JP5190667B2 - かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 - Google Patents
かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5190667B2 JP5190667B2 JP2007292019A JP2007292019A JP5190667B2 JP 5190667 B2 JP5190667 B2 JP 5190667B2 JP 2007292019 A JP2007292019 A JP 2007292019A JP 2007292019 A JP2007292019 A JP 2007292019A JP 5190667 B2 JP5190667 B2 JP 5190667B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- hydrogen
- group
- alkyl
- carbon atoms
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 0 CCON(C)C(NC)(OC)O*([C@](*)(N(*)OC)OC)OC Chemical compound CCON(C)C(NC)(OC)O*([C@](*)(N(*)OC)OC)OC 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Silicon Polymers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Description
熱光学効果(TO効果 thermo-optic effect:屈折率が温度に依存して変化する現象)を用いた光スイッチにおいて有機高分子材料に要求される特性としては、熱光学係数が大きいこと、耐熱性が高いこと、透明性が高いことが挙げられるが、従来のポリメチルメタクリレート(PMMA)などのアクリル系のポリマーは透明性や熱光学係数の点では優れているものの、耐熱性の面で問題がある。一方、ポリイミド系のポリマーは耐熱性の点では優れているものの、透明性や熱光学係数の面で問題がある。芳香族ポリイミドの熱光学係数dn/dTは-50〜-85ppm/K程度で高分子材料としては大きな値ではない。
一方、特許文献1にはアモルファスシリコーンオリゴマーを使用した熱光学デバイスが開示されている。しかしながら、熱光学係数が十分ではなく改善の余地があった。
特許文献5にはかご型シルセスキオキサン含有重合体を用いて光導波路を作製することが開示されていたが、かご型シルセスキオキサン含有重合体の熱光学係数については解析されておらず、かご型シルセスキオキサン含有重合体がスイッチなどの光学素子の素材として使用できるかどうかは不明であった。
品質の光学素子材料を提供することである。
[1] 式(1−0)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、このかご型シルセスキオキサン誘導体に含まれる反応性の基と反応することができる基を有する化合物とを重合させて得られる重合体を素材とする光学素子。
えられてもよい炭素数7〜40のアリールアルキルであり、Yは式(a)または式(b)で示される基である。
[2] 反応性の基がSiに結合した水素、Siに結合した塩素、または−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基である、[1]に記載の光学素子。
[3] Rが独立して炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの少なくとも1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であり、Xの残りがRと同様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、[1]に記載の光学素子。
[4] Rのすべてが炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であ
り、Xの残りがRと同様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、[1]に記載の光学素子。
[5] Rのすべてが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であり、Xの残りがRと同様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、[1]に記載の光学素子。
[6] 式(1−1)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、式(1−2)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体、式(2−1)で示される化合物、式(3−1)で示される化合物、式(4−1)で示される化合物、式(5−1)で示される化合物および式(6−1)で示される化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物とを重合させて得られる重合体を素材とする、[1]に記載の光学素子。
[7] 式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の少なくとも1つがアルケニル含有基であってその残りが塩素または式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが塩素または式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、[6]に記載の光学素子。
[8] 式(1−1)におけるRが独立して、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の少なくとも1つがアルケニル含有基であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−である、[6]に記載の光学素子。
[9] 式(1−1)におけるすべてのRが、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つがアルケニル含有基であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−である、[6]に記載の光学素子。
[10] 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つがアルケニル含有基であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、[6]に記載の光学素子。
[11] 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、[6]に記載の光学素子。
[12] 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニルであり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフ
ェニルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、[6]に記載の光学素子。
[13] 式(1−2)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、式(2−2)で示される化合物、式(3−2)で示される化合物、式(4−2)で示される化合物、式(5−2)で示される化合物、式(6−2)で示される化合物、式(d−1)で示される化合物、式(d−2)で示される化合物、式(d−3)で示される化合物および式(d−4)で示される化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物とを反応させて得られる重合体を素材とする、[1]に記載の光学素子。
[14] 式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが塩素または式(1−2)におけるRと同様に定義される基である、[13]に記載の光学素子。
[15] 式(1−2)におけるRが独立して、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−2)におけるZが−O−である、[13]に記載の光学素子。
[16] 式(1−2)におけるすべてのRが、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−2)におけるZが−O−である、[13]に記載の光学素子。
[17] 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにお
いて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルである、[13]に記載の光学素子。
[18] 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(2−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1であり、式(3−2)におけるX22が−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であり、式(4−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、X32の少なくとも2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1である、[13]に記載の光学素子。
[19] 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1であり、式(3−2)におけるX22が−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であり、式(4−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りが非置換のフェニルであり、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、X32の少なくとも2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1である、[13]に記載の光学素子。
[20] 光スイッチまたは光フィルターである、[1]〜[19]のいずれかに記載の光学素子。
以下、本発明をさらに詳しく説明する。
の基を少なくとも2つ有するとき、この基と反応することができる基を少なくとも2つ有する化合物を化合物(1−0)と反応させることにより、好ましい重合体が得られる。
置き換えられてもよいアリールである場合の好ましい例は、任意の水素がハロゲンまたは炭素数1〜8のアルキルで置き換えられてもよいフェニル、および非置換のナフチルである。ハロゲンの好ましい例は、フッ素、塩素および臭素である。フェニルの置換基である炭素数1〜8のアルキルにおいては、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は、−O−、−CH=CH−またはフェニレンで置き換えられてもよい。Rがアリールである場合の好ましい例は、非置換のフェニル、非置換のナフチル、アルキルフェニル、アルキルオキシフェニル、アルケニルフェニル、フェニルを含む置換基を有するフェニル、または非置換のナフチルを除きここに列挙したそれぞれの基において任意の水素がハロゲンで置き換えられた基などである。
なお、フェニルが複数の置換基を有するときは、それらの置換基は同一の基であってもよいし、異なる基であってもよい
非置換のフェニルアルキルの例は、フェニルメチル、2−フェニルエチル、3−フェニルプロピル、4−フェニルブチル、5−フェニルペンチル、6−フェニルヘキシル、11−フェニルウンデシル、1−フェニルエチル、2−フェニルプロピル、1−メチル−2−フェニルエチル、1−フェニルプロピル、3−フェニルブチル、1−メチル−3−フェニルプロピル、2−フェニルブチル、2−メチル−2−フェニルプロピル、1−フェニルヘキシルなどである。
ェニル)ブチル、4−(1−メチルエチル)フェニルメチル、2−(4−(1,1−ジメチルエチル)フェニル)エチル、2−(4−(1−メチルエチル)フェニル)プロピル、2−(3−(1−メチルエチル)フェニル)プロピルなどである。
ロロ−4−メチルフェニルメチル、2,3,5−トリクロロ−4−メチルフェニルメチル、2,3,5,6−テトラクロロ−4−メチルフェニルメチル、2,3,4,6−テトラクロロ−5−メチルフェニルメチル、2,3,4,5−テトラクロロ−6−メチルフェニルメチル、4−クロロ−3,5−ジメチルフェニルメチル、2−クロロ−3,5−ジメチルフェニルメチル、2,4−ジクロロ−3,5−ジメチルフェニルメチル、2,6−ジクロロ−3,5−ジメチルフェニルメチル、2,4,6−トリクロロ−3,5−ジメチルフェニルメチル、3−ブロモ−2−メチルフェニルメチル、4−ブロモ−2−メチルフェニルメチル、5−ブロモ−2−メチルフェニルメチル、6−ブロモ−2−メチルフェニルメチル、3−ブロモ−4−メチルフェニルメチル、2,3−ジブロモ−4−メチルフェニルメチル、2,3,5−トリブロモ−4−メチルフェニルメチル、2,3,5,6−テトラブロモ−4−メチルフェニルメチルなどである。
のフェニル、シクロペンチル、およびシクロヘキシルであり、最も好ましい例は炭素数1〜4のアルキルおよび非置換のフェニルである。炭素数1〜4のアルキルとしてはメチルが最も好ましい。X21の少なくとも2つは水素であり、その2つが水素であることが好ましい。このとき、X21の残りはR1である。
を有するケイ素化合物である。
化合物(2−2)はヒドロシラン誘導体である。
する化合物のうち、上記のケイ素化合物以外の例である。
、化合物(6−1)および化合物(6−2)を除いて、ハイブリッド・プラスチック社などから入手することができる。
かご型構造の骨格を主鎖に導入することによって得られる重合体は、耐熱性などに優れるとともに、熱光学係数dn/dTが大きいため、光スイッチや光フィルターなどの光学素子材料として好適に使用することができる。
まず、熱光学光スイッチにおける光分岐導波路に要求される条件に応じて、かご型PSQ重合体の屈折率調整を行い、コア・クラッド材として精密に制御された屈折率差を有す
る少なくとも2種のかご型PSQ重合体を準備する。屈折率差の大きさは導波すべき光のモードとコアの寸法に応じて決定される。本発明で用いられるかご型PSQ重合体の場合は、最終的に得られる光導波路薄膜の屈折率は、原料の組成、すなわちモノマー化合物の配合比で調整することが可能である。
まず、屈折率調整をしたクラッド材をシリコーンウェハ等の基板上に塗布し硬化させて下部クラッドを形成する。次いで、この下部クラッド上にコア材を塗布し硬化させる。続いて、コア上にエッチングマスクとなる層を形成し、フォトリソグラフィー等により導波路パターンに加工する。エッチングマスクとしては、有機フォトレジストまたは金属等が用いられる。さらに、コアを反応性イオンエッチングにより、例えば、図1に示されるようなY分岐型の光分岐導波路パターンに加工し、その上に上部クラッドを塗布し硬化させる。さらに、この光分岐導波路の入力導波路のクラッド上に金属薄膜をスパッタリングにて堆積し、フォトリソグラフィー等でパターニングしてヒーター電極を形成する。
まず、かご型PSQ重合体の屈折率調整を行い、コア・クラッド材として精密に制御された屈折率差を有する少なくとも2種のかご型PSQ重合体を準備する。屈折率差の大きさはコアの寸法に応じて決定される。本発明で用いられるかご型PSQ重合体の場合、最終的に得られる光導波路薄膜の屈折率は、原料の組成、すなわちモノマー化合物の配合比で調整することが可能である。
まず、屈折率調整をしたクラッド材をシリコーンウェハ等の基板上に塗布し硬化させて下部クラッドを形成する。次いで、この下部クラッド上にコア材を塗布し硬化させる。続いて、コア上にエッチングマスクとなる層を形成し、フォトリソグラフィー等により、波長フィルターを構成する光導波路パターンに加工する。そのような光導波路パターンとしては、アレイ導波路格子のほか、非対称マッハ・ツェンダー干渉計等が挙げられる。エッチングマスクとしては、有機フォトレジストまたは金属等が用いられる。さらに、コアを反応性イオンエッチングにより所望の光導波路パターンに加工し、その上に上部クラッドを塗布し硬化させる。さらに温度調節器としてフィードバック回路を有するヒーターあるいはペルチエ素子等を具備させることにより、温度を変化させて透過波長を調節することが可能である。
(1)分子量の測定:GPCにより、数平均分子量(Mn)および重量平均分子量(Mw)を測定した。
装置:日本分光株式会社製、JASCO GULLIVER 1500 (インテリジェント示差屈折率計 RI-1530)
測定条件;
・カラム:東ソー製カラムG4000HXL、G3000HXL、G2500HXLおよびG2000HXLの4本をこの順序に接続して使用。
・カラム温度:40℃
・展開溶剤:THF
・流量:1ml/min
・標準物質:分子量既知のポリスチレン
(2)重量減の測定
装置:セイコーインスツルメンツ株式会社、SSC/5200(TG/DTA220)
測定条件;
・昇温速度:10℃/min
(3)ガラス転移温度の測定
装置:DMA(UBM)DVE−V4 FTレオスペクトラー
測定条件;
・昇温速度:5℃/min
・周波数10Hz
(4)膜膨張の測定
装置:SEIKO TMA100
サンプル:フィルム厚み 100μm
大きさ3mm x 15mm
測定条件;
・温度:30℃〜300℃
・昇温速度:10℃/min
・測定荷重:0.5kg
(5)光学損失の測定(図6)
装置:ADVANTEST 光スペクトラムアナライザQ8381A
光源:ADVANTEST 白色光源TQ8111
測定条件;
・測定波長:0.9μm〜1.6μm
・入射ファイバ:マルチモードファイバ(コア径:50μmφ、GI型)
・受光ファイバ:マルチモードファイバ(コア径:50μmφ、GI型)
・測定温度:室温(25℃)
(6)透過率の測定(図7)
装置:島津製作所 紫外可視近赤外分光光度計UV−3600
式(1−0)に該当する化合物(7)(12.1g)と式(6−1)に該当する化合物(8)(3.3g)と式(5−1)に該当する化合物(9)(3.8g)をトルエン(95.4g)に溶解し、固形分濃度を20重量%とした。この溶液を攪拌しながら80℃まで加熱した後、カルステッド触媒(7μl)を添加して同温度で100分攪拌した。これを室温まで冷却し、エバポレーターでトルエンを留去した後、減圧乾燥しフレーク状の重合体を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定したところ、Mn=6300、Mw=52600であった。熱重量分析によると分解開始温度は315℃であった。この重合体をPSQ3001と名付けて以下の実験に使用した。
化合物(7)(12.1g)と化合物(8)(3.3g)と化合物(10)(3.8g)をトルエン(95.4g)に溶解し、固形分濃度を20重量%とした。この溶液を攪拌しながら80℃まで加熱した後、カルステッド触媒(7μl)を添加して同温度で100分攪拌した。これを室温まで冷却し、エバポレーターでトルエンを留去した後、減圧乾燥しフレーク状の重合体を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定したところ、Mn=2670、Mw=6880であった。熱重量分析によると分解開始温度は360℃であった。この重合体をPSQ5002と名付けて以下の実験に使用した。
化合物(7)(12.1g)と化合物(8)(3.3g)と化合物(9)(3.8g)
をトルエン(95.4g)に溶解し、固形分濃度を20重量%とした。この溶液を攪拌しながら80℃まで加熱した後、カルステッド触媒(7μl)を添加して同温度で130分攪拌した。これを室温まで冷却し、エバポレーターでトルエンを留去した後、減圧乾燥しフレーク状の重合体を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定したところ、Mn=8470、Mw=256000であった。この重合体をPSQ3001−2と名付けて以下の実験に使用した。
<光学式薄膜物性測定装置による干渉スペクトルの測定>
合成例1で得られたPSQ3001(2g)を、2−アセトキシ−1−メトキシプロパンPGMEA(8g)に溶解させ20重量%溶液を得た。これをメンブランフィルターでろ過し、スピンコート(2000回転、30秒)によってシリコン基板上に塗布した。その後、真空乾燥して薄膜試料を作製した。
光学顕微鏡:OLYMPUS BX51M
顕微鏡光ファイバーアダプター:浜松ホトニクス A6399
冷却型マルチチャンネル分光器(CCD部 Andor DV 401-BV,分光器部 ORIEL MS257)
顕微鏡用加熱装置(ジャパンハイテック 10033)
干渉スペクトルからの薄膜の屈折率、膜厚、および熱光学係数の算出は、Urbanek ら(Surface and Interface Analysis, 2004, vol. 36, p1102-1105)と同様な手法によって行った。その解析においては、基板のシリコンの光学データが必要であり、これには以下の文献のデータを用いた。
(1)シリコンの屈折率および消衰係数の波長分散E.D.Palik "Handbook of Optical Constants of Solids" (Academic Press, 1985) p.555(2)シリコンの熱光学係数
Thermo-optic (TO) coefficient of c-SiG.E. Jellison.Jr. and H.H. Burke, J. Appl. Phys., 60(2), 841 (1986)Refractive index for c-Si is linear with temperature from 25 to 750℃
各温度で測定した干渉スペクトルから算出した膜厚の温度変化から、膜膨張係数を測定した。
PSQ3001の光学損失の波長依存性を図6に示す。これによるとPSQ3001は可視〜近赤外域に渡って低損失であり、光通信で使う代表的な使用波長である1.3μm、1.55μmで低損失であることがわかる。
PSQ3001の波長と透過率との関係を図7に示す。これによるとPSQ3001は紫外、可視、赤外領域に渡って極めて透過性が高いことを示しており、光通信における光学材料として優れていることを示している。
合成例1で得られたPSQ3001を、実施例1に記載の方法でシリコン基板上に製膜した後、250℃で1時間加熱処理を行った。得られた薄膜について、実施例1と同様に測定した。熱光学係数および膜膨張係数を表1に示す。なお、250℃での焼成工程を行うことで固相ヒドロシリル化反応が進行し、より高度に架橋された膜を得ることができる。
合成例1で得られたPSQ3001を酢酸エチルに溶解し、活性炭を加えて1時間撹拌した。活性炭をろ別後、濃縮乾固し、活性炭処理PSQ3001を得た。このPSQを用いた以外は実施例1と同様に測定を行った。熱光学係数および膜膨張係数を表1に示す。なお、活性炭処理を行うことでヒドロシリル化触媒を吸着除去することができ、それによって架橋反応の更なる進行を防ぎ、重合時のポリマーの性状を維持することができる。
実施例3で調製した活性炭処理PSQ3001を用い、実施例1に記載の方法で製膜した後、250℃で1時間加熱処理を行った。続いて実施例1と同様に測定を行なった。熱光学係数および膜膨張係数の変化を表1に示す。
合成例2で得られたPSQ5002を用いた以外は、実施例1と同様に測定を行なった。熱光学係数および膜膨張係数の変化を表1に示す。
合成例2で得られたPSQ5002を、実施例1に記載の方法で製膜した後、250℃で1時間加熱処理を行った。続いて実施例1と同様に測定し、得られた熱光学係数および膜膨張係数の変化を表1に示す。
合成例3で得られたPSQ3001−2を用いた以外は、実施例1と同様に測定を行なった。熱光学係数および膜膨張係数の変化を表1に示す。
合成例3で得られたPSQ3001−2を、実施例1に記載の方法で製膜した後、250℃で1時間加熱処理を行った。続いて実施例1と同様に測定し、得られた熱光学係数および膜膨張係数の変化を表1に示す。
実施例1〜8で得られた各PSQの熱光学係数および膜膨張係数を、高温から低温へ降温して測定した以外は、実施例1と同様に行なった。その結果を表3に示す。
実施例1で用いたPSQ3001の20重量%PGMEA溶液をスピンコート法によりシリコン基板に種々の回転数で塗布を行い、250℃で1時間焼成後の膜厚を測定した。
2000回転/分では5.5μm、3000回転/分の場合は4.4μmの厚さの薄膜が得られた。
実施例5で用いたPSQ5002の20重量%PGMEA溶液をスピンコート法によりシリコン基板に種々の回転数で塗布を行い、250℃で1時間焼成後の膜厚を測定した。2000回転/分では5.5μm、3000回転/分の場合は4.5μmの厚さの薄膜が得られた。
実施例1で用いたPSQ3001の65重量%PGMEA溶液をスピンコート法によりシリコン基板に種々の回転数で塗布を行い、250℃で1時間焼成後の膜厚を測定した。1000回転/分では21.3μm、2000回転/分の場合は13.3μm、2500回転/分の場合は10.2μmの厚さの薄膜が得られた。
攪拌器、滴下漏斗、温度計を具備した2リットル四つ口フラスコに化合物(11)315g、トルエン700mlを仕込んだ。攪拌して化合物(11)を溶解させた後、水700gを加えた。その後、1時間攪拌し、静置し水相を分離した。トルエン層を中和、水洗浄を行った後、エバポレーターでトルエンを留去した。さらに減圧乾燥しフレーク状の重合体を得た。この重合体の分子量をGPCにより測定したところ、Mn=1900、Mw=2500であった。この重合体をPSQ20073(化合物(12))と名付けて実施例と同様な実験に使用した。
合成例4で得られたPSQ20073を、PGMEAに20重量%溶解し、実施例1記載の方法で熱光学係数、膜膨張係数を測定したところ、250℃焼成なしでは、熱光学係数が−346ppm/K、膜膨張係数が512ppm/Kであった。250℃焼成後では熱光学係数が−212ppm/K、膜膨張係数が338ppm/Kであった。
上記表1および表3に示された本願発明のPSQは、Tg前後で熱光学係数等が大きく変化するのに対し、比較例のアモルファスPSQは変化が見られなかった。熱光学係数の変化をスイッチに使う場合、その変化は大きいほど温度差を大きく取らなくとも光スイッチングに必要な屈折率変化を誘導できることから、有利であると考えられる。すなわち、本
願発明のPSQは比較例のPSQと比べて光スイッチなどの光学素子に適していることを意味している。
比較例1で用いたPSQ20073の20重量%PGMEA溶液をスピンコート法によりシリコン基板に種々の回転数で塗布を行い、250℃で1時間焼成後の膜厚を測定した。2000回転/分では1.5μm、3000回転/分の場合は1.1μmの厚さの薄膜が得られた。
PSQ3001と5002(共に250℃,1時間焼成)、およびPMMAの屈折率温度依存性を比較した結果を図5に示す。PMMAの熱光学係数は−110ppm/Kであった。
2・・・入力導波路
3・・・出力導波路
4・・・ヒーター電極
5・・・クラッド
6・・・基板
Claims (19)
- 式(1−0)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、このかご型シルセスキオキサン誘導体に含まれる反応性の基と反応することができる基を有する化合物とを重合させて得られる重合体を素材とする光スイッチ。
られてもよい;アリールの置換基である炭素数1〜20のアルキルにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−、−CH=CH−、シクロ
アルキレンまたはフェニレンで置き換えられてもよい;アリールアルキルのアルキレンにおいて、任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−CH2−は−O−、−C
H=CH−またはシクロアルキレンで置き換えられてもよい;式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xは独立して水素、塩素、Rと同様に定義される基、または−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−
ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−、−NH2、−CNおよび−O−のいずれかを
有する基であり、Xの少なくとも1つはこれらから選択される反応性の基である;そして、式(b)におけるZは、単結合、−O−または−CH2−である。 - 反応性の基がSiに結合した水素、Siに結合した塩素、または−CH=CH2、−C≡
CH、−OH、−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基である、請求項1に記載
の光スイッチ。 - Rが独立して炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの少なくとも1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、
−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であり、Xの残りがRと同
様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、請求項1に記載の光スイッチ。 - Rのすべてが炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、
−COOH、−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH
、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であり、Xの
残りがRと同様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、請求項1に記載の光スイッチ。 - Rのすべてが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a)および式(b)のそれぞれにおいて、Xの1つがSiに結合した水素、Siに結合した塩素、並びに−CH=CH2、−C≡CH、−OH、−COOH、
−COO−、2−オキサプロパン−1,3−ジオイル、オキシラニル、オキシラニレン、オキセタニル、オキセタニレン、3,4−エポキシシクロヘキシル、−SH、−NH−および−NH2のいずれかを有する基から選択される反応性の基であり、Xの残りがRと同
様に定義される基であり、式(b)におけるZが−O−である、請求項1に記載の光スイッチ。 - 式(1−1)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、式(1−2)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体、式(2−1)で示される化合物、式(3−1)で示される化合物、式(4−1)で示される化合物、式(5−1)で示される化合物および式(6−1)で示される化合物から選択される少なくとも1つの化合物とを重合させて得られる重合体を素材とする、請求項1に記載の光スイッチ。
は式(a−1)または式(b−1)で示される基である。
は単結合、−O−、−CH2−、−(CH2)2−、−(CH2)3−、−(CH2)4−、1
,4−フェニレン、4,4'−ジフェニレン、4,4'−オキシ−1,1'−ジフェニレン
、または式(c)で示される基である;そして式(c)において、R2はR1と同様に定義される基であり、mは1〜30の整数である。
れる基である;X31の少なくとも2つは水素であって、その残りはR1である。
れる基である;X31の少なくとも2つは水素であって、その残りはR1である。 - 式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の少なくとも1つがアルケニル含有基であってその残りが塩素または式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが塩素または式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、請求項6に記載の光スイッチ。
- 式(1−1)におけるRが独立して、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の少なくとも1つがアルケニル含有基であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−である、請求項6に記載の光スイッチ。
- 式(1−1)におけるすべてのRが、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つがアルケニル含有基であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−である、請求項6に記載の光スイッチ。
- 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つがアルケニル含有基であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、請求項6に記載の光スイッチ。
- 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であっ
てその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−1)および式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシル
であり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、請求項6に記載の光スイッチ。 - 式(1−1)におけるすべてのRが非置換のフェニルであり、式(a−1)および式(b−1)のそれぞれにおいて、X11の1つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−
CH=CHC6H5であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−1)、式(3−1)、式(5−1)および式(6−1)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−1)において、X21の2つが水素であってその残りがR1であり、式(4−1)において、X21の2つが水素であってその残りが式(1−1)におけるRと同様に定義される基である、請求項6に記載の光スイッチ。 - 式(1−2)で示されるかご型シルセスキオキサン誘導体と、式(2−2)で示される化合物、式(3−2)で示される化合物、式(4−2)で示される化合物、式(5−2)で示される化合物、式(6−2)で示される化合物、式(d−1)で示される化合物、式(d−2)で示される化合物、式(d−3)で示される化合物および式(d−4)で示される化合物からなる群より選択される少なくとも1つの化合物とを重合させて得られる重合体を素材とする、請求項1に記載の光スイッチ。
2)または式(b−2)で示される基である。
その残りはR1である。
において、R2はR1と同様に定義される基であり、mは1〜30の整数である。
れる基である;X32の少なくとも2つはアルケニル含有基であって、その残りはR1であ
る。
れる基である;X32の少なくとも2つはアルケニル含有基であって、その残りはR1であ
る。
は任意の水素がハロゲンまたは炭素数1〜4のアルキルで置き換えられてもよいフェニレンである;R4は炭素数1〜8のアルキルまたは任意の水素がハロゲンまたは炭素数1〜
4のアルキルで置き換えられてもよいフェニルである;この炭素数1〜40のアルキルおよび炭素数1〜8のアルキルのそれぞれにおいて、任意の−CH2−は−O−または−C
OO−で置き換えられてもよい。 - 式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが塩素または式(1−2)におけるRと同様に定義される基である、請求項13に記載の光スイッチ。
- 式(1−2)におけるRが独立して、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、またはベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルもしくはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の少なくとも1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−2)におけるZが−O−である、請求項13に記載の光スイッチ。
- 式(1−2)におけるすべてのRが、炭素数1〜8のアルキル、ナフチル、任意の水素がハロゲン、メチルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニル、およびベンゼン環の任意の水素がハロゲン、炭素数1〜4のアルキルまたはメトキシで置き換えられてもよいフェニルアルキルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、そして式(b−2)におけるZが−O−である、請求項13に記載の光スイッチ。
- 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシル
である、請求項13に記載の光スイッチ。 - 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニル、シクロペンチルおよびシクロヘキシルから選択される同一の基であり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜8のアルキル、非置換のフェニル、シクロペンチルまたはシクロヘキシル
であり、式(2−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2また
は−CH=CHC6H5であってその残りがR1であり、式(3−2)におけるX22が−C
H=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であり、式(4−2)におい
て、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であっ
てその残りが式(1−2)におけるRと同様に定義される基であり、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、X32の少なくとも2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1である、請求項13に記載の光スイッチ。 - 式(1−2)におけるすべてのRが非置換のフェニルであり、式(a−2)および式(b−2)のそれぞれにおいて、X12の1つが水素であってその残りが炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(b−2)におけるZが−O−であり、式(2−2)、式(3−2)、式(5−2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、R1が炭素数1〜4のアルキルまたは非置換のフェニルであり、式(2−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1であり、式(3−2)におけるX22が−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=
CHC6H5であり、式(4−2)において、X22の2つが−CH=CH2、−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りが非置換のフェニルであり、式(5−
2)および式(6−2)のそれぞれにおいて、X32の少なくとも2つが−CH=CH2、
−CH2CH=CH2または−CH=CHC6H5であってその残りがR1である、請求項1
3に記載の光スイッチ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007292019A JP5190667B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-11-09 | かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007014157 | 2007-01-24 | ||
JP2007014157 | 2007-01-24 | ||
JP2007292019A JP5190667B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-11-09 | かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008202027A JP2008202027A (ja) | 2008-09-04 |
JP5190667B2 true JP5190667B2 (ja) | 2013-04-24 |
Family
ID=39779846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007292019A Expired - Fee Related JP5190667B2 (ja) | 2007-01-24 | 2007-11-09 | かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5190667B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5266896B2 (ja) * | 2008-06-12 | 2013-08-21 | Jnc株式会社 | シルセスキオキサン重合体及びシリコーン樹脂成形体 |
JP5799803B2 (ja) * | 2009-04-14 | 2015-10-28 | Jnc株式会社 | ガラス繊維複合化シルセスキオキサン成形体とその製造方法 |
JP7360911B2 (ja) * | 2019-11-18 | 2023-10-13 | 株式会社カネカ | 硬化性組成物及び該組成物を封止剤として用いた半導体装置。 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09211502A (ja) * | 1996-01-31 | 1997-08-15 | Dow Corning Asia Ltd | 光変調素子の製造方法 |
JP4479160B2 (ja) * | 2003-03-11 | 2010-06-09 | チッソ株式会社 | シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体 |
JP2006268037A (ja) * | 2005-02-28 | 2006-10-05 | Chisso Corp | シルセスキオキサン誘導体からなる重合体を素材とする光導波路 |
-
2007
- 2007-11-09 JP JP2007292019A patent/JP5190667B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2008202027A (ja) | 2008-09-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4479160B2 (ja) | シルセスキオキサン誘導体を用いて得られる重合体 | |
KR101141110B1 (ko) | 실세스퀴옥산 유도체를 사용하여 제조된 중합체 | |
US7373060B2 (en) | Optical waveguide using polymer composed of silsesquioxane derivative | |
JP2006022207A (ja) | ケイ素化合物 | |
KR100962056B1 (ko) | 오가노하이드로겐실리콘 화합물 | |
JP5369629B2 (ja) | 架橋性ケイ素化合物、その製造方法、架橋性組成物、シロキサンポリマー、シリコーン膜、該架橋性ケイ素化合物の原料となるケイ素化合物、及びその製造方法 | |
CA1253857A (en) | Liquid crystalline organosilicon compounds | |
US8029904B2 (en) | Aryl (thio)ether aryl polysiloxane composition and methods for making and using same | |
JP5442557B2 (ja) | 光活性基を側鎖として有するはしご構造のポリシルセスキオキサン及びその製造方法 | |
US20040068074A1 (en) | Production process for silsesquioxane derivative having functional group and silsesquioxane derivative | |
US10501583B2 (en) | Method for preparing polyhedral oligomeric silsesquioxane | |
JP2011190413A (ja) | シロキサンポリマー架橋硬化物 | |
KR101556110B1 (ko) | (티오)페녹시 페닐 실란 조성물 및 그의 제조방법 | |
JP2017014320A (ja) | 架橋性ケイ素化合物の製造方法 | |
JP2006268037A (ja) | シルセスキオキサン誘導体からなる重合体を素材とする光導波路 | |
JP5190667B2 (ja) | かご型シルセスキオキサン骨格を含有する重合体を素材とする光学素子 | |
JP4552489B2 (ja) | 液晶配向膜形成用ワニス、液晶配向膜および液晶表示素子 | |
JP2007182528A (ja) | シルセスキオキサン誘導体を反応させて得られる重合体およびその製造方法 | |
CN101636433A (zh) | 具有官能团的笼断裂型硅氧烷树脂及其制造方法 | |
JP5115099B2 (ja) | アシロキシ基を有するシリコーン共重合体及びその製造方法 | |
JP2006282725A (ja) | ケイ素含有新規光学活性化合物 | |
KR20170047275A (ko) | 유기규소 개질된 광개시제 및 그의 광경화성 접착제 조성물 | |
JP2023532443A (ja) | ポリシロキサンを製造するための前駆体、ポリシロキサン、ポリシロキサン樹脂、ポリシロキサンの製造方法、ポリシロキサン樹脂の製造方法およびオプトエレクトロニクス部品 | |
JP2012031354A (ja) | 有機ケイ素化合物、およびその製造方法 | |
KR20160148605A (ko) | 관능화된 시클로실록산의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20101020 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20110331 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121018 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121128 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20121218 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130117 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5190667 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20160208 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |