TW200426754A - Display device - Google Patents

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Description

200426754 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於控制電流發光元件之亮度的主動矩陣型 之顯示裝置。 【先前技術】 使用自我發光之有機電場發光（EL)元件的有機EL顯示 裝置，係以無須在液晶顯示裝置中所必須之背光部者爲適用 於裝置的薄型化，同時，因爲在視角方面亦未有限制，因此 係期待實用化以作爲作爲次世代的顯示裝置。此外，作爲被 使用在有機EL顯示裝置之有機EL元件，在各發光元件之亮 度爲藉由所流動之電流値來控制之點所判斷，爲形成與液晶 胞爲以電壓所控制之液晶顯示裝置等爲相異。 在有機EL顯示裝置中，作爲驅動方式係可採用單純（被 動）矩陣型與主動矩陣型。前者係爲構造單純而具有大型且 難以實現高精度之顯示的問題點。因此，近年來，爲將在畫 素內部之發光元件內流動之電流以同時被設在畫素內的可 動元件（例如，薄膜電晶體（Thin Film Tranaistor; TFT)) 來控制。而盛行於主動矩陣型之顯示裝置的開發。 在第20圖中，爲揭示在有關於習知技術之主動矩陣方式 之有機EL顯示裝置中的畫素電路。於習知技術中之畫素電 路，爲具有下述構造，即：有機EL元件105，爲在陰極側 連接有正電源Vdd;TFT104，汲極電極係被連接置有機EL 元件105之陰極側，而源極電極係被連接至接地；電容器 103，係被連接在TFT 104之閘極電極與接地之間；TFT 102， 200426754 汲極電極爲被連接至TFT 104之閘極電極、源極電極爲被連 接至資料線101、閘極電極爲被連接至掃描線1〇6。 上述之畫素電路之動作係於以下說明。將掃描線1 06之電 位設爲高位準，將寫入電位施加至資料線1〇1後，TFT 102 便形成開啓狀態而使電容器103充電或是放電，TFT 104之閘 極電極電位爲形成寫入電位。接著，在將掃描線1 06之電位 設爲低位準後，TFT102便形成關閉狀態，掃描線106與 TFT 102係被電氣性的分離，不過，TFT 104之閘極電極電位 爲藉由電容器103而維持成穩定狀。 並且，於TFT 104以及有機EL元件105流動之電流爲形 成因應於TFT 104之閘極-源極間電壓Vgs之値，有機EL元件 105係以因應於其電流値之亮度持續發光。在此，選擇掃描 線1 06、且將付與至資料線1 〇 1之亮度資訊於畫素內部傳送 之動作，在以下稱之爲「寫入」。如上所述，在於第20圖所 示之畫素電路中，若進行一次電位之寫入時，接著在直到進 行寫入之間，有機EL元件105係以一定的亮度持續發光（例 如’參照專利文獻1之日本專利特開平8-234683號公報（第 10頁，第1圖））。 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕
在此，於主動矩陣型之有機EL元件顯示裝置中，爲利用 形成在玻璃基板上之TFT來作爲活性元件（active ELement )。不過，在使用爲非晶質之非晶矽所形成之TFT 200426754 中，在跨越長時間而流動電流之情況下，爲具有與當初流動 電流進行比較、臨界値電壓產生變動的情況。此外，亦具有 因TFT之惡化而造成臨界値電壓產生變動的情況。如此，使 用非晶矽所形成之TFT爲具有在相同畫素中產生臨界値電 壓變動的情況。 第21圖所示係爲惡化前之TFT與惡化後之TFT的電壓-電流特性的圖表。在第2 1圖中，曲線13所示係爲惡化前之 TFT之閘極-源極間電壓Vgs與汲極電流Id之特性，曲線14 所示係爲惡化後之TFT的特性。此外，Vth4以及Vth4’係爲惡 化前與惡化後之TFT的臨界値電壓。如第21圖所示，在惡 化前與惡化後中，TFT之臨界値電壓係形成相異，因此在寫 入相同電位VD4之情況下，各個汲極電流係形成爲與Id2以 及Id3相異之値。從而，藉由付與VD4之電位而在驅動元件 之TFT之惡化前，無論即使在有機EL元件中僅流動Id2，於 TFT惡化後爲僅流動Id3( <Id2)之値的電流》造成無法顯不 指定亮度之光。因此，在控制連動在電流發光元件中之電流 而變動TFT之臨界値電壓的情況下，無關於施加相同電位、 流動至電流發光元件之電流爲產生變動，其結果，在顯示裝 置之顯示部所顯示之亮度爲形成不均，造成畫質惡化的原 因。 本發明係有鑒於上述習知技術之缺點所提出者，其目的在 於提供一種主動矩陣型之顯示裝置，爲在顯示裝置之顯示部 中所顯示之亮度爲呈現均勻狀者。 200426754 〔用以解決課題之手段〕
有關於申請專利範圍第1項之顯示裝置係爲，在主動矩陣 型之顯示裝置中爲具備有：資料寫入裝置，爲寫入對應於發 光亮度之電位；臨界値電壓檢測裝置，爲檢測出具有薄膜電 晶體之驅動元件的臨界値電壓；其特徵在於：前述資料寫入 裝置爲具備有：資料線，爲供給對應於發光亮度之電位；以 及第1切換裝置，爲經由前述資料線控制所供給之電位之寫 入；前述臨界値電壓檢測裝置係具備有：第2切換裝置，爲 控制前述驅動兀件之閘極電極與汲極電極之間的導通狀 態；電流發光元件，爲顯示對應於流動電流之亮度之光，同 時，作爲儲存電荷之電容而可將電荷供給至前述驅動元件之 源極電極或是汲極電極。
若藉由有關本發明之顯示裝置時，則即使在作爲驅動元件 之TFT的臨界値電壓進行變動的情況下，藉由設置第2切換 裝置，爲將以個別獨立機能之臨界値電壓檢測裝置所檢測而 出的臨界値電壓，使添加寫入電壓之電壓形成閘極·源極間 電壓，流入於TFT之電流則未有變動而顯示出有機EL元件 呈現均勻亮度之光。 有關於申請專利範圍第2項之顯示裝置係爲，前述臨界値 電壓檢測裝置係爲，對於以前述第2切換裝置而使閘極電極 與汲極電極之間短路的前述驅動元件，爲依據因被儲存在前 述電流發件之電荷所造成之閘極-源極間的電位差而形成開 啓狀態後，以前述所儲存之電荷的減少而使閘極·源極間之 200426754 電位差降低至臨界値電壓爲止、形成爲關閉狀態’藉此’檢 測出前述驅動元件之臨界値電壓。 有關於申請專利範圍第3項之顯示裝置係爲，對於在發光 時之前述驅動元件所施加的電位，係爲以前述臨界値電壓檢 測裝置所檢測出之前述驅動元件的臨界値電壓、以及以前述 資料寫入裝置所寫入之電位之間的和。 有關於申請專利範圍第4項之顯示裝置係爲，前述臨界値 電壓檢測裝置係更具備有電源線，係在發光時，爲將順向之 電壓施加至前述電流發光元件以供給電流，同時，將逆向之 電壓施加至前述電流發光元件而可儲存電荷。 有關於申請專利範圍第5項之顯示裝置係爲，更具備有控 制前述第1切換裝置之驅動狀態的第1掃描線。 有關於申請專利範圍第6項之顯示裝置係爲，前述電流發 光元件係爲有機電場發光元件。 有關於申請專利範圔第7項之顯示裝置係爲，前述資料寫 入裝置係更具備有電容器，係維持由前述資料線所供給之電 位。 有關於申請專利範圍第8項之顯示裝置係爲，更具備有第 3切換裝置，爲設在前述資料寫入裝置與前述臨界値電壓檢 測裝置之間，且控制前述資料寫入裝置與前述臨界値電壓檢 測裝置之間的電氣導通。 有關於申請專利範圍第9項之顯示裝置係爲，前述第3 切換裝置爲具備有薄膜電晶體。 200426754 有關於申請專利範圍第l 〇項之顯示裝置係爲，更具備有 控制前述第2切換裝置與前述第3切換裝置之驅動狀態的第 2掃描線，前述第2切換裝置與前述第3切換裝置係爲，使 閘極電極連接至前述第2掃描線，且分別具備有通路層之導 電性爲相異之薄膜電晶體。 有關於申請專利範圍第1 1項之顯示裝置係爲，前述第2 切換裝置與前述第3切換裝置係具備有通路層之導電性爲相 同的薄膜電晶體，前述第2切換裝置與前述第3切換裝置之 驅動狀態係以個別的掃描線所控制。 有關於申請專利範圍第12項之顯示裝置係爲，具備有： 電容器，係被配置在前述資料寫入裝置與前述臨界値電壓檢 測裝置之間，且具有與前述資料寫入裝置電氣性連接之第1 電極、以及與前述臨界値電壓檢測裝置電氣性連接之第2電 極；以及第4切換裝置，爲電氣性的連接至前述第1電極， 控制前述第1電極之電位。 有關於申請專利範圍第1 3項之顯示裝置係爲，前述第4 切換裝置係爲，在開啓狀態時爲維持前述第1電極與前述第 2電極之間的電位差，同時，使與維持在前述第1電極之電 荷同量、且極性相異之電荷產生於前述第2電極，同時，消 去維持在前述第1電極中之電荷，而在關閉狀態時，以不致 移動維持在前述電容器之電荷而持續電荷維持。 有關於申請專利範圍第14項之顯示裝置係爲，前述第4 切換裝置係具備有薄膜電晶體。 -10- 200426754 有關於申請專利範圍第1 5項之顯示裝置係爲，更具備有 控制前述第2切換裝置與前述第4切換裝置之驅動狀態的第 3掃描線，前述第4切換裝置與前述第2切換裝置係爲，閘 極電極連接至前述第3掃描線，且分別具備有通路層之導電 性爲相異之薄膜電晶體。 有關於申請專利範圍第1 6項之顯示裝置係爲，前述第2 切換裝置與前述第4切換裝置係具備有通路層之導電性爲相 同的薄膜電晶體，前述第2切換裝置與前述第4切換裝置係 以個別的掃描線所控制。 有關於申請專利範圍第1 7項之顯示裝置係爲，前述第2 切換裝置係具備有與前述驅動元件之閘極電極連結的第1薄 膜電晶體、以及與前述驅動元件之汲極電極連接之第2薄膜 電晶體。 有關於申請專利範圍第1 8項之顯示裝置係爲，前述第2 薄膜電晶體係爲，藉由於前述第1薄膜電晶體均形成爲開啓 狀態，而將前述驅動元件之閘極電極與汲極電極進行短路， 在檢測出臨界値電壓後藉由形成爲關閉狀態而維持所檢測 而出之臨界値電壓。 有關於申請專利範圍第1 9項之顯示裝置係爲，更具備有 電容器，係被配置在前述資料寫入裝置與前述臨界値電壓檢 測裝置之間，且具有與前述資料寫入裝置電氣性連接之第1 電極、以及與前述臨界値電壓檢測裝置電氣性連接之第2電 極；前述資料線係爲，在發光時藉由前述臨界値電壓檢測裝 -11 - 200426754 置，在前述驅動元件之臨界値電壓之檢測時與在前述電流發 光元件中之電荷儲存時供給基準電位，前述第1切換裝置係 爲，在發光時藉由前述臨界値電壓檢測裝置，在前述驅動元 件之臨界値電壓之檢測時與在前述電流發光元件中之電荷 儲存時，使前述資料線與前述第1電極電氣性地導通。 有關於申請專利範圍第20項之顯示裝置係爲，全數之前 述電流發光元件爲同時地顯示光、同時地顯示一張之畫面。
有關於申請專利範圍第2 1項之顯示裝置係爲，對於全數 之前述電流發光元件爲同時進行電荷的積存，全數之前述第 2切換裝置係爲，同時與前述驅動元件之閘極電極於汲極電 極進行短路。 【實施方式】
以下，參照圖面說明有關本發明之顯示裝置。此外，雖是 針對於本發明將作爲電流發光元件之有機EL元件使用在主 動矩陣型之顯示裝置之液晶顯示裝置的情況、以及將作爲活 性元件之薄膜電晶體使用在主動矩陣型之顯示裝置之液晶 顯示裝置的情況分別進行說明，不過，作爲畫素之顯示元 件，係可適用在使用以流動電流而變化亮度之電流發光元件 的全數主動矩陣型之顯示裝置。此外，本發明並非是以該實 施例來加以限定。再者，於圖面之記載中，在相同部分方面 爲付與相同符號，而圖面則是模式化之物者。 〔實施例1〕 首先，針對有關實施例1之顯示裝置進行說明。構成有關 •12- 200426754
實施例1之顯不裝置的畫素電路’爲具備有：具有資料線與 第1切換裝置以及電容器的資料寫入裝置、具有第2切換裝 置與電流發光元件的臨界値電壓檢測裝置。再者，具有作爲 控制資料寫入裝置與臨界値電壓檢測裝置之間的電氣性連 接之切換裝置的TFT之構造。藉由該畫素電路，使資料寫A 裝置與臨界値電壓檢測裝置構成爲個別獨立狀的動作，在以 資料寫入裝置所寫入之電位中，藉由使電位施加至驅動元 件，而得以實現一種顯示裝置，係爲在即使驅動元件之臨界 値電壓進行變動的情況下，亦可將均勻的電流供給至電流發 光元件，而該電位係爲，施加有藉由可與資料寫入裝置爲個 別獨立作動之臨界値電壓檢測裝置所檢測而出之臨界値電 壓的電位。
第1圖所示，係爲在本實施例1中之畫素電路之構造示意 圖。該畫素電路係如第1圖所示’具備有：所供給之電位係 已對應於電流發光元件之亮度的資料線3、作爲用以控制該 電位之寫入之第1切換裝置的TFT4、維持寫入電位的電容 器5、以作爲連接至TFT4之閘極電極之第1掃描線之掃描 線1 0所構成的資料寫入裝置1 °更具備有：作爲驅動元件之 TFT6、作爲第2切換裝置之TFT8、作爲電流發光元件之有 機EL元件7、以及以作爲連接至有機EL元件7之電源線的 共用線9所構成之臨界値電壓檢測裝置2 °此外’爲使作爲 第3切換裝置之TFT1 1設於資料寫入裝置1與臨界値電壓檢 測裝置2之間。有關本實施例1之顯示裝置係爲將該畫素電 -13- 200426754 路配置成爲矩陣狀所構成。此外，爲便於說明，針對於TFT6 爲將與有機EL元件7連接之電極設爲源極電極、而將連接 至接地之電極設爲汲極電極。
資料寫入裝置1係爲，藉由資料線3而付與對應於有機 EL元件7之顯示亮度的電位，而具有維持該電位之機能。 構成資料寫入裝置1之資料線3爲付與對應於有機EL元件7 之亮度的電位，TFT4係經由連接至資料線3的資料線3而 控制所供給之電位的寫入。此外，電容器5爲與TFT4之汲 極電極連接的同時係維持所寫入之電位，而將已維持之電位 供給至TFT6之閘極電極。再者，掃描線1〇係連接至TFT4 之閘極電極，進而控制TFT4之開啓狀態或是關閉狀態的驅 動狀態。
臨界値電壓檢測裝置2係具有檢測出作爲汲極電極之 TFT6之臨界値電壓的機能。構成該臨界値電壓檢測裝置2 之TFT6係爲，藉由形成開啓狀態而將對應於閘極-源極間電 壓之電流供給至有機EL元件7。有機EL元件7係爲一種用 以在原本TFT6爲開啓狀態時，顯示已對應於所付與之電流 之亮度之光者，不過，在臨界値電壓檢測裝置2中，爲對於 TFT6之源極電極係作爲供給電荷之電容的機能。有機El元 件7係爲，在電氣性方面爲可獲取與發光二極體等效之物， 其中，在付與順向電位差之情況下，爲流動電流而進行發 光’另一方面，在付與逆向電位差之情況下，則具有因應於 電位差之儲存電荷的機能。 •14- 200426754 此外，構成臨界値電壓檢測裝置2之TFT8係爲，將源極 電極與TFT6之閘極電極接觸，而汲極電極則與TFT6之汲極 電極接觸。此外，TFT6之汲極電極與TFT8之汲極電極係連 接至接地。從而，TFT8係藉由形成爲開啓狀態而將TFT6之 閘極電極與汲極電極進行短路，同時具有將TFT6之閘極電 極連接至接地的機能。如後述，在有關於本實施例1之顯示 裝置中，藉由設置TFT8等而可無須使用資料線3等資料寫 入裝置1之構成要素爲可進行TFT6之臨界値電壓的檢測。 此外，TFT8之開啓狀態係藉由掃描線1 2所控制。再者，共 用線9原本是作爲在有機EL元件7發光時用以供給電流之 物，不過，在臨界値電壓檢測裝置2中，爲具有將電位之極 性與發光時進行比較、藉由反轉而在TFT6中將電流由源極 電極朝向汲極電極流動進而使電荷儲存在有機EL元件7的 機能。 再者，TFT 1 1係被設在資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測 裝置2之間，而控制資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測裝置 2之電氣性的接觸。亦即，在使資料寫入裝置1與臨界値電 壓檢測裝置2成爲電氣性導通之TFT6的閘極電極與源極電 極之間產生有指定之電位差的情況下，爲將TFT 1 1設爲開啓 狀態，而在將資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測裝置2成爲 電氣性的絕緣狀態下，爲將TFT11設爲關閉狀態。藉由設置 TFT11而形成爲可將資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測裝置 2進行電氣性的絕緣，因此，防止一方之動作影響到另一方 -15- 200426754 之動作。
此外，TFT1 1係爲一種通路層之導電性爲與構成臨界値檢 測裝置2之TFT8相異之TFT。再者，TFT 11之閘極電極與 TFT8之閘極電極係均被連接至作爲第2掃描線之掃描線 12，藉由供給至掃描線12之電位的極性而使TFT8與TFT 11 之任一方形成爲開啓狀態。例如，如第1圖所示，當TFT8 爲p型TFT之情況下，TFT11係形成爲通路層之導電性與 TFT8相異之η型TFT。爲了將TFT1 1設成爲開啓狀態而必 須將掃描線12之電位設成正的電位，而爲了將TFT8設成爲 開啓狀態而必須將掃描線1 2之電位設成負的電位。此外， 亦可將TFT1 1設爲p型TFT、將TFT8設成η型TFT，在此 情況下，爲了將TFT11設成爲開啓狀態而必須將掃描線12 之電位形成爲負的電位，而爲了將TFT8設成爲開啓狀態而 必須將掃描線1 2之電位形成爲正的電位。此外，如後述， 作爲第2切換裝置之TFT8與作爲第3切換裝置之TFT1 1亦 可設成爲通路層之導電性爲相同之TFT，在此情況下，爲將 作爲第2切換裝置之TFT與作爲第3切換裝置之TFT以個別 的掃描線來進行控制。 其次，參照第2圖以及第3-1至3-4圖，說明於第1圖所 示之畫素電路之動作。第2圖所示係爲在實施例1中之畫素 電路之時序圖。第3-1圖所示係爲在第2圖所示之（a)中之 畫素電路之動作方法之程序的示意圖。第3-2圖所示係爲在 第2圖所示之（b)中之畫素電路之動作方法之程序的示意 -16- 200426754 圖。第3-3圖所示係爲在第2圖所示之（c)中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。第3-4圖所示係爲在第2圖所示 之（d)中之畫素電路之動作方法之程序的示意圖。在有關 於本實施例1之顯示裝置中，如第2圖之（a)至（d)以及 第3-1至3-4圖所示，在畫素電路中，寫入資料與臨界値電 壓檢測係以個別獨立之程序來進行。此外，於第3-1至3-4 圖中，實線部所示係爲電流流動之部分，而虛線部所示則爲 電流未流動之部分。 於第2圖之（a)以及第3-1圖所示之程序中，作爲臨界 値電壓檢測之前階段，係爲使電荷儲存在有機EL元件1的 前處理程序。具體而言，係爲一種流動與TFT6發光時爲逆 向之電流、而使電荷儲存在有機EL元件7的程序。在此， 與TFT6發光時爲逆向之電流、亦即爲了將電流由源極電極 流向汲極電極的電流，而必須將大於汲極電極之正的電位施 加至TFT6之源極電極。因此，爲將連接TFT6之源極電極的 共用線9之電位極性由負的電位設成爲正的電位。此外，維 持TFT11之開啓狀態之TFT6的閘極電極方面係持續來自電 容器5之電荷的供給，因此係維持TFT6之開啓狀態。從而， TFT6之源極電極係產生大於汲極電極之電位差，而在閘極 電極方面則對於汲極電極爲施加有大於臨界値電壓的電 位，在TFT6方面爲有由源極電極朝向汲極電極流動之電 流。與TFT6連接之有機EL元件7亦流如有與發光時爲逆向 之電流，因此，有機EL元件7係作爲電容之機能，而在陽 -17- 200426754 極側上儲存有充分大於殘存在電容器5之電荷之負的電荷。 當使電荷儲存在有機EL元件7後，爲了維持所儲存之電荷， 而使掃描線12之電位逆轉、設爲負的電位，以將TFT11設 成爲關閉狀態。此時，與TFT1 1同樣的爲藉由掃描線12所 控制之TFT8係形成爲開啓狀態。此外，在本程序中係因爲 進行有資料之寫入，因此爲必須將控制由資料線3之電位寫 入的TFT4設成爲關閉狀態，而掃描線1 0則維持負的電位。
於第2圖之（b)以及第3-2圖所示之程序，係爲一種藉 由臨界値電壓檢測裝置2而檢測出作爲驅動元件之TFT6之 臨界値電壓的臨界値電壓檢測程序。在前處理程序中，在結 束對於有機EL元件7之負的電荷之儲存後，共用線9便由 正的電位形成爲0電位。因維持作爲P型TFT之TFT8的開 啓狀態，故而將掃描線12維持設成負的電位。藉由將TFT8 維持在開啓狀態，使TFT6之閘極電極與汲極電極短路、同 時連接至接地。因此，在TFT6之閘極電極與汲極電極方面 係被付與有〇電位。在此，因有機EL元件7係與TFT6之源 極電極連接，故而依據被儲存在有機EL元件7之陽極側之 負的電荷，TFT6之閘極-源極間電壓係形成爲大於臨界値電 壓，而TFT6爲形成開啓狀態。此外，使TFT6之汲極電極以 電氣性的連接至接地，另一方面，爲使TFT6之源極電極連 接至已儲存有負電荷之有機EL元件7。從而，在TFT6之中， 爲在閘極電極與源極電極之間產生電位差，而流動有由汲極 電極朝向源極電極之電流。藉由該電流之流動而使被儲存在 -18- 200426754
有機EL元件7之負電荷之絕對値漸漸減少，而TFT6之閘極 -源極間電壓亦緩緩的降低。並且，當TFT6之閘極-源極間 電壓減少至臨界値電壓（=Vthl )之時間點下，TFT6爲形成 關閉狀態，亦停止被儲存在有機EL元件7之負電荷之絕對 値的減少。且因爲使TFT6之閘極電極連接至接地，因此在 形成爲關閉狀態之時間點下，TFT6之源極電極之電位係形 成維持在（一 Vthl )。如上述，在TFT6之源極電極爲呈現TFT6 之臨界値電壓（—Vthl)、檢測出TFT6之臨界値電壓。此外， 在本程序中，因掃描線12係爲負的電位，故而TFT11係維 持關閉狀態，且使臨界値電壓檢測裝置2與資料寫入裝置2 被電氣性的絕緣。從而，在資料寫入裝置1中之動作係不致 影響到本程序。此外，作爲驅動元件之TFT6之臨界値電壓 的檢測係僅藉由臨界値電壓檢測裝置2之構成要素來達成， 無須資料寫入裝置1之構成要素的動作。
於第2圖之（c )以及第3-3圖所示之程序，係爲一種藉 由資料寫入裝置1而將對應於有機EL元件7之亮度的電位 經由資料線3而進行寫入的資料寫入程序。資料線3係爲， 因供給對應於有機EL元件7之亮度的電位，故而由顯示出 電位0之狀態而變化成對應於有機EL元件7之亮度的電位 VD1。此外，以資料線3所供給之電位係寫入至畫素電路內， 因此爲將掃描線1 0作爲正的電位而將TFT4設成開啓狀態。 藉由使TFT4形成爲開啓狀態而經由TFT4、由資料線3寫入 電位VD1，已寫入之電位係被維持在電容器5內。當使寫入 -19- 200426754
電位VD1維持在電容器5之後，因將TFT4設成爲關閉狀態 而將掃描線1 0形成爲負的電位。此外，因掃描線1 2係維持 負的電位，因此TFT11係維持關閉狀態。從而，資料寫入裝 置1與臨界値檢測裝置2係被電氣性的絕緣，而使在臨界電 壓檢測裝置2中之動作不致影響到本程序。如上述，資料寫 入裝置係僅藉由資料寫入裝置1之構成要素來形成，而無須 臨界値電壓檢測裝置2之動作。換言之，資料的寫入係僅藉 由資料寫入裝置1之構成要素來形成，而TFT6之臨界値電 壓之檢測係僅藉由臨界値電壓檢測裝置2之構成要素來形 成，因此，資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測裝置2係爲獨 立的機能。
於第2圖之（d)以及第3-4圖所示之程序係爲將有機EL 元件7發光的發光程序。亦即，使維持在電容器5之電荷供 給至TFT6，TFT6爲形成開啓狀態，藉由使電流流入TFT6 而將有機EL元件7進行發光的程序。爲了將被保持在電容 器5之電荷供給至TFT6之閘極電極，而必須將設在電容器5 與TFT6之閘極電極之間的TFT11設爲開啓狀態而被電氣性 的導通。因此，藉由將掃描線之電位設爲正的電位而將TFT 1 1 設爲開啓狀態，將保持在電容器5之電荷VD1供給至TFT6 之閘極電極。爲了將電荷供給至TFT6之閘極電極，爲使TFT6 形成爲開啓狀態。在此，在TFT6方面係爲，呈現出在源極 電極中、於臨界値電壓檢測程序中所檢測而出之臨界値電壓 (一 Vthl )。在本程序中，於TFT6之閘極電極方面爲了施加 -20- 200426754 藉由電容器5所供給之電位VD1，於TFT6方面係產生有（VD1 + Vthl)之閘極·源極間電壓。其結果，在TFT6方面係流動 有對應於作爲閘極-源極間電壓之（VD1 + Vthl )之電流。藉 由將電流流入於作爲驅動元件之TFT6中而使連接至TFT6 之有機EL元件7中亦有電流流動，有機EL元件7係顯示對 應於電流之亮度之光。此外，在本程序中，因爲進行資料之 寫入，因此控制來自資料線3之電位的寫入之TFT4爲必須 設爲關閉狀態，掃描線1 0係維持負的電位。 過去，在使用非晶矽所形成之TFT中係容易產生臨界値 電壓的變動，即使寫入相同電位亦會因臨界値電壓的變動而 使流入於有機EL元件之電流形成相異、造成顯示亮度部均 勻化。不過，在本實施例1中之畫素電路中，TFT6之閘極-源極間電壓係爲寫入電位VD1與TFT6之臨界値電壓Vihl之 和，而使對應於該和電壓之電流流入於TFT6。將丁FT6之臨 界値電壓施加於寫入電位VD1之電壓爲形成TFT6之閘極-源 極間電壓，因而使TFT6之臨界値電壓的變動受到補償。其 結果，不致使流入於TFT6之電流變動，有機EL元件7係顯 示出均勻亮度之光，而使得畫質的惡化受到控制。以下，參 照第4圖進行說明。 第4圖所示係爲惡化前之TFT6與惡化後之TFT6之電壓-電流特性之圖表。在第4圖中，曲線卜係表示惡化前之TFT6 之閘極-源極間電壓 Vgs與汲極電極電流Id之特性，曲線12 係表示惡化後之TFT6之特性。此外，Vthl與Vthl’係爲惡化 -21- 200426754 前以及惡化後之TFT6之臨界値電壓。如第4圖所示，TFT6 之臨界値電壓係在惡化前與惡化後形成相異。在此，於實施 例1之畫素電路中，以臨界値電壓檢測裝置2所檢測出之 TFT6的臨界値電壓與以資料寫入裝置1所寫入電位VD1之間 之和的某電壓，係形成TFT6之閘極-源極間電壓。因此，在 已寫入相同電位VD1之情況下，各個TFT6之閘極-源極間電 壓係形成VD1 + Vthl以及VD1 + Vthl’之相異狀。不過，即使在 惡化前與惡化後之TFT6之臨界値電壓形成相異的情況下， 如第4圖所示，汲極電極係均形成爲Idl、而TFT6方面則流 動有均勻的電流。從而，即使在TFT6之臨界値電壓進行變 動的情況下，在有機EL元件方面爲形成流動指定之電流， 有機EL元件7係顯示指定之亮度之光、使畫質之惡化受到 控制。 此外，有關本實施例1之顯示裝置係爲，藉由設置TFT8 作爲第2切換裝置，而在臨界値電壓檢測程序中使TFT6之 閘極電極與汲極電極短路，而將閘極電極與汲極電極連接至 接至。其結果，在TFT6之中，在閘極電極與儲存有負的電 荷之有機EL元件7所連接之源極電極之間爲產生電流差、 流動電流。之後，閘極-源極間電壓係形成臨界値電壓 (Vthl )，藉由將TFT6形成爲關閉狀態而在源極電極中檢測 出臨界値電壓。從而，以設置TFT8而僅藉由臨界値電壓檢 測裝置2之構成要素之動作來檢測出TFT6之臨界値電壓。 因此，在臨界値電壓檢測程序中，無須TFT6之閘極電極以 -22- 200426754 及將TFTl 1經由TFTl 1與TFT4而連接之資料線3之電位設 爲0電位，在臨界値電壓之檢測方面係無須形成有資料寫入 裝置1之構成要素的動作。
此外，在有關於實施例1之顯示裝置中，爲使TFTl 1設 在資料寫入裝置1與臨界値電壓檢測裝置2之間。爲了藉由 使TFTl 1形成爲關閉狀態而將資料寫入裝置1與臨界値電壓 檢測裝置2電氣性的絕緣，而可防止一方之動作影響到另一 方之動作。因此，臨界値電壓檢測裝置1與資料寫入裝置2 係可進行個別獨立的動作。在此，於第5圖中係爲資料之寫 入與臨界値電壓之檢測動作爲在相同時間點下結束之情況 下，表示於第1圖所示之畫素電路之時序圖。第5圖之（a) 至（d)係與第2圖之（a)至（d)同樣的，分別爲表示前 處理程序、臨界値電壓檢測程序、資料寫入程序以及發光程 序的時序圖。如上所述，臨界値電壓檢測裝置2係可與資料 寫入裝置1呈現個別的動作，因此，係可在如同於第5圖所 示之相同時間點下結束。並且，藉由將臨界値電壓之檢測與 資料寫入在相同時間點下結束，而可實現有關於全程序之時 間的縮短化。 再者，成串列被配置在有機EL元件7之TFT係爲僅有作 爲驅動元件之TFT6，因此，可減低以有機EL元件以外之非 發光部所消費之電力。此外，因藉由掃描線12而控制TFT8 與TFT11兩處之TFT，故而可將電路構成簡單化，提升供給 至電源電壓之利用效率以及有機EL元件7之電位的寫入效 -23- 200426754
此外，作爲實施例1中之畫素電路，於第1圖中爲表示將 TFT11與TFT8以一個掃描線12所控制之構造，不過，亦可 將作爲第2切換裝置之TFT與作爲第3切換裝置之TFT形成 爲分別連接個別掃描線的構造。例如，如第6圖所示，作爲 TFT11與第2切換裝置之TFT13係均爲通路層之導電性爲相 同薄膜電晶體（例如爲η型TFT)之構造。在該種畫素電路 中，TFT1 1係藉由掃描線14所控制，而TFT13係藉由與掃 描線1 4不同之掃描線所控制。於第6圖所示之畫素電路之 動作方法的程序係與在第3-1至3-4圖中所示之各個程序 相同，在於第2圖所示之時序圖中，爲形成僅以掃描線1 2 將所控制之第2切換裝置與第3切換裝置分別以掃描線1 4 以及掃描線1 5進行控制。亦即，當作爲第3切換裝置之TFT 1 1 設成爲開啓狀態的情況下，以與掃描線1 2爲表示正的電位 之時間點相同之時間點下將掃描線1 4設爲正的電位，而當 作爲第2切換裝置之TFT13設成爲開啓狀態的情況下，以與 掃描線1 2爲表示負的電位之時間點相同之時間點下將掃描 線1 5設爲正的電位。 不過，爲了有效的防止維持在電容器5中之電荷的釋出， 於第6圖所示之畫素電路之各構成要素係以依據於第7圖所 示之時序圖來進行動作者爲佳。在此，第7圖之（a)至（d) 係與第2圖之（a )至（d )同樣的，分別爲表示前處理程序、 臨界値電壓檢測程序、資料寫入程序以及發光程序。於第7 -24- 200426754
圖之（a )中所示之前處理程序中，在對於有機EL元件7之 負電荷的儲存後，在將TFT13設爲開啓狀態之前爲將TFT1 1 設成爲關閉狀態。在以該種時間點下藉由將TFT11與TFT 13 進行動作，而可有效的防止維持在電容器5之電荷經由 TFT13而朝接地釋出之事。此外，在於第7圖（c)所示之資 料寫入程序結束之後，爲了將TFT1 3形成爲關閉狀態而將掃 描線15形成爲負的電位。在該種時間點下，爲藉由將TFT 13 進行動作，而可防止維持在電容器5之寫入電位經由TFT 13 而朝接地釋出之事。
如上所述，於第6圖中所揭示之畫素電路的各個構成要素 係爲，爲將作爲第2切換裝置之TFT 13與作爲第3切換裝置 之TFT 1 1的驅動狀態以各個的掃描線來進行控制，而形成爲 可依據第7圖之時序圖來進行動作。其結果，可有效的防止 維持在電容器5之電荷的釋出。此外，於第6圖所示之畫素 電路係僅以通路層之導電性爲相同之TFT來構成，因此亦可 減低製造成本。 此外，在本實施例1之中，除了在每行或使每列上進行資 料寫入程序，而以分別在每行或是每列上進行依序發光程序 的方式來顯示影像之外，亦可藉由使全數之有機EL元件7 同時地發光、且同時地顯示一張之畫面的全面總括控制方式 來顯示影像。此外，在本實施例1中，對於全數之畫素電路 亦可同時地進行前處理程序。亦即，亦可對於全數之有機EL 元件7而同時地進行電荷的儲存。.另外，在本實施例1中， -25- 200426754 亦可對於全數之畫素電路同時地進行臨界値電壓檢測程 序。亦即，全數之TFT8係同時地形成開啓狀態，而亦可將 TFT6之汲極電極與閘極電極進行短路。 〔實施例2〕
接著，針對有關實施例2之顯示裝置進行說明。構成有關 實施例2之顯示裝置的畫素電路，爲具備有：具有資料線與 第1切換裝置以及電容器的資料寫入裝置、具有第2切換裝 置與電流發光元件的臨界値電壓檢測裝置。再者，具有作爲 控制由電容器對於驅動元件之電荷供給之切換裝置的TFT 之構造。藉由該畫素電路，使資料寫入裝置與臨界値電壓檢 測裝置構成爲個別獨立狀的動作。再者，在以資料寫入裝置 所寫入之電位中藉由使電位施加至驅動元件，而得以實現一 種顯示裝置，係爲在即使驅動元件之臨界値電壓進行變動的 情況下，亦可將均勻的電流供給至電流發光元件，而該電位 係爲，施加有藉由可與資料寫入裝置爲個別獨立作動之臨界 値電壓檢測裝置所檢測而出之臨界値電壓的電位。 弟8圖所不係爲在本貫施例2中之畫素電路之構造的示意 圖。該種畫素電路係如第8圖所不，具備有··所供給之電位 係已對應於電流發光元件之亮度的資料線23、作爲用以控制 該電位之寫入之第1切換裝置的TFT24、維持寫入電位的電 容器25、以作爲連接至TFT24之閘極電極之第1掃描線之掃 描線3 0所構成的資料寫入裝置21。此外，更具備有：作爲 驅動元件之TFT26、作爲第2切換裝置之TFT28、作爲電流 -26- 200426754 發光兀件之有機EL元件27、以及以作爲連接至TFT26之源 極電極之電源線的共用線9所構成之臨界値電壓檢測裝置 22°再者，於電容器5之負極方面，源極電極係被連接至作 爲與共用線29連接之第4切換裝置的TFT31。有關本實施例 2之顯示裝置係爲將該畫素電路配置成爲矩陣狀所構成。此 外’爲便於說明，針對於TFT26爲將與有機El元件7連接 之電極設爲汲極電極、而將連接至共用線29之電極設爲源 極電極。
資料寫入裝置2 1係爲，藉由資料線2 3而付與對應於有機 EL元件27之顯示亮度的電位，而具有維持該電位之機能。 構成該種資料寫入裝置21之資料線23、作爲第1切換裝置 之TFT24、電容器25以及作爲第1掃描線之掃描線30，係 具有與在實施例1所說明之畫素電路中構成資料寫入裝置1 的各個構成要素相同的機能。此外，電容器25亦具有將資 料寫入裝置2 1與臨界値電壓檢測裝置22電氣性分離的機 能。 臨界値電壓檢測裝置22係具有檢測出作爲驅動電極之 TFT26之臨界値電壓的機能。構成該臨界値電壓檢測裝置22 之TFT26係爲，藉由形成開啓狀態而將對應於閘極-源極間 電壓之電流供給至有機EL元件27。此外，有機EL元件27 係爲一種用以在原本TFT26爲開啓狀態時，顯示已對應於所 付與之電流之亮度之光者，不過，在臨界値電壓檢測裝置22 中，爲作爲對於TFT26之閘極電極與汲極電極供給電荷之電 -27- 200426754 容的機能。此外，TFT28係藉由形成爲開啓狀態而具有將 TFT26之閘極電極與汲極電極進行短路的機能。如後所述， 在有關於本實施例2之顯示裝置中，藉由設置TFT28，而可 無須使用資料線23等資料寫入裝置2 1之構成要素便可進行 TFT26之臨界値電壓的檢測。此外，爲使TFT28之開啓狀態 藉由掃描線32來控制。此外，作爲電源線之共用線29係具 有已實施例1說明之共用線9相同的機能。 再者，TFT31係被設置在電容器25之負極與共用線29之 間，且具有控制電容器25與共用線29之電氣性連接的機 能。TFT3 1係爲，藉由以後述各個程序來變化電位之極性的 共用線29、控制與電容器25之負極之間的連接，便可控制 由電容器25朝向作爲驅動元件之TFT26之電荷的移動。亦 即，藉由將TFT31形成爲開啓狀態、將電流流入TFT31，便 將電荷由電容器25移動至TFT26，而使指定之電位差產生 在TFT26之閘極電極與源極電極之間。其結果，藉由將電流 流入在TFT31形成爲開啓狀態之TFT31中，便在資料寫入裝 置2 1與臨界値電壓檢測裝置22之間產生電荷的移動、而使 資料寫入裝置21與臨界値檢測裝置22呈現電氣性的連接。 此外，TFT3 1係爲一種通路層之導電性爲與構成臨界値檢 測裝置22之TFT28相逆之TFT。再者，TFT31之閘極電極 與TFT28之閘極電極係均被連接至作爲第3掃描線之掃描線 32,藉由供給至掃描線32之電位的極性而使TFT28與TFT31 之任一方形成爲開啓狀態。例如，如第8圖所示，當TFT28 -28- 200426754
爲p型TFT之情況下，TFT31係形成爲n型TFT。爲了將TFT31 設成爲開啓狀態而必須將掃描線32之電位設成正的電位， 而爲了將TFT28設成爲開啓狀態而必須將掃描線32之電位 設成負的電位。此外，亦可將TFT31設爲p型TFT、而將TFT28 設爲η型TFT，在此情況下，爲了將TFT3 1設成爲開啓狀態 而必須將掃描線32設成爲負的電位，而爲了將TFT28設成 開啓狀態爲必須將掃描線32設成爲正的電位。此外，如後 述，作爲第2切換裝置之TFT28與作爲第4切換裝置之TFT31 亦可設成爲通路層之導電性爲相同之TFT，在此情況下，爲 將作爲第2切換裝置之TFT與作爲第4切換裝置之TFT以個 別的掃描線來進行控制。
其次，參照第9圖以及第10-1至10-5圖，說明於第8圖 所示之畫素電路之動作。第9圖所示係爲在實施例2中之畫 素電路之時序圖。第10-1圖所示係爲在第9圖所示之（a) 中之畫素電路之動作方法之程序的示意圖。第10-2圖所示 係爲在第9圖所示之（b)中之畫素電路之動作方法之程序 的示意圖。第10-3圖所示係爲在第9圖所示之（c)中之畫 素電路之動作方法之程序的示意圖。第10-4圖所示係爲在 第9圖所示之（d)中之畫素電路之動作方法之程序的示意 圖。第10-5圖所示係爲在第9圖所示之（e)中之畫素電路 之動作方法之程序的示意圖。在有關於本實施例2之顯示裝 置中，如第9圖之（a)至（e )以及第10-1至10-5圖所示， 寫入資料與臨界値電壓檢測係以個別獨立之程序來進行。於 -29- 200426754 第1 0 -1至1 0 - 5圖中，實線部所示係爲電流流動之部分，而 虛線部所示則爲電流未流動之部分。
於第9圖之（a)以及第10-1圖所示之程序，係爲一種作 爲臨界値電壓檢測之前階段，而使電荷儲存在有機EL元件 27的前處理程序。具體而言，係爲一種流動與TFT26發光 時爲逆向之電流、而使電荷儲存在有機EL元件27的程序。 本程序係與在實施例1中之畫素電路的前處理程序相同，將 共用線29之電位極性與發光時進行比較、且藉由進行反轉， 而在有機EL元件27之陰極側上儲存有充分大於殘存在電容 器25之電荷之正的電荷。
於第9圖之（b )以及第10-2圖所示之程序，係爲一種藉 由臨界値電壓檢測裝置22而檢測出作爲驅動元件之TFT26 之臨界値電壓的臨界値電壓檢測程序。在前處理程序中，在 結束對於有機EL元件27之正的電荷之儲存後，共用線29 便由正的電位形成爲0電位。且因掃描線32爲維持負的電 位，因此藉由將TFT28維持成開啓狀態，使TFT26之閘極電 極與汲極電極短路、而形成爲相同電位。在此，有機EL元 件27係與TFT26之汲極電極連接，因此被儲存在有機EL元 件27之正的電荷係藉由TFT26之汲極電極以及TFT28而被 供給至短路之TFT26的閘極電極。在本程序中，因共用線29 係由正的電位而形成爲0電位，因此在連接至共用線2 9之 TFT26之源極電極係被付與0電位。從而，TFT26之閘極-源極間電壓係形成爲大於臨界値電壓，而TFT26爲形成開啓 -30- 200426754 狀態。在TFT26方面係在閘極電極與源極電極之間產生電位 差，因此，流動有由汲極電極朝向源極電極之電流。藉由將 電流流入TFT26而漸漸減少儲存在有機EL元件27的正電 荷，亦漸漸減少儲存在閘極-源極間電壓。並且，當TFT26 之閘極-源極間電壓減少至臨界値電壓（=Vth2 )之時間點 下，TFT26爲形成關閉狀態，亦停止被儲存在有機EL元件 27之正的電荷的減少。在此，TFT26之源極電極係連接至0 電位的共同線29，TFT26之閘極電極與汲極電極係連接至有 機EL元件27，因此，當TFT26形成關閉狀態後，TFT26之 閘極電極與汲極電極的電位係形成爲維持在Vth2。如上述， 在TFT26之閘極電極與汲極電極中係爲呈現TFT26之臨界値 電壓Vth2、檢測出TFT26之臨界値電壓。此外，TFT26之臨 界値電壓的檢測係僅藉由臨界値電壓檢測裝置22之構成要 素來達成，無須資料寫入裝置21之構成要素的動作。 第9圖之（c )以及第10-3圖係爲一種維持以檢測而出之 TFT26之臨界値電壓的臨界値電壓維持程序。因TFT31爲維 持在關閉狀態，因此呈現在TFT26之閘極電極的TFT26之臨 界値電壓Vth2係維持在電容器25的正極。 於第9圖之（d)以及第10-4圖係爲資料寫入程序。與實 施例1中之晝素電路的資料寫入程序相同的，對於有機EL 元件27之亮度的電位.係經由TFT24而以由資料線23所寫入 之電容器25來維持。此外，在本程序中，寫入電位係爲（一 VD2 )。在電容器25之正極中係爲持有以臨界値電壓檢測程 200426754
序所檢測而出之TFT26的臨界値電壓Vth2，因此，於電容器 25方面，所維持之電荷係形成爲對應於作爲TFT26之臨界 値電壓與寫入電位之間之和的電壓。此外，因TFT3 1爲形成 關閉狀態，故而使資料寫入裝置2 1與臨界値電壓檢測裝置 22電氣性的分離，在臨界値電壓檢測裝置22中之動作係不 致將影響付與至本程序中。如上所述，資料寫入係僅藉由資 料寫入裝置21之構成要素來達成，而無須臨界値電壓檢測 裝置22之動作。換言之，資料寫入係僅藉由資料寫入裝置 21之構成要素來達成，而TFT26之臨界値電壓之檢測爲僅 藉由臨界値電壓檢測裝置22之構成要素來達成，因此，資 料寫入裝置2 1與臨界値電壓檢測裝置22係爲獨立機能。
第9圖之（e )以及第10-5圖係爲將有機EL元件27進 行發光的發光程序。亦即，被維持在電容器25之電荷係被 供給至作爲驅動元件之TFT26，係爲一種TFT26形成開啓狀 態、且將電流流入TFT26，藉此而將有機EL元件27進行發 光的程序。在此，爲了將維持在電容器25之電荷供給至 TFT26的閘極電極，爲必須將TFT31設成爲開啓狀態。因此， 將掃描線32設爲正的電位，且將TFT31設成爲開啓狀態。 藉由將TFT31形成爲開啓狀態而將電容器25之負極的電位 上升至接地，而在電容器25之正極方面則呈現付與有（VD2 + Vth2 )被維持在負極的電位（一 VD2 )。該電位係被附加至 TFT26之閘極電極，TFT26爲形成開啓狀態。TFT26之汲極 電極係連接至有機EL元件27，而源極電極則連接至作爲負 •32- 200426754 的電位之共同線29，因此，在TFT26方面爲產生有（VD2 + Vth2)之閘極-源極間電壓，由汲極電極朝向源極電極’流動 有對應於該閘極-源極間電壓的電流。藉由將電流流動至驅 動元件，亦將電流流入於連接至TFT26之有機EL元件27， 有機EL元件27係顯示出對應於流動電流之亮度之光。此 外，在本程序中爲了進行資料之寫入，TFT24係維持關閉狀 態。
在有關於本實施例2之顯示裝置中，與有關於實施例1 之顯示裝置相同的，作爲在發光程序中之驅動元件的TFT26 之閘極-源極間電壓係爲電位VD2與TFT26之臨界値電壓的 Vth2之和，且將對應於該和電壓之電流流入TFT26。從而， 將TFT26之臨界値電壓施加至電位VD2的電壓爲形成爲 TFT26之閘極-源極間電壓，因此，使得TFT26之臨界値電 壓的變動受到補償。其結果，係不致變動流入於TFT26之電 流，有機EL元件係顯示均勻亮度之光，而使得畫質的惡化 受到抑制。 此外，有關本實施例2之顯示裝置係爲，藉由設置TFT28 以作爲第2切換裝置，而在臨界値電壓檢測程序中，爲使 TFT26之閘極電極與汲極電極短路、形成爲相同電位。在與 設爲0電位之共同線29連接之源極電極與閘極電極之間爲 流動產生電位差之電流，在閘極-源極間電壓爲藉由將形成 臨界値電壓（Vth2)之TFT26形成爲關閉狀態而在閘極電極 中檢測出臨界値電壓。從而，藉由設置TFT28而僅藉由臨界 -33- 200426754 値檢測裝置22之構成要素的動作來檢測出TFT26之臨界値 電壓。因此，在臨界値電壓之檢測中係無須資料寫入裝置21 之構成要素的動作。 此外’有關於實施例2之顯示裝置係爲，藉由將電流流入 TFT31爲形成開啓狀態之TFT31中，而使資料寫入裝置21 與臨界値電壓檢測裝置2 2電氣性的連接。再者，在資料寫 入裝置21與臨界値電壓檢測裝置之間的交界上爲設有作爲 絕緣物之電容器25。從而，資料寫入裝置21與臨界値電壓 檢測裝置22爲藉由絕緣物隔離交界，因此，當TFT31在處 於關閉狀態的情況下爲被電氣性的分離。因此，防止一方之 動作影響到另一方之動作，臨界値電壓檢測裝置22與資料 寫入裝置21爲呈現個別獨立的運動。在此，於第π圖中所 示之於第8圖所示之畫素電路的時序圖，係爲將資料之寫入 與臨界値電壓之檢測的動作在相同時間點下結束之情況下 的時序圖。第11圖之（a)至（e)係與第9圖之（a)至（e) 相同，係分別爲前處理程序、臨界値電壓檢測程序、臨界値 電壓維持程序、資料寫入程序以及發光程序的時序圖。如上 所述，因臨界値電壓檢測裝置22與資料寫入裝置2 1爲可呈 現個別獨立的運動，因此係可在與第11圖所示之相同時間 點下結束。並且，藉由將臨界値電壓之檢測與資料之寫入在 相同時間點下結束，而可實現有關於全程序之時間的縮短 化。 再者，成串列被配置在有機EL元件27之TFT係爲僅有 -34- 200426754 作爲驅動元件之TFT26，因此，可減低以有機EL元件27以 外之非發光部所消費之電力。此外，因藉由掃描線32而控 制TFT2 8與TFT31兩處之TFT，故而可將電路構成簡單化， 提升供給至電源電壓之利用效率以及有機EL元件27之電位 的寫入效應。
此外，作爲實施例2中之畫素電路，於第8圖中爲表示將 TFT31與TFT28以一個掃描線32所控制之構造，不過，亦 可將作爲第2切換裝置之TFT與作爲第4切換裝置之TFT 形成爲分別連接個別掃描線的構造。例如，如第1 2圖所示， 作爲TFT31與第2切換裝置之TFT33係均爲通路層之導電性 爲相同薄膜電晶體（例如爲η型TFT )之構造。在該種畫素 電路中，TFT31係藉由掃描線34所控制，而TFT33係藉由 與掃描線34不同之掃描線35所控制。
於第12圖所示之畫素電路之動作方法的程序係與在第 10-1至10-5圖中所示之各個程序相同，在於第9圖所示之 時序圖中，爲形成僅以掃描線32將所控制之第2切換裝置 與第4切換裝置分別以掃描線34以及掃描線3 5進行控制。 亦即，當作爲第4切換裝置之TFT3 1設成爲開啓狀態的情況 下，以與掃描線32爲表示正的電位之時間點相同之時間點 下將掃描線34設爲正的電位，而當作爲第2切換裝置之 TFT33設成爲開啓狀態的情況下，以與掃描線.32爲表示負 的電位之時間點相同之時間點下將掃描線35設爲正的電 位。 -35- 200426754
不過，爲了有效的防止維持在電容器25中之電荷的釋 出、更用以實現穩定之階調，於第1 2圖所示之畫素電路之 各構成要素係以依據於第13圖所示之時序圖來進行動作者 爲佳。在此，第13圖之（a)至（e)係與第9圖之（a)至 (e )同樣的，分別爲表示前處理程序、臨界値電壓檢測程 序' 臨界値電壓維持程序、資料寫入程序以及發光程序的時 序圖。於第13圖所示之時序圖中，於第13圖之（b)所示 之臨界値電壓檢測程序結束時爲將TFT3 1設成爲關閉狀 態。爲了在以該種時間點下藉由將TFT3 1設成爲關閉狀態， 在臨界値電壓檢測程序中係維持表示0電位的共同線29與 電容器25之負極之間的連接。其結果，在臨界値電壓檢測 程序中，爲更加穩定的檢測出與儲存有較大電荷之有機EL 元件27之TFT26的臨界値電壓。再者，即使在前框架之寫 入電位與本框架之寫入電位之間的差異較大的情況下，於資 料寫入程序中，亦不受到前框架之影響而使指定的電位寫入 電容器25，而得以形成穩定的階調。此外，在於第1 3圖之 (d)所示之資料寫入程序結束後，在將TFT31設成爲開啓 狀態之前，用以使TFT33設成關閉狀態而將掃描線35設成 爲負的電位。在該時間點下藉由將TFT33進行動作，而可防 止維持在電容器25之寫入電位經由TFT33而朝接地釋出之 事。 如上所述，於第12圖中所揭示之畫素電路的各個構成要 素係爲，爲將作爲第2切換裝置之TFT33與作爲第4切換裝 -36 - 200426754 置之TFT3 1的驅動狀態以各個的掃描線來進行控制，因此可 形成爲依據於第1 3圖所示之時序圖來進行動作。其結果’ 可有效的防止維持在電容器25之電荷的釋出，再者，可實 現穩定的階調。此外，於第1 2圖所示之畫素電路係僅以通 路層之導電性爲相同之TFT來構成，因此亦可減低製造成 本° '
此外，在本實施例2之中，除了在每行或是每列上進行資 料寫入程序，而以分別在每行或是每列上進行依序發光程序 的方式來顯示影像之外，亦可藉由使全數之有機EL元件27 同時地發光、且同時地顯示一張之畫面的全面總括控制方式 來顯示影像。此外，在本實施例2之中，亦可對於全數之畫 素電路來同時地進行前處理程序。亦即，對於全數之有機EL 元件27，亦可同時地進行電荷之積存。此外，在本實施例2 中，對於全數之畫素電路亦可同時地進行臨界値電壓檢測程 序。亦即，全數之TFT8係同時地形成開啓狀態，而亦可將 TFT26之汲極電極與閘極電極進行短路。 此外，在第12圖中雖是針對於具備有四個TFT與一個電 容器的畫素電路來說明，不過，係可將指定之基準電位供給 至資料線23，在資料線23之基準電位供給時爲將TFT24設 爲開啓狀態、使資料線23與電容器25成電氣性地導通，藉 此，爲可省略TFT31而以更簡易之構造形成畫素電路。 第1 4圖所示係爲在實施例2中之畫素電路構造之其他例 的示意圖。於第14圖所示之畫素電路係爲，省略在第12圖 -37- 200426754
中之具有畫素電路之TFT31與控制TFT31之掃描線34。並 且’如後所述’爲在資料線23中設爲基準電位，而例如供 給0電位’在資料線23之基準電位供給時爲將TFT24設爲 開啓狀態而使資料線23與電容器25之負極成電氣性地導 通’藉此’控制由電容器25朝TFT26之電荷的供給，而進 行各項程序。此外，在第14圖中揭示之畫素電路中，爲使 共用線29連接至有機EL元件27之陽極側、使TFT26之源 極電極連接至接地。此外，藉由於第14圖所示之畫素電路 所構成之顯示裝置中，係如後所述，全數之有機EL元件27 同時地以指定之亮度顯示、且同時地顯示一張之畫面的全面 總括控制方式來顯示影像。此外，爲與在第1 2圖中所示之 畫素電路相同的，資料線23、TFT24、電容器25、掃描線30 係構成資料寫入裝置21，TFT26、TFT33、有機EL元件27、 共用線29係構成臨界値電壓檢測裝置22。
其次，參照第15圖以及第16-1至16-4圖，說明於第14 圖所示之畫素電路之動作。第15圖所示係爲在第14圖所示 之畫素電路之時序圖。此外，在第15圖中，係例示第η行 之畫素電路中之掃描線30,與第（η + 1)行之畫素電路中之 掃描線30n + i。另外，第16_1圖所示係爲在第15圖所示之 (a)中之畫素電路之動作方法之程序的示意圖，第16-2圖 所示係爲在第15圖所示之（b)中之畫素電路之動作方法之 程序的示意圖，第16-3圖所示係爲在第15圖所示之（d)中 之畫素電路之動作方法之程序的示意圖’第16-4圖所示係 -38- 200426754 爲在第15圖所示之（e)中之畫素電路之動作方法之程序的 示意圖。第15圖之（a)至（e)係與第12圖之（a)至（e) 同樣的，分別表示前處理程序、臨界値電壓檢測程序、臨界 値電壓維持程序、資料寫入程序以及發光程序。另外’在第 16-1圖至第16-4圖中，實線部所示係爲電流流動之部分， 而虛線部所示則爲電流未流動之部分。
在第15圖之（a)以及第16-1圖所示之前處理程序中， 爲將共用線29之電位的極性與發光時進行比較、反轉，藉 由形成負的電位而使正的電荷儲存在有機EL元件27之陰極 側。
其次，在第15圖之（b)以及第16-2圖所示之臨界値電 壓檢測程序中，爲將掃描線35設爲正的電位而將TFT3 3設 爲開啓狀態，藉此，將TFT26之閘極電極與汲極電極進行短 路、將TFT26設爲開啓狀態。並且，在TFT26之閘極·源極 間電壓減少至臨界値電壓（=Vth2 )之時間點下，TFT26爲 形成關閉狀態，結束臨界値電壓檢測程序。在此種臨界値電 壓檢測程序中，TFT24係維持開啓狀態。因此，將供給0電 位之資料線23與電容器25之負極進行電氣性地導通，而可 進行穩定之臨界値電壓的檢測。此外，具有於第14圖所示 之畫素電路之顯示裝置係對於全數之畫素電路爲同時地進 行前處理程序與臨界値電壓檢測程序。 並且，在第15圖之（c)所示之臨界値電壓維持程序中， 爲藉由電容器25之正極來維持於TFT26之閘極電極以及汲 -39- 200426754 極電極中所顯現之TFT26的臨界値電壓Vth2。在此，臨界値 電壓維持程序係爲在結束臨界値電壓檢測程序、直到開始資 料寫入程序之間，在第1 5圖中，例如爲將在第n行之顯示 畫素中之臨界値電壓維持程序作爲期間（c )來表示。 並且，前進到於第15圖之（d)以及第16-3圖所示之資 料寫入程序。在該種資料寫入程序中，資料線23爲在供給 電位（一 VD2)之第15圖之（d)之間，爲對於全數之行或 是列的畫素電極依序進行資料寫入程序。例如，在第η行之 畫素電路中，藉由在第15圖之（dl )之間將掃描線30η設爲 正的電位之TFT24n爲形成開啓狀態，爲使由資料線23所供 給之電位（一 VD2 )維持在電容器25之負極。此外，在第（n + 1 )行之晝素電路中，在第1 5圖之（d2 )之間爲使掃描線 3 0n+ i設爲正的電位、TFT24n+ i爲形成開啓狀態，而使電位 (一 VD2)維持在電容器25之負極。如此，如第15圖所示， 在（d )之間，對於全數之行或是列的畫素電路爲依序進行 資料寫入程序。並且，在資料寫入程序結束後，被施加至資 料線23之電位係由（一 VD2)而設爲0V。 其次，針對於在第15圖之（e)以及第16-4圖所示之發 光程序進行說明。在該種程序之中，藉由將掃描線30設爲 正的電位、將TFT24設爲開啓狀態，而使供給0電位之資料 線23與電容器25之負極成電氣性地導通，且使電容器25 之負極的電位上升至0電位爲止。並且，在電容器25之正 極方面爲呈現出被維持在負極之電位（一 VD2)所賦予之（VD2 -40- 200426754 + Vth )。並且’共用線29係被設成正的電位，在TFT26方面 係產生有（VD2+ Vth2 )之閘極·源極間電壓，在該種閘極-源 極間電壓中流動有對應之電流，有機EL元件27係顯示對應 於流動之電流的亮度。此種發光程序係在全數之畫素電路中 爲同時地進行’全數之有機EL元件27係爲同時地顯示指定 亮度之光，且同時地顯示一張之畫面。
如此’於第1 4圖所示之畫素電路係將指定之基準電位供 給至資料線23，在資料線23之基準電位供給時爲將TFT24 設爲開啓狀態而使資料線23與電容器25之負極進行電氣性 地導通，藉此，比較於第12圖中所示之畫素電路，爲可省 略TFT31。再者，不僅是可省略TFT31，亦可省略TFT31所 連接之掃描線34,而可設成簡易之電路構造。因此，在於第 1 4圖所示之畫素電路中，爲可減小TFT、電容器、掃描線之 佔有面積。從而，係可達到畫素電路之面積的縮小化之目 的，例如在與習知者相較之下，爲可實現將影像之解析度提 昇至1.5程度的高精細之顯示裝置。 此外，由於係同時的使光顯示在全數之有機EL元件27 中，故而可不受前框架之影像來進行影像之顯示。在過去， 例如第η行之畫素電路在進行資料寫入程序時，結束全數資 料寫入程序之第m行之畫素電路爲進行發光程序。因此，在 過去之顯示裝置中，爲具有在影像顯示時之顯示前框架之資 訊的區域。從而，在過去之顯示裝置中，爲具有應在不同時 間來顯示之影像於同時地進行顯示之情況，在動畫之顯示方 -41 - 200426754 面係不適當。不過，在以第14圖所示之畫素電路所構成之 顯示裝置之情況下，由於全數之有機EL元件27係同時地顯 示光，故而不致產生上述問題，而可正確地進行動畫之顯 示、提昇動畫特性。
另外，在第14圖中之畫素電路方面，雖將指定之基準電 壓作爲0電位來說明，不過並非被限定在〇電位，只要是較 對應於有機EL元件27之發光亮度之電位（- VD2 )爲更高 値之一定電位即可。在臨界値電壓檢測程序中而將低於電位 (- VDZ )之低電位値的電位作爲基準電位、施加至資料線 23之情況下，TFT26之閘極-源極間電壓係減少臨界値電壓， 在臨界値電壓檢測程序中係不致使TFT26形成開啓狀態而 無法檢測出TFT26之臨界値電壓。此外，在基準電壓非爲〇 電位之情況下，爲了在有機EL元件27中顯示已設定之亮度 之光’在資料寫入程序中，爲必須考慮有機EL元件27之發 光亮度之電位與基準電位間之差分而設定供給資料線2 3的 電位。
此外，在第1 5圖中，於資料寫入程序之中，雖針對於資 料線23供給電位（一 Vw )之情況來表示，不過，資料線23 係爲’在各個畫素電路中爲因應於各個畫素電路之有機EL 元件27之設定亮度而供給電位〇至電位（一 Vd2 )之間之任 意的電位。 〔實施例3〕 接著’針對有關實施例3之顯示裝置進行說明。有關實施 -42- 200426754
例3之顯示裝置，爲具備有：具有資料線與第丨切換裝置以 及電容器的資料寫入裝置、具有電流發光元件與作爲第2切 換裝置之兩個TFT的臨界値電壓檢測裝置。藉由該顯示裝置 而構成爲使資料寫入裝置與臨界値電壓檢測裝置各別的進 行動作，而在以資料寫入裝置所寫入之電位中，藉由使電位 施加至驅動元件，而得以實現一種顯示裝置，係爲在即使驅 動元件之臨界値電壓進行變動的情況下，亦可將均勻的電流 供給至電流發光元件，而該電位係爲，施加有藉由不同於資 料寫入裝置之機能的臨界値電壓檢測裝置所檢測而出之臨 界値電壓的電位。
第17圖所示係爲在本實施例3中之畫素電路之構造的示 意圖。於本實施例3中之畫素電路係如第17圖所示，具備 有：所供給之電位係已對應於電流發光元件之亮度的資料線 43、作爲第1切換裝置的TFT44、維持寫入電位的電容器45、 以作爲連接至TFT44之閘極電極之第1掃描線之掃描線51 所構成的資料寫入裝置4 1。此外，更具備有··作爲驅動元件 之TFT46、具有作爲第1薄膜電晶體之TFT48與作爲第2薄 膜電晶體之TFT49的第2切換裝置、作爲電流發光元件之有 機EL元件47、以及以作爲連接至有機EL元件之作爲電源 線的共用線50所構成之臨界値電壓檢測裝置42。此外，爲 便於說明，針對於TFT46爲將與有機EL元件47連接之電極 設爲源極電極、而將連接至TFT49之電極設爲汲極電極。 資料寫入裝置41係爲，藉由資料線43而付與對應於有機 -43· 200426754 EL元件47之顯示亮度的電位，而具有維持該電位之機能。 構成該種資料寫入裝置41之資料線43、作爲第1切換裝置 之TFT44、電容器45以及作爲第1掃描線之掃描線51，係 具有與在實施例1所說明之畫素電路中構成資料寫入裝置1 的各個構成要素相同的機能。
臨界値電壓檢測裝置42係具有檢測出作爲驅動元件之 TFT46之臨界値電壓的機能。構成該臨界値電壓檢測裝置42 之作爲驅動元件的TFT46，係具有藉由形成開啓狀態而將對 應於閘極-源極間電壓之電流供給至有機EL元件47的機 能。此外，與TFT46之源極電極連接之有機EL元件47係爲 一種用以在原本TFT46爲開啓狀態時，顯示已對應於所付與 之電流之亮度之光者，不過，在臨界値電壓檢測裝置42中， 爲作爲對於TFT46之源極電極供給電荷之電容的機能。
此外，TFT48以及TFT49係構成第2切換裝置。TFT48之 源極電極係連接至TFT46之閘極電極，TFT49之源極電極則 連接至汲極電極，TFT49之汲極電極與TFT48之汲極電極爲 相互連接，同時連接至接地。亦即，TFT48與TFT49均形成 爲開啓狀態，藉此而使TFT46之閘極電極與汲極電極產生短 路、同時連接至接地。如後所述，在有關於本實施例3之顯 示裝置中，藉由安裝TFT48以及TFT49，即使未使用資料線 43等資料寫入裝置41之構成要素亦可進行TFT46之臨界値 電壓的檢測。再者，TFT49係藉由形成爲關閉狀態，而亦具 有使被檢測而出之TFT46之臨界値電壓被維持在TFT46之源 -44- 200426754 極電極的機能。此外，TFT48係以掃描線52所控制，TFT49 係以掃描線53所控制。此外，作爲電源線之共同線50係具 有於實施例1中構成畫素電路的共同線9相同的機能。
接著，參照第18圖以及第19-1至19-5圖，針對於第17 圖中所示之實施例3中之畫素電路的動作狀態進行說明。第 18圖所示係爲在實施例3中之畫素電路的時序圖。第19-1 圖所示係爲在第18圖所示之（a)中之畫素電路之動作方法 之程序的示意圖。第19-2圖所示係爲在第18圖所示之（b) 中之畫素電路之動作方法之程序的示意圖。第19-3圖所示 係爲在第18圖所示之（c)中之畫素電路之動作方法之程序 的示意圖。第19-4圖所示係爲在第18圖所示之（d)中之畫 素電路之動作方法之程序的示意圖。第19-5圖所示係爲在 第18圖所示之（e)中之畫素電路之動作方法之程序的示意 圖。如第18圖之（a)至（e)以及第19-1至19-5圖所示， 在畫素電路中，資料之寫入與臨界値電壓之檢測係以個別獨 立之程序來進行。於第19-1至19-5圖中，實線部所示係爲 電流流動之部分，而虛線部所示則爲電流未流動之部分。 於第18圖之（a)以及第16圖之（a)所示之程序中’ 作爲臨界値電壓檢測之前階段，係爲使電荷儲存在有機EL 元件47的前處理程序。具體而言，係爲一種流動與TFT46 發光時爲逆向之電流、而使電荷儲存在有機EL元件47的程 序。本程序係與在實施例1中之畫素電路之前處理程序相 同，爲具有將共同線5 0之電位極性與發光時進行比較、藉 -45- 200426754 由反轉而使充分大於殘存在電容45之電荷之負的電荷儲存 在有機EL元件47之陽極側。此外，爲了將TFT46之汲極電 極連接至接地，TFT49係維持開啓狀態。當使電荷儲存在有 機EL元件47後，因維持所儲存的電荷，而將掃描線設爲正 的電位、將TFT48設成爲開啓狀態。
於第18圖之（b)以及第16-2圖所示之程序，係爲一種 藉由臨界値電壓檢測裝置42而檢測出作爲驅動元件之 TFT46之臨界値電壓的臨界値電壓檢測程序。在前處理程序 中，在結束對於有機EL元件47之負的電荷之儲存後，共用 線50便由正的電位形成爲0電位。因掃描線52以及掃描線 53均維持成正的電位，因此藉由維持TFT48以及TFT49之 開啓狀態，TFT46爲形成使閘極電極與汲極電極短路、同時 連接至接地。從而，在TFT46之閘極電極與汲極電極方面係 被付與有0電位。在此，因有機EL元件47係與TFT46之源 極電極連接，故而依據被儲存在有機EL元件47之陽極側之 負的電荷，TFT46之閘極-源極間電壓係形成爲大於臨界値電 壓，而TFT46爲形成開啓狀態。此外，使TFT46之汲極電極 形成開啓狀態、經由TFT49而被連接至接地，另一方面， TFT46之源極電極係付與被連接至已儲存有負電荷之有機 EL元件47之負的電位。從而，在TFT46之中，爲在閘極電 極與源極電極之間產生電位差，而流動有由汲極電極朝向源 極電極之電流。藉由該電流之流動而使被儲存在有機EL元 件47之負電荷之絕對値漸漸減少，而TFT46之閘極-源極間 -46- 200426754
電壓亦緩緩的降低，並且，當TFT46之閘極-源極間電壓減 少至臨界値電壓（=Vth3 )之時間點下，TFT46爲形成關閉 狀態，亦停止被儲存在有機EL元件47之負電荷之絕對値的 減少。且因爲使TFT46之閘極電極經由設爲開啓狀態之 TFT49而連接至接地，因此TFT46之源極電極之電位係被維 持在（一 Vth3 )。如上述，在TFT46之源極電極爲呈現TFT46 之臨界値電壓（一 Vth3)、檢測出TFT46之臨界値電壓。此外， 在本程序中，作爲驅動元件之TFT46之臨界値電壓的檢測係 僅藉由臨界値電壓檢測裝置42之構成要素來達成，因此無 須資料寫入裝置41之構成要素的動作。
第18圖之（c)以及第19-3圖所示係爲維持檢測而出之 臨界値電壓的臨界値電壓維持程序。且因TFT48以及TFT49 均設成爲關閉狀態，因此爲將掃描線52以及掃描線53設爲 負的電位。因TFT49爲形成關閉狀態，因此呈現在TFT46 之源極電極的TFT46之臨界値電壓（—Vth3 )係不致釋出至 接地而維持穩定狀。 於第18圖之（d)以及第19-4圖所示之程序，係爲一種 資料寫入程序。爲與實施例1中之畫素電路的資料寫入程序 相同的，對應於有機EL元件47之亮度的電位係經由TFT44 而以由資料線43所寫入之電容器45所維持。此外，在本程 序中，寫入電位係爲VD3。在此，資料之寫入係僅藉由資料 寫入裝置41之構成要素來達成，而無須臨界値電壓檢測裝 置.42之動作。換言之，資料的寫入係僅藉由資料寫入裝置 -47- 200426754
41之構成要素來形成，而TFT46之臨界値電壓之檢測係僅 藉由臨界値電壓檢測裝置42之構成要素來形成，因此，資 料寫入裝置41與臨界値電壓檢測裝置42係爲獨立的機能。 此外，在本程序中，即使畫素電路之構造上在TFT46之閘極 電極之中爲形成施加有作爲寫入電位的VD3而將TFT46形成 爲開啓狀態，不過，因連接至TFT46之汲極電極的TFT49 爲設成關閉狀態，因此電流並不致流入至TFT46，而以臨界 値檢測程序所檢測而出之TFT46的臨界値電壓係不致消 失。
第 18圖之（e)以及第19-5圖係爲將有機EL元件47 進行發光的發光程序。亦即，被維持在電容器45之電荷係 被供給至作爲驅動元件之TFT46，係爲TFT46形成開啓狀 態、且將電流流入TFT46，藉此而將有機EL元件47進行發 光的程序。在此，在TFT46之閘極電極方面爲由連接的電容 45而施加電位VD3。其結果，TFT46之閘極電極爲形成開啓 狀態。在此，在TFT46之源極電極方面，爲呈現出在臨界値 電壓檢測程序中所檢測而出的臨界値電壓（- Vih3 )。此外， 在本程序中，於TFT46之閘極電極中係施加有由電容器45 所施加的電位VD3,因此，在TFT46方面爲產生有（VD3+ Vth2) 之閘極-源極間電壓。其結果，在TFT46方面爲流入有作爲 閘極-源極間電壓之（VD3 + Vth3 )的電流。藉由將電流流入 作爲驅動元件之TFT46，而在而在連接至TFT46之有機EL 元件47亦有電流流入，有機EL元件47係顯示出對應於流 •48· 200426754 動電流之亮度之光。此外，爲了防止由電容器45所供給之 電荷被釋出至接地、進而消滅，爲必須將與電容器45連接 之TFT48設成爲關閉狀態。因此，掃描線52係維持負的電 位。此外，因爲將TFT46之汲極電極連接至接地，故而掃描 線53係設爲正的電位、TFT49爲設成開啓狀態。再者，於 本程序中，因並未寫入來自資料線43之電位，因此爲必須 將TFT44設成爲關閉狀態而將掃描線51維持成負的電位。
在有關於實施例3之顯示裝置中，與有關於實施例1之顯 示裝置相同的，作爲在發光程序中之驅動元件的TFT46之閘 極-源極間電壓係爲電位VD3與TFT46之臨界値電壓的Vth3 之和，且將對應於該和電壓之電流流入TFT46。從而，即使 TFT46之臨界値電壓進行變動的情況下，因附加於寫入該臨 界値電壓的電位V D3的電壓爲形成TFT46之閘極-源極間電 壓’故而使得TFT46之臨界値電壓的變動受到補償。其結 果’即使在作爲驅動元件之TFT46之臨界値電壓進行變動的 情況下，亦不致變動流入TFT46之電流，有機EL元件係顯 示出均勻亮度之光，而使得畫質的惡化受到抑制。 此外’有關本實施例3之顯示裝置係爲，藉由設置TFT48 與TFT49以作爲第2切換裝置，而在臨界値電壓檢測程序 中’爲使TFT46之閘極電極與汲極電極短路、將TFT46之閘 極電極與汲極電極連接至接地。其結果，在TFT46方面係流 動有一種電流，係爲在與儲存有負的電荷之有機EL元件47 之源極電極與閘極電極之間產生電位差的電流。之後，閘極 -49- 200426754 -源極間電壓爲藉由將形成臨界値電壓（Vth3 )之TFT46形成 爲關閉狀態而在源極電極中檢測出臨界値電壓。從而，藉由 設置TFT48以及TFT49而僅藉由臨界値檢測裝置42之構成 要素的動作來檢測出TFT46之臨界値電壓。因此，在臨界値 電壓之程序中，經由TFT44而無須將連接至TFT46之閘極電 極的資料線43之電位設爲0電位，且在臨界値電壓的檢測 中係無須資料寫入裝置41之構成要素的動作。
再者，在實施例3之畫素電路係爲，在作爲驅動元件之 TFT46之閘極電極中直接連接電容器45之正極。從而，已 由資料線43所供給之電容器45所維持之電位爲直接施加至 TFT46的閘極電極，因此提高寫入資料電位的信賴度。
此外，在本實施例3之中，除了在每行或使每列上進行資 料寫入程序，而以分別在每行或是每列上進行依序發光程序 的方式來顯示影像之外，亦可藉由使全數之有機EL元件47 同時地發光、且同時地顯示一張之畫面的全面總括控制方式 來顯不影像。此外，在本實施例3中，對於全數之畫素電路 亦可同時地進行前處理程序。亦即，亦可對於全數之有機EL 元件47來同時進行電荷之儲存。另外，在本實施例3中， 亦可對於全數之畫素電路同時地進行臨界値電壓檢測程 序。亦即，全數之TFT48係同時地形成開啓狀態，而亦可將 TFT46之汲極電極與閘極電極進行短路。 〔發明之效果〕 如上述說明，若藉由有關於本發明之顯示裝置時，即使當 -50- 200426754 作爲驅動元件之TFT之臨界値電壓進行變動的情況下，將以 臨界値電壓檢測裝置所檢測而出之臨界値電壓施加至寫入 電位的電壓爲形成閘極-源極間電壓，流入至TFT之電流係 不致變動，有機EL元件係顯示均勻亮度之光。此外，若藉 由有關於本發明之顯示裝置時，藉由設置將作爲驅動元件 TFT之閘極電極與汲極電極進行短路之第2切換裝置設置在 臨界値電壓檢測裝置，而可個別獨立的進行資料之寫入與臨 界値電壓的檢測。
【圖式簡單說明】 第1圖所示係爲在實施例1中之畫素電路之構造示意圖。 第2圖所示係爲在第1圖所示之畫素電路之時序圖。 第3_1圖所示係爲在第2圖所示之（a)中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。 第3-2圖所示係爲在第2圖所示之（b)中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。
第3-3圖所示係爲在第2圖所示之（c )中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。 第3-4圖所示係爲在第2圖所示之（d)中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。 第4圖所示係爲惡化前之TFT與惡化後之TFT之電壓-電 流特性之圖表。 第5圖所示，係爲與作爲資料寫入與驅動元件之TFT之 臨界値電壓之檢測動作在相同時間點下結束之情況裡’於第 -51- 200426754 1圖所示之畫素電路之時序圖。 第6圖所示係爲在實施例1中之畫素電路之構造的其他例 之示意圖。 第7圖所示係於第6圖所示之畫素電路的時序圖。 · 第8圖所示係爲在實施例2中之畫素電路之構造的示意 圖。 第9圖所示係於第8圖所示之晝素電路的時序圖。
第1 0-1圖所示係於第9圖所示之（a )中之畫素電路之動 作方法之程序的示意圖。 第10-2圖所示係於第9圖所示之（b)中之畫素電路之動 作方法之程序的示意圖。 第10-3圖所示係於第9圖所示之（c)中之畫素電路之動 作方法之程序的示意圖。 第10-4圖所示係於第9圖所示之（d)中之畫素電路之動 作方法之程序的示意圖。
第10-5圖所示係於第9圖所示之（e)中之畫素電路之動 作方法之程序的示意圖。 第1 1圖所示，係爲與作爲資料寫入與驅動元件之TFT之 臨界値電壓之檢測動作在相同時間點下結束之情況裡，於第 8圖所示之畫素電路之時序圖。 第1 2圖所示係爲在實施例2中之畫素電路之構造的其他 例之示意圖。 第13圖所示係於第12圖所示之畫素電路的時序圖。 -52- 200426754
+々索窣電路之構造的其他 第1 4圖所示係爲在實施例2中之畫$ # W 例之示意圖。 «麥奮路的時序圖。 第15圖所示係於第14圖所示之畫素 /一今fa)中之畫素電路之 第16-1圖所示係於第15圖所不之t 動作方法之程序的示意圖。 一々rb)中之畫素電路之 第16·2圖所示係於第15圖所不之k 動作方法之程序的示意圖。 一々「c)中之畫素電路之 第16-3圖所示係於第15圖所不Z k 動作方法之程序的示意圖。 第16-4圖所示係於第15圖 動作方法之程序的示意圖。 第1 6 - 5圖所示係於第1 5圖 動作方法之程序的示意圖。 第1 7圖所示係爲在實施例 所示之“）巾素電路之 一々re)中之畫素電路之 中之賽素電路之構造的示意 圖。 第1 8圖所示係爲於第 第19-1圖所示係於第 動作方法之程序的示意圖 第19-2圖所示係於第 動作方法之程序的示意圖 第19-3圖所示係於第 動作方法之程序的示意圖 第19-4圖所示係於第 之震素電路之時序圖 17圖中 1 8圖所示之 〇 一々(b ) 1 8圖所不^ 〇 1 8圖所示之（C ) 〇 1 8圖所禾之（d ) 中之畫素電路之 中之畫素電路之 中之畫素電路之 中之畫素電路之 -53- 200426754 動作方法之程序的示意圖。 第19-5圖所示係於第18圖所示之（e)中之畫素電路之 動作方法之程序的示意圖。 第20圖所示係有關於在習知技術中之主動矩陣方式之有 機EL顯示裝置中的畫素電路。 第21圖所示係爲惡化前之TFT與惡化後之TFT之電壓· 電流特性的圖表。 【主要部分之代表符號說明】
1、 21、41 :資料寫入裝置 2、 22、42 :臨界値電壓檢測裝置
3、 23、43 :資料線 4 、 24 、 44 : TFT 5、25、45 :電容器
6 、 26 、 40 : TFT 7 ' 27、47 :有機EL元件
8 28、 48、 49: TFT 9、29、50 :共用線 1 0 3 〇、5 1 :掃描線
1 1、31 : TFT 12、 32、s〇 、Μ ··掃描線
13、 33 : TFT 14、 15、 M、35 :掃描線 1 0 b資料線 -54- 200426754 器 EL元件 106
102 ： TFT 103 :電容
104 : TFT 105 :有機 掃描線

Claims (1)

  1. 200426754 拾、申請專利範圍： 1· 一種顯示裝置，係爲，在主動矩陣型之顯示裝置中爲具備 有：資料寫入裝置，爲寫入對應於發光亮度之電位；臨界 値電壓檢測裝置，爲檢測出具有薄膜電晶體之驅動元件的 臨界値電壓；其特徵在於： 前述資料寫入裝置爲具備有： 資料線，爲供給對應於發光亮度之電位； 以及第1切換裝置，爲經由前述資料線控制所供給之電 位之寫人； % 前述臨界値電壓檢測裝置係具備有Z 第2切換裝置，爲控制前述驅動元件之閘極電極與汲極 電極之間的導通狀態； 電流發光元件，爲顯示對應於流動電流之亮度之光，同 時，作爲儲存電荷之電容而可將電荷供給至前述驅動元件 之源極電極或是汲極電極。 2.如申請專利範圍第1項之顯示裝置，其中前述臨界値電壓 $ 檢測裝置係爲，對於以前述第2切換裝置而使閘極電極與 汲極電極之間短路的前述驅動元件，爲依據因被儲存在前 述電流發件之電荷所造成之閘極·源極間的電位差而形成 開啓狀態後，以前述所儲存之電荷的減少而使閘極-源極 間之電位差降低至臨界値電壓爲止、形成爲關閉狀態，藉 此，檢測出前述驅動元件之臨界値電壓。 3·如申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中對於在發光 時之前述驅動元件所施加的電位，係爲以前述臨界値電壓 -56 - 200426754 檢測裝置所檢測出之前述驅動元件的臨界値電壓、以及以 前述資料寫入裝置所寫入之電位之間的和。 4.如申請專利範圍第1至3項中任一項之顯示裝置，其中前 述臨界値電壓檢測裝置係更具備有電源線，係在發光時， 爲將順向之電壓施加至前述電流發光元件以供給電流，同 時，將逆向之電壓施加至前述電流發光元件而可儲存電 荷。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之顯示裝置，其中更 具備有控制前述第1切換裝置之驅動狀態的第1掃描線。 6·如申請專利範圍第1至5項中任一項之顯示裝置，其中前 述電流發光元件係爲有機電場發光元件。 7·如申請專利範圍第1至6項中任一項之顯示裝置，其中前 述資料寫入裝置係更具備有電容器，係維持由前述資料線 所供給之電位。 8 ·如申請專利範圔第1至7項中任一項之顯示裝置，其中更 具備有第3切換裝置，爲設在前述資料寫入裝置與前述臨 界値電壓檢測裝置之間，且控制前述資料寫入裝置與前述 臨界値電壓檢測裝置之間的電氣導通。 9·如申請專利範圍第8項之顯示裝置，其中前述第3切換裝 置爲具備有薄膜電晶體。 10·如申請專利範圔第8或9項之顯示裝置，其中更具備有 控制前述第2切換裝置與前述第3切換裝置之驅動狀態的 第2掃描線； -57- 200426754 前述第2切換裝置與前述第3切換裝置係爲，使閘極電 ® _接至前述第2掃描線，且分別具備有通路層之導電性 爲相異之薄膜電晶體。 1 1 ·如申請專利範圍第8或9項之顯示裝置，其中前述第2 *^刀@裝置與前述第3切換裝置係具備有通路層之導電性爲 相同的薄膜電晶體，前述第2切換裝置與前述第3切換裝 S之驅動狀態係以個別的掃描線所控制。
    1 2.如申請專利範圍第1至6項中任一項之顯示裝置，其中 具備有： 電容器，係被配置在前述資料寫入裝置與前述臨界値電 壓檢測裝置之間，且具有與前述資料寫入裝置電氣性連接 之第1電極、以及與前述臨界値電壓檢測裝置電氣性連接 之fe 2電極； 以及第4切換裝置，爲電氣性的連接至前述第1電極， 控制前述第1電極之電位。
    13. 如申請專利範圍第12項之顯示裝置，其中前述第4切換 裝置係爲，在開啓狀態時爲維持前述第1電極與前述第2 電極之間的電位差，同時，使與維持在前述第1電極之電 荷同量、且極性相異之電荷產生於前述第2電極，同時’ 消去維持在前述第1電極中之電荷，而在關閉狀態時’以 不致移動維持在前述電容器之電荷而持續電荷維持。 14. 如申請專利範圍第12或13項之顯示裝置，其中前述第4 切換裝置係具備有薄膜電晶體。 -58- 200426754 1 5 ·如申請專利範圍第1 2至1 4項中任一項之顯示裝置，其 中更具備有控制前述第2切換裝置與前述第4切換裝置之 驅動狀態的第3掃描線； 前述第4切換裝置與前述第2切換裝置係爲，閘極電極 連接至前述第3掃描線，且分別具備有通路層之導電性爲 相異之薄膜電晶體。
    16·如申請專利範圍第12至14項中任一項之顯示裝置，其 中前述第2切換裝置與前述第4切換裝置係具備有通路層 之導電性爲相同的薄膜電晶體，前述第2切換裝置與前述 第4切換裝置係以個別的掃描線所控制。 1 7 ·如申請專利範圍第1至7項中任一項之顯示裝置，其中 前述第2切換裝置係具備有與前述驅動元件之閘極電極連 結的第1薄膜電晶體、以及與前述驅動元件之汲極電極連 接之第2薄膜電晶體。
    1 8.如申請專利範圍第1 7項之顯示裝置，其中前述第2薄膜 電晶體係爲，藉由於前述第1薄膜電晶體均形成爲開啓狀 態，而將前述驅動元件之閘極電極與汲極電極進行短路， 在檢測出臨界値電壓後藉由形成爲關閉狀態而維持所檢 測而出之臨界値電壓。 19.如申請專利範圍第1至6項中任一項之顯示裝置，其中 更具備有電容器，係被配置在前述資料寫入裝置與前述臨 界値電壓檢測裝置之間，且具有與前述資料寫入裝置電氣 性連接之第1電極、以及與前述臨界値電壓檢測裝置電氣 •59- 200426754 性連接之第2電極； 前述資料線係爲，在發光時藉由前述臨界値電壓檢測 裝置’在前述驅動元件之臨界値電壓之檢測時與在前述電 流發光元件中之電荷儲存時供給基準電位； 前述第1切換裝置係爲，在發光時藉由前述臨界値電 壓檢測裝置，在前述驅動元件之臨界値電壓之檢測時與在 前述電流發光元件中之電荷儲存時，使前述資料線與前述 第1電極電氣性地導通。
    20. 如申請專利範圍第1至19項中任一項之顯示裝置，其中 全數之前述電流發光元件爲同時地顯示光、同時地顯示一 張之畫面。 21. 如申請專利範圍第1至20項中任一項之顯示裝置，其中 對於全數之前述電流發光元件爲同時進行電荷的積存，全 數之前述第2切換裝置係爲，同時與前述驅動元件之閘極 電極於汲極電極進行短路。
    -60-
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