JPH02242201A - 軟x線・真空紫外線用多層膜反射鏡 - Google Patents
軟x線・真空紫外線用多層膜反射鏡Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光学装置、特に軟X線から真空紫外線と称され
る波長2000Å以下の光を対象とし、入射角が鏡面に
対し垂直に近い正入射にも好適に使用できる軟X線・真
空紫外線用多層膜反射鏡に関するものである。
る波長2000Å以下の光を対象とし、入射角が鏡面に
対し垂直に近い正入射にも好適に使用できる軟X線・真
空紫外線用多層膜反射鏡に関するものである。
[従来の技術]
従来、真空紫外と称される領域より短波長側の光に対し
ては、すべての材料物質で屈折率がほぼ1に近くなり、
また吸収係数が無視できない程度に大きくなるため、面
に垂直もしくはそれに近い角度の入射角で高い反射率を
有するような反射鏡は得られず、反射率は1%以下にと
どまっていた。
ては、すべての材料物質で屈折率がほぼ1に近くなり、
また吸収係数が無視できない程度に大きくなるため、面
に垂直もしくはそれに近い角度の入射角で高い反射率を
有するような反射鏡は得られず、反射率は1%以下にと
どまっていた。
しかし、近年、薄膜材料の膜厚をオングストロームオー
ダーで制御し多数積層する技術がすすみ、この技術を使
って多数の層界面からの反射光を強め合うように干渉す
るよう膜厚を構成した軟X線・真空紫外線用多層膜反射
鏡が提唱され(E、 5piller、 Appl、
Phys、 Lett、 vol 20.365(+9
72)) 、その研究開発が盛んに行われるようになっ
てきた。
ダーで制御し多数積層する技術がすすみ、この技術を使
って多数の層界面からの反射光を強め合うように干渉す
るよう膜厚を構成した軟X線・真空紫外線用多層膜反射
鏡が提唱され(E、 5piller、 Appl、
Phys、 Lett、 vol 20.365(+9
72)) 、その研究開発が盛んに行われるようになっ
てきた。
上記多層膜反射鏡においては、A、82種類の材料を交
互に数十〜数百層積層した構造をとるが、高い反射率を
得るためには隣接するA、82層間の屈折率の差が大き
くなるような異種材料の組合わせを選択する必要がある
。これまで、その組合せとしてはタングステンW、ニッ
ケルNi、白金ptなとの金属と炭素C1あるいはモリ
ブデンMOとシリコンSiのような重元素と軽元素の組
合わせの交互層が知られている。また各層界面からの反
射光の位相条件を整えるため、各層の膜厚は数オングス
トロームのオーダーで制御し、作製する必要がある。
互に数十〜数百層積層した構造をとるが、高い反射率を
得るためには隣接するA、82層間の屈折率の差が大き
くなるような異種材料の組合わせを選択する必要がある
。これまで、その組合せとしてはタングステンW、ニッ
ケルNi、白金ptなとの金属と炭素C1あるいはモリ
ブデンMOとシリコンSiのような重元素と軽元素の組
合わせの交互層が知られている。また各層界面からの反
射光の位相条件を整えるため、各層の膜厚は数オングス
トロームのオーダーで制御し、作製する必要がある。
[発明が解決しようとしている課題]
上記多層膜反射鏡は主に蒸着、スパッタ法など真空成膜
法により形成されるが、理想的に膜厚を制御して作製し
た多層膜においても反射率を低下させる原因が存在した
。
法により形成されるが、理想的に膜厚を制御して作製し
た多層膜においても反射率を低下させる原因が存在した
。
そのひとつは成膜時に薄膜表面に凹凸が生じ、層界面が
平滑とならず荒れてしまうことである。
平滑とならず荒れてしまうことである。
特に100Å以下の膜厚においては、薄膜が島状構造を
形成するため、この凹凸は必然的に現われてしまう。そ
の結果、例えば層界面にA、81層対の周期厚みに対し
て20%の界面荒れのある多層膜反射鏡では、反射率が
理論設計値に比べて80%も低下してしまった。
形成するため、この凹凸は必然的に現われてしまう。そ
の結果、例えば層界面にA、81層対の周期厚みに対し
て20%の界面荒れのある多層膜反射鏡では、反射率が
理論設計値に比べて80%も低下してしまった。
また、他の反射率低下の原因として、成膜時にA、B2
材料の間で相互に原子レベルでの拡散が生じ、隣接する
材料間の屈折率の差が小さくなってしまうということが
あった。後者については、A−B層間に拡散防止の緩衝
を形成する提案がいくつかなされているが(特開昭60
−740.0゜61−128199 )前者を解決する
ような具体的発明は成膜の方法、A、B材料の選択方以
外にはこれまで提案されていなかった。
材料の間で相互に原子レベルでの拡散が生じ、隣接する
材料間の屈折率の差が小さくなってしまうということが
あった。後者については、A−B層間に拡散防止の緩衝
を形成する提案がいくつかなされているが(特開昭60
−740.0゜61−128199 )前者を解決する
ような具体的発明は成膜の方法、A、B材料の選択方以
外にはこれまで提案されていなかった。
[課題を解決するための手段]
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、その目
的は前記従来例の欠点を緩和、除去し、高反射率を有す
るとともに、高照射耐久性、安定性を有する多層膜反射
鏡を提供することにある。
的は前記従来例の欠点を緩和、除去し、高反射率を有す
るとともに、高照射耐久性、安定性を有する多層膜反射
鏡を提供することにある。
本発明によれば、A、82種類の主材料の交互層よりな
る多層薄膜構造を有する軟X線・真空紫外線用多層膜反
射鏡において、副材料薄膜を前記A−B層間および/又
はB−A層間に少なくとも1層以上積層した周期構造を
形成することにより、多層膜界面の荒れを減少させるこ
とができ、前記本発明の目的を達成したものである。
る多層薄膜構造を有する軟X線・真空紫外線用多層膜反
射鏡において、副材料薄膜を前記A−B層間および/又
はB−A層間に少なくとも1層以上積層した周期構造を
形成することにより、多層膜界面の荒れを減少させるこ
とができ、前記本発明の目的を達成したものである。
第1図は本発明の軟X線・真空紫外線用多層膜反射鏡の
一実施態様の模式図である。
一実施態様の模式図である。
第1図に示す本発明の多層膜反射鏡は、使用波長に比べ
て十分溝らかに研磨された平面もしくは曲面の基板1上
に低屈折率層である第1の層AI。
て十分溝らかに研磨された平面もしくは曲面の基板1上
に低屈折率層である第1の層AI。
A2. A3・・・、および高屈折率層である第2の層
Bl。
Bl。
82、83・・・、さらに薄膜の積層方向に第1の層A
と第2の層Bとの間に第3の層CI、 C2,C3・・
・が形成され、A−C−B−A−C−B−・・・の周期
構造が構成されている。低屈折率層は一般にタングステ
ン、モリブデン等の高融点金属材料あるいはそれらを主
成分としてなる化合物で形成される。−刃高屈折率層は
一般に炭素、シリコン、ホウ素、ベリリウム等の軽元素
あるいはそれらを主成分としてなる化合物で形成される
。
と第2の層Bとの間に第3の層CI、 C2,C3・・
・が形成され、A−C−B−A−C−B−・・・の周期
構造が構成されている。低屈折率層は一般にタングステ
ン、モリブデン等の高融点金属材料あるいはそれらを主
成分としてなる化合物で形成される。−刃高屈折率層は
一般に炭素、シリコン、ホウ素、ベリリウム等の軽元素
あるいはそれらを主成分としてなる化合物で形成される
。
本発明において第3の層を形成する副材料は積層によっ
て、層界面の荒れを小さくする作用を持つ必要がある。
て、層界面の荒れを小さくする作用を持つ必要がある。
一般に真空成膜により結晶層が形成される材料および方
法は、膜厚100Å以下で島状構造となりやすいため、
界面の凹凸を形成し、また増大させる恐れがある。これ
に対し真空成膜時に非晶質層が形成される材料および方
法は、島状構造を形成しにくく、積層により界面の凹凸
を減少させる働きを持つ。例えば、非晶質になりやすい
真空蒸着炭素を含む多層膜系では、下要の欠陥や荒れが
積層により減少することが報告されている(Y、Lep
etre at al、 Proceedings o
f 5PIE。
法は、膜厚100Å以下で島状構造となりやすいため、
界面の凹凸を形成し、また増大させる恐れがある。これ
に対し真空成膜時に非晶質層が形成される材料および方
法は、島状構造を形成しにくく、積層により界面の凹凸
を減少させる働きを持つ。例えば、非晶質になりやすい
真空蒸着炭素を含む多層膜系では、下要の欠陥や荒れが
積層により減少することが報告されている(Y、Lep
etre at al、 Proceedings o
f 5PIE。
VOI 563 p258−263) 、このため副材
料としては真空成膜により非晶質層を形成する材料が望
ましい。
料としては真空成膜により非晶質層を形成する材料が望
ましい。
また前記第3Nを形成する副材料は軟X線の吸収係数が
小さいことが、高反射率を得るためには好ましく、一般
に軟X線に対する吸収係数の小さい軽元素を用いること
が望ましい。
小さいことが、高反射率を得るためには好ましく、一般
に軟X線に対する吸収係数の小さい軽元素を用いること
が望ましい。
以上の理由から具体的な副材料の例として、炭素C、ホ
ウ素B、ベリリウムBe、炭化ケイ素SiC窒化ケイ素
Si、N4、酸化ケイ素SiO□、窒化ホウ素BN、炭
化ホウ素84G 、窒化アルミニウムAIN等の原子番
号13以下の軽元素の導体もしくはそれらの化合物があ
げられる。
ウ素B、ベリリウムBe、炭化ケイ素SiC窒化ケイ素
Si、N4、酸化ケイ素SiO□、窒化ホウ素BN、炭
化ホウ素84G 、窒化アルミニウムAIN等の原子番
号13以下の軽元素の導体もしくはそれらの化合物があ
げられる。
また本発明において、第3の層を形成する副材料の膜厚
は主材料AおよびBの吸収係数に悪影響を与えない程度
に設定することが必要であり、おおむね、層周期の17
5以下の厚みが望ましい。
は主材料AおよびBの吸収係数に悪影響を与えない程度
に設定することが必要であり、おおむね、層周期の17
5以下の厚みが望ましい。
本発明の軟X線・真空紫外線用多層膜反射鏡の作成には
、好ましくは超高真空中における真空蒸着が用いられる
が、高融点材料を使用する場合はスパッタリング法も有
効な手段であり、その他抵抗加熱、CVD、反応性スパ
ッタリング等の様々の薄膜を形成する方法を用いること
ができる。
、好ましくは超高真空中における真空蒸着が用いられる
が、高融点材料を使用する場合はスパッタリング法も有
効な手段であり、その他抵抗加熱、CVD、反応性スパ
ッタリング等の様々の薄膜を形成する方法を用いること
ができる。
本発明における前記構成の多層膜では第3の屡が次の作
用をする。
用をする。
第1に前記低屈折率層をなす高融点材料は真空成膜する
と島状構造を形成して結晶成長し、このため層表面に凹
凸を生じ、層表面が荒れる。さらに多層の積層により下
層の荒れが上層に反映して上層はど界面荒れが増大する
ことが知られている。これに対して荒れの生ずる第1の
層Aと第2の層Bの間に非晶質材料よりなる第3の層を
挿入するように積層することにより、第1の層Aの表面
の荒れを緩和し、荒れが下層から上Mに伝播するのを防
ぐ緩衝層として作用させることができる。その結果、多
層膜の界面荒れの量を全体に減少させ、高反射率を有す
る多層膜反射鏡を得ることができる。
と島状構造を形成して結晶成長し、このため層表面に凹
凸を生じ、層表面が荒れる。さらに多層の積層により下
層の荒れが上層に反映して上層はど界面荒れが増大する
ことが知られている。これに対して荒れの生ずる第1の
層Aと第2の層Bの間に非晶質材料よりなる第3の層を
挿入するように積層することにより、第1の層Aの表面
の荒れを緩和し、荒れが下層から上Mに伝播するのを防
ぐ緩衝層として作用させることができる。その結果、多
層膜の界面荒れの量を全体に減少させ、高反射率を有す
る多層膜反射鏡を得ることができる。
第2に前記軽元素の非晶質材料は均一かつ緻密に積層さ
れ、前記低屈折材料Aと高屈折材料Bの間の相互拡散を
防止するように作用する。特に材料A、Bが化合物を形
成しやすい組合わせである場合(例えば高融点金属とシ
リコンではわずかの加熱でシリサイドが形成される)、
前記第3の層を六層とB層の間に薄く形成することによ
りAB材料の相互拡散、化合物形成を防ぐことができる
。また相互拡散は層の粒状境界の割れ目等を介して起こ
ることが多い。このため界面の荒れを防ぐために入れた
緩衝層が相互拡散防止層としても作用する。
れ、前記低屈折材料Aと高屈折材料Bの間の相互拡散を
防止するように作用する。特に材料A、Bが化合物を形
成しやすい組合わせである場合(例えば高融点金属とシ
リコンではわずかの加熱でシリサイドが形成される)、
前記第3の層を六層とB層の間に薄く形成することによ
りAB材料の相互拡散、化合物形成を防ぐことができる
。また相互拡散は層の粒状境界の割れ目等を介して起こ
ることが多い。このため界面の荒れを防ぐために入れた
緩衝層が相互拡散防止層としても作用する。
なお、前記実施態様では副材料としての第3層を低屈折
材料Aと高屈折材料Bの開に1層形成してA−C−Bの
3層周期構造を形成したが、必要に応じてB−C−Aの
順に積層した3層周期構造や、A−C−B−Cあるいは
A−C−B−D (DはCとは異なる副材料)のような
4層周期構造(第2図)を形成することにより前記作用
を更に良好なものにすることもできる。
材料Aと高屈折材料Bの開に1層形成してA−C−Bの
3層周期構造を形成したが、必要に応じてB−C−Aの
順に積層した3層周期構造や、A−C−B−Cあるいは
A−C−B−D (DはCとは異なる副材料)のような
4層周期構造(第2図)を形成することにより前記作用
を更に良好なものにすることもできる。
[実施例]
以下に本発明の実施例を挙げて本発明を更に詳細に説明
する。
する。
実施例1
基板に面粗さがrms値で3Å以下になるように研磨さ
れた溶融石英を用い、第1の層をなす主材料としてルテ
ニウムRu、第2の層をなす主材料としてシリコンSi
を用い、また第3の層をなす副材料として炭素Cを選択
し、膜厚をそれぞれ23人、37人、7人として、下層
からRu −C−Siの順に20周期形成し、最後にR
u 23人とC30人を積層して第1図にその構成を示
すような本発明の軟X線・真空紫外線用多層膜反射鏡を
作製した。
れた溶融石英を用い、第1の層をなす主材料としてルテ
ニウムRu、第2の層をなす主材料としてシリコンSi
を用い、また第3の層をなす副材料として炭素Cを選択
し、膜厚をそれぞれ23人、37人、7人として、下層
からRu −C−Siの順に20周期形成し、最後にR
u 23人とC30人を積層して第1図にその構成を示
すような本発明の軟X線・真空紫外線用多層膜反射鏡を
作製した。
作製法はI X 10−’Pa以下の超高真空中におい
て電子ビーム加熱法により、Ru、 C,Siを順に蒸
発させ、水晶振動子膜厚計で各層の膜厚が所定の値とな
るようシャッターを開閉して制御した。
て電子ビーム加熱法により、Ru、 C,Siを順に蒸
発させ、水晶振動子膜厚計で各層の膜厚が所定の値とな
るようシャッターを開閉して制御した。
この反射鏡をX線小角回折法(波長1.54人)により
評価したところ、層界面の荒れの大きさが5.5人rm
s以下となっていることがわかった。またこの反射鏡の
鏡面に波長130.0人の光を法線より10°で入射し
たところ、57.0%の反射率を得た。
評価したところ、層界面の荒れの大きさが5.5人rm
s以下となっていることがわかった。またこの反射鏡の
鏡面に波長130.0人の光を法線より10°で入射し
たところ、57.0%の反射率を得た。
比較のため同様の作製法により層周期を前記多層膜に等
しくするためRu 27人、 Si 40人膜厚で炭素
Cを間に積層しないRu/Si 20周期多層膜を作製
し、評価すると、層界面の荒れの大きさが12.5人r
msで、また波長130.0人に対する反射率が20.
0%であった。このことからRu層とSi層の間に薄く
0層を積層することにより多層膜界面の荒れが減少し、
その結果反射鏡の反射率が増大することがわかった。
しくするためRu 27人、 Si 40人膜厚で炭素
Cを間に積層しないRu/Si 20周期多層膜を作製
し、評価すると、層界面の荒れの大きさが12.5人r
msで、また波長130.0人に対する反射率が20.
0%であった。このことからRu層とSi層の間に薄く
0層を積層することにより多層膜界面の荒れが減少し、
その結果反射鏡の反射率が増大することがわかった。
実施例2
基板に面粗さがrms値で4Å以下になるように研磨し
たシリコン単結晶を用い、第1の暦をなす主材料として
モリブデンMO1第2の1をなす主材料としてシリコン
Siを用い、また第3および第4の層をなす副材料とし
て酸化ケイ素SiO□を選択し、膜厚をそれぞれMo2
2人、 St 33人、Si0□5人として、T1から
Mo −5ift −Si −5iOzの順に4層単位
で20周期形成し、最後にMo22人を積層して第2図
にその構成を示すような本発明の軟X線・真空紫外線用
多層膜反射鏡を作製した。
たシリコン単結晶を用い、第1の暦をなす主材料として
モリブデンMO1第2の1をなす主材料としてシリコン
Siを用い、また第3および第4の層をなす副材料とし
て酸化ケイ素SiO□を選択し、膜厚をそれぞれMo2
2人、 St 33人、Si0□5人として、T1から
Mo −5ift −Si −5iOzの順に4層単位
で20周期形成し、最後にMo22人を積層して第2図
にその構成を示すような本発明の軟X線・真空紫外線用
多層膜反射鏡を作製した。
作製法は、RFマグネトロンスパッタ法により、ターゲ
ットとしてMOとSiの5インチφのものを用い、ます
A「圧3 X 10−’PaでMOをスパッタし所定の
厚さに積層した。次に真空装置内に02を導入し、Ar
+(hガス圧5 X 10−’Pa (Si ターゲッ
トをスパッタし、所定の厚みのSiO□薄膜を形成した
後、0□ガスの導入を止めて、A「圧3 X 10−’
PaでSi薄膜を所定の厚み積層した。その後再び0□
ガスを導入したスパッタを行いMo −5iOz −S
i −3iO2の4層よりなる1周期構造を形成した。
ットとしてMOとSiの5インチφのものを用い、ます
A「圧3 X 10−’PaでMOをスパッタし所定の
厚さに積層した。次に真空装置内に02を導入し、Ar
+(hガス圧5 X 10−’Pa (Si ターゲッ
トをスパッタし、所定の厚みのSiO□薄膜を形成した
後、0□ガスの導入を止めて、A「圧3 X 10−’
PaでSi薄膜を所定の厚み積層した。その後再び0□
ガスを導入したスパッタを行いMo −5iOz −S
i −3iO2の4層よりなる1周期構造を形成した。
上記方法をくりか大して20周期を成膜し、最後にMo
を22人積層した。この反射鏡をX線小角回折法により
評価したところ、層界面の荒れが6.5人rms以下と
なっていることがわかった。また反射鏡の鏡面に波長1
30.0人のX線を法線より10°で入射したところ、
46.5%の反射率を得た。
を22人積層した。この反射鏡をX線小角回折法により
評価したところ、層界面の荒れが6.5人rms以下と
なっていることがわかった。また反射鏡の鏡面に波長1
30.0人のX線を法線より10°で入射したところ、
46.5%の反射率を得た。
同反射鏡を真空下で650℃、2時間の加熱を行い、そ
の後X線小角回折により多層膜の構造変化を観察した。
の後X線小角回折により多層膜の構造変化を観察した。
その結果、熱処理の前後でほとんど周期構造に変化が見
られなかった。
られなかった。
一方比較のためスパッタ法によるMo25人5Si42
人の膜厚で間にSiO□を積層しないMo/Si 20
周期多層膜を作製し、上記と同様の熱処理を行った。
人の膜厚で間にSiO□を積層しないMo/Si 20
周期多層膜を作製し、上記と同様の熱処理を行った。
その結果、加熱後の試料では多層構造に対応するブラッ
グ回折ピークのうち1次ピーク強度が約115に減少し
、また2次以上の高次ピークは観測されなくなってしま
った。これは熱処理により多層膜間の相互拡散が起こり
周期構造が乱されたためと考えられる。
グ回折ピークのうち1次ピーク強度が約115に減少し
、また2次以上の高次ピークは観測されなくなってしま
った。これは熱処理により多層膜間の相互拡散が起こり
周期構造が乱されたためと考えられる。
以上の結果から、5i(hを中間層として積層したMo
/Si多層膜では、加熱によるMoとSiとの相互拡散
が起こりにくくなり熱的安定性が増大することがわかっ
た。
/Si多層膜では、加熱によるMoとSiとの相互拡散
が起こりにくくなり熱的安定性が増大することがわかっ
た。
以上説明したように、本発明の多層膜反射鏡においては
副材料薄膜を中間層として積層した周期構造を形成する
ことにより薄膜の成長過程で起こる島状構造による表面
、界面の荒れの増大を防止し、高反射率の軟X線・真空
紫外線用多層膜反射鏡を提供できるようになった。
副材料薄膜を中間層として積層した周期構造を形成する
ことにより薄膜の成長過程で起こる島状構造による表面
、界面の荒れの増大を防止し、高反射率の軟X線・真空
紫外線用多層膜反射鏡を提供できるようになった。
また中間層により、化合物を形成しやすい材料の組合わ
せの多層膜においても相互拡散が防止され、多層構造の
熱的安定化がはかられた。特に軟X線・真空紫外線反射
鏡は放射光等の輝度の高い光にさらされる環境での用途
が多いため、本発明は反射鏡の経時劣化に対して有効な
ものである。
せの多層膜においても相互拡散が防止され、多層構造の
熱的安定化がはかられた。特に軟X線・真空紫外線反射
鏡は放射光等の輝度の高い光にさらされる環境での用途
が多いため、本発明は反射鏡の経時劣化に対して有効な
ものである。
第1図は本発明を実施した多層膜反射鏡の模式断面図、
第2図は本発明の別の実施例の多層膜反射鏡の模式断面
図である。 に基板 At、A2・・・An*+ :主材料Aよりなる第1の
層(低屈折率) 旧、82・・・Bo:主材料Bよりなる第2の層(高屈
折率) CI、C2・・・Cn+I :副材料Cよりなる第3の
層(中間層1) DI、C2・・・Do=副材料りよりなる第4の層(中
間層2) cL、 d6. da、 do:層A、B、C,Dの薄
膜の厚さ
第2図は本発明の別の実施例の多層膜反射鏡の模式断面
図である。 に基板 At、A2・・・An*+ :主材料Aよりなる第1の
層(低屈折率) 旧、82・・・Bo:主材料Bよりなる第2の層(高屈
折率) CI、C2・・・Cn+I :副材料Cよりなる第3の
層(中間層1) DI、C2・・・Do=副材料りよりなる第4の層(中
間層2) cL、 d6. da、 do:層A、B、C,Dの薄
膜の厚さ
Claims (3)
- (1)互いに屈折率の異なるA,B、2種類の主材料の
交互層よりなる多層薄膜構造を有する軟X線・真空紫外
線用多層膜反射鏡において、積層界面の荒れを小さくす
る作用を持つ副材料薄膜が前記各A−B層間および/又
はB−A層間に少なくとも1層以上積層され、周期構造
を形成していることを特徴とする軟X線・真空紫外線用
多層膜反射鏡。 - (2)前記副材料薄膜の構成材料が軽元素の単体もしく
はそれらの化合物よりなる非晶質物質であることを特徴
とする請求項1に記載の軟X線・真空紫外線用多層膜反
射鏡。 - (3)前記副材料薄膜の構成物質が炭素Cまたは酸化ケ
イ素SiO_2であることを特徴とする請求項1に記載
の軟X線・真空紫外線用多層膜反射鏡。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062234A JP2723955B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 軟x線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1062234A JP2723955B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 軟x線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02242201A true JPH02242201A (ja) | 1990-09-26 |
JP2723955B2 JP2723955B2 (ja) | 1998-03-09 |
Family
ID=13194267
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1062234A Expired - Fee Related JP2723955B2 (ja) | 1989-03-16 | 1989-03-16 | 軟x線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2723955B2 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002277589A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Japan Atom Energy Res Inst | Mo/Si多層膜及びその耐熱性を向上させる方法 |
JP2005308722A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Canon Inc | 軟x線多層膜反射鏡および軟x線反射光学系 |
JP2006093454A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 |
JP2006258650A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡および露光装置 |
JP2006308483A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Canon Inc | 多層膜及び多層膜の製造方法 |
JP2008526002A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | Euvスペクトル範囲のための熱安定性多層ミラー |
JP2008293032A (ja) * | 2001-07-03 | 2008-12-04 | Euv Llc | 不動態化保護膜二重層 |
JP2010518594A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 第1および第2付加中間層を備えるeuvリソグラフィ装置用多層反射光学素子 |
KR20240055724A (ko) | 2021-09-07 | 2024-04-29 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 구비 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
KR20240070522A (ko) | 2021-09-30 | 2024-05-21 | 호야 가부시키가이샤 | 다층 반사막 부착 기판, 반사형 마스크 블랭크, 반사형 마스크 및 반도체 장치의 제조 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100725859B1 (ko) * | 2001-05-23 | 2007-06-08 | 학교법인 한양학원 | 극자외선 노광 공정용 Ru/Mo/Si 반사형 다층 박막미러 |
-
1989
- 1989-03-16 JP JP1062234A patent/JP2723955B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2002277589A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Japan Atom Energy Res Inst | Mo/Si多層膜及びその耐熱性を向上させる方法 |
JP2008293032A (ja) * | 2001-07-03 | 2008-12-04 | Euv Llc | 不動態化保護膜二重層 |
JP2005308722A (ja) * | 2004-03-26 | 2005-11-04 | Canon Inc | 軟x線多層膜反射鏡および軟x線反射光学系 |
JP4566791B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 軟x線多層膜反射鏡 |
JP4692984B2 (ja) * | 2004-09-24 | 2011-06-01 | Hoya株式会社 | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡並びにこれらの製造方法 |
JP2006093454A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hoya Corp | 反射型マスクブランク、反射型マスク及び多層膜反射鏡 |
JP2008526002A (ja) * | 2004-12-23 | 2008-07-17 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | Euvスペクトル範囲のための熱安定性多層ミラー |
JP4904287B2 (ja) * | 2004-12-23 | 2012-03-28 | フラウンホーファー−ゲゼルシャフト ツル フェルデルング デル アンゲヴァンテン フォルシュング エー ファウ | Euvスペクトル範囲のための熱安定性多層ミラー |
JP2006258650A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Nikon Corp | 多層膜反射鏡および露光装置 |
JP2006308483A (ja) * | 2005-04-28 | 2006-11-09 | Canon Inc | 多層膜及び多層膜の製造方法 |
JP2010518594A (ja) * | 2007-02-05 | 2010-05-27 | カール・ツァイス・エスエムティー・アーゲー | 第1および第2付加中間層を備えるeuvリソグラフィ装置用多層反射光学素子 |
JP2013219383A (ja) * | 2007-02-05 | 2013-10-24 | Carl Zeiss Smt Gmbh | 第1および第2付加中間層を備えるeuvリソグラフィ装置用多層反射光学素子 |
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