RU2173003C2 - Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств - Google Patents

Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств Download PDF

Info

Publication number
RU2173003C2
RU2173003C2 RU99124768/28A RU99124768A RU2173003C2 RU 2173003 C2 RU2173003 C2 RU 2173003C2 RU 99124768/28 A RU99124768/28 A RU 99124768/28A RU 99124768 A RU99124768 A RU 99124768A RU 2173003 C2 RU2173003 C2 RU 2173003C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
silicon
relief
ions
ion
lattice
Prior art date
Application number
RU99124768/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU99124768A (ru
Inventor
В.К. Смирнов
Д.С. Кибалов
Original Assignee
Септре Электроникс Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Септре Электроникс Лимитед filed Critical Септре Электроникс Лимитед
Priority to RU99124768/28A priority Critical patent/RU2173003C2/ru
Priority to US09/525,722 priority patent/US6274007B1/en
Priority to EP00302277A priority patent/EP1104011A1/en
Priority to JP2000079824A priority patent/JP2001156050A/ja
Priority to CZ20021824A priority patent/CZ20021824A3/cs
Priority to BR0016095-4A priority patent/BR0016095A/pt
Priority to CA002392307A priority patent/CA2392307A1/en
Priority to KR1020027006725A priority patent/KR20020069195A/ko
Priority to SK744-2002A priority patent/SK7442002A3/sk
Priority to HR20020459A priority patent/HRP20020459A2/xx
Priority to PL00355890A priority patent/PL355890A1/xx
Priority to PCT/IB2000/001397 priority patent/WO2001039259A1/en
Priority to AU75474/00A priority patent/AU7547400A/en
Priority to IL14983200A priority patent/IL149832A0/xx
Priority to CN00816289A priority patent/CN1399791A/zh
Priority to MXPA02005281A priority patent/MXPA02005281A/es
Priority to HU0203517A priority patent/HUP0203517A2/hu
Priority to EEP200200261A priority patent/EE200200261A/xx
Application granted granted Critical
Publication of RU2173003C2 publication Critical patent/RU2173003C2/ru
Publication of RU99124768A publication Critical patent/RU99124768A/ru
Priority to NO20022427A priority patent/NO20022427L/no
Priority to YU38202A priority patent/YU38202A/sh
Priority to IS6393A priority patent/IS6393A/is
Priority to BG106739A priority patent/BG106739A/xx
Priority to ZA200204822A priority patent/ZA200204822B/xx

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D30/00—Field-effect transistors [FET]
    • H10D30/01—Manufacture or treatment
    • H10D30/014—Manufacture or treatment of FETs having zero-dimensional [0D] or one-dimensional [1D] channels, e.g. quantum wire FETs, single-electron transistors [SET] or Coulomb blockade transistors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/26—Bombardment with radiation
    • H01L21/263—Bombardment with radiation with high-energy radiation
    • H01L21/2633—Bombardment with radiation with high-energy radiation for etching, e.g. sputteretching
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D62/00—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers
    • H10D62/80—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials
    • H10D62/81—Semiconductor bodies, or regions thereof, of devices having potential barriers characterised by the materials of structures exhibiting quantum-confinement effects, e.g. single quantum wells; of structures having periodic or quasi-periodic potential variation
    • H10D62/812—Single quantum well structures
    • H10D62/813—Quantum wire structures

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • High Energy & Nuclear Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)

Abstract

Использование: изготовление оптоэлектронных и наноэлектронных устройств. Сущность изобретения: поверхность кремния распыляют посредством равномерного потока ионов молекул азота в сверхвысоком вакууме для образования периодического волнообразного рельефа. Энергию ионов, угол падения ионов на поверхность упомянутого материала, температуру кремниевого слоя, глубину образования волнообразного рельефа определяют на основании выбранной длины волны волнообразного рельефа в диапазоне 9-120 нм. Маску из нитрида кремния, имеющую свисающие кромки, используют для определения участка поверхности кремния, на котором образуют решетку проводков. Перед распылением с поверхности кремния внутри окна маски удаляют загрязнения. Для целей образования решетки кремниевых квантовых проводков толщину слоя кремния КНИ выбирают больше суммы упомянутой глубины образования, упомянутой высоты и упомянутого диапазона проникновения ионов, причем изготовлением кремниевых проводков управляют посредством порогового значения сигнала вторичной ионной эмиссии от изолятора КНИ. Наноструктуру можно использовать в оптоэлектронных и наноэлектронных устройствах типа полевого транзистора. 3 с. и 9 з.п.ф-лы, 11 ил.

Description

Изобретение относится к способам образования квазиодномерных твердых кремниевых наноструктур. Такие наноструктуры могут образовывать основу для наномасштабного электронного и оптоэлектронного методов изготовления, практически, но не исключительно, решеток из кремниевых квантовых проводков и могут быть использованы для изготовления оптоэлектронных и наноэлектронных устройств на кремниевой основе.
Более конкретно, изобретение касается образования кремниевых квантовых проводков посредством ионного облучения и, в частности, способа распыления поверхности с высокой степенью чистоты материала кремния на изоляторе (КНИ) посредством равномерного потока ионов молекул азота с целью образования волнообразного рельефа, обеспечивающего решетку наномасштабных кремниевых "квантовых проводков". Систему квантовых проводков можно, благодаря проводимости решетки, использовать в качестве источника света в оптоэлектронных устройствах или в наноэлектронных устройствах, например в качестве канала в полевом транзисторе (ПТ).
В известном способе образования кремниевых квантовых проводков с площадью поперечного сечения 10х15 нм2, заделанных в оксиде кремния, используют имплантацию низкоэнергетических ионов кислорода в кремний, электронно-лучевую литографию и влажное химическое травление с последующим высокотемпературным отжигом в инертной окружающей среде. Это приводит к образованию кремниевых квантовых проводков, заделанных в оксиде кремния в центре основания V-образных канавок (работа Ю. Ишикава, Н.Шибата, Ф.Фукатсу "Изготовление (110) - выровненных кремниевых квантовых проводков, заделанных в оксиде кремния SiO2 посредством имплантации низкоэнергетических ионов кислорода", труды Ядерные приборы и способы физических исследований В, 1999 г., том 147, стр. 304-309, фирма "Элсвайс Сайенс Лимитед") (ссылка 1).
Этот известный способ имеет несколько недостатков. Использование электронно-лучевой литографии и влажного химического травления при образования V-образных канавок на поверхности кремния ограничивает плотность элементов структуры и снижает производительность проводков. Отсутствие регулирования на месте технологического процесса дополнительно снижает производительность проводков. Малая плотность проводков предотвращает применение проводков для наноэлектронных устройств такого типа, в которых важным является взаимодействие заряженных частиц в соседних проводках.
В ранее опубликованной работе, в число авторов которой входят и авторы настоящего изобретения, раскрыт способ образования структур с упорядоченными волнами (СУВ) на кремнее и, в частности, на КНИ. Способ содержит этапы распыления кремниевого слоя КНИ с помощью зонда ионов молекул азота, сканируемого в виде растра в сверхвысоком вакууме, с целью образования периодического волнообразного наномасштабного рельефа (СУВ). "Фронт волны" наномасштабного рельефа проходит в направлении падения ионов. Способ включает в себя обнаружение сигнала вторичной ионной эмиссии от изолятора КНИ и окончание распыления, когда этот сигнал достигнет заранее определенного значения. В этом ссылочном материале раскрывается также зависимость образования СУВ от энергии E ионов, угла падения ионов θ относительно нормали к поверхности и температуры T образца СУВ. В работе также идентифицированы характеристики процесса образования рельефа, а именно глубины Dm распыления, соответствующей появлению интенсивного роста СУВ, и рассматривается зависимость Dm от E, θ , T и длины волны λ СУВ. В работе дополнительно показано, что толщина Dв кремния не должна быть меньше глубины распыления, при которой образуется устойчивая СУВ с требуемой длиной волны (эта глубина равна глубине образования рельефа, называемой далее DF). (Работа В.К.Смирнова, Д.С.Кибалова, С.А.Кривелевича, П.А.Лепшина, И.В.Потапова, Р.А.Янкова, У.Скорупа, В.В.Макарова, А. Б. Данилина "Структуры с упорядоченными волнами, образованные на пластинках КНИ посредством химически активных ионных лучей", труды Ядерные приборы и способы в физических исследованиях B, 1999 г., т. 147, стр. 310-315, фирма "Илсвайер Сайенс, Лимитед") (ссылка 2).
Далее, в работе, в число авторов которой входит один из авторов настоящего изобретения, раскрывается процесс отжига материала такого типа, который раскрыт в ссылочном материале 2, в инертной окружающей среде при температуре 1000oC в течение одного часа, и получения внутренней структуры СУВ на границе раздела кремния и изолятора материала КНИ (Работа В.К.Смирнова и А. Б. Данилина "Наномасштабные структуры с упорядоченными волнами на КНИ", труды Симпозиума передовых исследований NATO "Перспективы, наука и техника в отношении новых устройств кремния на изоляторе", изданные П.И.Ф. Химментом, 1999 г., фирма Илсвайер Сайенс Лимитед) (ссылка 3).
В следующей работе, в число авторов которой входит один из авторов настоящего изобретения, раскрываются зависимости толщины DN слоя нитрида кремния (Si3N4) от энергии E ионов, угла падения ионов на поверхность и высокотемпературного отжига (900-1100oC в течение одного часа). Отжиг не оказывает влияния на DN, но доводит до максимума четкость границы раздела между Si и Si3N4. Как здесь показано, толщина DN равна дальности R проникновения ионов в кремний, которая, как показано, имеет линейную зависимость от E для такого же диапазона энергий, как и диапазон, используемый для образования СУВ. На основании раскрытых в этом ссылочном материале данных зависимость R от E можно представить следующим выражением:
R (нм) = 1,5E(кэВ) + 4
(Работа В.И.Бачурина, А.В.Кирилова, Е.В.Потапова, В.К.Смирнова, В.В.Макарова и А.В.Данилина "Образование тонких слоев нитрида кремния на Si посредством бомбардировки низкоэнергетическими ионами N2 +, труды "Ядерные приборы и способы в физическом исследовании B", 1999 г., т. 147, стр. 316-319, фирма "Илсвайер Сайенс Лимитед) (ссылка 4).
В комбинации вышеупомянутых ссылочных материалов 2, 3 и 4 раскрыт основной способ образования решетки кремниевых квантовых проводков. Основным преимуществом использования решетки кремниевых квантовых проводков по сравнению с использованием отдельных проводков в наноэлектронных и оптоэлектронных устройствах состоит, во-первых, в увеличении производительности устройства и улучшении отношения сигнала к шуму токовых характеристик, а также в обеспечении потенциала для новых возможностей, основанных на решетке проводков устройств из-за взаимодействия заряженных частиц в соседних квантовых проводках.
Существует ряд недостатков, связанных с основным способом, описанным в ссылочных материалах 2, 3 и 4. В ссылочном материале 2 не рассматривается вопрос о том, изменяется ли длина волны λ при увеличении глубины распыления от Dm до DF или имеется ли какая-либо взаимосвязь между Dm - DF. Настоящее изобретение признает, что характеристики процесса следует связывать с конечной структурой СУВ по мере увеличения глубины DF, а не с глубиной Dm, как это описано в ссылочном материале 2. Кроме того, в ссылочном материале 2 не раскрывается вопрос о том, имеются ли ограничения области в плоскости (E, θ ), в которой происходит образование СУВ.
Такие ограничения в работе, описанной в ссылочных материалах 2, 3 и 4, показано, что требуемую толщину кремниевого слоя КНИ обычно нельзя заранее определить из связей между различными параметрами, описанными в этих ссылочных материалах. Кроме того, нельзя заранее определить важные параметры для управления процессом распыления (энергию E ионов, угол θ падения ионов и температуру T КНИ). Далее, для изолирования соседних кремниевых проводков в СУВ, образованных в КНИ, важно обеспечивать точность совпадения впадин рельефа СУВ с границей между кремниевым слоем КНИ и слоем изолятора КНИ. В ссылочном материале 2 раскрыто, что сигнал вторичной эмиссии ионов можно использовать в качестве основания для окончания процесса распыления, но не раскрывает никакого способа предварительного определения значения сигнала, который соответствует изолированию кремниевых проводков.
То есть ранее опубликованная работа не раскрывает общего способа, позволяющего надежно образовать СУВ, чтобы впадины СУВ совпадали с границей между кремнием и изолятором СУВ с целью образования решетки изолированных кремниевых проводков.
Кроме того, для практических целей при применении такого процесса посредством объединения с основанной на кремнее наноэлектронной и оптоэлектронной техники необходимо обеспечить образование наноструктурной решетки на заданном микроучастке поверхности с целью получения полезной структуры, например, в форме двух изолированных кремниевых контактных площадок, соединенных решеток. Однако ранее опубликованная работа не раскрывает такие вопросы, как можно ли использовать для этой цели технологию типа литографии или, если можно, то какие маскирующие слои можно использовать, если они необходимы.
Настоящее изобретение определило также, что процесс образования СУВ является весьма чувствительным к наличию загрязнений на поверхности КНИ, в частности наличию оксида кремния, который деградирует ровность рельефа СУВ. Как известно, на поверхности кремния, на которую воздействует воздух, всегда имеется тонкий слой естественного оксида кремния.
Все вышеупомянутые недостатки связаны с одним или другим способом управления процессом образования СУВ для конкретных целей.
Известны наноэлектронные устройства, содержащие кремниевые контактные площадки, соединенные кремниевыми каналами с диаметром 20 нм (так называемой "квантовой точкой"), слой изолятора толщиной 40 нм, покрывающий поверхность контактных площадок и канала, и электрод, расположенный на поверхности слоя изолятора. Кремниевые контактные площадки и канал образуют в кремниевом слое материал КНИ (работа И.Леобандунга, Л.Гао, Я.Уанга, С.Чоу "Наблюдение квантовых эффектов и блокады кулона в кремниевых квантово- точечных транзисторах при температуре выше 100К", Документы прикладной физики, т. 67, N 7, 1995 г. , стр. 938-940, Американский институт физики, 1995 г.), (ссылка 5).
Недостатки этого известного устройства состоят в отсутствии канальной решетки и в низкой производительности устройства из-за малых величин устройств достижения границ микролитографической техники, то есть имеется низкая повторяемость операционных результатов.
Имеется еще одно устройство типа основанного на квантовых проводках полевого транзистора, содержащего кремниевые площадки, соединенные семью кремниевыми линейными каналами с прямоугольным сечением 86х100 нм2. Кремниевые каналы покрыты слоем оксида кремния толщиной 30 нм. Над группой этих каналов расположен электрод затвора. Эти устройства изготавливают, используя материал КНИ (работа Дж.П.Колинга, 3.Бейя, В.Бейота, И.Грайви "Квантовый проводок кремния на изоляторе", Твердотельная электроника, т. 39 N 1, 1996 г., стр. 49-51, фирма "Илсвайер Сайенс Лимитед", 1996 г.), (ссылка 6).
Недостаток этого известного устройства состоит в невозможности образования кремниевых каналов на расстоянии, равном размеру канала, из-за ограничений известных литографических способов, используемых для изготовления устройства.
В различных приведенных выше ссылочных материалах показано, каким образом можно изготавливать решетки кремниевых квантовых проводков в конкретных экспериментальных случаях. Однако не рассматривается проблема способа обобщения конкретных экспериментальных процессов, чтобы квантовые проводки можно было делать с заранее определенными размерами, или способ выполнения эффективного управления технологическим процессом. Кроме того, существует необходимость интегрирования решетки кремниевых квантовых проводков в полезные устройства, например, с целью образования канальной структуры в полевом транзисторе.
В соответствии с первым аспектом изобретения здесь обеспечен способ образования кремниевой наноструктуры, содержащий:
распыление кремниевой поверхности посредством равномерного потока ионов молекул азота в сверхвысоком вакууме с целью образования периодического волнообразного рельефа, где фронт волны упомянутого рельефа проходит в направлении плоскости падения ионов, дополнительно включающий в себя следующие этапы:
до распыления:
выбор требуемой длины волны периодического волнообразного рельефа в диапазоне 9-120 нм;
определение энергии ионов, угла падения ионов на поверхность упомянутого материала, температуры упомянутого кремния, глубины образования упомянутого волнообразного рельефа, высоты упомянутого волнообразного рельефа и диапазона проникновения ионов в кремний и все это на основании упомянутой выбранной длины волны.
Упомянутую энергию ионов, упомянутый угол падения ионов, упомянутую температуру упомянутого кремния, упомянутую глубину образования и упомянутую высоту упомянутого волнообразного рельефа предпочтительно определяют на основании ранее полученных эмпирических данных, касающихся упомянутой энергии ионов, упомянутого угла падения ионов, упомянутой температуры упомянутого кремния, упомянутой глубины образования и упомянутой высоты упомянутого волнообразного рельефа для длины волны упомянутого волнообразного рельефа, и в котором упомянутый диапазон проникновения ионов определяется на основании упомянутой энергии ионов.
Способ предпочтительно дополнительно включает в себя этап перед распылением размещения маски из нитрида кремния, содержащей окно со свисающими кромками на упомянутой кремниевой поверхности над участком распыления, и распыления упомянутой кремниевой поверхности через упомянутое окно.
До распыления способ предпочтительно дополнительно включает в себя этап удаления любых загрязнений с поверхности упомянутого кремниевого слоя, на котором должен быть образован упомянутый волнообразный рельеф.
После распыления способ предпочтительно дополнительно включает в себя: отжиг материала с упомянутым рельефом в инертной окружающей среде. Материал предпочтительно отжигают при температуре между 1000 и 1200oC в течение, по меньшей мере, одного часа.
В предпочтительных вариантах осуществления изобретения упомянутая кремниевая наноструктура содержит решетку кремниевых квантовых проводков, а упомянутый кремний содержит кремниевый слой материала кремния на изоляторе, где способ дополнительно включает в себя:
выбор толщины упомянутого кремниевого слоя, которая должна быть больше суммы упомянутой глубины образования упомянутого волнообразного рельефа и упомянутого диапазона проникновения ионов.
Во время распыления способ предпочтительно дополнительно включает в себя:
обнаружение сигнала вторичной ионной эмиссии от слоя изолятора упомянутого материала кремния на изоляторе (КНИ);
окончание распыления, когда величина обнаруженного сигнала достигает заранее определенного порогового значения.
Упомянутое пороговое значение упомянутого сигнала вторичной ионной эмиссии представляет такое значение, при котором сигнал превышает среднее пороговое значение на величину, равную удвоенной амплитуде шумовой составляющей в сигнале.
В соответствии со следующими аспектами изобретения обеспечены оптоэлектронные и электронные устройства, включающие в себя решетки квантовых проводков, образованные способом по первому аспекту изобретения, типа устройства, содержащего кремниевые площадки, соединенные упомянутой решеткой кремниевых квантовых проводков, изоляционный слой, расположенный на упомянутой решетке квантовых проводков, и электрод, расположенный на упомянутом изоляторе.
Устройство для реализации способа состоит из камеры сверхвысокого вакуума, приспособления для введения образца, направленного микропучка ионов с регулируемыми энергией ионов и расположением зонда ионов на поверхности образца, инжектора электронов, держателя образца с функциями расположения, наклона и вращения, и средства для изменения и управления температурой образца, детектора вторичных электронов и масс-спектрометра вторичных ионов. Соответствующее устройство из уровня техники известно как прибор высокой способности анализа поверхности с большим количеством технических приемов.
Изобретение преодолевает недостатки известных устройств посредством обеспечения управляемости технологического процесса на основании одного параметра, а именно требуемого периода (длины волны) решетки, который управляет всеми соответствующими параметрами технологического процесса.
Теперь будут описаны варианты осуществления изобретения только в качестве примера со ссылкой на прилагаемые чертежи, на которых:
фиг. 1A представляет схематическое изображение в перспективе первоначальной структуры КНИ, включающей маску из нитрида кремния, для использования в соответствии с настоящим изобретением;
фиг. 1B представляет схематическое изображение в перспективе окончательной структуры КНИ после применения соответствующего настоящему изобретению способа к показанной на фиг. 1A начальной структуре;
фиг. 1C представляет график, иллюстрирующий способ использования сигнала вторичной ионной эмиссии в управлении соответствующим настоящему изобретению способом;
фиг. 1D представляет увеличенный вид поперечного сечения части распыленной структуры, изображенной на фиг. 1B (элемент A на фиг. 1B);
фиг. 1E представляет график, иллюстрирующий связь между углом падения ионов, энергией ионов и длиной волны СУВ, образованной в соответствии с настоящим изобретением;
фиг. 1F представляет график, иллюстрирующий характер изменения длины волны СУВ, образованной в соответствии с настоящим изобретением, в зависимости от температуры материала КНИ для различных энергий ионов;
фиг. 2A-2D представляют схематические виды сверху структуры КНИ, иллюстрирующие образование устройства полевого транзистора в соответствии с настоящим изобретением;
фиг. 3 представляет схематическое перспективное изображение, иллюстрирующее структуру полевого транзистора с каналами в виде кремниевой наноструктурной решетки, образованной в соответствии с настоящим изобретением.
Рассматривая теперь чертежи, отметим, что на фиг. 1 показан пример начальной структуры КНИ для использования в соответствии с изобретением, содержащей кремниевую подложку 5, изолирующий слой 4 из оксида кремния, кремниевый слой 3, в котором подлежат образованию квантовые проводки, тонкий слой 2 оксида кремния, образованный на верхней части кремниевого слоя 3 и маскирующий слой 1 нитрида кремния, образованный на верхней части тонкого слоя 2 оксида кремния. На фиг. 1B показана структура после распыления в соответствии с изобретением, содержащая кремниевую подложку 5 и изолирующий слой 4 оксида кремния, как на фиг. 1A, и в котором кремниевый слой 3 фиг. 1A модифицирован посредством распыления с целью оставления кремниевого слоя 6 на участках, закрытых маскирующим слоем 1 фиг. 1A, и решетки 7 наноструктуры кремния, образованной посредством процесса распыления на участке, оставленном открытым маскирующим слоем 1. Стрелки показывают направление потока ионов N2 + во время распыления.
Основной процесс распыления для образования СУВ описан в ссылочной литературе 2. Как описано в этом материале, сфокусированный пучок ионов осуществляет растровую развертку по поверхности материала КНИ.
На фиг. 1D показан пример поперечного сечения кремниевой наноструктурной решетки, образованной посредством процесса распыления в соответствии с настоящим изобретением, которая содержит зоны нитрида аморфного кремния 8, зоны 9 смеси аморфного кремния и нитрида кремния, зоны 10 оксинитрида кремния и зоны 12 кристаллического кремния.
Ниже представлены следующие параметры, касающиеся материала КНИ, связанной с ним структуры СУВ и процесса образования СУВ, как показано на фиг. 1.
DB - начальная толщина кремниевого слоя 3 материала КНИ.
DF - глубина образования рельефа (то есть минимальная глубина материала, удаляемого посредством распыления с первоначальной поверхности кремниевого слоя 3 до гребней волн СУВ с целью получения устойчивой СУВ, где "глубина распыления" представляет расстояние от начальной поверхности кремния до вершины СУВ.
H - высота рельефа стабилизированной СУВ, то есть вертикальное расстояние между гребнем волны и ближайшей впадиной волны (двойная амплитуда волны).
R - диапазон проникновения ионов в кремний для данной энергии ионов.
Настоящее изобретение, в частности, относится к процессу управления распылением с целью обеспечения возможности надежного образования требуемой кремниевой наноструктуры с заранее определенными параметрами. Дальнейшее рассмотрение процесса образования СУВ авторами настоящего изобретения привело к следующим заключениям:
a) Длина волны λ СУВ остается постоянной от начального появления образования СУВ на глубине Dm распыления до стабилизации структуры СУВ на глубине DF распыления (глубине образования рельефа) и после этого при непрерывном распылении до глубины в несколько раз больше значения DF.
b) Высота рельефа линейно увеличивается со временем от глубины Dm до глубины DF, достигая значения H на глубине DF и после этого оставаясь постоянной при непрерывном распылении. То есть форма и размеры СУВ остаются по существу постоянными при непрерывном распылении за пределами DF, однако, расположение СУВ на материале перемещается в направлении, противоположном направлению падения ионов (пунктирная линия 13 на фиг. 1D иллюстрирует положение СУВ в момент времени, когда глубина распыления равняется DF, тогда как основной чертеж показывает структуру в более позднее время после окончания распыления).
c) DF связана с Dm следующим выражением
DF = 1,5Dm (1)
d) DF связана с длиной волны λ структуры СУВ следующим выражением
DF(нм) = 1,316•( λ (нм) - 9) (2)
для λ в диапазоне 9-120 нм.
e) Величина H пропорциональна величине λ , где эта пропорциональность изменяется с изменением угла θ падения ионного пучка, например
H = 0,26 λ для θ = 41o
H = 0,25 λ для θ = 43o
H = 0,23 λ для θ = 45o
H = 0,22 λ для θ = 55o
H = 0,22 λ для θ = 58o (3)
f) Поведение "истинной" вторичной эмиссии электронов из распыляемого ионами участка поверхности кремния отражает появление СУВ на глубине Dm распыления и образования стабилизированной СУВ на глубине DF распыления. Появление увеличения эмиссии соответствует глубине Dm. Появление насыщения эмиссии соответствует глубине DF распыления.
Были проведены также исследования с целью определения характера зависимости λ от энергии E пучка ионов, угла θ падения пучка ионов и температуры T материала КНИ (или, более конкретно, от температуры слоя кремния КНИ). На фиг. 1E представлены данные, показывающие зависимость λ от E и θ при комнатной температуре. Кривая 15 определяет границу области, в которой происходит образование СУВ. Кривые 15, 16 и 120 ограничивают часть области СУВ, в которой волнообразный рельеф имеет более когерентную структуру с линейной связью между λ и DF в соответствии с формулой (2). На фиг. 1F показана зависимость λ от T для различных значений E и θ . Кривая 22 соответствует E = 9 кэВ, θ = 45o. Кривая 24 соответствует E = 5 кэВ, θ = 45o. Кривая 26 соответствует E = 9 кэВ, θ = 55o.
Из этих данных можно видеть, что при комнатной температуре λ может изменяться в пределах полезного диапазона значений от 30 нм до 120 нм. Изменение температуры образца от комнатной температуры до 550 К не имеет существенного влияния. Нагревание образца от 550 К до 850 К уменьшает значение λ в 3,3 раза по сравнению с эквивалентным значением при комнатной температуре.
Авторы изобретения далее определили, что глубину DB кремниевого слоя 3 материала КНИ, требуемую для данной СУВ, можно представить следующей формулой:
DB>DF+H+R (4)
Следует отметить, что глубина DB = DF+H является достаточной для образования устойчивой СУВ. Однако авторы настоящего изобретения раскрыли, что важно принимать во внимание диапазон R проникновения ионов при расчете минимальной глубины DB с целью гарантирования надежного образования взаимно изолированных квантовых кремниевых проводков посредством процесса распыления и (или) последующего высокотемпературного отжига распыленного продукта.
Исследования авторов изобретения также подтвердили, что вторичная эмиссия ионов от изолятора КНИ начинается, когда впадины СУВ достигают расстояния примерно R от границы между кремнием и изолятором материала КНИ (этот эффект предварительного определения скрытой границы ранее был известен в области профилирования глубины распыления).
Эти исследования являются основой для управления образованием требуемых кремниевых наноструктур на основании заранее определенного значения длины волны λ структуры СУВ.
Показанные на фиг. 1E данные позволяют определять значения E и θ для требуемого значения λ в диапазоне от 30 нм до 120 нм при комнатной температуре, где 30 нм является минимальной λ , получаемой при комнатной температуре (при E = 2 кэВ и θ = 58o). Меньшие значения λ можно получить посредством нагрева материала КНИ выше 550 К, как показано на фиг. 1F.
В соответствии с этим, для выбранного значения λ можно определить подходящие значения E, θ и T. Диапазон проникновения ионов и глубину DF образования можно рассчитать по формулам (1) и (2) и по эмпирическим данным (3), а затем можно рассчитать требуемую глубину DF слоя кремния КНИ по формуле (4).
Например, если требуется изготовить решетку кремниевых квантовых проводков с периодом ( λ ) проводков, равным 30 нм, то из фиг. 1E можно определить (экстраполяцией), что для λ = 30 нм, E = 2 кэВ и θ = 58o. Из этих значений можно определить, что R = 7 нм, Н = 6,6 нм, DF = 27,6 нм и, следовательно, DB = 41,2 нм.
В следующем примере, если требуется изготовить решетку кремниевых квантовых проводков с периодом ( λ ) проводков, равным 9 нм, то образец следует нагревать с целью получения увеличения складок в 3,3 раза, чтобы λ = 9 нм при температуре 850 К соответствовала λ = 30 нм при комнатной температуре. Из фиг. 1E можно определить (посредством экстраполяции), что для λ = 9 нм при температуре 850 К, E = 2 кэВ и θ = 58o. Из этих значений можно определить, что R = 7 нм, H = 1,98 нм, DF = 0 нм и, следовательно, DB = 8,98 нм.
В следующем примере, если требуется изготовить решетку кремниевых квантовых проводков с периодом (λ) проводков, равным 120 нм, то из фиг. 1E можно определить, что для λ = 120 нм, E = 8 кэВ и θ = 45o. По этим значениям можно определить, что R = 16 нм, H = 27,6 нм, DF = 146 нм и, следовательно, DB = 189,6 нм. Для того же значения λ можно определить альтернативные параметры, например, для
Figure 00000001
= 120 нм, E = 5,5 кэВ и θ = 43o. По этим значениям можно определить, что R = 12,25 нм, H = 30 нм, DF = 146 нм и, следовательно DB = 188,3 нм.
Таким образом, на основании требуемого периода λ решетки квантовых проводков в диапазоне от 9 нм до 120 нм, параметры управления технологическим процессом можно определить, как показано выше.
Для технологического процесса можно использовать широкое разнообразие материалов КНИ, например КНИ, получаемый посредством методики РИК (разделения имплантированным кислородом) с требуемой толщиной кремния. Специалисты в данной области техники найдут другие альтернативы, например КНИ, приготовленный методом точного разрезания, или монокристаллическими пленками либо на кварцевых, либо на стеклянных пластинках.
Фиг. 1 касается примера, в котором использован КНИ, изготовленный методом РИК. Толщина кремниевого слоя 3 должна быть очень однообразной (подходящие пластинки РИК имеются у фирмы IBIS, США).
После выбора материала КНИ, можно подготовить слой 1 маски из нитрида кремния, как показано на фиг. 1A. Слой 1 нитрида кремния наносят на верхнюю часть тонкого слоя 2 оксида кремния. В слое 1 нитрида кремния образовано окно в маске посредством литографии и плазменного травления, где слой 2 оксида кремния действует в качестве ограничительного слоя для плазменного травления. Затем удаляют тонкий оксидный слой 2 в участке окна посредством влажного химического травления, образуя свисающую кромку вокруг периферии окна в маске. Маскировочный слой имеет достаточную толщину для предотвращения образования какого-либо волнообразного рельефа на поверхности кремниевого слоя 3 за пределами участка окна в маске. Образование свисающей кромки вокруг окна в маске обладает преимуществом при получении равномерной СУВ, окруженной плоской поверхностью кремния вокруг кромки окна в маске.
Кремниевый слой 6 заземляют, как показано позицией 11 на фиг. 1A, во время процесса распыления, чтобы предотвратить повреждение заряда на структуре 7, образованного посредством процесса распыления.
Окно в маске предпочтительно ориентируют относительно направления пучка ионов, как показано на фиг. 1A, 1B и 2, так, чтобы плоскость падения ионов, определяемая нормалью к поверхности и направлением потока ионов, ориентировалась параллельно более длинной боковой стороне прямоугольного окна в маске. Это приводит к максимальному полезному эффекту свисающей кромки окна в маске.
Толщину маски можно выбирать так, чтобы материал маски удалялся посредством процесса распыления, где материал маски и поверхность кремния в окне маски распыляются приблизительно с одинаковыми скоростями.
Процесс распыления выполняется на основании заранее определенных параметров E, θ и T. Распыление можно выполнять в камере сверхвысокого вакуума устройства анализа поверхности (например, типа PHI 660 фирмы "Перкин Илмер", США). Во время распыления контролируют сигнал вторичной ионной эмиссии от слоя 4 изолятора материала КНИ и распыление заканчивают, когда этот сигнал превысит заранее определенное пороговое значение, показывающее, что впадины СУВ достигли границы между кремнием и изолятором. Как показано на фиг. 1C, пороговое значение S можно соответственным образом определять как значение, при котором сигнал превышает среднее фоновое значение В на величину, равную двойной амплитуде сигнала шума N (то есть S = B+N).
Для компенсирования ионного заряда можно использовать электронную пушку малой энергии посредством облучения электронами распыляемого участка (как известно в области глубинного профилирования изоляторов).
Эти этапы приводят к образованию решетки 7 квантовых проводков на участке окна в маске. На фиг. 1D показана внутренняя структура решетки 7 во время изготовления при комнатной температуре, как описано выше. В случае изготовления при температуре 850 К внутренняя структура решетки 7 отличается от структуры решетки, получаемой при комнатной температуре. В случае изготовления при температуре 850 К авторы настоящего изобретения раскрыли, что длина волны СУВ уменьшается в 3,3 раза по сравнению с длиной волны, получаемой при аналогичных параметрах обработки при комнатной температуре. Однако толщина слоев и наклоны боковых сторон волн остаются такими же, как при комнатной температуре. Структура, полученная при температуре 850 К, не содержит кристаллических кремниевых зон 12. Горизонтальный размер зон 8 аморфного нитрида кремния уменьшается в 3,3 раза по сравнению с размерами, образованными в условиях комнатной температуры, а зоны 10 оксинитрида кремния не разделяются. В этом случае зоны 9 можно считать квантовыми проводками после отжига, как описано выше, изолированными друг от друга зонами 8.
После завершения процесса распыления изделие соответствующим образом отжигают в инертной окружающей среде при температуре 1000-1200oC в течение, по меньшей мере, одного часа с последующим высокотемпературным окислением. Процесс отжига дает зоны включения 9 смеси аморфного кремния, эффективно обедненного азота, приводящие к образованию четкого обрезания границ нитрида вокруг зон 9. Кроме того, зоны 9 преобразуются в кристаллический кремний. Этап высокотемпературного окисления может быть аналогичным процессам окисления, используемым при изготовлении оксидных слоев затворов, как это известно в области изготовления полупроводниковых устройств.
Из вышесказанного можно видеть, что кремниевые квантовые проводки решетки, полученной посредством настоящего изобретения, можно образовать одним из трех основных способов. Во-первых, в случае распыления при комнатной температуре, распыленная структура содержит зоны 12 кристаллического кремния, которые можно считать квантовыми проводками, изолированными друг от друга зонами 8. Во-вторых, если структуру, распыленную при комнатной температуре, впоследствии подвергнуть отжигу, то зоны 9 преобразуются в кристаллический кремний и также могут считаться квантовыми проводками. В этом случае увеличивается также объем зон 12, сливаясь с зонами 9, причем квантовые проводки и здесь взаимно изолированы зонами 8. В-третьих, в случае распыления решетки при температуре 850 К распыленная структура не содержит никаких зон 12 кристаллического кремния, причем последующий отжиг преобразует зоны 9 в кристаллический кремний и образует, таким образом, квантовые проводки решетки, изолированные друг от друга зонами 8.
Отжиг расширяет также самые нижние угловые части зон 8, улучшая изолирование зон 9 во всех описанных выше случаях.
Из вышеприведенного описания следует понимать, что решетки квантовых проводов с длиной волны в диапазоне примерно 30-120 нм можно образовывать посредством распыления при комнатной температуре, а уменьшение длины волны примерно до 9 нм можно получить посредством повышения температуры материала во время распыления выше примерно 550 К, причем минимальные длины волн получаются при температуре примерно 850 К. В зависимости от параметров процесса СУВ, полученная посредством распыления, может включать в себя зоны 12 кристаллического кремния, которые могут обеспечить полезные взаимно изолированные квантовые проводки. Там, где сама распыленная структура не включает в себя такие зоны 12, квантовые проводки образуются в зонах 9 посредством последующего отжига распыленного изделия, причем такой отжиг предпочитается независимо от того, включает ли в себя или нет распыленное изделие зоны 12.
Фиг. 2 и 3 иллюстрируют процесс изготовления устройства (полевого транзистора в этом случае), включающего в себя решетку 7 квантовых проводков, образованную описываемым до сих пор процессом. Фиг. 2A иллюстрирует маскировочный слой 1, определяющий окно в маске на материале КНИ перед распылением, как описано выше. На фиг. 2B показана решетка 7 квантовых проводков, образованная в кремниевом слое 6 так же, как описано выше.
Фиг. 2C иллюстрирует первый этап образования полевого транзистора, включающего в себя решетку 7 квантовых проводков, описанный выше этап высокотемпературного окисления образует тонкий изоляционный слой 28 на поверхности распыленного изделия. Используя известные способы литографии, на верхнюю часть слоя изолятора наносят участок прямоугольной формы 30 поликристаллического кремния, проходящий поперек ширины решетки 7. Длина L решетки 7 может быть больше ширины W участка 30 поликристаллического кремния. Затем можно опять производить травление участка, окружающего участок 30 поликристаллического кремния, до КНИ, оставляя слой 4 изолятора. Затем, посредством литографии травят концы участка 30 поликристаллического кремния так, чтобы оставить кремниевые контактные площадки 36 и 38 у каждого конца решетки 7 и металлизировать контактные площадки 36 и 38, как видно на фиг. 2D, где позицией 17 показана решетка 7 после травления, уменьшенная по длине от L до W.
Следует понимать, что после изготовления решетки квантовых проводков, можно изготавливать устройства, включающие в себя решетку, посредством любого из различных обычных методов изготовления полупроводниковых устройств.
Фиг. 2D и 3 иллюстрируют устройство полевого транзистора, образованное, как описано выше. На фиг. 2D и 3 позицией 32 показан оксидный слой изолятора, а позицией 34 показан слой поликристаллического кремния, оставшийся после травления соответствующих слоев 28 и 30 фиг. 2C. На фиг. 3 слои 32 и 34 показаны частично удаленными для открывания расположенной ниже решетки 7 квантовых проводков, только для целей иллюстрирования. На фиг. 2D можно видеть, что слои 32 и 34 идут до контактных площадок 36 и 38.
Изобретение позволяет изготавливать устройства этого типа, имеющие размеры меньше, чем можно было получать прежде, и (или) с улучшенными повторяемостью результатов и качеством конечной продукции.
До сих пор описывалось изобретение с конкретной ссылкой на образование решетки квантовых проводков на основании структур с упорядоченными волнами (СУВ), образованными распылением. Однако СУВ, образованную основным процессом распыления, можно также использовать в качестве маски для ионной имплантации (например, низкоэнергетической имплантации ионов фосфора) в кремний для квантовых компьютерных применений. Ионная имплантация представляет собой основной способ введения атомов примесей в сверхбольших интегральных схемах (СБИС). Для образования двумерных распространений примесей обычно используют маскировочные слои с окнами. После ионной имплантации обычно следует отжиг для электрической активизации примесей и для восстановления кристаллической структуры полупроводника. Например, если СУВ образуют, как показано на фиг. 1D, то после высокотемпературного отжига, зоны 8 могут служить в качестве маски, позволяющей осуществлять селективную ионную имплантацию в правую сторону зон 9 (направление потока низкоэнергетических ионов, нормальное к поверхности материала). Такой процесс ионной имплантации дает картину чередующихся полосок с присадками, имеющих такой же период, как СУВ. Используя период СУВ, равный примерно 10 нм или меньше, образованные таким образом полоски с фосфорной добавкой позволяют осуществлять достаточно тесные взаимодействия такого типа, которые требуются для квантовых компьютерных применений. Ионную имплантацию можно также использовать в качестве альтернативного способа образования решетки квантовых проводков, используя СУВ в качестве маски.
Можно вносить улучшения и модификации, не выходя при этом за рамки объема изобретения, определяемые в прилагаемой формуле изобретения.

Claims (12)

1. Способ образования кремниевой наноструктуры, содержащий следующие этапы: распыление кремниевой поверхности посредством равномерного потока ионов молекул азота в сверхвысоком вакууме с целью образования периодического волнообразного рельефа, где фронт волны упомянутого рельефа проходит в направлении плоскости падения ионов, дополнительно включает в себя перед распылением следующие этапы: выбор необходимой длины волны периодического волнообразного рельефа в диапазоне от 9 до 120 нм, определение энергии ионов, угла падения ионов к поверхности упомянутого материала, температуры упомянутого кремния, глубины образования упомянутого волнообразного рельефа, высоты упомянутого волнообразного рельефа и диапазона проникновения ионов в кремний, и все это на основе упомянутой выбранной длины волны.
2. Способ по п.1, в котором упомянутая энергия ионов, упомянутый угол падения ионов, упомянутая температура упомянутого кремния, упомянутая глубина образования и упомянутая высота упомянутого волнообразного рельефа определяются на основании предварительно полученных эмпирических данных, связывающих упомянутую энергию ионов, упомянутый угол падения ионов, упомянутую температуру упомянутого кремния, упомянутую глубину образования и упомянутую высоту упомянутого волнообразного рельефа с длиной волны упомянутого периодического волнообразного рельефа, и в котором упомянутый диапазон проникновения ионов определяется из упомянутой энергии ионов.
3. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя перед распылением, этап размещения маски из нитрида кремния, содержащей окно со свисающими кромками на упомянутой кремниевой поверхности над участком распыления, и распыления упомянутой кремниевой поверхности через упомянутое окно.
4. Способ по п. 1, дополнительно включающий в себя перед распылением, этап удаления любых загрязнений с поверхности упомянутого кремниевого слоя, на котором должен быть образован упомянутый волнообразный рельеф.
5. Способ по п.1, дополнительно включающий в себя, после распыления отжиг материала с упомянутым рельефом в инертной окружающей среде.
6. Способ по п. 1, в котором материал отжигают при температуре 1000 - 1200°С в течение, по меньшей мере, 1 ч.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, в котором упомянутая кремниевая наноструктура содержит решетку кремниевых квантовых проводков, а упомянутый кремний содержит кремниевый слой из материала "кремний на изоляторе", и дополнительно включает в себя выбор толщины упомянутого кремниевого слоя большего, чем сумма упомянутой глубины образования упомянутого волнообразного рельефа, упомянутой высоты упомянутого волнообразного рельефа и упомянутого диапазона проникновения ионов.
8. Способ по п.7, дополнительно включающий в себя во время распыления обнаружение сигнала вторичной ионной эмиссии из изоляционного слоя упомянутого материала "кремний на изоляторе", и завершение распыления, когда величина обнаруженного сигнала достигает предварительно определенного порогового значения.
9. Способ по п.8, в котором упомянутое пороговое значение упомянутого сигнала вторичной ионной эмиссии является таким значением, при котором сигнал превышает среднее фоновое значение на величину, равную двойной амплитуде шумовой составляющей сигнала.
10. Оптоэлектронное устройство, включающее в себя решетку квантовых проводков, образованную способом по п.7.
11. Электронное устройство, включающее в себя решетку квантовых проводков, образованную способом по п.7.
12. Электронное устройство по п.11, содержащее кремниевые контактные площадки, соединенные упомянутой решеткой кремниевых квантовых проводков, изоляционный слой, размещенный на упомянутой решетке квантовых проводков, и электрод, расположенный на упомянутом изоляторе.
RU99124768/28A 1999-11-25 1999-11-25 Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств RU2173003C2 (ru)

Priority Applications (23)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99124768/28A RU2173003C2 (ru) 1999-11-25 1999-11-25 Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств
US09/525,722 US6274007B1 (en) 1999-11-25 2000-03-14 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
EP00302277A EP1104011A1 (en) 1999-11-25 2000-03-21 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based theron
JP2000079824A JP2001156050A (ja) 1999-11-25 2000-03-22 シリコンナノ構造の形成方法、シリコン量子細線配列、及びその上に基礎をおくデバイス
MXPA02005281A MXPA02005281A (es) 1999-11-25 2000-10-02 Metodos de formacion de una nanostructura de silicon, una formacion de alambre de silicon quantum y desenos basados en estos.
CA002392307A CA2392307A1 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
KR1020027006725A KR20020069195A (ko) 1999-11-25 2000-10-02 실리콘 나노구조, 실리콘 양자세선 어레이 및 그에 기초한소자 형성방법
SK744-2002A SK7442002A3 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
HR20020459A HRP20020459A2 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
PL00355890A PL355890A1 (pl) 1999-11-25 2000-10-02 Sposób formowania nanostruktury krzemowej, układukrzemowych kwantowych nanodrutów i urządzenia oparte na nim
CZ20021824A CZ20021824A3 (cs) 1999-11-25 2000-10-02 Způsob vytváření křemíkové nano@struktury a elektronický prvek vytvořený tímto způsobem
AU75474/00A AU7547400A (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
IL14983200A IL149832A0 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
CN00816289A CN1399791A (zh) 1999-11-25 2000-10-02 硅毫微结构,硅量子线阵列的形成方法,以及基于此的设备
BR0016095-4A BR0016095A (pt) 1999-11-25 2000-10-02 Métodos para a moldagem de uma nanoestrutura de silicone, um vetor de fios quânticos de silicone e dispositivos baseados nos mesmos
HU0203517A HUP0203517A2 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
EEP200200261A EE200200261A (et) 1999-11-25 2000-10-02 Meetod räninanostruktuuri, ränikvantviikude massiivi ning sellel baseeruvate komponentide formeerimiseks
PCT/IB2000/001397 WO2001039259A1 (en) 1999-11-25 2000-10-02 Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
NO20022427A NO20022427L (no) 1999-11-25 2002-05-22 Fremgangsmåter for dannelse av en silisium nanostruktur, en silisium kvantetråd i rekke (array) og innretninger på basis derav
YU38202A YU38202A (sh) 1999-11-25 2002-05-24 Metode obrazovanja silikonske nanostrukture, snopa silikonskih kvantnih žica i uređaja zasnovanih na njima
IS6393A IS6393A (is) 1999-11-25 2002-05-24 Aðferðir til að framleiða kísilörsmið, kísilskammtavírafylki og tæki, sem byggja á þessu
BG106739A BG106739A (bg) 1999-11-25 2002-05-27 Метод за образуване на силициева наноструктура, силициева квантова проводима решетка и устройства базиращи се на тях
ZA200204822A ZA200204822B (en) 1999-11-25 2002-06-14 Methods of formation of silicon nanostructure, a silicon quantum wire arry and devices based thereon.

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU99124768/28A RU2173003C2 (ru) 1999-11-25 1999-11-25 Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2173003C2 true RU2173003C2 (ru) 2001-08-27
RU99124768A RU99124768A (ru) 2001-08-27

Family

ID=20227346

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU99124768/28A RU2173003C2 (ru) 1999-11-25 1999-11-25 Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств

Country Status (23)

Country Link
US (1) US6274007B1 (ru)
EP (1) EP1104011A1 (ru)
JP (1) JP2001156050A (ru)
KR (1) KR20020069195A (ru)
CN (1) CN1399791A (ru)
AU (1) AU7547400A (ru)
BG (1) BG106739A (ru)
BR (1) BR0016095A (ru)
CA (1) CA2392307A1 (ru)
CZ (1) CZ20021824A3 (ru)
EE (1) EE200200261A (ru)
HR (1) HRP20020459A2 (ru)
HU (1) HUP0203517A2 (ru)
IL (1) IL149832A0 (ru)
IS (1) IS6393A (ru)
MX (1) MXPA02005281A (ru)
NO (1) NO20022427L (ru)
PL (1) PL355890A1 (ru)
RU (1) RU2173003C2 (ru)
SK (1) SK7442002A3 (ru)
WO (1) WO2001039259A1 (ru)
YU (1) YU38202A (ru)
ZA (1) ZA200204822B (ru)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2212375C1 (ru) * 2002-11-04 2003-09-20 Фонд развития новых медицинских технологий "АЙРЭС" Способ получения тонких пленок с фрактальной структурой
RU2214359C1 (ru) * 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке
RU2240280C1 (ru) * 2003-10-10 2004-11-20 Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты)
RU2338683C2 (ru) * 2004-01-29 2008-11-20 Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн Вертикальная структура полупроводникового устройства и способ ее формирования
RU2342315C2 (ru) * 2004-01-29 2008-12-27 Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн Вертикальные структуры полупроводниковых устройств с использованием нанотрубок и способы их формирования
US7768018B2 (en) 2003-10-10 2010-08-03 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
WO2013089578A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-20 Wostec, Inc. Sers-sensor with nanostructured surface and methods of making and using
US8859888B2 (en) 2011-07-06 2014-10-14 Wostec, Inc. Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using
US9134250B2 (en) 2012-03-23 2015-09-15 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using
US9224918B2 (en) 2011-08-05 2015-12-29 Wostec, Inc. 032138/0242 Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using
WO2015199573A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
US9500789B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
US9653627B2 (en) 2012-01-18 2017-05-16 Wostec, Inc. Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using
US10672427B2 (en) 2016-11-18 2020-06-02 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
CN114497275A (zh) * 2021-12-29 2022-05-13 昆明物理研究所 硅量子点光伏异质结制备方法
US11371134B2 (en) 2017-02-27 2022-06-28 Wostec, Inc. Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using
RU2825815C1 (ru) * 2024-02-05 2024-08-30 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Чеченский Государственный Университет Имени Ахмата Абдулхамидовича Кадырова" Способ отжига полупроводниковых структур

Families Citing this family (96)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2191444C1 (ru) * 2001-10-09 2002-10-20 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом
US6872645B2 (en) * 2002-04-02 2005-03-29 Nanosys, Inc. Methods of positioning and/or orienting nanostructures
RU2204179C1 (ru) * 2002-08-19 2003-05-10 Общество с ограниченной ответственностью "Агентство маркетинга научных разработок" Способ формирования нанорельефа на поверхности пленок
US7135728B2 (en) * 2002-09-30 2006-11-14 Nanosys, Inc. Large-area nanoenabled macroelectronic substrates and uses therefor
US7619562B2 (en) * 2002-09-30 2009-11-17 Nanosys, Inc. Phased array systems
EP1547139A4 (en) * 2002-09-30 2009-08-26 Nanosys Inc LARGE AREA, NANO-READY MACROELECTRONIC SUBSTRATES AND USES THEREOF
US7067867B2 (en) * 2002-09-30 2006-06-27 Nanosys, Inc. Large-area nonenabled macroelectronic substrates and uses therefor
KR101043578B1 (ko) * 2002-09-30 2011-06-23 나노시스, 인크. 나노와이어 트랜지스터를 사용하는 집적 디스플레이
US7051945B2 (en) * 2002-09-30 2006-05-30 Nanosys, Inc Applications of nano-enabled large area macroelectronic substrates incorporating nanowires and nanowire composites
US20040266116A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Rj Mears, Llc Methods of fabricating semiconductor structures having improved conductivity effective mass
US7531828B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice between at least one pair of spaced apart stress regions
US20050282330A1 (en) * 2003-06-26 2005-12-22 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers
US7535041B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-19 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance
US7586116B2 (en) * 2003-06-26 2009-09-08 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice
US7586165B2 (en) * 2003-06-26 2009-09-08 Mears Technologies, Inc. Microelectromechanical systems (MEMS) device including a superlattice
US7227174B2 (en) * 2003-06-26 2007-06-05 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction
US20060273299A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-07 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a dopant blocking superlattice
US7045813B2 (en) * 2003-06-26 2006-05-16 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction
US20060289049A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-28 Rj Mears, Llc Semiconductor Device Having a Semiconductor-on-Insulator (SOI) Configuration and Including a Superlattice on a Thin Semiconductor Layer
US7531829B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including regions of band-engineered semiconductor superlattice to reduce device-on resistance
US20070063185A1 (en) * 2003-06-26 2007-03-22 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer
US20060292765A1 (en) * 2003-06-26 2006-12-28 Rj Mears, Llc Method for Making a FINFET Including a Superlattice
US7153763B2 (en) 2003-06-26 2006-12-26 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including band-engineered superlattice using intermediate annealing
US7045377B2 (en) * 2003-06-26 2006-05-16 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice and adjacent semiconductor layer with doped regions defining a semiconductor junction
US20060267130A1 (en) * 2003-06-26 2006-11-30 Rj Mears, Llc Semiconductor Device Including Shallow Trench Isolation (STI) Regions with a Superlattice Therebetween
US7659539B2 (en) 2003-06-26 2010-02-09 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a floating gate memory cell with a superlattice channel
US7202494B2 (en) * 2003-06-26 2007-04-10 Rj Mears, Llc FINFET including a superlattice
US7612366B2 (en) * 2003-06-26 2009-11-03 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice layer above a stress layer
US20070020860A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-25 Rj Mears, Llc Method for Making Semiconductor Device Including a Strained Superlattice and Overlying Stress Layer and Related Methods
US7446002B2 (en) * 2003-06-26 2008-11-04 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer
US20070020833A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-25 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Channel with a Non-Semiconductor Layer Monolayer
US6958486B2 (en) * 2003-06-26 2005-10-25 Rj Mears, Llc Semiconductor device including band-engineered superlattice
US20060231857A1 (en) * 2003-06-26 2006-10-19 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (ndr) device
US7491587B2 (en) * 2003-06-26 2009-02-17 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator (SOI) configuration and including a superlattice on a thin semiconductor layer
US7598515B2 (en) * 2003-06-26 2009-10-06 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a strained superlattice and overlying stress layer and related methods
US7514328B2 (en) * 2003-06-26 2009-04-07 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with a superlattice therebetween
US7531850B2 (en) * 2003-06-26 2009-05-12 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a memory cell with a negative differential resistance (NDR) device
US20070010040A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-11 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Layer Above a Stress Layer
US7229902B2 (en) * 2003-06-26 2007-06-12 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a superlattice with regions defining a semiconductor junction
US20070015344A1 (en) * 2003-06-26 2007-01-18 Rj Mears, Llc Method for Making a Semiconductor Device Including a Strained Superlattice Between at Least One Pair of Spaced Apart Stress Regions
US20040262594A1 (en) * 2003-06-26 2004-12-30 Rj Mears, Llc Semiconductor structures having improved conductivity effective mass and methods for fabricating same
US20050279991A1 (en) * 2003-06-26 2005-12-22 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a superlattice having at least one group of substantially undoped layers
US20060011905A1 (en) * 2003-06-26 2006-01-19 Rj Mears, Llc Semiconductor device comprising a superlattice dielectric interface layer
US7033437B2 (en) * 2003-06-26 2006-04-25 Rj Mears, Llc Method for making semiconductor device including band-engineered superlattice
AU2004300982B2 (en) * 2003-06-26 2007-10-25 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including MOSFET having band-engineered superlattice
US20060243964A1 (en) * 2003-06-26 2006-11-02 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device having a semiconductor-on-insulator configuration and a superlattice
US20070063186A1 (en) * 2003-06-26 2007-03-22 Rj Mears, Llc Method for making a semiconductor device including a front side strained superlattice layer and a back side stress layer
US20060220118A1 (en) * 2003-06-26 2006-10-05 Rj Mears, Llc Semiconductor device including a dopant blocking superlattice
RU2250535C1 (ru) * 2003-08-14 2005-04-20 Институт физики полупроводников Объединенного института физики полупроводников СО РАН Полевой нанотранзистор
DE10351059B4 (de) * 2003-10-31 2007-03-01 Roth & Rau Ag Verfahren und Vorrichtung zur Ionenstrahlbearbeitung von Oberflächen
US20110039690A1 (en) 2004-02-02 2011-02-17 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US8025960B2 (en) * 2004-02-02 2011-09-27 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US7553371B2 (en) 2004-02-02 2009-06-30 Nanosys, Inc. Porous substrates, articles, systems and compositions comprising nanofibers and methods of their use and production
US20050279274A1 (en) * 2004-04-30 2005-12-22 Chunming Niu Systems and methods for nanowire growth and manufacturing
US7785922B2 (en) 2004-04-30 2010-08-31 Nanosys, Inc. Methods for oriented growth of nanowires on patterned substrates
CN101010780B (zh) * 2004-04-30 2012-07-25 纳米系统公司 纳米线生长和获取的体系和方法
JP2008506254A (ja) * 2004-07-07 2008-02-28 ナノシス・インコーポレイテッド ナノワイヤーの集積及び組み込みのためのシステムおよび方法
US7345307B2 (en) * 2004-10-12 2008-03-18 Nanosys, Inc. Fully integrated organic layered processes for making plastic electronics based on conductive polymers and semiconductor nanowires
US7473943B2 (en) * 2004-10-15 2009-01-06 Nanosys, Inc. Gate configuration for nanowire electronic devices
RU2267832C1 (ru) * 2004-11-17 2006-01-10 Александр Викторович Принц Способ изготовления микро- и наноприборов на локальных подложках
CA2585009C (en) 2004-11-24 2014-09-30 Nanosys, Inc. Contact doping and annealing systems and processes for nanowire thin films
US7351346B2 (en) * 2004-11-30 2008-04-01 Agoura Technologies, Inc. Non-photolithographic method for forming a wire grid polarizer for optical and infrared wavelengths
US7561332B2 (en) * 2004-11-30 2009-07-14 Agoura Technologies, Inc. Applications and fabrication techniques for large scale wire grid polarizers
US7560366B1 (en) 2004-12-02 2009-07-14 Nanosys, Inc. Nanowire horizontal growth and substrate removal
KR100624461B1 (ko) * 2005-02-25 2006-09-19 삼성전자주식회사 나노 와이어 및 그 제조 방법
US7604690B2 (en) * 2005-04-05 2009-10-20 Wostec, Inc. Composite material for ultra thin membranes
WO2007038164A2 (en) * 2005-09-23 2007-04-05 Nanosys, Inc. Methods for nanostructure doping
RU2300158C1 (ru) * 2005-09-29 2007-05-27 Институт микроэлектроники и информатики РАН Способ формирования субмикронной и нанометровой структуры
US7517702B2 (en) * 2005-12-22 2009-04-14 Mears Technologies, Inc. Method for making an electronic device including a poled superlattice having a net electrical dipole moment
WO2007076008A2 (en) * 2005-12-22 2007-07-05 Mears Technologies, Inc Electronic device including a poled superlattice having a net electrical dipole moment and associated methods
CN101331590B (zh) * 2005-12-29 2011-04-20 纳米系统公司 用于在有图案基底上取向生长纳米线的方法
US7741197B1 (en) 2005-12-29 2010-06-22 Nanosys, Inc. Systems and methods for harvesting and reducing contamination in nanowires
WO2007098138A2 (en) * 2006-02-21 2007-08-30 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device comprising a lattice matching layer and associated methods
FI122010B (fi) * 2006-08-09 2011-07-15 Konstantin Arutyunov Ionisuihkuetsausmenetelmä ja -laitteisto
KR20090087467A (ko) * 2006-11-07 2009-08-17 나노시스, 인크. 나노와이어 성장 시스템 및 방법
KR100836426B1 (ko) * 2006-11-24 2008-06-09 삼성에스디아이 주식회사 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조방법과 이를 포함한메모리 장치
US7786024B2 (en) * 2006-11-29 2010-08-31 Nanosys, Inc. Selective processing of semiconductor nanowires by polarized visible radiation
US20080129930A1 (en) * 2006-12-01 2008-06-05 Agoura Technologies Reflective polarizer configuration for liquid crystal displays
US7781827B2 (en) 2007-01-24 2010-08-24 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device with a vertical MOSFET including a superlattice and related methods
US7928425B2 (en) * 2007-01-25 2011-04-19 Mears Technologies, Inc. Semiconductor device including a metal-to-semiconductor superlattice interface layer and related methods
US7880161B2 (en) * 2007-02-16 2011-02-01 Mears Technologies, Inc. Multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice
US7863066B2 (en) * 2007-02-16 2011-01-04 Mears Technologies, Inc. Method for making a multiple-wavelength opto-electronic device including a superlattice
US7812339B2 (en) * 2007-04-23 2010-10-12 Mears Technologies, Inc. Method for making a semiconductor device including shallow trench isolation (STI) regions with maskless superlattice deposition following STI formation and related structures
US8668833B2 (en) * 2008-05-21 2014-03-11 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Method of forming a nanostructure
US10490817B2 (en) 2009-05-19 2019-11-26 Oned Material Llc Nanostructured materials for battery applications
US8623288B1 (en) 2009-06-29 2014-01-07 Nanosys, Inc. Apparatus and methods for high density nanowire growth
CN102386096A (zh) * 2010-08-31 2012-03-21 上海华虹Nec电子有限公司 改善ldmos性能一致性和稳定性的方法
CN106104805B (zh) 2013-11-22 2020-06-16 阿托梅拉公司 包括超晶格穿通停止层堆叠的垂直半导体装置和相关方法
CN105900241B (zh) 2013-11-22 2020-07-24 阿托梅拉公司 包括超晶格耗尽层堆叠的半导体装置和相关方法
WO2015191561A1 (en) 2014-06-09 2015-12-17 Mears Technologies, Inc. Semiconductor devices with enhanced deterministic doping and related methods
US9722046B2 (en) 2014-11-25 2017-08-01 Atomera Incorporated Semiconductor device including a superlattice and replacement metal gate structure and related methods
EP3284106B1 (en) 2015-05-15 2021-12-22 Atomera Incorporated Methods of forming semiconductor devices with superlattice layers providing halo implant peak confinement
US9721790B2 (en) 2015-06-02 2017-08-01 Atomera Incorporated Method for making enhanced semiconductor structures in single wafer processing chamber with desired uniformity control
US9558939B1 (en) 2016-01-15 2017-01-31 Atomera Incorporated Methods for making a semiconductor device including atomic layer structures using N2O as an oxygen source
RU2671294C1 (ru) * 2017-11-28 2018-10-30 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет" Способ изготовления полупроводникового прибора
CN110137254B (zh) * 2019-04-30 2021-07-09 中国科学技术大学 半导体栅极电控量子点及其制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244140A2 (en) * 1986-04-21 1987-11-04 Hitachi, Ltd. A semiconductor device with periodic structure
WO1990003659A1 (en) * 1988-09-30 1990-04-05 Imperial College Of Science, Technology & Medicine Fabrication of semiconductor nanostructures
RU2007786C1 (ru) * 1991-06-26 1994-02-15 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Бистабильный абсорбционный оптоэлектронный прибор
RU2007783C1 (ru) * 1991-10-02 1994-02-15 Борис Михайлович Овчинников Способ создания наноструктур
WO1995002259A1 (en) * 1993-07-07 1995-01-19 Huth Gerald C An optically interactive nanostructure
RU2062530C1 (ru) * 1992-03-12 1996-06-20 Борис Сергеевич Павлов Квантово-интерференционный транзистор
RU2141699C1 (ru) * 1997-09-30 1999-11-20 Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" Способ формирования твердотельных наноструктур

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0244140A2 (en) * 1986-04-21 1987-11-04 Hitachi, Ltd. A semiconductor device with periodic structure
WO1990003659A1 (en) * 1988-09-30 1990-04-05 Imperial College Of Science, Technology & Medicine Fabrication of semiconductor nanostructures
RU2007786C1 (ru) * 1991-06-26 1994-02-15 Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН Бистабильный абсорбционный оптоэлектронный прибор
RU2007783C1 (ru) * 1991-10-02 1994-02-15 Борис Михайлович Овчинников Способ создания наноструктур
RU2062530C1 (ru) * 1992-03-12 1996-06-20 Борис Сергеевич Павлов Квантово-интерференционный транзистор
WO1995002259A1 (en) * 1993-07-07 1995-01-19 Huth Gerald C An optically interactive nanostructure
RU2141699C1 (ru) * 1997-09-30 1999-11-20 Закрытое акционерное общество Центр "Анализ Веществ" Способ формирования твердотельных наноструктур

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
R.MARK BARDLEY, JAMES M.E. HARPER, Theory of ripple topography induced by ion bombardment, j. Vacuum Science Technology, 1988, v.6, № 4, h/2390-2395. *

Cited By (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2214359C1 (ru) * 2002-09-05 2003-10-20 Санкт-Петербургский государственный институт точной механики и оптики (технический университет) Способ формирования решетки нанокластеров кремния на структурированной подложке
RU2212375C1 (ru) * 2002-11-04 2003-09-20 Фонд развития новых медицинских технологий "АЙРЭС" Способ получения тонких пленок с фрактальной структурой
US8426320B2 (en) 2003-10-10 2013-04-23 Wostec, Inc. Method of formation of coherent wavy nanostructures (variants)
RU2240280C1 (ru) * 2003-10-10 2004-11-20 Ворлд Бизнес Ассошиэйтс Лимитед Способ формирования упорядоченных волнообразных наноструктур (варианты)
US8859440B2 (en) 2003-10-10 2014-10-14 Wostec, Inc. Method of formation of coherent wavy nanostructures (variants)
US7768018B2 (en) 2003-10-10 2010-08-03 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
US7977252B2 (en) 2003-10-10 2011-07-12 Wostec, Inc. Method of formation of coherent wavy nanostructures (variants)
RU2338683C2 (ru) * 2004-01-29 2008-11-20 Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн Вертикальная структура полупроводникового устройства и способ ее формирования
RU2342315C2 (ru) * 2004-01-29 2008-12-27 Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн Вертикальные структуры полупроводниковых устройств с использованием нанотрубок и способы их формирования
US8859888B2 (en) 2011-07-06 2014-10-14 Wostec, Inc. Solar cell with nanostructured layer and methods of making and using
US9224918B2 (en) 2011-08-05 2015-12-29 Wostec, Inc. 032138/0242 Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using
US9660142B2 (en) 2011-08-05 2017-05-23 Wostec, Inc. Light emitting diode with nanostructured layer and methods of making and using
WO2013089578A1 (en) * 2011-12-12 2013-06-20 Wostec, Inc. Sers-sensor with nanostructured surface and methods of making and using
US9057704B2 (en) 2011-12-12 2015-06-16 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured surface and methods of making and using
US9653627B2 (en) 2012-01-18 2017-05-16 Wostec, Inc. Arrangements with pyramidal features having at least one nanostructured surface and methods of making and using
US9134250B2 (en) 2012-03-23 2015-09-15 Wostec, Inc. SERS-sensor with nanostructured layer and methods of making and using
US9500789B2 (en) 2013-03-13 2016-11-22 Wostec, Inc. Polarizer based on a nanowire grid
WO2015199573A1 (en) * 2014-06-26 2015-12-30 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
US10879082B2 (en) 2014-06-26 2020-12-29 Wostec, Inc. Wavelike hard nanomask on a topographic feature and methods of making and using
US10672427B2 (en) 2016-11-18 2020-06-02 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
US11037595B2 (en) 2016-11-18 2021-06-15 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
US11308987B2 (en) 2016-11-18 2022-04-19 Wostec, Inc. Optical memory devices using a silicon wire grid polarizer and methods of making and using
US11371134B2 (en) 2017-02-27 2022-06-28 Wostec, Inc. Nanowire grid polarizer on a curved surface and methods of making and using
CN114497275A (zh) * 2021-12-29 2022-05-13 昆明物理研究所 硅量子点光伏异质结制备方法
RU2825815C1 (ru) * 2024-02-05 2024-08-30 Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Чеченский Государственный Университет Имени Ахмата Абдулхамидовича Кадырова" Способ отжига полупроводниковых структур

Also Published As

Publication number Publication date
CZ20021824A3 (cs) 2004-10-13
NO20022427D0 (no) 2002-05-22
YU38202A (sh) 2006-08-17
KR20020069195A (ko) 2002-08-29
CN1399791A (zh) 2003-02-26
PL355890A1 (pl) 2004-05-31
IS6393A (is) 2002-05-24
EP1104011A1 (en) 2001-05-30
BG106739A (bg) 2003-08-29
AU7547400A (en) 2001-06-04
EE200200261A (et) 2003-08-15
HUP0203517A2 (en) 2003-07-28
SK7442002A3 (en) 2003-05-02
ZA200204822B (en) 2003-11-26
CA2392307A1 (en) 2001-05-31
IL149832A0 (en) 2002-11-10
HRP20020459A2 (en) 2005-10-31
WO2001039259A1 (en) 2001-05-31
MXPA02005281A (es) 2006-02-10
JP2001156050A (ja) 2001-06-08
US6274007B1 (en) 2001-08-14
BR0016095A (pt) 2004-03-23
NO20022427L (no) 2002-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2173003C2 (ru) Способ образования кремниевой наноструктуры, решетки кремниевых квантовых проводков и основанных на них устройств
US4861622A (en) Method for forming a film coat on the inside of a depression
TWI408701B (zh) 利用氣體團簇離子束修正工作件之特徵部的方法
KR20010078345A (ko) 규소계 장치를 위한 고유전율의 게이트 산화물
KR100193402B1 (ko) 불순물 농도 프로파일 측정방법
EP3206232A1 (en) Method for obtaining a graphene-based fet, in particular a memory fet, equipped with an embedded dielectric element made by fluorination
NL8204152A (nl) Werkwijze voor het bepalen van kenmerken kleiner dan een micrometer in halfgeleiderorganen.
JP3911658B2 (ja) 半導体装置の製造方法
RU2191444C1 (ru) Способ изготовления полевого транзистора с периодически легированным каналом
JPWO2000055900A1 (ja) イオン電流密度測定方法および測定装置並びに半導体デバイス製造方法
TW478013B (en) Method of formation of nano-structures on the surface of silicon
Ford et al. Fabrication of self-aligned metallic Coulomb blockade devices on Si nanowires
HK1053906A (en) Methods of formation of a silicon nanostructure, a silicon quantum wire array and devices based thereon
JP4014753B2 (ja) 半導体装置の製造方法および膜厚測定方法
JP2004241582A (ja) 半導体ウェーハ表面近傍のドーパント濃度測定方法
Gurovich et al. Formation of monocrystalline silicon nanowires using low-energy ion irradiation
Levin et al. Charge distribution in a MIS insulator from spectral characteristics of photoemission current
JP2667979B2 (ja) チャネリングイオン注入法
Katsidis et al. Optical characterization of doped Simox structures using FTIR spectroscopy
SU763751A1 (ru) Способ контрол поверхностного сло полупроводникового монокристалла
Daley et al. Ultra shallow Sb doped layer formation in Si (001) by the use of recoil implantation
Amirov et al. Implantation of low-energy boron ions into silicon from a low-temperature high-density Ar+ BF3 plasma
JP2991166B2 (ja) 半導体における不純物濃度プロファイルの測定方法及び測定装置
Shah et al. Pulsed laser recrystallization of polysilicon: analysis via a novel SEM technique
Dziuba The effect of the presence of fluorine on aging characteristics of N-channel MOS transistors with respect to immunity to hot electron degradation of the SiSiO2 interface

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20041126