JP2015107885A - シリコンパウダーの生成方法及びシリコンパウダー生成装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】加工液を供給しつつ砥石(28)を用いてシリコン板(S)を研削し、加工液に研削されたシリコンパウダー(P)を混入させてシリコン混入液(L)を生成する。
次いで、シリコン混入液(L)を貯水する貯水槽(52)に配設される陰極板(61)とエンドレスベルト(68)とに通電させる。この通電による電気泳動によって、エンドレスベルトでシリコンパウダーが採取される。その後、採取したシリコンパウダーの水分を除去させる。
【選択図】図2
Description
12 チャックテーブル
13 混入液生成手段
28 砥石
39 pH調整手段
43 採取室
44 脱酸素手段
50 シリコンパウダー採取手段
52 貯水槽
61 陰極板(マイナス電極)
68 エンドレスベルト(吸着部材、プラス電極)
L シリコン混入液
S シリコン板
P シリコンパウダー
Claims (7)
- シリコンパウダーの生成方法であって、
加工液を供給しつつ砥石を用いて結晶性シリコンを研削し、該加工液に研削されたシリコンパウダーを混入させてシリコン混入液を生成するシリコン混入液生成工程と、
該シリコン混入液生成工程にて生成される該シリコン混入液を貯水する貯水槽に配設されるマイナス電極とプラス電極とに通電させ、該プラス電極で該シリコンパウダーを採取するシリコンパウダー採取工程と、
該シリコンパウダー採取工程にて採取したシリコンパウダーの水分を除去させる乾燥工程と、によるシリコンパウダーの生成方法。 - 該シリコン混入液生成工程および該シリコンパウダー採取工程にて、該シリコン混入液を中性から弱酸性に維持する請求項1記載のシリコンパウダーの生成方法。
- 該加工液は、該加工液中の酸素を除去する脱酸素工程を経た純水を用いる請求項1または2記載のシリコンパウダーの生成方法。
- 該加工液は、二酸化炭素を溶解させ電導率を高めた超純水を用いる請求項1、2または3記載のシリコンパウダーの生成方法。
- シリコンパウダーを生成するシリコンパウダー生成装置であって、
結晶性シリコンからなるシリコン板を保持するチャックテーブルと、
該チャックテーブルに保持されたシリコン板に対し、加工液を供給しつつ砥石を接触させてシリコンパウダーを生成し、該加工液に該シリコンパウダーを混入させてシリコン混入液を生成する混入液生成手段と、
該混入液生成手段で生成されるシリコン混入液を、マイナス電極を備える貯水槽に貯水し、貯水された該シリコン混入液にプラス電極を有する吸着部材を浸水させ、該吸着部材に該シリコンパウダーを吸着させて採取するシリコンパウダー採取手段と、
該シリコンパウダー採取手段で採取した該シリコンパウダーの水分を除去する乾燥手段と、を備えるシリコンパウダー生成装置。 - 該シリコンパウダー採取手段および該乾燥手段を包囲して密閉可能な採取室を有し、該採取室に脱酸素手段を設けた請求項5記載のシリコンパウダー生成装置。
- 該シリコン混入液を中性から弱酸性に維持するpH調整手段を備えた請求項5または6記載のシリコンパウダー生成装置。
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Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192465A (ja) * | 1999-05-27 | 2002-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 被除去物の再利用方法 |
JP2006237333A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法および研削装置 |
JP2008028204A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | M Setek Co Ltd | ウェハーの裏面研削方法とその装置 |
JP2012009662A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
JP2013100203A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Masao Kanai | シリコンスラリーの固液分離方法及びその装置 |
JP2013121637A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Disco Corp | 加工廃液処理装置 |
-
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002192465A (ja) * | 1999-05-27 | 2002-07-10 | Sanyo Electric Co Ltd | 被除去物の再利用方法 |
JP2006237333A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 半導体ウエーハの研削方法および研削装置 |
JP2008028204A (ja) * | 2006-07-21 | 2008-02-07 | M Setek Co Ltd | ウェハーの裏面研削方法とその装置 |
JP2012009662A (ja) * | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Disco Abrasive Syst Ltd | ウエーハの研削方法 |
JP2013100203A (ja) * | 2011-11-09 | 2013-05-23 | Masao Kanai | シリコンスラリーの固液分離方法及びその装置 |
JP2013121637A (ja) * | 2011-12-12 | 2013-06-20 | Disco Corp | 加工廃液処理装置 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020078783A (ja) * | 2018-11-14 | 2020-05-28 | 株式会社ディスコ | スラッジ乾燥装置 |
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