JP2006237333A - 半導体ウエーハの研削方法および研削装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】 静電気の帯電を抑えて、厚さ計測装置の計測端子に研削屑が付着することを防止し、これによって正確な厚さに半導体ウエーハを研削することができる信頼性の高い半導体ウエーハの研削方法および研削装置を提供する。
【解決手段】 チャックテーブル17に保持した半導体ウエーハWの被研削面を、厚さ計測装置40によって半導体ウエーハWの厚さを計測しながら、また、研削液供給装置から研削液を被研削面に供給しながら、研削ユニット20A,20Bの研削ホイール24で研削する際に、研削液として、純水に二酸化炭素を混合した導電性を有するものを用い、研削屑の付着の原因となっていた静電気の発生を抑える。
【選択図】 図1
【解決手段】 チャックテーブル17に保持した半導体ウエーハWの被研削面を、厚さ計測装置40によって半導体ウエーハWの厚さを計測しながら、また、研削液供給装置から研削液を被研削面に供給しながら、研削ユニット20A,20Bの研削ホイール24で研削する際に、研削液として、純水に二酸化炭素を混合した導電性を有するものを用い、研削屑の付着の原因となっていた静電気の発生を抑える。
【選択図】 図1
Description
本発明は、半導体ウエーハの厚さを計測しながら、その厚さを適宜な厚さまで正確に研削する半導体ウエーハの研削方法および研削装置に関する。
ICやLSI等の電子回路が表面に形成された半導体チップは、各種電気・電子機器を小型化する上で今や必須のものとなっている。半導体チップは、円盤状の半導体ウエーハの表面に、ストリートと呼ばれる切断ラインで格子状の矩形領域を区画し、これら矩形領域に電子回路を形成した後、半導体ウエーハをストリートに沿って分割するといった工程で製造される。
このような製造工程において、半導体ウエーハは、半導体チップに分割されるに先だち、電子回路が形成されたデバイス面とは反対側の裏面が、グラインダ等の研削装置によって研削されている。裏面の研削は、電子機器のさらなる小型化や軽量化の他、熱放散性を向上させて性能を維持させることなどを目的としており、例えば、当初厚さの600μmから、200〜100μm以下、あるいは50μm以下の厚さにする程度まで行われる。
半導体ウエーハを所定の厚さに研削するには、厚さ計測装置によって半導体ウエーハの厚さを逐一確認しながら、その厚さに達した時点で研削を終了するといった方法が採られる。厚さ計測装置としては、被研削面に計測端子の先端を接触させ、研削による厚さの減少に伴って下降する計測端子の高さ:変位計測値と、研削前の基準面での計測端子の高さ:基準値を比較して、研削中の半導体ウエーハの厚さを計測するものが知られている(例えば特許文献1,2参照)。
ところで、半導体ウエーハを研削する際には、上記各特許文献にも記載されるように、被研削面に研削水を供給しながら行う場合が多い。研削水の供給は、被研削面の冷却、潤滑、清浄等を目的としている。その研削水としては、通常の上水を用いると、そこに含まれる不純物が半導体ウエーハに取り込まれて性能を低下させるおそれがあることから、純水が最適とされている。
さて、上記のような厚さ計測装置によって厚さを計測しながら半導体ウエーハを研削した場合において、その計測装置の計測値にしたがって仕上げた半導体ウエーハの厚さを実測すると、規定の厚さよりも薄くなるものがあった。この誤計測の原因を本出願人が調査したところ、計測端子の先端に研削屑である粉塵が付着し、そのため、実際よりも厚く計測してしまうことが判明した。さらに、そのように粉塵が計測端子に付着する理由としては、研削水が純水であることに起因することが推測された。
これは、純水は比抵抗値(抵抗率)が大きいために、研削時の摩擦によって静電気が発生し、それが計測端子に帯電して研削屑が吸着されやすくなるからである。実際に、純水を上水(上水は、純水よりも不純物を多く含み比抵抗値が比較的小さい)に変えて研削を行った場合には、研削屑の付着による誤計測は起こらなかったことから、研削水が純水であることが、誤計測の根本的な原因であることが確認された。
よって本発明は、静電気の帯電を抑えて、厚さ計測装置の計測端子に研削屑が付着することを防止し、これによって正確な厚さに半導体ウエーハを研削することができる信頼性の高い半導体ウエーハの研削方法および研削装置を提供することを目的としている。
本発明の半導体ウエーハの研削方法は、チャックテーブルに保持した半導体ウエーハの被研削面に、厚さ計測手段の計測端子を接触させて該厚さ計測手段により該半導体ウエーハの厚さを計測しながら、該被研削面を、研削手段が具備する研削ホイールで研削するにあたり、被研削面に、導電性を有する研削液を供給することを特徴としている。
上記本発明の研削方法によれば、導電性を有することから、研削液は純水と比較すると比抵抗値が低く、研削中の半導体ウエーハには静電気が生じにくい。このため、厚さ計測手段の計測端子先端に研削屑である粉塵が付着しにくくなり、半導体ウエーハの厚さを正確に計測しながら研削することができる。その結果、半導体ウエーハを所定の厚さに正確に研削することができる。
上記方法においては、研削手段として、粗研削用の第1の研削手段と、仕上げ研削用の第2の研削手段とを用いるとともに、チャックテーブルを、ターンテーブルに2つ以上配設し、このターンテーブルを回転させることによって、各チャックテーブルに保持した半導体ウエーハを第1の研削手段と第2の研削手段とに、この順で位置付けることを、好ましい具体的な方法とする。この方法では、粗研削と仕上げ研削を要する場合に、それらの工程を連続的、かつ円滑に行うことができるので、生産性の向上が図られる。
なお、導電性を有する研削液としては、比抵抗値が1(MΩ・cm)以下に調整された液体が、有効な導電性を得るために好適とされ、具体的には、純水に二酸化炭素を1ppm以上混入して調整されたものが挙げられる。また、過酸化水素水あるいはアンモニア水も、同様にして用いることができる。
次に、本発明の半導体ウエーハの研削装置は、半導体ウエーハが回転可能に保持されるチャックテーブルと、このチャックテーブルに保持された半導体ウエーハの被研削面を研削する研削ホイールを備えた研削手段と、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハに接触する計測端子を備え、該半導体ウエーハの厚さを計測する厚さ計測手段と、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの被研削面に導電性を有する研削液を供給する研削液供給手段とを備えることを特徴としている。
上記本発明の研削装置は、本発明の研削方法を好適に実施可能とするものである。すなわち本装置によれば、半導体ウエーハの被研削面を研削手段の研削ホイールで研削する際に、研削液供給手段から導電性を有する研削液が半導体ウエーハの被研削面に供給される。したがって前述したように、厚さ計測手段の計測端子先端への研削屑の付着が抑えられ、半導体ウエーハを所定の厚さに正確に研削することができる。
本発明の研削装置は、研削手段として、粗研削用の第1の研削手段と、仕上げ研削用の第2の研削手段とを備えるとともに、チャックテーブルがターンテーブルに2つ以上配設され、このターンテーブルを回転させることによって各チャックテーブルに保持された半導体ウエーハが、第1の研削手段と第2の研削手段とに、この順で位置付けられる形態を含む。この形態により、粗研削と仕上げ研削を連続的、かつ円滑に行うことができ、生産性を向上させることができる。
本発明の研削装置の上記研削液供給手段は、純水と二酸化炭素とを適宜な割合で混合することによって導電性を有する研削液を調整する気液混合部と、この気液混合部で調製された研削液を、チャックテーブルに保持された半導体ウエーハの被研削面に供給する研削液供給部とを備えることを、好ましい具体的形態としている。
本発明は、計測端子を備えた厚さ計測手段を用いて厚さを計測しながら半導体ウエーハを研削するにあたって、被研削面に導電性を有する研削液を供給しながら行うことを特徴する。このため、静電気の帯電が抑えられて計測端子に研削屑が付着することが防止され、これによって正確な厚さに半導体ウエーハを研削することができるといった効果を奏する。
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
[1]装置の構成
図1は、一実施形態に係る研削装置の全体を示しており、図中符号10は、各種機構が搭載される基台である。この基台10は、横長の状態に設置されて基台10の主体をなす直方体状のテーブル11と、このテーブル11の長手方向の一端部(図1の奥側の端部)から、テーブル11の幅方向かつ鉛直方向上方に延びる壁部12とを有している。図1では、基台10の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。
[1]装置の構成
図1は、一実施形態に係る研削装置の全体を示しており、図中符号10は、各種機構が搭載される基台である。この基台10は、横長の状態に設置されて基台10の主体をなす直方体状のテーブル11と、このテーブル11の長手方向の一端部(図1の奥側の端部)から、テーブル11の幅方向かつ鉛直方向上方に延びる壁部12とを有している。図1では、基台10の長手方向、幅方向および鉛直方向を、それぞれY方向、X方向およびZ方向で示している。
この研削装置は、表面に電子回路が形成された半導体ウエーハWの裏面を、ほぼ製品に近い厚さになるまで研削する装置である。研削対象の半導体ウエーハWの厚さは例えば600μm程度であり、その表面には、電子回路を保護する塩化ビニル製等の保護テープTが貼られている。
基台10のテーブル11上は、長手方向のほぼ中間部分から壁部12側が研削エリア11Aとされ、この反対側が、研削エリア11Aに研削前の半導体ウエーハWを供給し、かつ、研削後の半導体ウエーハWを回収する供給・回収エリア11Bとされている。
以下、本装置が備える各種機構を、研削エリア11Aに設けられるものと供給・回収エリア11Bに設けられものとに分けて説明する。
以下、本装置が備える各種機構を、研削エリア11Aに設けられるものと供給・回収エリア11Bに設けられものとに分けて説明する。
(a)研削エリア11Aの機構
研削エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13には、回転中心の軸線がZ方向に延び、上面が水平とされた円盤状のターンテーブル14が回転自在に設けられている。このターンテーブル14は、テーブル11内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられるようになっている。
研削エリア11Aには矩形状の凹所13が形成されており、この凹所13には、回転中心の軸線がZ方向に延び、上面が水平とされた円盤状のターンテーブル14が回転自在に設けられている。このターンテーブル14は、テーブル11内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって矢印R方向に回転させられるようになっている。
ターンテーブル14上には、回転中心の軸線がターンテーブル14のそれと同一のZ方向に延び、上面が水平とされた円盤状のチャックテーブル17が、円周等分3箇所に回転自在に設けられている。半導体ウエーハWは、裏面(被研削面)を上に向けて、これらチャックテーブル17上に同心的に載置される。各チャックテーブル17は、それぞれがターンテーブル14内に設けられた図示せぬ回転駆動機構によって、一方向、または両方向に回転させられるようになっている。
チャックテーブル17は半導体ウエーハWよりもやや大径であり、載置された半導体ウエーハWの周囲の余剰部分の上面が、後述する厚さ計測装置40によって半導体ウエーハWの厚さを計測する際の基準面とされる。
チャックテーブル17のチャック方式は、この場合、周知のバキュームチャックである。すなわち、チャックテーブル17は多孔質セラミックスのような多孔質材料で成形されており、テーブル11内に設けられた図示せぬバキューム装置の空気吸引口がチャックテーブル17の裏面に接続され、バキューム装置を運転すると、半導体ウエーハWがチャックテーブル17上に吸着・保持されるようになっている。
チャックテーブル17が矢印R方向に回転して、図1に示すように2つのチャックテーブル17が壁部12側でX方向に並んだ状態において、それらチャックテーブル17の直上には、ターンテーブル14の回転方向上流側から順に、粗研削用の第1の研削ユニット(第1の研削手段)20Aと、仕上げ研削用の第2の研削ユニット(第2の研削手段)20Bとが、それぞれ配されている。なお、2つのチャックテーブル17がテーブル11の幅方向に並んだ時には、他の1つのチャックテーブル17は最も供給・回収エリア11Bに近付く。
各チャックテーブル17は、ターンテーブル14の間欠的な回転によって、第1の研削ユニット20Aの下方である第1の研削位置と、第2の研削ユニット20Bの下方である第2の研削位置と、最も供給・回収エリア11Bに近付いた供給・回収位置との3位置に、それぞれ位置付けられる。チャックテーブル17上に保持された半導体ウエーハWは、第1の研削位置で第1の研削ユニット20Aにより粗研削され、第2の研削位置で第2の研削ユニット20Bにより仕上げ研削される。
これら研削ユニット20A,20Bは同様の構成であるから、共通の符号を付して説明する。各研削ユニット20A,20Bは、基台10の壁部12に、送り機構30を介してZ方向に昇降自在に支持されている。送り機構30は、鉛直面とされた壁部12の内面に固定された互いに平行でZ方向に延びる一対のガイドレール31と、これらガイドレール31に摺動自在に取り付けられたスライダ32と、このスライダ32をガイドレール31に沿って往復動させるスライダ駆動機構33とを備えている。
スライダ駆動機構33は、スライダ32と壁部12との間の空間に、軸方向をZ方向と平行にして配され、上端部および下端部が、それぞれ壁部12に設けられた軸受34,35に回転自在に取り付けられた螺子ロッド36と、この螺子ロッド36を回転駆動するパルスモータ37とを備えている。螺子ロッド36は、スライダ32の背面に突出形成された図示せぬブラケットに螺合して貫通している。これにより、スライダ32は、パルスモータ37が正転して螺子ロッド36が一方向に回転した場合には下方(送り方向)に移動し、パルスモータ37が逆転して螺子ロッド36が逆方向に回転すると上方(退避方向)に移動する。
上記各研削ユニット20A,20Bは、スライダ32のテーブル11側に面する前面に、ブロック32aを介して固定されている。各研削ユニット20A,20Bは、図2に示すように、軸方向がZ方向に沿う状態にブロック32aに通され、かつ、このブロック32aに固定された円筒状のハウジング21と、このハウジング21の内部に回転自在に挿入された回転軸22と、この回転軸22を回転駆動するサーボモータ23と、ハウジング21から下方に突出する回転軸22の下端に取り付けられた研削ホイール24とを備えている。
回転軸22は、ハウジング21の内面との間に均一な微小隙間を隔ててラジアル/スラスト方向を支持する周知のエアベアリング機構により、ハウジング21内に回転自在に支持されている。回転軸22のハウジング21内における下端部の外周面にはスラストベアリング22aが形成されており、このスラストベアリング22aがハウジング21の内周面に形成された環状の溝21aに嵌入されることにより、回転軸22のスラスト方向が支持されるようになっている。この回転軸22の回転中心には、軸方向に沿って延びる貫通孔22bが形成されている。
この場合のサーボモータ23は周知の永久磁石式であって、回転軸22の上端部外周面に一体的に固着された永久磁石製の円筒状ロータ23aと、このロータ23aを包囲する状態にハウジング21の内周面に固定された円筒状のステータ23bとからなるもので、ステータ23bのコイル電圧を印加するとロータ23aが回転し、これによって回転軸22が軸回りに回転するようになっている。
回転軸22は、その下端に円盤状のホイールマウント25を有している。このホイールマウント25は、回転軸22の回転中心と同心であり、図3に示すように、円周方向の等分複数箇所に、ボルト挿通孔25aが貫通形成されている。このホイールマウント25の下面には、該ホイールマウント25と同心的に環状の溝25bが形成されている。そしてホイールマウント25内には、この溝25bと貫通孔22bとを連通させる複数(図示例では4つ)の連通路25cが、放射状に形成されている。
上記研削ホイール24は、上記ホイールマウント25の下面であるマウント面に、着脱自在に取り付けられる。研削ホイール24は、図2および図4に示すように、ホイールマウント25と同径のホイールリング24aの下面に、実際に半導体ウエーハの裏面を研削する多数のチップ状の砥石24bが固着されてなるものである。図4(b)、(c)に示すように、ホイールリング24aの内周部の下側(砥石24b側)であって、砥石24bの内周側は面取り状に加工されている。ホイールリング24aには、この傾斜面24cから上面に通じる多数の孔24dが、周方向に等間隔をおいて形成されている。これら孔24dは、ホイールマウント25の下面において砥石24bの内周側に開口しており、また、ホイールマウント25の溝25bと同一径の円周に沿って形成されている。
研削ホイール24の砥石24bは、例えばレジンボンド製であって、上記第1の研削ユニット20Aの砥石24bは粗研削用のものが用いられ、上記第2の研削ユニット20Bの砥石24bは仕上げ研削用のものが用いられる。
ホイールリング24aの上面(砥石24bが固着されていない面)には、ホイールマウント25の複数のボルト挿通孔25aに一致する貫通しない複数の螺子穴24eが形成されている。なお、この場合の研削ホイール24の外径は、半導体ウエーハWの直径とほぼ同一ないし1.5倍程度とされるが、寸法はこれに限定されるものではない。
研削ホイール24は、ホイールリング24aを回転軸22のホイールマウント25のマウント面に合わせ、なおかつ螺子穴24eをボルト挿通孔25aに一致させ、ボルト挿通孔25aに通したボルト26を螺子穴24eにねじ込んで締結することにより、ホイールマウント25に取り付けられる。
図2に示すように、この取り付け状態で、研削ホイール24は回転軸22と同心となり、また、研削ホイール24の多数の孔24dは、ホイールマウント25の環状の溝25bに連通する。したがって、回転軸22の貫通孔22bは、連通路25c、溝25b、孔24dを経て、研削ホイール24の下面における砥石24bの内周側の空間に連通する。研削ホイール24は回転軸22と一体に回転するが、その回転中心の軸線が、上記各チャックテーブル17の回転中心の軸線と平行でZ方向に延びるように、各研削ユニット20A,20Bは、ハウジング21を介してスライダ32に固定されている。
前述したように、チャックテーブル17上には、裏面を上に向けられた半導体ウエーハWが、チャックテーブル17上に同心の状態で載置される。そして、ターンテーブル14の回転によって上記の第1の研削位置および第2の研削位置に到達したチャックテーブル17上に保持された半導体ウエーハWは、図2に示すように、研削ホイール24に対して同軸ではなく、供給・回収エリア側(図2で左側)に自身の半径よりもやや短い距離ずれて位置付けられるようになっている。
この配置関係により、チャックテーブル17とともに半導体ウエーハWを回転させながら、研削ホイール24の砥石24bを半導体ウエーハWの被研削面(上方に向けられた裏面)に押圧させると、その裏面全面を、研削ホイール24によって研削することができる。その時、半導体ウエーハWの被研削面には、研削ホイール24で覆われない非研削領域が供給・回収エリア側に現れることになる。
図1に示すように、凹所13の壁部12寄りであって、上記第1および第2の各研削位置の近傍位置に、研削する半導体ウエーハWの厚さを計測する厚さ計測装置40が配設されている。これら厚さ計測装置40は、円筒状の計測本体部41に、先端が下に向き、上下動するL字状の計測端子42が、旋回自在に設けられたものである。
この厚さ計測装置40によれば、はじめに計測端子42の先端をチャックテーブル17の表面に接触させて基準値を定め、次いで、その先端を、研削する半導体ウエーハWの上面の非研削領域に接触させると、その時の計測値と基準値との差から、半導体ウエーハWの厚さが計測される。半導体ウエーハWを研削中は、計測端子42は厚さの減少に伴って下降し、半導体ウエーハWの厚さが逐一計測される。
図1に示すように、本装置には研削液供給装置50が設けられている。該装置50からは、各研削ユニット20A,20Bの各回転軸22の貫通孔22b内に、研削液が所定の供給量(例えば、2〜3リットル/分)の割合で供給されるようになっている。
研削液供給装置50は、純水と二酸化炭素とを適宜な割合で混合することによって導電性を有する研削液を調整する気液混合部51と、この気液混合部51で調製された研削液(炭酸水)を、回動軸22の貫通孔22b上に導き、貫通孔22b内に落下させる配管52とを備えている(図2参照)。
研削液の、純水に対する二酸化炭素の混合割合(濃度)は、二酸化炭素を1ppm以上混合したものが、図5に示すように、比抵抗値が1(MΩ・cm)以下に調整され、有効な導電性を得られるので好ましい。
配管52から貫通孔22b内に供給された研削液は、ホイールマウント25の連通路25cに流入し、さらに、溝25bから、ホイールリング24aの孔24dを経て、研削ホイール24の下面における砥石24bの内周側の空間に排出する。このように排出した研削液は、各研削ユニット20A,20Bが稼働して回転軸22が回転していると、図4(c)の矢印で示すように、遠心力で外周側に吹き飛ばされる。
なお、上記研削液供給装置50としては、本出願人の発明が記載されている特許文献:特開2003−291065号公報に開示される流体混合装置を好適に用いることができる。
また、図1に示すように、凹所13における上記供給・回収位置の近傍位置には、供給・回収位置にあるチャックテーブル17に洗浄水を噴射してチャックテーブル17を洗浄するチャックテーブル洗浄ノズル57が配されている。このノズル57から噴射される洗浄液は、上記研削液供給装置50の気液混合部51で調製された研削液が流用される。
(b)供給・回収エリア11Bの機構
図1に示すように、基台10のテーブル11上に設定された上記供給・回収エリア11Bには、上記凹所13よりも狭く、かつ深い矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18の底部には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク60bが装着された移送機構60が設置されている。
図1に示すように、基台10のテーブル11上に設定された上記供給・回収エリア11Bには、上記凹所13よりも狭く、かつ深い矩形状の凹所18が形成されており、この凹所18の底部には、昇降自在とされた2節リンク式の水平旋回アーム60aの先端にフォーク60bが装着された移送機構60が設置されている。
そして、凹所18の周囲のテーブル11上には、上から見た状態で、反時計回りに、カセット61、位置合わせ台62、1節の水平旋回アーム63aの先端に吸着板63bが取り付けられた供給アーム63、供給アーム63と同じ構造で、水平旋回アーム64aおよび吸着板64bを有する回収アーム64、スピンナ式の洗浄装置65、カセット66が、それぞれ配置されている。
カセット61、位置合わせ台62および供給アーム63は、裏面を研削すべき半導体ウエーハWをチャックテーブル17に供給する手段であり、回収アーム64、洗浄装置65およびカセット66は、研削後の半導体ウエーハWをチャックテーブル17から回収する手段である。2つのカセット61,66は同一の構造であるが、ここでは用途別に、供給カセット61、回収カセット66と称する。これらカセット61,66は、複数の半導体ウエーハWを収容して持ち運びするためのもので、テーブル11の所定位置にセットされる。
供給カセット61には、当該研削装置で裏面を研削すべき複数の半導体ウエーハWが、積層された状態で収容される。移送機構60は、アーム60aの昇降・旋回と、フォーク60bの把持動作によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハWを取り出し、さらにその半導体ウエーハWを、裏面を上に向けた状態で、位置合わせ台62上に載置する機能を有する。
位置合わせ台62上に載置された半導体ウエーハWは、一定の位置に決められた状態で載置される。供給アーム63は、位置合わせ台62上に載置された半導体ウエーハWを吸着板63bに吸着し、アーム63aを旋回させて、チャックテーブル17上に半導体ウエーハWを配し、この後、吸着動作を停止することにより、チャックテーブル17上に半導体ウエーハWを載置する機能を有する。位置合わせ台62で位置決めされた半導体ウエーハWを、供給・回収位置のチャックテーブル17上に載置することにより、半導体ウエーハWとチャックテーブル17とは同心状となる。
回収アーム64は、上記各研削ユニット20A,20Bによって裏面が研削されたチャックテーブル17上の半導体ウエーハWを吸着板64bに吸着し、アーム64aを旋回させて、半導体ウエーハWを洗浄装置65内に移送する機能を有する。洗浄装置65は、半導体ウエーハWを水洗した後、半導体ウエーハWを回転させて水分を振り飛ばし除去する機能を有する。なお、洗浄装置65で用いられる洗浄水は、上記研削液供給装置50の気液混合部51で調製された研削液が流用される。そして、洗浄装置65によって洗浄された半導体ウエーハWは、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。
上記のように、供給アーム63によってチャックテーブル17上に半導体ウエーハWを載置し、また、回収アーム64によってチャックテーブル17上の半導体ウエーハWを回収する際には、ターンテーブル14を回転させてチャックテーブル17を供給・回収位置で停止させる。その供給・回収位置は、各アーム63,64の吸着板63a,64aに吸着された半導体ウエーハWの中心と、チャックテーブル17の回転中心と結ぶ線が、Z方向に沿う位置である。
[2]装置の動作
続いて、以上の構成からなる一実施形態の研削装置の使用方法ならびに動作を、以下に説明する。ここで説明する動作は、本発明の研削方法の具体例となる。
まず、オペレータは、裏面を研削すべき複数の半導体ウエーハWを収容した供給カセット61と、空の回収カセット66を、供給・回収エリア11Bの所定位置に、それぞれセットする。
続いて、以上の構成からなる一実施形態の研削装置の使用方法ならびに動作を、以下に説明する。ここで説明する動作は、本発明の研削方法の具体例となる。
まず、オペレータは、裏面を研削すべき複数の半導体ウエーハWを収容した供給カセット61と、空の回収カセット66を、供給・回収エリア11Bの所定位置に、それぞれセットする。
以上の準備を終えたら、半導体ウエーハWは、次の順で研削される。
移送機構60によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハWが取り出され、さらにその半導体ウエーハWは、移送機構60によって裏面を上に向けた状態で位置合わせ台62上に載置される。
移送機構60によって、供給カセット61内から1枚の半導体ウエーハWが取り出され、さらにその半導体ウエーハWは、移送機構60によって裏面を上に向けた状態で位置合わせ台62上に載置される。
次に、位置合わせ台62に載置された半導体ウエーハWは、供給アーム63により、予め供給・回収位置に停止しているチャックテーブル17上に、裏面を上に向けて同心状に載置される。そして、半導体ウエーハWは、バキューム装置によってチャックテーブル17上に吸着、保持される。
次に、ターンテーブル14が図1の矢印R方向に回転し、半導体ウエーハWを保持したチャックテーブル17を第1の研削位置に停止させる。ここで、供給・回収位置には、次のチャックテーブル17が位置付けられるので、予めこのチャックテーブル17には、上記のようにして、次に研削する半導体ウエーハWがセットされる。
次に、厚さ計測装置40の計測端子42の先端を、チャックテーブル17の基準面(載置された半導体ウエーハWの周囲の余剰部分の上面)に接触させて、厚さ計測の基準値を得る。続いて、計測端子42を半導体ウエーハWの非研削領域に接触させて、この時点での半導体ウエーハWの厚さを、厚さ計測装置40によって求める。
次に、第1の研削位置のチャックテーブル17を回転させて半導体ウエーハWを回転させ、これと同時に、予め上方で待機させていた第1の研削ユニット20Aの研削ホイール24を、サーボモータ23によって回転させるとともに、パルスモータ37を正転させて、送り機構30により第1の研削ユニット20Aを所定速度でゆっくり下降させる。なお、チャックテーブル17の回転方向は、研削ホイール24と同方向でもよく、また、逆方向であってもよい。
さらに、研削液供給装置50から、配管52を経由して純水に二酸化炭素が適量混合された導電性を有する研削液を、第1の研削ユニット20Aの回転軸22内に供給する。
第1の研削ユニット20Aが下降すると、回転する研削ホイール24の砥石24aが、回転している半導体ウエーハWの裏面を所定の荷重で押圧し、その裏面が徐々に粗研削される。半導体ウエーハWが回転することにより、その裏面全面が研削ホイール24で粗研削され、その研削中には、逐一厚さ計測装置40によって半導体ウエーハWの厚さが計測される。
また、回転軸22内に供給された研削液は、ホイールマウント25の連通路25cに流入して溝25bからホイールリング24aの孔24dを経て、図4(c)の矢印に示すように、その孔24dから遠心力で外周側に吹き飛ばされ、砥石24dで研削される半導体ウエーハWの被研削面に供給される。
このように、厚さ計測装置40によって厚さを計測しながら、また、研削液を供給しながら、半導体ウエーハWを粗研削し、その厚さが規定値(例えば120μm)に達したら、パルスモータ37を逆転させ、送り機構30によって第1の研削ユニット20Aを待機位置まで上昇させる。次いで、サーボモータ23を停止させて第1の研削ユニット20Aの研削動作を停止させるとともに、チャックテーブル17の回転も停止させ、粗研削を終了する。
続いて、粗研削を終えた半導体ウエーハWを、ターンテーブル14を回転させることによって第2の研削位置に移送する。ここで、予め供給・回収位置でセットされていた半導体ウエーハWは、第1の研削位置に移送させられ、この半導体ウエーハWは、先行する仕上げ研削と平行して、上記と同様に粗研削される。さらに、供給・回収位置に移動させられたチャックテーブル17上には、次に研削すべき半導体ウエーハWがセットされる。
さて、第2の研削位置に移送された半導体ウエーハWに対しては、上記と同様にして、厚さ計測装置40によって厚さを計測しながら、第2の研削ユニット20Bを作動させて半導体ウエーハWを仕上げ研削することが行われる。この時にも、第2の研削ユニット20Bの回動軸22内に、研削液供給装置50から配管52を経由して研削液を供給し、半導体ウエーハWの被研削面に、その研削液を供給する。
そして、研削される半導体ウエーハWの厚さが規定値(例えば100μm)に達したら、パルスモータ37を逆転させ、送り機構30によって第2の研削ユニット20Bを待機位置まで上昇させる。次いで、サーボモータ23を停止させて第2の研削ユニット20Bの研削動作を停止させるとともに、チャックテーブル17の回転も停止させ、仕上げ研削を終了する。
なお、第1および第2の研削ユニット20A,20Bに対する研削液の供給は、両者に対して間断なく連続的に供給してもよく、研削時のみに供給されるように制御してもよい。また、半導体ウエーハWの被研削面に供給された研削液は、ターンテーブル14から凹所13に流れ込むが、この凹所13には、研削液を排出させるための排出口19が設けられている(図1参照)。
ここで、上記の粗研削および仕上げ研削の好適な条件例を挙げておく。第1および第2の研削ユニット20A,20Bとも、研削ホイール24のサーボモータ23による回転速度は4000〜7000RPM、チャックテーブル17の回転速度は100〜300RPMである。また、送り機構30による第1の研削ユニット20Aの下降速度は3〜8μm/秒、第2の研削ユニット20Bの下降速度は0.3〜0.8μm/秒、研削ホイール24の砥石24bが半導体ウエーハWの裏面を押圧する荷重はは、各研削ユニット20A,20Bとも共通で10〜12kgである。
続いて、研削後の半導体ウエーハWを回収する動作を説明するが、この動作は、後続の半導体ウエーハWの粗研削が終了した段階で行う。まず、ターンテーブル14を回転させて仕上げ研削が終了した半導体ウエーハWを供給・回収位置まで移送させる。これにより、後続の半導体ウエーハWは第2の研削位置と、第1の研削位置に、それぞれ移送される。
供給・回収位置に移動したチャックテーブル17のバキューム装置を停止させ、チャックテーブル17上での半導体ウエーハWの保持状態を解除する。次に、その半導体ウエーハWを、回収アーム64によって洗浄装置65内に移送する。ここで半導体ウエーハWは水洗され、その後、回転させられて水分が除去される。
次いで、半導体ウエーハWは、移送機構60によって回収カセット66内に移送、収容される。また、回収アーム64によってチャックテーブル17から半導体ウエーハWが取り去られた後は、チャックテーブル洗浄ノズル57から、供給・回収位置で停止しているターンテーブル14上のチャックテーブル17に向けて洗浄水が噴射され、チャックテーブル17が洗浄される。
以上が1枚の半導体ウエーハWを粗研削、仕上げ研削した後に洗浄し、回収するサイクルである。本装置では、上記のようにターンテーブル14を間欠的に回転させながら、半導体ウエーハWに対して第1および第2の研削位置で粗研削と仕上げ研削を平行して行うことにより、複数の半導体ウエーハWの研削処理が効率よく行われる。
以上の動作を繰り返して、供給カセット61内の半導体ウエーハWが全て研削処理され、回収カセット66内に収容されると、オペレータは回収カセット66を回収して、研削後の複数の半導体ウエーハWを次の製品化工程に運搬する。そして、裏面を研削すべき新たな複数の半導体ウエーハWを収容した供給カセット61と、空の回収カセット66を、供給・回収エリア11Bの所定位置にそれぞれセットし、引き続き上記サイクルで研削作業を行う。なお、回収カセット66としては、空になった供給カセット61を流用してもよい。
[3]装置の効果
上記のようにして半導体ウエーハWを研削する本装置によれば、粗研削および仕上げ研削の双方において研削液を半導体ウエーハWの被研削面に供給することにより、被研削面は冷却、潤滑され、さらに研削屑が洗い流されて常に清浄な状態で研削される。
上記のようにして半導体ウエーハWを研削する本装置によれば、粗研削および仕上げ研削の双方において研削液を半導体ウエーハWの被研削面に供給することにより、被研削面は冷却、潤滑され、さらに研削屑が洗い流されて常に清浄な状態で研削される。
その研削液は、純水に二酸化炭素が混合されて導電性を有することから、従来用いられていた純水と比較すると比抵抗値が低く、研削中の半導体ウエーハWには静電気が生じにくい。このため、厚さ計測装置40の計測端子42の先端に研削屑である粉塵が付着しにくくなり、半導体ウエーハWの厚さを正確に計測しながら研削することができる。その結果、半導体ウエーハWを所定の厚さに正確に研削することができる。
また、半導体ウエーハWの被研削面に供給する研削液は、チャックテーブル洗浄ノズル57から噴射されて供給・回収位置のチャックテーブル17を洗浄する洗浄液と、洗浄装置65で用いられる洗浄水にも流用されている。このため、本装置全体において、静電気が徐電されて帯電しにくい状態になる。その結果、半導体ウエーハWを移送したり回収したりする各部分において、研削屑の付着が抑えられ、例えば、チャックテーブル17と半導体ウエーハWの間に研削屑が挟まれ、これによって半導体ウエーハWが破損するといった不具合の発生を招くことがない。
また、静電気の発生によって、研削ホイール24の孔24dの先端に研削屑が付着して研削液の供給が不十分になることも懸念されるが、本装置では、研削液が導電性を有し、徐電が効果的になされることから、そのように研削ホイール24の孔24dに研削屑が付着することは回避される。
[4]装置の別形態
次に、図6を参照して本発明の別形態を説明する。図6で上記一実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、それらについては説明を省略する。
次に、図6を参照して本発明の別形態を説明する。図6で上記一実施形態と同一の構成要素には同一の符号を付し、それらについては説明を省略する。
図6の研削装置は、直方体状のテーブル71および壁部72を有する基台70を備えている。テーブル71の上面には凹所73が形成されており、この凹所73上に、ステージ74がテーブル71の長手方向(図中Y方向)に沿って移動自在に設けられている。
このステージ74は、テーブル71内に配されたY方向に延びるガイドレールに摺動自在に取り付けられ、適宜な駆動機構(いずれも図示略)によって同方向を往復動させられる。そしてステージ74上には、上記一実施形態と同様のチャックテーブル17および厚さ計測装置40が設置されている。
ステージ74の移動方向両端部には、蛇腹75,76の一端が、それぞれ取り付けられており、これら蛇腹75,76の他端は、壁部72の内面と、壁部72に対向する凹所73の内壁面に、それぞれ取り付けられている。これら、蛇腹75,76は、ステージ74を上記ガイドレールに連結させるために凹所73の底面に形成された図示せぬスリットを覆って、ステージ74内に研削屑等が落下することを防ぐもので、ステージ74の移動に伴って伸縮し、その移動を妨げない。
壁部72には、上記一実施形態の研削ユニットと同様の1つの研削ユニット20が、送り機構30を介して取り付けられている。この研削ユニット20には、粗研削用または仕上げ研削用のいずれかの研削ホイール24が取り付けられる。
この研削装置によれば、チャックテーブル17に保持した半導体ウエーハWを、ステージ74ごと研削ユニット20の下方の研削位置に移送し、ここで、厚さ計測装置40によって厚さを計測しながら、また、研削液供給装置50から研削液を供給しながら、研削ユニット20によって半導体ウエーハWを上記一実施形態と同様に研削する。
規定の厚さまで半導体ウエーハWを研削したら、研削ユニット20を待機位置まで上昇させるとともに、研削ホイール24を停止させる。次いで、チャックテーブル17の回転を停止させ、ステージ74を壁部72から離れる方向に移動させて、研削した半導体ウエーハWを回収する。
本装置によっても、半導体ウエーハWの被研削面に供給される研削液が、上記一実施形態と同様に純水に二酸化炭素を混合させた導電性を有するものであるから、徐電が効果的になされる。このため、厚さ計測装置40の計測端子42の先端に研削屑が付着しにくく、半導体ウエーハWの厚さを正確に計測しながら研削することができ、半導体ウエーハWを所定の厚さに正確に研削することができる。
なお導電性を有する研削液として、上記各実施形態では、純水に二酸化炭素を混合させた炭酸水を用いているが、本発明では導電性を有するものであれば適宜に用いることができ、例えば、炭酸水以外では、過酸化水素水やアンモニア水等が挙げられる。
14…ターンテーブル、17…チャックテーブル、20…研削ユニット(研削手段)、
20A…第1の研削ユニット(第1の研削手段)、
20B…第2の研削ユニット(第2の研削手段)、
40…厚さ計測装置(厚さ計測手段)、42…計測端子、
50…研削液供給装置(研削液供給手段)、51…気液混合部、
52…配管(研削液供給部)、W…半導体ウエーハ。
20A…第1の研削ユニット(第1の研削手段)、
20B…第2の研削ユニット(第2の研削手段)、
40…厚さ計測装置(厚さ計測手段)、42…計測端子、
50…研削液供給装置(研削液供給手段)、51…気液混合部、
52…配管(研削液供給部)、W…半導体ウエーハ。
Claims (7)
- チャックテーブルに保持した半導体ウエーハの被研削面に、厚さ計測手段の計測端子を接触させて該厚さ計測手段により該半導体ウエーハの厚さを計測しながら、該被研削面を、研削手段が具備する研削ホイールで研削するにあたり、
前記被研削面に、導電性を有する研削液を供給することを特徴とする半導体ウエーハの研削方法。 - 前記研削手段として、粗研削用の第1の研削手段と、仕上げ研削用の第2の研削手段とを用いるとともに、前記チャックテーブルを、ターンテーブルに2つ以上配設し、このターンテーブルを回転させることによって、各チャックテーブルに保持した半導体ウエーハを前記第1の研削手段と前記第2の研削手段とに、この順で位置付けることを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハの研削方法。
- 前記研削液として、比抵抗値が1(MΩ・cm)以下に調整された液体を用いることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体ウエーハの研削方法。
- 前記研削液は、純水に二酸化炭素を1ppm以上混入して調整されたものであることを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の半導体ウエーハの研削方法。
- 半導体ウエーハが回転可能に保持されるチャックテーブルと、
このチャックテーブルに保持された半導体ウエーハの被研削面を研削する研削ホイールを備えた研削手段と、
前記チャックテーブルに保持された半導体ウエーハに接触する計測端子を備え、該半導体ウエーハの厚さを計測する厚さ計測手段と、
前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハの被研削面に導電性を有する研削液を供給する研削液供給手段と
を備えることを特徴とする半導体ウエーハの研削装置。 - 前記研削手段として、粗研削用の第1の研削手段と、仕上げ研削用の第2の研削手段とを備えるとともに、前記チャックテーブルがターンテーブルに2つ以上配設され、
このターンテーブルを回転させることによって、各チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハが、前記第1の研削手段と前記第2の研削手段とに、この順で位置付けられることを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエーハの研削装置。 - 前記研削液供給手段は、純水と二酸化炭素とを適宜な割合で混合することによって導電性を有する研削液を調整する気液混合部と、
この気液混合部で調製された前記研削液を、前記チャックテーブルに保持された前記半導体ウエーハの前記被研削面に供給する研削液供給部と
を備えることを特徴とする請求項5または6に記載の半導体ウエーハの研削装置。
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Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130808A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削加工方法 |
CN101468443A (zh) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
JP2009233809A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの研削方法並びにウェーハ研削装置 |
JP2012009551A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012009662A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
CN102446755A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法 |
JP2013258203A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
JP2015107885A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 株式会社ディスコ | シリコンパウダーの生成方法及びシリコンパウダー生成装置 |
CN103831682B (zh) * | 2012-11-21 | 2017-06-27 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
JP2018075663A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN110153859A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-23 | 深圳方达半导体装备有限公司 | 一种全自动研磨机 |
CN112440170A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社迪思科 | 高度计 |
JP2021074802A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、及び研削方法 |
KR20230114709A (ko) | 2022-01-25 | 2023-08-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
-
2005
- 2005-02-25 JP JP2005050649A patent/JP2006237333A/ja active Pending
Cited By (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008130808A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削加工方法 |
DE102008060490B4 (de) | 2007-12-27 | 2020-07-09 | Disco Corp. | Schleifvorrichtung |
CN101468443A (zh) * | 2007-12-27 | 2009-07-01 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
DE102008060490A1 (de) | 2007-12-27 | 2009-07-02 | Disco Corp. | Schleifvorrichtung |
CN101468443B (zh) * | 2007-12-27 | 2013-05-22 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
JP2009233809A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | ウェーハの研削方法並びにウェーハ研削装置 |
JP2012009551A (ja) * | 2010-06-23 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの加工方法 |
JP2012009662A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
CN102446755A (zh) * | 2011-10-12 | 2012-05-09 | 上海华力微电子有限公司 | 一种降低化学机械抛光后微粒缺陷的方法 |
JP2013258203A (ja) * | 2012-06-11 | 2013-12-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウェーハの加工方法 |
CN103831682B (zh) * | 2012-11-21 | 2017-06-27 | 株式会社迪思科 | 磨削装置 |
JP2015107885A (ja) * | 2013-12-03 | 2015-06-11 | 株式会社ディスコ | シリコンパウダーの生成方法及びシリコンパウダー生成装置 |
JP2018075663A (ja) * | 2016-11-09 | 2018-05-17 | 株式会社ディスコ | 研削装置 |
CN110153859A (zh) * | 2019-06-28 | 2019-08-23 | 深圳方达半导体装备有限公司 | 一种全自动研磨机 |
CN112440170A (zh) * | 2019-08-28 | 2021-03-05 | 株式会社迪思科 | 高度计 |
JP2021074802A (ja) * | 2019-11-06 | 2021-05-20 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、及び研削方法 |
JP7446084B2 (ja) | 2019-11-06 | 2024-03-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 研削装置、及び研削方法 |
KR20230114709A (ko) | 2022-01-25 | 2023-08-01 | 가부시기가이샤 디스코 | 가공 장치 |
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