RU2410732C2 - Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона - Google Patents

Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона Download PDF

Info

Publication number
RU2410732C2
RU2410732C2 RU2007127839/28A RU2007127839A RU2410732C2 RU 2410732 C2 RU2410732 C2 RU 2410732C2 RU 2007127839/28 A RU2007127839/28 A RU 2007127839/28A RU 2007127839 A RU2007127839 A RU 2007127839A RU 2410732 C2 RU2410732 C2 RU 2410732C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
multilayer mirror
layer
silicon
molybdenum
layers
Prior art date
Application number
RU2007127839/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2007127839A (ru
Inventor
Николя БЕНУА (DE)
Николя БЕНУА
Торстен ФАЙГЛЬ (DE)
Торстен ФАЙГЛЬ
Норберт КАЙЗЕР (DE)
Норберт КАЙЗЕР
Сергий ЮЛИН (DE)
Сергий ЮЛИН
Original Assignee
Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф. filed Critical Фраунхофер-Гезелльшафт Цур Фердерунг Дер Ангевандтен Форшунг Е.Ф.
Publication of RU2007127839A publication Critical patent/RU2007127839A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2410732C2 publication Critical patent/RU2410732C2/ru

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0816—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers
    • G02B5/0825—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only
    • G02B5/0833—Multilayer mirrors, i.e. having two or more reflecting layers the reflecting layers comprising dielectric materials only comprising inorganic materials only
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00—Optical elements other than lenses
    • G02B5/08—Mirrors
    • G02B5/0891—Ultraviolet [UV] mirrors
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K1/00—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating
    • G21K1/06—Arrangements for handling particles or ionising radiation, e.g. focusing or moderating using diffraction, refraction or reflection, e.g. monochromators
    • G21K1/062—Devices having a multilayer structure
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K2201/00—Arrangements for handling radiation or particles
    • G21K2201/06—Arrangements for handling radiation or particles using diffractive, refractive or reflecting elements
    • G21K2201/067—Construction details

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Elements Other Than Lenses (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Optical Filters (AREA)

Abstract

Изобретение относится к термостабильному многослойному зеркалу для крайнего (коротковолнового) ультрафиолетового (УФ) спектрального диапазона и может быть использовано в качестве нагреваемого коллекторного зеркала источника излучения крайнего УФ-диапазона. Многослойное зеркало для отражения излучения крайнего УФ-диапазона содержит множество чередующихся слоев молибдена и слоев кремния. На множестве граничных плоскостей между слоями молибдена и слоями кремния расположены, соответственно, барьерные слои, которые содержат нитрид кремния или борид кремния. Технический результат - повышение термостабильности, в частности стабильности при температурах более 300°С, при высокой отражательной способности многослойного зеркала. 3 н. и 13 з.п. ф-лы, 7 ил.

Description

Изобретение относится к термостабильному многослойному зеркалу для крайнего (коротковолнового) ультрафиолетового УФ спектрального диапазона.
Отражающие оптические конструктивные элементы для использования в крайнем УФ-диапазоне, который охватывает диапазон длин волн примерно от 10 нм до 50 нм, могут быть реализованы с многослойными зеркалами, которые содержат, как правило, периодическую последовательность из множества пар тонких слоев. Пара тонких слоев содержит, в общем случае, два слоя из различных материалов, которые в диапазоне длин волн, предусмотренном для применения конструктивного элемента, должны иметь максимально возможное различие в их оптических постоянных. По меньшей мере, один из этих материалов должен на предусмотренной длине волны иметь минимально возможное поглощение. Поэтому выбор материалов для многослойных зеркал зависит, прежде всего, от длины волны, при которой должен применяться оптический компонент. Поэтому в крайнем УФ спектральном диапазоне, для соответствующего диапазона длин волн, определенного в большинстве случаев шириной всего лишь несколько нм, имеется одна оптимальная пара материалов, которая гарантирует высокое отражение, ввиду оптического контраста материалов слоев.
В диапазоне длин волн от 12,5 до 14 нм, который имеет большое значение, в частности, для разработок оптических систем, предназначенных для применения в литографии крайнего УФ-диапазона, предпочтительным образом применяются многослойные зеркала из пары материалов, образованной молибденом и кремнием, так как между этими материалами существует особенно хороший оптический контраст в названном диапазоне длин волн. С использованием молибден-кремниевых (Mo/Si) многослойных зеркал может, например, быть реализовано отражение порядка 70% на длине волны 13,5 нм.
Подобное высокое отражение особенно важно для применений, в которых осуществляется многократное отражение на многослойных зеркалах, так как отражение всей оптической системы в этом случае экспоненциально снижается с увеличением числа зеркал. Поэтому в устройстве, состоящем из нескольких зеркал, даже незначительное улучшение отражения отдельного зеркала оказывает значительное влияние на полное отражение оптической системы. Это особенно имеет место в оптических системах для литографии крайнего УФ-диапазона, в которых предусматривается применение, например, 11 многослойных зеркал.
Для достижения высокого отражения требуются, в частности, по возможности более гладкие граничные поверхности на переходах слоев между молибденовыми слоями и кремниевыми слоями. Однако с другой стороны, известна тенденция таких материалов, как молибден и кремний, к образованию силицида молибдена, в частности, MoSi2, и к процессам межслойной диффузии на граничных поверхностях, как описано, например, в документе DE 100 11 547 С2. Поэтому, в особенности при повышенных температурах применения, существует опасность деградации подобного многослойного зеркала, ввиду которой отражение существенно снижается. Наряду с уменьшением отражения с деградацией, обусловленной процессами межслойной диффузии и образования силицида молибдена, связано уменьшение толщины пары слоев, которая также обозначается как толщина периода. За счет этого уменьшения толщины периода происходит смещение максимума отражения в сторону более коротких длин волн. Функционирование оптической системы, основанной на таких многослойных зеркалах, может, под влиянием подобных процессов деградации, быть существенно ухудшено или даже полностью нарушено.
Для повышения термостабильности Mo/Si-многослойных зеркал из DE 10011547 С2 известно использование на граничных поверхностях между молибденовыми слоями и кремниевыми слоями, соответственно, барьерного слоя из Мо2С.
Кроме того, в DE 10011548 С2 описано применение барьерных слоев из MoSi2 для повышения термостабильности.
Многослойные системы, описанные в обоих вышеуказанных источниках, характеризуются, по меньшей мере, на временной шкале в несколько часов термической стабильностью примерно до 500°С. Однако, по сравнению с обычным Mo/Si-многослойным зеркалом, они обладают сравнительно низкой отражательной способностью менее чем 60%.
Кроме того, из документа US 6396900 В1 известно использование барьерных слоев из материала В4С в Mo/Si-многослойном зеркале, чтобы повысить отражение и/или термостабильность. Эти многослойные системы хотя и отличаются сравнительно высоким отражением порядка 70%, но термостабильность, в частности долговременная стабильность, во всяком случае при температурах порядка 400°С или более, не гарантируется.
Для функционирования оптических систем в системах литографии крайнего УФ-диапазона в качестве источников излучения предусмотрены, в частности, лазерные источники плазмы, которые излучают на длине волны примерно 13,5 нм. Так как отражение всей оптической системы при литографии крайнего УФ-диапазона, ввиду множества зеркал, сравнительно невелико, подобные источники излучения крайнего УФ-диапазона должны работать с высокими мощностями, чтобы скомпенсировать возникающие в оптической системе потери отражения. Вблизи подобных источников излучения крайнего УФ-диапазона многослойные зеркала крайнего УФ-диапазона могут подвергаться воздействию высоких температур. Это особенно имеет место для многослойного зеркала крайнего УФ-диапазона, которое для формирования луча, например, так называемого коллекторного зеркала, должно позиционироваться непосредственно рядом с источником излучения крайнего УФ-диапазона.
Поэтому существует потребность в многослойных зеркалах, которые отличаются как высокой долговременной термической стабильностью, так и высоким отражением.
В основе изобретения лежит задача создать многослойное зеркало для крайнего УФ-спектрального диапазона, которое отличается как высокой термической стабильностью, в частности сравнительно высокой долговременной термической стабильностью, так и высоким отражением.
Эта задача решается в соответствии с изобретением многослойным зеркалом с признаками пункта 1 формулы изобретения. Предпочтительные варианты осуществления изобретения представлены в зависимых пунктах формулы изобретения.
В соответствующем изобретению многослойном зеркале для излучения крайнего УФ-диапазона, которое содержит множество чередующихся слоев молибдена и слоев кремния, на множестве граничных поверхностей между соответствующим слоем молибдена и соответствующим одним из соседних слоев кремния расположен барьерный слой, который содержит нитрид кремния, предпочтительно Si3N4, или борид кремния предпочтительно SiB4 или SiB6. Понятие «граничная поверхность» в рамках изобретения включает в себя переходную область между, соответственно, слоем молибдена и слоем кремния, включая случай, когда слой молибдена и слой кремния, ввиду расположенного между ними барьерного слоя, непосредственно не граничат друг с другом.
За счет использования барьерных слоев из нитрида кремния или борида кремния предпочтительным образом предотвращается образование силицида кремния, а также межслойная диффузия на граничных поверхностях между слоями молибдена или слоями кремния. За счет этого термостабильность, а также долговременная стабильность и стабильность излучения многослойного зеркала существенным образом улучшаются.
Особенно подходящим является многослойное зеркало, соответствующее изобретению, для применения при температурах более 300°С, в особенности в температурном диапазоне от 300°С до 500°С. Это указание диапазона, как и все указания диапазонов в этой заявке, включает в себя указанные границы.
Соответствующее изобретению многослойное зеркало имеет, в частности, преимущество высокой долговременной стабильности при температурах более 300°С, в особенности в температурном диапазоне от 300°С до 500°С. Например, соответствующее изобретению многослойное зеркало и после времени работы 100 часов при температуре около 500°С еще не проявляет никакого значительного снижения отражения и/или толщины периода.
На основе своей высокой термической стабильности соответствующее изобретению многослойное зеркало применяется, в частности, вблизи источника излучения крайнего УФ-диапазона, например лазерного источника плазмы.
В предпочтительном варианте выполнения изобретения многослойное зеркало нагревается до очень высокой рабочей температуры, в особенности до 300°С или выше, предпочтительно даже до 400°С или выше, чтобы предотвратить осаждение загрязнений на многослойное зеркало. Для этого может быть предусмотрено нагревательное устройство, которое предпочтительным образом размещено на подложке многослойного зеркала. Это, в частности, предпочтительно в многослойном зеркале, которое размещено вблизи источника излучения крайнего УФ-диапазона, так как многослойное зеркало в этом случае за счет материала мишени, применяемого в источнике излучения крайнего УФ-диапазона, например лития, который возбуждается посредством лазерного луча для излучения крайнего УФ-диапазона, могло бы загрязниться, что привело бы к снижению отражения. За счет нагрева многослойного зеркала до рабочей температуры примерно 400°С коэффициент сцепления лития с поверхностью многослойного зеркала предпочтительно снизился бы до такой степени, что отражение, спустя время работы 100 часов или более, не претерпело бы значительного снижения.
В предпочтительном варианте осуществления настоящего изобретения на всех граничных поверхностях между соответствующим слоем молибдена и соответствующим слоем кремния размещен, соответственно, барьерный слой, который содержит нитрид кремния, предпочтительно Si3N4 или борид кремния, предпочтительно SiB4 или SiB6. За счет содержащихся на всех граничных поверхностях барьерных слоев достигается особенно высокая термостабильность многослойного зеркала.
В другой предпочтительной форме выполнения изобретения на граничных поверхностях, на которых в направлении роста следует слой молибдена за слоем кремния, размещен, соответственно, барьерный слой, который содержит нитрид кремния или борид кремния, а на граничных поверхностях, на которых в направлении роста следует слой кремния за слоем молибдена, соответственно, не размещается барьерный слой.
Преимущество этого варианта осуществления изобретения состоит в том, что электромагнитное излучение, которое отражается на системе интерференционных слоев, образованной многослойным зеркалом, внутри этой системы интерференционных слоев образует стоячую электромагнитную волну, узлы которой находятся на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой молибдена следует за слоем кремния. Барьерные слои в этом варианте выполнения изобретения размещены в областях системы интерференционных слоев, на которых напряженность электрического поля стоячей волны незначительна. Поэтому поглощение внутри барьерных слоев предпочтительным образом незначительно.
Толщина барьерных слоев составляет предпочтительным образом от 0,1 нм до 1,5 нм, особенно предпочтительно от 0,2 нм до 0,8 нм. Барьерные слои с подобной толщиной пригодны для того, чтобы эффективно препятствовать межслойной диффузии или образованию силицида кремния на граничных поверхностях. С другой стороны, они еще достаточно тонки, так что поглощение внутри этих барьерных слоев сравнительно незначительно.
Многослойное зеркало содержит предпочтительным образом от 40 до 70 пар слоев. При этом под парой слоев понимается слой кремния и соседний с ним слой молибдена, включая прилегающий барьерный слой или барьерные слои. Дальнейшее повышение числа пар слоев, ввиду ограниченной глубины проникновения излучения в этом спектральном диапазоне, оказывало бы лишь незначительное влияние на отражение многослойного зеркала.
Многослойное зеркало может содержать, например, периодическую структуру из слоев кремния, слоев молибдена и барьерных слоев, в которой толщина слоев кремния, слоев молибдена и барьерных слоев внутри многослойного зеркала не изменяется. В таком периодическом многослойном зеркале может быть реализовано высокое отражение в узком спектральном диапазоне в окрестности заданной длины волны λ.
Многослойное зеркало, в рамках изобретения, может также содержать апериодическую последовательность слоев, внутри которой толщины слоев кремния и/или слоев молибдена варьируются. В таком апериодическом многослойном зеркале может быть реализовано высокое отражение в сравнительно широком диапазоне длин волн и/или углов падения, причем максимальное отражение на заданной длине волны, в общем случае, ниже, чем в периодическом многослойном зеркале
Предпочтительным образом, согласно изобретению, на многослойное зеркало нанесен накрывающий слой, который отличается по материалу и/или толщине от слоев многослойного зеркала, чтобы защитить многослойное зеркало, в частности, от окисления и загрязнения. Вместо отдельного накрывающего слоя могут наноситься также два или более накрывающих слоев.
Например, могут наноситься один или несколько накрывающих слоев, которые выполнены не из молибдена или кремния. Особенно подходящими материалами для накрывающего слоя являются оксиды, нитриды, карбиды или бориды, а также рутений, родий, скандий и цирконий. В частности, накрывающий слой многослойного зеркала может быть выполнен из материала барьерных слоев, то есть из нитрида кремния или борида кремния.
Улучшение отражения многослойного зеркала предпочтительным образом возможно благодаря тому, что многослойное зеркало помещено на подложке, которая имеет шероховатость поверхности менее 0,2 нм. Под шероховатостью поверхности при этом понимается среднеквадратичная шероховатость поверхности, определяемая, например, путем подгонки кривых к кривым рентгеновского излучения, измеренным с помощью Cu Kα-излучения.
Многослойное зеркало может, например, наноситься на полупроводниковую подложку, например кремниевую пластину. Особенно подходящими являются подложки из SiC. Кроме того, подложка может быть выполнена из стекла или стеклокерамики. Особенно предпочтительным образом, подложка состоит из стекла или стеклокерамики с низким коэффициентом теплового расширения, например ULE (ультранизкое растяжение), - стекла или материала Zerodur. Тем самым механические напряжения, которые могут возникать при высоких рабочих температурах, в частности при нагреве многослойного зеркала до рабочей температуры порядка 400°С, предпочтительным образом снижаются.
Подложка представляет собой, например, плоскую подложку. Кроме того, возможно, что многослойное зеркало нанесено на сферически искривленную поверхность подложки. Кроме того, поверхность подложки может иметь асферическую кривизну, например параболическую или эллиптическую кривизну. Например, параболически искривленная поверхность пригодна для формирования по существу параллельного луча из приближенно точечного источника излучения, в то время как эллиптически искривленная поверхность пригодна для фокусировки луча источника излучения, который расположен в первой фокальной точке эллипса, во вторую фокальную точку эллипса.
Многослойное зеркало, согласно изобретению, может, например, применяться для компонентов, предназначенных для направления луча и/или формирования луча источника излучения крайнего УФ-диапазона, в частности, для плоского зеркала для отклонения луча или для криволинейного зеркала для коллимирования или фокусировки излучения.
Ввиду спектрально очень узкополосного отражения, которое может иметь полную ширину на уровне половинного значения примерно около 0,5 нм или менее, многослойное зеркало, соответствующее изобретению, пригодно также для применения в спектрометрах, в частности для характеристики источников излучения крайнего УФ-диапазона.
Изобретение описано далее на примерах выполнения со ссылками на фиг.1-6. На чертежах показано следующее:
Фиг.1 - схематичное представление перечного сечения для примера выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению.
Фиг.2 - графическое представление отражения R в зависимости от длины волны λ для трех примеров выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, по сравнению с обычным Mo/Si-многослойным зеркалом.
Фиг.3 - графическое представление отражения R в зависимости от длины волны λ для трех других примеров выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, по сравнению с обычным Mo/Si-многослойным зеркалом.
Фиг.4 - схематичное представление перечного сечения для другого примера выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению.
Фиг.5 - графическое представление отражения R в зависимости от длины волны λ для трех других примеров выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, по сравнению с обычным Mo/Si-многослойным зеркалом.
Фиг.6 - графическое представление отражения R в зависимости от длины волны λ для трех других примеров выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, по сравнению с обычным Mo/Si-многослойным зеркалом.
Фиг.7 - схематичное представление структуры, согласно которой пример выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, применяется как коллекторное зеркало источника излучения крайнего УФ-диапазона.
Одинаковые или эквивалентные элементы обозначены на чертежах одними и теми же ссылочными позициями.
В показанном на фиг.1 первом примере выполнения изобретения многослойное зеркало 1 выполнено из чередующихся слоев 3 кремния и слоев 4 молибдена на подложке 2, причем, соответственно, слой 3 кремния и соседний слой 4 молибдена образуют пару слоев. Для упрощения представления показаны только четыре пары слоев. Предпочтительное количество пар слоев составляет от 40 до 70.
Внутри многослойного зеркала 1 на всех граничных поверхностях, таким образом, как на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой 3 кремния следует за слоем 4 молибдена, так и на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой 4 молибдена следует за слоем 3 кремния, имеется, соответственно, барьерный слой 5 из нитрида кремния или борида кремния. Толщина барьерных слоев 5 составляет предпочтительно от 0,1 нм до 1 нм, более предпочтительно от 0,2 нм до 0,5 нм. Барьерные слои 5 снижают как межслойную диффузию, так и образование силицида молибдена на граничных поверхностях между слоями 4 молибдена и слоями 3 кремния. Тем самым улучшается термостабильность многослойного зеркала 1, в частности, в температурном диапазоне примерно от 300°С до 500°С.
Подложка 2 может представлять собой полупроводниковую подложку, в частности из кремния или SiC, или подложку из стекла или стеклокерамики, в частности, из стеклокерамики с низким коэффициентом теплового расширения. Предпочтительным образом подложка 2 имеет шероховатость поверхности менее чем 0,2 нм.
Нанесение многослойного зеркала 1 на подложку 2 осуществляется предпочтительным образом путем напыления, в частности посредством магнетронного напыления постоянного тока, причем в качестве рабочего газа применяется аргон. Однако в рамках изобретения возможно использование и других способов нанесения покрытий, в частности напыление электронным лучом, плазменное ионное напыление или лазерная абляция. Многослойное зеркало 1 предпочтительным образом содержит покрывающий слой 6, который состоит не из кремния или молибдена. За счет выбора материала, относительно нечувствительного к окислению, в качестве материала покрывающего слоя 6 термостабильность многослойного зеркала может быть дополнительно повышена. Особенно предпочтительным образом покрывающий слой 6 выполняется как барьерные слои 5 из борида кремния или нитрида кремния.
В этом случае затраты на изготовление предпочтительным образом снижаются, так как для нанесения покрывающего слоя 6 не требуется предпринимать никаких мер для нанесения покрытия из другого материала, который не содержался бы в остальной структуре многослойного зеркала 1.
На фиг.2 показано графическое представление отражения R для перпендикулярного падения в зависимости от длины волны λ для обычного многослойного зеркала без барьерных слоев (кривая 7) в сравнении с тремя примерами выполнения многослойного зеркала согласно изобретению, при которых на всех граничных поверхностях между слоями молибдена и слоями кремния расположен, соответственно, барьерный слой из Si3N4, причем толщина барьерных слоев составляет, соответственно, 0,3 нм (кривая 8), 0,6 нм (кривая 9) и 0,9 нм (кривая 10). Толщины слоев многослойного зеркала, которые были положены в основу математического моделирования, оптимизированы для достижения максимального отражения при длине волны как равные 13,5 нм. Толщина периода многослойного зеркала составляет примерно 6,9 нм, а число пар слоев, соответственно, 60.
Соответствующие изобретению многослойные зеркала отличаются высокой термостабильностью, причем снижение отражения вследствие добавленных барьерных слоев, по сравнению с обычным многослойным зеркалом, предпочтительно незначительно. Например, моделированное значение максимального отражения при барьерных слоях толщиной 0,6 нм (кривая 9) составляет примерно 70%. При использовании барьерных слоев толщиной 0,9 нм снижение отражения по сравнению с обычным многослойным зеркалом составляет примерно 10%. Даже при этом относительно толстом барьерном слое максимальное отражение составляет более 65%.
На фиг.3 показано графическое представление отражения R для перпендикулярного падения в зависимости от длины волны λ для обычного многослойного зеркала без барьерных слоев (кривая 11) в сравнении с тремя примерами выполнения многослойного зеркала согласно изобретению, в которых на всех граничных поверхностях между слоями молибдена и слоями кремния расположен, соответственно, барьерный слой из SiB4, причем толщина барьерных слоев составляет, соответственно, 0,3 нм (кривая 12), 0,6 нм (кривая 13) и 0,9 нм (кривая 14). Так как кривые отражения, представленные на фиг.3, ввиду незначительных различий в отражении было бы очень трудно различить, на фиг.3, в отличие от фиг.2 выбрано масштабирование, обеспечивающее представление только в непосредственной окрестности максимума отражения. Толщины слоев многослойного зеркала, которые были положены в основу математического моделирования, оптимизированы для максимального отражения для длины волны λ=13,5 нм. Как и в примерах выполнения, описанных со ссылкой на фиг.2, толщина периода многослойного зеркала составляет 6,9 нм, а число пар слоев, соответственно, 60.
Снижение отражения за счет барьерных слоев из SiB4, по сравнению с обычным многослойным зеркалом без барьерного слоя, предпочтительно еще меньше, чем при применении барьерных слоев из нитрида кремния. В частности, максимальное отражение снижается даже при использовании барьерных слоев из SiB4 толщиной 0,9 нм (кривая 14) по сравнению с обычным многослойным зеркалом менее чем на 3 процента.
В показанном на фиг.4 примере выполнения многослойного зеркала, соответствующего изобретению, барьерные слои 5 из нитрида кремния или борида кремния размещены исключительно на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой 4 молибдена следует за слоем 3 кремния. Барьерные слои 5 в этой форме выполнения изобретения позиционированы в местах многослойной структуры, которые согласованы с узлами напряженности электрического поля. Отражение в этом случае снижается из-за барьерных слоев 5 по сравнению с обычным многослойным зеркалом, которое не имеет барьерных слоев, лишь незначительно.
В этой форме выполнения изобретения межслойная диффузия и образование силицидов на граничных поверхностях, на которых слой 4 молибдена следует за слоем 3 кремния, снижается за счет барьерных слоев 5. Это является особенно предпочтительным, так как эти граничные поверхности, как известно, например, из US 6396900 B1, в обычных Mo/Si-многослойных зеркалах сильнее подвергаются межслойной диффузии и образованию силицидов, чем граничные поверхности, на которых слой кремния следует за слоем молибдена.
На фиг.5 показано графическое представление отражения R для перпендикулярного падения в зависимости от длины волны λ для обычного многослойного зеркала без барьерных слоев (кривая 15) в сравнении с тремя примерами выполнения многослойного зеркала согласно изобретению, в которых исключительно на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой молибдена следует за слоем кремния, расположен, соответственно, барьерный слой из Si3N4, причем толщина барьерных слоев составляет, соответственно, 0,3 нм (кривая 16), 0,6 нм (кривая 17) и 0,9 нм (кривая 18). Число пар слоев многослойного зеркала составляет, соответственно, 60, а толщина периода, соответственно, 6,9 нм.
Представленные на фиг.5 кривые отражения показывают, что добавление барьерных слоев на всех граничных поверхностях, на которых слой молибдена следует за слоем кремния, обуславливает крайне незначительное снижение отражения. Так как в этих вариантах выполнения многослойных зеркал барьерные слои из нитрида кремния расположены, соответственно, в узлах электрического поля внутри многослойного зеркала, они оказывают лишь незначительное влияние на отражение. Например, снижение отражения даже при использовании барьерных слоев из Si3N4 толщиной 0,9 нм (кривая 18), по сравнению с обычным многослойным зеркалом (кривая 15), составляет примерно лишь один процент.
На фиг.6 показано графическое представление отражения R для перпендикулярного падения в зависимости от длины волны λ для обычного многослойного зеркала без барьерных слоев (кривая 19) в сравнении с тремя примерами выполнения многослойного зеркала согласно изобретению, в которых исключительно на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой молибдена следует за слоем кремния, расположен, соответственно, барьерный слой из SiB4, причем толщина барьерных слоев составляет, соответственно, 0,3 нм (кривая 20), 0,6 нм (кривая 21) и 0,9 нм (кривая 22). Число пар слоев многослойного зеркала составляет, соответственно, 60, а толщина периода, соответственно, 6,9 нм. В этих примерах выполнения снижение отражения за счет барьерных слоев из SiB4 еще меньше, чем в примерах выполнения, показанных на фиг.5 с барьерными слоями из Si3N4. Снижение отражения при использовании барьерных слоев из SiB4 толщиной 0,9 нм (кривая 22), по сравнению с обычным многослойным зеркалом без барьерных слоев (кривая 19), составляет примерно только 0,6 процента.
На фиг.7 приведено схематичное представление примера выполнения многослойного зеркала 23, соответствующего изобретению, которое выполнено на криволинейной, предпочтительно асферически изогнутой подложке 24. Многослойное зеркало 23 функционирует как коллекторное зеркало источника 25 излучения крайнего УФ-диапазона. Излучение 26 крайнего УФ-диапазона, излученное источником 25 излучения крайнего УФ-диапазона, фокусируется коллекторным зеркалом, например, в фокальной точке F. Источник 25 излучения крайнего УФ-диапазона является, например, источником излучения плазмы лазера, в котором материл мишени, например частицы лития, возбуждается посредством лазерного излучения для эмиссии излучения крайнего УФ-диапазона. В случае подобных источников излучения крайнего УФ-диапазона часто существует проблема, состоящая в том, что расположенные в окрестности источника излучения оптические элементы загрязняются материалом мишени. В многослойном зеркале 23 для решения этой проблемы на подложке 24 предусмотрено нагревательное устройство 27, посредством которого многослойное зеркало 23 нагревается до температуры, при которой материал мишени источника 25 излучения крайнего УФ-диапазона имеет лишь незначительный коэффициент сцепления и, тем самым, десорбируется поверхностью 28 многослойного зеркала 23. Предпочтительным образом, многослойное зеркало 23 нагревается до рабочей температуры примерно 400°С или более. Температура примерно 400°С является предпочтительной, в частности, в случае литиевой мишени.
Изобретение не ограничено описанием примеров выполнения. Напротив, изобретение включает каждый новый признак, а также комбинацию признаков, что, в частности, включает в себя каждую комбинацию признаков в формуле изобретения, даже если собственно этот признак или эта комбинация не приведены в явном виде в пунктах формулы изобретения или примерах выполнения.

Claims (16)

1. Многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового (УФ) излучения, которое содержит множество чередующихся слоев (4) молибдена и слоев (3) кремния, отличающееся тем, что на множестве граничных поверхностей между соответствующим слоем (4) молибдена и соответствующим соседним слоем (3) кремния расположен барьерный слой (5), который содержит борид кремния.
2. Многослойное зеркало по п.1, отличающееся тем, что на всех граничных поверхностях между соответствующим слоем (4) молибдена и соответствующим слоем (3) кремния расположен барьерный слой (5), который содержит борид кремния.
3. Многослойное зеркало по п.1, отличающееся тем, что на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой (4) молибдена следует за слоем (3) кремния, размещен соответственно барьерный слой (5), который содержит борид кремния, а на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой (3) кремния следует за слоем (4) молибдена, соответственно не размещается барьерный слой.
4. Многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового (УФ) излучения, которое содержит множество чередующихся слоев (4) молибдена и слоев (3) кремния, отличающееся тем, что на множестве граничных поверхностей между соответствующим слоем (4) молибдена и соответствующим соседним слоем (3) кремния расположен барьерный слой (5), который содержит нитрид кремния.
5. Многослойное зеркало по п.4, отличающееся тем, что на всех граничных поверхностях между соответствующим слоем (4) молибдена и соответствующим слоем (3) кремния расположен барьерный слой (5), который содержит нитрид кремния.
6. Многослойное зеркало по п.4, отличающееся тем, что на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой (4) молибдена следует за слоем (3) кремния, размещен соответственно барьерный слой (5), который содержит нитрид кремния, а на граничных поверхностях, на которых в направлении роста слой (3) кремния следует за слоем (4) молибдена, соответственно не размещается барьерный слой.
7. Многослойное зеркало по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что барьерные слои (5) имеют толщину в диапазоне от 0,2 до 0,8 нм.
8. Многослойное зеркало по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что многослойное зеркало (1) содержит, по меньшей мере, один накрывающий слой (6), который выполнен не из кремния или молибдена.
9. Многослойное зеркало по п.8, отличающееся тем, что накрывающий слой содержит нитрид кремния или борид кремния.
10. Многослойное зеркало по п.8, отличающееся тем, что накрывающий слой содержит оксид, нитрид, карбид или борид, или, по меньшей мере, один из следующих материалов: рутений, родий, скандий и цирконий.
11. Многослойное зеркало по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что многослойное зеркало (23) нанесено на искривленную поверхность подложки (24).
12. Многослойное зеркало по п.11, отличающееся тем, что поверхность подложки (24) имеет асферическую кривизну.
13. Многослойное зеркало по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что предусмотрено нагревательное устройство (27), чтобы нагревать многослойное зеркало (23) до рабочей температуры от 300°С или выше, предпочтительно до 400°С или выше.
14. Многослойное зеркало по п.13, отличающееся тем, что многослойное зеркало (23) размещено на подложке (24), на которой размещено нагревательное устройство (27).
15. Многослойное зеркало по любому из пп.1-6, отличающееся тем, что многослойное зеркало (23) является коллекторным зеркалом источника (25) излучения крайнего УФ диапазона.
16. Применение многослойного зеркала по любому из пп.1-15 для отражения излучения крайнего УФ диапазона при рабочей температуре от 300 до 500°С.
RU2007127839/28A 2004-12-23 2005-12-23 Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона RU2410732C2 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102004062289.2 2004-12-23
DE102004062289A DE102004062289B4 (de) 2004-12-23 2004-12-23 Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2007127839A RU2007127839A (ru) 2009-01-27
RU2410732C2 true RU2410732C2 (ru) 2011-01-27

Family

ID=35892371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2007127839/28A RU2410732C2 (ru) 2004-12-23 2005-12-23 Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона

Country Status (9)

Country Link
US (1) US7920323B2 (ru)
EP (1) EP1828818B1 (ru)
JP (1) JP4904287B2 (ru)
KR (1) KR101176682B1 (ru)
CN (1) CN101088031A (ru)
CA (1) CA2591530A1 (ru)
DE (1) DE102004062289B4 (ru)
RU (1) RU2410732C2 (ru)
WO (1) WO2006066563A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU197307U1 (ru) * 2019-12-23 2020-04-21 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7843632B2 (en) * 2006-08-16 2010-11-30 Cymer, Inc. EUV optics
DE102006006283B4 (de) * 2006-02-10 2015-05-21 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Thermisch stabiler Multilayer-Spiegel für den EUV-Spektralbereich
US7959310B2 (en) 2006-09-13 2011-06-14 Carl Zeiss Smt Gmbh Optical arrangement and EUV lithography device with at least one heated optical element, operating methods, and methods for cleaning as well as for providing an optical element
US20080318066A1 (en) * 2007-05-11 2008-12-25 Asml Holding N.V. Optical Component Fabrication Using Coated Substrates
US20080280539A1 (en) * 2007-05-11 2008-11-13 Asml Holding N.V. Optical component fabrication using amorphous oxide coated substrates
US10788608B2 (en) 2007-08-12 2020-09-29 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures
US10870740B2 (en) 2007-08-12 2020-12-22 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Non-color shifting multilayer structures and protective coatings thereon
US10690823B2 (en) 2007-08-12 2020-06-23 Toyota Motor Corporation Omnidirectional structural color made from metal and dielectric layers
US8736959B2 (en) * 2007-08-12 2014-05-27 Toyota Motor Engineering & Manufacturing North America, Inc. Omnidirectional reflector
US20100239822A1 (en) * 2007-10-02 2010-09-23 Universita Degli Studi Di Padova Aperiodic multilayer structures
JP2009141177A (ja) * 2007-12-07 2009-06-25 Canon Inc Ｅｕｖ用ミラー及びそれを有するｅｕｖ露光装置
US7960701B2 (en) 2007-12-20 2011-06-14 Cymer, Inc. EUV light source components and methods for producing, using and refurbishing same
DE102008002403A1 (de) * 2008-06-12 2009-12-17 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zum Herstellen einer Mehrlagen-Beschichtung, optisches Element und optische Anordnung
US8693090B2 (en) * 2008-07-07 2014-04-08 Koninklijke Philips N.V. Extreme UV radiation reflecting element comprising a sputter-resistant material
DE102008040265A1 (de) * 2008-07-09 2010-01-14 Carl Zeiss Smt Ag Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung
US7641349B1 (en) 2008-09-22 2010-01-05 Cymer, Inc. Systems and methods for collector mirror temperature control using direct contact heat transfer
DE102009017095A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-28 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102009017096A1 (de) * 2009-04-15 2010-10-21 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102009032779A1 (de) * 2009-07-10 2011-01-13 Carl Zeiss Smt Ag Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
DE102009054653A1 (de) * 2009-12-15 2011-06-16 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Substrat für einen solchen Spiegel, Verwendung einer Quarzschicht für ein solches Substrat, Projektionsobjektiv für die Mikrolithographie mit einem solchen Spiegel oder einem solchen Substrat und Projetktionsbelichtungsanlage für die Mikrolithographie mit einem solchen Projektionsobjektiv
JP5716038B2 (ja) 2009-12-15 2015-05-13 カール・ツァイス・エスエムティー・ゲーエムベーハー Ｅｕｖリソグラフィ用反射光学素子
CN103229248B (zh) * 2010-09-27 2016-10-12 卡尔蔡司Smt有限责任公司 反射镜，包含这种反射镜的投射物镜，以及包含这种投射物镜的用于微光刻的投射曝光设备
JP5340321B2 (ja) * 2011-01-01 2013-11-13 キヤノン株式会社 ミラーおよびその製造方法、露光装置、ならびに、デバイス製造方法
DE102011002953A1 (de) * 2011-01-21 2012-07-26 Carl Zeiss Smt Gmbh Substrat für Spiegel für die EUV-Lithographie
WO2012171674A1 (en) 2011-06-15 2012-12-20 Asml Netherlands B.V. Multilayer mirror, method of producing a multilayer mirror and lithographic apparatus
CN102866442A (zh) * 2011-07-07 2013-01-09 同济大学 一种Mg/Zr极紫外多层膜反射镜及其制作方法
DE102012203633A1 (de) * 2012-03-08 2013-09-12 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel für den EUV-Wellenlängenbereich, Herstellungsverfahren für einen solchen Spiegel und Projektionsbelichtungsanlage mit einem solchen Spiegel
CN103076644B (zh) * 2013-01-09 2015-04-29 同济大学 一种硅铝合金/硅/锆/硅极紫外多层膜反射镜及其制备方法
DE102013200294A1 (de) * 2013-01-11 2014-07-17 Carl Zeiss Smt Gmbh EUV-Spiegel und optisches System mit EUV-Spiegel
DE102013008486B4 (de) 2013-05-18 2016-07-14 Saxray GmbH Rauscharmes optisches Element zur Detektion von Strahlung mittels Messung elektrischer Signale und Verwendung desselben zur Einstellung einer Reflexionsbedingung
DE102013107192A1 (de) * 2013-07-08 2015-01-08 Carl Zeiss Laser Optics Gmbh Reflektives optisches Element für streifenden Einfall im EUV-Wellenlängenbereich
DE102013221550A1 (de) * 2013-10-23 2015-04-23 Carl Zeiss Smt Gmbh Vielschichtstruktur für EUV-Spiegel
DE102013222330A1 (de) 2013-11-04 2015-05-07 Carl Zeiss Smt Gmbh Spiegel, insbesondere für eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage
DE112015001639B4 (de) 2014-04-01 2023-12-14 Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha Nicht-farbverschiebende mehrschichtige strukturen
CN104765078A (zh) * 2015-04-21 2015-07-08 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有热稳定性及抗辐照损伤的极紫外多层膜
CN104749662A (zh) * 2015-04-21 2015-07-01 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有极紫外光谱纯度及热稳定性的多层膜
KR102369935B1 (ko) 2015-08-31 2022-03-03 삼성전자주식회사 드립 홀을 갖는 콜렉팅 미러를 포함하는 euv 광 발생 장치
WO2017102379A1 (en) * 2015-12-14 2017-06-22 Asml Netherlands B.V. A membrane for euv lithography
CN105467472B (zh) * 2015-12-21 2017-07-14 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 高热稳定性极紫外多层膜
CN105445823A (zh) * 2015-12-21 2016-03-30 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 具有抗溅射损伤和抗氧化性的高热稳定性极紫外多层膜
CN113204179A (zh) * 2021-05-21 2021-08-03 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种极紫外多层膜及其制备方法

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5310603A (en) * 1986-10-01 1994-05-10 Canon Kabushiki Kaisha Multi-layer reflection mirror for soft X-ray to vacuum ultraviolet ray
JPH0797159B2 (ja) * 1986-10-01 1995-10-18 キヤノン株式会社 軟ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡
JP2723955B2 (ja) * 1989-03-16 1998-03-09 キヤノン株式会社 軟ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡
JP2883100B2 (ja) * 1989-05-22 1999-04-19 キヤノン株式会社 軟ｘ線・真空紫外線用ハーフミラー又はビームスプリッター
JP2946199B2 (ja) * 1995-11-01 1999-09-06 株式会社エスアイアイ・マイクロパーツ ボタン形アルカリ電池およびその製造方法
JPH08262198A (ja) 1995-03-27 1996-10-11 Toyota Gakuen Ｘ線多層膜反射鏡
JPH09230098A (ja) * 1996-02-21 1997-09-05 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 多層膜ｘ線反射鏡
JPH1138192A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Nikon Corp 多層膜反射鏡
US5958605A (en) 1997-11-10 1999-09-28 Regents Of The University Of California Passivating overcoat bilayer for multilayer reflective coatings for extreme ultraviolet lithography
WO1999063790A1 (fr) * 1998-05-29 1999-12-09 Nikon Corporation Source lumineuse plasmatique excitee au laser, appareil d'exposition et son procede de fabrication, et procede de fabrication d'un dispositif
TWI267704B (en) * 1999-07-02 2006-12-01 Asml Netherlands Bv Capping layer for EUV optical elements
DE10011548C2 (de) 2000-02-28 2003-06-18 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zur Herstellung eines thermisch stabilen Schichtsystems zur Reflexion von Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV)
DE10011547C2 (de) 2000-02-28 2003-06-12 Fraunhofer Ges Forschung Thermisch stabiles Schichtsystem zur Reflexion von Strahlung im extremen ultravioletten Spektralbereich (EUV)
US7261957B2 (en) * 2000-03-31 2007-08-28 Carl Zeiss Smt Ag Multilayer system with protecting layer system and production method
US6396900B1 (en) * 2001-05-01 2002-05-28 The Regents Of The University Of California Multilayer films with sharp, stable interfaces for use in EUV and soft X-ray application
US6508561B1 (en) 2001-10-17 2003-01-21 Analog Devices, Inc. Optical mirror coatings for high-temperature diffusion barriers and mirror shaping
EP1348984A1 (en) * 2002-03-27 2003-10-01 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optical broad band element and process for its production
EP1369744A1 (en) 2002-06-06 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US20040051984A1 (en) * 2002-06-25 2004-03-18 Nikon Corporation Devices and methods for cooling optical elements in optical systems, including optical systems used in vacuum environments
DE10258709A1 (de) * 2002-12-12 2004-07-01 Carl Zeiss Smt Ag Schutzsystem für reflektive optische Elemente, reflektives optisches Element und Verfahren zu deren Herstellung
US7217940B2 (en) * 2003-04-08 2007-05-15 Cymer, Inc. Collector for EUV light source
US7193228B2 (en) * 2004-03-10 2007-03-20 Cymer, Inc. EUV light source optical elements
JP4692984B2 (ja) * 2004-09-24 2011-06-01 Ｈｏｙａ株式会社 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡並びにこれらの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU197307U1 (ru) * 2019-12-23 2020-04-21 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" Многослойное зеркало для монохроматизации жесткого рентгеновского излучения

Also Published As

Publication number Publication date
JP4904287B2 (ja) 2012-03-28
US20080088916A1 (en) 2008-04-17
KR20070090967A (ko) 2007-09-06
CN101088031A (zh) 2007-12-12
KR101176682B1 (ko) 2012-08-23
WO2006066563A1 (de) 2006-06-29
DE102004062289A1 (de) 2006-07-06
EP1828818B1 (de) 2012-10-17
JP2008526002A (ja) 2008-07-17
CA2591530A1 (en) 2006-06-29
US7920323B2 (en) 2011-04-05
RU2007127839A (ru) 2009-01-27
DE102004062289B4 (de) 2007-07-19
EP1828818A1 (de) 2007-09-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2410732C2 (ru) Термостабильное многослойное зеркало для крайнего ультрафиолетового спектрального диапазона
US11520087B2 (en) Reflective optical element
US7986455B2 (en) Thermally stable multilayer mirror for the EUV spectral range
EP0279670A2 (en) A reflection type mask
KR102129384B1 (ko) 가혹 환경 광학 소자 보호
US10916356B2 (en) Reflective optical element
JP2017530402A (ja) 誘電体強化ミラーを採用した高効率多波長ビームエキスパンダ
JP2023505682A (ja) 保護コーティングを有する光学素子、その製造方法及び光学装置
JP2007198782A (ja) 多層膜反射鏡及び露光装置
JP2006173446A (ja) 極端紫外線用の光学素子及びこれを用いた投影露光装置
Schmiedeskamp et al. Electron-beam-deposited Mo/Si and MoxSiy/Si multilayer x-ray mirrors and gratings
US11073766B2 (en) Reflective optical element and optical system for EUV lithography having proportions of substances which differ across a surface
JP3033323B2 (ja) Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法
JP4343895B2 (ja) 軟ｘ線用多層膜ミラー
JP2009156863A (ja) Ｘ線用光学素子
JP3309890B2 (ja) 多層膜ｘ線反射鏡
JP2993261B2 (ja) Ｘ線多層膜反射鏡
JPH08262198A (ja) Ｘ線多層膜反射鏡
JP2002277589A (ja) Ｍｏ／Ｓｉ多層膜及びその耐熱性を向上させる方法
Laux et al. Low-loss HR coatings on fused silica substrates for 193 nm micro-lithography applications
JPH0194299A (ja) Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡
JP2008096271A (ja) 多層膜ミラーおよびその製造方法
JPH09292505A (ja) 高エネルギ光線用反射鏡
JPH05164899A (ja) 多層膜反射鏡
Kloidt Electron-beam-deposited Mo/Si and MoSi/Si multilayer x-ray mirrors and gratings

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20191224