RU2015153457A - Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры - Google Patents

Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры Download PDF

Info

Publication number
RU2015153457A
RU2015153457A RU2015153457A RU2015153457A RU2015153457A RU 2015153457 A RU2015153457 A RU 2015153457A RU 2015153457 A RU2015153457 A RU 2015153457A RU 2015153457 A RU2015153457 A RU 2015153457A RU 2015153457 A RU2015153457 A RU 2015153457A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
chemical
mechanical polishing
composition
range
modified
Prior art date
Application number
RU2015153457A
Other languages
English (en)
Inventor
Йонгкинг ЛАН
Петер ПШИБЫЛЬСКИЙ
Женю БАО
Юлиан ПРЕЛЬСС
Original Assignee
Басф Се
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Басф Се filed Critical Басф Се
Publication of RU2015153457A publication Critical patent/RU2015153457A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1436—Composite particles, e.g. coated particles
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Claims (27)

1. Композиция для химико-механической полировки, содержащая следующие компоненты:
(A) поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6;
(B) один или более полимеров, выбранных из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры;
(C) воду;
(D) необязательно одну или более других составляющих,
где значение рН композиции находится в интервале от 2 до 6.
2. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами или модифицированные сульфоновой кислотой.
3. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные металлатными ионами, выбранными из группы, включающей алюминат, станнат, цинкат и плюмбат.
4. Композиция для химико-механической полировки по п. 1, в которой поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом.
5. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой один, по меньшей мере один или все полимеры (В) имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
6. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой полимер (В) выбирается из группы, включающей N-винилпирролидоновые полимеры и N-винилпирролидон/N-винилимидазол сополимеры.
7. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- общее количество (А) поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, находится в интервале от 0,01 до 30 мас. % на основе общей массы композиции для СМР;
и/или
- общее количество (В) полимеров, выбранных из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры, находится в интервале от 0,01 до 3 мас. % на основе общей массы композиции для СМР.
8. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, в которой
- поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния компонента (А), имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, представляют собой частицы диоксида кремния, анионно модифицированные алюминатом или модифицированные сульфоновой кислотой,
и/или
- один, по меньшей мере один или все полимеры (В) имеют среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
9. Композиция для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-4, содержащая одну или более других составляющих в качестве компонента (D),
где одна или по меньшей мере одна или все другие составляющие компонента (D) выбираются из группы, включающей окисляющие агенты, абразивные вещества, отличные от поверхностно-модифицированных частиц диоксида кремния, имеющих отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6, стабилизаторы, поверхностно-активные вещества, средства, уменьшающие трение, буферные вещества.
10. Применение полимера, выбранного из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-винил-сополимеры в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, предпочтительно в качестве добавки для композиции для химико-механической полировки, содержащей поверхностно-модифицированные частицы диоксида кремния, имеющие отрицательный дзета-потенциал, равный -15 мВ или ниже при значении рН в интервале от 2 до 6.
11. Применение по п. 10, в котором полимер, выбранный из группы, включающей N-винил-гомополимеры и N-виниловые сополимеры, имеет среднюю молекулярную массу в интервале от 3000 г/моль до 100000 г/моль.
12. Способ получения полупроводниковых устройств, включающий химико-механическую полировку подложки или слоя в присутствии композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-9.
13. Способ по п. 12, в котором подложка или слой содержит одно или более III-V веществ.
14. Способ по п. 13, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества выбираются из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
15. Применение композиции для химико-механической полировки по любому одному из пп. 1-9 для полировки подложки или слоя, содержащих одно или более III-V веществ, где одно, по меньшей мере одно или все III-V вещества предпочтительно выбираются из группы, включающей из группы, включающей GaN, GaP, GaAs, GaSb, AlAs, AlN, InP, InAs, InSb, InGaAs, InAlAs, AlGaAs, GaAlN, GaInN, InGaAlAs, InGaAsP, InGaP, AlInP, GaAlSb, GaInSb, GaAlAsSb и GaInAsSb.
RU2015153457A 2013-05-15 2014-05-05 Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры RU2015153457A (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
EP13167872.4 2013-05-15
EP13167872 2013-05-15
PCT/IB2014/061200 WO2014184702A2 (en) 2013-05-15 2014-05-05 Chemical-mechanical polishing compositions comprising one or more polymers selected from the group consisting of n-vinyl-homopolymers and n-vinyl copolymers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2015153457A true RU2015153457A (ru) 2017-06-20

Family

ID=48366256

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015153457A RU2015153457A (ru) 2013-05-15 2014-05-05 Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры

Country Status (10)

Country Link
US (1) US10090159B2 (ru)
EP (1) EP2997102B1 (ru)
JP (2) JP2016522855A (ru)
KR (1) KR20160009579A (ru)
CN (1) CN105189676B (ru)
MY (1) MY177867A (ru)
RU (1) RU2015153457A (ru)
SG (1) SG11201509225VA (ru)
TW (1) TWI640611B (ru)
WO (1) WO2014184702A2 (ru)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI650392B (zh) * 2016-02-16 2019-02-11 美商卡博特微電子公司 Iii至v族材料拋光之方法
JP6928675B2 (ja) * 2017-05-25 2021-09-01 サン−ゴバン セラミックス アンド プラスティクス，インコーポレイティドＳａｉｎｔ−Ｇｏｂａｉｎ Ｃｅｒａｍｉｃｓ Ａｎｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ， Ｉｎｃ． セラミック材料の化学機械研磨のための酸化流体
US20200172759A1 (en) * 2018-12-04 2020-06-04 Cabot Microelectronics Corporation Composition and method for cobalt cmp
CN112552824B (zh) * 2019-09-26 2023-07-11 福吉米株式会社 研磨用组合物和研磨方法

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050118314A (ko) * 1999-06-18 2005-12-16 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 Ｃｍｐ연마제, 이것을 사용한 기판의 연마방법과반도체장치의 제조방법 및 ｃｍｐ연마제용 첨가제
JP4003116B2 (ja) 2001-11-28 2007-11-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US6776810B1 (en) * 2002-02-11 2004-08-17 Cabot Microelectronics Corporation Anionic abrasive particles treated with positively charged polyelectrolytes for CMP
US20040175942A1 (en) 2003-01-03 2004-09-09 Chang Song Y. Composition and method used for chemical mechanical planarization of metals
US7044836B2 (en) * 2003-04-21 2006-05-16 Cabot Microelectronics Corporation Coated metal oxide particles for CMP
US7514363B2 (en) * 2003-10-23 2009-04-07 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Chemical-mechanical planarization composition having benzenesulfonic acid and per-compound oxidizing agents, and associated method for use
TW200613485A (en) * 2004-03-22 2006-05-01 Kao Corp Polishing composition
US20070037892A1 (en) * 2004-09-08 2007-02-15 Irina Belov Aqueous slurry containing metallate-modified silica particles
JP4776269B2 (ja) 2005-04-28 2011-09-21 株式会社東芝 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法
JP2007207785A (ja) * 2006-01-30 2007-08-16 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物
EP1813656A3 (en) * 2006-01-30 2009-09-02 FUJIFILM Corporation Metal-polishing liquid and chemical mechanical polishing method using the same
US7691287B2 (en) * 2007-01-31 2010-04-06 Dupont Air Products Nanomaterials Llc Method for immobilizing ligands and organometallic compounds on silica surface, and their application in chemical mechanical planarization
JP2008192930A (ja) * 2007-02-06 2008-08-21 Fujifilm Corp 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法
JP2008280229A (ja) * 2007-04-13 2008-11-20 Hitachi Chem Co Ltd 表面修飾二酸化ケイ素粒子の製造法及び研磨液
US8157876B2 (en) 2007-07-31 2012-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Slurry composition containing non-ionic polymer and method for use
EP2181123A1 (de) 2007-08-21 2010-05-05 Basf Se Verfahren zur herstellung von vernetzten acrylsäure-polymeren
CN101815771A (zh) * 2007-10-05 2010-08-25 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 改进的碳化硅颗粒及其制造方法和使用方法
US20110081780A1 (en) * 2008-02-18 2011-04-07 Jsr Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing and chemical mechanical polishing method
US9382450B2 (en) * 2009-01-20 2016-07-05 Cabot Corporation Compositions comprising silane modified metal oxides
JP2010269985A (ja) 2009-05-22 2010-12-02 Fuso Chemical Co Ltd スルホン酸修飾水性アニオンシリカゾル及びその製造方法
WO2011093223A1 (ja) * 2010-01-29 2011-08-04 株式会社 フジミインコーポレーテッド 半導体ウェーハの再生方法及び研磨用組成物
SG182790A1 (en) 2010-02-01 2012-09-27 Jsr Corp Chemical mechanical polishing aqueous dispersion and chemical mechanical polishing method using same
JP5819076B2 (ja) * 2010-03-10 2015-11-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2011158718A1 (ja) * 2010-06-18 2011-12-22 日立化成工業株式会社 半導体基板用研磨液及び半導体ウエハの製造方法
JP5695367B2 (ja) * 2010-08-23 2015-04-01 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2012146970A (ja) * 2010-12-24 2012-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 研磨液及びこの研磨液を用いた基板の研磨方法
JP5907333B2 (ja) * 2011-08-22 2016-04-26 Jsr株式会社 化学機械研磨用水系分散体およびそれを用いた化学機械研磨方法
US8778211B2 (en) * 2012-07-17 2014-07-15 Cabot Microelectronics Corporation GST CMP slurries
JP5732601B2 (ja) * 2012-11-30 2015-06-10 ニッタ・ハース株式会社 研磨組成物
WO2014130935A1 (en) 2013-02-22 2014-08-28 Wertz Zachary R Shaving razor

Also Published As

Publication number Publication date
EP2997102A4 (en) 2017-01-25
US20150380263A1 (en) 2015-12-31
MY177867A (en) 2020-09-23
TW201504410A (zh) 2015-02-01
JP6810399B2 (ja) 2021-01-06
SG11201509225VA (en) 2015-12-30
WO2014184702A3 (en) 2015-03-12
CN105189676A (zh) 2015-12-23
EP2997102A2 (en) 2016-03-23
US10090159B2 (en) 2018-10-02
JP2016522855A (ja) 2016-08-04
CN105189676B (zh) 2021-03-23
WO2014184702A2 (en) 2014-11-20
JP2019135297A (ja) 2019-08-15
EP2997102B1 (en) 2019-07-10
KR20160009579A (ko) 2016-01-26
TWI640611B (zh) 2018-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2015153455A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие полиэтиленимин
RU2015153457A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие один или более полимеров, выбранных из группы, включающей n-винил-гомополимеры и n-виниловые сополимеры
RU2015153456A (ru) Композиции для химико-механической полировки, содержащие n, n, n',n'-тетракис-(2-гидроксипропил)-этилендиамин или метансульфоновую кислоту
KR101728646B1 (ko) 실리콘 웨이퍼용 연마액 조성물
TW201816059A (zh) 研磨用組成物及研磨用組成物套組
WO2012058271A3 (en) Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
WO2011133228A3 (en) Synthesis, capping and dispersion of nanocrystals
KR101472858B1 (ko) 친환경 sti 공정용 슬러리 및 첨가제 조성물
CN105209563A (zh) 化学机械抛光(cmp)组合物在抛光含有至少一种iii-v 族材料的基材或层中的用途
TWI617655B (zh) 研磨用組成物及其製造方法
JP2017521265A5 (ru)
MX2010011004A (es) Composiciones para la manipulacion de espuma que contienen particulas finas.
WO2012064485A3 (en) Vinyl fluoride polymerization and aqueous dispersion of vinyl fluoride polymer
KR101472857B1 (ko) 친환경 폴리막 정지용 슬러리 및 첨가제 조성물
KR20150008442A (ko) 반도체 소자의 제조 방법
CN106458613B (zh) 水性气凝胶及其生产方法
US20130074731A1 (en) Stable Nanoparticulate Suspension and Method for Production
US9834703B2 (en) Polishing composition
TW201623557A (zh) 一種化學機械拋光液及其應用
KR101812244B1 (ko) 유무기 하이브리드 균질 용액 및 이의 제조방법
KR102275429B1 (ko) Cmp용 슬러리 조성물 및 이에 포함된 연마입자
Sun et al. The effect of surface charge using amino acid and cationic surfactant for high material removal rate (MRR)
KR101753235B1 (ko) 웨이퍼 세정액 및 이를 응용한 웨이퍼 가공방법
RU2017120792A (ru) Композиции для личной гигиены, содержащие комплексообразующие полиэлектролиты
Chen et al. CdTe quantum dots modified fluorescent polymer microspheres by self-assembly

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20180328