JP4904287B2

JP4904287B2 - Ｅｕｖスペクトル範囲のための熱安定性多層ミラー

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Application number: JP2007547174A
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Inventors: ブノアニコラス; ファイグルトルステン; カイザーノルベルト; ユーリンセルゲイ
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Description

本発明は、極紫外スペクトル範囲（ＥＵＶ）のための熱安定性多層ミラーに関する。

約１０ｎｍ〜約５０ｎｍの波長範囲を含む極紫外スペクトル範囲（ＥＵＶ）における利用のための反射性光学部材は、多層ミラーで実現されることができ、これは、多数の薄層対からなる通常は周期的な層列を含有する。薄層対は、一般的に、相違する材料からなる２つの層を含有し、これは前記部材の使用のために設定された波長範囲で、光学定数において可能な限り大きな相違を有することが望ましい。前記材料の少なくとも１つは、設定された波長で可能な限り少ない吸収を示すことが望ましい。多層ミラーのための材料の選択は従って、特に、この光学部材が使用されることが所望される波長に依存する。ＥＵＶスペクトル範囲では従って、そのつど一定の、大抵は単に数ナノメーター幅の波長範囲にとって最適な材料組み合わせが存在し、これは前記層材料の光学的コントラストに基づいて、高い反射を保証する。

約１２．５〜１４ｎｍの波長範囲では、この波長範囲は特にＥＵＶリソグラフィでの適用のための光学系の開発のために重要な意味合いを有するが、有利には、モリブデン及びケイ素の材料組み合わせからなる多層ミラーが使用され、というのもこれら材料の間には、前述の波長範囲で良好な光学的コントラストが存在するからである。Ｍｏ／Ｓｉ（モリブデン−ケイ素）多層ミラーを用いて、例えば約７０％の反射が、１３．５ｎｍの波長で達成できる。

このような高い反射は、多層ミラーでの複数回の反射が行われる適用にとって特に重要であり、というのも光学系全体の反射はこの場合に、ミラーの数と共に指数関数的に減少するからである。複数のミラーからなる配置では、従って単独のミラーの反射のささいな改善ですらも、この光学系の全体の反射に対して著しい影響を有する。これは特に、ＥＵＶリソグラフィのための光学系の場合であり、この場合には例えば１１個の多層ミラーの使用が考慮されている。

高い反射の達成のために、特に、モリブデン層及びケイ素層の間での層の移行部での可能な限り平滑な境界面が不可欠である。他方では、しかしながら、材料であるモリブデン及びケイ素のケイ化モリブデン形成、特にＭｏＳｉ₂形成の傾向、及び境界面上での相互拡散プロセスの傾向が、例えばDE 100 11 547 C2から公知である。特に高められた適用温度では、従って、この種の多層ミラーの劣化の危険が存在し、これにより反射が著しく減少される。反射の減少の他に、相互拡散プロセス及びケイ化モリブデン形成により条件付けられた劣化はまた、層対の厚さ（周期厚さとも呼ばれる）の減少とも関連している。周期厚さのこの減少により、反射最大がより短い波長へと推移する。この多層ミラーをベースとする光学系の機能は、この種の劣化プロセスにより著しく損ねられるか又は完全に破壊される可能性すらある。

Ｍｏ／Ｓｉ多層ミラーの熱安定性の向上のために、DE 100 11 547 C2からは、モリブデン層及びケイ素層の間の境界面にそのつど１つの、Ｍｏ₂Ｃからなるバリヤー層を挿入することが公知である。

更に、DE 100 11 548 C2には、ＭｏＳｉ₂からなるバリヤー層の、熱安定性の向上のための使用が記載されている。

前述された両方の刊行物中に開示された層系は、少なくとも数時間の時間スケールでの、約５００℃までの熱安定性により優れている。但し、前記層系は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較して、６０％未満との比較的少ない反射性を有する。

更に、US 6,396,900 B1からは、反射及び／又は熱安定性を向上させるために、材料Ｂ₄Ｃからなるバリヤー層をＭｏ／Ｓｉ多層ミラー中に挿入することが公知である。この層系は、確かに、約７０％と比較的高い反射により特徴付けられるが、但しこの熱安定性、特に長期安定性は約４００℃以上の温度では保証されていない。

ＥＵＶリソグラフィのための光学系の運転のために、放射線供給源として、特に、約１３．５ｎｍの波長で放射するレーザー−プラズマ供給源が考慮されている。ＥＵＶリソグラフィでの全体の光学系の反射は多数のミラーに基づいて比較的少ないので、この光学系中に生ずる反射損失のバランスをとるためにこの種のＥＵＶ線供給源は高い出力で運転されなくてはならない。この種の高出力ＥＵＶ線供給源の近くで、ＥＵＶ多層ミラーは高温に曝されている可能性がある。これは特に、放射線成形のために、例えばいわゆる集光ミラーとして、ＥＵＶ線供給源に近接して配置されるＥＵＶ多層ミラーの場合である。

従って、高い熱的長期安定性にも、また同様に高い反射にも優れている多層ミラーに対する需要が存在する。

本発明は、高い熱安定性、特に比較的高い長期安定性にも、また同様に高い反射にも優れている、ＥＵＶスペクトル範囲のための多層ミラーを提示するとの課題に基づく。

この課題は、本発明により請求項１記載の多層ミラーにより解決される。本発明の有利な構成及び実施態様は、従属請求項の主題である。

モリブデン層及びケイ素層を交互に複数含有するＥＵＶ線のための本発明による多層ミラーでは、そのつど１つのモリブデン層及びそのつど１つの隣接するケイ素層の間の複数の境界面に、窒化ケイ素、有利にはＳｉ₃Ｎ₄、又はホウ化ケイ素、有利にはＳｉＢ₄又はＳｉＢ₆を含有するバリヤー層が配置されている。

境界面との概念は、本発明の枠内において、そのつど１つのモリブデン層及びケイ素層の間の移行領域を含み、前記モリブデン層及びケイ素層が、この間に配置されたバリヤー層のために直接的には相互に接していない場合をも含む。

窒化ケイ素又はホウ化ケイ素からなるバリヤー層を用いて、ケイ化モリブデンの形成並びにモリブデン層及びケイ素層の間の境界面での相互拡散が有利に減少される。前記多層ミラーの熱安定性並びに長期安定性及び線安定性（Strahlungsstaebilitaet）は、これにより有利に改善される。

特に適するのは、３００℃より高い温度での、特に３００℃〜５００℃の温度範囲での使用のための本発明による多層ミラーである。この範囲の記載は、この出願の全ての範囲の記載と同様に、記載した限度値を含む。

本発明による多層ミラーは、特に、３００℃より高い温度での、特に３００℃〜５００℃の温度範囲での高い長期安定性の利点を有する。例えば本発明による多層ミラーは、約５００℃の温度での１００時間の操作時間の後にもまだなお、反射及び／又は周期厚さの顕著な減少を示さない。

この高い熱抵抗性に基づいて、本発明による多層ミラーは、特に、ＥＵＶ線供給源、例えばレーザープラズマ供給源の近くで使用できる。

本発明の有利な一実施態様では、多層ミラー上での汚染物の析出を減少するために、多層ミラーは高い操作温度、例えば３００℃以上、有利には４００℃以上にも加熱される。このために、加熱装置が設置されていてよく、これは有利には多層ミラーの基材に取り付けられている。これは特に、ＥＵＶ線供給源の近くに配置されている多層ミラーの際に有利であり、というのはこの多層ミラーはこの場合には、ＥＵＶ線供給源中で使用されるターゲット材料、例えばリチウム（これは、レーザービームを用いてＥＵＶ線の放出のために励起される）により汚染される可能性があり、これにより反射は損なわれる可能性があるからである。多層ミラーの、有利には約４００℃の操作温度への加熱により、例えばリチウムの多層ミラー表面への接着係数は有利に減少され、この結果反射は１００時間以上の操作の後でも著しく損なわれない。

本発明の有利な一実施形態では、そのつど１つのモリブデン層及びそのつど１つのケイ素層の間の全ての境界面に、窒化ケイ素、有利にはＳｉ₃Ｎ₄、又はホウ化ケイ素、有利にはＳｉＢ₄又はＳｉＢ₆を含有するそのつど１つのバリヤー層が配置されている。全ての境界面で含有されるバリヤー層により、多層ミラーの特に高い熱安定性が達成される。

本発明の更なる有利な一実施形態においては、成長方向でケイ素層の上にモリブデン層が引き続く境界面に、窒化ケイ素又はホウ化ケイ素を含有するそのつど１つのバリヤー層が配置されていて、かつ、成長方向でモリブデン層の上にケイ素層が引き続く境界面で、そのつどバリヤー層が配置されていない。

本発明のこの実施形態の利点は、多層ミラーにより形成される干渉層系で反射される電磁波が、この干渉層系内で定在性電磁波（stehend elektromagnetische Welle）を形成し、この節は、成長方向でモリブデン層がケイ素層の上に引き続く境界面に配置されている。バリヤー層は従って、本発明のこの実施形態の場合には、定常波の電界強度が少ない、干渉層系の領域内に配置されている。バリヤー層内での吸収は従って有利に少ない。

バリヤー層の厚さは有利には、０．１ｎｍ〜１．５ｎｍ、特に有利には０．２ｎｍ〜０．８ｎｍである。この厚さを有するバリヤー層は、相互拡散又はケイ化モリブデンの形成をこの境界面で効果的に妨げるために適する。しかしながら他方では、この厚さを有するバリヤー層は、前記バリヤー層内での吸収が比較的少ないようにまだなお十分に薄い。

前記多層ミラーは、有利には４０〜７０つの層対を含有する。層対とはこの際、ケイ素層及びこの隣接するモリブデン層が、ここに接するバリヤー層を含めて理解される。層対の数を更に増加させることは、このスペクトル範囲中の放射線の限定された浸透深さのために、この多層ミラーの反射にわずかにしか影響を及ぼさないものである。

多層ミラーは例えば、ケイ素層、モリブデン層及びバリヤー層からなる周期的な配列を含有してよく、前記配列中ではケイ素層、モリブデン層並びにバリヤー層の厚さはこの多層ミラー内で変動しない。この種の周期的な多層ミラーを用いて、高い反射が、予め設定された波長λの周囲の狭いスペクトル範囲で達成される。

しかしながら多層ミラーは、本発明による枠内で、非周期的な層列を含有してもよく、このなかでケイ素層及び／又はモリブデン層の厚さが変動する。この種の非周期的な多層ミラーを用いて、高い反射を比較的幅の広い波長範囲及び／又は入射角範囲で達成することが可能になり、この最大反射は但し、予め設定した波長で、周期的な多層ミラーの場合よりもより少ない。

有利には、本発明では、多層ミラーを特に酸化及びコンタミネーションから保護するために、材料及び／又は厚さにおいて多層ミラーの層とは相違するカバー層が多層ミラー上に設けられている。単独のカバー層の代わりに、２つ以上のカバー層が設けられていてよい。

例示的に、モリブデン又はケイ素からならない１つ又は複数のカバー層が設けられていてもよい。

カバー層のための特に適した材料は、酸化物、窒化物、炭化物又はホウ化物、更にルテニウム、ロジウム、スカンジウム及びジルコニウムでもある。特に、多層ミラーのカバー層は、バリヤー層の材料から、即ち窒化ケイ素又はホウ化ケイ素から構成されていてよい。

多層ミラーの反射の改善は、有利には、前記多層ミラーを、０．２ｎｍより少ない表面粗度を示す基材上に設けることにより可能である。表面粗度とは、この際、例えば、ＣｕＫα線を用いて測定したレントゲン反射曲線への曲線当てはめから決定可能な、表面のｒｍｓ粗度が理解される。

多層ミラーは例えば、半導体基板、例えばシリコンウェファ上に設けられていてよい。特に適するのは、ＳｉＣからなる基板でもある。更に、前記基材は、ガラス又はガラスセラミックからなってよい。特に有利には、前記基材は、低い熱膨張係数を有するガラス又はガラスセラミック、例えばＵＬＥ（Ultra Low Expansion、超低膨張）ガラス又はゼロデュア（Zerodur）からなる。これにより機械的応力、例えば高い操作温度の際に、特に多層ミラーの例えば約４００℃の操作温度への加熱の際に生じうる機械的応力は、有利に減少される。

この基材は例えば、平坦な基材である。更に、多層ミラーが球面状に彎曲している基材表面上に設けられていることも可能である。更に、基材表面は、非球面の曲率、例えば放物状の又は楕円の曲率を有することもできる。例えば、放物線状に彎曲した表面は、ほとんど点状の線供給源からの更に平行な線の発生のために適し、その一方で楕円状に彎曲した表面は、楕円の第一の集点中に配置されている、線供給源の線の、この楕円の第二の集点への集束化に適する。

本発明による多層ミラーは、例えば、ＥＵＶ線供給源の線伝送及び／又は線成形のための部材のために使用されてよく、特に線の方向転換のための平坦なミラー又は線の照準化（コリメーション）又は集束化のための彎曲したミラーのために使用されてよい。

スペクトルの極めて狭い帯域の反射のために、これは例えば約０．５ｎｍ以下の完全な半値幅を有することができるが、本発明による多層ミラーは、分光計における適用のために、特にＥＵＶ線供給源の特性決定のためにも適する。

本発明は以下において、図１〜６と関連して実施例に基づいてより詳細に説明される。

図には以下が示される：
図１は、本発明による多層ミラーの一実施例による断面図を示し、
図２は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示し、
図３は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示し、
図４は、本発明による多層ミラーの更なる一実施例による断面図を示し、
図５は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示し、
図６は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示し、そして
図７は、本発明による多層ミラーの一実施例が、ＥＵＶ線供給源の集光ミラーとして使用される配置の図によるグラフ表示を示す。

同じか又は同じ作用をする要素は、図中では同じ関連符号を有している。

図１中に示した、本発明の第一の実施例では、交代にケイ素層３及びモリブデン層からなる多層ミラー１が基材２の上に設けられていて、その際そのつど１つのケイ素層３及び隣接するモリブデン層４は、１つの層対を形成する。この図の簡略化のために、４つの層対のみを示した。層対の有利な数は、４０〜７０である。

多層ミラー１内では、全ての境界面で、即ち成長方向でケイ素層３がモリブデン層４の上に引き続く境界面でも、また同様に、成長方向でモリブデン層４がケイ素層３の上に引き続く境界面でも、窒化ケイ素又はホウ化ケイ素からなる、そのつど１つのバリヤー層が含有されている。バリヤー層５の厚さは、有利には約０．１〜１ｎｍ、特に有利には約０．２〜０．５ｎｍである。バリヤー層５は、この相互拡散も、また同様にモリブデン層４及びケイ素層３の間の境界面でのケイ化モリブデンの形成をも減少させる。これにより、多層ミラー１の熱安定性、特に約３００℃〜５００℃の温度範囲での熱安定性が改善される。

基材２は、例えば半導体基板、特にシリコン又はＳｉＣからなる半導体基板、又はガラス又はガラスセラミックからなる基材、特に少ない熱膨張係数を有するガラスセラミックからなる基材であってよい。有利には、基材２は、０．２ｎｍよりも少ない表面粗度を有する。

多層ミラー１の、基材２上への設置は、有利には、スパッタリング、特にＤＣマグネトロンスパッタリングを用いて行われ、この際例えばアルゴンが作業ガスとして使用される。本発明の枠内ではしかしながら、その他の被覆方法も考慮でき、特に電子線蒸発、プラズマ−イオン援助蒸発（PIAD -Plasma Ion Assisted Deposition）又はレーザーアブレーションである。

多層ミラー１は、有利にはカバー層６を有し、これはケイ素又はモリブデンからはならない。カバー層６のための、酸化に対して比較的感受性の鈍い材料の選択により、多層ミラー１の熱安定性は更に向上できる。特に有利には、カバー層６は、バリヤー層５と同様に、ホウ化ケイ素又は窒化ケイ素から構成されている。この場合には、製造の手間が有利に少なく、というのもカバー層６の設置のために、更なる、既に残りの多層ミラー１中に含有されていない材料を用いた被覆のために対策を講じる必要がないからである。

図２は、本発明による多層ミラーの３つの実施例と比較した、バリヤー層無しの市販の多層ミラー（曲線７）のための波長λに依存した垂直の入射のための反射Ｒのグラフ表示を示し、前記実施例ではモリブデン層及びケイ素層の間の全ての境界面で、Ｓｉ₃Ｎ₄からなるそのつど１つバリヤー層が配置されていて、その際バリヤー層の厚さはそのつど０．３ｎｍ（曲線８）、０．６ｎｍ（曲線９）及び０．９ｎｍ（曲線１０）である。多層ミラーの層厚は、これはシミュレーションに基づいているが、波長λ＝１３．５ｎｍでの最大波長に対して最適化されている。多層ミラーの周期厚さは、約６．９ｎｍであり、この層対の数はそのつど６０つである。

本発明による多層ミラーは、高い熱安定性に優れ、その際反射の減少は、挿入されたバリヤー層により、バリヤー層無しの市販の多層ミラーと比較して有利に少ない。例えば、０．６ｎｍの厚さのバリヤー層（曲線９）のためのシュミレーションされた最大反射は約７０％である。０．９ｎｍの厚さのバリヤー層では、約１０パーセントポイントだけ、市販の多層ミラーに比較した反射の減少が生じた。この比較的厚いバリヤー層ですら、最大反射は６５％よりも高かった。

図３は、本発明による多層ミラーの３つの実施例と比較した、バリヤー層無しの市販の多層ミラー（曲線１１）のための波長λに依存した垂直の入射のための反射Ｒのグラフ表示を示し、前記実施例ではモリブデン層及びケイ素層の間の全ての境界面で、ＳｉＢ₄からなるそのつど１つバリヤー層が配置されていて、その際バリヤー層の厚さは０．３ｎｍ（曲線１２）、０．６ｎｍ（曲線１３）及び０．９ｎｍ（曲線１４）である。図３中に示した反射曲線は、反射の少ない相違のために、その他の点ではほとんど相違するものではないので、図３中では、図２とは対照的に、反射最大のすぐ周辺のみを示すスケールが選択されている。多層ミラーの層厚は、これはシミュレーションに基づいているが、波長λ＝１３．５ｎｍでの最大波長に対して最適化されている。図２と関連して記載された実施例と同様に、多層ミラーの周期厚さは約６．９ｎｍ、この層対の数はそのつど６０つである。

ＳｉＢ₄バリヤー層による反射の減少は、バリヤー層無しの市販の多層ミラーに対して、窒化ケイ素からなるバリヤー層の使用の際と比較して、有利により一層少ない。特に、最大反射は、ＳｉＢ₄からなる０．９ｎｍの厚さのバリヤー層（曲線１４）の場合ですらも、市販の多層ミラーと比較して、３パーセントポイントよりも少ない分だけしか減少しなかった。

図４中に示した、本発明による多層ミラーの実施例では、窒化ケイ素又はホウ化ケイ素からなるバリヤー層５が、成長方向でモリブデン層４がケイ素層３の上に引き続く境界面のみで配置されている。バリヤー層５は、本発明の実施形態では、電界強度の節と一致している、多層内の位置に配置されている。反射はこの場合には、バリヤー層５により、バリヤー層を有しない市販の多層ミラーと比較して、わずかにのみ減少した。

本発明のこの実施形態では、バリヤー層５により、相互拡散及び、モリブデン層４がケイ素層３の上に引き続く境界面でのケイ化物形成が減少される。これは従って特に有利であり、というのも、この境界面は、例えばUS 6,396,900 B1から公知であるように、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーでは、ケイ素層がモリブデン層の上に引き続く境界面と比較して、より強力に相互拡散及びケイ化物形成に襲われるからである。

図５は、本発明の３つの実施例と比較した、バリヤー層無しの市販の多層ミラー（曲線１５）のための波長λに依存した垂直の入射のための反射Ｒのグラフ表示を示し、前記実施例では、成長方向でモリブデン層がケイ素層の上に引き続く境界面のみで、Ｓｉ₃Ｎ₄からなるそのつど１つバリヤー層が配置されていて、その際バリヤー層の厚さはそのつど０．３ｎｍ（曲線１６）、０．６ｎｍ（曲線１７）及び０．９ｎｍ（曲線１８）である。多層ミラーの層対の数はそのつど６０つであり、かつ周期厚さはそのつど約６．９ｎｍである。

図５中に示した反射曲線は、モリブデン層がケイ素層上に引き続く全ての境界面でのバリヤー層の挿入が、反射の最も少ない減少しか引き起こさないことを明らかにしたものである。多層ミラーのこの実施例では窒化ケイ素からなるバリヤー層がそのつど、多層ミラー内の電場の節中に配置されているので、これは反射に対して少ない影響のみを有する。例えば、反射自体の減少は、Ｓｉ₃Ｎ₄からなる０．９ｎｍの厚さのバリヤー層（曲線１８）の使用では、市販の多層ミラー（曲線１５）と比較して約１パーセントポイントのみである。

図６は、本発明の３つの実施例と比較した、バリヤー層無しの市販の多層ミラー（曲線１９）のための波長λに依存した垂直の入射のための反射Ｒのグラフ表示を示し、前記実施例では成長方向でモリブデン層がケイ素層の上に引き続く全ての境界面で、ＳｉＢ₄からなるそのつど１つバリヤー層が配置されていて、その際バリヤー層の厚さはそのつど０．３ｎｍ（曲線２０）、０．６ｎｍ（曲線２２）及び０．９ｎｍ（曲線２）である。多層ミラーの層対の数はそのつど６０つであり、かつこの周期厚さはそのつど約６．９ｎｍである。この実施例では、反射の減少はＳｉＢ₄からなるバリヤー層により、Ｓｉ₃Ｎ₄−バリヤー層を有する図５中に示した実施例の場合と比較して更により少ない。ＳｉＢ₄からなる０．９ｎｍの厚さのバリヤー層（曲線２２）により、反射は、バリヤー層無しの市販の多層ミラー（曲線１９）と比較して、約０．６パーセントポイントのみだけ減少した。

図７は、本発明による多層ミラー２３の実施例を図式により示し、これは彎曲した、有利には非球面状に彎曲した基材２４の上に設けられている。多層ミラー２３は、ＥＵＶ線供給源２５の集光ミラーとして機能する。ＥＵＶ線供給源２５から放出されたＥＵＶ線２６は、この集光ミラーにより、例えば焦点Ｆ中に集束される。ＥＵＶ線供給源２５は、例えばレーザー−プラズマ−放射線供給源であり、前記供給源中でターゲット材料、例えばリチウム液滴が、レーザー線を用いてＥＵＶ線の放出のために励起される。この種のＥＵＶ線供給源はしばしば、放射線供給源の周囲に配置された光学的要素が、このターゲット材料により汚染されるという問題がある。多層ミラー２３では、この問題の解決のために、加熱装置２７を基材２４に設置し、これにより多層ミラー２３は、ＥＵＶ線供給源２５のターゲット材料がわずかな接着係数を有し、従って多層ミラー２３の表面２８から脱着する温度に加熱される。有利には、多層ミラー２３は、約４００℃以上の操作温度に加熱される。約４００℃の温度は、特にリチウムターゲットの場合に有利である。

本発明は、実施例に基づいたこの説明により制限されない。更に本発明は、全ての新規の特徴部並びに特徴部の全ての組み合わせを含み、これは特に、特許請求の範囲中の特徴部の全ての組み合わせを包含し、これらの特徴部又はこれらの組み合わせが自体では特許請求の範囲又は実施例中に明確には挙げられていない場合にも同様である。

図１は、本発明による多層ミラーの一実施例による断面図を示す図である。図２は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示す図である。図３は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示す図である。図４は、本発明による多層ミラーの更なる一実施例による断面図を示し、図５は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示す図である。図６は、市販のＭｏ／Ｓｉ多層ミラーと比較した、本発明による多層ミラーの更なる実施例３つの、波長λに依存した反射Ｒのグラフ表示を示す図である。図７は、本発明による多層ミラーの一実施例が、ＥＵＶ線供給源の集光ミラーとして使用される配置の図によるグラフ表示を示す図である。

符号の説明

１多層ミラー、２基材、３ケイ素層、４モリブデン層、５バリヤー層、６カバー層、７〜２２曲線、２３多層ミラー、２４基材、２５ＥＵＶ線供給源、２６ＥＵＶ線、２７加熱装置、２８多層ミラーの表面

Claims

モリブデン層（４）及びケイ素層（３）を交互に複数含有する、ＥＵＶ線のための多層ミラーにおいて、
そのつど１つのモリブデン層（４）及びそのつど１つの隣接するケイ素層（３）の間の、複数の境界面に、ホウ化ケイ素を含有するバリヤー層（５）が配置されていることを特徴とする、ＥＵＶ線のための多層ミラー。
そのつど１つのモリブデン層（４）及びそのつど１つのケイ素層（３）の間の、全ての境界面に、ホウ化ケイ素を含有するバリヤー層（５）が配置されていることを特徴とする、請求項１記載の多層ミラー。
モリブデン層（４）及びケイ素層（３）を交互に複数含有する、ＥＵＶ線のための多層ミラーにおいて、
そのつど１つのモリブデン層（４）及びそのつど１つの隣接するケイ素層（３）の間の、複数の境界面に、窒化ケイ素を含有するバリヤー層（５）が配置されており、
成長方向でケイ素層（３）の上にモリブデン層（４）が引き続く境界面に、窒化ケイ素を含有するそのつど１つのバリヤー層（５）が配置されていて、かつ成長方向でモリブデン層（４）の上にケイ素層（３）が引き続く境界面で、そのつどバリヤー層が配置されていないことを特徴とする、ＥＵＶ線のための多層ミラー。
成長方向でケイ素層（３）の上にモリブデン層（４）が引き続く境界面に、ホウ化ケイ素を含有するそのつど１つのバリヤー層（５）が配置されていて、かつ成長方向でモリブデン層（４）の上にケイ素層（３）が引き続く境界面で、そのつどバリヤー層が配置されていないことを特徴とする、請求項１記載の多層ミラー。
バリヤー層（５）が、０．２ｎｍ〜０．８ｎｍの範囲内の厚さを有することを特徴とする、請求項１から４までのいずれか１項記載の多層ミラー。
多層ミラー（１）が、ケイ素又はモリブデンからならない、少なくとも１つのカバー層（６）を有することを特徴とする、請求項１から５までのいずれか１項記載の多層ミラー。
カバー層（６）が、窒化ケイ素又はホウ化ケイ素を含有することを特徴とする、請求項６記載の多層ミラー。
カバー層（６）が、酸化物、ケイ化物、窒化物、炭化物若しくはホウ化物、又はルテニウム、ロジウム、スカンジウム若しくはジルコニウムのうち少なくとも１つの材料を含有することを特徴とする、請求項６記載の多層ミラー。
多層ミラー（２３）が、基材（２４）の彎曲した表面上に設けられていることを特徴とする、請求項１から８までのいずれか１項記載の多層ミラー。
基材（２４）の表面が、非球面状に彎曲していることを特徴とする、請求項９記載の多層ミラー。
加熱装置（２７）が、多層ミラー（２３）を３００℃以上、有利には４００℃以上の操作温度に加熱するべく設置されていることを特徴とする、請求項１から１０までのいずれか１項記載の多層ミラー。
多層ミラー（２３）が、加熱装置（２７）が取り付けられている基材（２４）上に設けられていることを特徴とする、請求項１１記載の多層ミラー。
多層ミラー（２３）が、ＥＵＶ線供給源（２５）の集光ミラーであることを特徴とする、請求項１から１２までのいずれか１項記載の多層ミラー。
請求項１から１３までのいずれか１項記載の多層ミラーの、操作温度３００℃〜５００℃でのＥＵＶ線反射のための使用。