TW200424237A - Polymer synthesized from silsesquioxane derivative - Google Patents

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Description

200424237 玖、發明說明： 發曰月所屬之技術領域 本發明係有關一種使用砂倍半氧院（Silsesquioxane)衍 生物得到的聚合物，其可用作電子材料、光學材料、光電 材料、塗料及底漆等材料。 先前技術 具有矽倍半氧烷骨架的聚合物因具有特殊的結構，所 以其在多種領域上的用途皆有所探討。至今爲止，具有矽 倍半氧烷骨架之聚合物係以溶膠-凝膠法來合成，其係使 用四乙氧矽烷之類的烷氧矽烷爲原料。但是，溶膠-凝膠 法尙有反應時間長、容易殘留微細孔洞等問題。 另外，由籠狀(basket)結構之矽倍半氧烷或其衍生物 所合成的聚合物，其相關硏究亦正進行中。一般皆認爲此 種聚合物可具有良好的耐氣候變化特性、耐熱性、物性及 光學特性。舉例來說，美國專利US 5,412,053及US 5,589,562揭示一種矽基共聚物的製造方法，其係以具缺 損之籠狀結構（即不完全籠狀結構，其並非完全的8面體 狀，而有部分缺損）的矽倍半氧烷與矽氧烷行聚合反應。 在此方法中，多面體寡聚矽倍半氧烷(polyhedral oligomeric Silsesquioxane)的架橋反應，係藉由以胺基等爲反應官能 基之二官能基矽烷、矽氧烷或有機金屬化合物來進行。另 外，在 Comments Inorg· Chem·，1995，77，115-130 的一文 中，揭示以矽氧烷等結合不完全籠狀結構之矽倍半氧烷， 並以此爲主聚合鏈之共聚物的製造方法，以及以籠狀結構 13263pif.doc/008 6 200424237 之矽倍半氧烷作爲懸掛型態之共聚成分，而以甲基丙烯酸 作爲共聚物之主鏈成分的製造方法。再者’於 Macromolecules，1993, 2(5, 2141-2142—文中，揭示了令不 完全籠狀結構之矽倍半氧烷之角落矽原子上的OH基與二 (二甲胺基）矽烷等反應，而得矽倍半氧烷-矽氧烷共聚物的 製造方法。 另一方面，US 5,484,867揭示，以完全籠狀結構之石夕 倍半氧烷與含乙烯基之化合物反應，而得共聚物的製造方 法。另外，Chem. Lett·，1998，763-764 —文提出了以氫化 八石夕倍半氧院（hydrogenated octasilsesquioxane)與苯乙炔苯 進行氫砂院化(hydrosilylation)聚合反應，而得共聚物的報 告。此外，在 J. Am· Chem· Soc·，1998, 720，8380-8391 — 文中，提出了以籠狀結構之數個角落鍵結有乙烯基的完全 籠狀矽倍半氧烷化合物與氫化之完全籠狀結構的矽倍半氧 烷化合物，進行氫.砂烷化聚合反應而得膠態共聚物的報 告。另外，日本專利申請案早期公開公報第2002-069191 號及2002-265065號揭示，以籠狀結構之氫化八矽倍半氧 烷與含有羥基或乙烯基之化合物反應，而得可溶於有機溶 劑之具有氫化八矽倍半氧烷單元的共聚物的方法。然而， 無論以上那一種方法，皆是將完全籠狀結構之矽倍半氧烷 接枝在主鏈上，其橋接點並不固定。當完全籠狀結構之矽 倍半氧烷接枝在聚合鏈上時，雖然可抑制局部的分子運 動，而可顯示出對聚合物的改質效果，但卻不會改變聚合 鏈的主結構。另一方面，當矽倍半氧烷單元作爲橋接點時， 13263pif.doc/008 7 200424237 則會產生膠態的共聚物，其成形性甚低。 特別是對電氣-電子材料而言，其對絕緣性、耐熱性、 耐久性及成形性等的要求皆更高。然而，習知之矽倍半氧 烷共聚物卻無法滿足上述各項特性之需求。因此，業界亟 需具有良好的耐熱性、耐氣候變化特性、電絕緣性、硬度、 力學強度及耐藥性等特性，且係以籠狀結構之矽倍半氧烷 爲主鏈、鍵結位置明確而成形性佳的共聚物。然而，主鏈 中含籠狀結構之矽倍半氧烷的共聚物，其難以使用習知的 化合物來合成。在 Polymer Preprints，Japan，Vol· 50, No. 12 (2001)—文中，雖揭示了可當作聚合物之主鏈的化合物’ 但導入T8結構之矽倍半氧烷骨架的共聚物的實例只有一 個而已，且其具體特性也不十分明瞭，而其玻璃轉變溫度 更只有125°C，種種缺點皆有改善之必要。另外，如將T8D2 或類似結構的矽倍半氧化物骨架導入主鏈，即可任意控制 其分子量，而將聚合物的物性調整至所需者。此處須特別 說明的是，矽上鍵結3個氧的結構稱T結構，鍵結2個氧 的稱D結構，而T8D2結構即是由8個T結構與2個D結 構組合而成的結構。 發明內容 本發明之發明人發現，使用下式（1-0)所示之矽倍半氧 烷衍生物，即可得到主鏈中含此矽倍半氧烷衍生物骨架的 聚合物。同時，以此聚合物製得之無色透明塗布膜具有良 好的接著性、可撓性、機械強度及耐熱性，且具有防止金 屬離子溶出的功能。製備此種聚合物之方法的較佳實例爲 13263pif.doc/008 8 200424237 一些利用氣砂院化反應的方法。進一步而言，利用氫砂院 基化反應以得該等聚合物的較佳方法有以下兩種。在首例 中，係使用具有至少2個烯基的化合物（1_0)，令其與具有 至少兩個Si-H基的化合物在氫矽烷化觸媒存在下進行反 應。在第2例中，係使用具有至少2個Si_H基的化合物 (1-0)，令其與具有至少2個烯基或具有炔鍵的化合物在氫 矽烷化觸媒存在下進行反應。 本發明之用語的定義如下。各處的烷基及亞烷基（烷 撐基）可以是直鏈官能基，也可以是具支鏈官能基，即使 是在該官能基上任意氫原子爲鹵素或環狀官能基取代的情 形下’或是在任意亞甲基(一CH2-)爲—〇---CH=CH-、環院 撐基、環烯撐基或苯撐基取代的形下。此處所謂「任意」 不僅表示任意位置，同時也表示任意數目。再者，當分子 上有數個位置爲其他官能基所取代時，每一位置皆各自可 爲不同的官能基所取代。舉例來說，當一烷基中任意亞甲 基（-CH2-)爲-0-或—CH=CH—所取代時，即可能出現烷氧 烯基或儲氧院基。再者，該些官能基中的烷氧基、烯撐基、 烯基與院撐基中’任一者皆可爲直鏈官能基或具支鏈官能 基。然而’當本發明說明書提及任意_CH2—可爲所取 代時’其並不包含連續數個-ch2—爲—〇__所取代的情形。 另外，本發明之鹵素的實例爲氟、氯及溴。再者，所謂「烯 基」之定義爲嫌基與含烯基官能基的總稱。不過，當該烯 基係爲化合物名稱的〜部分時，此定義並不適用。 接著’藉由以下所示之本發明的各點內容，即可解決 13263pif.doc/008 9 200424237 前述的問題。 第1點，本發明提出使用式（1-0)所示之砂倍半氧烷衍 生物所得之聚合物： R0 R〇\_〇 SiCR〇〇
\ / O / n o，^si 一 今丨一 R η〆 (1-0) ° R°—Si-I-O—Si^° /〇’？/〇 \r〇 'Si——0—Si R° 、R〇 其中，各1^°官能基各自爲氫、烷基、芳基或芳烷基，其 中烷基之碳數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，且任 意-CHr可以-0-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代。 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜2〇的烷基取代。芳 烷基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代’且任意-CH2-可以—CH=CH-或環烷撐 基取代。另外，作爲芳基上之取代基的碳數丨〜川烷基， 其上任意氫原子可以氟取代，且任意_€]9[2_可以—〇一、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代。另外，γ爲式（a)或(b) 所示之官能基： 13263pif.doc/008 10 200424237
xlsilzlsilx 其中，各X官能基各自可爲氫、氯、與RQ定義相同之官 能基，或是含有-CH=CH---C = C---OH、-COOH、-COO-、 2-氧代丙垸-1，3-二醯基（2-oxapropane-l，3-dioyl)、環氧乙 基（oxiranyl)、環氧乙撐基（oxiranylene)、環氧丙基 (oxetanyl)、環氧丙撐基（oxetanylene)、3,4-環氧環己基、 -SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能基。在式 (a)及式(b)各自之中，各X官能基中至少有一者爲氫、氯， 或是含有—CH=CH-、-OC-、-OH、-C00H、-C00-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、 環氧丙撐基、3,4·環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任一 者的官能基。同時，式(b)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 第2點，上述第1點之聚合物可使用式（1-0)所示之矽 倍半氧烷衍生物，令其與具有至少兩個「可與該衍生物之 反應性官能基反應的官能基」的化合物反應而得： 13263pif.doc/008 11 200424237 R\
Si—〇—β\- oy R° Ό、
R° Cf\ 〇>i^〇T-Si-R° σ ，〇 r°—Si-I-O—Si^°( ^ y V y (1-0) R°
V 其中，各R0官能基各自可爲氫、烷基、芳基或芳燒其 其中烷基之碳數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，且 任意-CHf可以-〇-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取 代。芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取代。 芳垸基係由芳基與院撐基所構成者，其中芳基上任意氮原 子可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，烷撐基上任意氫原 子可以氟取代，且任意-CH2-可以—〇-、_CH=CH—或環院 撐基取代。另外，作爲芳基上之取代基的碳數^20烷基， 其上任意顏子可以氟取代，且任意〜CH「可以—〇一、 -CH=CH-、環院擦基或苯擦基取代。又，γ爲式⑷或⑻ 所示之官能基：
X
X
X —si——z Isi——X 13263pif.doc/008 200424237 其中，各x官能基各自可爲氫、氯、與R〇定義相同之官 能基，或是含有-、-CeC-、—OH、—COOH、-COO-、 2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、—SH、—NH_、_Νίί2、_CN 及-O-中任一者的官能基。在式（a)及式卬)各自之中，各χ 官能基中至少有一者爲氣、氯，或是含有-CH=CH-、 —C = C- ' —OH ' -COOH ' -COO-、2-氧代丙烷-i，3-二醯基、 環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環 氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任—者的官能基。同時， 式（b)中的Z爲單鍵、-〇-或-CH2- 〇 第3點，在第2點所得之聚合物中，各官能基各 自可爲碳數1〜8的烷基、萘基、苯基或苯烷基。其中，碳 數1〜8烷基上任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以 -0-或環院撐基取代。苯基上任意氫原子可以鹵素、甲基 或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與烷撐基所組成者，其中 苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4烷基或甲氧基取代， 烷撐基的碳數爲1〜8，且其中任意-ch2-可以或環烷撐 基取代。當苯基上有數個取代基時，其可爲同一種官能基， 亦可爲不同的官能基。另外’在式（a)與式（b)各自之中， 各X官能基中至少有一者爲氫、氯，或是含有-CH=CH-、 一CEC---oh、一C00H、-c〇0—、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、 環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環 氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任一者的官能基’而其 他的X官能基定義則與R()相同。另外，式⑻中的Z爲-0-。 13263pif.doc/008 13 200424237 第4點，在第2點所得之聚合物中，所有的R°皆是 自碳數1〜8之烷基、萘基、苯基及苯烷基中選出的同一種 官能基。其中，碳數1〜8烷基上任意氫原子可以氟取代， 且任意-CH2-可以-〇-或環烷撐基取代。苯基上任意氫原 子可以鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與烷撐 基所組成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4 烷基或甲氧基取代，烷撐基的碳數爲1〜8，且其中任意 -CH2—可以-〇-或環烷撐基取代。當苯基上有數個取代基 時，其可爲同一種官能基，亦可爲不同的官能基。另外， 在式（a)與式(b)各自之中，各X官能基中有一者爲氫、氯， 或是含有—CH=CH-、-C三C-、-OH、-COOH、-COO—、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、 環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任一 者的官能基，而其他的x官能基定義則與R()相同。另外， 式(b)中的Z爲-Ο-。 第5點，在第2點所得之聚合物中，所有的RQ可皆 爲自未取代苯基、環戊基及環己基中選出的同一種官能 基。在式(a)與式(b)各自之中，各X官能基中有一者爲氫、 氯，或是含有-CH=CH---CeC-、-OH、-COOH、-C〇〇—、 2-氧代丙院-1，3-一酸基、氧乙基、環氧乙擦基、環氧丙 基、環氧丙撐基、M-環氧環己基、-SH、-ΝΗ-及—ΝΗ2中 任一者的官能基，而其他的X官能基定義則與Μ相同。 另外，式(b)中的Ζ爲-0-。 第6點，之前第2點所得的聚合物，其可由下式（丨q) 13263pif.doc/008 14 200424237 所示之矽倍半氧烷衍生物與具有至少2個Si_H基的化合 物反應而得：
R VSi \ X 0 / ^ n^-Si一Ο j-Si—R - -Si-I-O-Si-0 j 〇 r/ V |/〇R 'Si—O—Si \r
R (l-l) 其中，各R官能基各自爲烷基、芳基或芳烷基，其中烷基 之碳數爲1〜40,其上任意氫原子可以氟取代，且任意_CH2- 可以-Ο---CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代。芳基上 任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取代。芳烷基係 由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子可以鹵 素或碳數1〜20.之烷基取代，烷撐基上任意氫原子可以氟 取代，且任意-CH2-可以—〇---CH=CH-或環烷撐基取代。 另外，作爲芳基上之取代基的碳數丨〜⑼烷基，其上任意 氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以——CH=CH-、 環烷撐基或苯撐基取代。另外，γΐ係爲下式（ad)或(b-1)所 示之官能基：
X 11
X 11〆
Si :a-l) X1X1
X—si—zIs—X 13263pif.doc/008 200424237 其中在式（a-l)與(b-l)各自之中，各X11官能基中至少有一 個爲烯基，其他的X11則各自可爲氯、與R定義相同之官 能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-〇-中任一 者的官能基。同時，式(b-l)中的Z爲單鍵、-〇-或-CH2-。 第7點，第6點所提及之聚合物，其可由式（1-1)所示 之矽倍半氧烷衍生物與自「式（1-2)所示之矽倍半氧烷衍生 物以及式（2-1)、（3-1)、（4-1)、（5-1)與（6-1)所示之化合物」 中所選出的至少一種化合物反應而得：
其中，各R官能基各自爲烷基、芳基或芳烷基，其中烷基 之碳數爲1〜40,其上任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-0——CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代。芳基上 任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取代。芳烷基係 由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子可以鹵 素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子可以氟 取代，且任意-CH2-可以-〇——CH=CH-或環烷撐基取代。 另外，作爲芳基上之取代基的碳數1〜20烷基，其上任意 13263pif.doc/008 16 200424237 氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-Ο-、-CH=CH-、 環烷撐基或苯撐基取代。另外，Y1係爲下式（a-1)或(b-1)所 示之官能基： X1
X X1
111 111 X——si——Z丨si——X b- 其中，在式（a-l)與(b-l)各自之中，各X11官能基中至少有 一者爲烯基，其他X11官能基則各自可爲氯、與R定義相 同之官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙 烷二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧 丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能基。同時，式(b-Ι)中的Z爲單鍵、-0-或 -CH,-；
R
Si—〇——Si-
R ^〇_Si-〇^S.-R . 7 〇 L 'Si—0—Si
R (1-2)
R 其中，R的定義如同式（1-1)中的R，且Y2爲下式（a-2)或(b-2) I3263pif.doc/008 17 200424237 所示之官能基： χ1\2 / xi2/\ (a-2) X12
12 I X12—Si—
I f (b-2) X12-Si- l12 X12 其中，在式（a-2)與(b-2)各自之中，各x12官能基中至少有 一者爲氫，其他的X12則各自可爲氯、與R定義相同之官 肯g基，或是含有一OH、一COOH、一C〇〇一、2-氧代丙院-1，3- 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基。同時，式(b-2)中的Z爲單鍵、—〇—或-CH2-。 X21 R1—Si—X21 (2-1) X21 其中，R1之定義如同式（1-1)中的R，且各X21官能基中至 少有二者爲氫，其餘則爲R1。 R1 R1
I I Η Si-L-Si-Η (3-1) 13263pif.doc/008 18 200424237 ——〇
R2 I Si—〇
⑹ m 其中，R1之定義_式（1])中的R，且l爲單鍵、 -Ο CH2 -、-(CH2>2-' ~(CH2)3-、—(CH2)4-、1，4-苯撑基、 4,4，_聯苯撐基、4,4’-二氧十1，-聯苯撐基，或是上式⑷所 示之官知基。R之疋義與R1相同，且111爲1〜3〇之整數。
(4-1) 其中，R2之定義與式(2-1)中的R1相同，且各X2!官能基 中至少有二者爲氫’其他X21官能基之定義則與式（1-1)中 的R相同。e爲0或1，且n爲3〜3〇之整數。
(5-1) 其中，R與R1各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X31 官能基中至少有二者爲氫，其他X31官能基則爲Rl。 13263pif.doc/008 19 200424237
R 其中，R與Ri各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X31 官能基中至少有二者爲氫，其他的X31定義則與R1相同。 第8點，在以上第7點的聚合物中’對式（a-l)與式Οι) 各自而言 ，各 X" 官能基中至少有一者爲烯基 ，其餘的 X11定義則與式（1-1)中的R相同。在式（a-2)與式(b-2)各自 之中，各X12官能基中至少有一者爲氫，其餘的X12定義 則與式（14)中的R相同。 第9點，在以上第7點的聚合物中，式（1-1)中各R官 能基各自可爲碳數1〜8之烷基、萘基、苯基或苯烷基。其 中，碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取代，且任意 - CH2-可以-0-或環烷撐基取代。苯基上任意氫原子可以 鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與院撐基所組 成者’其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數丨〜4院基或 甲氧基取代，烷撐基的碳數爲1〜8，且其中任意_Cii2一可 以 -〇-或環烷撐基取代。當苯基上有數個取代基時，其可爲 同一種官能基，亦可爲不同的官能基。另外，在式（a-1)與 式(b-Ι)各自之中，各官能基xn中至少有〜者爲烯基，其 他的X11定義則與式（丨-:^的R相同。在式（a_2)與式(b_2)各 自之中，各官能基χΐ2中至少有一者爲氫，其他的xU定 13263pif.doc/008 20 200424237 義則與式（1_2)中的R相同。另外，式(ΐ>1)及(b_2)中的z 爲一0-。 第10點，在以上第7點的聚合物中，式（π)中各R 官能基皆同，而爲碳數1〜8之烷基、萘基、苯基及苯烷基 其中之一。其中，碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取 代’且任意-CH2-可以-0〜或環烷撐基取代。苯基上任意 氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與 烷撐基所組成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數 1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基的碳數爲ι〜8，且其中任 意-可以-0-或環院撐基取代。當苯基上有數個取代 基時，其可爲同一種官能基，亦可爲不同的官能基。另外， 在式(a-Ι)與式(b-Ι)各自之中，各χη官能基中至少有一者 爲烯基，其他的X11定義則與式G — U中的R相同。在式(心 2)與式(b-2)各自之中，各官能基χη中至少有一者爲氫， 其他的X12定義則與式（1-2)中的R相同。另外，式(b_i)及 式(b-2)中的Z爲-0-。 第11點，在以上第7點的聚合物中，式（丨“）中所有 的R官能基皆相同，其係自未取代之苯基、環戊基及環己 基中所選出。在式（a-Ι)及(b-Ι)各自之中，各χιι官能基中 至少有一者爲細基’其餘的X11則爲碳數1〜8之院基、未 取代之苯基、環戊基或環己基。在式（a_2)及各自之中， 各χ12官能基中至少有一者爲氫，其餘的X12則爲碳數1〜8 火兀基、未取代之苯基、環戊基或環己基。另外，式(b-1)及 式(b-2)中的 Z 爲-〇-。又，在式（2-1)、（3-丨）、（51)8(64) 13263pif.doc/008 200424237 各自之中，R1爲碳數1〜8烷基、未取代之苯基、環戊基或 環己基。式（2-1)之各X21官能基中至少有二者爲氫，其餘 則爲R1。式(4-1)之各X21官能基中至少有二者爲氫，其餘 的X21定義則與式（1-1)中的R相同。 第1 2點’在以上桌7點的聚合物中，式（1 _ 1)中所有 的R官能基皆相同，係爲未取代苯基、環戊基及環己基其 中之一。在式（a-Ι)及(b-Ι)各自之中，各X"官能基中至少 有一者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的χη則爲碳 數1〜8烷基、未取代苯基、環戊基或環己基。在式（a-2)及 (b-2)各自之中’各X12官能基中至少有一者爲氫，其餘的 X12則爲碳數1〜8烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基。 另外，式(b-l)及式(b-2)中的Z爲-0-。在式(2-1)、（3-1)、 (5-1)及(6-1)各自之中，R1爲碳數1〜8烷基、未取代苯基、 環戊基或環己基。式(2-1)之各X21官能基中至少有二者爲 氫，其餘則爲R1。式(4-1)之各官能基中至少有二者爲 氫，其餘的X21定義則與式（Id)中的R相同。 第13點，在以上第7點的聚合物中，式ο])中所有 的R官能基皆爲未取代之苯基。在式（a-1)及(]^1)各自之 中，各X11官能基中有一者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基， 其餘的X11則爲碳數1〜4烷基或未取代苯基。在式(a_2)及 式(b-2)各自之中’各X12官能基中有一者爲氫，其餘的xu 則爲碳數1〜4烷基或未取代苯基。另外，式(b-1)及式(b-2) 中的Z爲-〇-。在式（2-1)、（3-1)、（5-1)及（6-1)各自之中， R1爲碳數1〜4烷基或未取代苯基。式（2-1)之各官能基 13263pif.doc/008 22 200424237 中有二者爲氫，其餘則爲R1。式(心U之各X21官能基中有 二者爲氣，其餘則爲未取代苯基。 第14點’上述第2點之聚合物可由式（1_2)所示之矽 倍半氧烷衍生物與「至少有二烯基之化合物或具炔鍵之化 合物」合成而得：
R
Si—0—Si：
R
,R
R - Si——〇tSi——R R~Si~|-〇—~Si - /° l/° ^Si—0—Si /
R (1-2) 其中，各R官能基各自可爲烷基、芳基或芳烷基。其中， 烷基之碳數爲1〜40,其上任意氫原子可以氟取代/且任 意-CH2-可以-0-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代。 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數的烷基取代。芳 院基係由雜與髓基所軸者，其巾魏±任意氮原子 可以鹵素雜Μ 1〜2〇之院軸代，關基上任意氮原子 可以取代’且任思-CHf可以、〇—、—CH=CH—或環院撐 基取代。另外，作爲芳基上之取代基的讎完基， 其上任意氫原子可以氟取代，且任音一CH2—可以—〇一、 -CH=CH-、賴撐基棘撐_代。另外，γ2簡下式㈣ 或(b-2)所示之官能基： 23 13263pif.doc/008 200424237 χ1\2 / (a-2)
Si χ12/ \ X12 12丨 X12—Si—
I (b-2) z X12—Si— 丨12 X12 其中，在式（a-2)與(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一者爲氫，其他的X12則各自可爲氯、與R定義相同之官 能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基。同時，式(b-2)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 第15點，上述第14點之聚合物可由式（1-2)所示之矽 倍半氧烷衍生物與「式(2-2)、（3-2)、（4-2)、（5-2)、（6-2)、 (d-1)、（d-2)、（d-3)及（d-4)所示之化合物中的至少一種」 合成而得： R Ό < 7 R Si—〇—Si- 〇/1 〇/ ,/ Ο / Si—〇—Si—R Si-I-O—Si * 〇 ^/、
R (1-2) 、Si—〇一Si
R 其中，各R官能基各自可爲烷基、芳基或芳烷基，其中烷 基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 13263pif.doc/008 24 200424237 —ch2-可以-0-、-ch=ch-、環烷撐基或環烯撐基取代。 芳基上任意顏子可以_咖數U的縣取代。芳 院基係由雜雛觀腳_，其巾雜上髓氯原子 可以鹵顏雜1〜20找_代，㈣基上任意氮原子 可以氟取代’且任意-ch2-可以nH=CH—或環院撐 基取代。另外’頻雜上㉔代_讎U院基， 其上任意顏子可以氟取代1任意—叫_可以1、 -CH=CH-、親撐麵苯撐基取代。另外，γ2係爲下式㈣ 或(b-2)所示之官能基： 12
X
X 12〆
Si (a-2)
1 1 X X
121 112 X—si—Z丨s*—X 其中，在式(a-2)與式(b-2)各自之中，各χΐ2官能基中至少 有一者爲氫，其他的X12則各自可爲氯、與R定義相同之 官能基，或是含有-ΟΗ、—COOH、-COO-、2-氧代丙院 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、—ΝΗ-、-ΝΗ2、-CN 及—〇—中任— 者的官能基。同時，式(b-2)中的Ζ爲單鍵、-0-或—CH2-。 25 I3263pif.doc/008 200424237 x22 R1—Si—X22 (2-2) X22 其中，R1定義與式（1-2)中的r相同，且各x22官能基中至 少有二者爲烯基或具炔鍵的官能基，其餘的X22則爲R1。 R1 R1 X22-Si-L-Si-X22 (〇..〇\
其中，R1之定義如同式（1-2)中的R，且X22爲烯基。l爲 單鍵、—0—、-CH2-、—(CH2)2-、—(CH2)3-、-(CH2)4—、1，4_ 苯擦基、4,4’-聯苯擦基、4,4’-二氧-l，l’-聯苯撑基，或是 上式（c)所示之官能基。另外，R2之定義與Ri相同，且m 爲1〜30之整數。
其中，R2定義與式（2-2)中的R1相同，且各X22官能基中 至少有二者爲嫌基，其他的X22定義則與式（1_2)中的R相 同。e爲0或1，且η爲3〜30之整數。 13263pif.doc/008 26 200424237
R 其中，R與R1各自之定義與式（U)中的R相同，且各χ32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的χ32則爲R1。
其中，R與R1各自之定義與式（1-2)中的R相同，且各X32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的Χ32則爲R1。 h2c= =CH—R3—CH=CH2 (d-1) HC 三 C—R3—C 三 CH (d-2) R4— -C 三 C—R4 (d-3) R4- -CEC—c=c—R4 (d-4) 其中，在式（d-Ι)〜(d-4)各自之中，r3爲碳數1〜40之院撐 基，或是其上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜4之烷基取代 27 13263pif.doc/008 200424237 的本撐基。R4爲碳數1〜8之烷基，或是其上任意氫原子可 以鹵素茨滕數1〜4之院基取代的苯基。其中，在碳數1〜4〇 烷撐基與碳數1〜8烷基各自之中，任意〜CH2-可以—0-或 -COO-取代。 第16點，在以上第15點的聚合物中，對式(a_2)與式 (b-2)f自而言，其各xU官能基中至少有一者爲氫，其餘 的則爲氯或與式（1_2)中的R定義相同的官能基。 弟17點，在以上第I5點的聚合物中，式（1_2)中的各 R官能基各自可爲碳數1〜8烷基、萘基、苯基或苯烷基。 /、中碳數1〜8烷基上任意氫原子可以氟取代，且任意 -CH2-可以或環烷撐基取代。苯基上任意氫原子可以 鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與烷撐基所構 成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數i〜4之烷基 或甲氧基取代，烷撐基之碳數爲丨〜8，且其上任意—CH2一 可以或環烷撐基取代。另外，當苯基上有數個取代基 時，其可關-觀能録不圖官能基。在式(a·2)及式 (b-2)各自之中，各Xu官_中至少有—者顏，其餘的 X12定義則與式（I-2)中的R相同。另外，式（b_2)中的z 爲-Ο-。 第18點，在以上第I5點的聚合物中，式（1-2)中的各 R官能基皆相同，其係選自碳數卜8之烷基、萘基、苯基 與苯烷基之中。其中，碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以 氟取代，且任意-CH2-可以〜〇-或環烷撐基取代。苯基上 任意氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯 13263pif.doc/008 28 200424237 基與烷撐基所構成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、 碳數1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基之碳數爲1〜8，且其 上任意-CHf可以-0-或環烷撐基取代。另外，當苯基上 有數個取代基時，其可爲同一種官能基或不同的官^其。 在式（a_2)及式（b-2)各自之中，各X12官能茸 赞中至少有一者 爲氫，其餘的X12定義則與式（I-2)中的R相^ 相同。另外，式 (b-2)中的 Z 爲-0-。 第19點，在以上第15點的聚合物中，^ 式（1-2)中所有 R官能基皆相同，其係選自未取代苯基、 戌基與環己基。 在式（a-2)及(b-2)各自之中，各X12官能 V至少有一者爲 氫，其餘的X12則爲碳數1〜8烷基、未取件％ 苯基、環戊基 (3-2)、 朱取代苯基、 或環己基。另外，式(b-2)中的Z爲-0-。式（2 (5-2)及(6-2)各自中的R1爲碳數1〜8烷_、 2) 環戊基或環己基。 式（1-2)中所有 壤戊基與環己基 之中。在式(a-2)及式(b-2)各自之中，各）〜 官能基中有一 者爲氫，其餘的X12則爲碳數1〜8烷基、 $取代苯基、環 戊基或環己基。另外，式(b-2)中的Z爲\〇 。在式（2-2)、 (3-2)、（5-2)及（6-2)各自之中，R1爲碳數] i〜8烧其、去取 代苯基、環戊基或環己基。在式（2-2)中，念 "^ X22 ^ ^ Φ 至少有二者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，h 的 X]2 目[[ 爲R1。式（3-2)中的X22爲乙烯基、烯丙棊谛二、 ，、 哭苯7様其。S 在式（4-2)中，各X22官能基中有二者爲乙燧#乙钸泰力 、烯丙基或 第20點，在以上第15點的聚合物中， R官能基皆相同，其係選自未取代苯基、 13263pif.doc/008 29 200424237 苯乙烯基，其餘的X22定義則與式（1-2)中的R相同。在式 (5-2)與(6-2)各自之中，各X32官能基中至少有二者爲乙_ 基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的X32則爲R1。 第2丨點，在以上第15點的聚合物中，式（卜2)中所有 R官能基爲未取代之苯基。在式（a-2)及式(b-2)各自之中， 各X12官能基中有一者爲氫，其餘的X12則爲碳數1〜4燒 基或未取代苯基。另外，式(b-2)中的Z爲-0-。在式（2-2)、 (3-2)、（5-2)及（6-2)各自之中，R1爲碳數1〜4院基或朱取 代苯基。在式（2_2)中，各X22官能基中有二者爲乙烯基、 烯丙基或苯乙烯基，其餘的X22則爲R1。在式（3-2)中，Χ22 官能基爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基。在式（4_2)中，各Χ22 官能基中有二者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的X22 則爲未取代苯基。在式(5_2)與(6-2)各自之中，各X32官能 基中至少有二者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，其餘則爲 R1。 第22點爲以上第7點之聚合物的製造方法，其係令 式（1-1)所示之矽倍半氧烷衍生物與「式（1-2)所示之矽倍半 氧烷衍生物以及式（2-1)、（3-1)、（4-1)、（5-1)與（6-1)所示 之化合物」中的至少一種，在氫矽烷化觸媒存在下反應而 得： 13263pif.doc/008 30 200424237
R Ό-
R \i—〇—Si： ς/1 〇/、./ Φ ·/ - Si—〇-r~Si—R ,R 、〇
、〇、 7 •S 咕 0- ；Si-
- O
R
(1-1) 'Si—0—Si
R 其中，各R官能基各自可爲烷基、芳基或芳烷基，其中院 基之碳數爲1〜40，其上任意的氫原子可以氟取代，且任 意-CH2-可以-Ο-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代。 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜2〇的院基取代。芳 院基係由芳基與院撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代’且任意-CH2-可以—〇—、_CH=CH—或環院撐 基取代。另外，作爲芳基上之取代基的碳數^20烷基， 其上任意氫原子可以氟取代，且任意_(：：112_可以—〇一、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代。另外，¥1係爲下式 或(b-1)所示之官能基： X11 X11-Si-
I ? (b-1) X11-Si- 丨” X11 其中在式（a-1)與式(b-1)各自之中，各X11官能基中至少有 一者爲烯基，其他的X11則各自可爲氯、與R定義相同之 31 13263pif.doc/008 200424237 官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3- 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基。同時，式(b-Ι)中的Z爲單鍵 -0-或-CH2-。
R
Si—0—Si:
R ,R 、〇、 、·/ 〇 / - Si—〇-j—Si—R R—Si-1-〇一~Si^/ 0 /、
R ^Si—O—Si
R 其中，R之定義與式（1-1)中的R相同，且Y2爲下式（a-2) 或（b-2)所示之官能基： X\ / Χ12/' (a"2) X12
12 I X12—Si—
I Z (b-2) X12—Si— 丨12 x,2 其中在式（a-2)與式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一個爲氫，其他的X12則各自可爲氯、與R定義相同之官 倉g基，或是含有一〇H、一C00H、一C00-、2·氧代丙院-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、_SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基。同時，式(b-2)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 13263pif.doc/008 32 200424237 x21 R1—Si—X21 (2-1) X21 其中，R1之定義如同式（i-l)中的H，且各x21官能基中至 少有二者爲氯’其餘則爲R1。 R1 R1 I I Η—Si—L—Si一Η
(3-1)
其中，R1定義如同式（1-1)中的R，且L爲單鍵、—〇-、 一CH2-、—(CH2)2-、-(CH2)3—、—(CH2)4—、L4-苯撐基、4,4’- 聯苯撐基、4,4’-二氧-1，Γ-聯苯撐基，或是上式（c)所示之 官能基。R2之定義與R1相同，且阳爲丨〜30之整數。
其中，R2定義與式（2-1)中的R1相同，且各χυ官能基中 至少有二者爲氫，其他的Χ2ι定義則與式（14)中的r相同。 e爲0或卜且η爲3〜30之整數。 13263pif.doc/008 33 200424237
R 其中，R與r1各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各χ31 官能基中至少有二者爲氫，其他的X31則爲Rl。
(6-1) 且各X31 其中，R與R1各自之定義與式（1-1)中的R相同 官能基中至少有二者爲氫，其他的X31則爲Rl。 第23點爲以上第15點之聚合物的製造方法，其係令 式（1-2)所示之矽倍半氧烷衍生物與「式(2-2)、（3-2)、（4-2)、 (5-2)、（6-2)、（d-1)、（d-2)、（d-3)及（d-4)所示之化合物」 中的至少一種’在氫矽烷化觸媒存在下反應而得：
R
Si—〇——Si、 ,R 、〇、
R
：Si—Oj-Si—R
R;7si4o-siC〇 -Si—o—ii
R (1-2)
R
R 13263pif.doc/008 200424237 其中，各R官_各自可爲辟、芳基或芳絲。其中， 烷基之碳數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，且任 意-CH2-可以-0-、—CH=CH-、則完撐基或環烯撐基取代。 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數卜⑼的烷基取代。芳 烷基係由芳基與烷撐基所構成考，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意-CH2-可以〜〇_、_CH=CH_s環烷撐 基取代。另外，作爲芳基上之取代基的碳數丨〜川烷基， 其上任意氫原子可以氟取代，且任意_CH2-可以-0-、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代。另外，γ2係爲下式(a-2) 或(b-2)所示之官能基 X\ / (a-2)
Si X12〆 \ X12 12丨 X12—Si— (b-2) 1 X12—Si— X12 其中，在式（a-2)與式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少 有一者爲氫，其他的X12則各自可爲氯、與R定義相同之 官會g基，或是含有一〇Η、一COOH、一COO—、2-氧代丙j：完-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4·環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-〇-中任一 13263pif.doc/008 35 200424237 者的官能基。同時，式(b-2)中的z爲單鍵、—〇-或_Ch2_。 X22 R1—|丨-X22 (2-2) X22 其中R1定義與式（1-2)的R相同，各X22官能基中至少有 二者爲烯基或具有炔鍵的官能基，其餘的X22則爲Ri。 R1 R1 X22—Si—L—Si——X22
其中，R1之定義如同式（1-2)中的R，且X22爲烯基。L爲 單鍵、-〇-、-CH2-、-(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)r、1，4- 苯撐基、4,4’-聯苯擦基、4,4’-二氧聯苯撐基’或是 上式（c)所示之官能基。R2定義與R1相同，且m爲1〜30 之整數。
(4-2) 13263pif.doc/008 36 200424237 R1 X32 I Si - R1
R 其中，R2定義與式(2-2)中的R1相同，且各X22官能基中 至少有二者爲嫌基，其他的X22定義則與式（丨―2)中的R相 同。另外，e爲0或1，且η爲3〜30之整數。 其中，R與R1各自之定義與式（1-2)中的R相同，且各X32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的χ32則爲Rl。
(6-2) 其中，R與R1各自之定義與式（1-2)中的r相同，且各X32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的X32則爲R1。 h2c= —CH—R3—CH=CH2 (d-1) HC=C—R3—C=CH (d-2) R4- -C=C—R4 (d-3) R4— -C=C——C=C—R4 (d-4) 其中，在式（d-Ι)〜(d_4)各自之中，R3爲碳數1〜40之烷撐 13263pif.doc/008 37 200424237 基’或是其上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜4院基取代的 苯撐基。R4爲碳數1〜8之烷基，或是其上任意氫原子可以 鹵素或碳數1〜4烷基取代的苯基。其中，在碳數丨〜4〇烷 撐基與碳數1〜8烷基各自之中，任意—CH2-可以-0-或 -COO-取代。 第24點，係爲使用以上第7點之聚合物而得之塗布 膜。 第25點，係爲使用以上第15點之聚合物而得之塗布 膜。 第26點，係爲使用以上第7點之聚合物而得之可防 止金屬離子溶出的薄膜。 第27點，係爲使用以上第15點之聚合物而得之可防 止金屬離子溶出的薄膜。 第28點，以上第2點之聚合物可由式（1-4)所示之矽 倍半氧烷衍生物與至少具有兩個「可與該矽倍半氧烷衍生 物之可反應官能基反應的官能基」的化合物合成而得：
(1-4) 其中，各Μ官能基各自可爲氫、烷基、芳基或芳烷基。 其中，烷基之碳數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代， 13263pif.doc/008 38 200424237 且任意-CH2-可以-Ο-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基 取代。芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取 代。芳烷基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意 氫原子可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，烷撐基上任意 氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以—-CH=CH-或 環烷撐基取代。另外，作爲芳基上之取代基的碳數1〜20 的烷基，其上任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以 一〇一、-CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代。另外，Y4係爲 式（a-4)或(b-4)所示之官能基： (a-4)
Si 〆\ X4 X4—Si—
I (b-4) z X4—Si— 其中，各X4官能基各自可爲氯、與R〇定義相同之官能基， 或是含有-CH=CH-、-CeC-、—0H ' —COOH、-C00-、2- 氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、
環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、—SH、—NH___NH2、-ON 及-〇-中任一者的官能基。對式（a-4)及式（b-4)各自而言， 其各官能基X4中至少有一者爲氯，或是含有_〇H、 -COOH、-COO-、2-氧代丙院-1，3-二醯基、環氧乙基、環 氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、 13263pif.doc/008 39 200424237 -SH、-NH-及-NH2中任一者的官能基。同時，式（b-4)中 的Z爲單鍵、-〇-或-CH2-。 第29點，在第28點之聚合物中，各R。官能基各自 可爲碳數1〜8院基、萘基、苯基或苯院基。其中，碳數1〜8 之烷基上任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-〇-或環烷撐基取代。苯基上任意氫原子可以鹵素、甲基或甲 氧基取代。苯烷基係由苯基與烷撐基所組成者，其中苯基 上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4烷基或甲氧基取代，烷 撐基的碳數爲1〜8，且其中任意-CH2-可以-0-或環烷撐基 取代。當苯基上有數個取代基時，該些取代基可爲同一種 官能基，亦可爲不同的官能基。另外，在式（a-4)與式（b-4) 各自之中，各官能基X4中至少有一者爲氯，或是含有 -OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙 基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己 基、-SH、-NH-及-NH2中任一者的官能基，其他的X4定 義則與式（1-4)中的Μ相同。另外，式(b-4)中的Z爲-〇一。 第30點，在第28點之聚合物中，所有的Μ可爲自 碳數1〜8烷基、萘基、苯基與苯烷基中選出的同一種官能 基。其中，碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取代，且 任意-CH2-可以-0-或環烷撐基取代。苯基上任意氫原子 可以鹵素、甲基或甲氧基取代。苯烷基係由苯基與烷撐基 所組成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4烷 基或甲氧基取代，且院擦基的碳數爲1〜8，其中任意—CH2-可以-〇-或環烷撐基取代。當苯基上有數個取代基時，其 13263pif.doc/008 40 200424237 可爲同一種官能基，亦可爲不同的官能基。另外，在式（a-4)與式(b-4)各自之中，各官能基X4中至少有一者爲氯， 或是含有—OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3·二醯基、 環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環 氧環己基、-SH、-ΝΗ-及-ΝΗ2中任一者的官能基，其他 的X4定義則與式（1-4)中的V相同。另外，式(b-4)中的Ζ 爲-〇- 〇 第31點，在第28點之聚合物中，各W官能基可爲 自未取代苯基、環戊基及環己基中選出的同一種官能基。 在式（a-4)與式(b-4)各自之中，各官能基X4中有一者爲氯， 或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、 環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,‘環 氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任一者的官能基，其他 的X4定義則與式（1-4)中的Μ相同。另外，式(b-4)中的z 爲一 〇-。 爲讓本發明之上述和其他目的、特徵、和優點能更曰月 顯易懂，下文特舉較佳實施例作詳細說明如下： 實施方式 在以下的說明中，矽倍半氧烷簡稱PSQ，且矽倍半氧 烷衍生物簡稱PSQ衍生物。式（1-0)之PSQ衍生物簡稱化 合物（1-〇) ’且式（2-1)之化合物簡稱化合物（2-1)。其他化擧 式所示之PSQ衍生物及化合物亦以同樣方式簡稱之。以τ 將對本發明作更詳細之說明。 本發明主要是關於使用化合物（1-0)所得之聚合物： 13263pif.doc/008 41 200424237 R〇\ R° ·〇、
Si—O—Sir〇x Xi y0o^^°r^~RSj^o y R°—Si-I-O- /° L 'Si—〇一Si \r〇 (1-0) R〇/ \R〇 其中，各R°官能基各自爲氫、烷基、芳基或芳烷基，_ 各RQ雖以全部相同者爲佳，但亦可包含2或更多種的胃 能基。8個R°不盡相同的實例包括以下的組合：2或更多 種烷基、2或更多種芳基、2或更多種芳烷基、氫與至少丨 個芳基、至少1個烷基與至少1個芳基、至少1個烷基_ 至少1個芳烷基、至少1個芳基與至少1個芳烷基等等。 當然，上述實例之外的組合也可以。 當式（1-〇)中的Μ爲烷基時，其碳數爲1〜4〇，較佳爲 1〜20,而更佳則爲1〜8。此烷基上任意氫原子可以氟取代， 且任意-CH2-可以-〇——CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基 取代。此烷基的較佳實例包括：碳數1〜20的未取代烷基、 碳數2〜20的烷氧烷基、碳數1〜8之烷基中有一個-CH2-爲 環烷撐基所取代的官能基、碳數2〜20的烯基、碳數2〜20 的烯氧烷基、碳數2〜20的垸氧烯基、碳數1〜8之烷基中 有一個-CH2-爲環烯撐基所取代的官能基，以及上列各種 官能基上任意氫原子爲氟所取代之官能基。另外’上述環 烷撐基及環烯撐基之碳數較佳爲3〜8。 碳數1〜20之未取代烷基的實例包括：甲基、乙基、 丙基、1-甲乙基、丁基、2_甲丙基、U-二甲乙基、戊基、 己基、1，1，2-三甲丙基、庚基、辛基、2,4,4-三甲戊基、壬 13263pif.doc/008 42 200424237 基、癸基、十一烷基、十二烷基、十四烷基、十六烷基、 十八院基及二十烷基。碳數1〜20之氟化烷基的實例包括： 3,3,3-三氟丙基、3,3,4,4,5,5,6,6,6_九氟己基、十三氟 四氫辛基、十七氟四氫癸基、全氟-1H，1H，2H，2H-十二烷基及全氟_1]9[，111，211，211-十四烷基。碳數2〜20之烷 氧烷基的實例包括：3_甲氧丙基、甲氧乙氧^一烷基及3-(七氟異丙氧基）丙基。碳數1〜8之烷基中有一-CH 2-爲環 院撐基所取代之官能基的實例包括：環己甲基、金剛烷乙 基、環戊基、環己基、2-二環庚基及環辛基等，其中環己 基等於是將甲基之-CH2-以環己撐基取代而得者，而環己 甲基等於是將乙基末端之-CH2-以環己撐基取代而得者。 碳數2〜20之烯基的實例包括：乙烯基、2-丙烯基、3-丁烯基、5-己烯基、7_辛烯基及ι〇_十一烯基等。碳數2〜20 之稀氧丨兀基的貫例包括嫌丙氧十—^院基。碳數1〜8之院基 中有一-CH2-爲環烯撐基所取代之官能基的實例包括：2-(3_ 環己烯基）乙基、（5-二環庚烯基）乙基、2-環戊烯基、3-環 己烯基、5_冰片烯(norb〇rnene)-2-基及4-環辛烯基等。 當式（1-0)中的Μ爲芳基時，其上任意氫原子亦可以 鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代。此碳數1〜20之烷基上任意 氫原子可以氟取代，且任意—CH2-可以-0-、—CH=CH-、 環烷撐基或苯撐基取代。此芳基之較佳實例包括：任意氫 原子可以鹵素或碳數1〜8烷基取代的苯基，以及未取代的 萘基等等。鹵素的較佳例爲氟、氯及溴。作爲苯基上之取 代基的碳數1〜8烷基中，任意氫原子可以氟取代，且任 13263pif.doc/008 43 200424237 意-CH2-可以-Ο-、-CH=CH-或苯撐基取代。此種芳基的 更具體實例包括：未取代苯基、未取代萘基、烷苯基、烷 氧苯基、烯苯基、具有含苯基之取代基的苯基，以及上列 各官能基上任意氫原子爲鹵素取代而得之官能基。 鹵化苯基的實例包括：五氟苯基、4-氯苯基及4-溴苯 基等。烷苯基的實例包括：4-甲苯基、4-乙苯基、4-丙苯 基、4-丁苯基、4-戊苯基、4-庚苯基、4-辛苯基、4-壬苯基、 4-癸苯基、2,4-二甲苯基、2,4,6-三甲苯基、2,4,6-三乙苯 基、4-(1-甲乙基）苯基、4-(1,1-二甲乙基）苯基、4-(2-乙己 基）苯基及2,4,6-三（1-甲乙基）苯基等。烷氧苯基之實例包 括：4-甲氧苯基、4-乙氧苯基、4-丙氧苯基、4-丁氧苯基、 4-戊氧苯基、4-庚氧苯基、4-癸氧苯基、4-十八院氧苯基、 4-(1-甲乙氧基）苯基、4-(2-甲丙氧基）苯基及4_(1，1_二甲乙 氧基）苯基等。烯苯基之實例包括：4-乙烯苯基、4-(1-甲乙 烯基）苯基及4-(3-丁烯基）苯基等。 具有含苯基之取代基的苯基的實例包括：4-(2-苯乙烯 基）苯基、4-苯氧苯基、3-苯甲苯基、聯苯基及三聯苯基等， 其中4-(2-苯乙烯基）苯基等於是將乙苯基之乙基中的一個 -CH2-以苯撐基取代，另一個-CH2-以-CH=CH-取代而得 者。 苯環上的氫的一部分以鹵素取代，且其餘的氫以烷 基、烷氧基或烯基取代的苯基的實例包括：3-氯-4-甲苯基、 2,5-二氯-4-甲苯基、3,5-二氯-4-甲苯基、2,3,5-三氯-4-甲 苯基、2,3,6-三氯-4-甲苯基、3-溴-4-甲苯基、2,5-二溴-4- 13263pif.doc/008 44 200424237 甲苯基、3,5-一*漠-4-甲本基、2,3-一*寂-4-甲本基、3-氣-4·-甲氧苯基、3-溴-4-甲氧苯基、3,5_二溴-4-甲氧苯基、2,3-二氟-4-甲氧苯基、2,3-二氟-4-乙氧苯基、2,3-二氟-4-丙氧 苯基及4-乙烯基-2,3,5,6-四氟苯基等。 當式（1-0)中的Μ爲芳烷基時，其係由芳基與烷撐基 所構成者，其中芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20 的烷基取代，而烷撐基上任意氫原子可以氟取代，且任 意-CH2-可以-Ο-、-CH=CH-或環烷撐基取代。作爲芳基 上之取代基的碳數1〜20烷基，其上任意氫原子可以氟取 代，且任意 -CH2-可以-0-、-CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代。 芳烷基的較佳例包括：由苯基與碳數1〜8烷撐基所構 成的芳烷基。其中，苯基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜8 之烷基取代，而此碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取 代，且任意-CH2-可以-0-、-CH=CH-、環烷撐基或苯撐 基取代。另外，碳數1〜8烷撐基上任意的-CH2-可以-0-、 - CH=CH-或環烷撐基取代。 未取代之苯烷基的實例包括：苯甲基、2-苯乙基、3-苯丙基、4-苯丁基、5-苯戊基、6-苯己基、11-苯十一烷基、 1-苯乙基、2-苯丙基、1-甲基-2-苯乙基、1-苯丙基、3-苯 丁基、1-甲基-3-苯丙基、2-苯丁基、2-甲基-2-苯丙基及1-苯己基等。 苯基上任意氫爲氟取代之苯烷基的實例包括：4-氟苯 甲基、2,3,4,5,6-五氟苯甲基、2-(2,3,4,5,6-五氟苯基）乙基、 13263pif.doc/008 45 200424237 3_(2,3,4,5,6-五氟苯基）丙基、2-(2-氣苯基）丙基及2-(4-氟 苯基）丙基等。 苯基上任意氫爲氯取代之苯烷基的實例包括：4-氯苯 甲基、2-氯苯甲基、2,6-二氯苯甲基、2,4-二氯苯甲基、2,3,6-三氯苯甲基、2,4,6-三氯苯甲基、2,4,5-三氯苯甲基、2,3,4,6-四氯苯甲基、2,3,4,5,6-五氯苯甲基、2-(2-氯苯基）乙基、2-(4-氯苯基）乙基、2-(2,4,5-三氯苯基）乙基、2-(2,3,6-三氯苯基） 乙基、3-(3-氯苯基）丙基、3-(4-氯苯基）丙基、3_(2,4,5-三 氯苯基）丙基、3-(2,3,6-三氯苯基)丙基、4-(2-氯苯基）丁基、 4-(3-氯苯基）丁基、4-(4-氯苯基）丁基、4-(2,3,6-三氯苯基） 丁基、4-(2,4,5_三氯苯基）丁基、1-(3-氯苯基）乙基、1-(4-氯苯基）乙基、2-(4-氯苯基)丙基、2-(2-氯苯基)丙基及1-(4-氯苯基)丁基等。 苯基上任意氫爲溴取代之苯烷基的實例包括：2-溴苯 申基、4·溴苯甲基、2,4-二溴苯甲基、2,4,6-三溴苯甲基、 2,3,4,5-四溴苯甲基、2,3,4,5,6-五溴苯甲基、2-(4-溴苯基） 乙基、3-(4-溴苯基)丙基、3-(3-溴苯基)丙基、4-(4-溴苯基) 丁基、1-(4-溴苯基）乙基、2-(2-溴苯基)丙基及2-(4-溴苯基) 丙基等。 苯基上任意氫爲碳數1〜8之烷基取代之苯烷基的實例 包括：2-甲苯甲基、3-甲苯甲基、4-甲苯甲基、（4-十二烷 苯基）甲基、3,5-二甲苯甲基、2-(4-甲苯基）乙基、2-(3-甲 苯基）乙基、2-(2,5-二甲苯基）乙基、2-(4-乙苯基）乙基、2-(3-乙苯基）乙基、1-(4-甲苯基）乙基、1-(3-甲苯基）乙基、1-(2- 13263pif.doc/008 46 200424237 甲苯基）乙基、2-(4-甲苯基)丙基、2-(2-甲苯基)丙基、2-(4-乙苯基）丙基、2-(2-乙苯基）丙基、2_(2,3_二甲苯基）丙基、 2-(2,5-二甲苯基）丙基、2-(3,5-二甲苯基）丙基、2-(2,4-二 甲苯基）丙基、2-(3,4-二甲苯基）丙基、2-(2,5-二甲苯基）丁 基、4-(1-甲乙基）苯甲基、2-(4-(1，1-二甲乙基）苯基）乙基、 2-(4-(1-甲乙基）苯基）丙基及2-(3-(1-甲乙基）苯基）丙基等。 苯基上任意氫爲碳數1〜8之氟化烷基取代之苯烷基的 實例包括：3-三氟甲苯乙基、2-(4-三氟甲苯基）乙基、2-(4-九氟丁苯基）乙基、2-(4-十三氟己苯基）乙基、2-(4-十七氟 辛苯基）乙基、1-(3-三氟甲苯基）乙基、1-(4-三氟甲苯基）乙 基、1-(4-九氟丁苯基）乙基、1-(4-十三氟己苯基）乙基、1-(4-十七氟辛苯基）乙基、2-(4-九氟丁苯基)丙基、1-甲基-1-(4-九氟丁苯基）乙基、2-(4-十三氟己苯基）丙基、1-甲基-1-(4-十三氟己苯基）乙基、2-(4-十七氟辛苯基）丙基及1-甲基-Ια-十七氟辛苯基 ） 乙基等。 苯基上任意氫爲碳數1〜8之烷基取代，且該烷基中之 -CH2-以—CH=CH-取代之苯烷基的實例包括：2-(4-乙烯苯 基）乙基、1-(4-乙烯苯基）乙基及1-(2-(2-丙烯基）苯基）乙 基。 苯基上任意氫爲碳數1〜8之烷基取代，且該烷基之 一-CH2-以-〇-取代之苯烷基的實例包括：4-甲氧苯甲基、 3-甲氧苯甲基、4-乙氧苯甲基、2-(4-甲氧苯基）乙基、3-(4-甲氧苯基）丙基、3-(2-甲氧苯基）丙基、3-(3,4-二甲氧苯基) 丙基、1-(4-甲氧苯基）乙基、（3-甲氧甲苯基）乙基及3-(2- 13263pif.doc/008 47 200424237 十九氟癸稀氧苯基)丙基等。 苯基上任意氫爲碳數1〜8之烷基取代，且該烷基之 一-CH2-以環烷撐基取代之苯烷基的實例（含另一-CH2-同 時爲-〇-取代的情形）包括：環戊苯甲基、環戊氧苯甲基、 環己苯甲基、環己苯乙基、環己苯丙基及環己氧苯甲基等。 苯基上任意氯爲碳數1〜8之院基取代’且|亥院基之 一-CH「以苯撐基取代之苯烷基的實例（含另一-CH2-同時 爲-0-取代的情形）包括：2-(4-苯氧苯基）乙基、2-(4-苯氧 苯基）丙基、2-(2-苯氧苯基）丙基、4-聯苯甲基、3-聯苯乙 基、4-聯苯乙基、4-聯苯丙基、2-(2-聯苯基）丙基及2-(4-聯苯基)丙基等。 苯基上至少有2個非氫取代基之苯烷基的實例包括： 3- (2,5·二甲氧基-3,4,6-三甲苯基）丙基、3-氯-2-甲苯甲基、 4- 氯-2-甲苯甲基、5-氯-2-甲苯甲基、6-氯-2-甲苯甲基、2-氯-4-甲苯甲基、3-氯-4-甲苯甲基、2,3-二氯-4-甲苯甲基、 2.5- 二氯-4-甲苯甲基、3,5-二氯-4-甲苯甲基、2,3,5-三氯-4-甲苯甲基、2,3,5,6-四氯-4-甲苯甲基、2,3,4,6-四氯-5-甲苯 甲基、2,3,4,5-四氯-6-甲苯甲基、4-氯-3,5-二甲苯甲基、2· 氯-3,5-二甲苯甲基、2,4-二氯-3,5-二甲苯甲基、2,6-二氯- 3.5- 二甲苯甲基、2,4,6-三氯-3,5-二甲苯甲基、3-溴-2-甲苯 甲基、4·溴-2-甲苯甲基、5-溴-2-甲苯甲基、6-溴-2-甲苯甲 基、3-溴-4-甲苯甲基、2,3-二溴-4-甲苯甲基、2,3,5-三溴-4-甲苯甲基及2,3,5,6-四溴-4-甲苯甲基等。 再者，構成苯烷基之苯基的更佳實例包括：未取代苯 13263pif.doc/008 48 200424237 基，以及其上取代基爲氟、碳數1〜4烷基、乙烯基及甲氧 基中的至少一者的苯基。不過，某些情況下取代基爲乙烯 基之苯烷基是不佳的選擇，此點將於稍後說明。 另一^方面’院撑基上任意-CH2-爲-0-、-CH=CH-或 環烷撐基取代之苯烷基的實例包括：3-苯氧丙基、1-苯乙 烯基、2-苯乙燔基、3-苯基-2-丙烯基、4-苯基-4-戊烯基、 13-苯基-12-十三烯基、苯環己基及苯氧環己基等。 苯基上任意氫爲氟或甲基取代之苯烯基的實例包括： 4-氟苯乙烯基、2,3-二氟苯乙烯基、2,3,4,5,6-4-五氟苯乙 烯基及4-甲苯乙烯基等。 再者，Μ之更佳實例包括：未取代苯基、鹵化苯基、 至少有一甲基的苯基、甲氧苯基、萘基、苯甲基、苯乙基、 苯丁基、2-苯丙基、1-甲基-2-苯乙基、五氟苯丙基、4-乙 苯乙基、3-乙苯乙基、4-(1,1-二甲乙基）苯乙基、4-乙烯苯 乙基、1-(4-乙烯苯基）乙基、4-甲氧苯丙基、苯氧丙基、環 戊基及環己基等。Μ的又更佳實例則包括：未取代苯基、 環戊基與環己基。 另外，式（1-0)中的Υ爲下式（a)或(b)所示之官能基： \ / χ八 ⑷
X
I X—Si—
I z (b) X—Si—
I
X 在式（a)及式(b)各自之中，各X官能基各自可爲氫、氯、 13263pif.doc/008 49 200424237 與定義相问之官能基，或是含有-CH=CH-、-C=C-、 -OH、-COOH、-COO—、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙 基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己 基、-SH、-NH-、—NH2、-CN及-0-中任一者的官能基。 並且，X官能基中至少有一者爲自上列官能基中所選出的 可反應基。亦即，各官能基X中至少有一者爲氫、氯，或 是含有-CH=CH—一〇C-、-0H、-C00H、-C00-、2_氧 代丙烷二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、 環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中任一 者的官能基，其係有利於聚合物之形成。 非可反應基之X官能基的實例包括：與W定義相同 的官能基，以及具有-CN或-0-的官能基，其中尤以與Rq 定義相同之官能基爲佳。另外，當化合物（1-0)之X官能基 爲氯時，其既可應用於聚合物之形成，亦可在聚合物形成 後應用於接枝處理等加工過程中。 另外，式⑻中的Z爲單鍵、-0-或-ch2-，尤以-0-爲佳。 本發明之較佳聚合物，係令化合物（1-0)與至少具有兩 個「可與化合物（1-0)上之可反應基反應的官能基」的化合 物反應而得者，尤其是當化合物（1-0)具有至少2個烯基或 至少2個Si-H基時。 至少具有2個烯基之化合物（1-〇)可以下式（1-1)表示： 13263pif.doc/008 50 200424237
R
Si—〇一-Si:
R ,R 、〇、 < 〇一 R- I I Si-I-O-•〇 :Sh
R (1-1) 'Si—0—Si
R 式（1-1)中R的定義與式（1-0)中的R°相同，其中較佳 者亦與Μ的情形相同。然而，R爲氫或烯基是不佳的選擇。 另外，式（1-1)中Υ1爲式（a-ι)或(b-Ι)所示之官能基： Ο (a-l)
Si X11 X11—Si—
I (b-1)
Z X11—Si— X11 在式（a-1)及式(b-1)各自之中，各X11官能基中至少有一者 爲烯基，其餘則各自可爲氯、與R定義相同之官能基，或 是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、 環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環 氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官 能基。非烯基之X11官能基的較佳實例爲氯及與R定義相 同者，其中尤以與R定義相同者爲佳。與R定義相同之官 能基中較佳者包括：碳數1〜8烷基、未取代苯基、環戊基 及環己基，其中尤以碳數1〜4烷基與未取代苯基爲佳，而 碳數1〜4之烷基中又以甲基最佳。式（b-Ι)中的Z爲單 51 13263pif.doc/008 200424237 鍵、-〇-或-CH2-，其中尤以-ο—爲佳。此外，爲能充分發 揮本發明之效果，在式（a-Ι)及(b-Ι)各自之中，各X11官能 基中較佳只有一者爲烯基。亦即，具有2個烯基的化合物 (1-1)是較佳的選擇。 另外，含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙院-1，3- 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、—NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基，可以是脂族官能基、具芳香環之官能基、具 脂環的官能基或具矽原子的官能基。然而，此種官能基並 不包含同時具有上列任一種官能基與「烯基或Si-H基」 者。 烯基之實例包括：烯基、烯氧烷基、烯苯基、烯氧苯 基、烯苯烷基、烯氧苯烷基、烯環烷基、烯氧環烷基等， 其中較佳實例包括：碳數2〜4烯基、苯乙烯基、乙烯氧苯 基、烯丙氧苯基等。再者，更佳之實例包括乙烯基、烯丙 基及苯乙烯基等，其中最佳者爲乙烯基。 在使用化合物（1-1)時，如選用具有至少2個Si-H基 的化合物爲其反應配對物，即可利用氫矽烷化反應而得聚 合物；而爲使所得聚合物之化學結構呈直線狀而無分枝， 化合物（1-1)的反應配對物亦較佳爲具有2個Si-H基的化 合物。當此種化合物係選自矽倍半氧烷衍生物或矽氧烷 時，即可得耐熱性及耐氣候變化性倶佳的聚合物。作爲化 合物（1-1)之反應配對物的較佳化合物的實例，包括化合物 (1-2) 、 （2-1) 、 （3-1) 、 （4-1) 、 （5-1)及（6-1)。 13263pif.doc/008 52 200424237 上述化合物（1-2)即是具有Si-H基的化合物（1-0): R R \ /κ Si—0—
在式（1-2)中，R的定義與式（1-1)中的R相同，且其中較佳 者亦與後者相同。另外，Y2爲式（a-2)或(b-2)所示之官能基。 在式（a-2)及式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有一者 爲氫，其餘則各自可爲氯、與R定義相同之官能基，或是 含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環 氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧 環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能 基。非氫之X12官能基的較佳實例爲氯及與R定義相同者， 其中尤以與R定義相同者爲佳。與R定義相同之官能基中 較佳者包括：碳數1〜8烷基、未取代苯基、環戊基及環己 基等，其中尤以碳數1〜4烷基與未取代苯基爲佳，而碳數 13263pif.doc/008 53 200424237 1〜4之烷基中又以甲基最佳。式(b-2)中的Z爲單鍵、-O-或一CH2-，其中尤以-Ο-爲佳。此外，爲能充分發揮本發 明之效果，在式（a-2)及（b-2)各自之中，各X12官能基中較 佳只有一者爲氫。亦即，具有2個Si-H基的化合物（1-2) 較佳。 化合物（2-1)係爲以下的氫矽烷衍生物： X21 R1——Si—X21 (2-1) | X21 在式（2-1)中，R1的定義與式（1_1)中的R相同，且其中較 佳者亦與後者相同。R1的更佳實例包括碳數1〜8烷基、未 取代苯基、環戊基及環己基，又更佳者則爲碳數1〜4烷基 及未取代苯基，而碳數1〜4烷基中又以甲基最佳。各X21 官能基中至少有二者爲氫，且較佳僅有二者爲氫。在此情 形下，其餘的X21則爲R1。 化合物（3-1)爲具有線狀鍵結結構的矽化合物： R1 R1
I I Η—Si—L—Si——Η (3-1) 在式（3-1)中，R1的定義與式（1-1)中的R相同，且其中較 佳者亦與後者相同。R1的更佳實例包括碳數1〜8烷基、未 13263pif.doc/008 54 200424237 取代苯基、環戊基及環己基，又更佳者則爲碳數1〜4烷基 及未取代苯基，而碳數1〜4烷基中又以甲基最佳。L爲單 鍵、-Ο---CH2---(CH2)2——(CH2)3——(CH2)4—、1，4-苯 撐基、4,4’-聯苯撐基、4,4’-二氧-1，Γ-聯苯撐基或下式⑷ 所示之官能基：
其中’ R2定義與前述R1相同，且m爲1〜3〇之整數。 再者’式（3-1)的多種可行變化顯示如下： 13263pif.doc/008 55 200424237 Η——Si
Si—H R1
R1
R1 R1 I. I H-Si—O—Si-
H (3-1-2)
R1 R1 I / \ | H——Si—(-CH2j—Si一H L yk I
(3-1-3) (3-1-4) (3-1-5) (3-1-6) (3-1-7) 在式（3-1-1)〜(3-1-7)中，R1之定義與式（3-1)中的R1相同， 且其中較佳者亦與後者相同。乂爲丨〜4之整數、R2之定義 與R1相同，且m爲1〜30之整數。化合物（3-1-1)〜(3-1-7) 中尤以化合物（3-1-7)爲佳，如使用此化合物作爲化合物（1_ 1)的配對反應物，即可得具有柔軟分子結構的聚合物。 化合物(4-1)係爲籠狀結構之PSQ衍生物： 13263pif.doc/008 56 200424237
在式（4-1)中，R2的定義與式(2-1)中的R1相同。各X21官 能基中至少有二者爲氫，且較佳僅有二者爲氫，而此二氫 原子更佳是在互相遠離的位置上。其餘的X21定義則與式 (1-1)中的R相同，且其中較佳者亦與後者相同。另外，e 爲〇或1，且η爲3〜30之整數，較佳爲4〜6。 化合物（5-1)爲以下之矽化合物，其具有缺損一角的八 矽倍半氧烷籠狀結構：
(5-1) 在式（5-1)中，R及R1之定義與式（1-1)中的R相同。各χ3ι 官能基中至少二者爲氫，其餘則爲R1。R的較佳實例與式 (1-1)中的R官能基相同，且R1的較佳實例與式（2-1)中的 R1官能基相同。 化合物（6-1)爲以下之砂化合物，其具有缺損2角的八 矽倍半氧烷籠狀結構。 13263pif.doc/008 57 200424237
在式（6-1)中，R及R1之定義與式G-1)中的R相同。各X31 官能基中至少有二者爲氫’其餘則爲Rl。R的較佳實例與 式（1-1)中的R官能基相同，且Rl的較佳實例與式（2-1)中 的R1官能基相同。 接著說明使用具有至少2個Si-H基之化合物（1-0)的 情形，此種化合物（1-〇)即前述之化合物（1-2):
R
R / 〇
Si—〇一Si:I 1 、〇、 q〆Si一O-j-Si—R R~Si~|-〇 —-Si" 、/〇？〇，、 °^Si—O—Si^
R (1-2)
R
R 在式（1-2)中，R的定義與式（l_〇)中的r。相同，且其中較 佳者亦與後者相同。然而，R爲氫或烯基是不佳的選擇。 另外’式（1_2)中的Y2係下式（a_2)或(b-2)所示之官能 基·· 58 13263pif.doc/008 200424237 x\ / χ12八 ㈤） X12
12 I X12—Si—
I Z (b>2) X12-Si- 丨12 X12 在式（a-2)與(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有一者爲 氫，其餘則各自可爲氯、與R定義相同之官能基，或是含 有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧 乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環 己基、-SH、-NH---NH2、-CN及-0-中任一者的官能基。 非氫之X12官能基中的較佳實例爲氯及與R定義相同者， 其中尤以與R定義相同者爲佳。與R定義相同之官能基中 較佳者包括：碳數1〜8烷基、未取代苯基、環戊基及環己 基，其中尤以碳數1〜4烷基與未取代苯基爲佳，而碳數1〜4 烷基中又以甲基最佳。式(b-2)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-， 其中尤以-〇-爲佳。此外，爲能充分發揮本發明之效果， 式（a-2)及式（b-2)各自的各X12官能基中較佳只有一者爲 氣。 另外，含有—OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3- 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-Ο-中任一 者的官能基，可以是脂族官能基、具芳香環之官能基、具 脂環的官能基或具矽原子的官能基。然而，此種官能基並 13263pif.doc/008 59 200424237 不包含同時具有上列任一種官能基與「烯基或Si-Η基」 者。 在使用化合物（1-2)時，其反應配對物如果是從「具有 至少2烯基之化合物或具炔鍵之化合物」中所選出者，即 可利用氫矽烷化反應而得聚合物。爲使聚合物之化學結構 呈直線狀而無分枝，化合物（1-2)之反應配對物較佳選自僅 具2個烯基的化合物及僅具1或2個炔基的化合物。此種 化合物可爲矽倍半氧烷衍生物或含矽氧烷的化合物，如選 用該些化合物爲反應配對物，即可得具良好耐熱性與耐氣 候性的聚合物。烯基的較佳實例如前所述，而可作爲化合 物（1-2)之反應配對物的化合物的較佳實例爲化合物（2-2)、 (3-2)、（4-2)、（5-2)、（6-2)及化合物（d_l)〜(d-4)。 化合物（2-2)係爲以下之氫矽烷衍生物： X22 R1 Si—X22 (2-2) X22 在式(2-2)中，R1的定義與式（1-2)中的R相同，且其中較 佳者亦與後者相同。R1的更佳實例包括碳數1〜8烷基、未 取代苯基、環戊基及環己基，又更佳者則爲碳數i〜4烷基 及未取代苯基，而碳數1〜4烷基中又以甲基最佳。各X22 官能基中至少有二者爲烯基或具炔鍵之官能基，且較佳僅 有二者爲烯基或具炔鍵之官能基。在此情形下，其餘的χ22 則爲R1。下示化合物即爲具炔鍵之化合物的一例。另外， 田X爲細基時’其貫例與較佳實例亦如前所述。 60 13263pif.doc/008 200424237
化合物（3-2)爲以下之具有線狀鍵結結構的矽化合物： R1 R1 X22—Si—L—Si——X22
(3-2) 在式（3-2)中，R1的定義與式（1-2)中的R相同，且其中較 佳者亦與後者相同。Ri的更佳實例包括碳數1〜8烷基、未 取代苯基、環戊基及環己基，又更佳者則爲碳數1〜4烷基 及未取代苯基，而碳數1〜4烷基中又以甲基最佳。另外， L 爲單鍵、——CH2-、-(CH2)2-、—(CH2)3-、-(CH2)4-、 1，4-苯撐基、4,4’-聯苯撐基、4,4’-二氧-1，1’-聯苯撐基或下 式（c)所示之官能基： —〇
⑹ 其中，R2之定義與前述R1相同，且m爲1〜30之整數。 再者，式（3-2)的多種可行變化顯示如下： 13263pif.doc/008 61 200424237 R1 R1
(3-2-1) (3-2-2) (3-2-3) (3-2-4) (3-2-5) (3-2-6) (3-2-7) 在式（3-2-1)〜(3-2-7)中’ R1之定義與式（3-2)中的Ri相同， 且其中較佳者亦與後者相同。k爲1〜4之整數，R2之定義 與R1相同’且m爲1〜30之整數。同時，X22爲烯基或亘 快鍵之官能基，當X22爲儲基時，其實例與較佳實例如前 所述。再者，化合物（3-2-1)〜(3-2-7)中尤以化合物（3-2-7) 爲佳，如使用此種化合物作爲化合物（1_2)的配對反應物， 即可得到具有柔軟分子結構的聚合物。 13263pif.doc/008 62 200424237 化合物(4_2)係爲籠狀結構之PSQ衍生物：
在式(4_2)中，R2的定義與式(2-2)中的ri相同。各γη官 能基中至少有二者爲嫌基或具炔鍵之官能基，且較佳僅有 二者爲稀基，而此二稀基更佳是在互相遠離的位置上。另 外，烯基之實例與較佳實例如前所述。其餘的χ22定義胃 與式（1-2)中的R相同，且其中較佳者亦與後者相同。此外， e爲0或1，η爲3〜30之整數，且較佳爲4〜6。 化合物（5-2)爲以下之矽化合物，其具有缺損一角的八 矽倍半氧烷籠狀結構： R1 X32 Si-R1
R (5-2) 式（5_2)之R及R1定義與式（1_2)之R相同。各X32官能基 中至少一者爲稀基或具炔鍵之官能基，其餘則爲Rl。當X32 爲烯基時，其實例與較佳實例如前所述。R的較佳實例與 式（1-2)的R相同，且Ri的較佳實例與式（2_2)的Rl相同。 化合物（6_2)爲以下之矽化合物，其具有缺損2角的八 矽倍半氧烷籠狀結構： 13263pif.doc/008 63 200424237
在式（6-2)中，R及R1之定義與式（l-2)中的R相同。各χ32 官能基中至少二者爲烯基或具炔鍵之官能基，其餘則爲 R1。當X32爲烯基時’其實例與較佳實例如前所述。R的 較佳實例與式（1-2)中的R相同，且R1的較佳實例則與式 (2-2)中的R1相同。 另一方面，化合物（d-l)〜(d-4)係爲上述矽化合物以外 的，具有烯基或炔鍵的化合物的實例：. H2C=CH—R3—CH=CH2 (d-1) HC=C—R3—C^CH (d-2) R4—C=C—R4 (d-3) R4—C=C--CSC—R4 (d，4) 在式（d-Ι)〜(d-4)各自之中’ R3爲碳數1〜40之院撐基，或 是其上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜4之烷基取代的苯撐 基。R4爲碳數1〜8之烷基，或是其上任意氫原子可以鹵素 或碳數1〜4之烷基取代的苯基。其中，碳數1〜40之烷撐 基與碳數1〜8之烷基各自之中的任意-CH2-可以-〇-或 -COO-取代。 這些化合物的實例如下所示。在以下化學式中，kl爲 13263pif.doc/008 64 200424237 1〜12之整數： H2C=CH—C—o—(c2H4〇)——c-ch=ch2 k1
HCEC
CEC——CEC 然而，矽化合物以外的具有烯基或炔鍵的化合物並不 僅限於上述化合物（d-ι)〜(d-4)，而亦例如可爲下示化合物： 另外，本發明所用之化合物（Ι-o)例如可容易地由化合 物（1-M)與化合物⑴反應而得： R0
Si—〇一Si, R0 〇 〇一 〇、 ,S\—〇-j-Si—R° R(^Si-|-〇一Sl·/° L 、Si—〇一Si, 、R〇 • 4 Na (1-M ) R° 、R〇
X \ X (J)
I \ I
Cl—hSi-ZH—Si—Cl X /q X 其中，R°之定義與式（1-0)中的R°相同，X與Z分別與式(b) 65 13263pif.doc/008 200424237 之X與Z相同，且q爲 再者，化合物（1-M)係在氫氧化鈉、水及有機溶劑存 在下，由化合物(F)水解再縮合而得。 A1 R。-j—Ai (F) A1 其中’ RQ之定義與式（1-0)中的R〇相同，A1爲可水解官能 基，其較佳實例包括氯及碳數i〜4之烷氧基。氫氧化鈉的 較佳用量以化合物（F)爲準，其莫耳比爲 0.4〜0.8。水的較 佳用量以化合物（F)爲準，其莫耳比爲134.3。有機溶劑 的較佳貫例爲直鏈、具支鏈或環狀的一元醇。 化合物（5-1)/(5-2)例如可容易地由化合物（5_Μ)與化合 物（G1)/(G2)反應而得： 0- R4-1^一0
R、》’一◦十 4—0〇 V? 〇 Si-〇^uh〇-si/ \ R
R1 Cl—Si——X 31
Cl· 3 Na (5-M ) R1 I -Si -
-X 32 (G1) (G2) 其中’各代號之定義與式（5-l)或（5-2)中的相同代號一樣。 再者，化合物（5-M)例如可以在氫氧化鈉、水及化學 13263pif.doc/008 66 200424237 式中有氧之有機溶劑存在下，由化合物(Η)水解縮合而得。 Α1 I , R—Si—A1 ( Η ) I, A1 其中，R的定義與式（5-1)中的R相同，且A1定義與上式(F) 中的A1相同。氫氧化鈉與化合物（Η)之莫耳比較佳爲 0·2〜1，且水與化合物（Η)之莫耳比爲1〜3。有機溶劑之較 佳實例包括：直鏈、具支鏈或環狀的醇類，或是直鏈或環 狀的醚類。 上述化合物（1-Μ)的製備條件係包含在化合物（5-Μ)的 製備條件範圍中。亦即，在化合物（5-Μ)的製備條件範圍 中，不僅包含只會得到化合物（5_Μ)的條件範圍，也包含 可同時得到化合物（1-Μ)與（5-Μ)的條件範圍。再者，如能 善加調整化合物(F)、氫氧化鈉與水的使用比例，亦有可能 僅得到化合物（1-Μ)。 另外，化合物（6-1)及（6-2)可分別以上述化合物（G1)及 (G2)與上述化合物（1-Μ)反應而容易地得到。再者，本發 明所用之化合物的一部分亦可由HYBRID PLASTICS公司 購得，除化合物（1-〇)、（6-1)與(6-2)之外。 氫矽烷化聚合反應所用之溶劑並無特別限制，只要其 不致妨礙反應進行即可。較佳之溶劑爲脂族烴類（如己烷、 庚烷等）、芳香烴類（如苯、甲苯、二甲苯等）、醚類（如二 乙醚、四氫呋喃（THF)、1，4-二氧環己烷等）、鹵化烴類（如 氯化甲烷、四氯化碳等），或是酯類（如乙酸乙酯等）。這些 溶劑可單獨使用，也可以數種組合使用。這些溶劑中的較 13263pif.doc/008 67 200424237 佳者爲芳香烴類，其中尤以甲苯爲佳。在使用材料時，本 發明之化合物相對於溶劑量的較佳比例，係爲溶劑重量的 0.05〜80wt%，且更佳爲30〜70wt%，而可隨實際需求而定。 再者，溶劑並不一定是必要的。 氫矽烷化聚合反應可在室溫下進行，亦可在加熱狀態 下進行，以加快反應速率。另外，爲控制聚合反應之發熱 或抑制不想要的他種聚合反應，亦可加以冷卻。再者，如 有必要，氫矽烷化聚合反應亦可使用觸媒，以利聚合反應 之進行。氫矽烷基化觸媒之較佳實例包括：Karstedt觸媒、 Speier 觸媒、六氯鉛酸（hexachloroplanitic acid)等，這些 都是一般較熟悉的觸媒。由於這些氫矽烷化觸媒皆具有高 反應性，故添加少量即可使反應充分進行，其使用量如以 其中所含過渡金屬對氫矽烷基之比例來計算，爲10_9〜1 mol%，且較佳爲1〇-7〜i〇-3m〇i%。爲使反應能進行並在容 許時間內結束，l〇-9mol%係爲必要之添加比例下限。另外， 爲壓低製備成本，此比例以1 mol%以下爲佳。 由於上述聚合物的主鏈中有籠狀結構骨架，使其主鏈 的運動受限而具較強的剛直性，故此聚合物之耐熱性或物 理強度皆較高。爲進一步提升此效果，化合物（1-0)之配對 反應物較佳爲具有籠狀結構的化合物，其較佳組合之一例 爲：化合物（1-2)、（4-1)、（5-1)及（6-1)中至少一者與化合 物（1-1)之組合。另一例爲：化合物（4-2)、（5-2)及（6-2)中 至少一者與化合物（1-2)之組合。更佳組合之一例爲：化合 物（1-2)、（5-1)及（6-1)中至少一者與化合物（卜1)之組合。 13263pif.doc/008 68 另一例爲：化合物（5_2)及(6-2)中至少一者與化合物（1-2)之 組合。再者’又更佳之組合爲化合物之組合。 然而’如調整各反應成分的特性（如分子鏈長度、硬度、 構成原子等）或反應條件，即可以控制所得聚合物的柔軟 度、透明度、介電常數與折射率等等。具體而言，如與化 合物（3-1)、（3-2)、（d-1)或（d-2)組合使用，即可控制聚合 物的柔軟性；與化合物（34)、（3_2)、（d_1}或（d-2)組合使 用之作法的一例爲：先取化合物（1_2)、（5-1)及（6-1)中的至 少一者與化合物（1-1)組合，再加入化合物（3_υ。另一例爲： 先取化合物（5-2)及（6-2)中的至少一者與化合物（1_2)組合， 再加入化合物（3-2)、（d-Ι)或（d-2)。再者，化合物（1-1)與(3-1) 之組合亦可，且化合物（1-2)與化合物（3-2)、（d-Ι)或（d-2) 之組合亦可。 上述主鏈含籠狀結構骨架之聚合物，其溶解度、耐熱 度、機械強度、光學穿透特性、氣體穿透特性、介電常數、 難燃度、接著性及加工性等皆良好，故用途甚廣。此聚合 物例如可用作下述電氣/電子材料：防止金屬溶出的薄膜、 氣體阻障膜及抗反射膜等基板用的塗劑；液態封阻劑及層 間絕緣層等半導體用塗劑；微透鏡、導光板及光導引材料 等光學元件；顯示器基板，以及印刷電路基板等等。再者， 如有必要’亦可在聚合物中摻入其他成分，如抗氧化劑、 者色劑及填充劑等_，只要不損及其原有特性即可。 另外，如不利用氫矽烷化反應，亦可以式（1-4)所示之 PSQ衍生物而得類似之聚合物： 13263pif.doc/008 69 200424237
R〇\-〇-Si：w。 —O-j-Si—R〇 ,R〇 、〇、 ^Y4 R°——Si-I-O-X L 'Si—0—Si ：Si- \r〇 (1-4) R° 、R0 在式（1-4)中，R°之定義與式（1-0)中的M相同，且其較佳 實例亦與後者相同。 並且，式（1-4)中的Y4爲式（a-4)或(b-4)所示之官能基： (a-4)
V 〆\ X4 X4—Si—
I (b-4) z X4-Si-X4 在式（a-4)及式（b-4)各自之中，各X4官能基各自可爲氯、 與Μ定義相同之官能基，或是含有-CH=CH——OC-、 -〇H、-COOH、-COO—、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙 基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己 基、-SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能基。 並且，各官能基X4中至少有一者爲氯，或是含有-OH、 -COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環 氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、 70 13263pif.doc/008 200424237 一 SH、- NH-及—NH2中任一者的官能基。並且，在式（a_4) 及式（b 4)各自之中，各吕能基X4中較佳僅有一者爲可反 應之官能基。另外，式(b-4)中的Z爲單鍵、—或—cpj2一， 其中尤以爲佳。並且，如以具有至少兩個「可與i述 可反應官能基反應的官能基」的化合物與化合物（1_4)反 應，即可得類似的聚合物。 發明實施之最佳模式（Best Mode) 以下將以數個實例更具體地說明本發明，但其並非用 以限制本發明之範圍。這些實例的實驗方法說明如下： (1) 分子量：數量平均分子量（Μη)與重量平均分子量（Mw) 係以膠體穿透層析法(GPC)測定； 裝置：日本分光公司製造的JASCO GULLIVER 1500 (智 慧型差異式折射率計RM530); 管柱：TOSOH 公司製造的 G4000HXL、G3000HXL、 G2500HXL及G2000HL四支管柱，依序使用； 管柱溫度：40°C ; 沖提溶劑：四氫呋喃（THF); 流量：1 ml/min ; 分子量標準物：分子量已知的聚苯乙烯。 (2) 鉛筆硬度：依照JIS規格之「JIS-K-5400 8.4鉛筆刮痕 測試」所述之方法求得。 另外，在各實例的各化學式中，Me代表甲基，Ph則 代表苯基。 13263pif.doc/008 71 200424237 實例1 首先將1.8g的化合物（7)與l.lg的化合物（8)溶解在 10ml甲苯中，再將所得溶液加熱至70°C，然後添加1//L 的Karstedt觸媒，並在同溫下攪拌3小時。所得之反應溶 液中的聚合物的分子量經GPC測定爲Μη = 2400，且 Mw=3900。接著將此反應溶液滴到玻璃板上，再令甲苯蒸 發，即得與玻璃面接著的平滑透明薄膜。接著在300°C下 加熱此薄膜1小時，再以鉛筆硬度測試測定薄膜強度之Η 値。此加熱後之薄膜即在與玻璃接著之狀態下，在室溫下 於甲苯中浸泡1小時，並以目視觀察之。結果顯示薄膜並 無變化，表示此聚合物薄膜的耐溶劑性良好。
Ph、
^Si—〇一-Si"Ί J .Ph 、〇、 ch3 ch2=ch
Si
Ph\ / ^Si—0—S,—Ph /pyl7Si、 ^Si—O——Si^ \ph /CH=CH2 sch3
〇· PfV (7) 厂I I H3C μ s^c, \ r.·, D-Si-I—〇 Ph^i^O^Si 0 -ch3 ch3 \ Ph 〜十〇s/H 0-sr°^ ch3^ ch3 □ P^|/CH3 ph/、〇Th1kQ Ph CH3 Ph (8) 將實例1所用之化合物（7) 3.0克、實例1所用之化合 物（8) 1.1克，以及0.13克的化合物（9)溶解在20ml甲苯中， 72 13263pif.doc/008 200424237 再將所得溶液加熱至9(TC，然後添加2//L的Karstedt觸 媒，並在同溫下攪拌3小時。所得之反應溶液中的聚合物 的分子量經GPC測定爲Μη = 5400，且Mw=17200。接著 將此反應溶液滴到玻璃板上，再令甲苯蒸發，即得與玻璃 面接著的平滑透明薄膜。接著在25〇°C下加熱此薄膜1小 時，再以鉛筆硬度測試測定薄膜強度之H値。此加熱後之 薄膜即在與玻璃接著之狀態下’在室溫下於甲苯中浸泡1 小時，並以目視觀察之。結果顯示薄膜並無變化，表示此 聚合物薄膜的耐溶劑性良好。 ch3 ch3
I I H—Si—〇一Si—Η (9)
I I ch3 ch3 實例3 將3.0克的前述化合物(7)、丨·4克的前述化合物（8)， 以及〇·12克的化合物（1〇)溶解在20ml甲苯中，再將所得 溶液加熱至80°C，然後添加2//L的Karstedt觸媒，並在9〇〇e 下攪拌3小時。接著將反應溶液滴到玻璃板上，再令甲苯 蒸發，即得與玻璃面接著的平滑透明薄膜。接著在250% 下加熱此薄膜1小時，再以鉛筆硬度測試測定薄膜強度之 Η値。此加熱後之薄膜即在與玻璃接著之狀態下，在室溫 下於甲苯中浸泡1小時，並以目視觀察之。結果顯示薄膜 並無變化，表示此聚合物薄膜的耐溶劑性良好。 13263pif.doc/008 73 ch3 1 3 _ ch3 -Si—H (10) ch3 ch3 200424237 實例4 將3.0克的上述化合物（7)及0.72克的化合物（11)溶解 在30ml甲苯中，再將所得溶液加熱至90°C，然後添加3//L 的Karstedt觸媒，並在同溫下攪拌3小時。所得之反應溶 '液中的聚合物的分子量經GPC測定爲Μη = 6000，且 Mw= 16900。接著將此反應溶液滴到玻璃板上，再令甲苯 蒸發，即得與玻璃面接著的平滑透明薄膜。
實例5 將3.0克的上述化合物（7)及0.49克的上述化合物（1〇) 溶解在30ml甲苯中，再將所得溶液加熱至90。〇，然後添 加]3//L的Karstedt觸媒，並在同溫下攪拌3小時。所得之 反應溶液中的聚合物的分子量經GPC測定爲Μη = 9400， 且Mw=32400。接著將此反應溶液滴到玻璃板上，再令甲 苯蒸發，即得與玻璃面接著的平滑透明薄膜。 實例6 13263pif.doc/008 74 200424237 將1.8克的上述化合物⑺、〇·55克的上述化合物(8)及 0.5克的化合物（13)溶解在15ml甲苯中，再將所得溶液加 熱至90°C，然後添加1//L的Karstedt觸媒，並在同溫下 攪拌2小時。所得之反應溶液中的聚合物的分子量經GPC 測定爲Μη = 2700，且Mw=5100。接著將此反應溶液滴到 玻璃板上，再令甲苯蒸發，即得與玻璃面接著的平滑透明 薄膜。
實例7 ..將實例1所得之反應溶液以旋塗法塗布在鍍鉻之玻璃 基板上，再於8(TC下加熱3分鐘。接著，進一步於220QC 下加熱30分鐘，而得厚度15//m之平滑、接著性佳的透 明薄膜，其折射率經Abbe折射計測定爲1.567，且其介電 常數經惠普（HP)公司製造之LCR Metei* 4263B測定爲2.8 (條件：ΙΚΗζ)。 實例8 將實例1所得之反應溶液以旋塗法塗布在鍍鉻之玻璃 基板上，再於80°C下加熱3分鐘。接著，進一步於220°C 下加熱30分鐘，而得厚度1.5//m之平滑、接著性佳的透 13263pif.doc/008 75 200424237 明薄膜，其透光率在波長380nm〜720nm的範圍內爲90% 以上。 實例9 將實例1所得之反應溶液以旋塗法塗布在表面蒸鍍有 氧化銦錫(ITO)之玻璃基板上，再於80°C下加熱3分鐘。 接著，進一步於220°C下加熱30分鐘，而得厚度l〇〇nm 之平滑、接著性佳的透明薄膜。接著以利用X光照射之電 子分光法分析薄膜表面，並未偵測到銦（In)的存在。由此 可見，以本發明之聚合物所形成之薄膜具有良好的防止金 屬溶出的功能。 實例10 首先蒸發除去實例1之反應溶液中的甲苯，所得殘渣 再以體積比1:1之甲苯/1，3,5-三甲苯(mesitylene)混合溶劑 溶解，然後以滴流器（applicator)塗布在鋁箔上。接著將鋁 箔置於熱爐中在150°C下加熱1小時，再以鹽酸除去鋁箔， 而得無色透明且具良好可撓性與強度的，厚45/ym的薄膜。 實例11 將1.8克的上述化合物（7)與1.1克的上述化合物（8)溶 解在15ml甲苯中，再將所得溶液加熱至90°C，然後添加 1//L的Karstedt觸媒，並在同溫下攪拌2小時。所得之反 應溶液中的聚合物的分子量經GPC測定爲Μη = 5400，且 13263pif.doc/008 76 200424237
Mw=l7200。接著將此反應溶液塗布在玻璃基板上，再於 室溫下令甲苯蒸發，然後將所得之覆膜由玻璃基板上剝 下，再以熱重量分析法（TGA)測得其分解溫度爲362。0 實例12 將實例11所得之反應溶液塗布在玻璃基板上，再於 室溫下令甲苯蒸發，然後於150°C下加熱1小時。接著將 所得之薄膜由玻璃基板上剝下，再以熱重量分析法測得其 分解溫度爲378Υ。 實例13 將實例11所得之反應溶液塗布在玻璃基板上，再於 室溫下令甲苯蒸發，然後於250°C下加熱1小時。接著將 所得之薄膜由玻璃基板上剝下，再以熱重量分析法測得其 分解溫度爲376°C。 產業利用忤 如上所述，本發明可以合成主鏈含PSQ骨架的結構明 確的聚合物，此PSQ骨架具有T8D2結構或其類似結構； 本發明亦可合成以連續鍵結之籠狀PSQ骨架結構爲主鏈的 聚合物。由於這些聚合物的主鏈富含大分子量的剛直部 分，故可抑制分子鏈的熱運動。因此，其特別適於需要抑 制分子鏈運動的應用場合，例如是要求氣體阻障性及尺寸 穩定性等特性者。另外，如果化合物（1)的配對反應物係爲 骨架砂原子上鍵結有本基寺闻折射率官能基的p S Q化合 77 13263pif.doc/008 200424237 物，則可得到高折射率的聚合物。反之，如化合物（1)的配 對反應物爲低折射率之化合物，則可藉此調整折射率之高 低，而得以令此聚合物在塗布於玻璃或聚合物等基板表面 的情形下，具有與基板相近之折射率。除以上特性之外， 本發明之聚合物尙具有其他含矽倍半氧烷衍生物之聚合物 所無的特性，如良好的耐熱性、耐溶劑性、基板接著性、 透明度及薄膜成形性等。此聚合物亦可以薄膜、薄片及成 形體之狀態加以使用。 雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以 限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神 和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護 範圍當視後附之申請專利範圍所界定者爲準。 13263pif.doc/008 78

Claims (1)

  1. 200424237 拾、申請專利範圍： 1·—種使用式（1-0)所示之矽倍半氧烷衍生物所得之_ 合物： R〇\ /R0 R。〇/1 〇/ \ n^Si—〇?-Si—R° y Y； R°—Si-I-O—；Si^° y 〇 〇κ v D^,Si~〇—Si^ R〇/ XR0 (1-0) 其中，各R°各自可爲氫、烷基、芳基或芳烷基；其中， 烷基之碳原子數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，息 任意-CHr可以-〇---CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取 代；芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數^20的烷基取代· 方ίτπ基係由芳基與院撐基所構成者，其中芳基上任意氫原 子可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，烷撐基上任意氫原 子可以氟取代，且任意—CH2—可以—〇—、—ch=ch_或環烷 撐基取代；另錢芳基上之取代__ 1〜20的院基， 其上任意氫原子可以氟取代，任意〜叫―可以务、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取 所示之官能基： ’ 而Y係爲式（a)或(b: X Si X U) X—si——z丨si—X 13263pif.doc/008 79 200424237 其中，各X官能基各自可爲氫、氯、與Μ定義相同之官 會g 基，或是含有一---C=C---OH、一COOH、一 COO—、 2-氧代丙院-1，3-二醯基（2-oxapropane-l，3-dioyl)、環氧乙 基（oxiranyl)、環氧乙撐基（oxiranylene)、環氧丙基 (oxetanyl)、環氧丙撐基（oxetanylene)、3,4-環氧環己基、 -SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能基；另對 式（a)及式(b)各自而言，其各官能基X中至少有一者爲氫、 氯，或是含有-CH=CH---C=C---OH、-C00H、-COO-、 2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中 任一者的官能基；又式(b)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 2.如申請專利範圍第1項所述之聚合物，其係由式（ΙΟ) 所示之矽倍半氧烷衍生物與一化合物反應而得， 該化合 物具有至少兩個可與「該矽倍半氧烷衍生物之可反應官能 基」反應的官能基： R〇\ Si—〇—Si- I c/ 〇 ,R° 、〇、 二丫
    〇 x ?x > u^Si—0—Si (1-0) R〇/ V 其中，各R。各自可爲氫、烷基、芳基或芳烷基；其中院 基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 -CH2-可以-0-、-CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜2〇的烷基取代；芳 烷基係由芳基與烷撐基所構成’其中芳基上任意氮原子可 13263pif.doc/008 80 200424237 以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子可 以氟取代，且任意—ch2—可以—〇-、—CH=CH-或環烷撐基 取代；另ί乍爲芳基上之取代基的碳M U的院基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意—CH2_^H_〇_、 -CH=CH-、環院撑基或雜基取代；X γ係爲式⑷或⑻ 所示之官能基： X
    X I X—Si— I V U ; X—Si— I x 其中，各X吕通基各自可爲氫、氯、與R〇定義相同之官 冃匕基’或疋 3 有-CH=CH-、-CsC-、—〇Η、-COOH、-COO-、 2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 基、環氧丙撐基、3,4_環氧環己基、—SH、—NH___NH2 ^ -CN 及-O-中任一者的官能基；對式及式0)各自而言，其各 官能基X中至少有一者爲氫、氯，或是含有—Ch=ch-、 _〇C 0H、-C〇〇H、-COO-、2-氧代丙院-u·二醯基、 環氧乙基、垣氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撑基、3,4-環 氧環己基、-SH、-NH-及-顺2中任一者的官能基；又式⑻ 中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 3·如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其中各Ro各 自爲碳數1〜8的烷基、萘基、苯基或苯烷基；其中，碳數 1〜8烷基上任意氬原子可以氟取代，且任意—CH2-可以-〇〜 13263pif.doc/008 81 200424237 或環烷撐基取代；苯基上任意氫原子可以鹵素、甲基或甲 氧基取代；苯烷基係由苯基與烷撐基組成，其中苯基上任 意氫原子可以鹵素、碳數1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基 的碳數爲1〜8，且其中任意-CH2-可以或環烷撐基取 代；當苯基上有數個取代基時，該些取代基可爲同一種官 能基’亦可爲不同的官能基；另在式（a)與式(b)各自之中， 各官能基X中至少有一者爲氫、氯，或是含有 -CH=CH-、《—、—OH、-COOH、—COO-、2-氧代丙烷 -1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙 撐基、3,4-環氧環己基、-SH、—NH-及-NH2中任一者的官 能基’而其他的X官能基則是與R〇定義相同者；又，式(b) 中的Z爲-Ο一。 4.如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其中各R0皆 爲自碳數1〜8之烷基、萘基、苯基或苯烷基中所選出的同 一種官能基；其中，碳數1〜8烷基上任意氫原子可以氟取 代’且任意-CH2〜可以—或環烷撐基取代；苯基上任意 氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代；苯烷基係由苯基與 烷撐基所組成，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4 烷基或甲氧基取代，烷撐基的碳數爲丨〜8，且其中任意 -CH2-可以—〇—或環烷撐基取代；當苯基上有數個取代基 時，該些取代基可爲同一種官能基，亦可爲不同的官能基； 另在式（a)與式(b)各自之中，各官能基x中的一者爲氫、 氯，或是含有一CH=CH—、一C^C—、—〇Η、一C〇〇H、一COO—、 2-氧代丙烷-i，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 13263pif.doc/008 82 200424237 基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中 任一者的官能基，其他的X官能基則是與Μ定義相同者； 又，式（b)中的Ζ爲-0-。 5. 如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其中各Μ皆 爲自未取代苯基、環戊基與環己基中所選出的同一種官能 基；而在式（a)與式(b)各自之中，各官能基X中的一者爲 氫、氯，或是含有-CH=CH---C=C---OH、-COOH、-COO-、 2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2中 任一者的官能基，其他的X官能基則是與Μ定義相同者； 又，式（b)中的Ζ爲-0-。 6. 如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其係由下式 (1-1)所示之矽倍半氧烷衍生物與具有至少2個Si-H基的 化合物反應而得者：
    (1-1) 其中，各R官能基各自可爲烷基、芳基或芳烷基；其中， 烷基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任 思-CH2-可以-0-、-CH=CH-、ig院撑基或垣細撐基取代， 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取代；芳 烷基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 13263pif.doc/008 83 200424237 可以氟取代，且任意—ch2-可以-0-、CH_或環院撐 基取代；另作爲芳基上之取代基的碳數1〜20烷基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-〇-、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；又，γ1係爲下式（a-1) 或（b-l)所示之官能基： X\ / X11 X11—Si— I Z (b-l) X11—Six'1 其中，在式（a-l)與(b-l)各自之中，各X11官能基中至少有 一個爲烯基，且其他X11官能基各自可爲氯、與R定義相 同之官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙 烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧 丙撐基、3,4_環氧環己基、—SH、-NH---NH2、-CN及-Ο- 中任一者的官能基；另式(b-l)中的Z爲單鍵、-〇-或-ch2-。 7.如申請專利範圍第6項所述之聚合物，其係由式 Ό所不之砂倍半氧院衍生物與自「式（1-2)所示之砂倍半氧 烷衍生物以及式（2-1)、（3-1)、（4-1)、（5-1)與（6-1)所示之 化合物」中所選出的至少一種化合物反應而得者： 13263pif.doc/008 84 200424237 R /Si—〇—Si： 、〇、 <: \ / Ο /u - Si—Of si—R R—卜 |-〇——s\^°/〇？/〇〆、 :Si— (Μ) R R 其中，各R吕能基各自可爲烷基、芳基或芳烷基；其中， 院基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任 意-CHr可以-—CH=CH_、環烷撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數的烷基取代；芳 太兀基係由方基與院撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以幽素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意—d-可以、_€：]^=(：11_或環烷撐 基取代，另作爲方基上之取代基的碳數丨〜〗^烷基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意—CH2_可以_〇一、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；又，γ1係爲下式(w) 或(b-Ι)所示之官能基： 11 X X 11〆 Si (a-l) X1X1 11| i11 X—s—z—s—X b- 其中，在式（a-l)與(b-l)各自之中，各χΐι官能基中至少有 一個爲烯基，且其他X11官能基各自爲氯、與R定義相同 之官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙院- I3263pif.doc/008 85 200424237 1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙 撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0- 中任一者的官能基；另式(b-Ι)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-; R Si——0—Si： R - Si——〇十~Si——R ^ (1-2) -si-l-o-si-0 'Si—O—Si R 其中，R的定義如同式（1-1)中的R官能基，且Y2爲下式（a-2) X1 或(b-2)所示之官能基 ,12 X 12〆 Si (a-2) 2 X1 12I I X——si——zls· 2 b- 丨12 X12 其中，在式(a-2)與(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一個爲氫，且其他X12官能基各自爲氯、與R定義相同之 官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3- 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氣内坫、環氣丨/彳撐沾、 3,4-環氧環己基、—SH、-NH-、NH2、-CN 及 〇 i|：ff；- 者的官能基；另式（b-2)中的Z爲單鍵、—或—CH2-; X21 R1 Si—^X21 (2-1) X21 I3263pif.doc/008 86 200424237 其中，R1之定義如同式（1-1)中的R官能基，且各X21官能 基中至少有二者爲氫，其餘則爲R1 ; R1 R1 Η一Si—L—Si—Η (3-1) —〇
    ⑹ 其中，R1之定義如同式（1-1)中的R官能基，且L爲單 鍵、-0-、-CH2-、_(CH2)2-、-(CH2)3-、-(CH2)4_、1，4-本 撐基、4,4’-聯苯撐基、4,4’-二氧聯苯擦基’或是上 式（c)所示之官能基；R2之定義與R1相同，且m爲1〜3〇 之整數；
    (4-1) 其中，R2之定義與式(2_1)中的R1相同，且各χ21官能基 中至少有二者爲氫，其他X21官能基之定義則與式（1-1)中 的R相同；e爲0或1，且η爲3〜30之整數；
    87 13263pif.doc/008 200424237 其中，R與Ri各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X31 官能基中至少有二者爲氫，其他X31官能基則爲R1 ;
    (6-1) 其中，R與Ri各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X31 官能基中至少有二者爲氫，其他X31官能基之定義則與R1 相同。 8. 如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（a- 1) 及式(b-1)各自之中，各X11官能基中至少有一者爲烯基， 且其餘的X11定義與式（1-1)的R相同；而在式（a-2)及式(b- 2) 各自之中，各X12官能基中至少有一者爲氫，且其餘的 X.12定義與式（1 -1)中的R相同。 9. 如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（1-1)之中，各官能基R各自爲碳數1〜8之烷基、萘基、苯基 或苯烷基；其中，碳數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取 代，且任意-CH2-可以-0-或環烷撐基取代；苯基上任意 氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代；苯烷基係由苯基與 烷撐基所組成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數 1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基的碳數爲1〜8，且其中任 意-CH2-可以-0-或環烷撐基取代；當苯基上有數個取代 基時，該些取代基可爲同一種官能基，亦可爲不同的官能 基；另在式（a-Ι)與式(b-Ι)各自之中，各X11官能基中至少 13263pif.doc/008 88 200424237 有一者爲烯基，其他的X11定義則與式（1-1)中的R相同； 在式（a-2)與式(b-2)各自之中，各官能基X12中至少有一者 爲氫，其他的X12定義則與式〇-2)中的R相同；另式(b-1) 及(b-2)中的Z爲-〇—。 10·如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（1-1) 之中，各R官能基皆相同，其係自碳數1〜8之烷基、萘基、 苯基及苯烷基中所選出者；其中’碳數1〜8之烷基上任意 氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以—〇—或環烷撐基取 代；苯基上任意氫原子可以画素、甲基或甲氧基取代；苯 烷基係由苯基與烷撐基所組成者’其中苯基上任意氫原子 可以鹵素、碳數1〜4之烷基或甲氧基取代；烷撐基的碳數 爲1〜8，且其中任意—CH2-可以-〇-或環烷撐基取代；當苯 基上有數個取代基時，該些取代基可爲同一種官能基，亦 可爲不同的官能基；另在式(a-Ι)與式(b-Ι)各自之中，各xii 官能基中至少有一者爲烯基，其他的X"定義則與式（1-υ 中的R相同；在式(a-2)與式(b-2)各自之中，各X!2官能基 中至少有一者爲氫，其他的X12定義則與式（1-2)中的R相 同；另式(b-Ι)及(b-2)中的Z爲-Ο-。 Π·如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（id) 之中，所有的R官能基皆相同，其係自未取代之苯基、環 戊基及環己基中所選出者；在式（a-Ι)及式（b-Ι)各自之中， 各X11官能基中至少有一者爲烯基，其餘的X"爲碳數卜8 之烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基；在式（a_2)及(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有一者爲氫，其餘的 13263pif.doc/008 89 200424237 則爲碳數1〜8之烷基、未取代之苯基、瓌戊基或環己基； 式（b-Ι)及(b-2)中的 z 爲-0—;另式（2-1)、（3-1)、（5-1)及（6-1) 各自之中’ R1爲碳數1〜8之院基、未取代之本基、戊基 或環己基；式(2-1)中各χ2ι官能基中至少有二者爲氫，其 餘則爲R1 ;式(4-1)中各χ2ι官能基中至少二者爲氫，其餘 的定義則與式（1-1)中的r相同。 12.如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（1_1) 之中所有的R官能基皆相同，其係選自未取代之苯基、環 戊基及環己基；在式（a-Ι)及(b-l)各自之中，各X11官能基 中至少有一者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的χη 則爲碳數1〜8之烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基； 在式(a-2)及(b-2)各自之中，各X12官能基中有一者爲氫， 其餘的X12則爲碳數1〜8之烷基、未取代之苯基、環戊基 或環己基；式(b-l)及(b-2)中 Z 爲-0-;式(2·1)、（3-1)、（5-1) 及（6-1)各自之中，R1爲碳數1〜8之烷基、未取代之苯基、 環戊基或環己基；式(2-1)中各X21官能基中有二者爲氫， 其餘則爲R1 ;另式(4-1)中各X21官能基中有二者爲氫，其 餘的X21定義則與式（1-1)中的R相同。 13·如申請專利範圍第7項所述之聚合物，其中在式（Μ) 之中，所有的R官能基皆爲未取代之苯基；在式(a-1)及(b_l) 各自之中，各X11官能基中有一者爲乙烯基、烯丙基或苯 乙烯基，其餘的X11則爲碳數1〜4之烷基或未取代之苯基； 在式(a-2)及(b-2)各自之中，各X12官能基中有一者爲氫， 其餘的X12則爲碳數1〜4之烷基或未取代之苯基；式 13263pif.doc/008 90 及(b-2)中Z爲-Ο-；在式(2」）、（3_υ、（y)及⑹)各自之 中，R1爲碳數1〜4之烷基或未取代之苯基；在式（^)中， 各X21官能基中有二者爲氫，其餘則爲Rl;在式(4_1}中， 各X21官能基中有二者爲氫，其餘則爲未取代之苯基。 14.如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其係由式（1-2) 所示之矽倍半氧烷衍生物與至少有二烯基之化合物或具炔 鍵之化合物合成而得者： ,R 、〇、 、R (1-2) R Si—〇—Si： r a I \ / o , 〇、 2)/Si—〇-j—Si—R R~Si—1-〇—-Si-/〇？/〇、 'Si—0—Si r/ \r 其中’各Rggg基各自可爲院基、芳基或芳院基；其中， 烷基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任 意-CH,-可以—〇—、_CH=CH_、環烷撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數^20的烷基取代；芳 院基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意—CH2-可以-0-、_CH=CH-或環烷撐 基取代；另作爲芳基上之取代基的碳數1〜20烷基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-0-、 - CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；另γ2係爲下式（a_2) 或（b-2)所示之官能基： 91 13263pif.doc/008 200424237
    Si X12/ \ X12 (a-2) 12丨 X12—Si— I (b-2) z X12—Si— I 12 X12 其中，在式（a-2)與(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一個爲氫，其他的X12則各自爲氯、與R定義相同之官能 基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二 醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基；另式(b-2)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 15.如申請專利範圍第14項所述之聚合物，其係由式 (1-2)所示之矽倍半氧烷衍生物與「式（2-2)、（3-2)、（4-2)、 (5-2)、（6-2)、（d-1)、（d-2)、（d-3)及（d-4)所示之化合物中 的至少一種」合成而得者：
    其中，各R官能基各自爲烷基、芳基或芳烷基；其中，烷 基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 -CH2-可以-0-、- CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的烷基取代；芳 13263pif.doc/008 92 200424237 烷基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意-CH2-可以-0-、-CH=CH-或環烷撐 基取代；另作爲芳基上之取代基的碳數1〜20烷基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-0-、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；另Y2係爲下式(a-2) 或（b-2)所示之官能基： χ1\2 / χ12八 (-2) X12 12 I X12—Si— I Z (b-2) X12—Si— 丨12 X12 其中，在式（a-2)與(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一個爲氫，其他的X12則各自爲氯、與R定義相同之官能 基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷_1，3_二 醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0-中任一 者的官能基，另式(b-2)中的Z爲卓鍵、-0-或-CH2-， X22 R1——Si—X22 (2-2) l X22 其中，R1之定義與式（1-2)中的R相同；各X22官能基中至 少有二者爲烯基或具有炔鍵的官能基，其餘的X22則爲R1: 13263pif.doc/008 93 200424237 R1 R1 X22-Si-L-Si-X22 (3-2)
    其中，R1之定義如同式（1-2)中的R官能基；X22爲烯基； L 爲單鍵、-〇——CH2---(CH2)2-、-(CH2)3---(CH2)4-、 1，4-苯撐基、4,4’-聯苯撐基、4,4’-二氧-U’-聯苯撐基，或 是上式（c)所示之官能基；R2之定義與R1相同，且m爲！〜30 之整數；
    (4-2) 其中，R2之定義與式(2_2)中的R1相同，且各X22官能基 中至少有二者爲烯基，其他的X22定義則與式（I-2)中的R 相同；e爲〇或1，且η爲3〜30之整數； R1 X32 SkR1
    R 13263pif.doc/008 94 200424237 其中，R與R1各自之定義與式（1-2)中的r相同，且各χ32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的X32則爲R1 ; R 其中，R與R1各自之定義與式（1-2)中的R相同 官能基中至少有二者爲烯基： ，其他的X32則爲R H2C=CH—R3—CH=CH2 (d-1) HC=C—R3—C 三 CH (d-2) R4—C=C—R4 (d-3) R4—C=C—C=C—R4 (d-4) 且各X32
    R 其中，在式（d-Ι)〜(d-4)各自之中，R3爲碳數1〜40之烷撐 基，或是其上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜4院基取代的 苯撐基；R4爲碳數1〜8之烷基，或是其上任意氫原子可以 鹵素或碳數1〜4烷基取代的苯基；其中，在碳數1〜40之 烷撐基與碳數1〜8之烷基各自之中，任意-CH2-可以一〇一 或-COO-取代。 16.如申請專利範圍第15項所述之聚合物，其中在式 (a-2)與式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有一者爲氫， 其餘的X12則爲氯，或是與式（1-2)中的R定義相同的官能 基。 17·如申請專利範圍第15項所述之聚合物，其中在式 (1-2)之中’各r官能基各自爲碳數1〜8之烷基、萘基、苯 13263pif.doc/008 95 200424237 基或苯院基；其中’碳數1〜8之院基上任意氮原子可以氣 取代，且任意—CH2-可以-〇-或環院撐基取代；苯基上任 意氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代；苯烷基係由苯基 與烷撐基所構成者，其中苯基上任意氫原子可以齒素、碳 數1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基之碳數爲1〜8，且其上 任意-ch2-可以或環院撐基取代；另當本基上有數個 取代基時，該些官能基可爲同一種官能基或不问的吕通 基；在式(a-2)及式〇>2)各自之中，各X12官能基中至少有 一者爲氫，其餘的X12定義則與式G-2)中的R相同；另式 (b-2)中的Z官能基爲-〇-。 18.如申請專利範圍第15項所述之聚合物，其中在式 (1-2)之中，各R官能基皆相同，其係選自碳數1〜8之烷基、 萘基、苯基及苯烷基之中；其中，碳數1〜8之烷基上任意 氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-〇-或環烷撐基取 代；苯基上任意氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代；苯 烷基係由苯基與烷撐基所構成者，其中苯基上任意氫原子 可以鹵素、碳數1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基之碳數爲 1〜8，且其上任意-CH2-可以—或環烷撐基取代；另當苯 基上有數個取代基時，該些取代基可爲同一種官能基或不 同的官能基；在式(a-2)及(b-2)各自之中，各X12官能基中 至少有一者爲氫，其餘的X12定義則與式（1-2)中的R相同； 另式(b-2)中的Z官能基爲一 〇一。 19·如申請專利範圍第ls項所述之聚合物，其中在式 (1_2)之中，所有的R官能基皆相同，其係選自未取代之苯 13263pif.doc/008 96 200424237 基、環戊基與環己基之中；在式（a-2)及式（b-2)各自之中， 各X12官能基中有一者爲氫，其餘的X12則爲碳數1〜8之 烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基；另式(b-2)中的Z 官能基爲在式（2-2)、（3-2)、（5-2)、（6-2)各自之中， R1爲碳數1〜8之院基、未取代之苯基、環戊基或環己基。 20.如申請專利範圍第15項所述之聚合物，其中在式 (1-2)之中，所有的R官能基皆相同，其係選自未取代之苯 基、環戊基與環己基之中；在式（a_2)及式（b-2)各自之中， 各X12官能基中有一者爲氫，其餘的X12則爲碳數1〜8之 烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基；另式（b-2)中的Z 官能基爲在式（2-2)、（3-2)、（5-2)及（6-2)各自之中， R1爲碳數1〜8之烷基、未取代之苯基、環戊基或環己基； 在式(2-2)之中，各X22官能基中有二者爲乙烯基、烯丙基 或苯乙烯基，其餘的X22則爲Ri ;在式（3-2)之中，X22官 能基爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基；在式(4-2)之中，各X22 官能基中有二者爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的X22 定義則與式（1-2)中的R相同；而在式（5-2)與式（6_2)各自 之中，各X32官能基中至少有二者爲乙烯基、烯丙基或苯 乙烯基，其餘的X32則爲Ri。 21·如申請專利範圍第15項所述之聚合物，其中在式 (1_2)之中’所有R官能基皆爲未取代之苯基；在式(a-2)及 式(b-2)各自之中，各χ12官能基中有一者爲氫，其餘的X12 則爲碳數1〜4之烷基或未取代之苯基；式(b-2)中的Ζ官能 基爲-0-，在式（2-2)、及各自之中，Rl爲 13263pif.doc/008 97 200424237 碳數1〜4之烷基或未取代之苯基；式(2-2)中各X22官能基 中有二者爲乙稀基、烯丙基或苯乙烯基，其餘的X22則爲 R1 ;式（3_2)中X22官能基爲乙烯基、烯丙基或苯乙烯基； 式（4-2)中各X22官能基中有二者爲乙烯基、烯丙基或苯乙 嫌基’其餘的X22則爲未取代之苯基；而在式（5_2)與式（6-2)各自之中，各X32官能基中至少有二者爲乙烯基、烯丙 基或苯乙烯基，其餘的X32則爲Ri。 22·—種製造申請專利範圍第7項所述之聚合物的方 法’係令式（1-1)所示之矽倍半氧烷衍生物與「式（1-2)所示 之矽倍半氧烷衍生物以及式（2-1)、（3-1)、（4-1)、（5-1)及（6-1) 所示之化合物」中的至少一種，在氫矽烷化觸媒存在下反 應而得者：
    其中，各R官能基各自爲烷基、芳基或芳烷基；其中，烷 基之碳數爲1〜40，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 —CHr可以—〇——CH=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20之院基取代；芳 院基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意-CH,-可以〜〇-、_CH==CH—或環院撐 基取代，另作爲芳基上之取代基的碳數1〜2〇院基，宜上 13263pif.doc/008 98 200424237 任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可以-Ο-、 —CH=CH_、環烷撐基或苯撐基取代；另Υ1係爲下式(a-1) 或（b-1)所示之官能基：
    X11 11丨 X11—Si— I z (b-l) X11—Si— X11 其中，在式（a-1)與式(b-1)各自之中，各X11官能基中至少 有一個爲烯基，其他的X11官能基則各自爲氯、與R定義 相同之官能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代 丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環 氧丙撐基、3,4·環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN及-0-中任一者的官能基；另式(b-1)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-; R Si—0—Si： R 、〇、 〇 ^Si—O-pSi—R . R—Si-1-0—Si^°/〇？/〇\ 'Si—0—Si / (1-2) 其中，R的定義與式（1-1)中的R相同，且Y2爲下式（a-2) 或(b-2)所示之官能基： 13263pif.doc/008 99 200424237 χ1\2 / (a-2) Si χ12/ \ X12 12 I X12—Si— I (b-2) ζ X12-Si-X12 其中，在式（a-2)與式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少 有一個爲氫，其他的X12則各自爲氯、與R定義相同之官 能基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3_ 二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4_環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-Ο-中任一 者的官能基，另式(b-2)中的Ζ爲卓鍵、-0-或-CH2-; X21 R1——Si—X21 (2-1) l X21 其中，R1之定義如同式（1-1)中的R，且各X21官能基中至 少有二者爲氫，其餘的X21則爲R1 ; R1 R1
    I Si-Η (3-1) —〇
    (C) 其中，R1之定義如同式（ι-l)的R，且L爲單鍵、-O-、 13263pif.doc/008 100 200424237 一CH2-、-(CH2)2-、—(CH2)3—、—(Ch2)4一、1，4-苯撐基、4,4，， 聯苯撐基、4,4’-二氧聯苯撐基，或是上式（c)所示之 官能基；R2之定義與R1相同，且m爲1〜30之整數；
    其中，R2之定義與式（2-1)中的Ri相同，且各X”官能基 中至少有二者爲氫，其他的X2!定義則與式（1-1)中的R相 同；e爲〇或1，且η爲3〜30之整數； X31 \ / Si - R
    R 其中，R與R1各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X31 官能基中至少有二者爲氫，其他的X31則爲R1 ;
    (6-1) 其中，R與R1各自之定義與式（1-1)中的R相同，且各X3 官能基中至少有二者爲氫’其他的χ31定義則與r1相同。 23.—種製造申請專利範圍第15項所述之聚合物的方 13263pif.doc/008 101 200424237 法，其係令式（1-2)所示之矽倍半氧烷衍生物與「式(2-2)、 (3-2)、（4-2)、（5-2)、（6-2)、（d-1)、（d-2)、（d-3)及（d-4)等 所示之化合物」中的至少一種，在氫砂院化觸媒存在下反 應而得者： R Si—〇—Si- R ,R 、〇、 q^-Si—〇-j—Si—R R—Si-I-O—Si^ / 〇 / N R (1-2) 'Si—0—Si R R 其中，各R官能基各自爲烷基、芳基或芳烷基；其中，烷 基之碳數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 -CH2-可以-0-、-CH=CH_、環院撐基或環烯撐基取代； 芳基上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜20的院基取代；芳 院基係由芳基與院撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜2〇之烷基取代，且烷撐基上任意氫原 子可以氣取代’且任意-CH2-可以—CH=CH-或環院 撐基取代；另作爲芳基上之取代基的碳數丨〜加烷基，其 上任意氫原子可以氟取代，且任意—CH2—可以—〇一、 -CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；另γ2係爲下式（a_2) 或（b-2)所示之官能基： 13263pif.doc/008 102 200424237 χ1\2 / (a-2) Si χ12〆 \ X12 12 I X12—Si— I (b-2) ζ X12—Si— 丨12 X12 其中在式（a-2)與式(b-2)各自之中，各X12官能基中至少有 一個爲氫，其他的X12則各自爲氯、與R定義相同之官能 基，或是含有-OH、-COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1,3-二 醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、 3,4-環氧環己基、-SH、-NH-、-NH2、-CN 及-0_中任一 者的官能基，另式(b-2)中的Z爲單鍵、-0-或-CH2-， X22 R1——Si—X22 (2-2) I X22 其中R1之定義與式（1-2)中的R相同，各X22官能基中至 少有二者爲烯基或具有炔鍵的官能基，其餘的X22則爲R1; R1 R1 X22—Si—L—Si——X22 (3-2) —〇
    (C) 其中，R1之定義如同式（1-2)中的R，且X22爲烯基；L爲 13263pif.doc/008 103 200424237 單鍵、一〇---ch2——(CH2)2---(ch2)3---(ch2)4〜、l 4_ 苯撐基、4,4’_聯苯撐基、4,4’-二氧-1，1’-聯苯撐基，或是 上式（c)所示之官能基；R2之定義與R1相同，且瓜爲丨〜3〇 之整數；
    X22
    (4-2) 其中，R2之定義與式（2_2)中的R1相同，且各X22官能基 中至少有一*者爲嫌基’其他的X 2疋義則與式（1-2)中的r 相同；e爲0或1，且η爲3〜30之整數； R1 X32 Si-R1
    R 其中，R與R1各自之定義與式G—2)中的R相同，且各X32 官能基中至少有二者爲烯基，其他的X32則爲R1 ; R
    cr 〇· .Si； 、Si· R 32 R1 /X 、R1 (6-2) R1 <32 其中，R與R1各自之定義與式O-2)中的R相同，且各X32 104 13263pif.doc/008 200424237 官能基中至少有二者爲烯基，其他χ32官能基則爲R1，· Η2〇==〇Η—R3—CH=CH2 (d-1) Hc=csR3—C=CH (d-2) r4~C^c—r4 (d-3) r4—c^C——C=C—R4 (d-4) 其中，在式（d-1)〜(d-4)各自之中，R3爲碳數1〜40之烷撐 基’或是其上任意氫原子可以鹵素或碳數1〜4之烷基取代 的苯撐基；R4爲碳數1〜8之烷基，或是其上任意氫原子可 以鹵素或碳數1〜4之烷基取代的苯基；其中，碳數1〜40 之烷撐基與碳數1〜8之烷基各自之中的任意-CH2-可以-Ο-或-COO〜取代。 24·—種塗布膜，其係使用申請專利範圍第7項之聚合 物而得者。 25·—種塗布膜，其係使用申請專利範圍第15項之聚 合物而得者。 26·—種可防止金屬離子溶出的薄膜，其係使用申請專 利範圍第7項之聚合物而得者。 —種可防止金屬離子溶出的薄膜，其係使用申請專 利範圍第15項之聚合物而得者。 28·如申請專利範圍第2項所述之聚合物，其係由下式 (1-4)所示之矽倍半氧烷衍生物與至少具有兩個「可與該矽 倍半氧烷衍生物之可反應官能基反應的」官能基的化合物 合成而得者： 13263pif.doc/008 105 200424237
    R0" 、R0 其中，各M各自爲氫 '烷基、芳基或芳烷基；其中，烷 基之數爲1〜4〇，其上任意氫原子可以氟取代，且任意 -CH2-可以—ch=CH-、環烷撐基或環烯撐基取代； 方基上任思氣原子可以齒素或數1〜20的院基取代；芳 烷基係由芳基與烷撐基所構成者，其中芳基上任意氫原子 可以鹵素或碳數1〜20之烷基取代，烷撐基上任意氫原子 可以氟取代，且任意—CH2_可以-0-、—CH=CH-或環烷撐 基取代，另作爲芳基上之取代基的碳數1〜2〇院基，其上 任意氫原子可以氟取代，且任意―CH2_可以—〇一、 - CH=CH-、環烷撐基或苯撐基取代；又，γ4係爲式（a_4) 或(b-4)所示之官能基：
    X4 X4—Si—
    其中’各X4官能基各自爲氯、與R〇定義相同之官能基， 或是含有一CH=CH—CeC一、一〇H、_co〇h、一COO-、2_ 氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙基、 13263pif.doc/008 106 200424237 環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、—NH-、-NH2、-CN 及-Ο-中任一者的官能基；另在式（a-4)及式(]>4)各自之中， 各X4官能基中至少有一者爲氯，或是含有-OH、 —COOH、-COO-、2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環 氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、 -SH、-NH-及-NH2中任一者的官能基；又，式〇4)中的 Z爲單鍵、-0-或-CH2-。 29.如申請專利範圍第28項所述之聚合物，其中各Rq 各自爲碳數1〜8的烷基、萘基、苯基或苯烷基；其中，碳 數1〜8之烷基上任意氫原子可以氟取代，且任意-CH2-可 以-〇-或環烷撐基取代；苯基上任意氫原子可以鹵素、甲 基或甲氧基取代；苯烷基係由苯基與烷撐基所組成者，其 中苯基上任意氫原子可以鹵素、碳數1〜4烷基或甲氧基取 代，烷撐基的碳數爲1〜8，且其中任意-CH2-可以-0-或環 烷撐基取代；當苯基上有數個取代基時，該些取代基可爲 同一種官能基，亦可爲不同的官能基；另在式（a_4)與式(b-4)各自之中，各官能基X4中至少有一個爲氯，或是含有 -0H、-COOH、-C00-、2-氧代丙烷]，3-二醯基、環氧乙 基、環氧乙撐基、環氧丙基、環氧丙撐基、3,4_環氧環己 基、-SH、—NH-及—NH2中任一者的官能基，而其他的X4 定義則與式（I-4)中的R°相同；又，式(b-4)中的Z爲-0—。 3〇·如申請專利範圍第28項所述之聚合物，其中所有 的R皆爲自碳數1〜8之院基、萘基、苯基及苯院基中所 選出的同一種官能基；其中，碳數卜8烷基上任意氫原子 13263pif.doc/008 107 200424237 可以氟取代，且任意-CH2-可以-Ο-或環烷撐基取代；苯 基丨：任意氫原子可以鹵素、甲基或甲氧基取代；苯烷基係 山苯基與烷撐基所組成者，其中苯基上任意氫原子可以鹵 素、碳數1〜4烷基或甲氧基取代，烷撐基的碳數爲1〜8， 且其中任意-CH2-可以-0-或環烷撐基取代；當苯基上有 數個取代基時，該些取代基可爲同一種官能基，亦可爲不 同的官能基；另在式（a-4)與式(b-4)各自之中，各X4官能 基中至少有一者爲氯，或是含有-OH、-COOH、-COO-、 2-氧代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環氧丙 基、環氧丙撐基、3,4-環氧環己基、-SH、-NH-及-NH2屮 任一者的官能基，而其他的X4定義則與式（1-4)中的Μ扪 同；又，式(b-4)中的Ζ爲-0-。 31.如申請專利範圍第28項所述之聚合物，其屮所17 的Μ皆爲自未取代之苯基、環戊基與環己基中所逻川的 同一種官能基；在式（a-4)與式(b-4)各自之中，各χΐ V(能 基中的一個爲氯，或是含有-OH、-COOH、-C()() 、2-氧 代丙烷-1，3-二醯基、環氧乙基、環氧乙撐基、環V:\㈧基、 環氧丙撐基、3,4-環氧環己基' -SH、-NH-及NII.，中任一 者的官能基，而其他的X4定義則與式（1-4)中IV1 1<()相同； 又，式(b-4)中的Z爲-0-。 13263pif.doc/008 108 200424237 柒、指定代表圖： (一) 本案指定代表圖為：第（ ）圖。 (二) 本代表圖之元件代表符號簡單說明： 捌、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化 學式= rV"cr: 〇
    。巧夺㈣〆 〇、/0 ?/0、° u^Si—0—Si (1-0) R〇/ 'R0 5 13263pif.doc/008
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