JP3033323B2 - Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 - Google Patents
Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法Info
- Publication number
- JP3033323B2 JP3033323B2 JP4037898A JP3789892A JP3033323B2 JP 3033323 B2 JP3033323 B2 JP 3033323B2 JP 4037898 A JP4037898 A JP 4037898A JP 3789892 A JP3789892 A JP 3789892A JP 3033323 B2 JP3033323 B2 JP 3033323B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- multilayer film
- multilayer
- ray
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、Ｘ線縮小投影露光装
置、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線レーザおよび各種Ｘ
線分析装置等において、Ｘ線の波長域での反射光学系に
用いられる多層膜反射鏡の製造方法に関する。
置、Ｘ線望遠鏡、Ｘ線顕微鏡、Ｘ線レーザおよび各種Ｘ
線分析装置等において、Ｘ線の波長域での反射光学系に
用いられる多層膜反射鏡の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｘ線波長域の光に対しては、物質の屈折
率は、 ｎ＝１−δ−ｉβ （δ、β：正の実数） と表され、δ、βともに１に比べて非常に小さい（屈折
率の虚部βはＸ線の吸収を表す）。従って、屈折率がほ
ぼ１に近くなりＸ線はほとんど屈折せず、また、必ずＸ
線を吸収する。そのため、可視光領域の光のように屈折
を利用したレンズはＸ線波長域の光には使用できない。
率は、 ｎ＝１−δ−ｉβ （δ、β：正の実数） と表され、δ、βともに１に比べて非常に小さい（屈折
率の虚部βはＸ線の吸収を表す）。従って、屈折率がほ
ぼ１に近くなりＸ線はほとんど屈折せず、また、必ずＸ
線を吸収する。そのため、可視光領域の光のように屈折
を利用したレンズはＸ線波長域の光には使用できない。
【０００３】そこで、反射を利用した光学系が用いられ
るが、やはり屈折率が１に近いために反射率は非常に低
く、大部分のＸ線は透過するか或いは吸収されてしま
う。この問題を解決するために、使用するＸ線の波長域
での屈折率と真空の屈折率（＝１）との差が大きい物質
と、差の小さい物質とを交互に何層も積層することでそ
れらの界面である反射面を多数設け、それぞれの界面か
らの反射波の位相が一致するように光学的干渉理論に基
づいて各層の厚さを調整した多層膜反射鏡が開発され
た。このような多層膜反射鏡の代表的なものとして、Ｗ
（タングステン）／Ｃ（炭素）、Ｍｏ（モリブデン）／
Ｓｉ（シリコン）等の組合せが知られている。そして、
これらの多層膜はスパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等
の薄膜形成技術によって作製されていた。
るが、やはり屈折率が１に近いために反射率は非常に低
く、大部分のＸ線は透過するか或いは吸収されてしま
う。この問題を解決するために、使用するＸ線の波長域
での屈折率と真空の屈折率（＝１）との差が大きい物質
と、差の小さい物質とを交互に何層も積層することでそ
れらの界面である反射面を多数設け、それぞれの界面か
らの反射波の位相が一致するように光学的干渉理論に基
づいて各層の厚さを調整した多層膜反射鏡が開発され
た。このような多層膜反射鏡の代表的なものとして、Ｗ
（タングステン）／Ｃ（炭素）、Ｍｏ（モリブデン）／
Ｓｉ（シリコン）等の組合せが知られている。そして、
これらの多層膜はスパッタリング、真空蒸着、ＣＶＤ等
の薄膜形成技術によって作製されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述のような多層膜
は、人工的に周期構造を構成してあり本来不安定なもの
である。特に、高強度のＸ線に対してこのような多層膜
反射鏡を使用する場合、Ｘ線の一部が多層膜およびその
基板に吸収され、そのエネルギによって多層膜の温度が
上昇する。そのため、多層膜中で相互拡散、化合物形成
などの反応が促進されるため、短時間のうちに多層膜構
造が破壊されて反射鏡としての機能を失ってしまう。
は、人工的に周期構造を構成してあり本来不安定なもの
である。特に、高強度のＸ線に対してこのような多層膜
反射鏡を使用する場合、Ｘ線の一部が多層膜およびその
基板に吸収され、そのエネルギによって多層膜の温度が
上昇する。そのため、多層膜中で相互拡散、化合物形成
などの反応が促進されるため、短時間のうちに多層膜構
造が破壊されて反射鏡としての機能を失ってしまう。
【０００５】最近、Ｘ線多層膜反射鏡の実用化が進むに
従い、多層膜の耐熱性の評価が行われるようになり、い
くつかの材料の組み合わせについてその耐熱性が明らか
にされつつある。例えば、前記Ｍｏ／Ｓｉの組合せの多
層膜は、123 Åというシリコンの吸収端の長波長側で高
い反射率を示すため、Ｘ線縮小投影露光装置の反射光学
系に用いる多層膜反射鏡として優れている。しかし、こ
の多層膜は耐熱性が低く、真空中で400 ℃程度に加熱さ
れると多層膜構造が破壊してしまう。そして、この破壊
の現象は、モリブデン層へのシリコンの拡散とモリブデ
ンシリサイドの形成によることが知られている。（例え
ば、D.G.Sterns et.al.,J.Appl.Phys.67(1990)2415. 参
照） そこで、拡散を防止して耐熱性を向上させる目的で、多
層膜を形成している互いに屈折率の異なる物質からなる
Ａ層とＢ層の間に拡散防止層Ｃ層を設けた多層膜反射鏡
が提案された。しかし、いずれも多層膜も耐熱性の向上
は不十分なものであった。
従い、多層膜の耐熱性の評価が行われるようになり、い
くつかの材料の組み合わせについてその耐熱性が明らか
にされつつある。例えば、前記Ｍｏ／Ｓｉの組合せの多
層膜は、123 Åというシリコンの吸収端の長波長側で高
い反射率を示すため、Ｘ線縮小投影露光装置の反射光学
系に用いる多層膜反射鏡として優れている。しかし、こ
の多層膜は耐熱性が低く、真空中で400 ℃程度に加熱さ
れると多層膜構造が破壊してしまう。そして、この破壊
の現象は、モリブデン層へのシリコンの拡散とモリブデ
ンシリサイドの形成によることが知られている。（例え
ば、D.G.Sterns et.al.,J.Appl.Phys.67(1990)2415. 参
照） そこで、拡散を防止して耐熱性を向上させる目的で、多
層膜を形成している互いに屈折率の異なる物質からなる
Ａ層とＢ層の間に拡散防止層Ｃ層を設けた多層膜反射鏡
が提案された。しかし、いずれも多層膜も耐熱性の向上
は不十分なものであった。
【０００６】例えば、特開昭60-7400 では金属層と炭化
ホウ素（Ｂ4 Ｃ）層との間にシリコン（Ｓｉ）の拡散防
止層を設けた多層膜が提案されているが、シリコンは多
くの金属と反応してシリサイドを形成し易いので拡散防
止層としては機能しない。また、特開平2-242201にはモ
リブデンとシリコンからなる多層膜の界面に反応性スパ
ッタリングにより形成した酸化珪素（ＳｉＯ2 ）層を設
けて耐熱性を向上させた多層膜が提案されている。しか
し、反応性スパッタリングによる成膜では、基板上に既
に形成された薄膜の表面も同時に反応性ガスのイオンお
よびラジカルにさらされることになる。形成されたばか
りの薄膜表面は、非常に活性であるため、このようなイ
オンおよびラジカルと容易に反応する。そのため、基板
上の薄膜の表面でも化合物化反応が起こり、薄膜の表面
粗さが著しく増大してしまう。その結果、形成された多
層膜の界面粗さが大きくなって散乱による損失が大きい
ため高い反射率が得られなくなる。従って、この場合、
モリブデン層の表面が酸素プラズマにさらされて表面粗
さが増大するため、耐熱性は向上してもＸ線の反射率自
体が低下してしまうという問題が生じた。
ホウ素（Ｂ4 Ｃ）層との間にシリコン（Ｓｉ）の拡散防
止層を設けた多層膜が提案されているが、シリコンは多
くの金属と反応してシリサイドを形成し易いので拡散防
止層としては機能しない。また、特開平2-242201にはモ
リブデンとシリコンからなる多層膜の界面に反応性スパ
ッタリングにより形成した酸化珪素（ＳｉＯ2 ）層を設
けて耐熱性を向上させた多層膜が提案されている。しか
し、反応性スパッタリングによる成膜では、基板上に既
に形成された薄膜の表面も同時に反応性ガスのイオンお
よびラジカルにさらされることになる。形成されたばか
りの薄膜表面は、非常に活性であるため、このようなイ
オンおよびラジカルと容易に反応する。そのため、基板
上の薄膜の表面でも化合物化反応が起こり、薄膜の表面
粗さが著しく増大してしまう。その結果、形成された多
層膜の界面粗さが大きくなって散乱による損失が大きい
ため高い反射率が得られなくなる。従って、この場合、
モリブデン層の表面が酸素プラズマにさらされて表面粗
さが増大するため、耐熱性は向上してもＸ線の反射率自
体が低下してしまうという問題が生じた。
【０００７】本発明は、このような問題を解決すること
を目的とする。
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的のために本発明
では、互いに屈折率の異なる３種類の物質Ａ、Ｂ、Ｃを
ターゲットとし、不活性ガスのみのイオンを前記ターゲ
ットに照射するスパッタリング法により、Ａ／Ｃ／Ｂ／
Ｃの順に前記各物質からなる薄膜を積層し、これを複数
回繰り返すことで多層膜を形成しＸ線多層膜反射鏡を製
造した。（請求項１）そして、上記製造方法において、
前記物質Ｃが、酸化物または窒化物、もしくは炭化物の
化合物であるようにして多層膜を形成した。（請求項
２）
では、互いに屈折率の異なる３種類の物質Ａ、Ｂ、Ｃを
ターゲットとし、不活性ガスのみのイオンを前記ターゲ
ットに照射するスパッタリング法により、Ａ／Ｃ／Ｂ／
Ｃの順に前記各物質からなる薄膜を積層し、これを複数
回繰り返すことで多層膜を形成しＸ線多層膜反射鏡を製
造した。（請求項１）そして、上記製造方法において、
前記物質Ｃが、酸化物または窒化物、もしくは炭化物の
化合物であるようにして多層膜を形成した。（請求項
２）
【０００９】
【作用】本発明により製造されるＸ線多層膜反射鏡は、
図１に示すように互いに屈折率の異なる物質からなるＡ
層、Ｂ層の間に拡散防止層としてＣ層を形成したもので
ある。このような構成においては、熱力学的に安定なＣ
層がＡ層とＢ層の間の相互拡散を効果的に防止するので
耐熱性が大幅に向上する。拡散防止層となるＣ層には、
酸化物、窒化物、炭化物等の熱力学的に安定な材料を用
いればよいが、光学特性を考慮して高い反射率が得られ
る材料を選択することが好ましい。
図１に示すように互いに屈折率の異なる物質からなるＡ
層、Ｂ層の間に拡散防止層としてＣ層を形成したもので
ある。このような構成においては、熱力学的に安定なＣ
層がＡ層とＢ層の間の相互拡散を効果的に防止するので
耐熱性が大幅に向上する。拡散防止層となるＣ層には、
酸化物、窒化物、炭化物等の熱力学的に安定な材料を用
いればよいが、光学特性を考慮して高い反射率が得られ
る材料を選択することが好ましい。
【００１０】本発明においては、３種類の個別のターゲ
ットを用いるため各層の材料に関して選択上の制限はな
い。多層膜の最表面（入射面）層をＣ層としてこれを多
層膜の保護層として機能させてもよいし、Ａ層もしくは
Ｂ層を最表面層としても構わない。そして、本発明で
は、スパッタリング法によって各層を成膜する際に、ア
ルゴン等の不活性ガスを用いるようにした。
ットを用いるため各層の材料に関して選択上の制限はな
い。多層膜の最表面（入射面）層をＣ層としてこれを多
層膜の保護層として機能させてもよいし、Ａ層もしくは
Ｂ層を最表面層としても構わない。そして、本発明で
は、スパッタリング法によって各層を成膜する際に、ア
ルゴン等の不活性ガスを用いるようにした。
【００１１】一般に、スパッタリング法による酸化物、
窒化物、炭化物等の化合物の成膜に際しては、ターゲッ
トとして金属等の単体の物質を用いていた。そして、ス
パッタリングを行う際にアルゴン等の不活性ガスに酸
素、窒素、アンモニア、メタン等の炭化水素などの反応
性ガスを混入し、成膜時に化合物を合成する方法がとら
れていた。しかし、この方法では、前述のように基板上
に既に成膜された薄膜の表面も反応性ガスのイオンおよ
びラジカルにさらされるので、拡散防止層の表面粗さが
増大する。そのため、多層膜の界面粗さが大きくなる。
窒化物、炭化物等の化合物の成膜に際しては、ターゲッ
トとして金属等の単体の物質を用いていた。そして、ス
パッタリングを行う際にアルゴン等の不活性ガスに酸
素、窒素、アンモニア、メタン等の炭化水素などの反応
性ガスを混入し、成膜時に化合物を合成する方法がとら
れていた。しかし、この方法では、前述のように基板上
に既に成膜された薄膜の表面も反応性ガスのイオンおよ
びラジカルにさらされるので、拡散防止層の表面粗さが
増大する。そのため、多層膜の界面粗さが大きくなる。
【００１２】それに対して本発明では、化合物からなる
拡散防止層を成膜する際もアルゴン等の不活性ガスのみ
を用いるので、界面の粗さが生じることはない。そのた
め、高い反射率を有する多層膜を形成することができ
る。なお、拡散防止層の厚さは、必要な耐熱性を得るた
めに必要最小限の厚さにすればよいので、該拡散防止層
を設けたことによる反射率の低下は小さく抑えることが
できる。
拡散防止層を成膜する際もアルゴン等の不活性ガスのみ
を用いるので、界面の粗さが生じることはない。そのた
め、高い反射率を有する多層膜を形成することができ
る。なお、拡散防止層の厚さは、必要な耐熱性を得るた
めに必要最小限の厚さにすればよいので、該拡散防止層
を設けたことによる反射率の低下は小さく抑えることが
できる。
【００１３】以下、本発明を実施例によりさらに詳しく
説明する。
説明する。
【００１４】
【実施例１】図２は、本実施例において使用されるイオ
ンビームスパッタリング装置の概略構成図である。この
装置の真空チャンバー１０内には、基板１を取り付ける
基板ホルダ２、イオン源５および３種類の物質のターゲ
ット３ａ、３ｂ、３ｃがそれぞれ取り付けられるターゲ
ットホルダ４とが設けられている。ターゲットホルダ４
は、図示していない回転手段により図中矢印Ｐで示すよ
うに回転可能になっており、成膜したい物質のターゲッ
トをイオン源５に対向する位置へ移動させることができ
る。成膜時は、イオン源５からアルゴンイオンビーム７
を照射して所望の物質からなるターゲットに衝突させ
る。そして、ターゲット材料をスパッタリングして生じ
た蒸気を基板１上に付着させて薄膜を形成する。
ンビームスパッタリング装置の概略構成図である。この
装置の真空チャンバー１０内には、基板１を取り付ける
基板ホルダ２、イオン源５および３種類の物質のターゲ
ット３ａ、３ｂ、３ｃがそれぞれ取り付けられるターゲ
ットホルダ４とが設けられている。ターゲットホルダ４
は、図示していない回転手段により図中矢印Ｐで示すよ
うに回転可能になっており、成膜したい物質のターゲッ
トをイオン源５に対向する位置へ移動させることができ
る。成膜時は、イオン源５からアルゴンイオンビーム７
を照射して所望の物質からなるターゲットに衝突させ
る。そして、ターゲット材料をスパッタリングして生じ
た蒸気を基板１上に付着させて薄膜を形成する。
【００１５】本実施例では、ターゲットホルダ４にモリ
ブデン、シリコン、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の３種類のタ
ーゲットを取付けた。そして、シリコンウエハを基板と
して用い、この基板１上に膜厚25Åのモリブデン層（Ａ
層）、膜厚５Åの酸化珪素層（Ｃ層）、膜厚40Åのシリ
コン層（Ｂ層）、膜厚５Åの酸化珪素層（Ｃ層）の順で
50回成膜を行い、図１のような周期長75Å、積層数50組
の多層膜を形成した。なお、本実施例では最上層として
シリコン層を形成してある。
ブデン、シリコン、酸化珪素（ＳｉＯ2 ）の３種類のタ
ーゲットを取付けた。そして、シリコンウエハを基板と
して用い、この基板１上に膜厚25Åのモリブデン層（Ａ
層）、膜厚５Åの酸化珪素層（Ｃ層）、膜厚40Åのシリ
コン層（Ｂ層）、膜厚５Åの酸化珪素層（Ｃ層）の順で
50回成膜を行い、図１のような周期長75Å、積層数50組
の多層膜を形成した。なお、本実施例では最上層として
シリコン層を形成してある。
【００１６】以上のようにして作製した多層膜を真空中
で加熱して耐熱性を調べた。その結果、450 ℃まで反射
率の変化はなく、550 ℃で多層膜構造が破壊して反射率
が低下した。比較例として本実施例と同じイオンビーム
スパッタリング装置により、膜厚25Åのモリブデン層と
膜厚50Åのシリコン層とを交互に50層ずつ積層して多層
膜を作製した。そして、同様にしてその耐熱性を調べ
た。その結果、400 ℃で既に反射しなくなった。
で加熱して耐熱性を調べた。その結果、450 ℃まで反射
率の変化はなく、550 ℃で多層膜構造が破壊して反射率
が低下した。比較例として本実施例と同じイオンビーム
スパッタリング装置により、膜厚25Åのモリブデン層と
膜厚50Åのシリコン層とを交互に50層ずつ積層して多層
膜を作製した。そして、同様にしてその耐熱性を調べ
た。その結果、400 ℃で既に反射しなくなった。
【００１７】次に、本実施例で作製した多層膜と比較例
で作製した多層膜について、それぞれの軟Ｘ線反射率を
放射光を用いてＳ偏光で測定した。放射光の入射角は多
層膜の法線に対して15゜に設定し、波長135 Å付近に反
射率のピークが生じるようにした。その結果、比較例の
多層膜の反射率72％に対して本実施例の多層膜の反射率
は66％であり、拡散防止層を設けたことによる反射率の
大幅な低下は認められなかった。
で作製した多層膜について、それぞれの軟Ｘ線反射率を
放射光を用いてＳ偏光で測定した。放射光の入射角は多
層膜の法線に対して15゜に設定し、波長135 Å付近に反
射率のピークが生じるようにした。その結果、比較例の
多層膜の反射率72％に対して本実施例の多層膜の反射率
は66％であり、拡散防止層を設けたことによる反射率の
大幅な低下は認められなかった。
【００１８】
【実施例２】図３は、本実施例において使用される高周
波マグネトロンスパッタリング装置の概略構成図であ
る。この装置の真空チャンバー１０内には、基板１を取
り付ける基板ホルダ２と３種類の物質のターゲット３
ａ、３ｂ、３ｃとが設けられている。そして、各ターゲ
ットにはそれぞれ高周波電源６ａ、６ｂ、６ｃが接続さ
れている。基板ホルダ２は自転可能に構成され、基板１
が各ターゲット上を通過することができるようになって
いる。各ターゲットにはそれぞれシャッタが設けられ、
また各ターゲット間には遮蔽板が設けられている。（い
ずれも図示せず。）成膜時は、アルゴンガスを真空チャ
ンバー１０内に導入して、各ターゲットに高周波電力を
印加する。この時、成膜したい物質のターゲットのシャ
ッタを開き、それ以外のターゲットのシャッタを閉じて
おく。そして、シャッタを開けたターゲットの材料をス
パッタリングして、生じた蒸気を基板１上に付着させて
薄膜を形成する。
波マグネトロンスパッタリング装置の概略構成図であ
る。この装置の真空チャンバー１０内には、基板１を取
り付ける基板ホルダ２と３種類の物質のターゲット３
ａ、３ｂ、３ｃとが設けられている。そして、各ターゲ
ットにはそれぞれ高周波電源６ａ、６ｂ、６ｃが接続さ
れている。基板ホルダ２は自転可能に構成され、基板１
が各ターゲット上を通過することができるようになって
いる。各ターゲットにはそれぞれシャッタが設けられ、
また各ターゲット間には遮蔽板が設けられている。（い
ずれも図示せず。）成膜時は、アルゴンガスを真空チャ
ンバー１０内に導入して、各ターゲットに高周波電力を
印加する。この時、成膜したい物質のターゲットのシャ
ッタを開き、それ以外のターゲットのシャッタを閉じて
おく。そして、シャッタを開けたターゲットの材料をス
パッタリングして、生じた蒸気を基板１上に付着させて
薄膜を形成する。
【００１９】本実施例では、ターゲットとしてモリブデ
ン、シリコン、炭化珪素（ＳｉＣ）の３種類を用いた。
そして、シリコンウエハを基板として用い、この基板１
上に膜厚25Åのモリブデン層（Ａ層）、膜厚10Åの炭化
珪素層（Ｃ層）、膜厚30Åのシリコン層（Ｂ層）、膜厚
10Åの炭化珪素層（Ｃ層）の順に50回成膜を行い、図１
のような周期長75Å、積層数50組の多層膜を形成した。
なお、本実施例では最上層としてシリコン層を形成して
ある。
ン、シリコン、炭化珪素（ＳｉＣ）の３種類を用いた。
そして、シリコンウエハを基板として用い、この基板１
上に膜厚25Åのモリブデン層（Ａ層）、膜厚10Åの炭化
珪素層（Ｃ層）、膜厚30Åのシリコン層（Ｂ層）、膜厚
10Åの炭化珪素層（Ｃ層）の順に50回成膜を行い、図１
のような周期長75Å、積層数50組の多層膜を形成した。
なお、本実施例では最上層としてシリコン層を形成して
ある。
【００２０】以上のようにして作製した多層膜を真空中
で加熱して耐熱性を調べた。その結果、600 ℃まで反射
率の変化はなく、800 ℃で多層膜構造が破壊して反射し
なくなった。比較例として本実施例と同じ装置を用いて
膜厚25Åのモリブデン層と膜厚50Åのシリコン層とを交
互に50層ずつ積層して多層膜を作製した。そして、同様
にしてその耐熱性を調べた。その結果、400 ℃で既に反
射しなくなった。
で加熱して耐熱性を調べた。その結果、600 ℃まで反射
率の変化はなく、800 ℃で多層膜構造が破壊して反射し
なくなった。比較例として本実施例と同じ装置を用いて
膜厚25Åのモリブデン層と膜厚50Åのシリコン層とを交
互に50層ずつ積層して多層膜を作製した。そして、同様
にしてその耐熱性を調べた。その結果、400 ℃で既に反
射しなくなった。
【００２１】次に、本実施例で作製した多層膜と比較例
で作製した多層膜について、それぞれの軟Ｘ線反射率を
実施例１と同様にして測定した。その結果、比較例の多
層膜の反射率72％に対して本実施例の多層膜の反射率は
68％であり、拡散防止層を設けたことによる反射率の大
幅な低下は認められなかった。なお、各実施例において
は、実用上重要度の高いモリブデン／シリコンの組合せ
の多層膜反射鏡に関する耐熱性向上について述べたが、
他の物質の組合せからなる多層膜反射鏡に対しても、本
発明を適用できることは言うまでもない。
で作製した多層膜について、それぞれの軟Ｘ線反射率を
実施例１と同様にして測定した。その結果、比較例の多
層膜の反射率72％に対して本実施例の多層膜の反射率は
68％であり、拡散防止層を設けたことによる反射率の大
幅な低下は認められなかった。なお、各実施例において
は、実用上重要度の高いモリブデン／シリコンの組合せ
の多層膜反射鏡に関する耐熱性向上について述べたが、
他の物質の組合せからなる多層膜反射鏡に対しても、本
発明を適用できることは言うまでもない。
【００２２】ところで、２種類の物質を交互に積層して
なる従来の多層膜反射鏡に、本発明で拡散防止層として
用いた酸化物、窒化物、炭化物等の化合物を一方の物質
に用いても耐熱性の向上を図れる。しかし、この場合は
反射率の大幅な低下を余儀なくされる。これは、一般
に、高い反射率を得るのに適した材料と熱力学的に安定
な拡散防止効果を有する材料とが一致しないためであ
る。
なる従来の多層膜反射鏡に、本発明で拡散防止層として
用いた酸化物、窒化物、炭化物等の化合物を一方の物質
に用いても耐熱性の向上を図れる。しかし、この場合は
反射率の大幅な低下を余儀なくされる。これは、一般
に、高い反射率を得るのに適した材料と熱力学的に安定
な拡散防止効果を有する材料とが一致しないためであ
る。
【００２３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、熱力学的
に安定な酸化物、窒化物、炭化物等の化合物を拡散防止
層として多層膜中に設けたので、該多層膜中の相互拡散
を有効に防止することができる。そのため、多層膜の耐
熱性が大幅に向上する。そして、スパッタリングによる
成膜の際、不活性ガスだけによるスパッタリングを行う
ため薄膜の表面粗さが増大しない。従って、高反射率の
多層膜を作製できる。
に安定な酸化物、窒化物、炭化物等の化合物を拡散防止
層として多層膜中に設けたので、該多層膜中の相互拡散
を有効に防止することができる。そのため、多層膜の耐
熱性が大幅に向上する。そして、スパッタリングによる
成膜の際、不活性ガスだけによるスパッタリングを行う
ため薄膜の表面粗さが増大しない。従って、高反射率の
多層膜を作製できる。
【００２４】本発明は、今後、放射光を始めとする高強
度のＸ線源に対して使用される多層膜光学系の用途、あ
るいはＸ線レーザ共振器のように極端に過酷な耐久性が
要求される用途等に対し、おおいにその効果を発揮する
ことができるものである。
度のＸ線源に対して使用される多層膜光学系の用途、あ
るいはＸ線レーザ共振器のように極端に過酷な耐久性が
要求される用途等に対し、おおいにその効果を発揮する
ことができるものである。
【図１】は、本発明により製造される多層膜の構造を示
す概略断面図である。
す概略断面図である。
【図２】は、実施例１で用いたイオンビームスパッタリ
ング装置の概略構成図である。
ング装置の概略構成図である。
【図３】は、実施例２で用いた高周波マグネトロンスパ
ッタリング装置の概略構成図である。
ッタリング装置の概略構成図である。
１ 基板 ２ 基板ホルダ ３ａ ターゲット ３ｂ ターゲット ３ｃ ターゲット ４ ターゲットホルダ ５ イオン源 ６ａ 高周波電源 ６ｂ 高周波電源 ６ｃ 高周波電源 ７ イオンビーム １０ 真空チャンバー
Claims (2)
- 【請求項１】 互いに屈折率の異なる３種類の物質Ａ、
Ｂ、Ｃをターゲットとし、不活性ガスのみのイオンを前
記ターゲットに照射するスパッタリング法により、Ａ／
Ｃ／Ｂ／Ｃの順に前記各物質からなる薄膜を積層し、こ
れを複数回繰り返すことで多層膜を形成することを特徴
とするＸ線多層膜反射鏡の製造方法。 - 【請求項２】 前記物質Ｃが、酸化物または窒化物、も
しくは炭化物の化合物であることを特徴とする請求項１
に記載のＸ線多層膜反射鏡の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037898A JP3033323B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4037898A JP3033323B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05232299A JPH05232299A (ja) | 1993-09-07 |
| JP3033323B2 true JP3033323B2 (ja) | 2000-04-17 |
Family
ID=12510366
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4037898A Expired - Fee Related JP3033323B2 (ja) | 1992-02-25 | 1992-02-25 | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3033323B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002258037A (ja) * | 2001-03-05 | 2002-09-11 | Alps Electric Co Ltd | 積層膜を有する光フィルタおよびその製造方法 |
| JP2002277589A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-09-25 | Japan Atom Energy Res Inst | Ｍｏ／Ｓｉ多層膜及びその耐熱性を向上させる方法 |
| DE10208705B4 (de) * | 2002-02-25 | 2008-10-30 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Monochromatorspiegel für den EUV-Spektralbereich |
| KR100699858B1 (ko) * | 2005-08-03 | 2007-03-27 | 삼성전자주식회사 | 극자외선 리소그래피용 반사 디바이스 및 그 제조 방법 및이를 적용한 극자외선 리소그래피용 마스크, 프로젝션광학계 및 리소그래피 장치 |
| WO2008009889A1 (en) | 2006-07-20 | 2008-01-24 | Aviza Technology Limited | Ion deposition apparatus |
| JP2010506224A (ja) * | 2006-10-13 | 2010-02-25 | メディア ラリオ ソシエタ ア レスポンサビリタ リミタータ | コーティングされたミラー及びその製造 |
| KR100948650B1 (ko) * | 2008-01-14 | 2010-03-18 | 주식회사 쎄크 | 복합기능 타겟을 갖는 타겟유닛 및 그것을 구비한엑스-레이 발생장치 |
| DE102008040265A1 (de) * | 2008-07-09 | 2010-01-14 | Carl Zeiss Smt Ag | Reflektives optisches Element und Verfahren zu seiner Herstellung |
-
1992
- 1992-02-25 JP JP4037898A patent/JP3033323B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH05232299A (ja) | 1993-09-07 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7920323B2 (en) | Thermally stable multilayer mirror for the EUV spectral region | |
| KR100567363B1 (ko) | Ｅｕｖｌ 다층 구조체 | |
| US11520087B2 (en) | Reflective optical element | |
| JP3033323B2 (ja) | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 | |
| JP2883100B2 (ja) | 軟ｘ線・真空紫外線用ハーフミラー又はビームスプリッター | |
| TWI835896B (zh) | 具有後側塗層的極紫外線掩模 | |
| JPH06148399A (ja) | Ｘ線用多層膜ミラーおよびｘ線顕微鏡 | |
| JPH02242201A (ja) | 軟ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JP3018648B2 (ja) | Ｘ線多層膜反射鏡の製造方法 | |
| JP2993261B2 (ja) | Ｘ線多層膜反射鏡 | |
| JP2006308483A (ja) | 多層膜及び多層膜の製造方法 | |
| JP4343895B2 (ja) | 軟ｘ線用多層膜ミラー | |
| US4917447A (en) | Extreme ultraviolet reflector | |
| JPH06235806A (ja) | レーザ用反射鏡 | |
| JP2585300B2 (ja) | Ｘ線又は真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JP2814595B2 (ja) | 多層膜反射鏡 | |
| JPH02145999A (ja) | 多層膜ｘ線反射鏡 | |
| Boher et al. | Tungsten/magnesium silicide multilayers for soft x-ray optics | |
| JPH08262198A (ja) | Ｘ線多層膜反射鏡 | |
| Gaponov et al. | Spherical and plane multilayer normal incidence mirrors for soft x-rays | |
| JP2535036B2 (ja) | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 | |
| JP3353931B2 (ja) | 光学薄膜とこの光学薄膜を形成した光学部品及び反射防止膜とこの反射防止膜を形成したプラスチック製光学部品 | |
| JP2007163221A (ja) | 多層膜反射鏡の製造方法 | |
| JPH0237303A (ja) | 多層膜反射鏡 | |
| JPH05283322A (ja) | Ｘ線露光用マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120218 Year of fee payment: 12 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |