JP2535036B2 - Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 - Google Patents
Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡Info
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- JP2535036B2 JP2535036B2 JP62249695A JP24969587A JP2535036B2 JP 2535036 B2 JP2535036 B2 JP 2535036B2 JP 62249695 A JP62249695 A JP 62249695A JP 24969587 A JP24969587 A JP 24969587A JP 2535036 B2 JP2535036 B2 JP 2535036B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光学装置、特にＸ線から真空紫外線と称され
る波長200nm以下の光を対象とし、入射角が鏡面に対し
垂直に近い正入射反射鏡に関するものである。
る波長200nm以下の光を対象とし、入射角が鏡面に対し
垂直に近い正入射反射鏡に関するものである。
従来、真空紫外と称される領域より短波長の光に対し
て、面に垂直もしくはそれに近い角度で入射したときに
高い反射率を有するような反射鏡は存在せず、垂直入射
に近い入射角でも１％以下の反射率しか得られていなか
った。
て、面に垂直もしくはそれに近い角度で入射したときに
高い反射率を有するような反射鏡は存在せず、垂直入射
に近い入射角でも１％以下の反射率しか得られていなか
った。
一方、比較的高い反射率を有する斜入射反射鏡でさえ
も入射角を鏡面から１゜以下もしくは２〜３゜の範囲に
調整する必要があった。そしてこれでも光束を面に対し
小さい角度で入射させるために細い光束に対しても非常
に大きな反射面を必要とし、その装置の使用は困難かつ
限定されるものであった。
も入射角を鏡面から１゜以下もしくは２〜３゜の範囲に
調整する必要があった。そしてこれでも光束を面に対し
小さい角度で入射させるために細い光束に対しても非常
に大きな反射面を必要とし、その装置の使用は困難かつ
限定されるものであった。
また、斜入射鏡では光学系構成の自由度が少なく、反
射鏡の作製に関しても大面積にわたり高精度の平面度が
要求され実際の使用にあたっても制限が多かった。な
お、可視域から2000Åの波長域では多層薄膜の干渉を利
用した多層膜の反射鏡が提案されている。例えば第２図
に反射率特性を示したように2000Å以上の可視域ではMg
F2とZnSなどを初めとする２つの誘電体の組合せで多層
交互層を形成させてほぼ80〜100％の反射率が正入射で
得ている。
射鏡の作製に関しても大面積にわたり高精度の平面度が
要求され実際の使用にあたっても制限が多かった。な
お、可視域から2000Åの波長域では多層薄膜の干渉を利
用した多層膜の反射鏡が提案されている。例えば第２図
に反射率特性を示したように2000Å以上の可視域ではMg
F2とZnSなどを初めとする２つの誘電体の組合せで多層
交互層を形成させてほぼ80〜100％の反射率が正入射で
得ている。
しかしながら誘電体交互層の場合には2000Å以下の波
長域では吸収が急激に増加し1000Å以下では反射鏡とし
て使用できる材料の組合せはほとんど存在しなくなる。
また第２図に特性を示しているAl、Au、Pt等の金属単層
膜でも700Åより短い波長ではλ２に比例して急激に反
射率が減少し、500Åさらに200Åより短い波長域では１
％以下の反射率しか正入射では得られない。
長域では吸収が急激に増加し1000Å以下では反射鏡とし
て使用できる材料の組合せはほとんど存在しなくなる。
また第２図に特性を示しているAl、Au、Pt等の金属単層
膜でも700Åより短い波長ではλ２に比例して急激に反
射率が減少し、500Åさらに200Åより短い波長域では１
％以下の反射率しか正入射では得られない。
一方、異なる複素屈折率をもつ２つの金属材料を交互
に積層した金属多層膜反射鏡が試みられるようになって
いるが、Ｘ線および真空紫外光の領域ではほとんどの物
質についてその反射率は吸収を表をす虚数部分Ｋをもつ
複素屈折率（ｎ＋ik、以下屈折率と呼ぶ）で表わされ、
実数部分ｎはほぼ1.0（ｎ＝１−δ、δ＝10-1〜10-3）
となるため真空と物質薄膜との境界におけるフレネルの
反射率は非常に小さく0.1％以下のオーダーである。ま
た異種材料の積層薄膜の境界においても反射率は単一の
境界面あたり数％を越えることが無い。
に積層した金属多層膜反射鏡が試みられるようになって
いるが、Ｘ線および真空紫外光の領域ではほとんどの物
質についてその反射率は吸収を表をす虚数部分Ｋをもつ
複素屈折率（ｎ＋ik、以下屈折率と呼ぶ）で表わされ、
実数部分ｎはほぼ1.0（ｎ＝１−δ、δ＝10-1〜10-3）
となるため真空と物質薄膜との境界におけるフレネルの
反射率は非常に小さく0.1％以下のオーダーである。ま
た異種材料の積層薄膜の境界においても反射率は単一の
境界面あたり数％を越えることが無い。
しかるに、異種材料を交互に多層積層構造とし、各々
の層境界からの反射光が干渉により強め合い、多層膜全
体としての反射率が最大となるような膜厚構成をとるこ
とにより、高い反射率を得ることが可能となる。さらに
隣接する層間での屈折率の差が大きくなるような異種材
料の組合せを選択し、先の膜厚構成と合せて反射率の高
い反射鏡が実現できることが知られている。
の層境界からの反射光が干渉により強め合い、多層膜全
体としての反射率が最大となるような膜厚構成をとるこ
とにより、高い反射率を得ることが可能となる。さらに
隣接する層間での屈折率の差が大きくなるような異種材
料の組合せを選択し、先の膜厚構成と合せて反射率の高
い反射鏡が実現できることが知られている。
現在までに多層膜の構成につき知られている材料の組
合せとしては、低屈折率材料として遷移金属があり、高
屈折率材料としての多くは炭素、シリコン等の半導体元
素を用いたものであった。代表的な例をあげると、タン
グステン（Ｗ）と炭素（Ｃ）との組合せやモリブテン
（Mo）とシリコン（Si）の組合せ等がある。
合せとしては、低屈折率材料として遷移金属があり、高
屈折率材料としての多くは炭素、シリコン等の半導体元
素を用いたものであった。代表的な例をあげると、タン
グステン（Ｗ）と炭素（Ｃ）との組合せやモリブテン
（Mo）とシリコン（Si）の組合せ等がある。
従来、この種の多層膜反射鏡において反射率を向上さ
せるために面荒さを小さくするということが重要である
ことは認識されてきた。しかしながらその評価方法が例
えばヘテロダイン干渉式面荒さ計などによる広い領域、
すなわち、数平方μｍの領域を平均化する方式の面荒さ
計で評価するものでしかなかったため（精密工学Vo1.52
（1986）、No.11、pp7−10）、Ｘ線・真空紫外線の領域
で反射率を低減させる重要な原因である基板表面の面に
平行な方向に数＋Å以上数千Å以下の大きさをもつ凹凸
には考慮が払われず、従ってそのような凹凸をおさえる
工夫もなされたことはなかった。
せるために面荒さを小さくするということが重要である
ことは認識されてきた。しかしながらその評価方法が例
えばヘテロダイン干渉式面荒さ計などによる広い領域、
すなわち、数平方μｍの領域を平均化する方式の面荒さ
計で評価するものでしかなかったため（精密工学Vo1.52
（1986）、No.11、pp7−10）、Ｘ線・真空紫外線の領域
で反射率を低減させる重要な原因である基板表面の面に
平行な方向に数＋Å以上数千Å以下の大きさをもつ凹凸
には考慮が払われず、従ってそのような凹凸をおさえる
工夫もなされたことはなかった。
上記従来例では、広い領域すなわち数平方μｍの領域
を平均化する方式で測定した面荒さは十分制御してある
にもかかわらず、期待される反射率と測定された反射率
には大きな開きがあり、多層膜反射鏡としてその反射率
が低いものしか得られないという欠点があった。例えば
基板表面の面荒さがrms値で10Åの多層膜反射鏡と20Å
のそれの反射率を比較すると、波長124Åの軟Ｘ線をル
テニウム（以下Ru）とSiの41層からなる多層膜反射鏡に
垂直に入射した時、面荒さ20Åの多層膜反射鏡の反射率
は面荒さ10Åの多層膜反射鏡の反射率の1/10程度しか得
られない。
を平均化する方式で測定した面荒さは十分制御してある
にもかかわらず、期待される反射率と測定された反射率
には大きな開きがあり、多層膜反射鏡としてその反射率
が低いものしか得られないという欠点があった。例えば
基板表面の面荒さがrms値で10Åの多層膜反射鏡と20Å
のそれの反射率を比較すると、波長124Åの軟Ｘ線をル
テニウム（以下Ru）とSiの41層からなる多層膜反射鏡に
垂直に入射した時、面荒さ20Åの多層膜反射鏡の反射率
は面荒さ10Åの多層膜反射鏡の反射率の1/10程度しか得
られない。
基板表面の面荒さは、反射光の光路差には最大２倍と
なって反映される。従って、使用波長の1/8の面荒さを
持つ反射鏡では反射されたＸ線又は真空紫外線は波長の
最大1/4の光路差のずれを持ち、反射率を低下させる。
数＋Åから数千ÅのＸ線又は真空紫外線が干渉性を持つ
ような領域内では、面荒さによる位相ずれによって干渉
的に反射率の減少を引起す。例えば前述のRuとSiの41層
からなる多層膜反射率に124Åの軟Ｘ線を入射した場
合、透過電子顕微鏡で断面を観察したときに基板表面が
波長124Åの約1/8の15Åの面荒さを持つ多層膜反射鏡の
反射率は、ほとんど面荒さのない多層膜反射鏡の約1/4
程しか得られない。一般に面荒さが使用波長の1/15より
も大きくなると反射率は急減しはじめ、面荒さが使用波
長の1/8程になると反射率は1/4程になってしまう。
なって反映される。従って、使用波長の1/8の面荒さを
持つ反射鏡では反射されたＸ線又は真空紫外線は波長の
最大1/4の光路差のずれを持ち、反射率を低下させる。
数＋Åから数千ÅのＸ線又は真空紫外線が干渉性を持つ
ような領域内では、面荒さによる位相ずれによって干渉
的に反射率の減少を引起す。例えば前述のRuとSiの41層
からなる多層膜反射率に124Åの軟Ｘ線を入射した場
合、透過電子顕微鏡で断面を観察したときに基板表面が
波長124Åの約1/8の15Åの面荒さを持つ多層膜反射鏡の
反射率は、ほとんど面荒さのない多層膜反射鏡の約1/4
程しか得られない。一般に面荒さが使用波長の1/15より
も大きくなると反射率は急減しはじめ、面荒さが使用波
長の1/8程になると反射率は1/4程になってしまう。
またヘテロダイン干渉式面荒さ計等のような数平方μ
ｍの広い領域を平均化するような方式で測定した面荒さ
は、乱反射として非干渉的に反射率を低下させる。これ
による反射率の低下は数＋Å〜数千Åの荒れによる干渉
的な反射率の低下よりも若干影響が大きい。基板表面の
面荒さが波長の1/16程の反射率では、ほとんど面荒さの
ない反射率に比べて反射率が約1/2.5になる。
ｍの広い領域を平均化するような方式で測定した面荒さ
は、乱反射として非干渉的に反射率を低下させる。これ
による反射率の低下は数＋Å〜数千Åの荒れによる干渉
的な反射率の低下よりも若干影響が大きい。基板表面の
面荒さが波長の1/16程の反射率では、ほとんど面荒さの
ない反射率に比べて反射率が約1/2.5になる。
本発明の目的は、Ｘ線や真空紫外線に対して高い反射
率の鏡面を得て、従来にない光学特性の光学装置を提供
することにある。
率の鏡面を得て、従来にない光学特性の光学装置を提供
することにある。
上記に詳しく述べた従来技術の問題点は、互いに屈折
率の異なる物質の交互層よりなる多層構造の反射率を基
板上に有するＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡におい
て、その基板表面の面荒さ値が、ヘテロダイン干渉式面
荒さ計のrms値で使用波長の1/16以下であり、透過電子
顕微鏡による100Å以上700Å以下の厚さ試料についての
断面観察時rms値で使用波長の1/8以下であるＸ線・真空
紫外線用多層膜反射鏡により解決された。
率の異なる物質の交互層よりなる多層構造の反射率を基
板上に有するＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡におい
て、その基板表面の面荒さ値が、ヘテロダイン干渉式面
荒さ計のrms値で使用波長の1/16以下であり、透過電子
顕微鏡による100Å以上700Å以下の厚さ試料についての
断面観察時rms値で使用波長の1/8以下であるＸ線・真空
紫外線用多層膜反射鏡により解決された。
以下本発明を、図面も参照しながら詳しく説明する。
第１図は本発明のＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡の
断面の模式図である。そこではヘテロダイン干渉式面荒
さ計でrms値で使用波長の1/16以下に、透過電子顕微鏡
観察による面荒さがrms値で使用波長の1/8以下に研磨さ
れた基板１、その上に互いに屈折率を異にする第１の物
質の層2,4……および第２の物質の層3,5…が交互に構成
されている。
断面の模式図である。そこではヘテロダイン干渉式面荒
さ計でrms値で使用波長の1/16以下に、透過電子顕微鏡
観察による面荒さがrms値で使用波長の1/8以下に研磨さ
れた基板１、その上に互いに屈折率を異にする第１の物
質の層2,4……および第２の物質の層3,5…が交互に構成
されている。
基板１の表面には、製作された鏡面の組み込まれた光
学器械の用途に応じて、平面、凸面、凹面、非球面形状
に加工され、ダイヤモンドペーストによる研磨を経た
後、フローティング研磨法、化学研磨法、超高真空中に
おいて基板材料の融点よりわずかに低い温度における長
時間加熱または、フラッシュ加熱などにより充分な面荒
さにおさまるまで繰り返し研磨する。この過程では基板
表面に付着した不純物も除去される。
学器械の用途に応じて、平面、凸面、凹面、非球面形状
に加工され、ダイヤモンドペーストによる研磨を経た
後、フローティング研磨法、化学研磨法、超高真空中に
おいて基板材料の融点よりわずかに低い温度における長
時間加熱または、フラッシュ加熱などにより充分な面荒
さにおさまるまで繰り返し研磨する。この過程では基板
表面に付着した不純物も除去される。
本発明のＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡が発現する
反射率は、交互層を形成する屈折率の異なる２種の物質
の屈折率の差、各層の吸収率、積層される層の数、照射
する光の波長等によって異なるが、その屈折率の差は例
えば層数を100層対とすると実用的には少なくとも0.01
以上あることが好ましい。
反射率は、交互層を形成する屈折率の異なる２種の物質
の屈折率の差、各層の吸収率、積層される層の数、照射
する光の波長等によって異なるが、その屈折率の差は例
えば層数を100層対とすると実用的には少なくとも0.01
以上あることが好ましい。
交互層の各層に屈折率の差をもたせるためには、本発
明で対象とするＸ線・真空紫外線の領域の光に対して高
屈折率の物質と低屈折率の物質とを用いて交互層を形成
すればよい。
明で対象とするＸ線・真空紫外線の領域の光に対して高
屈折率の物質と低屈折率の物質とを用いて交互層を形成
すればよい。
各々の層の膜厚d1、d2、…は対象となる波長のほぼ1/
4であり、交互に同一の材質よりなる積層膜であって、
その膜厚は各層間の境界における反射光がすべて強め合
うように干渉する条件を満たすか、もしくは、各層内に
おける吸収損と位相ずれによる反射率低下を比較したと
きに多層膜全体としての反射率の低下がより少なくたる
条件を満たすかのいずれかあるいは両方により決まるも
のとする。その際、膜厚は同一材料層についてはすべて
等しくしても良いし各層毎に変化させ反射率が最大とな
るような必ずしも等しくはない厚さとしても良い。
4であり、交互に同一の材質よりなる積層膜であって、
その膜厚は各層間の境界における反射光がすべて強め合
うように干渉する条件を満たすか、もしくは、各層内に
おける吸収損と位相ずれによる反射率低下を比較したと
きに多層膜全体としての反射率の低下がより少なくたる
条件を満たすかのいずれかあるいは両方により決まるも
のとする。その際、膜厚は同一材料層についてはすべて
等しくしても良いし各層毎に変化させ反射率が最大とな
るような必ずしも等しくはない厚さとしても良い。
積層の構成としては、気体または真空に接する層であ
る最終層の屈折率と気体または真空の屈折率との差が大
きくなる材料を選択することが望ましい。また基板と基
板に接する層との屈折率の差が大きくなるようにするこ
とも好ましい。
る最終層の屈折率と気体または真空の屈折率との差が大
きくなる材料を選択することが望ましい。また基板と基
板に接する層との屈折率の差が大きくなるようにするこ
とも好ましい。
また、交互層の層数が多いほど反射率は増大するため
層数は５層対以上あることが好ましいが、あまり多くな
ると吸収層の影響が顕著となるため、作製の容易さも考
慮して200層対程度までが良い。また、最終層の上には
吸収の少ない安定な材料による保護層を設けても良い。
層数は５層対以上あることが好ましいが、あまり多くな
ると吸収層の影響が顕著となるため、作製の容易さも考
慮して200層対程度までが良い。また、最終層の上には
吸収の少ない安定な材料による保護層を設けても良い。
また、本発明のＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡を作
製する際の成膜法としては、超高真空中における電子ビ
ーム法が好ましく用いられるが、特に化合物材料を用い
る場合は、残留酸素等の量が充分少ない真空中における
スパッタリング法が有効な手法である。さらに、膜強度
の高い膜作製法としてイオンプレーティング法、半導体
超格子作製で注目を浴びている有機金属気相成長法（MO
CVD）などを用いて多層膜を形成してもよいことはいう
までもない。
製する際の成膜法としては、超高真空中における電子ビ
ーム法が好ましく用いられるが、特に化合物材料を用い
る場合は、残留酸素等の量が充分少ない真空中における
スパッタリング法が有効な手法である。さらに、膜強度
の高い膜作製法としてイオンプレーティング法、半導体
超格子作製で注目を浴びている有機金属気相成長法（MO
CVD）などを用いて多層膜を形成してもよいことはいう
までもない。
実施例１ 面精度λ/20（λ＝6328Å）に加工したシリコン基板
（２″φ、10mmt）をダイヤモンドペーストにより研磨
し、ヘテロダイン干渉式面荒さ計で測定したところ第３
図（ａ）の通り面荒さがrms値で7.89Åで使用波長124Å
の1/16より大きかった。同一ロットの基板を透過電子顕
微鏡用サンプルとして300Å程度の厚さにし、５万倍で
断面観察を行ったところ面荒さがrms値で28.0Åで使用
波長124Åの1/8より大きかった。これはこのまゝでは本
発明に使用できないので、これをさらにフローティング
研磨を行い、その後アンモニア、過酸化水素水を含む75
℃に加熱したエッチング液で化学研磨を行ったところ第
３図（ｂ）に示したようにヘテロダイン干渉式面荒さ計
でrms値で面荒さが4.40Åとなり、サンプル厚さ（300Å
程度）の試料で５万倍で透過電子顕微鏡観察を行った結
果、面荒さはrms値で10.5Åとなり、ヘテロダイン干渉
式面荒さ計での面荒さが使用波長の1/16以下、透過電子
顕微鏡観察での面荒さが使用波長の1/8以下となった。
（２″φ、10mmt）をダイヤモンドペーストにより研磨
し、ヘテロダイン干渉式面荒さ計で測定したところ第３
図（ａ）の通り面荒さがrms値で7.89Åで使用波長124Å
の1/16より大きかった。同一ロットの基板を透過電子顕
微鏡用サンプルとして300Å程度の厚さにし、５万倍で
断面観察を行ったところ面荒さがrms値で28.0Åで使用
波長124Åの1/8より大きかった。これはこのまゝでは本
発明に使用できないので、これをさらにフローティング
研磨を行い、その後アンモニア、過酸化水素水を含む75
℃に加熱したエッチング液で化学研磨を行ったところ第
３図（ｂ）に示したようにヘテロダイン干渉式面荒さ計
でrms値で面荒さが4.40Åとなり、サンプル厚さ（300Å
程度）の試料で５万倍で透過電子顕微鏡観察を行った結
果、面荒さはrms値で10.5Åとなり、ヘテロダイン干渉
式面荒さ計での面荒さが使用波長の1/16以下、透過電子
顕微鏡観察での面荒さが使用波長の1/8以下となった。
このようにして得られた基板を、第４図に模式図を示
した装置の基板ホルダーのヒーター面にセットし、真空
度を１×10-10torrとした。蒸着に先だってあらかじめ1
400℃まで加熱（２時間）した。その後放置して冷却し
た。
した装置の基板ホルダーのヒーター面にセットし、真空
度を１×10-10torrとした。蒸着に先だってあらかじめ1
400℃まで加熱（２時間）した。その後放置して冷却し
た。
第４図に示した装置には電子ビームの蒸発源２台が基
板に対して対称の位置に配置され、各々の電子銃ハース
に99.9％のRuと99.999％のSiをセットしておいた。真空
度が３×10-10torrに回復するまで待った後、蒸着を開
始した。
板に対して対称の位置に配置され、各々の電子銃ハース
に99.9％のRuと99.999％のSiをセットしておいた。真空
度が３×10-10torrに回復するまで待った後、蒸着を開
始した。
セットしたRu、Si共にあらかじめ電子ビームで予備加
熱をしておき（各ハース上のシャッター、及びメインシ
ャッター閉）30分から１時間予熱後、各々の蒸着レート
が３Å/min、５Å/minになるよう各ハース近傍に設置し
た水晶振動子（図には描いていない）で上記した蒸着レ
ートが保持できるようにフィードバックした。この後各
ハースのシャッターを交互に開け、第１図における第１
物質をRu、第２物質をSiとしてそれぞれの膜厚を27.2
Å、36.2Åとし、かつ全部で41層の成膜を行った。成膜
中の真空度は８×10-10torrを保持した。
熱をしておき（各ハース上のシャッター、及びメインシ
ャッター閉）30分から１時間予熱後、各々の蒸着レート
が３Å/min、５Å/minになるよう各ハース近傍に設置し
た水晶振動子（図には描いていない）で上記した蒸着レ
ートが保持できるようにフィードバックした。この後各
ハースのシャッターを交互に開け、第１図における第１
物質をRu、第２物質をSiとしてそれぞれの膜厚を27.2
Å、36.2Åとし、かつ全部で41層の成膜を行った。成膜
中の真空度は８×10-10torrを保持した。
こうして作製した多層膜反射鏡に、波長124Åの軟Ｘ
線を面に対して垂直な軸から10゜の傾きで入射したとこ
ろ反射率36.7％が得られた。
線を面に対して垂直な軸から10゜の傾きで入射したとこ
ろ反射率36.7％が得られた。
この値は市販のシリコンウェハーを基板とし、上記実
施例と同じ膜厚だけ蒸着し、軟Ｘ線を同じ方法で反射し
た場合に比較して約３倍の反射率であった。
施例と同じ膜厚だけ蒸着し、軟Ｘ線を同じ方法で反射し
た場合に比較して約３倍の反射率であった。
以上説明したように、本発明のＸ線・真空紫外線用多
層膜反射鏡はその基板において、特許請求の範囲に特定
した値にまで数平方μｍの領域を平均化する方式により
測定した面荒さおよび多層膜表面の面に平行な方向に数
＋Å以上数千Å以下の大きさをもつ凹凸に起因する面荒
さまでrms値で使用波長の1/16ないし1/8以下にしたから
鏡面の反射率を数倍から10倍まであげることができる効
果が得られた。このことは同時に、散乱光が減少したた
めに、反射鏡としての光学特性も向上したいという効果
もある。
層膜反射鏡はその基板において、特許請求の範囲に特定
した値にまで数平方μｍの領域を平均化する方式により
測定した面荒さおよび多層膜表面の面に平行な方向に数
＋Å以上数千Å以下の大きさをもつ凹凸に起因する面荒
さまでrms値で使用波長の1/16ないし1/8以下にしたから
鏡面の反射率を数倍から10倍まであげることができる効
果が得られた。このことは同時に、散乱光が減少したた
めに、反射鏡としての光学特性も向上したいという効果
もある。
第１図は本発明のＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡の断
面の模式図、第２図は誘電体多層、金属単層の照射光波
長に対する反射率を示す図、第３図は実施例１に用いた
シリコン基板のヘテロダイン干渉式面荒さ計による基板
の面荒さの測定結果であり、（ａ）はダイヤモンドペー
ストによる研磨後、（ｂ）はそののちさらに化学研磨し
た結果を示す。第４図は本発明の実施に用いることので
きる超高真空電子ビーム蒸着装置の模式図である。 １は基板、2,4は第１物質、3,5は第２物質、６は誘電体
多層の反射率曲線、７は金属単層の反射率曲線、８は液
体窒素シュラウド、９はヒーターを備えた基板ホルダ
ー、10は基板、11はメインシャッタ、12はシャッタ、13
と15は電子銃ハースで13にRuを15にＣをセットしてあ
る。16は水晶振動子を表わす。
面の模式図、第２図は誘電体多層、金属単層の照射光波
長に対する反射率を示す図、第３図は実施例１に用いた
シリコン基板のヘテロダイン干渉式面荒さ計による基板
の面荒さの測定結果であり、（ａ）はダイヤモンドペー
ストによる研磨後、（ｂ）はそののちさらに化学研磨し
た結果を示す。第４図は本発明の実施に用いることので
きる超高真空電子ビーム蒸着装置の模式図である。 １は基板、2,4は第１物質、3,5は第２物質、６は誘電体
多層の反射率曲線、７は金属単層の反射率曲線、８は液
体窒素シュラウド、９はヒーターを備えた基板ホルダ
ー、10は基板、11はメインシャッタ、12はシャッタ、13
と15は電子銃ハースで13にRuを15にＣをセットしてあ
る。16は水晶振動子を表わす。
Claims (1)
- 【請求項１】互いに屈折率の異なる物質の交互層よりな
る多層構造の反射鏡を基板上に有するＸ線・真空紫外線
用多層膜反射鏡において、その基板表面の面荒さ値が、
ヘテロダイン干渉式面荒さ計のrms値で使用波長の1/16
以下であり、透過電子顕微鏡による100Å以上700Å以下
の厚さ試料についての断面観察時rms値で使用波長の1/8
以下であるＸ線・真空紫外線用多層膜反射鏡。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249695A JP2535036B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62249695A JP2535036B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0192698A JPH0192698A (ja) | 1989-04-11 |
| JP2535036B2 true JP2535036B2 (ja) | 1996-09-18 |
Family
ID=17196829
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62249695A Expired - Fee Related JP2535036B2 (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | Ｘ線・真空紫外線用多層膜反射鏡 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2535036B2 (ja) |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62249695A patent/JP2535036B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0192698A (ja) | 1989-04-11 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |