此等修改、 置換、及同等項,如同落在本發明之法定精神及範圍內。 【圖式簡單說明】 藉著參考下文之敘述會同所附圖面可最佳了解本發明 ,其中: 圖1係一傳統晶粒切割裝置之示範圖。 圖2A-2C是一傳統間隔裝置之圖示。 -34- 200539336 % (31) 匱I 3係按照一具體實施例之基板處理系統的簡化方塊 圖。 圖4係按照本發明之一具體實施例的說明圖,其顯示 一利用圖3所述系統之製程。 圖5係按照本發明之一具體實施例的鋸削裝置之圖示 〇 圖6A及6B是按照本發明之一具體實施例的無栓銷嵌 ^ 套組件的透視圖。 圖7係按照本發明之一具體實施例的噴嘴組件之透視 圖。 圖8A及8B分別是按照本發明之一具體實施例的晶粒 切割組件之等角及側視圖,並採用圖7之噴嘴組件。 圖9A-9H是按照本發明之一具體實施例的圖7噴嘴組 件之各種圖示。 圖1 〇說明按照本發明之一具體實施例的圖7噴嘴之 _ 進一步細節。 圖11說明一視圖,其正交於按照本發明之一具體實 施例的圖1 0之圖示。 圖12A_C是按照本發明之一具體實施例的噴嘴調整組 件之圖示。 圖1 3係按照本發明之一具體實施例的主軸組件之透 視圖。 圖14A-14C是按照本發明之一具體實施例的間隔裝置 之圖示,該間隔裝置能夠減少該流體累積問題。 -35- 200539336 (32) 【主要元件符號說明】 2 :晶粒切割裝置 4 :夾架 6 :基板 8 :鋸子總成 1 〇 :切刃 1 2 :主軸 1 6 :噴灑噴嘴 1 8 :流體 2 0 :前緣 22 :間隔裝置 2 3 :環狀構件 24 :內部半徑 2 6 :外部半徑 2 8 :升高表面 3 0 :間隙 5 0 :處理系統 52 :裝載/卸載站 54 :嵌套裝載站 5 6 :切割站 5 8 :後切割站 60 :緩衝站 62 :淸洗站 -36 200539336 (33)
64 :定位站 6 6 :檢查站 6 8 :傳送單元 1 0 8 :基板 1 1 0 :卡匣 1 12 :嵌套 1 1 6 :定位栓銷 1 1 8 :栓銷夾具 1 1 9 :外蓋 120 :卡盤 1 2 2 :固持板 1 2 4 :支柱 126 :通道 1 3 0 :鋸削裝置 1 3 2 :切刃 1 3 4 :噴嘴 1 3 6 :軸 1 4 0 :頂蓋 1 5 0 :支柱 1 5 2 :主軸外殻 1 5 8 :主軸 160 :間隔裝置 164 :噴灑噴嘴組件 1 6 8 :噴灑噴嘴 -37 200539336 (34)
169 :通 17 0:歧 174 :流 17 6:軟 1 80 :定 1 82 :直 2 00 :嵌 202 :栓 204 :嵌 206 :承 20 8 :定 210 :支 212 :柵 214 :定 216 :頂 21 8 :嵌 22 0 :基 221 :封 222 :頂 224 :定 226 :基 23 0 :前 23 2 :前 23 4 :開 道 管 體源 管 位裝置 線 套組件 銷夾具平板 套 接表面 位栓銷 撐結構 格配置 位孔 部表面 套 板 裝 部 位孔 底 導定位支柱 導定位孔 □ -38 200539336 (35)
3 1 〇 :噴嘴組件 3 1 1 :間隔裝置 3 1 2 :管子構件 3 1 4 :噴嘴構件 3 1 5 :噴嘴 3 1 6 :通道 3 1 7 :晶粒切割組件 318 :切刃 320 :主軸 3 2 2 :主軸外殼 324 :入□ 3 2 6 :流體通道 328 ·•開口 3 3 0 :承接端部 332 :切□ 3 3 8 :基板 3 5 2 :切刃承納部份 3 5 4 :流體通道部份 3 5 5 :凹槽 3 5 6 :入口 3 5 8 ··出口 3 6 0 :側壁 3 6 2 :底部壁面 3 64 :深度 200539336 (36) 3 6 6 :距離 3 6 8 :角度 3 74 :間隙 3 7 6 :間隙 3 7 8 :基板 3 82 :定位栓銷
400 :噴嘴調整組件 402 :主軸托架 404 :噴嘴托架 406 :耦接件 408 :耦接件 410 :托架本體 4 1 2 :流體通道 4 1 4 :平移機制 4 1 6 :衝程外殼 4 1 8 :調整外殼 420 :微調按鈕 422 :衝程溝槽 424 :滑動裝置 426 :基板 4 2 8 :螺絲 43 0 :凹槽 432 :螺絲 4 3 4 :軸桿 200539336 (37) 43 6 ··開口 4 3 8 :軸環 440 :安裝板 4 4 2 :螺紋部份 444 :螺紋插孔 450 :角度調整肘部 452 :配件
502 :主軸 504 :間隔裝置 5 2 0 :切刃 6 1 0 :間隔裝置 612 :周邊 6 1 4 :周邊 6 1 6 :側表面 6 1 6 A :側表面 616B :側表面

Claims (1)

  1. 200539336 (1) 十、申請專利範圍 1 · 一種用於引導一流體流動越過一或多個半導體裝 置切刃之噴嘴組件,其包含: 一修長形構件,其架構成突出朝向一切刃,用於切削 一半導體裝置;及 複數形成在該修長形構件中之通道,該等通道之每一 個被架構成至少局部圍繞著該切刃,以便同時引導一流體 Φ 之流動至該切刃的切口上及至該切刃之兩側上。 2 ·如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該修長 形構件另包含坐落於該等通道之鄰接通道間之壁凹部份。 3 ·如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該修長 形構件係固定至一管子構件及與該管子構件流體相通,以 便引導該流體由該管子構件經過該一或多個通道之流動。 4.如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該修長 形構件大致上被導向該半導體裝置,而該切刃正切削該半 φ 導體裝置。 5 .如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該修長 形構件大致上被導向該切刃,而該切刃正切削該半導體裝 置。 6.如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中每一通 道具有一寬度,該寬度足以容納該切刃之寬度;一深度, 並足以在其中承接該切刃,以致流體能被沿著該切刃之側 邊引導,且其中該等通道被隔開一段距離,該距離對應於 該等切刃間之距離。 -42 - 200539336 (2) 7·如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該等通 道被環繞著該切刃之諸側壁及一底部壁面所局部地包圍, 如此有利於迫使流體流至該切刃上。 8 ·如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,另包含一管 子構件’其附接至該修長形構件及與該修長形構件流體相 通’該修長形構件是單一構件,並包含一切刃承納部份及 一流體通道部份,該等通道係定位在該切刃承納部份中, φ 該切刃承納部份包含於該等通道間之壁凹部份,該流體通 道部份包含穿透孔凹槽,該等凹槽將由該管子構件進來之 流體引導至該切刃承納部份中之對應通道。 9. 如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該噴嘴 組件相對該切刃之位置係經由一噴嘴調整組件所調整,該 噴嘴調整組件被架構成可移動該噴嘴組件,以致該等通道 可大體上與該切刃之中線對齊。 10. 如申請專利範圍第1項之噴嘴組件,其中該噴嘴 Φ 組件係與下列元件之一或多個結合,以便改善一晶粒切割 裝置= 一無栓銷之嵌套夾架; 一鋸削裝置,其包含複數彼此平行地定位之切刃’該 等切刃係藉著間隔裝置空間地分開’該等間隔裝置具有與 該等切刃接觸之平坦側表面,該等平坦側表面未包含任何 升高之邊緣;及 一流體源,其能夠於該晶粒切割製程期間將流體之一 成份運送至該噴嘴組件’該流體之成份包含有助於潤滑之 -43 - 200539336 (3) 添加劑。 11. 一種精細定位機制,用於調整一噴灑噴嘴相對一 半導體裝置切刃之位置,該定位機制包含: 一耦接至主軸之主軸托架,該主軸有利於一切刃之旋 轉,用於切削一半導體裝置; 一噴嘴托架,其可移動地耦接至該主軸托架及架構成 可支撐一噴灑噴嘴組件,用於引導一流體至該切刃上; Φ 其中該噴嘴托架係另架構成可相對該主軸托架移動, 以便可調整地定位該噴灑噴嘴組件頂抗該切刃。 12. 如申請專利範圍第1 1項之精細定位機制,其中 該主軸有利於複數切刃之旋轉,且該噴灑噴嘴組件包含複 數噴灑噴嘴,每一噴嘴被架構成可引導該流體之一部份至 該等切刃之一相關切刃上。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項之精細定位機制,其中 每一切刃係大致上沿著一平面導向,且其中該噴嘴托架另 φ 架構成可大致上沿著該等切刃之一相關切刃的平面定位每 一噴灑噴嘴。 14·如申請專利範圍第1 1項之精細定位機制,另包 含一平移機制,其被架構成可相對該主軸托架開始該噴嘴 托架之移動。 1 5 ·如申請專利範圍第1 4項之精細定位機制,其中 該切刃係大致上沿著一平面導向,且其中該平移機制另架 構成可沿著單一軸開始該噴灑噴嘴組件之平移,而該單一 軸大致上垂直於該切刃之平面。 -44- 200539336 (4) 1 6.如申請專利範圍第1 4項之精細定位機制,其中 該切刃係大致上沿著一平面導向,且其中該平移機制另架 構成可沿著一第一軸及沿著一第二軸開始該噴灑噴嘴組件 之平移,而該第一軸大致上垂直於該切刃之平面,且該第 二軸大致上係垂直於該第一軸。 17.如申請專利範圍第U項之精細定位機制,另包 含一與該噴灑噴嘴組件流體相通之流體通道,該流體通道 φ 架構成可引導該流體至該噴灑噴嘴組件。 1 8 ·如申請專利範圍第11項之精細定位機制,其中 該主軸包含複數彼此平行地定位之切刃,該等切刃是以具 有平坦側表面之間隔裝置空間地分開,該等側表面與該等 切刃接觸,而該等平坦之側表面未包含升高之邊緣。 1 9.如申請專利範圍第1 1項之精細定位機制,其中 該噴灑噴嘴組件包含: 一修長形構件,其架構成突出朝向一切刃,用於切削 φ 一半導體裝置;及 複數形成在該修長形構件中之通道,該等通道之每一 個被架構成至少局部圍繞著該切刃,以便同時引導一流體 之流動至該切刃的切口上及至該切刃之兩側上。 20. —種用於分開半導體裝置切刃之間隔裝置,其包 含: 一大致上環狀之硬質構件,該構件在其內部半徑處具 有一內部表面、在其外部半徑處具有一外部表面、及大體 上由該內部表面延伸至該外部表面之第一與第二表面; -45- 200539336 (5) 其中該第一表面係相向於該第二表面;及 其中該第一與第二表面大體上是平坦表面,每一表面 架構成大體上與半導體裝置切刃呈連續接觸地放置,以便 當一流體於該等切刃之旋轉期間被施加至該等切刃及該硬 質構件時,抑制不平衡力量之產生。 21.如申請專利範圍第20項之間隔裝置,其中該第 一及第二表面被架構成可防止在該硬質構件及該等切刃之 φ 一相關切刃之間保有一流體。 22 ·如申請專利範圍第2 1項之間隔裝置,其中該第 一表面及該第二表面之每一表面具有大約±2微米或更少之 平面度。 23 ·如申請專利範圍第2 1項之間隔裝置,其中該第 一表面及該第二表面之每一表面具有至少大約8級之表面 光滑度。 24·如申請專利範圍第20項之間隔裝置,其中該第 鲁一及第二表面被架構成沒有一升高之邊緣。 2 5 · —種利於切刃切削半導體裝置之操作的流體成份 ,其包含: 水;及 一數量之潤滑劑,其架構成可於該半導體裝置之切削 期間潤滑該切刃及利於由該切刃移除材料,該潤滑劑進一 步架構成在該半導體裝置之切削期間利於該切刃之冷卻。 26.如申請專利範圍第25項之流體成份,其中該潤 滑劑係脂肪酸鹽。 -46- 200539336 (6) 27. —種用於切削半導體裝置之設備,其包含: 切刃,其用於切削半導體裝置; 大致上環狀之硬質間隔裝置,其分開該等切刃之鄰接 切刃,該等間隔裝置每一個在其內部半徑處具有一內部表 面及在其外部半徑處具有一外部表面,且每一間隔裝置在 第一及第二大體上平坦表面上接觸該等切刃之鄰接切刃, 而每一平坦表面大體上由該內部表面延伸至該外部表面; φ —流體貯槽; 一可移動接近至該等切刃之修長形構件,該修長形構 件係與該流體貯槽流體相通,且已將諸通道架構成至少局 部圍繞著該等切刃,以便由該流體貯槽同時引導一流體之 流動至該等切刃之刃口上及至該等切刃之側邊上;及 一調整機制,其被架構成可移動該修長形構件,以便 可調整地對齊該等通道與該等切刃。 2 8 ·如申請專利範圍第2 7項之設備,其中該等切刃 φ 係固定至一主軸,且其中該調整機制另包含一耦接至該主 軸之主軸托架,及一可移動地耦接至該主軸托架與架構成 可支撐該修長形構件之噴嘴托架,且其中該噴嘴托架係另 架構成可相對該主軸托架移動,以便沿著該等切刃可調整 地定位該等通道。 29·如申請專利範圍第27項之設備,其另包含一包 含在該流體貯槽內之流體’該流體包含水及一數量之潤滑 劑,該潤滑劑被架構成可於該半導體裝置之切削期間潤滑 該等切刃及利於由該等切刃移除材料。 -47- 200539336 (7) 30.如申請專利範圍第2 7項之設備,另包含一無栓 銷之夾架,其在晶粒切割製程之前、期間或之後固持該等 半導體裝置,該夾架包含一消除定位栓銷之嵌套,而能防 止碎片離開該設備之一切削區域。 3 1 ·如申請專利範圍第27項之設備,其中該等半導 體裝置係無引線封裝。 3 2 ·如申請專利範圍第3 1項之設備,其中該等無引 φ 線封裝係四邊扁平無接腳(Quad Flat No Lead,簡稱QFN )封裝。 33· —種無栓銷之嵌套組件,其包含·· 一栓銷夾具平板,其包含複數定位栓銷;及 一嵌套,其架構成在其上面放置一基板期間暫時地與 該栓銷夾具平板咬合,該嵌套包含複數定位孔,該等定位 孔與該栓銷夾具平板之定位栓銷一致,當該嵌套及栓銷夾 具平板已咬合及當該定位栓銷係定位穿過該嵌套之定位孔 φ 時,該定位栓銷突出在該嵌套之一頂部表面上方,突出該 嵌套之頂部表面上方的定位栓銷部份有助於該基板對齊至 該嵌套。 3 4.如申請專利範圍第33項之無栓銷嵌套組件,其 中該嵌套被架構成可平移及旋轉地減少該基板之移動。 3 5 .如申請專利範圍第3 3項之無栓銷嵌套組件,其 中該嵌套包含一柵格配置,該柵格配置包含諸開口,該等 開口容納於晶粒切割製程期間由該基板所切割之封裝。 3 6 ·如申請專利範圍第3 3項之無栓銷嵌套組件,其 -48- 200539336 (8) 中該嵌套係架構成可藉由一卡盤所承納’該卡盤提供一真 空,以便在一晶粒切割製程之前、期間及之後固持該基板 及由該基板所切割之封裝。 3 7 . —種用於引導流體流動越過一或多個半導體裝置 切刃之噴嘴組件,其包含: 一或多個噴嘴,其架構成可突出朝向一切刃’用於切 削一半導體裝置;及 φ 形成在每一噴嘴中之通道,該通道係架構成至少局部 圍繞著該切刃,以便同時引導一流體之流動至該切刃的切 口上及至該切刃之兩側上。 3 8 .如申請專利範圍第3 7項之噴嘴組件,其中複數 噴嘴係呈現及架構成可突出朝向一切刃,用於切削一半導 體裝置,每一噴嘴具有一通道,該通道係架構成至少局部 圍繞著該切刃,以便同時引導一流體之流動至該切刃的切 口上及至該切刃之兩側上。 φ 3 9.如申請專利範圍第3 7項之噴嘴組件,其中該等 噴嘴係固定至一管子構件及與該管子構件流體相通,以便 引導該流體由該管子構件經過該一或多個通道之流動。 40.如申請專利範圍第39項之噴嘴組件,其中複數 噴嘴係呈現及架構成可突出朝向一切刃,用於切削一半導 體裝置,每一噴嘴具有一通道,該通道係架構成至少局部 圍繞著該切刃,以便同時引導一流體之流動至該切刃的切 口上及至該切刃之兩側上。 4 1 ·如申請專利範圍第3 7項之噴嘴組件,其中該噴 -49- 200539336 (9) 嘴大致上係導向該半導體裝置,而該切刃正切割該半導體 裝置。 4 2· —種晶粒切割設備,其包含至少一切刃,冷卻流 體係經過一噴嘴提供至該切刃,該噴嘴包含一通道,該通 道係架構成至少局部圍繞著該切刃,以便同時引導一流體 之流動至該切刃的切口上及至該切刃之兩側上。 43. 如申請專利範圍第42項之晶粒切割設備,其中 φ 該晶粒切割設備被架構成可施行半導體裝置之晶粒切割。 44. 如申請專利範圍第43項之晶粒切割設備,其中 該等半導體裝置已被包封,該已包封者包含一導線架及一 封裝,且其中該晶粒切割操作切割經過該封裝及該導線架 〇 45. 如申請專利範圍第42項之晶粒切割設備’其包 含複數彼此平行地定位之切刃,每一切刃設有一被引導朝 向該切刃之噴嘴,用於提供該冷卻流體。 φ 4 6.如申請專利範圍第4 5項之晶粒切割設備,其中 該等切刃係藉著間隔裝置互相分開。 47.如申請專利範圍第4 5項之晶粒切割設備’另包 含一調整機制,其架構成可對齊該等通道與該等切刃。 -50-
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101043674B1 (ko) * 2004-05-11 2011-06-23 엘지디스플레이 주식회사 스크라이빙 장치 및 방법
US20090000446A1 (en) * 2005-12-20 2009-01-01 Claus Jeppesen Machine Tool
JP2007214201A (ja) * 2006-02-07 2007-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
US7572168B1 (en) * 2006-04-13 2009-08-11 Utac Thai Limited Method and apparatus for high speed singulation
US8875537B1 (en) 2007-02-14 2014-11-04 Utac Thai Limited Method of and system for cooling a singulation process
US8449356B1 (en) 2007-11-14 2013-05-28 Utac Thai Limited High pressure cooling nozzle for semiconductor package
JP5354332B2 (ja) * 2008-10-14 2013-11-27 豊和工業株式会社 クーラント装置
JP5481837B2 (ja) * 2008-11-05 2014-04-23 信越化学工業株式会社 希土類磁石のマルチ切断加工方法
US8568203B2 (en) * 2008-11-05 2013-10-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Method and apparatus for multiple cutoff machining of rare earth magnet block, cutting fluid feed nozzle, and magnet block securing jig
CN101758420B (zh) * 2008-12-08 2016-04-20 香港科技大学 一种提供冷却的系统、装置及方法
JP5437034B2 (ja) * 2009-11-27 2014-03-12 株式会社ディスコ 切削装置
CN102117753A (zh) * 2010-01-05 2011-07-06 飞思卡尔半导体公司 封装半导体器件的方法
CN102211361A (zh) * 2010-04-01 2011-10-12 大银微系统股份有限公司 结构件的结合构造
JP2011254036A (ja) * 2010-06-04 2011-12-15 Disco Abrasive Syst Ltd 切削装置
US9349679B2 (en) 2010-08-31 2016-05-24 Utac Thai Limited Singulation method for semiconductor package with plating on side of connectors
CN102615726B (zh) * 2011-01-26 2016-01-13 北京中电科电子装备有限公司 刀体冷却装置及空气静压电主轴
TWI564988B (zh) 2011-06-03 2017-01-01 Tel Nexx公司 平行且單一的基板處理系統
CN102267198B (zh) * 2011-08-22 2014-07-16 北京中电科电子装备有限公司 划片机的刀具冷却装置及划片机
JP5766090B2 (ja) * 2011-10-24 2015-08-19 株式会社ディスコ ブレードカバー装置
CN103138489B (zh) * 2011-11-23 2015-12-02 北京中电科电子装备有限公司 一种电主轴内置电机的冷却装置及划片机
US9238980B2 (en) 2012-02-16 2016-01-19 Mahle International Gmbh Crankcase ventilation device
CN102886833B (zh) * 2012-09-21 2015-09-30 中国电子科技集团公司第四十八研究所 一种用于蓝宝石切片的冷却液喷射装置
JP6271129B2 (ja) * 2013-01-15 2018-01-31 株式会社ディスコ 切削装置
CN103252807A (zh) * 2013-05-31 2013-08-21 吉铨精密机械(苏州)有限公司 一种导料头恒压整流装置
CN105058507A (zh) * 2015-07-17 2015-11-18 郑有培 一种单轴双夹板多片锯
DE102016103202A1 (de) * 2016-02-24 2017-08-24 Klingelnberg Ag Verfahren zum Bereitstellen einer Fluidzufuhrvorrichtung und Verwendung einer solchen
US10703016B2 (en) * 2018-06-20 2020-07-07 Texas Instruments Incorporated Semiconductor sawing method and system
US10576562B1 (en) * 2018-08-28 2020-03-03 Nishijima Kabushiki Kaisha Circular saw cutting machine
CN110142696B (zh) * 2019-06-26 2020-06-23 西安奕斯伟硅片技术有限公司 喷头、喷淋组件、冷却剂的供应方法及晶圆的研磨方法
JP2022084051A (ja) * 2020-11-26 2022-06-07 Towa株式会社 ブレードカバー、切断装置、及び、切断品の製造方法
CN112847107B (zh) * 2021-01-02 2023-04-07 河北中科同创科技发展有限公司 一种材料化学抛光设备
CN116277207B (zh) * 2022-12-02 2024-05-28 巨灵(南京)智能科技有限公司 一种聚氨酯泡沫复合板材的切割设备

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3479097A (en) * 1966-12-27 1969-11-18 Weyerhaeuser Co Fluid guide means
US3623520A (en) * 1969-09-17 1971-11-30 Mac Millan Bloedel Ltd Saw guide apparatus
US3848929A (en) * 1973-06-14 1974-11-19 Engelhard Min & Chem Water applicator for a pavement grooving machine
US4131267A (en) * 1978-06-02 1978-12-26 Disco Kabushiki Kaisha Apparatus for holding workpiece by suction
JPS554980A (en) * 1978-06-27 1980-01-14 Nec Home Electronics Ltd Semicondutor device manufacturing method
US4521995A (en) * 1980-05-23 1985-06-11 Disco Co., Ltd. Wafer attracting and fixing device
US4672557A (en) * 1983-03-26 1987-06-09 Disco Abrasive Systems, Ltd. Automatic accurate alignment system
JPS59182933U (ja) * 1983-05-23 1984-12-06 株式会社 デイスコ ウェーハ装着機
JPS60100450A (ja) * 1983-11-07 1985-06-04 Disco Abrasive Sys Ltd 半導体ウエーハ装着及び切断装置
JPH0619670B2 (ja) * 1984-12-17 1994-03-16 株式会社デイスコ 自動精密位置合せシステム
DE3586944T2 (de) * 1984-12-27 1993-05-06 Disco Abrasive Systems Ltd Vorrichtung zum abtrennen von halbleiterscheiben.
US4619081A (en) * 1985-02-28 1986-10-28 General Signal Corporation Combined nozzle with air foil
US4872289A (en) * 1986-06-10 1989-10-10 Disco Abrasive Systems, Ltd. Cutter
US4846623A (en) * 1986-10-08 1989-07-11 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer transferring device
US4715254A (en) * 1987-01-14 1987-12-29 Degan Allen D Saw guide with cooling and lubricating capability
JPH0271973A (ja) * 1988-09-02 1990-03-12 Alps Electric Co Ltd 研削加工機の研削液供給ノズル
US5159866A (en) * 1990-03-28 1992-11-03 Dunham James L Saw guide with sonic regulated gas lubrication
JPH05293757A (ja) * 1992-04-22 1993-11-09 Sony Corp 研削油剤供給装置
US5331743A (en) * 1993-04-26 1994-07-26 Lump Charles A Tile saw apparatus
JPH07299748A (ja) * 1994-05-10 1995-11-14 Tokyo Seimitsu Co Ltd 薄溝加工機及び薄溝加工方法
US5761979A (en) * 1996-03-07 1998-06-09 Mcgehee; Ronald W. Edge trimming and board ripping apparatus and method
US5915370A (en) * 1996-03-13 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Saw for segmenting a semiconductor wafer
JPH10146761A (ja) * 1996-11-18 1998-06-02 Nagase Integrex:Kk 加工液供給装置及び同装置に用いられるノズル並びに同ノズルの加工方法
KR100225909B1 (ko) 1997-05-29 1999-10-15 윤종용 웨이퍼 소잉 장치
TW418505B (en) * 1997-07-02 2001-01-11 Disco Corp Device and method for precise cutting
US6165232A (en) * 1998-03-13 2000-12-26 Towa Corporation Method and apparatus for securely holding a substrate during dicing
IT1300015B1 (it) * 1998-05-07 2000-04-04 Skc Di Tondini Claudio Copridisco per taglierina elettrica con raffreddamento del disco ad acqua.
JP3894526B2 (ja) * 1998-07-06 2007-03-22 株式会社ディスコ 切削装置
JP3516592B2 (ja) * 1998-08-18 2004-04-05 沖電気工業株式会社 半導体装置およびその製造方法
TW423113B (en) * 1998-09-18 2001-02-21 Towa Corp Arrangement configured to support substrate during dicing process, and apparatus and method for cutting tapeless substrate using the arrangement
JP2000124161A (ja) * 1998-10-14 2000-04-28 Disco Abrasive Syst Ltd 基盤の分割方法
TW437002B (en) * 1998-11-06 2001-05-28 Disco Abrasive System Ltd CSP substrate dividing apparatus
US6055694A (en) * 1998-11-30 2000-05-02 Tsk America, Inc. Wafer scrubbing machine
US6050163A (en) * 1999-01-15 2000-04-18 Cutting Edge Designs, L.L.C. Saw blade having liquid transport cavity for use with lubricating guide support assembly
GB2346186B (en) * 1999-01-26 2002-11-27 Adwest Bowden Tsk Ltd Means for anchoring an elongate member
JP2000232080A (ja) * 1999-02-10 2000-08-22 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の分割システム及びペレットの移し替え装置
JP4509243B2 (ja) * 1999-03-04 2010-07-21 株式会社ディスコ 積層被加工物の切削方法
JP2000260740A (ja) * 1999-03-12 2000-09-22 Disco Abrasive Syst Ltd スピンナー洗浄装置
US6290274B1 (en) * 1999-04-09 2001-09-18 Tsk America, Inc. Vacuum system and method for securing a semiconductor wafer in a planar position
JP2000323440A (ja) * 1999-05-10 2000-11-24 Disco Abrasive Syst Ltd チャックテーブル
JP4447074B2 (ja) * 1999-06-21 2010-04-07 株式会社ディスコ 切削装置
US6344402B1 (en) * 1999-07-28 2002-02-05 Disco Corporation Method of dicing workpiece
JP2001077057A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Disco Abrasive Syst Ltd Csp基板分割装置
JP4388640B2 (ja) * 1999-09-10 2009-12-24 株式会社ディスコ Csp基板保持部材及び該csp基板保持部材が載置されるcsp基板用テーブル
JP4387007B2 (ja) * 1999-10-26 2009-12-16 株式会社ディスコ 半導体ウェーハの分割方法
US6483180B1 (en) * 1999-12-23 2002-11-19 National Semiconductor Corporation Lead frame design for burr-free singulation of molded array packages
IL134693A0 (en) * 2000-02-23 2001-04-30 Kulicke & Soffa Investments Attachment for a dicing saw
JP2001259961A (ja) * 2000-03-15 2001-09-25 Disco Abrasive Syst Ltd 加工装置
JP4687838B2 (ja) * 2000-04-04 2011-05-25 株式会社ディスコ 半導体チップの製造方法
JP4675451B2 (ja) * 2000-04-14 2011-04-20 株式会社ディスコ 切削装置
TWI228780B (en) * 2000-05-11 2005-03-01 Disco Corp Semiconductor wafer dividing method
JP4462717B2 (ja) * 2000-05-22 2010-05-12 株式会社ディスコ 回転ブレードの位置検出装置
JP2002028073A (ja) * 2000-07-13 2002-01-29 Disco Abrasive Syst Ltd 伸縮自在カーテン
JP4640715B2 (ja) * 2000-07-14 2011-03-02 株式会社ディスコ アライメント方法及びアライメント装置
SG97193A1 (en) * 2000-08-28 2003-07-18 Disco Corp Cutting machine
KR20020021556A (ko) * 2000-09-15 2002-03-21 이해동 칩 사이즈 팩키지의 싱귤레이션 장치 및 방법
JP2002103177A (ja) * 2000-09-27 2002-04-09 Disco Abrasive Syst Ltd 排水装置
JP2002141308A (ja) * 2000-11-06 2002-05-17 Tokyo Seimitsu Co Ltd ダイシング装置
JP2002237472A (ja) * 2001-02-07 2002-08-23 Disco Abrasive Syst Ltd 被加工物の切削方法
JP2002264002A (ja) * 2001-03-08 2002-09-18 Sumitomo Special Metals Co Ltd ワーク切断装置およびワーク切断方法
JP3921354B2 (ja) * 2001-04-25 2007-05-30 Towa株式会社 切断装置及び切断方法
US7267037B2 (en) 2001-05-05 2007-09-11 David Walter Smith Bidirectional singulation saw and method
JP4700225B2 (ja) * 2001-06-01 2011-06-15 株式会社ディスコ 半導体ウエーハの切削方法
TW498443B (en) * 2001-06-21 2002-08-11 Advanced Semiconductor Eng Singulation method for manufacturing multiple lead-free semiconductor packages
JP4740488B2 (ja) * 2001-08-20 2011-08-03 株式会社ディスコ ダイシング装置
US6494775B1 (en) * 2001-10-15 2002-12-17 Tsk America Wafer carrier having more support ribs and lighter weight and method
JP2003311618A (ja) * 2002-04-26 2003-11-05 Shinichi Toe 研削砥石に用いる流体供給ノズル及び研削方法

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